JP2003179100A - 電子部品の製造装置および電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造装置および電子部品の製造方法Info
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Abstract
減し、生産性の向上を図る。 【解決手段】 制御部13による押圧荷重の制御中に、
ヒータテーブル6によって半田バンプ4が加熱されてい
る状態で、距離検出部材11が、ヒータテーブル6に対
して搭載ノズル5が最も離間された最大上昇位置を検出
し、この最大上昇位置からバンプ押しつぶし距離だけヒ
ータテーブル6に対して搭載ノズル5が近接されたとき
に、制御部13が、搭載ノズル5の移動を停止させる。
Description
板にバンプを介して実装してなる電子部品の製造装置お
よび電子部品の製造方法に関し、特にフリップチップ等
の電子素子をプリント回路基板等の実装基板上にバンプ
を介して実装してなる電子部品の製造装置および電子部
品の製造方法に関する。
品を実装基板に実装する際、電子部品と実装基板との熱
膨張係数の差によって、接合バンプ部に歪みが生じて断
線などが発生し、接合信頼性に悪影響を与えている。こ
の問題の対策として、バンプのつぶれ量を抑えてバンプ
の高さを高くすることで、バンプと実装基板の接合面へ
の応力を緩和して、接合信頼性を高める手法がとられて
きた。
抑制するための接続方法が種々開示されているが、例え
ば従来の半田バンプの接続方法では、回路部品と回路基
板との間に弾性隆起体を介在させて、この弾性隆起体の
復元力で回路部品を押し上げることによって、半田バン
プのつぶれ量を抑制している(例えば、特許文献1参
照。)。
して簡単に説明する。図3(a)に示すように、ポリイ
ミド等からなる絶縁ベース材111の一方の面には、所
望の回路回線パターン112が設けられており、この回
路配線パターン112の表面に、接着剤114によって
ポリイミドフィルム等の表面保護フィルム115が貼着
され、これらによって表面保護層が形成される。なお、
この表面保護層は、ワニス状ポリイミドや絶縁性カバー
コートインク等を印刷塗布することによって形成するこ
とも可能である。また、絶縁ベース材111には、接続
用半田バンプ113が設けられた主面上に、例えばテフ
ロン(登録商標)ゴムやシリコーンゴム等の弾性材から
なる弾性隆起体117が設けられている。この弾性隆起
体117は、絶縁ベース材111の主面からの高さが、
接続用半田バンプ113のその高さよりも高くされて形
成されている。
体117が設けられた回路配線基板上の接続用半田バン
プ113と、IC(Integrated Circuit)チップ118
の端子119とを対向させるように位置決めする。次
に、接続用半田バンプ113を加熱溶融させながら押圧
力を加えてICチップ118を押し下げ、ICチップ1
18の端子119を、溶融したその半田に浸すととも
に、弾性隆起体117を圧縮させて弾性変形させる。そ
して、押圧力を解除したとき、弾性隆起体117の復元
力によってICチップ118が押し上げられる。このた
め、溶融した接続用半田バンプ113は、ICチップ1
18の端子119と回路配線基板とに跨って引き伸ばさ
れることで鼓状に形成される。
に、回路配線基板の配線パターン112は、鼓状の半田
バンプ120を介してICチップ118の端子119と
電気的に接続される。
欄11行―25行、図3)
た従来の接続方法には、以下のような問題点がある。
体の弾性変形量が一定にならないため、半田バンプの押
しつぶされる量を規定することが困難であり、特に、狭
ピットバンプの場合に、隣接するバンプが接触してしま
うことがある。また、回路配線基板上に形成された半田
バンプは、形状にばらつきがあり、安定していないた
め、歪み応力を緩和しきれないことがある。したがっ
て、従来の接続方法で接続された電子部品は、隣接する
バンプとのショートや、剪断歪みの応力集中によって断
線が生じるという問題がある。
の、全てのICチップの搭載箇所に弾性隆起体をあらか
じめ設置する必要があり、それに要する製造コストが嵩
み、電子部品の製造コストが嵩んでしまうという問題が
ある。
復元力によって半田バンプのつぶれを押し戻させるた
め、押し戻り量が一定にならず、半田バンプの高さを一
