JP2005353696A - 部品実装方法及び部品実装装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 薄型化されて変形が生じやすいICチップや狭ピッチで多数の電極が形成されているICチップ等の電子部品であっても正確に基板に実装することを可能にする電子部品の実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】 薄型化されたICチップ1は加工歪みや吸着ノズル11に吸着されたときに変形が生じて平面性が損なわれるが、吸着面11bが平坦に形成された吸着ノズル11により所定荷重で基板4に押し付けることにより変形が矯正される。電極に形成された半田バンプ1aを溶融させる加熱に伴う熱膨張によりICチップ1と基板4との所定対向間隔の減少は吸着ノズル11の上昇制御によって補正され、冷却により熱膨張していた部位が収縮するのに伴う溶融部の引き剥がし作用は吸着ノズル11の下降制御によって補正される。
【選択図】 図2

Description

本発明は、電子部品を実装対象物とする基板にフリップチップ実装工法により実装する実装方法及び装置に関し、特に薄型化されたICチップや狭ピッチで多数の電極が形成されたICチップなどの電子部品を基板に精度よく実装することを可能とした部品実装方法及び部品実装装置に関するものである。
ノートパソコンや携帯電話機などの携帯情報機器の軽量化、薄型化、高機能化の著しい進展を支える技術の1つとして高密度実装技術を挙げることができる。ICチップは高密度集積化の進展と共に外部接続端子となる電極の数が増加し微細な配列間隔で形成され、このICチップを基板上に形成された電極に短絡や接続不良を発生させることなく実装するために高密度実装技術が不可欠であり、その代表的工法としてフリップチップ実装工法が知られており、その中でも半田接合工法がICチップの接合に多用されている。
この半田接合工法を用いた電子部品の部品実装方法及びその装置により電極の配列間隔が狭ピッチに形成されたICチップを基板に実装する従来技術が知られている(特許文献1参照)。
上記従来技術に係る部品実装装置は、図8に示すように、昇降駆動手段121により昇降動作する装着ヘッド103の先端に設けられた吸着ノズル111によりICチップ101を吸着保持し、装着ヘッド103を下降させてICチップを基板上に装着し、吸着ノズル111の背面に設けられたセラミックヒータ117によりICチップ101を加熱し、ICチップ101に半田バンプとして形成された突起電極を溶融させて基板上に形成された基板電極に溶融接合させた後、ブローノズル119から冷却風を吹き付けて接合された突起電極を固化させ、吸着ノズル111による吸着を解除して装着ヘッド103を上昇させることによりICチップを基板に実装するように構成されている。
図9は、上記構成になる部品実装装置によりICチップ101を基板104に実装する手順を順を追って示すものである。図9(a)に示すように、複数の電極101aにそれぞれ半田バンプ101bが形成されたICチップ101を吸着ノズル111により吸着保持し、装着ヘッド103を基板104上に移動させ、ICチップ101が基板104上の所定位置に位置するように位置決めする。次いで、図9(b)に示すように、装着ヘッド103を下降動作させてICチップ101に形成された各半田バンプ101bを基板104に形成された各パッド(基板電極)104a上に予め供給されている予備半田102に当接させる。次に、図9(c)に示すように、セラミックヒータ117により吸着ノズル111を介してICチップ101を半田バンプ101b及び予備半田102を形成する半田の融点以上の温度に加熱して、半田バンプ101b及び予備半田102を溶融させる。次に、図9(d)に示すように、セラミックヒータ117による加熱を停止し、溶融状態の半田にブローノズル119から冷却風を吹き付けて強制冷却して半田を固化させることにより、ICチップ101の電極101aと基板104のパッド104aとを接合する。その後に、吸着ノズル111によるICチップ101の吸着を解除し、装着ヘッド103を上昇動作させることにより、図9(e)に示すように、ICチップ101は基板104上に実装される。
上記実装方法は、それまで実施されていた半田バンプを用いた接合方法において、半田の溶融中に吸着ノズル111によるICチップ101の吸着を解除することにより、溶融した半田の表面張力によるセルフアライメントによってチップ電極と基板電極との接合位置を一致させる方法では、吸着保持を解除する際の真空破壊ブローによる接合位置のずれが問題となるような位置精度が要求される狭ピッチに電極が配列されている場合に対応できなくなる課題を解決している。チップ電極と基板電極との間の接合位置の一致は、装着ヘッド103による位置決めによってなされ、半田の溶融中でなく半田を固化させた後に吸着を解除するので、真空破壊ブローにより接合位置に位置ずれを発生させることがなく、狭ピッチに配列形成されている電極間の短絡や接続不良等の接合不良を発生させることなく狭ピッチに電極配列されたICチップ101を安定して実装することができる。
特開2003−008196号公報(第4〜6頁、図2)
しかしながら、ICチップは薄型化される傾向にあり、ウエハからダイシングされてICチップに加工されるまでの加工段階においてICチップに加工歪みが残りやすく、ICチップの平面性が損なわれた状態が発生しやすくなる。また、薄型化されたICチップを吸着ノズルによって吸着保持すると、吸着保持する負圧はICチップの中央部分に集中するので、中央部分が持ち上がって反りが発生しやすくなる。
このように加工歪みによる波打ちや吸着保持による反りが発生しやすい薄型化されたICチップを上記従来技術に係る実装方法によって基板に実装しようとしても、ICチップに形成された複数の突起電極が基板に形成された複数の基板電極にそれぞれ当接する状態が部位によって異なり、突起電極と基板電極との間を精度よく接合することができない課題があった。
また、ヒータによる加熱は吸着ノズル及びヒータが取り付けられた装着ヘッドに伝熱して熱膨張を生じさせ、突起電極の基板電極に対する接触圧に変化を及ぼすことになるため、加熱に応じて装着ヘッドを上昇させて熱膨張を補正する制御がなされている。しかし、ヒータによる加熱は吸着ノズル及びICチップを介して基板を保持するステージ側にも伝熱し、ステージ側に熱膨張が生じることが考慮されていない課題があった。しかもステージ側の熱膨張は装着ヘッド側の熱膨張から遅れて発生するため、それを補正する制御がなされていなかった。
同様に、加熱を停止して冷却がなされると、装着ヘッド側に収縮が生じるので、それを補正するために装着ヘッドを下降動作させる制御がなされているが、実装ステージ側の収縮が考慮されていない課題があった。
