TWI603405B - Manufacturing apparatus of semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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TWI603405B
TWI603405B TW105100072A TW105100072A TWI603405B TW I603405 B TWI603405 B TW I603405B TW 105100072 A TW105100072 A TW 105100072A TW 105100072 A TW105100072 A TW 105100072A TW I603405 B TWI603405 B TW I603405B
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Description

半導體裝置之製造裝置及半導體裝置之製造方法 [相關申請案]
本申請案享有以日本專利申請案2015-97594號(申請日：2015年5月12日)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。
本發明之實施形態係關於一種半導體裝置之製造裝置及半導體裝置之製造方法。
半導體裝置設置有焊料凸塊。
本發明之實施形態提供一種可容易地進行半導體裝置之製造之半導體裝置之製造裝置及半導體裝置之製造方法。
實施形態之半導體裝置之製造裝置包括：載台；頭部，其與上述載台對向配置，可保持半導體元件；驅動部，其可使上述頭部沿與上述頭部及上述載台交叉之第一方向移動，並且對上述頭部施加負載；負載感測器，其檢測上述頭部之負載值；及控制部，其具備第一動作與第二動作，上述第一動作係藉由驅動上述驅動部而使上述頭部接近上述載台，上述第二動作係檢測上述負載值之變化而使上述半導體元件與上述頭部切離。
5‧‧‧製造裝置
10‧‧‧載台
15‧‧‧頭部
20‧‧‧支持部
25‧‧‧基板
25a‧‧‧焊料凸塊
25b‧‧‧焊料
30‧‧‧載台加熱器
35‧‧‧溫度感測器
40‧‧‧接合工具
45‧‧‧半導體元件
45'‧‧‧半導體元件
45a‧‧‧金屬墊
45a'‧‧‧金屬墊
50‧‧‧頭加熱器
55‧‧‧溫度感測器
60‧‧‧孔
65‧‧‧驅動部
70‧‧‧位置感測器
75‧‧‧負載感測器
80‧‧‧控制裝置
135‧‧‧基板
145‧‧‧半導體晶片
155‧‧‧半導體晶片
A0‧‧‧頭部之高度尺寸
A1‧‧‧頭部之高度尺寸
B0‧‧‧載台之高度尺寸
B1‧‧‧載台之高度尺寸
d‧‧‧距離
t1~t6‧‧‧時刻
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係實施形態之半導體裝置之製造裝置之概略構成圖。
圖2係表示實施形態之半導體裝置之製造方法之流程之流程圖。
圖3(a)~(c)係表示實施形態之半導體裝置之加工前之狀態與加工後之狀態之模式性剖視圖。
圖4係表示實施形態之半導體裝置之製造方法之各階段之模式性剖視圖。
圖5係表示實施形態之半導體裝置之製造方法之各階段之模式性剖視圖。
圖6係表示實施形態之半導體裝置之製造方法之各階段之模式性剖視圖。
圖7係表示頭部之溫度、頭部之負載值、及頭部15之高度之時間推移之圖。
圖8係表示頭部之溫度與頭部之高度尺寸之關係之圖。
圖9係表示半導體裝置之其他實施形態之模式性剖視圖。
以下，參照圖式對實施形態進行說明。此外，圖式係模式性圖，厚度與平面尺寸之關係、各層之厚度之比例等並非必須與實物一致。另外，關於上下左右之方向，亦表示將下述半導體基板之電路形成面側設為上或下之情形時之相對之方向，並非必須與以重力加速度方向為基準之情況一致。
