JP2022508052A - 多孔質金属箔又はワイヤ、及びそれから製造したコンデンサアノード、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この例では、多孔質金属箔及びワイヤを、本発明に従って製造した。
a)550℃で30分間
b)600℃で30分間
c)550℃で120分間
d)570℃で120分間、又は
e)空気中でのか焼をまったく行わない。
1.ある厚さ及び外面を有する多孔質金属箔又はワイヤであって、前記多孔質金属箔又はワイヤは、a)0.2mm以下の公称厚さ又は約0.05mm~約1.0mmの直径を有するタンタル箔、及びb)少なくとも前記外面に多孔性を備える、多孔質金属箔又はワイヤ。
2.前記公称厚さが、0.01mm~0.2mmである、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
3.前記直径が、0.05mm~0.5mmである、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
4.前記公称厚さが、0.02mm~0.18mmである、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
5.前記公称厚さが、0.03mm~0.18mmである、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
6.前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベルを有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
7.前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベル、及び200ppm未満の炭素量を有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
8.前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベル、及び100ppm未満の炭素量を有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
9.前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベル、及び約5ppm~約100ppmの炭素量を有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
10.エッチングされた微粒子露出面が、約5nm~約500nmの平均粒子サイズを有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
11.エッチングされた微粒子露出面が、約50nm~約200nmの平均粒子サイズを有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
12.前記多孔性が、前記外面の少なくとも5ミクロン下のレベルにさらに存在する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
13.前記多孔性が、前記外面の少なくとも10ミクロン下のレベルにさらに存在する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
14.前記多孔性が、前記外面の少なくとも50ミクロン下のレベルにさらに存在する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
15.前記金属箔が、10mm~50mmの長さ、5mm~25mmの幅、及び0.01mm~0.2mmの公称厚さを有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
16.上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の前記多孔質金属箔、及び前記多孔質金属箔上の誘電体酸化膜を備えたコンデンサアノード。
17.前記多孔質金属箔が、焼結多孔質金属箔である、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載のコンデンサアノード。
18.上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載のコンデンサアノードを備えたコンデンサ。
19.上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の多孔質金属箔又はワイヤの形成方法であって、前記方法は、
a.金属箔又はワイヤを、前記金属箔又はワイヤ上に酸化層を形成する酸化処理にさらすこと、
b.工程a)の金属箔又はワイヤを、前記金属箔又はワイヤの少なくとも面上に多孔性を形成するための脱酸素化処理にさらすこと、
を含む、方法。
20.前記工程b)が、前記工程a)の後に1回以上繰り返される、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
21.前記工程a)が、1回以上繰り返され、工程b)が、1回以上繰り返される、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
22.前記酸化処理が、空気中、少なくとも500℃の温度で少なくとも5分間にわたる金属箔又はワイヤのか焼を含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
23.前記酸化処理が、空気中、約500℃~約650℃の温度で約5分間~約10時間の時間にわたる金属箔又はワイヤのか焼を含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
24.工程b)の後に前記金属箔又はワイヤを真空焼結することをさらに含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
25.前記酸化処理が、化学酸化処理を含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
26.前記脱酸素化処理が、工程a)の前記金属箔又はワイヤを、少なくとも500℃の温度で、少なくとも5分間にわたって、酸素ゲッター材にさらすことを含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
27.前記脱酸素化処理が、工程a)の前記金属箔又はワイヤを、約700℃~約1300℃の温度で、約5分間~約10時間の時間にわたって、酸素ゲッター材にさらすことを含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
28.工程b)の後に、前記金属箔又はワイヤを、酸浸出に、次いで水でのリンスに、次いで乾燥にさらすことをさらに含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
29.工程b)の後に、前記金属箔を焼結すること、次いで電解質中で金属箔を陽極酸化して、金属箔上に誘電体酸化膜を形成し、コンデンサアノードを形成することをさらに含む、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
30.前記酸化処理が、少なくとも5ミクロンの厚さを有する前記酸化層を形成する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
