JP2014522124A - 弁金属粉末から電解コンデンサを製造する方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 title description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 105
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims abstract description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 1
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 1
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011255 nonaqueous electrolyte Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- -1 permanganates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N peroxydisulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OOS(O)(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003626 triacylglycerols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012178 vegetable wax Substances 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
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- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
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- B22F3/10—Sintering only
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- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
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Abstract
a)タンタル粉末を、タンタルワイヤ又はタンタルリボン又はタンタルシートの周りにプレスしてプレス体を形成する工程、b)該プレス体を焼結して多孔質の焼結体を形成する工程、c)該焼結体を冷却する工程、d)該多孔質の焼結体を、1種以上のガス状又は液状の酸化剤で処理する工程及びe)該処理された焼結体を電解液中で陽極酸化して誘電体層を形成する工程を包含する。
Description
a)タンタル粉末を、タンタルワイヤ又はタンタルリボン又はタンタルシートの周りにプレスしてプレス体を形成する工程、
b)プレス体を焼結して多孔質の焼結体を形成する工程、
c)焼結体を冷却する工程、
d)多孔質の焼結体を、1種以上のガス状又は液状の酸化剤で処理する工程及び
e)処理された焼結体を電解液中で陽極酸化して誘電体層を形成する工程
を包含する。
それゆえ、本発明の更なる対象は、本発明による陽極を含む電解コンデンサである。
そのうえまた、本発明の更なる対象は、本発明による電解コンデンサを含む電子回路である。
以下の例は、本発明の例示的な説明に用いるものであって、限定するものとして理解されるべきではない。
ASTM D 3663に従って測定した3.5m2/gの比表面積を有するタンタル粉末35mgを、タンタルワイヤの周りにプレスして6.5g/cm3の密度を有するプレス体を得る。プレス体は、角柱形で2.1mm×1.6mm×1.6mmの寸法を有する。タンタルワイヤの平均直径は0.19mmである。プレス体を、1315℃にて高真空中で20分間焼結し、その後に炉内で室温(25℃)にヘリウム下で冷却する(試料1)。焼結体を、焼結直後、遅くとも15分後に、それに次いで過酸化水素の5質量%水溶液中で1時間貯蔵し、引き続き水で洗浄し、かつ100℃で乾燥した。過酸化水素による処理後に、焼結体の一部を、4300μSの伝導度を有する85℃に熱せられた希釈リン酸に4時間(試料3)及び24時間(試料4)貯蔵する。焼結体の別の部分を、人工気候室内で20℃及び相対湿度50%にて24時間貯蔵する(試料2)。人工気候室内で貯蔵していた焼結体を、引き続き、4300μSの伝導度を有する85℃に熱せられた希釈リン酸溶液に浸漬し、かつ150mAに制限された電流値で20Vの電圧まで陽極酸化する。電流値の低下後、電圧をなおも3時間維持し、ここで、1時間後(試料5)及び3時間後(試料6)に、ワイヤ脆性値を測定する。
試料1:焼結直後
試料2:人工気候室内で24時間の貯蔵後
試料3:85℃に熱せされた希釈リン酸溶液中で4時間の貯蔵後
試料4:85℃に熱せされた希釈リン酸溶液中で24時間の貯蔵後
試料5:人工気候室内での24時間の貯蔵及び1時間の陽極酸化後
試料6:人工気候室内での24時間の貯蔵及び3時間の陽極酸化後
例1で用いたのとは異なる、ASTM D3663に従って測定した4.1m2/gの比表面積を有し、より高いワイヤ脆性値を有するタンタル粉末を、例1に応じて試験した。
例1に相応する実施を行うが、しかしながら、過酸化水素溶液の濃度は1%である。
例2に相応する実施を行うが、しかしながら、過酸化水素溶液の濃度は1%である。
例1に相応する実施を行うが、しかしながら、全ての部分において過酸化水素による処理は省かれる。
例2に相応する実施を行うが、しかしながら、全ての部分において過酸化水素による処理は省かれる。