圖1係表示半導體裝置之製造裝置5之概念性構成之模式性圖。製造裝置5中，於其下側具有使用有陶瓷等之載台10，於載台10之上部具有頭部15。製造裝置5具有支持頭部15之支持部20。製造裝置5具有對載台10、頭部15、及支持部20進行控制之控制裝置80。圖中載台10被隔開，但亦可藉由未圖示之外部構成將製造裝置5整體作為一體之構成而設置。另外，頭部15可與支持部20作為一體而構成頭部15。此外，於以下之說明中，將上下方向稱為Z軸方向，將水平方向稱為 XY軸方向。
載台10可於上表面保持如圖3(b)所示之基板25。基板25例如為陶瓷基板或玻璃環氧基板等。載台10具有載台加熱器30及溫度感測器35。載台加熱器30可對載台10進行加熱，且將保持於載台10上表面之基板25以特定之溫度進行加熱。溫度感測器35可檢測載台10之溫度。溫度感測器35例如藉由檢測載台10之溫度而可間接地檢測保持於載台10上表面之基板25之溫度。
載台加熱器30藉由對載台10進行加熱而可將圖3(b)所示之設置於基板25之焊料凸塊25a加熱至低於熔點之固定溫度(例如150℃)。載台加熱器30根據溫度感測器35所檢測之溫度而受到控制。
頭部15於下表面部分具有接合工具40。頭部15例如可吸附且保持圖3(a)所示之半導體元件45等半導體元件。頭部15具有頭加熱器50及溫度感測器55。頭部15於內部具有孔60。孔60中例如可流過冷卻用之高壓氣等。
頭加熱器50例如利用電流而可發熱。頭部15藉由頭加熱器50之發熱而可升溫。另外，頭加熱器50可對接合工具40進行加熱，且對保持於接合工具40之半導體元件45進行加熱。
於使頭部15及頭加熱器50之加熱停止時，例如向頭加熱器50之電流被阻斷。藉由阻斷電流而可停止加熱。
另外，藉由使孔60中流過冷卻用之高壓氣而可使頭部15快速冷卻。
溫度感測器55可檢測頭部15之溫度。溫度感測器55例如藉由檢測接合工具40之溫度而可間接地檢測保持於接合工具40之半導體元件45之溫度。
支持部20具有驅動部65、位置感測器70、及負載感測器75。
驅動部65可使頭部15於Z軸方向(上下方向)移動。即，驅動部65 可使頭部15於載台10之方向上移動，從而使頭部15與載台10之距離接近或遠離。進而，使驅動部65可對頭部15朝載台10之方向施加負載。
位置感測器70檢測頭部15之Z軸方向之位置。此外，位置感測器70亦可間接地檢測位置。例如，位置感測器70亦可根據驅動部65之驅動量、支持部20之Z軸方向之位置、或支持部20之移動量等檢測頭部15之位置。
負載感測器75檢測頭部15之負載值。例如，於使頭部15下降時，驅動部65或頭部15介隔保持於接合工具40之半導體元件45而使頭部15對載台10施加負載。負載感測器75可檢測對該載台10施加之負載。此外，負載感測器75亦可間接地檢測負載。例如，負載感測器75亦可根據驅動部65之驅動所需之力等而檢測負載。
此外，亦可將位置感測器70與驅動部65、或負載感測器75與驅動部65作為一體設置。
控制裝置80根據位置感測器70之信號而檢測頭部15之Z軸方向之位置，由此可控制頭部15之Z軸方向之位置。而且，基於該位置感測器70之控制例如適於高速之頭部15之移動。
另一方面，控制裝置80根據負載感測器75之信號而檢測頭部15之負載值，由此可根據負載值之大小而控制頭部15之Z軸方向之位置。而且，基於該負載感測器75之控制適於微細之移動、或頭部15之由負載引起之移動。
換言之，頭部15可進行基於位置感測器70之檢測信號之控制、及基於負載感測器75之檢測信號之控制。
控制裝置80例如具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或記憶體等，根據編程進行裝置整體之控制。控制裝置80根據下述編程控制載台10、頭部15、及支持部20等各部之活動。