また、冷却時に収縮を補正する下降動作を行った後に、冷却が遅れているステージ側からの伝熱により装着ヘッド側に膨張が生じると、固化する途上にある溶融部に引き剥がし方向の力が作用し、接合部に界面やクラックによるオープンが発生して、電気抵抗の増加や導通不良などの接合不良が生じる課題があった。
本発明が目的とするところは、薄型化されて平面性が損なわれやすいICチップや狭ピッチで多数の電極が形成されているICチップなどの電子部品であっても精度よく基板に実装することを可能にする部品実装方法及び部品実装装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本願第1発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させた後、加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶融部を固化させた後、吸着ノズルに吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法である。
上記部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付けるので、電子部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。電子部品の一例であるICチップは薄型化される傾向にあり、高集積化により狭ピッチで多数の電極が配列されているので、平面性が損なわれた状態にあると全ての電極が基板に均等に接合されない状態になるが、本部品実装方法により薄型化されて平面性が損なわれやすい電子部品であっても良好な接合状態を得ることが可能となる。
また、本願第2発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極を基板電極に接触させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の既知の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法である。
上記部品実装方法によれば、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になることを装着ヘッドの上昇動作制御により補正することができるので、溶融した突起電極に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を生じさせることが防止できる。特に、狭ピッチで多数の電極が配列されているICチップでは溶融部の膨出により短絡が生じやすいが、装着ヘッドの上昇動作が制御されることにより溶融部の膨出による短絡を防止することができる。
また、本願第3発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極を基板電極に接触させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法である。
上記部品実装方法によれば、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する状態を防止することができる。
また、本願第4発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の既知の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶融部を固化させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法である。
上記部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御がなされるので、電子部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。更に、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になることを装着ヘッドの上昇動作制御により補正することができるので、溶融した突起電極に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を生じさせることが防止できる。
また、本願第5発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法である。
上記部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御がなされるので、電子部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。更に、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する状態を防止することができる。
また、本願第6発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の既知の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法である。
上記部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御がなされるので、電子部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。また、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になることを装着ヘッドの上昇動作制御により補正することができるので、溶融した突起電極に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を生じさせることが防止できる。更に、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する状態を防止することができる。
上記第1〜第6の各発明において、溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持した後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除するように制御することにより、突起電極と基板電極との間の溶融部が完全に固化し、両電極間が正常に接合された後に吸着ノズルによる吸着を解除して電子部品を切り離すので、切り離し時の振動により接合部分に異常を発生させることがない。