定にすることが困難である。したがって、製造される電
子部品の品質のばらつきが大きくなり、品質が安定しな
いという問題もある。
上させるとともに、製造コストを削減し、生産性の向上
を図ることができる電子部品の製造装置および電子部品
の製造方法を提供することを目的とする。
ため、本発明に係る電子部品の製造装置は、電子素子を
実装基板にバンプを介して実装してなる電子部品の製造
装置であって、電子素子の接合面を実装基板の実装面に
対向させて電子素子を保持する素子保持部と、実装基板
の実装面を電子素子の接合面に対向させて実装基板を保
持する基板保持部と、電子素子を実装基板に対して近接
離間させる方向に素子保持部および基板保持部の少なく
とも一方を移動する移動手段と、素子保持部と基板保持
部との相対距離を検出する距離検出手段と、実装基板に
対して押圧される電子素子の押圧荷重があらかじめ設定
された設定荷重になるように制御するとともに距離検出
手段からの信号に基づいて移動手段を制御する制御手段
とを備える。そして、本発明に係る電子部品の製造装置
は、制御手段による押圧荷重の制御中に、距離検出手段
が、素子保持部と基板保持部とが離間された離間距離を
検出し、この離間距離から、あらかじめ設定されたバン
プ押しつぶし距離だけ素子保持部と基板保持部とが近接
されたときに、制御手段が、素子保持部および基板保持
部の少なくとも一方の移動を停止させる。
部品の製造方法によれば、電子素子を実装基板にバンプ
を介して加熱接合する際におけるバンプの押しつぶし量
が確実に制御される。
備える制御手段は、バンプが押しつぶされた状態から、
素子保持部と基板保持部とを離間させる方向に、バンプ
引き伸ばし距離だけ、素子保持部および基板保持部の少
なくとも一方を移動させるように移動手段を制御するこ
とが好ましい。これによって、実装基板と電子素子とが
確実に所定量だけ離間されるため、バンプが、実装基板
の実装面に直交する方向に引き伸ばされて、一定の高さ
を有する鼓状に確実に形成される。
は、実装基板に対する電子素子の押圧荷重を検出する荷
重測定部材を備え、制御手段は、荷重測定部材が検出し
た押圧荷重が、設定荷重よりも小さい場合に素子保持部
と基板保持部とを近接させる方向に、設定荷重よりも大
きい場合に素子保持部と基板保持部とを離間させる方向
に、素子保持部および基板保持部の少なくとも一方を移
動させるように移動手段を制御することが好ましい。こ
れによって、バンプの高さが確実に制御される。
は、電子素子を実装基板にバンプを介して実装してなる
電子部品の製造方法であって、電子素子の接合面を実装
基板の実装面に対向させて前記電子素子を保持する素子
保持工程と、実装基板の実装面を電子素子の接合面に対
向させて実装基板を保持する基板保持工程と、電子素子
と実装基板がバンプを介して接触させる位置に電子素子
および実装基板の少なくとも一方を移動する移動工程
と、実装基板に対して押圧される電子素子の押圧荷重
が、あらかじめ設定された設定荷重になるように制御す
る荷重制御工程と、電子素子と実装基板との相対距離を
検出する距離検出工程とを有する。そして、本発明に係
る電子部品の製造方法は、押圧荷重の制御を行いなが
ら、電子素子と実装基板とが離間された離間距離を検出
し、この離間距離から、あらかじめ設定されたバンプ押
しつぶし距離だけ電子素子と実装基板とが近接されたと
きに、電子素子および実装基板の少なくとも一方の移動
を停止させる。
ゆるバンプ接点をなす例えば半田や導電性樹脂等の接合
材を指している。
距離とは、バンプを、実装基板の実装面に直交する高さ
方向に引き伸ばすために、素子保持部または基板保持部
を移動させる移動距離を指しており、制御手段にあらか
じめ設定されている。
について図面を参照して説明する。本実施形態では、特
にバンプとして半田バンプを用いてフリップチップ等の
電子素子を実装基板上に実装してなる電子部品の製造装
置および電子部品の製造方法について説明する。
を示す模式図、図2は、本発明に係る電子部品の製造方
法を説明するためのフローチャートである。
は、例えばICチップ等の電子素子2を実装基板3上に
搭載するための搭載するための搭載ノズル5と、実装基
板3が載置されて保持されるヒータテーブル6と、ヒー
タテーブル6に対して搭載ノズル5を近接離間させる図
1中矢印a1およびa2方向に移動するためのアクチュエ
