WO2005122237A1 - 部品実装方法及び部品実装装置 - Google Patents

部品実装方法及び部品実装装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2005122237A1
WO2005122237A1 PCT/JP2005/010218 JP2005010218W WO2005122237A1 WO 2005122237 A1 WO2005122237 A1 WO 2005122237A1 JP 2005010218 W JP2005010218 W JP 2005010218W WO 2005122237 A1 WO2005122237 A1 WO 2005122237A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mounting
mounting head
substrate
electrode
heating
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/010218
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yasuharu Ueno
Makoto Morikawa
Shuichi Hirata
Hironori Kobayashi
Satoshi Shida
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. filed Critical Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority to EP20050745698 priority Critical patent/EP1777738A1/en
Priority to US11/570,183 priority patent/US20070181644A1/en
Publication of WO2005122237A1 publication Critical patent/WO2005122237A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/755—Cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/755—Cooling means
    • H01L2224/75502—Cooling means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0195—Tool for a process not provided for in H05K3/00, e.g. tool for handling objects using suction, for deforming objects, for applying local pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a mounting method and apparatus for mounting an electronic component on a substrate to be mounted by a flip chip mounting method, and particularly to a thin IC chip or an IC in which a large number of electrodes are formed at a narrow pitch.
  • the present invention relates to a component mounting method and a component mounting apparatus capable of mounting electronic components such as chips on a substrate with high accuracy.
  • high-density mounting technology As one of the technologies that support the remarkable progress of lightening, thinning, and high functionality of portable information devices such as notebook computers and mobile phones, high-density mounting technology can be cited.
  • the IC chip is formed with fine array spacing as the number of electrodes used as external connection terminals increases with the progress of high-density integration, and this IC chip is short-circuited or poorly connected to the electrodes formed on the substrate.
  • High-density mounting technology is indispensable for mounting without soldering, and the flip chip mounting method is known as a typical method, among which the solder bonding method is often used for IC chip bonding.
  • a component mounting method for electronic components using this soldering method and a conventional technique for mounting an IC chip having electrodes arranged at a narrow pitch on a substrate by the apparatus are known (see Patent Document 1). ).
  • the component mounting apparatus sucks and holds the IC chip 101 by the suction nozzle 111 provided at the tip of the mounting head 103 that moves up and down by the lift driving means 121.
  • the mounting head 103 is lowered to mount the IC chip on the substrate, the IC chip 101 is heated by the ceramic heater 112 provided on the back surface of the suction nozzle 111, and the protruding electrode formed as a solder bump on the IC chip 101
  • cooling air is blown from the blow nozzle 119 to solidify the bonded projecting electrode, and the suction by the suction nozzle 111 is released and the mounting head 103 is released.
  • the IC chip is configured to be mounted on the substrate by raising the. 113 is a water jacket that blocks the heat from the ceramic heater 112 from being transferred to the main unit. It is.
  • FIG. 9A to FIG. 9E sequentially show the procedure for mounting the IC chip 101 on the substrate 104 by the component mounting apparatus configured as described above.
  • the IC chip 101 in which the solder bump 101b is formed on each of the plurality of electrodes 101a is sucked and held by the suction nozzle 111, the mounting head 103 is moved onto the substrate 104, and the IC chip 101 is moved onto the substrate 104. Position it so that it is in the specified position.
  • the mounting head 103 is moved down so that each solder bump 101b formed on the IC chip 101 is preliminarily supplied onto each pad (substrate electrode) 104a formed on the substrate 104. Touch to solder 102.
  • the IC chip 101 is heated by the ceramic heater 112 through the suction nozzle 111 to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder forming the solder bump 101b and the preliminary solder 102, and the solder bump 101b. And the preliminary solder 102 is melted.
  • heating by the ceramic heater 112 is stopped, and cooling air is blown from the blow nozzle 119 to the molten solder to forcibly cool the solder and solidify the solder, thereby causing the electrodes of the IC chip 101 to become solid.
  • 101a and the pad 104a of the substrate 104 are joined.
  • the suction of the IC chip 101 by the suction nozzle 111 is released, and the mounting head 103 is moved upward, so that the IC chip 101 is mounted on the substrate 104 as shown in FIG. 9E.
  • the bonding position between the chip electrode and the substrate electrode is matched by positioning by the mounting head 103, and since the adsorption is released after the solder is solidified, not during the melting of the solder, the position is shifted to the bonding position by vacuum break blow. It is possible to stably mount the IC chip 101 with the electrodes arranged in a narrow pitch without causing a bonding failure such as a short circuit between the electrodes or poor connection, which is formed in a narrow pitch that does not generate it can.
  • Patent Document 1 JP 2003-008196 A Disclosure of the invention
  • IC chips tend to be thinner, and wafer distortion remains in the IC chip during the processing stage from wafer dicing until it is cast into the IC chip. It becomes easy to generate a state in which is damaged. Also, if the thinned IC chip is sucked and held by the suction nozzle, the negative pressure to be sucked and held concentrates on the center part of the IC chip, so that the center part is lifted and warpage tends to occur.
  • heating by the heater transfers heat to the suction head and the mounting head to which the heater is attached, causing thermal expansion, which may change the contact pressure of the protruding electrode to the substrate electrode. Accordingly, control is performed to correct the thermal expansion by raising the mounting head.
  • heating by the heater has a problem, considering that heat is transferred to the stage side holding the substrate via the suction nozzle and the IC chip and thermal expansion occurs on the stage side.
  • the thermal expansion on the stage side and the thermal expansion force on the mounting head side are delayed, there was no control to compensate for this.
  • An object of the present invention is to provide a component mounting method and a component mounting apparatus that can be mounted on a substrate with high accuracy.
  • a first component mounting method of the present invention is configured to suck and hold an electronic component on which a plurality of protruding electrodes are formed by a suction nozzle provided in a mounting head that is controlled to move up and down.
  • the substrate on which the plurality of substrate electrodes are formed is held on the mounting stage, the protruding electrode is brought into contact with the substrate electrode by the lowering operation of the mounting head, and the protruding electrode is melted by heating to join the two electrodes.
  • the suction head is moved down to detect the load when the protruding electrode contacts the substrate electrode, and the suction nozzle is moved to the lowered position where a predetermined contact load value is detected.
  • the bump electrode is melted by heating and bonded to the substrate electrode, heating is stopped and the melted part is solidified by cooling, and then the suction is released from the suction nozzle and the mounting head is lifted. Let It is intended.
  • the mounting head is lowered to press the electronic component onto the board until a predetermined contact load value is detected. Even when warping deformation occurs and flatness is impaired, pressure is applied to the flat suction surface of the suction nozzle to correct the flatness to a predetermined level, thus preventing poor bonding due to deformation. can do.
  • An IC chip which is an example of an electronic component, tends to be thinned, and a large number of electrodes are arranged at a narrow pitch due to high integration. Therefore, if the planarity is impaired, all electrodes are mounted on the substrate. However, even if the electronic component is thinned by this component mounting method and its flatness is easily impaired, it is possible to obtain a good bonded state.
  • an electronic component on which a plurality of protruding electrodes are formed is sucked and held by a suction nozzle provided on a mounting head that is controlled to move up and down, and the plurality of substrate electrodes are provided.
  • the formed substrate is held on the mounting stage, the protruding electrode is brought into contact with the substrate electrode by the lowering operation of the mounting head, the protruding electrode is melted by heating, and the two electrodes are connected to each other to place the electronic component on the substrate.
  • the mounting head In the component mounting method to be mounted on the mounting head, the mounting head is moved down to bring the protruding electrode into contact with the substrate electrode, and the mounting head side and the mounting The mounting head is moved upward by an increase amount that corrects the known thermal expansion amount on the surface side, the protruding electrode is melted by heating at a predetermined temperature and bonded to the substrate electrode, the heating is stopped, and the molten part is cooled by cooling. After solidifying, the suction of the electronic parts by the suction nozzle is released and the mounting head is moved up.
  • the mounting head lowering position is lowered by thermal expansion on the mounting head side and the mounting stage side due to heating, and the mounting head ascending operation control is corrected. Therefore, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the melted protruding electrode and the melted portion to bulge in the lateral direction to cause a short circuit between adjacent electrodes.
  • a short circuit is likely to occur due to the expansion of the melted part, but a short circuit due to the expansion of the melted part is prevented by controlling the lifting operation of the mounting head. be able to.
  • an electronic component on which a plurality of protruding electrodes is formed is sucked and held by a suction nozzle provided on a mounting head that is controlled to move up and down, and the plurality of substrate electrodes are provided.
  • the formed substrate is held on the mounting stage, the protruding electrode is brought into contact with the substrate electrode by the lowering operation of the mounting head, the protruding electrode is melted by heating, and the two electrodes are connected to each other to place the electronic component on the substrate.
  • the mounting head is moved down to bring the protruding electrode into contact with the substrate electrode, the protruding electrode is melted by heating at a predetermined temperature and bonded to the substrate electrode, and the heating is stopped for cooling.
  • the mounting head is moved downward by an amount that compensates for the accompanying shrinkage on the mounting head side and mounting stage side to solidify the melted part, and then the suction of the electronic components by the suction nozzle is released to raise the mounting head. Is shall.
  • the heating is stopped and the cooling is performed, so that the mounting head side that has been thermally expanded is Since the mounting head is controlled to move downward in accordance with the shrinkage of the mounting stage side, a force acting in the peeling direction is not generated on the bonding surface along with the shrinkage, and the interface or It is possible to prevent a situation in which an open occurs and a junction resistance increases or a junction failure occurs.
  • an electronic component on which a plurality of protruding electrodes are formed is provided.
  • the suction nozzle provided in the mounting head that is controlled to move up and down is held by suction, the substrate on which a plurality of substrate electrodes are formed is held on the mounting stage, and the projection electrode is applied to the substrate electrode by the lowering operation of the mounting head.