31.前記酸化処理が、少なくとも10ミクロンの厚さを有する前記酸化層を形成する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
32.前記酸化処理が、少なくとも50ミクロンの厚さを有する前記酸化層を形成する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
33.前記コンデンサアノードが、10nA/uFV以下の漏れ電流を有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載のコンデンサアノード。
34.前記コンデンサアノードが、0.1nA/uFV~1.0nA/uFVの漏れ電流を有する、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載のコンデンサアノード。
35.前記酸化処理及び前記脱酸素化処理が、それらの間でアニーリングを行うことなくなされる、上記の又は以下の何れかの実施形態/特徴/態様に記載の方法。
Claims (35)
- ある厚さ及び外面を有する多孔質金属箔又はワイヤであって、前記多孔質金属箔又はワイヤは、a)0.2mm以下の公称厚さ又は約0.05mm~約1.0mmの直径を有するタンタル箔、及びb)少なくとも前記外面に多孔性を備える、多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記公称厚さが、0.01mm~0.2mmである、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記直径が、0.05mm~0.5mmである、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記公称厚さが、0.02mm~0.18mmである、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記公称厚さが、0.03mm~0.18mmである、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベルを有する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベル、及び200ppm未満の炭素量を有する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベル、及び100ppm未満の炭素量を有する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記多孔質金属箔又はワイヤが、少なくとも99.9%Taの純度レベル、及び約5ppm~約100ppmの炭素量を有する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記外面が、細孔及び露出した微粒子状面を備え、前記微粒子状面が、約5nm~約500nmの平均一次粒子サイズを有する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記外面が、細孔及び露出した微粒子状面を備え、前記微粒子状面が、約50nm~約200nmの平均一次粒子サイズを有する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記多孔性が、前記外面の少なくとも5ミクロン下のレベルにさらに存在する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記多孔性が、前記外面の少なくとも10ミクロン下のレベルにさらに存在する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記多孔性が、前記外面の少なくとも50ミクロン下のレベルにさらに存在する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 前記金属箔が、10mm~50mmの長さ、5mm~25mmの幅、及び0.01mm~0.2mmの公称厚さを有する、請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤ。
- 請求項1~15の何れか一項に記載の前記多孔質金属箔、及び前記多孔質金属箔上の誘電体酸化膜を備えたコンデンサアノード。
- 前記多孔質金属箔が、焼結多孔質金属箔である、請求項16に記載のコンデンサアノード。
- 請求項16又は17に記載のコンデンサアノードを備えたコンデンサ。
- 請求項1に記載の多孔質金属箔又はワイヤの形成方法であって、前記方法は、
a.金属箔又はワイヤを、前記金属箔又はワイヤ上に酸化層を形成する酸化処理にさらすこと、
b.工程a)の金属箔又はワイヤを、前記金属箔又はワイヤの少なくとも面上に多孔性を形成するための脱酸素化処理にさらすこと、
を含む、方法。 - 前記工程b)が、前記工程a)の後に1回以上繰り返される、請求項19に記載の方法。
- 前記工程a)が、1回以上繰り返され、工程b)が、1回以上繰り返される、請求項19に記載の方法。
- 前記酸化処理が、空気中、少なくとも500℃の温度で少なくとも5分間にわたる前記金属箔又はワイヤのか焼を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記酸化処理が、空気中、約500℃~約650℃の温度で約5分間~約10時間の時間にわたる前記金属箔又はワイヤのか焼を含む、請求項19に記載の方法。
- 工程b)の後に前記金属箔又はワイヤを真空焼結することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記酸化処理が、化学酸化処理を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記脱酸素化処理が、工程a)の前記金属箔又はワイヤを、少なくとも500℃の温度で、少なくとも5分間にわたって、酸素ゲッター材にさらすことを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記脱酸素化処理が、工程a)の前記金属箔又はワイヤを、約700℃~約1300℃の温度で、約5分間~約10時間の時間にわたって、酸素ゲッター材にさらすことを含む、請求項19に記載の方法。
- 工程b)の後に、前記金属箔又はワイヤを、酸浸出に、次いで水でのリンスに、次いで乾燥にさらすことをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 工程b)の後に、前記金属箔を焼結すること、次いで電解質中で前記金属箔を陽極酸化して、前記金属箔上に誘電体酸化膜を形成し、コンデンサアノードを形成することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記酸化処理が、少なくとも5ミクロンの厚さを有する前記酸化層を形成する、請求項19に記載の方法。
- 前記酸化処理が、少なくとも10ミクロンの厚さを有する前記酸化層を形成する、請求項19に記載の方法。
- 前記酸化処理が、少なくとも50ミクロンの厚さを有する前記酸化層を形成する、請求項19に記載の方法。
- 前記コンデンサアノードが、10nA/uFV以下の漏れ電流を有する、請求項16又は17に記載のコンデンサアノード。
- 前記コンデンサアノードが、0.1nA/uFV~1.0nA/uFVの漏れ電流を有する、請求項16又は17に記載のコンデンサアノード。
- 前記酸化処理及び前記脱酸素化処理が、それらの間でアニーリングを行うことなくなされる、請求項19~32の何れか一項に記載の方法。
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