また、溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持する途上において、電子部品に加わる荷重方向を検出し、荷重方向に応じて装着ヘッドを上昇動作又は下降動作させる制御を実行することにより、基板を保持する実装ステージからの熱伝導により吸着ノズル側に再び熱膨張が生じて電子部品と基板との対向間隔が短縮して固化途上の溶融部が膨出して短絡を生じさせたり、電子部品の変形回復力により電子部品と基板との対向間隔が増加して固化途上の溶融部に引き剥がし作用が及んだりすることが防止できる。
また、溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持した後、所定の固化判定荷重が検出されたとき、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除するように制御することにより、基板を保持する実装ステージからの熱伝導により吸着ノズル側に再び熱膨張が生じて電子部品と基板との対向間隔が短縮したとき、溶融部が固化していると固化判定荷重が検出されるので、これが検出されたときには固化完了として吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除することができ、実装時間の短縮を図ることができる。
また、本願第7発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重を検出する荷重検出手段を設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重が所定値になるように装着ヘッドの昇降動作を制御する制御部が設けられてなることを特徴とする部品実装装置である。
上記部品実装装置によれば、制御部は所定の接触荷重値が検出されるまで装着ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御を実行するので、電子部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正され、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。電子部品の一例であるICチップは薄型化される傾向にあり、高集積化により狭ピッチで多数の電極が配列されているので、平面性が損なわれた状態にあると全ての電極が基板に均等に接合されない状態になるが、上記制御動作により薄型化されて平面性が損なわれやすい電子部品であっても良好な接合状態を得ることが可能となる。
また、本願第8発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、加熱に伴って前記装着ヘッド側及び実装ステージ側に生じる熱膨張量に応じて下降位置にある装着ヘッドを上昇方向に移動制御し、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降方向に移動制御する制御部が設けられてなることを特徴とする部品実装装置である。
上記部品実装装置によれば、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降停止位置が下がった状態になることを装着ヘッドの上昇動作制御により補正する制御動作がなされるので、溶融した突起電極に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を生じさせることが防止できる。特に、狭ピッチで多数の電極が配列されているICチップでは溶融部の膨出により短絡が生じやすいが、装着ヘッドの上昇動作が制御されることにより溶融部の膨出による短絡を防止することができる。更に、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する状態を防止することができる。
また、本願第9発明は、複数の突起電極が形成された電子部品を装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重を検出する荷重検出手段を設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重が所定値になるように装着ヘッドの昇降動作を制御し、加熱に伴って前記装着ヘッド側及び実装ステージ側に生じる熱膨張量に応じて下降位置にある装着ヘッドを上昇方向に移動制御し、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降方向に移動制御する制御部が設けられてなることを特徴とする部品実装装置である。
上記部品実装装置によれば、制御部は所定の接触荷重値が検出されるまで装着ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御を実行するので、電子部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正され、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。また、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になることを装着ヘッドの上昇動作制御により補正することができるので、溶融した突起電極に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を生じさせることが防止できる。更に、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する状態を防止することができる。
上記各構成において、吸着ノズルと装着ヘッド本体との間に配設された加熱手段と、前記装着ヘッド本体との間に、熱膨張係数が1×10−6以下の断熱部材を配設することが好適で、加熱手段の熱が装着ヘッド本体側に伝熱することが抑制され、熱膨張による影響を緩和することができる。
また、吸着ノズルの電子部品を吸着保持する吸着面に、電子部品の面積に対応する領域に吸気口に連通する吸気溝を所定密度で列設形成することにより、電子部品は吸気口だけでなく吸気溝からの吸気によっても吸着されるので、吸着部位が1箇所に集中することがなくされてなる全面で均等に吸着される。薄型化された電子部品では吸着箇所が1箇所に集中していると、吸引力により変形が生じやすいが、全面で均等に吸着することにより変形しやすい電子部品であっても変形を発生させることなく吸着保持することが可能となる。