此外，製造裝置5進而具備未圖示之位置檢測相機。位置檢測相 機可檢測載台10上之基板25、或保持於頭部15之接合工具40上之半導體元件45之XY軸方向(水平方向)之位置。控制裝置80根據位置檢測相機所檢測到之圖像可對頭部15於XY方向及水平面內之旋轉方向之移動進行控制。
然後，說明利用製造裝置5進行之半導體裝置之製造步驟。
圖3(a)係上述半導體元件45之模式性剖視圖。半導體元件45於半導體基板之表面被製成置入由各種加工步驟形成之積體電路。於半導體元件45之表面(上表面)配置有複數個金屬墊45a。金屬墊45a係可與外部電性連接之金屬電極。
圖3(b)係基板25之模式性剖視圖。基板25例如為剛性基板、撓性基板等。更具體而言，例如基板25為陶瓷基板、玻璃環氧基板等各種印刷基板。於基板25之表面(上表面)配置有未圖示之電極圖案，於電極圖案上配置有焊料凸塊25a。如下所述，基板25經由焊料凸塊25a而可與半導體元件45之金屬墊45a電性連接。此外，於基板25之正面或背面，亦可配置用以與外部電路連接之除焊料凸塊25a以外之各種端子部等。
圖3(c)係於上述基板25上安裝有半導體元件45之狀態之模式性剖視圖。半導體元件45與基板25隔開距離d而配置。基板25之焊料凸塊25a於安裝時熔融且被壓潰，因而成為焊料25b。焊料25b與半導體元件45之金屬墊45a電性連接。
參照圖2及圖4~圖8對利用製造裝置5將半導體元件45安裝到基板25之安裝步驟進行說明。
圖2係概略性表示由製造裝置5之控制裝置80執行之安裝步驟之控制動作之步驟之流程圖。圖7表示伴隨一連串之步驟之動作之流程而產生之頭部15之溫度之推移、頭部15之負載值之推移、及頭部15之高度之推移。按照該圖2及圖7對各步驟S1~S11進行說明。此外，圖7 之時間(sec)之推進為一例。另外，頭部15之溫度係指製造裝置側之設定溫度，實際之頭部15之溫度亦可不必與圖7一致。
圖4係表示步驟S1之模式性剖視圖。
於步驟S1中，如圖4所示，頭部15配置於與載台10隔開之位置。半導體元件45配置於頭部15之接合工具40上。半導體元件45例如藉由由控制裝置80之控制所產生之吸引而保持於接合工具40。金屬墊45a配置於下方之載台10側。
於步驟S2中，基板25配置於載台10之上表面。基板25例如藉由由控制裝置80之控制所產生之吸引而保持於載台10之上表面。焊料凸塊25a配置於上方之頭部15側。此外，步驟S1與步驟S2之順序不同。
於步驟S3中，由控制裝置80將位置檢測相機配置於載台10與頭部15之間之空間區域。位置檢測相機拍攝位於Z軸方向之上下之基板25及半導體元件45，並檢測兩者之位置。之後，控制裝置80根據檢測出之位置，使載台10或頭部15於XY軸方向(水平方向)及水平面內之旋轉方向相對地移動。藉由該移動而將基板25之焊料凸塊25a與半導體元件45之金屬墊45a配置於對向之位置。
於步驟S4中，控制裝置80使頭部15下降至與載台10接近之位置。圖5係表示步驟S4之模式性剖視圖。
首先，頭部15之下降根據位置感測器70之檢測信號而藉由位置控制進行控制。焊料凸塊25a與半導體元件45之金屬墊45a接觸之稍前之位置由控制裝置80預先設定。而且，控制裝置80藉由使頭部15下降至所設定之位置而使頭部15快速地下降。
然後，頭部15之下降藉由負載值控制而控制。即，控制裝置80根據負載感測器75之檢測信號而控制頭部15之下降。對於負載感測器75之檢測信號之臨限值由控制裝置80預先設定。然後，頭部15下降至使焊料凸塊25a與金屬墊45a接觸(頭部15接地到載台10)。該接觸係根 據負載感測器15檢測之負載值超出所設定之臨限值、或負載值之每單位時間之變化量超出所設定之臨限值而檢測到。
此外，將步驟S4中未加壓之狀態下之頭部之高度尺寸設為A0，將載台10之高度尺寸設為B0。另外，步驟S4之頭部15下降之控制亦可不進行位置感測器70之位置控制而僅以負載值控制來進行。