  • the load when the protruding electrode contacts the substrate electrode by lowering the mounting head The suction nozzle is lowered to a lowered position where a predetermined contact load value is detected, and the mounting head is lifted by an increase amount that corrects the known thermal expansion amount on the mounting head side and mounting stage side due to heating.
  • the projection electrode is melted by heating at a predetermined temperature and bonded to the substrate electrode, the heating is stopped, the molten part is solidified by cooling, and the molten part is solidified. It is intended to increase operating the mounting head by releasing the adsorption of the goods.
  • the fourth component mounting method since the mounting head is moved down to press the electronic component onto the board until a predetermined contact load value is detected, the electronic component is corrugated. Even if warping deformation due to deformation or suction occurs and flatness is impaired, the flat suction surface of the suction nozzle is pressurized and corrected to a state where a predetermined flatness is obtained.
  • an electronic component on which a plurality of protruding electrodes are formed is sucked and held by a suction nozzle provided on a mounting head that is controlled to move up and down.
  • the formed substrate is held on the mounting stage, the protruding electrode is brought into contact with the substrate electrode by the lowering operation of the mounting head, the protruding electrode is melted by heating, and the two electrodes are connected to each other to place the electronic component on the substrate.
  • the loading head is moved down to detect the load when the protruding electrode contacts the substrate electrode, and the suction nozzle is moved down to the lowered position where the predetermined contact load value is detected.
  • the projection electrode is melted by heating the temperature and bonded to the substrate electrode, and the mounting head is lowered by a lowering amount that corrects the shrinkage of the mounting head and the mounting stage due to cooling and melted.
  • the solidified After that, the suction of the electronic component by the suction nozzle is released and the mounting head is moved up.
  • the mounting head since the mounting head is moved down until the predetermined contact load value is detected and the electronic component is pressed onto the substrate, the electronic component is corrugated. Even if warping deformation due to deformation or suction occurs and flatness is impaired, the flat suction surface of the suction nozzle is pressurized and corrected to a state where a predetermined flatness is obtained.
  • an electronic component on which a plurality of protruding electrodes are formed is sucked and held by a suction nozzle provided in a mounting head that is controlled to move up and down, and the plurality of substrate electrodes are provided.
  • the formed substrate is held on the mounting stage, the protruding electrode is brought into contact with the substrate electrode by the lowering operation of the mounting head, the protruding electrode is melted by heating, and the two electrodes are connected to each other to place the electronic component on the substrate.
  • the load is moved when the mounting head is lowered to detect the load when the protruding electrode contacts the substrate electrode, and the suction nozzle is lowered to a lowered position where a predetermined contact load value is detected.
  • the mounting head is moved up by an amount that corrects the known thermal expansion on the mounting head and mounting stage, and the projection electrode is melted by heating at a predetermined temperature to be bonded to the substrate electrode. Then, the mounting head is moved downward by a lowering amount that corrects the shrinkage of the mounting head and mounting stage due to cooling to solidify the melted part, and then the suction of the electronic components by the suction nozzle is released to remove the mounting head. It is intended to move up.
  • the sixth component mounting method since the mounting head is moved downward until the predetermined contact load value is detected and the electronic component is pressed onto the substrate, the electronic component is corrugated. Even if warping deformation due to deformation or suction occurs and flatness is impaired, the flat suction surface of the suction nozzle is pressurized and corrected to a state where a predetermined flatness is obtained. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of poor bonding due to deformation. In addition, it is possible to correct the lowered position of the mounting head due to the thermal expansion of the mounting head and the mounting stage due to heating by lowering the mounting head. It is possible to prevent a short circuit from occurring between adjacent electrodes due to an excessive load being applied and the melted portion expanding laterally.
  • the temperature below the freezing point is maintained for a predetermined time when the melted portion is solidified, and then control is performed to release the suction of the electronic component by the suction nozzle. Since the melted part between the electrode and the substrate electrode is completely solidified and the two electrodes are properly joined together, the suction by the suction nozzle is released and the electronic component is cut off. Is not generated.
  • the load direction applied to the electronic component is detected, and control is performed to raise or lower the mounting head according to the load direction.
  • the thermal expansion of the mounting stage force that holds the substrate causes thermal expansion again on the suction nozzle side, and the facing distance between the electronic component and the substrate is shortened, so that the melted part in the solidification swells and a short circuit occurs. It can be prevented that the opposing distance between the electronic component and the substrate is increased due to the deformation recovery force of the electronic component, and the peeling action is exerted on the melted portion during solidification.
  • the component mounting apparatus of the present invention sucks and holds an electronic component in which a plurality of protruding electrodes are formed by a suction nozzle provided in a mounting head, and the substrate on which the plurality of substrate electrodes are formed is mounted on a mounting stage. Mounting the electronic head on the board by controlling the mounting head to move up and down, bringing the protruding electrode into contact with the substrate electrode by its lowering operation, melting the protruding electrode by heating, and joining the electrodes together
  • load detecting means for detecting a contact load when the mounting electrode is lowered to contact the substrate electrode, and the contact load detected by the load detecting means is set to a predetermined value. It is provided with a control unit that controls the lifting operation of the head.
  • the control unit performs control to lower the mounting head and press the electronic component onto the board until a predetermined contact load value is detected. Even when warping deformation due to suction occurs and flatness is impaired, pressure is applied to the flat suction surface of the suction nozzle to correct the flatness to a predetermined level, preventing the occurrence of poor bonding due to deformation. be able to.
  • An IC chip which is an example of an electronic component, tends to be thinned, and a large number of electrodes are arranged at a narrow pitch due to high integration, so that all electrodes are in a state where flatness is impaired. Although it is in a state where it is not evenly bonded to the substrate, it is possible to obtain a good bonded state even for electronic components that are thinned by the above control operation and whose flatness is likely to be impaired.
  • an electronic component on which a plurality of protruding electrodes is formed is sucked and held by a suction nozzle provided on a mounting head, and a substrate on which a plurality of substrate electrodes are formed is provided.
  • the mounting head Holding on the mounting stage, the mounting head is controlled to move up and down, and the projecting electrode is brought into contact with the substrate electrode by its lowering operation.
  • the mounting head in the lowered position is moved and controlled in the upward direction according to the amount of thermal expansion generated on the mounting head side and the mounting stage side with heating, and the heating is stopped and accompanied by cooling.
  • a control unit is provided for controlling the movement of the mounting head in the downward direction by the downward amount that corrects the shrinkage on the mounting head side and the mounting stage side.
  • the thermal expansion of the mounting head side and the mounting stage side accompanying heating is performed. Because the control operation to correct the mounting head's descending stop position by tension is corrected by the mounting head's ascending motion control, an excessive load is applied to the molten protruding electrode, causing the molten part to move laterally. It is possible to prevent a short circuit from occurring between adjacent electrodes. In particular, in an IC chip in which a large number of electrodes are arranged at a narrow pitch, a short circuit is likely to occur due to the bulging of the melted part, but a short circuit due to the bulging of the melted part can be prevented by controlling the lifting operation of the mounting head Can do.
  • a plurality of substrate electrodes are formed by sucking and holding an electronic component on which a plurality of protruding electrodes are formed by a suction nozzle provided on a mounting head.
  • the substrate is held on the mounting stage, the mounting head is controlled to move up and down, and the protruding electrode is brought into contact with the substrate electrode by its lowering operation, and the protruding electrode is melted by heating to join the two electrodes to attach the electronic component to the substrate.
  • load detection means for detecting the contact load when the protruding electrode contacts the substrate electrode by lowering the mounting head, and the contact load detected by the load detection means is a predetermined value.
  • the mounting head is controlled to move up and down according to the amount of thermal expansion that occurs on the mounting head side and mounting stage side with heating.
  • the control unit for movement control in the lowering direction the mounting head descent amount for correcting the shrinkage of the pressurized heat the side mounting head accompanies to the cooling stop and implementation stage side is provided.
  • the control unit performs control to lower the mounting head and press the electronic component onto the board until a predetermined contact load value is detected. Even when warping deformation due to suction occurs and flatness is impaired, pressure is applied to the flat suction surface of the suction nozzle to correct the flatness to a predetermined level, preventing the occurrence of poor bonding due to deformation. be able to.
  • the mounting head side and mounting stage side thermal expansion accompanying heating may cause the mounting head to move down. Can be compensated by controlling the ascending operation of the mounting head, so that an excessive load is applied to the melted protruding electrode, preventing the melted portion from expanding laterally and causing a short circuit between adjacent electrodes. it can.
  • the electronic component is sucked into the suction nozzle. Since it is adsorbed not only by the mouth but also by the intake air from the intake groove, it is evenly adsorbed over the entire surface where the adsorbed parts are not concentrated in one place. Thinned electronic parts are easily deformed by suction force when the suction points are concentrated in one place, but even electronic parts that are easily deformed by evenly sucking on the entire surface will be deformed. It is possible to hold it without sucking it.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main configuration of a mounting apparatus according to an embodiment.
  • FIGS. 2A to 2E are schematic views showing the mounting process of the IC chip on the substrate by the above apparatus in order.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a procedure for controlling the mounting operation by the apparatus.