本発明によれば、薄型化されて変形が生じやすい電子部品であっても、変形を矯正する制御動作が実行され、接合のための加熱に伴って発生する装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張及び加熱を停止して冷却がなされたときに生じる収縮を補正する制御動作が実行されるので、薄型化された電子部品や高集積化により狭ピッチで多数の電極が列設形成されている電子部品であっても、基板に精度よく接合することができる。
本実施形態は、電子部品の一例であるICチップの電極に突起電極として形成された半田バンプを基板の電極に基板電極として形成されたパッドに溶融接合することによりICチップを基板に実装する部品実装方法及び部品実装装置について示すものである。特に、薄型化されて平面性が損なわれやすいICチップや、狭ピッチで多数の電極が列設形成されているICチップであっても精度よく実装することを可能にする実装制御方法及びその装置を設けたものである。尚、ICチップを実装する対象物を基板としているが、それは回路基板だけでなく、ICチップ上にICチップを実装するチップオンチップの場合では実装対象となるICチップを基板とする。
図1は、実施形態に係る実装装置の要部構成を示すもので、吸着ノズル11によりICチップ1を吸着保持して実装ステージ7上に保持された基板4に実装する装着ヘッド3の構成部分を示している。この装着ヘッド3は図示しないXYロボットにより部品供給位置から部品装着位置に自在移動できるように構成され、昇降駆動部21により昇降動作ができるように構成されている。
実装ヘッド3の先端部には実装ツール3aが取り付けられており、実装ツール3aは、吸着保持するICチップ1に対応する形状寸法に形成された吸着ノズル11と、この吸着ノズル11に吸着保持されたICチップ1を加熱するセラミックヒータ12と、このセラミックヒータ12の熱が装着ヘッド本体3bに伝熱しないように熱遮断する断熱部13と、加熱されたICチップ1に冷却風を吹き付けるブローノズル19と、これらの構成物を支持する支持軸17とを備えて構成されている。
前記装着ヘッド本体3bは、実装ツール3aを垂下状態に支持するフレーム16と、吸着ノズル11によって吸着保持されたICチップ1の基板4に対する接触荷重を検出するロードセル14とを備え、前記フレーム16に設けられた上部フレーム16aと支持軸17の上下動を案内する下部フレーム16bとをつなぐ中間フレーム16cには、その上下にナット部21bが設けられており、それに螺合するボールネジ軸21aが嵌挿されて昇降駆動部21が構成されており、前記ボールネジ軸21aが昇降駆動モータ21cによって回転駆動されることにより、装着ヘッド3を昇降移動させることができる。このボールネジを用いた昇降駆動構造により、装着ヘッド3を微小量で昇降移動させる制御が容易となる。実装ツール3aの中心軸は昇降駆動部21による昇降動作軸と平行になっているので、実装ツール3aは昇降駆動部21により自在に昇降移動制御することができる。
前記ロードセル14は、抵抗線歪み計を利用した荷重測定器の一種であって、装着ヘッド3の下降動作により、その先端部に取り付けられた吸着ノズル11が吸着保持するICチップ1の半田バンプ1aが基板4の基板電極4aに接触したとき、実装ツール3aを構成する支持軸17の上端がロードセル14の荷重検出面を押し上げるので、荷重はロードセル14を構成する弾性体の歪みとして検出され、それを抵抗線歪み計の歪み量として電気的変換することにより、電気信号としての荷重が出力されるように構成されている。
上記構成になる装着ヘッド3は図示しないXYロボットにより水平方向に自在移動できるので、部品供給位置に移動して昇降動作により部品供給位置に供給されているICチップ1を吸着ノズル11によって吸着保持し、水平移動により部品実装位置に移動し、部品実装位置に設けられている実装ステージ25上に供給されている基板4にICチップ1を実装する実装動作を行うことができる。前記実装ステージ25には、基板4を吸着保持する基板保持ノズル25aと、基板4を予備加熱するヒータ25bとが設けられている。
上記構成になる装着ヘッド3を用いてICチップ1を基板4に実装する実装制御方法について、図2〜図4を参照して説明する。以下に示す制御動作は、部品実装装置に設けられた制御部6によって実行される。
図3は、制御部6による制御手順を示すフローチャートで、この制御手順に基づいて制御動作について説明する。尚、図中に示す番号S1、S2…は制御手順を示すステップ番号であって本文中に添記する番号と一致する。
図示しないXYロボットにより部品供給位置に移動して吸着ノズル11によりICチップ1を吸着保持した装着ヘッド3は、XYロボットにより部品実装位置に移動して実装ステージ25上に保持された基板4に対する実装位置の上方にICチップ1が位置するように位置決めされ、昇降駆動部21による昇降駆動動作により下降動作を開始する(S1)。前述したようにICチップ1が薄型化されたものであるとき、吸着ノズル11に吸着されると、図2(a)に示すように、吸気口11aに対面する中央部分が真空負圧により吸引されて周辺部が下がった反りが発生しやすい状態になる。また、薄型化されたICチップ1はその加工途上で歪が生じやすく波打った状態になりやすい。そのため、装着ヘッド3を下降させると、吸着ノズル11に吸着保持されたICチップ1の実装面に形成された複数の半田バンプ(突起電極)1aのうちICチップ1の変形により最も下方に位置している半田バンプ1aが基板4に形成された基板電極4aに接触する。半田バンプ1aの一部が基板電極4aに接触したときの接触荷重はロードセル14によって検出され(S2)、検出出力は制御部6に入力されるので、制御部6は所定の接触荷重値が検出されるまで装着ヘッド3を下降動作させてICチップ1を基板4上に押さえ込み(S3)、ロードセル14から所定の接触荷重値が入力されたとき(S4)、装着ヘッド3の下降動作を停止させてICチップ1を押さえ込んだ位置を保持する(S5)。このICチップ1を押さえ込む動作により、図2(b)に示すように、ICチップ1に変形が生じている場合でも吸着ノズル11の吸着面11bに沿った平面度に矯正される。
ICチップ1を基板4に押さえ込んだ状態が維持されるように装着ヘッド3の昇降高さ位置を保持した状態にして、セラミックヒータ12による加熱温度を上昇させる(S6)。尚、セラミックヒータ12には吸着ノズル11にICチップ1を吸着保持した所定時間後から通電し、ICチップ1に形成された半田バンプ1aが溶融しない所定温度になるように予備加熱し、実装ステージ25に保持された基板4に対しても基板ヒータ25bにより予備加熱がなされ、基板電極4aの表面に予め供給されている半田が溶融しない所定温度になるように予備加熱がなされる。