ータ7と、電子素子2に対して実装基板3を実装面3a
に平行な方向の位置を位置決めするための位置決めステ
ージ8とを備えている。
ーブル6に対する搭載ノズル5の距離を検出するための
距離検出部材11と、実装基板3に対して加圧された電
子素子2の加圧荷重を検出するための荷重測定部材12
と、荷重測定部材12および距離検出部材11からの信
号に基づいてアクチュエータ7および位置決めステージ
8を駆動制御する制御部13とを備えている。
示)に半田バンプ4が設けられた電子素子2を吸着保持
する。この搭載ノズル5は、電子素子2を吸着保持して
実装基板3上に搭載した後、ヒータテーブル6上の実装
基板3に対して電子素子2を加圧して電子素子2を加熱
する。
示)を有しており、位置決めステージ8上に固定されて
いる。ヒータテーブル6は、搭載ノズル5に対向する載
置面6a上に載置された実装基板3を保持し、この実装
基板3を電気加熱素子によって加熱する。
タ等が用いられている。アクチュエータ7は、位置決め
ステージ8によって電子素子2に対して実装基板3が位
置決めされた後、搭載ノズル5を実装基板3の実装面3
aに直交する矢印a1方向に下降させ、電子素子2の半
田バンプ4を実装基板3上の電極に接触させる。
面3aに平行な互いに直交する二軸方向に移動可能に設
けられている。位置決めステージ8は、ヒータテーブル
6上に保持された実装基板3を、搭載ノズル5に保持さ
れた電子素子2に対向する直下に移動させて、電子素子
2の端子に設けられた半田バンプ4と、実装基板3の電
極(不図示)とを対向させるように位置決めする。
ーダ等によって構成されており、アクチュエータ7の位
置を検出することによって、ヒータテーブル6に対する
搭載ノズル5の距離(相対位置)を検出する。なお、本
実施形態では、アクチュータ7によって、ヒータテーブ
ル6に対して搭載ノズル5が移動(下降)されるように
構成されるが、搭載ノズル5に対してヒータテーブル6
が移動(上昇)されるように構成されてもよい。このよ
うに構成された場合、距離検出部材11は、搭載ノズル
5に対するヒータテーブル6の距離を検出する。また、
搭載ノズル5およびヒータテーブル6がそれぞれ移動さ
れるように構成されてもよいことは勿論である。
器やオブザーバ等の測定機器によって構成されており、
実装基板3に対して押圧された電子素子2の押圧荷重を
検出する。また、荷重測定部材12としては、例えば光
学式の検出素子や、機械式の検出機構が用いられてもよ
いことは勿論である。
モリ等からなるデジタル信号処理回路を有しており、プ
ログラム制御によって、距離検出部材11からの距離信
号に基づいてアクチュエータ7を駆動制御するととも
に、ヒータテーブル6および位置決めステージ8をそれ
ぞれ制御する。また、制御部13には、実装基板3に対
して電子素子2の半田バンプ4を押圧する押圧荷重や、
半田バンプ4を所定量だけ押しつぶすために実装基板3
に対して電子素子2を近接させる方向に移動させるバン
プ押しつぶし距離、および半田バンプ4を実装基板3の
実装面3aに直交する高さ(以下、単に半田バンプ4の
高さと称する。)方向に半田バンプ4を引き伸ばすため
に実装基板3に対して電子素子2を離間させる方向に移
動させるバンプ引き伸ばし距離等の各種制御条件等が設
定されている。
素子2の半田バンプ4と実装基板3の電極とが接触した
後の押圧荷重を検出した際、荷重測定部材12から荷重
信号を受け、押圧荷重があらかじめ設定された設定荷重
になるようアクチュエータ7をフィードバック制御す
る。あらかじめ設定された設定荷重としては、一定荷重
の他、時間とともに変化するプロファイル荷重も含まれ
る。また、制御部13は、電子素子2の半田バンプ4と
実装基板3の電極とが接触した後の押圧荷重があらかじ
め設定された設定荷重になるよう制御している状態にお
いて、ヒータテーブル6と搭載ノズル5との距離(相対
位置)を距離検出部材11によって常時検出する。
について、実装基板3上に電子素子2を実装するための
各工程を、図面を参照して説明する。
ら開始して、搭載ノズル5によって電子素子2を吸着保
持する(ステップ52)。一方、実装基板3をヒータテ
ーブル6によって保持する(ステップ53)。次に、位
置決めステージ8を二軸方向に移動させて、実装基板3
上の電極の位置を電子素子2の半田バンプ4に対向させ