例1に相応する実施を行うが、しかしながら、焼結体を、焼結後に乾燥酸素で1時間処理する。この処理は90℃で行われる。さらに、過酸化水素による処理は省かれる。
例2に相応する実施を行うが、しかしながら、焼結体を、焼結後に乾燥酸素で1時間処理する。この処理は90℃で行われる。さらに、過酸化水素による処理は省かれる。
例1に相応する実施を行うが、しかしながら、全ての部分において過酸化水素による処理は省かれる。陽極酸化のための電解液は、過酸化水素5%と、85℃で4300μSの伝導度を達成するのに必要なリン酸を含有する。
例2に相応する実施を行うが、しかしながら、全ての部分において過酸化水素による処理は省かれる。陽極酸化のための電解液は、過酸化水素5%と、85℃で4300μSの伝導度を達成するのに必要なリン酸を含有する。
例10に相応する実施を行うが、しかしながら、焼結体を、陽極酸化前に人工気候室内では貯蔵せずに、焼結後5時間以内に即座に陽極酸化する。
例1に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
例2に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
例5に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
例6に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
例7に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
例8に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
例9に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
例10に相応する実施を行うが、しかしながら、5.5g/cm3のプレス体の密度で行う。
a)ワイヤがワイヤ軸に対して直角にあり、かつ焼結体若しくは陽極からのワイヤ突出部がワイヤ軸にあるように焼結体若しくは陽極を固定する。
b)ワイヤ端部に50gの重しを取り付ける。
c)焼結体若しくは陽極を90°回転し、そして元の位置に回転し戻す。この動きは、ワイヤ脆性値を1だけ高める。
d)焼結体若しくは陽極を反対方向に90°回転し、そして元の位置に回転し戻す。ワイヤ脆性値は1だけ高まる。
e)c)及びd)を、ワイヤが裂けるまで繰り返し行う。
Claims (16)
- 電解コンデンサ用の陽極の製造法であって、ここで、該方法は、以下の工程:
a)タンタル粉末を、タンタルワイヤ又はタンタルリボン又はタンタルシートの周りにプレスしてプレス体を形成する工程、
b)該プレス体を焼結して多孔質の焼結体を形成する工程、
c)該焼結体を冷却する工程、
d)該多孔質の焼結体を、1種以上のガス状又は液状の酸化剤で処理する工程及び
e)該処理された焼結体を電解液中で陽極酸化して誘電体層を形成する工程
を包含する方法。 - 前記電解液に、工程e)において1種以上の酸化剤を加えることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記の工程d)において用いられる酸化剤及び/又は前記の工程e)において用いられる電解液が、過酸化水素の水溶液を含有することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記の過酸化水素水溶液が、0.1〜50質量%、有利には1〜30質量%、特に有利には1〜10質量%、殊に有利には1〜5質量%の過酸化水素濃度を有し、ここで、質量値は、該過酸化水素水溶液の全質量を基準としていることを特徴とする、請求項3記載の方法。
- 前記の多孔質の焼結体、殊に焼結された陽極の処理を、工程d)において少なくとも1時間行うことを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 前記焼結体を、前記の工程d)における酸化剤を用いた処理後に水で洗浄し、かつ乾燥することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 請求項1から6までのいずれか1項記載の方法によって得られる陽極。
- タンタル電解コンデンサとしての使用に適した陽極であって、ここで、該陽極は、中に埋め込まれ焼結されたタンタルワイヤを含み、ここで、焼結体の化成後に測定されるワイヤ脆性値(Df)と、プレス体の焼結及び20℃への冷却直後に測定されるワイヤ脆性値(Ds)との商Df/Dsが0.2〜1であり、ここで、該ワイヤ脆性値は、日本標準規格EIAJ RC−2361 Aに従ってそのつど測定した陽極。
- 前記商Df/Dsが、0.2〜1、好ましくは0.4〜1である、請求項7又は8記載の陽極。
- 前記ワイヤが、≦0.5mm、好ましくは≦0.3mm、殊に≦0.2mmの算術平均直径を有することを特徴とする、請求項7から9までのいずれか1項記載の陽極。
- 前記ワイヤが、0.08mm〜0.5mm、好ましくは0.1mm〜0.3mm、殊に0.10mm〜0.2mmの算術平均直径を有することを特徴とする、請求項7から9までのいずれか1項記載の陽極。
- 前記ワイヤが、少なくとも95質量%のタンタルを包含し、ここで、質量値は、ワイヤの全質量を基準としていることを特徴とする、請求項7から11までのいずれか1項記載の陽極。
- 前記陽極が、3.5〜9.0g/cm3の密度を有することを特徴とする、請求項7から12までのいずれか1項記載の陽極。
- 請求項7から13までのいずれか1項記載の陽極を含む電解コンデンサ。
- 電解コンデンサ、殊に平滑コンデンサ又は干渉抑制コンデンサの製造のための、請求項7から13までのいずれか1項記載の陽極の使用。
- 請求項14記載の電解コンデンサを含む電子回路。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011109756A DE102011109756A1 (de) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren aus Ventilmetallpulvern |