  • FIG. 4 is a timing chart showing the operation timing of each part in the control procedure.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a modification of the control procedure.
  • FIG. 6 is a flowchart showing a further modification of the control procedure.
  • FIG. 7 is a plan view showing a configuration example of the suction nozzle according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the main configuration of a component mounting apparatus according to the prior art.
  • FIG. 9A to FIG. 9E are schematic diagrams for explaining the mounting procedure according to the prior art step by step.
  • a solder bump formed as a protruding electrode on an electrode of an IC chip which is an example of an electronic component, is melt-bonded to a pad formed as a substrate electrode on a substrate electrode, thereby bonding the IC chip to the substrate.
  • a component mounting method and a component mounting apparatus to be mounted are shown.
  • a mounting control method that makes it possible to accurately mount even an IC chip that is thin and easily loses its flatness, or an IC chip in which a large number of electrodes are arranged in a narrow pitch. The device is provided.
  • the object on which the IC chip is mounted is used as the substrate, in the case of a chip-on-chip in which the IC chip is mounted on the IC chip that is not just the circuit board, the IC chip to be mounted is used as the substrate.
  • FIG. 1 shows a configuration of a main part of the mounting apparatus according to the embodiment.
  • the IC chip 1 is sucked and held by the suction nozzle 11 and mounted on the substrate 4 held on the mounting stage 25.
  • 3 shows the component parts.
  • the mounting head 3 is configured such that a component supply position force can be freely moved to a component mounting position by an XY robot (not shown), and can be moved up and down by a lift drive unit 21.
  • a mounting tool 3a is attached to the tip of the mounting head 3.
  • the mounting tool 3a includes a suction nozzle 11 formed in a shape and size corresponding to the IC chip 1 to be sucked and held, and the suction nozzle 11
  • the ceramic heater 12 that heats the IC chip 1 adsorbed and held on the substrate, the heat insulating part 13 that blocks the heat so that the heat of the ceramic heater 12 does not transfer to the mounting head body 3b, and the heated IC chip 1 is cooled.
  • a blow nozzle 19 that blows wind and a support shaft 17 that supports these components are provided.
  • the mounting head body 3b includes a frame 16 that supports the mounting tool 3a in a suspended state, and a load cell 14 that detects a contact load on the substrate 4 of the IC chip 1 sucked and held by the suction nozzle 11.
  • the intermediate frame 16c that connects the upper frame 16a provided on the frame 16 and the lower frame 16b that guides the vertical movement of the support shaft 17 has an upper and lower And a ball screw shaft 21a that is screwed into the nut portion 21b is inserted into the ascending / descending drive portion 21.
  • the ball screw shaft 21a is rotationally driven by the lift drive motor 21c.
  • the load cell 14 is a kind of a load measuring instrument using a resistance strain meter, and the IC chip 1 that is sucked and held by the suction nozzle 11 attached to the tip of the mounting head 3 when the mounting head 3 is lowered.
  • the solder bump la contacts the substrate electrode 4a of the substrate 4, the upper end of the support shaft 17 constituting the mounting tool 3a pushes up the load detection surface of the load cell 14, so the load is a distortion of the elastic body constituting the load cell 14.
  • a load as an electrical signal is output by detecting and electrically converting it as a strain amount of the resistance wire strain gauge.
  • the mounting head 3 configured as described above can be freely moved in the horizontal direction by an XY robot (not shown), so that the IC chip 1 supplied to the component supply position by moving up and down to the component supply position is sucked into the suction nozzle 11.
  • the mounting stage 25 is provided with a substrate holding nozzle 25a for sucking and holding the substrate 4 and a heater 25b for preheating the substrate 4.
  • a mounting control method for mounting the IC chip 1 on the substrate 4 using the mounting head 3 configured as described above will be described with reference to FIG. 2A to FIG.
  • the following control operations are executed by the control unit 6 provided in the component mounting apparatus.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a control procedure by the control unit 6, and the control operation will be described based on this control procedure. Note that the numbers Sl and S2 shown in the figure are step numbers indicating the control procedure and coincide with the numbers added in the text.
  • the IC chip is moved by the suction nozzle 11 after being moved to the component supply position by the XY robot.
  • the mounting head 3 with suction 1 held is moved to the component mounting position by the XY robot and positioned so that the IC chip 1 is positioned above the mounting position with respect to the substrate 4 held on the mounting stage 25.
  • the IC chip 1 is thinned as described above, if the IC chip 1 is sucked by the suction nozzle 11, as shown in FIG.
  • the central part facing 11a is attracted by vacuum negative pressure, and the peripheral part is prone to warp, and the thinned IC chip 1 is prone to distortion during its processing and wavy.
  • the control unit 6 moves down the mounting head 3 until a predetermined contact load value is detected, and presses the IC chip 1 onto the substrate 4 (S 3).
  • the heating temperature of the ceramic heater 12 is raised while maintaining the elevation position of the mounting head 3 so that the state where the IC chip 1 is pressed onto the substrate 4 is maintained (S6).
  • the ceramic heater 12 is energized after a predetermined time after the IC chip 1 is sucked and held by the suction nozzle 11, and preheated to a predetermined temperature without melting the solder bump la formed on the IC chip 1.
  • the substrate 4 held on the mounting stage 25 is also preheated by the substrate heater 25b, and preheated to a predetermined temperature at which the solder supplied in advance to the surface of the substrate electrode 4a does not melt. .
  • FIG. 4 shows the height position control of the suction nozzle 11 by the mounting head 3 and the heating control of the suction nozzle 11 by the ceramic heater 12 as changes at each control timing shown in (1) to (12). It is.
  • the thermal effect causes thermal expansion in the suction nozzle 11 and the like.
  • the mounting head 3 is raised so that it can be known in advance and the amount of thermal expansion is corrected (S7). As shown in FIG.
  • the rising of the mounting head 3 is continued until a predetermined time has elapsed since the temperature does not drop rapidly even when heating by the ceramic heater 12 is stopped and cooling blow is started.
  • Thermal expansion occurs only on the mounting tool 3a side
  • Heat transfer to the mounting stage 25 via the IC chip 1 and the substrate 4 causes thermal expansion in the mounting stage 25, which is delayed from the expansion on the mounting tool 3a side.
  • the rise of the mounting head 3 is calculated with the calculated amount of thermal expansion of the mounting stage 25 at a timing delayed from the start of heating by the ceramic heater 12, as shown in Fig. 4. To be controlled.
  • the mounting head 3 side and the mounting stage 25 side which have been thermally expanded due to this cooling, are contracted, and the IC chip 1 and the substrate 4 are separated by a predetermined distance.
  • the mounting head 3 that has moved up at a timing after a predetermined time after stopping heating and starting cooling blow is switched to a lowering movement (Sl l), and as shown in FIG. A control operation in which 1 and the substrate 4 are lowered to a height position where they face each other at a predetermined interval is executed.
  • the bonded body 10 in which the solder bump la and the solder of the substrate electrode 4a are fused is held for a predetermined time at a temperature below the freezing point at which the solidified body 10 is solidified (S12).
  • S13 time elapses
  • the solder 10 is solidified, and the force in the peeling direction acts to create an interface at the joint and an open state does not occur. It is formed in a simple shape, preventing an increase in electrical resistance and poor conduction.
  • the suction of the IC chip 1 by the suction nozzle 11 By releasing the suction (S14) and raising the mounting head 3 (S15), the IC chip 1 is mounted on the substrate 4 as shown in FIG. 2E.
  • FIG. 5 is a modification of the control procedure after step S 12 in the flowchart shown in FIG. 3.
  • the control procedure up to step S 12 is the same as the control method described above. Omitted.
  • the load direction is determined based on the load detection value by the load cell 14.
  • S16 At the position where the mounting head 3 is lowered in accordance with the direction in which the load direction peels off the joint surface, that is, the mounting head 3 side and the mounting stage 25 side, which were thermally expanded, contract with cooling.
  • the descent stop position of the mounting head 3 does not match the contraction amount, and the joint surface is peeled off, causing an interface or open.
  • the mounting head 3 Since it can be determined that it is easy to do, the mounting head 3 is lowered (S18).
  • the load direction is the direction in which the joint surface is compressed, that is, the load is increased in the state where the mounting head 3 is stopped at the position where the mounting head 3 is lowered according to the contraction when the molten solder solidifies.
  • the descent stop position of the mounting head 3 exceeds the contraction amount, and there is a risk of short-circuiting between adjacent solder bumps la due to the solder being compressed and extending laterally. Therefore, control for raising the mounting head 3 is performed (S19).
  • step S13 When the elapse of the predetermined time in step S13 ends, the suction of the IC chip 1 by the suction nozzle 11 is released (S14), and the mounting head 3 is raised, as in the procedure of the control method described above. From Sugiko (S15), IC chip 1 is mounted on board 4.
  • the separation distance between the IC chip 1 and the substrate 4 is appropriately adjusted by the change in the distance between the IC chip 1 and the substrate 4 due to the thermal expansion of the mounting tool 3a and the mounting stage 25. Therefore, when the force in the peeling direction acts on the solder, the interface or Opening can be prevented, and a short circuit can be prevented from occurring between adjacent solders swelled laterally due to a compressive force acting on the solder.
  • FIG. 6 is a modification of the control procedure after step S12 in the flowchart shown in FIG. 3.
  • the control procedure up to step S12 is the same as the control method described above, and the description and illustration thereof are omitted. .
  • step S12 solidification of the solder is determined from the load detection value by the load cell 14 (S20).
  • the load detection value by the load cell 14 S20.
  • the temperature on the mounting tool 3a side decreases, but the temperature drop on the mounting stage 25 side is delayed, so the heat of the mounting stage 25 is transferred to the mounting tool 3a side, and the mounting tool 3a
  • the load detected by the load cell 14 increases if the solder is solidified.
  • the solidification state of the solder can be determined from the detected value, when the solidification determination load is detected, it is determined that the joining is completed, and the suction of the IC chip 1 by the suction nozzle 11 is released (S14), and the mounting head 3 (S15), the IC chip 1 is mounted on the substrate 4.
  • the thermal expansion of the mounting tool 3a is small.
  • the ceramic heater 12 It is preferable to apply a heat insulating part 13 having a small thermal expansion coefficient between the heat insulating part 13 and the support shaft 17.
  • Conventionally used! / Ru thermal expansion coefficient of the components of the heat insulation portion 13 is about 8 X 10- 6, the thermal expansion coefficient of 1 in the components of the heat insulating unit 13 according to this embodiment X 10- 6 As a result, the amount of thermal expansion of the entire mounting tool 3a is reduced.
  • the air intake groove 11c is formed only in a lattice pattern as shown in the figure.