図4は、装着ヘッド3による吸着ノズル11の高さ位置制御、セラミックヒータ12による吸着ノズル11の加熱制御などを(1)〜(12)に示す各制御タイミング毎の変化として示すものである。セラミックヒータ12による吸着ノズル11の温度上昇が開始されて吸着ノズル11の温度が上昇すると、その熱影響により吸着ノズル11などに熱膨張が生じ、熱膨張は装着ヘッド3による吸着ノズル11の高さ位置に変化を来たすので、予めわかっている熱膨張量が補正されるように装着ヘッド3を上昇させる(S7)。この装着ヘッド3の上昇は、図4に示すように、セラミックヒータ12による加熱が停止されて冷却ブローが開始されても温度は急低下しないので、加熱停止から所定時間後まで継続される。熱膨張は実装ツール3aの側だけでなく、ICチップ1及び基板4を介して実装ステージ25に伝熱する加熱により実装ステージ25にも熱膨張が生じ、それは実装ツール3a側の膨張に遅れて発生し、予め測定できる変化となるので、図4に示すように、装着ヘッド3の上昇はセラミックヒータ12による加熱開始より遅れたタイミングで、実装ステージ25の熱膨張量を計算した上昇量に制御される。
セラミックヒータ12による加熱温度が半田バンプ1aの溶融温度に達したとき(S8)、半田バンプ1a及び基板電極4a上の半田は溶融し、図2(c)に示すように、半田バンプ1aと基板電極4aとは一体に融合するので、加熱を停止すると共に(S9)、冷却ブローを開始する(S10)。冷却ブローは、実装ツール3aに設けられたブローノズル19からICチップ1に冷風が吹き付けることによってなされる。冷却はブローノズル19からの冷却風によらず、自然冷却であってもよい。
この冷却により熱膨張していた装着ヘッド3側及び実装ステージ25側に収縮が生じ、ICチップ1と基板4との間が所定間隔から離れるようになるので、それを補正するように、図4に示すように、加熱停止及び冷却ブロー開始後の所定時間後のタイミングで上昇移動していた装着ヘッド3は下降移動に切り替えられ(S11)、図2(d)に示すように、ICチップ1と基板4とが所定間隔で対面する高さ位置まで下降する制御動作が実行される。
装着ヘッド3の下降動作がなされた後、半田バンプ1aと基板電極4aの半田とが融合した接合体10が固化する凝固点以下の温度に所定時間保持され(S12)、所定の待機時間を経過させることにより(S13)、半田が固化する途上で引き剥がし方向の力が作用して接合部分に界面が発生したり、オープン状態が発生したりすることがなく、接合体10は適正な形状に形成され、電気抵抗の増加や導通不良などが生じることが防止される。
接合が確実になされる所定時間が経過した後、吸着ノズル11によるICチップ1の吸着を解除し(S14)、装着ヘッド3を上昇させることにより(S15)、ICチップ1は基板4に実装される。
上記実装制御方法により、溶融させた半田が固化するときの吸着ノズル11の上下方向位置を適切に制御することにより、半田が固化するときの収縮に起因する引き剥がし作用によって接合面に界面やオープン状態が発生することを防止できるが、より確実に引き剥がし作用の発生を抑制する制御方法について、図5に示すフローチャートを参照して以下に説明する。尚、図5は、図3に示したフローチャートのステップS12以降の制御手順を変更したものであり、ステップS12までの制御手順は前述の制御方法と同一であり、その説明及び図示は省略する。
図5において、溶融させた半田を固化させるために凝固点以下の温度で温度保持する所定時間の経過を待機する途上において(S13)、ロードセル14による荷重検出値により荷重方向の判定を実行し(S16)、荷重方向が接合面を引き剥がす方向、即ち熱膨張していた装着ヘッド3側及び実装ステージ25側が冷却に伴って収縮するのに応じて装着ヘッド3を下降させた位置で停止させている状態での荷重が減少している荷重値が検出されたときには、装着ヘッド3の下降停止位置が収縮量に適合せず、接合面に引き剥がし作用が及んで界面やオープンが発生しやすい状態になっていると判断できるので、装着ヘッド3を下降させる(S18)。逆に荷重方向が接合面を圧縮する方向、即ち溶融させた半田が固化する際の収縮に応じて装着ヘッド3を下降させた位置で停止させている状態での荷重が増加している荷重値が検出されたときには、装着ヘッド3の下降停止位置が収縮量を上回り、半田を圧縮させて横方向に延出した半田により隣り合った半田バンプ1aの間を短絡させてしまう恐れがあるので、装着ヘッド3を上昇させる制御を実施する(S19)。
ステップS13における所定時間の経過が終了したときには、前述の制御方法の手順と同様に、吸着ノズル11によるICチップ1の吸着を解除し(S14)、装着ヘッド3を上昇させることにより(S15)、ICチップ1は基板4に実装される。
上記制御動作の実行により、実装ツール3a及び実装ステージ25の熱膨張に伴うICチップ1と基板4との間の距離変化によってICチップ1と基板4との間の離隔距離が適切になるので、半田に引き剥がし方向の力が作用することにより接合面に界面やオープンが発生することを防止でき、半田に圧縮方向の力が作用することにより横方向に膨出した半田によって隣り合った間に短絡が発生することが防止できる。
上記制御方法では、溶融させた半田が固化するまで所定時間の待機時間を設けているので、環境温度によっては半田が固化した後も待機時間が費やされて実装時間が徒に長くなることがあるので、半田の固化判定を行って実装時間の短縮を図ることができる。この半田の固化判定を行う制御方法について、図6を参照して説明する。尚、図6は、図3に示したフローチャートのステップS12以降の制御手順を変更したものであり、ステップS12までの制御手順は前述の制御方法と同一であり、その説明及び図示は省略する。
図6において、ステップS12における溶融させた半田を固化させるために凝固点以下の温度で温度保持する工程の後、ロードセル14による荷重検出値から半田の固化を判定する(S20)。半田の固化が進行する状態では実装ツール3a側の温度は低下していくが、実装ステージ25側の温度低下は遅れるので、実装ステージ25の熱が実装ツール3a側に伝熱し、実装ツール3aに再び熱膨張が生じたとき、半田が固化しているとロードセル14によって検出される荷重は増加する。この検出値から半田の固化状態が判定できるので、固化判定荷重が検出されたとき、接合完了と判断して吸着ノズル11によるICチップ1の吸着を解除し(S14)、装着ヘッド3を上昇させることにより(S15)、ICチップ1は基板4に実装される。
以上説明した実装装置の構成及び実装方法において、実装ツール3aの熱膨張は少ない方が望ましく、セラミックヒータ2の熱が不要部位に伝熱することを防止するためにセラミックヒータ12と支持軸17との間に配設される断熱部13は熱膨張係数の小さいものを適用することが好適である。従来用いられている断熱部13の構成部材の熱膨張係数は8×10-6程度であるが、本実施形態に係る断熱部13の構成部材では熱膨張係数が1×10−6のものを適用することにより実装ツール3a全体の熱膨張量の低減が図られている。