於步驟S5中，一面介隔金屬墊45a與焊料凸塊25a對載台10施加負載，一面使頭部15進一步下降。而且，使頭部15下降直至頭部15對載台10之負載成為第一負載值(圖7中為約190N)(時刻t1)。圖6係表示步驟S5之模式性剖視圖。
將金屬墊45a壓抵至焊料凸塊25a，使焊料凸塊25a壓縮變形。於是，於兩者接觸之各自之表面產生之自然氧化膜破損，因而兩者電性導通。
該步驟S5中，於負載成為第一負載值之狀態下，頭部15及載台10被施加負載，受到加壓因而被壓縮。即，如圖6所示，頭部15之高度尺寸被壓縮至小於A0之A1(<A0)，載台10之高度尺寸被壓縮至小於B0之B1(<B0)。
此外，於步驟S5中，因施加負載而使金屬墊45a、焊料凸塊25a逐漸變形。由該變形而導致頭部15於時刻t1至t2其位置緩慢地下降。
假設於此狀態下由頭部15之頭加熱器50進行加熱，則透過接合工具40及半導體元件45之金屬墊45a而使基板25之焊料凸塊25a受到加熱，焊料凸塊25a熔融。因焊料凸塊25a之熔融而使對頭部15及載台10之負載解放。即，頭部15及載台10被減壓，因而變化到原來之高度尺寸A0、B0。進而，頭部15因加熱而膨脹，故頭部15之高度尺寸有可能變為大於原來之高度尺寸A0之尺寸。若藉由該加熱而使頭部15及載台10之高度尺寸大於A1、B1，則有可能引起各種不良。例如，有可能焊料凸塊25a被過度壓潰，與相鄰之焊料凸塊25a產生短路。或有 可能焊料凸塊25a與金屬墊45a變形，引起未預期之短路(short)或開路(open)。進而，有可能頭部15與載台10接觸，而導致頭部15或載台10受損。
因此，本實施形態中，作為步驟S6，控制裝置80一面利用負載感測器75檢測負載量，一面使頭部15之負載降低。即，使頭部15減壓。然後，於成為特定之負載量之時間點，控制裝置80停止使頭部15之負載降低(時刻t2，圖7中為約10N)。藉由使頭部15之負載降低而使對頭部15及載台10之壓力降低，頭部15及載台10例如成為原來之高度尺寸A0、B0或至少大於A1、B1之尺寸。即，藉由使頭部15及載台10之高度尺寸預先接近與原來之尺寸相近之尺寸，而可減少升溫時頭部15及載台10之高度尺寸變大之量。進而，藉由以特定之負載量使減壓停止，而可保持焊料凸塊25a與金屬墊45a之接觸狀態。即，可減少於焊料凸塊25a與金屬墊45a之表面形成氧化膜。
作為步驟S7，控制裝置80藉由使頭加熱器50升溫而使頭部15升溫。(時刻t3)。如上所述，頭部15藉由升溫而熱膨脹至高度尺寸較A0長之尺寸。
圖8係表示頭部15之溫度與高度尺寸之關係之曲線圖之一例。
圖8之縱軸表示頭部15之Z軸方向之變位量，橫軸表示頭部15之溫度。頭部15之溫度係以175℃時之Z軸方向之變位量為基準設為「0」。溫度240℃時之變位量為8.0μm，於溫度310℃時之變位量為18.6μm。即，頭部15之溫度越高，頭部15之變位量越增加。
作為步驟S8，控制裝置80配合由升溫引起之頭部15之高度尺寸之變化而使頭部15之位置上升(時刻t4)。頭部15之上升由根據位置感測器70之檢測信號進行之位置控制進行。
之故於時刻t3之後隔開時間使頭部15上升係基於兩個原因。第一個原因在於，於焊料凸塊25a熔融前使焊料凸塊25a與金屬墊45a之間 密接。因密接而於焊料凸塊25a與金屬墊45a之表面形成氧化膜，從而可防止開路。第二個原因在於，存在頭部15之熱膨脹較頭部15之溫度上升遲之情況。
然而，於焊料凸塊25a熔融之後，由上述頭部15之熱膨脹而引起之不良之危險性增加，因而較理想為提前使頭部15之位置上升。該時刻t4係作為參數而預先設定於控制裝置80。或時刻t4亦可由控制裝置80根據負載感測器75之檢測信號而計算出。