Abstract

　従来、加工歪みや吸着ノズルに吸着されたときに変形が生じて平面性が損なわれおそれがあった薄型化のＩＣチップを、吸着面（１１ｂ）が平坦に形成された吸着ノズル（１１）により所定荷重で基板（４）に押し付けることにより変形を矯正し、電極に形成された半田バンプ（１ａ）を溶融させる加熱に伴う熱膨張によりＩＣチップと基板（４）との所定対向間隔の減少を吸着ノズル（１１）の上昇制御によって補正し、冷却により熱膨張していた部位が収縮するのに伴う溶融部の引き剥がし作用を吸着ノズル（１１）の下降制御によって補正することにより、変形が生じやすい薄型化のＩＣチップや狭ピッチで多数の電極が形成されているＩＣチップ等の電子部品であっても正確に基板に実装することを可能にする電子部品の実装方法及び実装装置を実現する。

Description

明 細 書
部品実装方法及び部品実装装置
技術分野
[0001] 本発明は、電子部品を実装対象物とする基板にフリップチップ実装工法により実装 する実装方法及び装置に関し、特に薄型化された ICチップや狭ピッチで多数の電 極が形成された ICチップなどの電子部品を基板に精度よく実装することを可能とした 部品実装方法及び部品実装装置に関するものである。
背景技術
[0002] ノートパソコンや携帯電話機などの携帯情報機器の軽量化、薄型化、高機能化の 著しい進展を支える技術の 1つとして高密度実装技術を挙げることができる。 ICチッ プは高密度集積ィ匕の進展と共に外部接続端子となる電極の数が増加し微細な配列 間隔で形成され、この ICチップを基板上に形成された電極に短絡や接続不良を発 生させることなく実装するために高密度実装技術が不可欠であり、その代表的工法と してフリップチップ実装工法が知られており、その中でも半田接合工法が ICチップの 接合に多用されている。
[0003] この半田接合工法を用いた電子部品の部品実装方法及びその装置により電極の 配列間隔が狭ピッチに形成された ICチップを基板に実装する従来技術が知られて いる (特許文献 1参照)。
[0004] 上記従来技術に係る部品実装装置は、図 8に示すように、昇降駆動手段 121により 昇降動作する装着ヘッド 103の先端に設けられた吸着ノズル 111により ICチップ 10 1を吸着保持し、装着ヘッド 103を下降させて ICチップを基板上に装着し、吸着ノズ ル 111の背面に設けられたセラミックヒータ 112により ICチップ 101を加熱し、 ICチッ プ 101に半田バンプとして形成された突起電極を溶融させて基板上に形成された基 板電極に溶融接合させた後、ブローノズル 119から冷却風を吹き付けて接合された 突起電極を固化させ、吸着ノズル 111による吸着を解除して装着ヘッド 103を上昇さ せることにより ICチップを基板に実装するように構成されている。なお、 113はセラミツ クヒータ 112からの熱が装置本体部へ伝わらない様に遮断するウォータージャケット である。
[0005] 図 9A〜図 9Eは、上記構成になる部品実装装置により ICチップ 101を基板 104に 実装する手順を順を追って示すものである。図 9Aに示すように、複数の電極 101aに それぞれ半田バンプ 101bが形成された ICチップ 101を吸着ノズル 111により吸着 保持し、装着ヘッド 103を基板 104上に移動させ、 ICチップ 101が基板 104上の所 定位置に位置するように位置決めする。次いで、図 9Bに示すように、装着ヘッド 103 を下降動作させて ICチップ 101に形成された各半田バンプ 101bを基板 104に形成 された各パッド (基板電極） 104a上に予め供給されている予備半田 102に当接させ る。次に、図 9Cに示すように、セラミックヒータ 112により吸着ノズル 111を介して ICチ ップ 101を半田バンプ 101b及び予備半田 102を形成する半田の融点以上の温度 に加熱して、半田バンプ 101b及び予備半田 102を溶融させる。次に、図 9Dに示す ように、セラミックヒータ 112による加熱を停止し、溶融状態の半田にブローノズル 11 9から冷却風を吹き付けて強制冷却して半田を固化させることにより、 ICチップ 101の 電極 101aと基板 104のパッド 104aとを接合する。その後に、吸着ノズル 111による I Cチップ 101の吸着を解除し、装着ヘッド 103を上昇動作させることにより、図 9Eに 示すように、 ICチップ 101は基板 104上に実装される。
[0006] 上記実装方法は、それまで実施されて!、た半田バンプを用いた接合方法にお！、て 、半田の溶融中に吸着ノズル 111による ICチップ 101の吸着を解除することにより、 溶融した半田の表面張力によるセルファライメントによってチップ電極と基板電極との 接合位置を一致させる方法では、吸着保持を解除する際の真空破壊ブローによる接 合位置のずれが問題となるような位置精度が要求される狭ピッチに電極が配列され て 、る場合に対応できなくなる課題を解決して 、る。チップ電極と基板電極との間の 接合位置の一致は、装着ヘッド 103による位置決めによってなされ、半田の溶融中 でなく半田を固化させた後に吸着を解除するので、真空破壊ブローにより接合位置 に位置ずれを発生させることがなぐ狭ピッチに配列形成されて ヽる電極間の短絡や 接続不良等の接合不良を発生させることなく狭ピッチに電極配列された ICチップ 10 1を安定して実装することができる。
特許文献 1 :特開 2003— 008196号公報 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] しかしながら、 ICチップは薄型化される傾向にあり、ウェハ力 ダイシングされて IC チップにカ卩ェされるまでの加工段階において ICチップにカ卩ェ歪みが残りやすぐ IC チップの平面性が損なわれた状態が発生しやすくなる。また、薄型化された ICチップ を吸着ノズルによって吸着保持すると、吸着保持する負圧は ICチップの中央部分に 集中するので、中央部分が持ち上がって反りが発生しやすくなる。
[0008] このようにカ卩ェ歪みによる波打ちや吸着保持による反りが発生しやすい薄型化され た ICチップを上記従来技術に係る実装方法によって基板に実装しょうとしても、 ICチ ップに形成された複数の突起電極が基板に形成された複数の基板電極にそれぞれ 当接する状態が部位によって異なり、突起電極と基板電極との間を精度よく接合する ことができな 、課題があった。
[0009] また、ヒータによる加熱は吸着ノズル及びヒータが取り付けられた装着ヘッドに伝熱 して熱膨張を生じさせ、突起電極の基板電極に対する接触圧に変化を及ぼすこと〖こ なるため、加熱に応じて装着ヘッドを上昇させて熱膨張を補正する制御がなされてい る。しかし、ヒータによる加熱は吸着ノズル及び ICチップを介して基板を保持するステ ージ側にも伝熱し、ステージ側に熱膨張が生じることが考慮されて 、な 、課題があつ た。し力もステージ側の熱膨張は装着ヘッド側の熱膨張力も遅れて発生するため、そ れを補正する制御がなされて 、なかった。
[0010] 同様に、加熱を停止して冷却がなされると、装着ヘッド側に収縮が生じるので、それ を補正するために装着ヘッドを下降動作させる制御がなされているが、実装ステージ 側の収縮が考慮されて 、な 、課題があった。
[0011] また、冷却時に収縮を補正する下降動作を行った後に、冷却が遅れているステー ジ側力 の伝熱により装着ヘッド側に膨張が生じると、固化する途上にある溶融部に Iき剥がし方向の力が作用し、接合部に界面やクラックによるオープンが発生して、 電気抵抗の増加や導通不良などの接合不良が生じる課題があった。
[0012] そこで本発明は、上記課題を解決するために、薄型化されて平面性が損なわれや す ヽ ICチップや狭ピッチで多数の電極が形成されて ヽる ICチップなどの電子部品で あっても精度よく基板に実装することを可能にする部品実装方法及び部品実装装置 を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0013] 上記目的を達成するための本発明の第 1の部品実装方法は、複数の突起電極が 形成された電子部品を昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによ つて吸着保持し、複数の基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装 着ヘッドの下降動作により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を 溶融させて両電極間を接合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において 、前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検 出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させた後、加 熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶 融部を固化させた後、吸着ノズルに吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させるもの である。
[0014] 上記第 1の部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着へッ ドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付けるので、電子部品に波打ち変形や 吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着ノズルの平坦な 吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので、変形に伴う接 合不良の発生を防止することができる。電子部品の一例である ICチップは薄型化さ れる傾向にあり、高集積ィ匕により狭ピッチで多数の電極が配列されているので、平面 性が損なわれた状態にあると全ての電極が基板に均等に接合されない状態になるが 、本部品実装方法により薄型化されて平面性が損なわれやすい電子部品であっても 良好な接合状態を得ることが可能となる。
[0015] また、本発明の第 2の部品実装方法は、複数の突起電極が形成された電子部品を 昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の 基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作によ り基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接 合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降 動作させて突起電極を基板電極に接触させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステ ージ側の既知の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所定温 度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に より溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッド を上昇動作させるものである。
[0016] 上記第 2の部品実装方法によれば、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側 の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になることを装着ヘッドの上昇 動作制御により補正することができるので、溶融した突起電極に過度な荷重が加えら れて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を生じさせることが防止で きる。特に、狭ピッチで多数の電極が配列されている ICチップでは溶融部の膨出に より短絡が生じやすいが、装着ヘッドの上昇動作が制御されることにより溶融部の膨 出による短絡を防止することができる。
[0017] また、本発明の第 3の部品実装方法は、複数の突起電極が形成された電子部品を 昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の 基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作によ り基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接 合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降 動作させて突起電極を基板電極に接触させ、所定温度の加熱により突起電極を溶 融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ス テージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させ た後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させるもの である。
[0018] 上記第 3の部品実装方法によれば、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した 後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実 装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので 、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用 によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する 状態を防止することができる。
[0019] また、本発明の第 4の部品実装方法は、複数の突起電極が形成された電子部品を 昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の 基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作によ り基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接 合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降 動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値 が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実 装ステージ側の既知の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所 定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷 却により溶融部を固化させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸 着を解除して装着ヘッドを上昇動作させるものである。
[0020] 上記第 4の部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着へッ ドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御がなされるので、電子部品 に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着 ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので
、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。更に、加熱に伴う装着ヘッド 側及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になる ことを装着ヘッドの上昇動作制御により補正することができるので、溶融した突起電 極に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡 を生じさせることが防止できる。