DE102011109756.6 | 2011-08-09 | ||
US201161522407P | 2011-08-11 | 2011-08-11 | |
US61/522,407 | 2011-08-11 | ||
PCT/EP2012/065518 WO2013021004A1 (de) | 2011-08-09 | 2012-08-08 | Verfahren zur herstellung von elektrolytkondensatoren aus ventilmetallpulvern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014522124A true JP2014522124A (ja) | 2014-08-28 |
JP2014522124A5 JP2014522124A5 (ja) | 2015-07-23 |
Family
ID=47595580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014524374A Pending JP2014522124A (ja) | 2011-08-09 | 2012-08-08 | 弁金属粉末から電解コンデンサを製造する方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9378894B2 (ja) |
EP (1) | EP2741877A1 (ja) |
JP (1) | JP2014522124A (ja) |
KR (1) | KR20140054074A (ja) |
CN (1) | CN103717329A (ja) |
DE (1) | DE102011109756A1 (ja) |
IL (1) | IL230709A (ja) |
MX (1) | MX2014001185A (ja) |
RU (1) | RU2615415C2 (ja) |
TW (1) | TWI592962B (ja) |
WO (1) | WO2013021004A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
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- 2011-08-09 DE DE102011109756A patent/DE102011109756A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-08-08 TW TW101128528A patent/TWI592962B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-08 MX MX2014001185A patent/MX2014001185A/es unknown
- 2012-08-08 RU RU2014108710A patent/RU2615415C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-08-08 CN CN201280038687.7A patent/CN103717329A/zh active Pending
- 2012-08-08 US US14/237,562 patent/US9378894B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-08 JP JP2014524374A patent/JP2014522124A/ja active Pending
- 2012-08-08 EP EP12748005.1A patent/EP2741877A1/de not_active Withdrawn
- 2012-08-08 WO PCT/EP2012/065518 patent/WO2013021004A1/de active Application Filing
- 2012-08-08 KR KR1020147003993A patent/KR20140054074A/ko not_active Application Discontinuation
-
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- 2014-01-29 IL IL230709A patent/IL230709A/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102011109756A1 (de) | 2013-02-14 |
US20140185190A1 (en) | 2014-07-03 |
IL230709A (en) | 2017-02-28 |
MX2014001185A (es) | 2014-05-30 |
EP2741877A1 (de) | 2014-06-18 |
US9378894B2 (en) | 2016-06-28 |
CN103717329A (zh) | 2014-04-09 |
WO2013021004A1 (de) | 2013-02-14 |
TW201330035A (zh) | 2013-07-16 |
IL230709A0 (en) | 2014-03-31 |
RU2615415C2 (ru) | 2017-04-04 |
RU2014108710A (ru) | 2015-09-20 |
KR20140054074A (ko) | 2014-05-08 |
TWI592962B (zh) | 2017-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20150602 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160115 |
|
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