此外，頭部15之溫度之推移、與由熱膨脹引起之Z軸方向之變化量並非必須一致。熱膨脹具有隨著時間之經過而線性增加之傾向。因此，如圖7所示，頭部15之Z軸方向之位置控制亦與其配合而進行。
藉由該位置控制，使位於頭部15下端部之半導體元件45之金屬墊45a與載台10側之基板25之焊料凸塊25a之距離可保持為維持大致相同距離之狀態。
對頭部15之負載值於時刻t3到t4暫時增加之後降低之原因進行說明。於焊料凸塊25a熔融之前之期間，頭部15亦因升溫而引起高度尺寸膨脹。然而，由於頭部15之位置被固定，故負載值會增加頭部15之高度尺寸膨脹之量。之後，若焊料凸塊25a熔解，則頭部15之負載解放，負載值降低。
此外，為避免上述不良，較理想為於步驟S7之負載增加之前，將頭部15之位置控制切換為根據位置感測器70之檢測信號進行之位置控制。
作為步驟S9，控制裝置80停止對頭加熱器50之通電而使頭部15之加熱停止(時刻t5)。進而，控制裝置80藉由使空氣流過孔60中而加速散熱，使頭部15冷卻。此外，利用時刻t5之前之固定時間之加熱使焊料凸塊25a充分地熔融，與金屬墊45a融合。
作為步驟S10，控制裝置80使頭部15下降。此外，如圖7所示， 頭部15之下降亦可於時刻t5之前開始。或可與冷卻之開始同時地，或自之後之時間點開始頭部15之下降。
對使頭部15下降之原因進行說明。
頭部15及載台10隨著冷卻而開始收縮。即，頭部15及載台10之高度尺寸變短。於是，對固定於頭部15之金屬墊45a、與固定於載台10之焊料凸塊25a之間施加張力。該張力有可能成為焊料凸塊25a之裂紋之原因。因此，為了不施加張力而需要使頭部15下降。
另外，頭部15之下降必須配合上述頭部15及載台10之收縮之長度而進行。若相較於頭部15及載台10收縮之長度極大地下降，則會對金屬墊45a與焊料凸塊25a之間施加較強之壓縮力。若施加壓縮力，則會成為裂紋或斷裂引起之開路不良之原因。
因步驟S10之頭部15之下降，使半導體元件45之金屬墊45a與基板25之焊料凸塊25a之距離保持為大致相同之距離。即，可抑制張力、壓縮力波及到焊料凸塊25a。
作為步驟S11，控制裝置80一面將頭部15壓入，一面利用負載感測器75檢測頭部15之負載。控制裝置80檢測負載值之變化，使半導體元件45與頭部15切離(時刻t6)。具體而言，控制裝置80解除頭部15之接合工具40對半導體元件45之吸附狀態。然後，控制裝置80使頭部15上升。於載台10上，如圖3(c)所示，成為半導體元件45之金屬墊45a以具有特定距離d之狀態連接於焊料25b而成之基板25殘存之狀態，可將半導體裝置自載台10卸除。
若頭部15之冷卻推進，則焊料凸塊25a凝固。若焊料凸塊25a開始凝固，則狀態從液狀變化為固體，因而焊料凸塊25a之體積或形狀發生變化。於是，施加到頭部15之負載值發生變化。因此，控制裝置80可檢測頭部15之負載值之變化，配合焊料凸塊25a之凝固而進行切離。此外，焊料凸塊25a之凝固溫度例如為200度左右，於焊料凸塊 25a之實際溫度成大致為凝固溫度以下時，焊料凸塊25a開始凝固。
根據上述實施形態，於金屬墊45a與焊料凸塊25a接合且升溫之前，控制裝置80對驅動部65進行驅動，實施減壓動作(S6)。藉由減壓動作，使頭部15及載台10之高度尺寸接近壓縮前之高度尺寸。藉由使頭部15及載台10之高度尺寸預先接近壓縮前之高度尺寸，可於焊料凸塊25a熔融時抑制頭部15及載台10之高度尺寸之擴展。藉由抑制高度尺寸之擴展而可抑制相鄰之焊料凸塊25a之短路、或固定於頭部15之接合工具40對載台10之碰撞。
進而，根據本實施形態，於加熱頭部15時，配合頭部15之高度尺寸之增加，控制裝置80對驅動部65進行驅動，使頭部15上升。藉由於加熱時使頭部15上升而可抑制相鄰之焊料凸塊25a之短路、或接合工具40對載台10之碰撞。