[0021] また、本発明の第 5の部品実装方法は、複数の突起電極が形成された電子部品を 昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の 基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作によ り基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接 合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降 動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値 が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、所定温度の加熱により突起電極 を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実 装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化 させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させる ものである。
[0022] 上記第 5の部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着へッ ドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御がなされるので、電子部品 に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着 ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので
、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。更に、突起電極が溶融して基 板電極に溶融接合した後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張してい た装着ヘッド側及び実装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作す るように制御されるので、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発 生せず、引き剥がし作用によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加 や接合不良が発生する状態を防止することができる。
[0023] また、本発明の第 6の部品実装方法は、複数の突起電極が形成された電子部品を 昇降動作制御される装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の 基板電極が形成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドの下降動作によ り基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接 合して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、前記装着ヘッドを下降 動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検出し、所定の接触荷重値 が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に伴う装着ヘッド側及び実 装ステージ側の既知の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動作させ、所 定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷 却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを 下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除し て装着ヘッドを上昇動作させるものである。
[0024] 上記第 6の部品実装方法によれば、所定の接触荷重値が検出されるまで装着へッ ドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御がなされるので、電子部品 に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも吸着 ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正されるので 、変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。また、加熱に伴う装着ヘッド側 及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になるこ とを装着ヘッドの上昇動作制御により補正することができるので、溶融した突起電極 に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を 生じさせることが防止できる。更に、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した後 、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実装ス テージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので、収 縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用によ つて接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する状態 を防止することができる。
[0025] 上記第 1〜第 6の部品実装方法において、溶融部の固化に際して凝固点以下の温 度を所定時間維持した後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除するように制御 することにより、突起電極と基板電極との間の溶融部が完全に固化し、両電極間が正 常に接合された後に吸着ノズルによる吸着を解除して電子部品を切り離すので、切り 離し時の振動により接合部分に異常を発生させることがない。
[0026] また、溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持する途上におい て、電子部品に加わる荷重方向を検出し、荷重方向に応じて装着ヘッドを上昇動作 又は下降動作させる制御を実行することにより、基板を保持する実装ステージ力 の 熱伝導により吸着ノズル側に再び熱膨張が生じて電子部品と基板との対向間隔が短 縮して固化途上の溶融部が膨出して短絡を生じさせたり、電子部品の変形回復力に より電子部品と基板との対向間隔が増カロして固化途上の溶融部に引き剥がし作用が 及んだりすることが防止できる。
[0027] また、溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持した後、所定の固 化判定荷重が検出されたとき、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除するように制 御することにより、基板を保持する実装ステージ力ゝらの熱伝導により吸着ノズル側に 再び熱膨張が生じて電子部品と基板との対向間隔が短縮したとき、溶融部が固化し ていると固化判定荷重が検出されるので、これが検出されたときには固化完了として 吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除することができ、実装時間の短縮を図ること ができる。
[0028] また、本発明の部品実装装置は、複数の突起電極が形成された電子部品を装着 ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成された 基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基 板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合し て電子部品を基板に実装する部品実装装置において、前記装着ヘッドを下降動作 させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重を検出する荷重検出手段を 設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重が所定値になるように装着ヘッド の昇降動作を制御する制御部が設けられてなるものである。
[0029] 上記部品実装装置によれば、制御部は所定の接触荷重値が検出されるまで装着 ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御を実行するので、電子 部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも 吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正され、 変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。電子部品の一例である ICチッ プは薄型化される傾向にあり、高集積ィ匕により狭ピッチで多数の電極が配列されてい るので、平面性が損なわれた状態にあると全ての電極が基板に均等に接合されない 状態になるが、上記制御動作により薄型化されて平面性が損なわれやすい電子部 品であっても良好な接合状態を得ることが可能となる。
[0030] また、本発明の別の部品実装装置は、複数の突起電極が形成された電子部品を 装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形成さ れた基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作によ り基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接 合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、加熱に伴って前記装着 ヘッド側及び実装ステージ側に生じる熱膨張量に応じて下降位置にある装着ヘッド を上昇方向に移動制御し、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステー ジ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降方向に移動制御する制御部が設 けられてなるものである。
[0031] 上記部品実装装置によれば、加熱に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨 張により装着ヘッドの下降停止位置が下がった状態になることを装着ヘッドの上昇動 作制御により補正する制御動作がなされるので、溶融した突起電極に過度な荷重が 加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を生じさせることが 防止できる。特に、狭ピッチで多数の電極が配列されている ICチップでは溶融部の 膨出により短絡が生じやすいが、装着ヘッドの上昇動作が制御されることにより溶融 部の膨出による短絡を防止することができる。更に、突起電極が溶融して基板電極に 溶融接合した後、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着へ ッド側及び実装ステージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制 御されるので、収縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引 き剥がし作用によって接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不 良が発生する状態を防止することができる。
[0032] また、本発明の更に別の部品実装装置は、複数の突起電極が形成された電子部 品を装着ヘッドに設けられた吸着ノズルによって吸着保持し、複数の基板電極が形 成された基板を実装ステージ上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作 により基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間 を接合して電子部品を基板に実装する部品実装装置において、前記装着ヘッドを下 降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重を検出する荷重検出 手段を設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重が所定値になるように装 着ヘッドの昇降動作を制御し、加熱に伴って前記装着ヘッド側及び実装ステージ側 に生じる熱膨張量に応じて下降位置にある装着ヘッドを上昇方向に移動制御し、加 熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量 で装着ヘッドを下降方向に移動制御する制御部が設けられてなるものである。
[0033] 上記部品実装装置によれば、制御部は所定の接触荷重値が検出されるまで装着 ヘッドを下降動作させて電子部品を基板上に押し付ける制御を実行するので、電子 部品に波打ち変形や吸着による反り変形が生じて平面性が損なわれている場合でも 吸着ノズルの平坦な吸着面に加圧されて所定の平面度が得られる状態に矯正され、 変形に伴う接合不良の発生を防止することができる。また、加熱に伴う装着ヘッド側 及び実装ステージ側の熱膨張により装着ヘッドの下降位置が下がった状態になるこ とを装着ヘッドの上昇動作制御により補正することができるので、溶融した突起電極 に過度な荷重が加えられて溶融部が横方向に膨出して隣り合った電極間で短絡を 生じさせることが防止できる。更に、突起電極が溶融して基板電極に溶融接合した後 、加熱を停止して冷却がなされることにより、熱膨張していた装着ヘッド側及び実装ス テージ側が収縮するのに応じて装着ヘッドが下降動作するように制御されるので、収 縮に伴って接合面に引き剥がし方向に作用する力が発生せず、引き剥がし作用によ つて接合面に界面やオープンが生じて接合抵抗の増加や接合不良が発生する状態 を防止することができる。
[0034] 上記各構成において、吸着ノズルと装着ヘッド本体との間に配設された加熱手段と 、前記装着ヘッド本体との間に、熱膨張係数が 1 X 10— 6以下の断熱部材を配設する ことが好適で、加熱手段の熱が装着ヘッド本体側に伝熱することが抑制され、熱膨張 による影響を緩和することができる。
[0035] また、吸着ノズルの電子部品を吸着保持する吸着面に、電子部品の面積に対応す る領域に吸気口に連通する吸気溝を所定密度で列設形成することにより、電子部品 は吸気口だけでなく吸気溝からの吸気によっても吸着されるので、吸着部位が 1箇所 に集中することがなくされてなる全面で均等に吸着される。薄型化された電子部品で は吸着箇所が 1箇所に集中していると、吸引力により変形が生じやすいが、全面で均 等に吸着することにより変形しやすい電子部品であっても変形を発生させることなく 吸着保持することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0036] [図 1]図 1は、実施形態に係る実装装置の要部構成を示す断面図である。
[図 2]図 2A〜図 2Eは、同上装置による ICチップの基板に対する実装工程を順を追 つて示す模式図である。
[図 3]図 3は、同上装置による実装動作の制御手順を示すフローチャートである。
[図 4]図 4は、同上制御手順における各部の動作タイミングを示すタイミングチャート である。
[図 5]図 5は、制御手順の変形例を示すフローチャートである。
[図 6]図 6は、制御手順の更なる変形例を示すフローチャートである。 [図 7]図 7は、実施形態に係る吸着ノズルの構成例を示す平面図である。
[図 8]図 8は、従来技術に係る部品実装装置の要部構成を示す断面図である。
[図 9]図 9A〜図 9Eは、従来技術に係る実装手順を順を追って説明する模式図であ る。
発明を実施するための最良の形態