るように位置決めする(ステップ54)。なお、本実施
形態では、半田バンプ4が電子素子2の端子にあらかじ
め付着されているが、半田バンプ4が実装基板3上の電
極にあらかじめ付着させておいてもよい。
された後、搭載ノズル5を矢印a1方向に下降させて、
電子素子2の半田バンプ4を実装基板3の電極に接触さ
せる(ステップ55)。あるいは、位置決め後に、ヒー
タテーブル6を矢印a2方向に上昇させて、電子素子2
の半田バンプ4を実装基板の2に接触させるように構成
されてもよい。この構成の場合には、距離検出部材11
が、搭載ノズル5に対するヒータテーブル6の距離を検
出するように構成される。
て、アクチュエータ7によってヒータテーブル6に対す
る搭載ノズル5の位置を制御している状態で、電子素子
2と実装基板3をそれぞれ加熱する(ステップ56)。
しかし、このときヒータテーブル6および搭載ノズル5
の熱膨張に伴って、電子素子2と実装基板3との間隔が
狭められるため、実装基板3に押圧される電子素子2の
押圧荷重が増大し、その結果、電子素子2と実装基板3
が衝突してしまうことも起こりうる。
制御部13が、加熱中の電子素子2が実装基板3に押圧
される押圧荷重を計測し、この押圧荷重があらかじめ設
定された設定荷重よりも小さい場合には、搭載ノズル5
を実装基板3に近接させる矢印a1方向に移動させ、あ
らかじめ設定された設定荷重よりも大きい場合には、搭
載ノズル5を実装基板3から離間させる矢印a2方向に
移動させることによって、押圧荷重があらかじめ設定さ
れた一定の設定荷重になるように制御する(ステップ5
7)。なお、例えばシリンダやVCM(Voice Coil Mot
or)等の加圧機構で電子素子2を実装基板3に押圧する
ことで、押圧荷重があらかじめ設定された設定荷重にな
るように制御するように構成されてもよい。この構成の
場合には、ヒータテーブル6および搭載ノズル5が熱膨
張したときに、搭載ノズル5が上昇され、押圧荷重が設
定された設定荷重に保たれる。
があらかじめ設定された設定荷重になるように制御する
だけでは、制御部13は、半田バンプ4の溶融時に押圧
荷重が激減したときにおいても、押圧荷重をあらかじめ
設定された設定荷重にさせるために搭載ノズル5を実装
基板3に近接させる方向に移動させるが、押圧荷重が設
定値まで上昇しないため、最終的に、電子素子2が実装
基板3に衝突してしまう。
て、制御部13は、あらかじめ設定された設定荷重にな
るように制御されている搭載ノズル5の位置を距離検出
部材11によって検出し、搭載ノズル5がヒータテーブ
ル6から最も離間された最大上昇位置を記憶する(ステ
ップ59)。そして、制御部13は、最大上昇位置また
はその位置近傍から、あらかじめ設定されたバンプ押し
つぶし距離以上に搭載ノズル5が実装基板3に近接する
方向に移動されたときに、搭載ノズル5の移動を停止さ
せるように制御する(ステップ60)。
び実装基板3の加熱中、ヒータテーブル6および搭載ノ
ズル5の熱膨張に応じて、押圧荷重があらかじめ設定さ
れた設定荷重になるよう制御を行いながら、搭載ノズル
5が徐々に上昇され(ステップ58)、搭載ノズル5が
最も上昇された最大上昇位置あるいはその位置近傍を常
時更新する(ステップ59)。
ンプ4は溶融し、押圧荷重が激減する。このとき、制御
部13は、押圧荷重を設定値に戻すために搭載ノズル5
を実装基板3に近接させる矢印a1方向に移動させる
が、制御部13に記憶されている搭載ノズル5の最大上
昇位置またはその位置近傍から、あらかじめ設定されて
いるバンプ押しつぶし距離までしか搭載ノズル5を実装
基板3側に移動できない。そして、搭載ノズル5が、最
大上昇位置またはその位置近傍からバンプ押しつぶし距
離だけ矢印a1方向に移動された位置に到達したとき
に、制御部13は搭載ノズル5の移動を停止させるよう
アクチュエータ7を制御する(ステップ60)。また、
押圧荷重の制御中に、すでに半田バンプ4がつぶされて
いることもあり、すでにつぶれた距離だけバンプ押しつ
ぶし距離を補正するように構成されてもよい。
あらかじめ設定されたバンプ引き伸ばし距離だけ矢印a
2方向に移動させることによって、半田バンプ4を高さ
方向に所定量だけ引き伸ばし、引き伸ばされた半田バン
プ4を放熱させて、ステップ62で終了する。
量だけ引き伸ばされることで、半田バンプ4は、高さ方