また、吸着ノズル11による吸着保持によりICチップ1に生じる変形はより小さくなるようにすることが望ましく、吸着ノズル11の吸着面11bに、図7に示すように、吸気口11aに加えて吸気口11aに連通した吸気溝11cを形成した吸着ノズル11を適用することができる。ICチップ1の厚さが薄くなるほどに真空負圧が部分的に作用すると平面性が損なわれ、ICチップ1のサイズが大きくなるほどに変形度合いは大きくなるが、図7に示すように吸気溝11cを吸着面11bに形成することにより、ICチップ1の全面に平均的な吸着力が作用するため、真空吸着によるICチップ1の変形は改善される。前記吸気溝11cの形成は、図示するような格子状だけでなく、ICチップ1の全面に平均的な吸着力が及ぶパターンや、周辺部など特定部位に吸着力が重点的に及ぶパターンなどに自在に形成することができる。
以上説明した実装制御方法において、ICチップ1の変形を矯正する制御動作、加熱に伴う熱膨張により発生する実装間隔の変化を補正する制御動作、溶融した半田が固化するのに伴う収縮により発生する実装間隔を補正する制御動作は、図3のフローチャートに示すように一括して適用することが望ましいが、要求される接合精度やICチップ1の種類に応じていずれかを選択実施することができる。
以上説明した通り本発明によれば、薄型化される傾向にあるICチップなど平面性が損なわれやすい電子部品を基板に実装するとき、変形を矯正して精度よく基板に実装することができる。また、半田を溶融させるための加熱に伴う熱膨張に対応する制御が適切になされるので、多数の突起電極を基板電極に接合不良を発生させることなく接合することが可能となる。また、熱膨張していた部位が冷却に伴って収縮するのに応じた制御が適切になされるので、溶融接合した半田に界面やオープンを発生させることがなく、多数の電極が狭ピッチで配列されている場合であっても膨出した半田により隣り合う電極間に短絡を発生させることがない。従って、薄型化され、高集積化が進展するICチップを基板に正確に実装する実装方法及び実装装置を提供することができる。
実施形態に係る実装装置の要部構成を示す断面図。 同上装置によるICチップの基板に対する実装工程を順を追って示す模式図。 同上装置による実装動作の制御手順を示すフローチャート。 同上制御手順における各部の動作タイミングを示すタイミングチャート。 制御手順の変形例を示すフローチャート。 同上 実施形態に係る吸着ノズルの構成例を示す平面図。 従来技術に係る部品実装装置の要部構成を示す断面図。 従来技術に係る実装手順を順を追って説明する模式図。
符号の説明
1 ICチップ(電子部品)
1a 半田バンプ(突起電極)
3 装着ヘッド
3a 実装ツール
3b 装着ヘッド本体
4 基板
4a 基板電極
6 制御部
11 吸着ノズル
11a 吸気口
11b 吸着面
12 セラミックヒータ
13 断熱部
14 ロードセル(荷重検出手段)
19 ブローノズル
21 昇降駆動部
25 実装ステージ

Claims (14)

  1. 複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させた後、加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶融部を固化させた後、吸着ノズルに吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法。
  2. 複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極を基板電極に接触させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法。
  3. 複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極を基板電極に接触させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法。
  4. 複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶融部を固化させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法。
  5. 複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法。
  6. 複数の突起電極が形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させることを特徴とする部品実装方法。
  7. 溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持した後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除する請求項1〜6いずれか一項に記載の部品実装方法。
  8. 溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持する途上において、電子部品に加わる荷重方向を検出し、荷重方向に応じて装着ヘッドを上昇動作又は下降動作させる請求項3,5,6,7いずれか一項に記載の部品実装方法。
  9. 溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持した後、所定の固化判定荷重が検出されたとき、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除する請求項1〜6いずれか一項に記載の部品実装方法。
  10. 複数の突起電極が形成された電子部品を装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重を検出する荷重検出手段を設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重が所定値になるように装着ヘッドの昇降動作を制御する制御部が設けられてなることを特徴とする部品実装装置。
  11. 複数の突起電極が形成された電子部品を装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、
    加熱に伴って前記装着ヘッド側及び実装ステージ側に生じる熱膨張量に応じて下降位置にある装着ヘッドを上昇方向に移動制御し、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降方向に移動制御する制御部が設けられてなることを特徴とする部品実装装置。