[0037] 本実施形態は、電子部品の一例である ICチップの電極に突起電極として形成され た半田バンプを基板の電極に基板電極として形成されたパッドに溶融接合すること により ICチップを基板に実装する部品実装方法及び部品実装装置について示すも のである。特に、薄型化されて平面性が損なわれやすい ICチップや、狭ピッチで多 数の電極が列設形成されている ICチップであっても精度よく実装することを可能にす る実装制御方法及びその装置を設けたものである。尚、 ICチップを実装する対象物 を基板としているが、それは回路基板だけでなぐ ICチップ上に ICチップを実装する チップオンチップの場合では実装対象となる ICチップを基板とする。
[0038] 図 1は、実施形態に係る実装装置の要部構成を示すもので、吸着ノズル 11により I Cチップ 1を吸着保持して実装ステージ 25上に保持された基板 4に実装する装着へ ッド 3の構成部分を示している。この装着ヘッド 3は図示しない XYロボットにより部品 供給位置力も部品装着位置に自在移動できるように構成され、昇降駆動部 21により 昇降動作ができるように構成されている。
[0039] 実装ヘッド 3の先端部には実装ツール 3aが取り付けられており、実装ツール 3aは、 吸着保持する ICチップ 1に対応する形状寸法に形成された吸着ノズル 11と、この吸 着ノズル 11に吸着保持された ICチップ 1を加熱するセラミックヒータ 12と、このセラミ ックヒータ 12の熱が装着ヘッド本体 3bに伝熱しな 、ように熱遮断する断熱部 13と、 加熱された ICチップ 1に冷却風を吹き付けるブローノズル 19と、これらの構成物を支 持する支持軸 17とを備えて構成されている。
[0040] 前記装着ヘッド本体 3bは、実装ツール 3aを垂下状態に支持するフレーム 16と、吸 着ノズル 11によって吸着保持された ICチップ 1の基板 4に対する接触荷重を検出す るロードセル 14とを備え、前記フレーム 16に設けられた上部フレーム 16aと支持軸 1 7の上下動を案内する下部フレーム 16bとをつなぐ中間フレーム 16cには、その上下 にナット部 21bが設けられており、それに螺合するボールネジ軸 21aが嵌挿されて昇 降駆動部 21が構成されており、前記ボールネジ軸 21aが昇降駆動モータ 21cによつ て回転駆動されることにより、装着ヘッド 3を昇降移動させることができる。このボール ネジを用いた昇降駆動構造により、装着ヘッド 3を微小量で昇降移動させる制御が容 易となる。実装ツール 3aの中心軸は昇降駆動部 21による昇降動作軸と平行になつ ているので、実装ツール 3aは昇降駆動部 21により自在に昇降移動制御することがで きる。
[0041] 前記ロードセル 14は、抵抗線歪み計を利用した荷重測定器の一種であって、装着 ヘッド 3の下降動作により、その先端部に取り付けられた吸着ノズル 11が吸着保持す る ICチップ 1の半田バンプ laが基板 4の基板電極 4aに接触したとき、実装ツール 3a を構成する支持軸 17の上端がロードセル 14の荷重検出面を押し上げるので、荷重 はロードセル 14を構成する弾性体の歪みとして検出され、それを抵抗線歪み計の歪 み量として電気的変換することにより、電気信号としての荷重が出力されるように構成 されている。
[0042] 上記構成になる装着ヘッド 3は図示しない XYロボットにより水平方向に自在移動で きるので、部品供給位置に移動して昇降動作により部品供給位置に供給されている I Cチップ 1を吸着ノズル 11によって吸着保持し、水平移動により部品実装位置に移動 し、部品実装位置に設けられている実装ステージ 25上に供給されている基板 4に IC チップ 1を実装する実装動作を行うことができる。前記実装ステージ 25には、基板 4を 吸着保持する基板保持ノズル 25aと、基板 4を予備加熱するヒータ 25bとが設けられ ている。
[0043] 上記構成になる装着ヘッド 3を用いて ICチップ 1を基板 4に実装する実装制御方法 について、図 2A〜図 4を参照して説明する。以下に示す制御動作は、部品実装装 置に設けられた制御部 6によって実行される。
[0044] 図 3は、制御部 6による制御手順を示すフローチャートで、この制御手順に基づ!/ヽ て制御動作について説明する。尚、図中に示す番号 Sl、 S2 は制御手順を示すス テツプ番号であって本文中に添記する番号と一致する。
[0045] 図示しな 、XYロボットにより部品供給位置に移動して吸着ノズル 11により ICチップ 1を吸着保持した装着ヘッド 3は、 XYロボットにより部品実装位置に移動して実装ス テージ 25上に保持された基板 4に対する実装位置の上方に ICチップ 1が位置するよ うに位置決めされ、昇降駆動部 21による昇降駆動動作により下降動作を開始する（S D o前述したように ICチップ 1が薄型化されたものであるとき、吸着ノズル 11に吸着さ れると、図 2Aに示すように、吸気口 11aに対面する中央部分が真空負圧により吸引 されて周辺部が下がった反りが発生しやすい状態になる。また、薄型化された ICチッ プ 1はその加工途上で歪が生じやすく波打った状態になりやすい。そのため、装着 ヘッド 3を下降させると、吸着ノズル 11に吸着保持された ICチップ 1の実装面に形成 された複数の半田バンプ (突起電極） laのうち ICチップ 1の変形により最も下方に位 置している半田バンプ laが基板 4に形成された基板電極 4aに接触する。半田バンプ laの一部が基板電極 4aに接触したときの接触荷重はロードセル 14によって検出さ れ (S2)、検出出力は制御部 6に入力されるので、制御部 6は所定の接触荷重値が 検出されるまで装着ヘッド 3を下降動作させて ICチップ 1を基板 4上に押さえ込み (S 3)、ロードセル 14から所定の接触荷重値が入力されたとき (S4)、装着ヘッド 3の下 降動作を停止させて ICチップ 1を押さえ込んだ位置を保持する（S5)。この ICチップ 1を押さえ込む動作により、図 2Bに示すように、 ICチップ 1に変形が生じている場合 でも吸着ノズル 11の吸着面 1 lbに沿った平面度に矯正される。
[0046] ICチップ 1を基板 4に押さえ込んだ状態が維持されるように装着ヘッド 3の昇降高さ 位置を保持した状態にして、セラミックヒータ 12による加熱温度を上昇させる（S6)。 尚、セラミックヒータ 12には吸着ノズル 11に ICチップ 1を吸着保持した所定時間後か ら通電し、 ICチップ 1に形成された半田バンプ laが溶融しな 、所定温度になるように 予備加熱し、実装ステージ 25に保持された基板 4に対しても基板ヒータ 25bにより予 備加熱がなされ、基板電極 4aの表面に予め供給されている半田が溶融しない所定 温度になるように予備加熱がなされる。
[0047] 図 4は、装着ヘッド 3による吸着ノズル 11の高さ位置制御、セラミックヒータ 12による 吸着ノズル 11の加熱制御などを（1)〜（12)に示す各制御タイミング毎の変化として 示すものである。セラミックヒータ 12による吸着ノズル 11の温度上昇が開始されて吸 着ノズル 11の温度が上昇すると、その熱影響により吸着ノズル 11などに熱膨張が生 じ、熱膨張は装着ヘッド 3による吸着ノズル 11の高さ位置に変化を来たすので、予め わかって!/、る熱膨張量が補正されるように装着ヘッド 3を上昇させる（S7)。この装着 ヘッド 3の上昇は、図 4に示すように、セラミックヒータ 12による加熱が停止されて冷却 ブローが開始されても温度は急低下しないので、加熱停止力 所定時間後まで継続 される。熱膨張は実装ツール 3aの側だけでなぐ ICチップ 1及び基板 4を介して実装 ステージ 25に伝熱する加熱により実装ステージ 25にも熱膨張が生じ、それは実装ッ ール 3a側の膨張に遅れて発生し、予め測定できる変化となるので、図 4に示すように 、装着ヘッド 3の上昇はセラミックヒータ 12による加熱開始より遅れたタイミングで、実 装ステージ 25の熱膨張量を計算した上昇量に制御される。
[0048] セラミックヒータ 12による加熱温度が半田バンプ laの溶融温度に達したとき（S8)、 半田バンプ la及び基板電極 4a上の半田は溶融し、図 2Cに示すように、半田バンプ laと基板電極 4aとは一体に融合するので、加熱を停止すると共に（S9)、冷却プロ 一を開始する（S10)。冷却ブローは、実装ツール 3aに設けられたブローノズル 19か ら ICチップ 1に冷風が吹き付けることによってなされる。冷却はブローノズル 19からの 冷却風によらず、自然冷却であってもよい。
[0049] この冷却により熱膨張していた装着ヘッド 3側及び実装ステージ 25側に収縮が生じ 、 ICチップ 1と基板 4との間が所定間隔力も離れるようになるので、それを補正するよ うに、図 4に示すように、加熱停止及び冷却ブロー開始後の所定時間後のタイミング で上昇移動していた装着ヘッド 3は下降移動に切り替えられ (Sl l)、図 2Dに示すよ うに、 ICチップ 1と基板 4とが所定間隔で対面する高さ位置まで下降する制御動作が 実行される。
[0050] 装着ヘッド 3の下降動作がなされた後、半田バンプ laと基板電極 4aの半田とが融 合した接合体 10が固化する凝固点以下の温度に所定時間保持され (S12)、所定の 待機時間を経過させることにより（S13)、半田が固化する途上で引き剥がし方向の 力が作用して接合部分に界面が発生したり、オープン状態が発生したりすることがな ぐ接合体 10は適正な形状に形成され、電気抵抗の増加や導通不良などが生じるこ とが防止される。
[0051] 接合が確実になされる所定時間が経過した後、吸着ノズル 11による ICチップ 1の 吸着を解除し (S14)、装着ヘッド 3を上昇させることにより（S15)、図 2Eに示すように ICチップ 1は基板 4に実装される。
[0052] 上記実装制御方法により、溶融させた半田が固化するときの吸着ノズル 11の上下 方向位置を適切に制御することにより、半田が固化するときの収縮に起因する弓 Iき剥 がし作用によって接合面に界面やオープン状態が発生することを防止できるが、より 確実に弓 Iき剥がし作用の発生を抑制する制御方法にっ 、て、図 5に示すフローチヤ ートを参照して以下に説明する。尚、図 5は、図 3に示したフローチャートのステップ S 12以降の制御手順を変更したものであり、ステップ S 12までの制御手順は前述の制 御方法と同一であり、その説明及び図示は省略する。
[0053] 図 5において、溶融させた半田を固化させるために凝固点以下の温度で温度保持 する所定時間の経過を待機する途上において（S13)、ロードセル 14による荷重検出 値により荷重方向の判定を実行し (S16)、荷重方向が接合面を引き剥がす方向、即 ち熱膨張していた装着ヘッド 3側及び実装ステージ 25側が冷却に伴って収縮するの に応じて装着ヘッド 3を下降させた位置で停止させている状態での荷重が減少して いる荷重値が検出されたときには、装着ヘッド 3の下降停止位置が収縮量に適合せ ず、接合面に引き剥がし作用が及んで界面やオープンが発生しやすい状態になつ ていると判断できるので、装着ヘッド 3を下降させる（S18)。逆に荷重方向が接合面 を圧縮する方向、即ち溶融させた半田が固化する際の収縮に応じて装着ヘッド 3を 下降させた位置で停止させて 、る状態での荷重が増加して 、る荷重値が検出された ときには、装着ヘッド 3の下降停止位置が収縮量を上回り、半田を圧縮させて横方向 に延出した半田により隣り合った半田バンプ laの間を短絡させてしまう恐れがあるの で、装着ヘッド 3を上昇させる制御を実施する（S 19)。
[0054] ステップ S13における所定時間の経過が終了したときには、前述の制御方法の手 順と同様に、吸着ノズル 11による ICチップ 1の吸着を解除し (S 14)、装着ヘッド 3を 上昇させること〖こより（S15)、 ICチップ 1は基板 4に実装される。
[0055] 上記制御動作の実行により、実装ツール 3a及び実装ステージ 25の熱膨張に伴う I Cチップ 1と基板 4との間の距離変化によって ICチップ 1と基板 4との間の離隔距離が 適切になるので、半田に引き剥がし方向の力が作用することにより接合面に界面や オープンが発生することを防止でき、半田に圧縮方向の力が作用することにより横方 向に膨出した半田によって隣り合った間に短絡が発生することが防止できる。
[0056] 上記制御方法では、溶融させた半田が固化するまで所定時間の待機時間を設け ているので、環境温度によっては半田が固化した後も待機時間が費やされて実装時 間が徒に長くなることがあるので、半田の固化判定を行って実装時間の短縮を図るこ とができる。この半田の固化判定を行う制御方法について、図 6を参照して説明する 。尚、図 6は、図 3に示したフローチャートのステップ S12以降の制御手順を変更した ものであり、ステップ S 12までの制御手順は前述の制御方法と同一であり、その説明 及び図示は省略する。
[0057] 図 6において、ステップ S12における溶融させた半田を固化させるために凝固点以 下の温度で温度保持する工程の後、ロードセル 14による荷重検出値から半田の固 化を判定する（S20)。半田の固化が進行する状態では実装ツール 3a側の温度は低 下していくが、実装ステージ 25側の温度低下は遅れるので、実装ステージ 25の熱が 実装ツール 3a側に伝熱し、実装ツール 3aに再び熱膨張が生じたとき、半田が固化し ているとロードセル 14によって検出される荷重は増加する。この検出値から半田の固 化状態が判定できるので、固化判定荷重が検出されたとき、接合完了と判断して吸 着ノズル 11による ICチップ 1の吸着を解除し (S 14)、装着ヘッド 3を上昇させることに より（S15)、 ICチップ 1は基板 4に実装される。
[0058] 以上説明した実装装置の構成及び実装方法において、実装ツール 3aの熱膨張は 少ない方が望ましぐセラミックヒータ 2の熱が不要部位に伝熱することを防止するた めにセラミックヒータ 12と支持軸 17との間に配設される断熱部 13は熱膨張係数の小 さ ヽものを適用することが好適である。従来用いられて!/ヽる断熱部 13の構成部材の 熱膨張係数は 8 X 10— 6程度であるが、本実施形態に係る断熱部 13の構成部材では 熱膨張係数が 1 X 10— 6のものを適用することにより実装ツール 3a全体の熱膨張量の 低減が図られている。
[0059] また、吸着ノズル 11による吸着保持により ICチップ 1に生じる変形はより小さくなるよ うにすることが望ましぐ吸着ノズル 11の吸着面 l ibに、図 7に示すように、吸気口 11 aにカ卩えて吸気口 11aに連通した吸気溝 11cを形成した吸着ノズル 11を適用すること ができる。 ICチップ 1の厚さが薄くなるほどに真空負圧が部分的に作用すると平面性 が損なわれ、 ICチップ 1のサイズが大きくなるほどに変形度合いは大きくなる力 図 7 に示すように吸気溝 11cを吸着面 l ibに形成することにより、 ICチップ 1の全面に平 均的な吸着力が作用するため、真空吸着による ICチップ 1の変形は改善される。前 記吸気溝 11cの形成は、図示するような格子状だけでなぐ ICチップ 1の全面に平均 的な吸着力が及ぶパターンや、周辺部など特定部位に吸着力が重点的に及ぶバタ ーンなどに自在に形成することができる。
[0060] 以上説明した実装制御方法において、 ICチップ 1の変形を矯正する制御動作、加 熱に伴う熱膨張により発生する実装間隔の変化を補正する制御動作、溶融した半田 が固化するのに伴う収縮により発生する実装間隔を補正する制御動作は、図 3のフロ 一チャートに示すように一括して適用することが望ましいが、要求される接合精度や I Cチップ 1の種類に応じていずれかを選択実施することができる。
産業上の利用可能性
[0061] 以上説明した通り本発明によれば、薄型化される傾向にある ICチップなど平面性 が損なわれやすい電子部品を基板に実装するとき、変形を矯正して精度よく基板に 実装することができる。また、半田を溶融させるための加熱に伴う熱膨張に対応する 制御が適切になされるので、多数の突起電極を基板電極に接合不良を発生させるこ となく接合することが可能となる。また、熱膨張していた部位が冷却に伴って収縮する のに応じた制御が適切になされるので、溶融接合した半田に界面やオープンを発生 させることがなぐ多数の電極が狭ピッチで配列されている場合であっても膨出した半 田により隣り合う電極間に短絡を発生させることがないことから、薄型化、高集積化が 進展する ICチップを基板に正確に実装する実装方法及び実装装置を提供すること ができる。

