JP5497076B2 - Nb化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法 - Google Patents
Nb化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5497076B2 JP5497076B2 JP2012002033A JP2012002033A JP5497076B2 JP 5497076 B2 JP5497076 B2 JP 5497076B2 JP 2012002033 A JP2012002033 A JP 2012002033A JP 2012002033 A JP2012002033 A JP 2012002033A JP 5497076 B2 JP5497076 B2 JP 5497076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine powder
- compound
- powder
- electrolytic capacitor
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
1 多孔質焼結体
10 ペースト
10A 粉末成形体
10B ペースト
1A 第1多孔質焼結体
1B 第2多孔質焼結体
2 誘電体層
3 固体電解質層
4 陰極導体層
50 ロッド
50a 平坦部
50b 切り欠き部
50c 段差部
5A 第1陽極リード
5B 第2陽極リード
51 外部陽極端子
6 陰極リード
61 外部陰極端子
7 パッケージ樹脂
Claims (24)
- Nbの微粉末を製造する工程と、
上記Nbの微粉末に対してNのみ、またはOとNとをドーピングする工程と、を有しており、
上記Nをドーピングする工程においては、気相法によるドーピングを施すことにより、その組成がNbxOyNz(x,zは0を超える正の数、yは0以上の正の数)で表され、かつ上記組成比がx=1に対してy+z≦1.1であるNb化合物の微粉末を製造することを特徴とする、Nb化合物の微粉末の製造方法。 - 上記Nをドーピングする工程においては、上記Nb化合物の微粉末のO濃度とN濃度との和を8000ppm以上とする、請求項1に記載のNb化合物の微粉末の製造方法。
- 上記Nbの微粉末を製造する工程においては、その重量あたり表面積を、2m2/g以
上とする、請求項1または2に記載のNb化合物の微粉末の製造方法。 - 上記ドーピングする工程は、上記Nbの微粉末の表面にNb2O5が生じる温度、および上記Nbの微粉末に焼結現象が生じる温度、のいずれよりも低い温度において、上記Nbの微粉末の表面にNb2O5の酸化膜を生じない酸素濃度において行う、請求項1ないし3のいずれかに記載のNb化合物の微粉末の製造方法。
- 上記ドーピングする工程においては、上記ドーピングを実施するためのドーピング用のガスの濃度と雰囲気温度とを徐々に上げる、請求項4に記載のNb化合物の微粉末の製造方法。
- 上記Nbの微粉末を製造する工程の後、上記ドーピングする工程の前に、上記Nbの微粉末の表面に、その組成がNbxOyで表され、その組成比がx=1に対してy<2.5であるNb酸化物からなる酸化膜を気相酸化により形成する工程をさらに有し、
上記ドーピングする工程においては、焼結現象が生じない温度において上記酸化膜から上記各微粉末内部にOを熱拡散させる、請求項1ないし3のいずれかに記載のNb化合物の微粉末の製造方法。 - 上記Nb酸化物における組成比が、x=1に対してy≦2.0である、請求項6に記載のNb化合物の微粉末の製造方法。
- 上記Nbの微粉末を製造する工程においては、気相成長法を用いる、請求項1ないし7のいずれかに記載のNb化合物の微粉末の製造方法。
- 上記Nbの微粉末を製造する工程の開始から上記ドーピングする工程の終了までの間、上記Nbの微粉末を大気から隔離する、請求項1ないし8のいずれかに記載のNb化合物の微粉末の製造方法。
- 上記ドーピングする工程の後に、上記Nb化合物の組成比を調整するための、水素を用いた還元工程をさらに有する、請求項1ないし9のいずれかに記載のNb化合物の微粉末の製造方法。
- 弁作用金属からなる多孔質焼結体と、
上記多孔質焼結体の少なくとも一部を覆う誘電体層と、
上記誘電体層の少なくとも一部を覆う固体電解質層と、を備える固体電解コンデンサの製造方法であって、
Nbの微粉末を用いて粉末成形体を形成する工程と、
上記粉末成形体に対して気相法を用いてNのみ、またはOとNとをドーピングすることにより、上記粉末成形体を形成するNbの微粉末を、その組成がNbxOyNz(x,zは0を超える正の数、yは0以上の正の数)で表され、かつ、上記組成比がx=1に対してy+z≦1.1であるNb化合物の微粉末とする工程と、
上記ドーピングする工程の後に、上記粉末成形体を焼結することにより上記多孔質焼結体を形成する工程と、を有することを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。 - 上記Nb化合物の微粉末とする工程においては、上記Nb化合物の微粉末のO濃度とN濃度との和を8000ppm以上とする、請求項11に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 上記Nbの微粉末としては、その重量あたり表面積が、2m 2 /g以上であるものを用いる、請求項11または12のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 上記ドーピングする工程は、上記粉末成形体の表面にNb2O5が生じる温度、および上記粉末成形体に焼結現象が生じる温度、のいずれよりも低い温度において、上記粉末成形体の表面にNb2O5の酸化膜を生じない酸素濃度において行う、請求項11ないし13のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 上記ドーピングする工程においては、上記ドーピングを実施するためのドーピング用のガスの濃度と雰囲気温度とを徐々に上げる、請求項14に記載のNb化合物の製造方法。
- 上記粉末成形体を形成する工程の後、上記ドーピングする工程の前に、上記粉末成形体の表面に、その組成がNbxOyで表され、その組成比がx=1に対してy<2.5であるNb酸化物からなる酸化膜を気相酸化により形成する工程をさらに有し、
上記ドーピングする工程においては、焼結現象が生じる温度よりも低い温度において上記酸化膜から上記粉末成形体を構成する各粉末内部にOを熱拡散させる、請求項11ないし13のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 上記Nb酸化物における組成比が、x=1に対してy≦2.0である、請求項16に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 上記粉末成形体を形成する工程は、上記Nbの微粉末およびバインダを含むペーストを用いて行う、請求項11ないし17のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- Nb化合物の粉末成形体を形成する工程と、
弁作用金属からなるロッドに上記粉末成形体を接合する工程と、を有しており、
上記接合する工程においては、上記ロッドにNbおよびNb化合物の少なくとも一方を含むペーストを用いて上記粉末成形体を接合し、
上記粉末成形体は、その組成が、NbxOyNz(x,zは0を超える正の数、yは0以上の正の数)で表され、その電気伝導度が、Nbの電気伝導度の1/10以上であるNb化合物の微粉末を用いて形成されており、
上記ロッドは、Nbからなり、
上記ペーストは、その組成が、NbxOyNz(x,zは0を超える正の数、yは0以上の正の数)で表され、その電気伝導度が、Nbの電気伝導度の1/10以上であるNb化合物の微粉末とNbの微粉末との混合物を含むことを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。 - 上記粉末成形体および上記ペーストに用いられる上記Nb化合物の上記組成比が、x=1に対して、y+z≦1.1である、請求項19に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 上記粉末成形体および上記ペーストに用いられる上記Nb化合物のO濃度とN濃度との和が、8000ppm以上である、請求項20に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 上記Nb化合物の微粉末とNbの微粉末との混合物は、上記Nbの微粉末が0.1〜50%の割合で混合されている、請求項19ないし21のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 上記接合する工程の前に、断面円形状のワイヤの一部をその半径方向において加圧成形することにより、平坦部を有する上記ロッドを形成する工程をさらに有し、