  12. 複数の突起電極が形成された電子部品を装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、
    前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重を検出する荷重検出手段を設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重が所定値になるように装着ヘッドの昇降動作を制御し、加熱に伴って前記装着ヘッド側及び実装ステージ側に生じる熱膨張量に応じて下降位置にある装着ヘッドを上昇方向に移動制御し、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降方向に移動制御する制御部が設けられてなることを特徴とする部品実装装置。
  13. 吸着ノズルと装着ヘッド本体との間に配設された加熱手段と、前記装着ヘッド本体との間に、熱膨張係数が1×10−6以下の断熱部材が配設されてなる請求項12に記載の部品実装装置。
  14. 吸着ノズルの電子部品を吸着保持する吸着面に、電子部品の面積に対応する領域に吸気口に連通する吸気溝が所定密度で列設形成されてなる請求項11又は12に記載の部品実装装置。


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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219334A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nec Corp 電子部品製造装置、方法及びプログラム
JP2016213384A (ja) * 2015-05-12 2016-12-15 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214241A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Sony Corp 半導体チップの実装方法及び半導体チップの実装装置
US7905011B2 (en) 2006-03-16 2011-03-15 Panasonic Corporation Bump forming method and bump forming apparatus
KR101344258B1 (ko) 2006-12-29 2014-01-22 엘지디스플레이 주식회사 탭 검사방법
CN101872727A (zh) * 2009-04-24 2010-10-27 国碁电子(中山)有限公司 一种芯片焊接方法及结构
US8354300B2 (en) * 2010-02-23 2013-01-15 Qualcomm Incorporated Reducing susceptibility to electrostatic discharge damage during die-to-die bonding for 3-D packaged integrated circuits
US8104666B1 (en) * 2010-09-01 2012-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes
JP5129848B2 (ja) * 2010-10-18 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合方法
US20130175324A1 (en) * 2012-01-11 2013-07-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermal compression head for flip chip bonding
US9842817B2 (en) * 2012-02-27 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Solder bump stretching method and device for performing the same
US8870051B2 (en) 2012-05-03 2014-10-28 International Business Machines Corporation Flip chip assembly apparatus employing a warpage-suppressor assembly
US10052705B2 (en) 2012-08-30 2018-08-21 Universal Instruments Corporation 3D TSV assembly method for mass reflow
US9630269B2 (en) 2013-10-30 2017-04-25 Globalfoundries Inc. Mechanism to attach a die to a substrate
US9165902B2 (en) * 2013-12-17 2015-10-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating bonding machines for bonding semiconductor elements, and bonding machines
KR101775448B1 (ko) * 2014-03-28 2017-09-06 아스리트 에프에이 가부시키가이샤 전자 부품 접합 장치 및 전자 부품 접합 방법
JP2016062960A (ja) 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
CN104377159A (zh) * 2014-11-14 2015-02-25 江苏博普电子科技有限责任公司 一种适用于管壳内有凸出键合指的细间距共晶焊吸嘴
WO2017045716A1 (en) * 2015-09-17 2017-03-23 Abb Schweiz Ag A component feeder and a system for picking components comprising the component feeder
CN108311765A (zh) * 2017-01-18 2018-07-24 鸿骐新技股份有限公司 双芯片模块的取置焊接系统及双芯片模块的组装方法
KR102214040B1 (ko) * 2017-03-06 2021-02-09 (주)테크윙 반도체소자 테스트용 핸들러의 가압장치 및 그 작동 방법