Claims

請求の範囲
[1] 1.複数の突起電極 (la)が形成された電子部品（1)を昇降動作制御される装着へ ッド（3)に設けられた吸着ノズル (11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が 形成された基板 (4)を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドの下降動作により 基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合 して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検 出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させた後、加 熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却により溶 融部を固化させた後、吸着ノズルに吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させる部 品実装方法。
[2] 2.複数の突起電極 (la)が形成された電子部品（1)を昇降動作制御される装着へ ッド（3)に設けられた吸着ノズル (11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が 形成された基板 (4)を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドの下降動作により 基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合 して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極を基板電極に接触させ、加熱に伴う装 着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを上昇動 作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を 停止して冷却により溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解 除して装着ヘッドを上昇動作させる部品実装方法。
[3] 3.複数の突起電極 (la)が形成された電子部品（1)を昇降動作制御される装着へ ッド（3)に設けられた吸着ノズル (11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が 形成された基板 (4)を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドの下降動作により 基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合 して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極を基板電極に接触させ、所定温度の加 熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に伴う装 着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降動作さ せ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装着ヘッド を上昇動作させる部品実装方法。
[4] 4.複数の突起電極 (la)が形成された電子部品（1)を昇降動作制御される装着へ ッド（3)に設けられた吸着ノズル (11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が 形成された基板 (4)を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドの下降動作により 基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合 して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検 出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に 伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを 上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、 加熱を停止して冷却により溶融部を固化させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルに よる電子部品の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させる部品実装方法。
[5] 5.複数の突起電極 (la)が形成された電子部品（1)を昇降動作制御される装着へ ッド（3)に設けられた吸着ノズル (11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が 形成された基板 (4)を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドの下降動作により 基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合 して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検 出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、所定温 度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、加熱を停止して冷却に 伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降 動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品の吸着を解除して装 着ヘッドを上昇動作させる部品実装方法。
[6] 6.複数の突起電極 (la)が形成された電子部品（1)を昇降動作制御される装着へ ッド（3)に設けられた吸着ノズル (11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が 形成された基板 (4)を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドの下降動作により 基板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合 して電子部品を基板に実装する部品実装方法において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの荷重を検 出し、所定の接触荷重値が検出される下降位置まで吸着ノズルを下降させ、加熱に 伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の熱膨張量を補正する上昇量で装着ヘッドを 上昇動作させ、所定温度の加熱により突起電極を溶融させて基板電極に接合させ、 加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降 量で装着ヘッドを下降動作させ、溶融部を固化させた後、吸着ノズルによる電子部品 の吸着を解除して装着ヘッドを上昇動作させる部品実装方法。
[7] 7.溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持した後、吸着ノズル (
11)による電子部品（1)の吸着を解除する請求項 1〜6いずれか一項に記載の部品 実装方法。
[8] 8.溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持する途上において、 電子部品（1)に加わる荷重方向を検出し、荷重方向に応じて装着ヘッド（3)を上昇 動作又は下降動作させる請求項 1〜6いずれか一項に記載の部品実装方法。
[9] 9.溶融部の固化に際して凝固点以下の温度を所定時間維持した後、所定の固化 判定荷重が検出されたとき、吸着ノズル（11)による電子部品（1)の吸着を解除する 請求項 1〜6いずれか一項に記載の部品実装方法。
[10] 10.複数の突起電極（la)が形成された電子部品（1)を装着ヘッド (3)に設けられ た吸着ノズル（11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が形成された基板 (4 )を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基 板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合し て電子部品を基板に実装する部品実装装置において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重 を検出する荷重検出手段（14)を設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重 が所定値になるように装着ヘッドの昇降動作を制御する制御部（6)が設けられてなる 部品実装装置。
[11] 11.複数の突起電極（la)が形成された電子部品（1)を装着ヘッド (3)に設けられ た吸着ノズル（11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が形成された基板 (4 )を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基 板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合し て電子部品を基板に実装する部品実装装置において、
加熱に伴って前記装着ヘッド側及び実装ステージ側に生じる熱膨張量に応じて下 降位置にある装着ヘッドを上昇方向に移動制御し、加熱を停止して冷却に伴う装着 ヘッド側及び実装ステージ側の収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降方向に移 動制御する制御部 (6)が設けられてなる部品実装装置。
[12] 12.複数の突起電極（la)が形成された電子部品（1)を装着ヘッド (3)に設けられ た吸着ノズル（11)によって吸着保持し、複数の基板電極 (4a)が形成された基板 (4 )を実装ステージ (25)上に保持し、装着ヘッドを昇降制御してその下降動作により基 板電極に突起電極を当接させ、加熱により突起電極を溶融させて両電極間を接合し て電子部品を基板に実装する部品実装装置において、
前記装着ヘッドを下降動作させて突起電極が基板電極に接触したときの接触荷重 を検出する荷重検出手段（14)を設け、この荷重検出手段により検出される接触荷重 が所定値になるように装着ヘッドの昇降動作を制御し、加熱に伴って前記装着ヘッド 側及び実装ステージ側に生じる熱膨張量に応じて下降位置にある装着ヘッドを上昇 方向に移動制御し、加熱を停止して冷却に伴う装着ヘッド側及び実装ステージ側の 収縮を補正する下降量で装着ヘッドを下降方向に移動制御する制御部 (6)が設けら れてなる部品実装装置。
[13] 13.吸着ノズル（11)と装着ヘッド本体 (3)との間に配設された加熱手段（12)と、 前記装着ヘッド本体との間に、熱膨張係数が 1 X 10— 6以下の断熱部材（13)が配設 されてなる請求項 12に記載の部品実装装置。
[14] 14.吸着ノズル（11)の電子部品（1)を吸着保持する吸着面（l ib)に、電子部品の 面積に対応する領域に吸気口（11a)に連通する吸気溝（11c)が所定密度で列設形 成されてなる請求項 11又は 12に記載の部品実装装置。
PCT/JP2005/010218 2004-06-08 2005-06-03 部品実装方法及び部品実装装置 WO2005122237A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20050745698 EP1777738A1 (en) 2004-06-08 2005-06-03 Component mounting method and component mounting apparatus
US11/570,183 US20070181644A1 (en) 2004-06-08 2005-06-03 Component mounting method and component mounting apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-170288 2004-06-08
JP2004170288A JP4736355B2 (ja) 2004-06-08 2004-06-08 部品実装方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005122237A1 true WO2005122237A1 (ja) 2005-12-22