向の略中央部がくびれた鼓状に形成されて、低歪構造と
される。したがって、ステップ61の動作により、半田
バンプ4が溶融した後に、半田バンプ4が押しつぶされ
て、高さ方向の略中央が膨張した太鼓状に形成されるこ
とが確実に防止される。したがって、常に一定の高さの
鼓状に形成された半田バンプ4を介して、電子素子2の
端子と実装基板3の電極とが接合される。
製造装置1および電子部品の製造方法によれば、電子素
子2を実装基板3に半田バンプ4を介して加熱接合する
際における半田バンプ4の押しつぶし量を確実に制御す
ることができる。したがって、電子部品の製造装置1お
よび電子部品の製造方法によれば、製造された電子部品
に、電子部品における隣接する半田バンプ4でのショー
トや、応力集中による断線が生じることが確実に防止さ
れ、電子部品における半田バンプ4の高さのばらつきが
低減されるため、電子部品の品質を安定させることがで
きる。
し量および半田バンプ4の高さがそれぞれ良好に制御さ
れることが好ましいが、必要に応じて、半田バンプ4の
押しつぶし量と、半田バンプ4の高さとのいずれか一方
が優先的に制御されるように構成されてもよい。
えばプリント回路基板や、セラミック基板、ガラス基板
等に適用されて好適である。
子を実装基板にバンプを介して加熱接合する際における
バンプの押しつぶし量が確実に制御されるため、バンプ
を押しつぶし過ぎることを確実に防止することができ
る。したがって、本発明によれば、製造された電子部品
に、隣接するバンプとのショートや、応力集中による断
線が生じることを確実に防止することができる。
子とが確実に所定の距離だけ離間されるため、一定の高
さを有する鼓状のバンプを確実に形成することができ
る。
制御手段によって距離検出手段からの信号に基づいて移
動手段が制御されることで、バンプの高さが確実に制御
されるので、従来のように全てのICチップ搭載箇所に
弾性隆起体を設置するためのコストが不要になり、生産
性が向上される。したがって、本発明によれば、電子部
品の製造コストを大幅に削減することができる。
した後の引き伸ばし量が規定値に保たれるため、バンプ
の高さを一定にすることができる。したがって、本発明
によれば、製造された電子部品におけるバンプの高さの
ばらつきを少なくすることが可能になり、電子部品の品
質を安定させることができる。
である。
めのフローチャートである。
部を示し、(a)は加圧前の状態、(b)は加圧状態、
(c)は接続完了後を示す断面図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 電子素子を実装基板にバンプを介して実
装してなる電子部品の製造装置であって、 前記電子素子の接合面を前記実装基板の実装面に対向さ
せて前記電子素子を保持する素子保持部と、 前記実装基板の実装面を前記電子素子の接合面に対向さ
せて前記実装基板を保持する基板保持部と、 前記電子素子を前記実装基板に対して近接離間させる方
向に、前記素子保持部および前記基板保持部の少なくと
も一方を移動する移動手段と、 前記素子保持部と前記基板保持部との相対距離を検出す
る距離検出手段と、 前記実装基板に対して押圧される前記電子素子の押圧荷
重が、あらかじめ設定された設定荷重になるように制御
するとともに、前記距離検出手段からの信号に基づいて
前記移動手段を制御する制御手段とを備え、 前記制御手段による押圧荷重の制御中に、前記距離検出
手段が、前記素子保持部と前記基板保持部とが離間され
た離間距離を検出し、前記離間距離から、あらかじめ設
定されたバンプ押しつぶし距離だけ前記素子保持部と前
記基板保持部とが近接されたときに、前記制御手段が、
前記素子保持部および前記基板保持部の少なくとも一方
の移動を停止させることを特徴とする電子部品の製造装
置。 - 【請求項2】 前記離間距離は、前記素子保持部と前記
基板保持部とが最も離間された最大離間距離である請求
項1に記載の電子部品の製造装置。 - 【請求項3】 前記押圧荷重および前記バンプ押しつぶ
し距離の少なくともいずれか一方が、あらかじめ設定さ
れた値になったときに、前記移動手段による移動を停止
させる請求項1または2に記載の電子部品の製造装置。 - 【請求項4】 前記制御手段は、加熱された前記バンプ
の温度に応じて、前記押圧荷重および前記バンプ押しつ
ぶし距離の少なくともいずれか一方を制御する請求項1