進而，根據本實施形態，於對頭部15進行冷卻時，配合頭部15之高度尺寸之縮短，控制裝置80對驅動部65進行驅動，使頭部15下降。藉由於冷卻時使頭部15下降，可使焊料凸塊25a與金屬墊45a之間之張力降低，減少焊料凸塊25a與金屬墊45a之間之斷裂。
進而，根據本實施形態，於將半導體元件45從接合工具40切離時，控制裝置80檢測頭部15之負載值之變化而進行切離。藉由檢測負載值之變化，有可能於焊料凸塊25a完全凝固之前使半導體元件45切離。藉由於完全凝固之前進行切離而可降低焊料凸塊25a與金屬墊45a之間之張力或壓縮力。另外，藉由提前進行切離，可提高半導體裝置之製造之產出率，從而可製造廉價之半導體裝置。進而，藉由使與半導體裝置相比具有較大之熱容量之頭部與半導體裝置切離，可使半導體裝置快速地冷卻。藉由快速地冷卻而可抑制焊料凸塊25a中所含之焊料材料向半導體裝置之內部固相擴散。藉由抑制焊料材料之固相擴散而可提高半導體裝置之可靠性。此外，當然無需於所有焊料凸塊 25a完全凝固之前進行切離。亦可使一部分焊料凸塊25a凝固。該情況亦可提高上述產出率。
(其他實施形態)
除上述實施形態中說明之情況以外，還可應用於如下之變化形態。
於上述實施形態中，使用焊料凸塊25a進行了說明，但並不限於此。例如，亦可形成金屬凸塊或金屬球。
於將金屬凸塊設置於半導體元件45側之情形時亦可實施。即，可應用在於基板25與半導體元件45之至少任一者設置有金屬凸塊之構成。
半導體元件45並不限於圖3(a)所示之情況。例如亦可為如圖9所示積層之半導體元件45'。圖9之半導體元件45'係於基板135上積層有半導體晶片145及半導體晶片155而成。半導體元件45'之金屬墊45a'較半導體晶片155更遠離基板25。為避免半導體晶片155與基板25之碰撞，於金屬墊45a'與焊料凸塊25a黏附時要求更高之位置控制。
亦可不實施使空氣流過冷卻孔之冷卻。另外，冷卻方法亦可為除空氣冷卻以外之任意之冷卻手段。
另外，於上述實施形態中，將頭部15配置於驅動部65，但亦可將驅動部65配置於載台10。驅動部65只要可使頭部15與載台10接近或遠離即可。即，驅動部65既可使頭部15向載台10之方向移動，亦可使載台10向頭部15之方向移動，還可為該兩種情況。
同樣地，位置感測器70、負載感測器75並非必須配置於頭部15。即，於驅動部65使載台10移動之情形時，可將位置感測器70、負載感測器75配置於載台10。
已對本發明之實施形態進行了說明，但本實施形態係作為示例而提出，並非旨在限定發明之範圍。該新穎之實施形態可以其亦各種 形態實施，且可於不脫離發明之主旨之範圍內進行各種省略、置換、及變更。本實施形態或其變化包含於發明之範圍或主旨內，並且包含於請求項所記載之發明及其均等之範圍內。

Claims (13)

  1. 一種半導體裝置之製造裝置，其包括：載台；頭部，其與上述載台對向配置，可保持半導體元件；驅動部，其可使上述頭部沿與上述頭部及上述載台交叉之第一方向移動，並且對上述頭部施加負載；負載感測器，其檢測上述頭部之負載值；及控制部，其具備第一動作與第二動作，上述第一動作係藉由驅動上述驅動部而使上述頭部接近上述載台，上述第二動作係檢測上述負載值之變化而使上述半導體元件與上述頭部切離；其中上述載台可保持基板，於上述基板或上述半導體元件之一者設置有金屬凸塊，於另一者設置有金屬電極，於上述第二動作之時間點上述金屬凸塊並未完全凝固。
  2. 一種半導體裝置之製造裝置，其包括：載台；頭部，其與上述載台對向配置，可保持半導體元件；驅動部，其可使上述載台沿與上述頭部及上述載台交叉之第一方向移動，並且對上述載台施加負載；負載感測器，其檢測上述頭部之負載值；及控制部，其具備第一動作與第二動作，上述第一動作係藉由驅動上述驅動部而使上述頭部接近上述載台，上述第二動作係檢測上述負載值之變化而使上述半導體元件與上述頭部切離；其中 上述載台可保持基板，於上述基板或上述半導體元件之一者設置有金屬凸塊，於另一者設置有金屬電極，於上述第二動作之時間點上述金屬凸塊並未完全凝固。