Family

ID=35503368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/010218 WO2005122237A1 (ja) 2004-06-08 2005-06-03 部品実装方法及び部品実装装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070181644A1 (ja)
EP (1) EP1777738A1 (ja)
JP (1) JP4736355B2 (ja)
CN (1) CN100461358C (ja)
TW (1) TW200605246A (ja)
WO (1) WO2005122237A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214241A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Sony Corp 半導体チップの実装方法及び半導体チップの実装装置
WO2007108290A1 (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. バンプ形成方法およびバンプ形成装置
KR101344258B1 (ko) 2006-12-29 2014-01-22 엘지디스플레이 주식회사 탭 검사방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219334A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nec Corp 電子部品製造装置、方法及びプログラム
CN101872727A (zh) * 2009-04-24 2010-10-27 国碁电子(中山)有限公司 一种芯片焊接方法及结构
US8354300B2 (en) * 2010-02-23 2013-01-15 Qualcomm Incorporated Reducing susceptibility to electrostatic discharge damage during die-to-die bonding for 3-D packaged integrated circuits
US8104666B1 (en) * 2010-09-01 2012-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes
JP5129848B2 (ja) * 2010-10-18 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合方法
US20130175324A1 (en) * 2012-01-11 2013-07-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermal compression head for flip chip bonding
US9842817B2 (en) * 2012-02-27 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Solder bump stretching method and device for performing the same
US8870051B2 (en) 2012-05-03 2014-10-28 International Business Machines Corporation Flip chip assembly apparatus employing a warpage-suppressor assembly
US10052705B2 (en) 2012-08-30 2018-08-21 Universal Instruments Corporation 3D TSV assembly method for mass reflow
US9630269B2 (en) 2013-10-30 2017-04-25 Globalfoundries Inc. Mechanism to attach a die to a substrate
US9165902B2 (en) * 2013-12-17 2015-10-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating bonding machines for bonding semiconductor elements, and bonding machines
JP5964520B2 (ja) * 2014-03-28 2016-08-03 アスリートＦａ株式会社 電子部品接合装置および電子部品接合方法
JP2016062960A (ja) 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
CN104377159A (zh) * 2014-11-14 2015-02-25 江苏博普电子科技有限责任公司 一种适用于管壳内有凸出键合指的细间距共晶焊吸嘴
JP6581389B2 (ja) * 2015-05-12 2019-09-25 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造装置及び製造方法
EP3349951B1 (en) * 2015-09-17 2023-07-12 ABB Schweiz AG A component feeder and a system for picking components comprising the component feeder
CN108311765A (zh) * 2017-01-18 2018-07-24 鸿骐新技股份有限公司 双芯片模块的取置焊接系统及双芯片模块的组装方法
KR102214040B1 (ko) * 2017-03-06 2021-02-09 (주)테크윙 반도체소자 테스트용 핸들러의 가압장치 및 그 작동 방법
WO2019089879A1 (en) 2017-11-02 2019-05-09 Universal Instruments Corporation Fixture to hold part before and after reflow, and method
JP6850906B2 (ja) * 2017-12-07 2021-03-31 株式会社Ｆｕｊｉ 部品実装用ノズル
CN112335349B (zh) * 2018-06-18 2022-05-03 株式会社富士 吸嘴管理装置和吸嘴管理方法
CN109786314B (zh) * 2018-12-19 2021-07-27 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 用于夹持塑封晶圆的固定装置及真空溅射金属薄膜工艺
CN109817551A (zh) * 2018-12-19 2019-05-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种用于矫正塑封平板翘曲的压制结构及半导体装置
CN109699169B (zh) * 2019-01-31 2020-12-22 深圳市益光实业有限公司 一种微波多通道t/r组件贴片技术
JP7207152B2 (ja) * 2019-05-16 2023-01-18 株式会社デンソー スリーブはんだ付け装置および電子装置の製造方法
JP7368962B2 (ja) * 2019-07-09 2023-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 実装装置
CN112786079B (zh) * 2019-11-08 2023-02-17 光宝电子(广州)有限公司 用于盘片数据库的盘片取放装置
CN114542568A (zh) * 2020-11-19 2022-05-27 王鼎瑞 焊接组件及焊接组件组装于物体的方法
CN115696885B (zh) * 2022-11-23 2023-07-18 广东越新微系统研究院 一种复合相变储热器件及制备方法、航天电子系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134906A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の熱圧着装置および熱圧着方法
JP2003008196A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法及び実装装置
JP2003031993A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装装置及び実装方法
JP2004158547A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd ヒータ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862588A (en) * 1995-08-14 1999-01-26 International Business Machines Corporation Method for restraining circuit board warp during area array rework
JP2000133995A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品装着方法とその装置
US6609295B1 (en) * 1999-04-27 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component mounting apparatus and device for detecting attachment on component substrate
US7296727B2 (en) * 2001-06-27 2007-11-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for mounting electronic components
JP2003100781A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4035716B2 (ja) * 2001-10-05 2008-01-23 日本電気株式会社 電子部品の製造装置および電子部品の製造方法
JP2003340666A (ja) * 2002-05-27 2003-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 吸着テーブルとこれを用いた処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134906A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の熱圧着装置および熱圧着方法
JP2003008196A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法及び実装装置
JP2003031993A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装装置及び実装方法
JP2004158547A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd ヒータ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214241A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Sony Corp 半導体チップの実装方法及び半導体チップの実装装置
WO2007108290A1 (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. バンプ形成方法およびバンプ形成装置
US7905011B2 (en) 2006-03-16 2011-03-15 Panasonic Corporation Bump forming method and bump forming apparatus
JP5002583B2 (ja) * 2006-03-16 2012-08-15 パナソニック株式会社 バンプ形成方法
KR101257977B1 (ko) 2006-03-16 2013-04-24 파나소닉 주식회사 범프형성방법 및 범프형성장치
KR101344258B1 (ko) 2006-12-29 2014-01-22 엘지디스플레이 주식회사 탭 검사방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20070181644A1 (en) 2007-08-09
JP2005353696A (ja) 2005-12-22
TW200605246A (en) 2006-02-01
EP1777738A1 (en) 2007-04-25
CN100461358C (zh) 2009-02-11
CN1965401A (zh) 2007-05-16
TWI292598B (ja) 2008-01-11
JP4736355B2 (ja) 2011-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4736355B2 (ja) 部品実装方法
JP4014481B2 (ja) ボンディング方法およびその装置
KR20050029110A (ko) 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
TWI603405B (zh) Manufacturing apparatus of semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP6234277B2 (ja) 圧着ヘッド、それを用いた実装装置および実装方法
JPH09153525A (ja) ボンディング装置およびボンディング方法
JP4260712B2 (ja) 電子部品実装方法及び装置
US6712111B2 (en) Bonding method and apparatus
KR102039769B1 (ko) 본딩 툴 냉각 장치 및 본딩 툴 냉각 방법
JP4622460B2 (ja) 電子部品実装方法及び装置
KR20070022058A (ko) 부품 실장방법 및 부품 실장장치
JP5098939B2 (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JP2002164646A (ja) 半田付け、取り外し装置
JP4601844B2 (ja) ボンディング装置及びボンディンク方法
KR102284943B1 (ko) 본딩 장치 및 본딩 방법
JP6461822B2 (ja) 半導体装置の実装方法および実装装置
JP3629850B2 (ja) バンプ付電子部品の圧着方法
JP3521453B2 (ja) 回路基板接続方法
JP2002134563A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
JPH03120844A (ja) 半導体装置の製造方法及びその装置
JPH0537148A (ja) 表面実装型半導体装置の取外し方法および実装構造
KR20090092441A (ko) 반도체 패키지 제조용 다이 본딩 장치 및 그 작동 제어방법
JP2012209409A (ja) 電子部品実装体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067024916

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580018277.6

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11570183

Country of ref document: US

Ref document number: 2007181644

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005745698

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067024916

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005745698

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11570183

Country of ref document: US