JP7322011B2 (ja) 2017-11-02 2023-08-07 ユニヴァーサル インストゥルメンツ コーポレイション リフローの前後で部品を保持する固定具および方法関連出願の相互参照
CN111373853B (zh) * 2017-12-07 2021-04-23 株式会社富士 元件安装用吸嘴
CN112335349B (zh) * 2018-06-18 2022-05-03 株式会社富士 吸嘴管理装置和吸嘴管理方法
CN109786314B (zh) * 2018-12-19 2021-07-27 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 用于夹持塑封晶圆的固定装置及真空溅射金属薄膜工艺
CN109817551A (zh) * 2018-12-19 2019-05-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种用于矫正塑封平板翘曲的压制结构及半导体装置
CN109699169B (zh) * 2019-01-31 2020-12-22 深圳市益光实业有限公司 一种微波多通道t/r组件贴片技术
JP7207152B2 (ja) * 2019-05-16 2023-01-18 株式会社デンソー スリーブはんだ付け装置および電子装置の製造方法
JP7368962B2 (ja) * 2019-07-09 2023-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 実装装置
CN112786079B (zh) * 2019-11-08 2023-02-17 光宝电子(广州)有限公司 用于盘片数据库的盘片取放装置
CN116658505A (zh) * 2020-11-19 2023-08-29 王鼎瑞 焊接组件组装于物体的方法
CN115696885B (zh) * 2022-11-23 2023-07-18 广东越新微系统研究院 一种复合相变储热器件及制备方法、航天电子系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134906A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の熱圧着装置および熱圧着方法
JP2003008196A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法及び実装装置
JP2003031993A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装装置及び実装方法
JP2003179100A (ja) * 2001-10-05 2003-06-27 Nec Corp 電子部品の製造装置および電子部品の製造方法
JP2003340666A (ja) * 2002-05-27 2003-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 吸着テーブルとこれを用いた処理装置
JP2004158547A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd ヒータ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862588A (en) * 1995-08-14 1999-01-26 International Business Machines Corporation Method for restraining circuit board warp during area array rework
JP2000133995A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品装着方法とその装置
EP1174011B1 (en) * 1999-04-27 2003-03-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component mounting apparatus and device for detecting attachment of component on substrate
US7296727B2 (en) * 2001-06-27 2007-11-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for mounting electronic components
JP2003100781A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134906A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の熱圧着装置および熱圧着方法
JP2003008196A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法及び実装装置
JP2003031993A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装装置及び実装方法
JP2003179100A (ja) * 2001-10-05 2003-06-27 Nec Corp 電子部品の製造装置および電子部品の製造方法
JP2003340666A (ja) * 2002-05-27 2003-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 吸着テーブルとこれを用いた処理装置
JP2004158547A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd ヒータ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219334A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nec Corp 電子部品製造装置、方法及びプログラム
JP2016213384A (ja) * 2015-05-12 2016-12-15 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
US10347603B2 (en) 2015-05-12 2019-07-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device manufacturing apparatus and method

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