  3. 如請求項1或2之半導體裝置之製造裝置，其中於上述第二動作中，使上述半導體元件與上述頭部切離，並且使上述頭部遠離上述載台。
  4. 如請求項1或2之半導體裝置之製造裝置，其進而具備冷卻機構，上述冷卻機構可對上述頭部進行冷卻，上述控制部於上述第一動作及上述第二動作中，藉由上述冷卻機構冷卻上述頭部。
  5. 如請求項4之半導體裝置之製造裝置，其中上述控制部於使上述第一動作及上述第二動作開始之前藉由上述冷卻機構冷卻上述頭部。
  6. 如請求項1或2之半導體裝置之製造裝置，其進而包括：位置感測器，其檢測上述頭部之上述第一方向之位置；及加熱機構，其可對上述頭部進行加熱；且上述載台可保持基板，上述控制部具有：第三動作，其藉由驅動上述驅動部而使上述頭部接近上述載台；第四動作，其藉由驅動上述驅動部而將上述頭部加壓直至上述負載值成為第一值；第五動作，其藉由驅動上述控制部而使上述頭部減壓直至上述負載值成為小於上述第一值之第二值；第六動作，其藉由上述加熱機構使上述頭部之溫度上升；及第七動作，其使上述頭部遠離上述載台。
  7. 如請求項6之半導體裝置之製造裝置，其中上述控制部於上述第六動作之後進行上述第七動作。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用半導體裝置之製造裝置之製造方法，上述半導體裝置之製造裝置具有：載台；頭部，其與上述載台對向配置，可保持半導體元件；驅動部，其可使上述頭部與上述載台沿與上述頭部及上述載台交叉之第一方向接近，並且對上述頭部或上述載台之至少任一者施加負載；及負載感測器，其檢測上述頭部之負載值；且上述半導體裝置之製造方法具有：第一步驟，其藉由驅動上述驅動部而使上述頭部接近上述載台；及第二步驟，其檢測上述負載值之變化而使上述半導體元件與上述頭部切離；其中上述載台可保持基板，於上述基板或上述半導體元件之一者設置有金屬凸塊，於另一者設置有金屬電極，於上述第二步驟之時間點上述金屬凸塊並未完全凝固。
  9. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中於上述第二步驟中，使上述半導體元件與上述頭部切離，並且使上述頭部遠離上述載台。
  10. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中上述製造裝置進而具備冷卻機構，上述冷卻機構可對上述頭部進行冷卻，於上述第一步驟及上述第二步驟中，藉由上述冷卻機構冷卻上述頭部。
  11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中於使上述第一步驟及上述第二步驟開始之前藉由上述冷卻機構冷卻上述頭部。
  12. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中上述半導體裝置之製造裝置進而包括：位置感測器，其檢測上述頭部之上述第一方向之位置；及加熱機構，其可對上述頭部進行加熱；且上述載台可保持基板，上述半導體裝置之製造方法具有：第三步驟，其藉由驅動上述驅動部而使上述頭部接近上述載台；第四步驟，其藉由驅動上述驅動部而將上述頭部加壓直至上述負載值成為第一值；第五步驟，其藉由驅動上述驅動部而使上述頭部減壓直至上述負載值成為小於上述第一值之第二值；第六步驟，其藉由上述加熱機構使上述頭部之溫度上升；及第七步驟，其使上述頭部遠離上述載台。
  13. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中於上述第六步驟之後進行上述第七步驟。
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