ないし3のいずれか1項に記載の電子部品の製造装置。 - 【請求項5】 前記制御手段は、前記バンプが押しつぶ
された状態から、前記素子保持部と前記基板保持部とを
離間させる方向に、前記バンプ引き伸ばし距離だけ、前
記素子保持部および前記基板保持部の少なくとも一方を
移動させるように前記移動手段を制御する請求項1ない
し4のいずれか1項に記載の電子部品の製造装置。 - 【請求項6】 前記実装基板に対する前記電子素子の押
圧荷重を検出する荷重測定部材を備え、 前記制御手段は、前記荷重測定部材が検出した押圧荷重
が、前記設定荷重よりも小さい場合に前記素子保持部と
前記基板保持部とを近接させる方向に、前記設定荷重よ
りも大きい場合に前記素子保持部と前記基板保持部とを
離間させる方向に、前記素子保持部および前記基板保持
部の少なくとも一方を移動させるように前記移動手段を
制御する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電子
部品の製造装置。 - 【請求項7】 前記実装基板に対して前記電子素子を、
前記制御部からの制御信号に応じた加圧力で加圧する加
圧機構を備え、 前記制御手段は、前記設定荷重に相当する加圧力を発生
させるように前記加圧機構を制御する請求項1ないし6
のいずれか1項に記載の電子部品の製造装置。 - 【請求項8】 電子素子を実装基板にバンプを介して実
装してなる電子部品の製造方法であって、 前記電子素子の接合面を前記実装基板の実装面に対向さ
せて前記電子素子を保持する素子保持工程と、 前記実装基板の実装面を前記電子素子の接合面に対向さ
せて前記実装基板を保持する基板保持工程と、 前記電子素子と前記実装基板が前記バンプを介して接触
させる位置に、前記電子素子および前記実装基板の少な
くとも一方を移動する移動工程と、 前記実装基板に対して押圧される前記電子素子の押圧荷
重が、あらかじめ設定された設定荷重になるように制御
する荷重制御工程と、 前記電子素子と前記実装基板との相対距離を検出する距
離検出工程とを有し、 押圧荷重の制御を行いながら前記電子素子と前記実装基
板とが離間された離間距離を検出し、前記離間距離か
ら、あらかじめ設定されたバンプ押しつぶし距離だけ前
記電子素子と前記実装基板とが近接されたときに、前記
電子素子および前記実装基板の少なくとも一方の移動を
停止させる電子部品の製造方法。 - 【請求項9】 前記電子素子と前記実装基板とが最も離
間された最大離間距離から、あらかじめ設定されたバン
プ押しつぶし距離だけ前記電子素子と前記実装基板とを
近接させて停止する請求項8に記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項10】 加熱された前記バンプの温度に応じ
て、前記押圧荷重および前記バンプ押しつぶし距離の少
なくともいずれか一方を制御する請求項8または9に記
載の電子部品の製造方法。 - 【請求項11】 前記バンプを押しつぶした状態から、
前記電子素子と前記実装基板とを離間させる方向に、前
記バンプ引き伸ばし距離だけ前記電子素子および前記実
装基板の少なくとも一方を移動するように制御する請求
項8ないし10のいずれか1項に記載の電子部品の製造
方法。 - 【請求項12】 前記荷重制御工程は、前記実装基板に
対する前記電子素子の押圧荷重を検出し、検出された前
記押圧荷重が、前記設定荷重よりも小さい場合に前記電
子素子と前記実装基板とを近接させる方向に、前記設定
荷重よりも大きい場合に前記電子素子と前記実装基板と
を離間させる方向に、前記電子素子および前記実装基板
の少なくとも一方を移動させるように制御する請求項8
ないし11のいずれか1項に記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項13】 前記実装基板に対して前記電子素子
を、前記設定荷重に相当する加圧力で加圧する加圧工程
を有する請求項8ないし12のいずれか1項に記載の電
子部品の製造方法。 - 【請求項14】 前記バンプが溶融したときに、前記バ
ンプ押しつぶし距離だけ前記電子素子と前記実装基板と
を近接させて停止する請求項8ないし13のいずれか1
項に記載の電子部品の製造方法。
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