上記接合する工程においては、上記平坦部に対して上記粉末成形体を接合する、請求項19ないし22のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 上記ロッドの上記平坦部に対して折り曲げ加工を施すことにより、段差部を形成する工程をさらに有する、請求項23に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012002033A JP5497076B2 (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | Nb化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012002033A JP5497076B2 (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | Nb化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005170966A Division JP5289669B2 (ja) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | Nb化合物の微粉末の製造方法、Nb化合物の微粉末を用いた固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012121800A JP2012121800A (ja) | 2012-06-28 |
JP5497076B2 true JP5497076B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=46503661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012002033A Expired - Fee Related JP5497076B2 (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | Nb化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5497076B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10044451C1 (de) * | 2000-09-08 | 2002-04-04 | Epcos Ag | Elektrode und Kondensator mit der Elektrode |
JP5020433B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2012-09-05 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用ニオブ粉、焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ |
JP2002222742A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Rohm Co Ltd | 電解質コンデンサの製造方法 |
US7149074B2 (en) * | 2001-04-19 | 2006-12-12 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide |
-
2012
- 2012-01-10 JP JP2012002033A patent/JP5497076B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012121800A (ja) | 2012-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5124578B2 (ja) | 構造化した焼結活性表面を有する半製品およびその製造方法 | |
US20090231782A1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
JP4850127B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
US20080232036A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of producing the same | |
JP2006179886A (ja) | 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ | |
TWI630044B (zh) | 用於製造具有高表面積的低氧閥金屬燒結體之方法 | |
JP5698882B1 (ja) | コンデンサ陽極体およびその製造方法 | |
JP5289669B2 (ja) | Nb化合物の微粉末の製造方法、Nb化合物の微粉末を用いた固体電解コンデンサの製造方法 | |
CN103632847B (zh) | 一种轴向模压钽电容器及其制造方法 | |
JP5497076B2 (ja) | Nb化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法 | |
JP4521849B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ | |
EP1264321B1 (en) | Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body | |
JP2014522124A (ja) | 弁金属粉末から電解コンデンサを製造する方法 | |
JP2007073570A (ja) | 多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法 | |
US8673025B1 (en) | Wet electrolytic capacitor and method for fabricating of improved electrolytic capacitor cathode | |
JP2885101B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JP5020433B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ | |
JP2008192886A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2003142337A (ja) | コンデンサ | |
US20230395329A1 (en) | Method of Producing a Tantalum Capacitor Anode | |
JP4665854B2 (ja) | バルブ金属複合電極箔およびその製造方法 | |
US4214293A (en) | Electrolytic capacitors | |
JP2000068160A (ja) | Ta固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
KR102016481B1 (ko) | 고체 전해 캐패시터 및 이의 제조방법 | |
JPS6026288B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用焼結電極 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140305 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5497076 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |