JP2005347704A - 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1を載置する基板ステージ31と、基板ステージ31に対向して配置され、半導体基板1の表面に0.1m秒〜100m秒のパルス幅で光を照射する光源40と、半導体基板1の外縁より内部に照射領域が設けられるように、外縁に沿った領域に照射される光を選択的に減光するマスク10とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態に係る熱処理装置は、図1に示すように、処理室30と、ガス供給系35と、光源40と、制御システム20とを備えている。処理室30には、ガス供給系35に接続された導入配管36、及び排気配管37が設けられている。処理室30の上部には、透明窓38が光源40に対向して配置されている。処理室30内の底部には、半導体基板1を載置する基板ステージ31が配置されている。処理室30内に、透明窓38及び半導体基板1の間に設置されるマスク10を載置するマスクステージ33が配置されている。基板ステージ31及びマスクステージ33のそれぞれは、基板ステージ移動機構32及びマスクステージ移動機構34に接続されている。また、光源40には電源39が接続されている。更に、基板ステージ31、基板ステージ移動機構32、マスクステージ移動機構34、ガス供給系35、及び電源39のそれぞれは、制御システム20に接続されている。
本発明の第2の実施の形態に係る熱処理装置では、図13に示すように、マスク110が半導体基板1表面上の外縁領域に設けられている。図1に示したマスク10の代わりに、光源40からのフラッシュランプ光は、マスク110が形成された半導体基板1の全面に照射される。マスク110が形成される外縁領域の幅Woは、図14に示すように、ノッチ2の切り込み幅Wnよりも広く設けられている。マスク110としては、Al、銀(Ag)、ロジウム(Rh)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、及びアンチモン(Sb)等の反射率の高い金属膜や、減光材質等の光透過率が80%以下の材料が使用できる。マスク110により、半導体基板1の外縁領域では、フラッシュランプ光が選択的に遮断、あるいは20%以上減光される。したがって、半導体基板1に発生するダメージを抑制することができ、半導体基板1の割れ耐性を向上させることが可能となる。第2の実施の形態では、半導体基板1の表面上に形成されたマスク110により、光源40からのフラッシュランプ光を選択的に減光あるいは遮断している点が第1の実施の形態と異なる。他の構成は、第1の実施の形態と同様であるので、重複した説明は省略する。
本発明の第3の実施の形態に係る熱処理装置では、図17に示すように、マスク10aがマスクステージ33に載置されている。マスク10aには、図18に示すように、開口幅WAの矩形状の開口部12aが設けられている。マスク10aとしては、Al等の金属やSiC等のように、波長が1μm以下の範囲の光を遮断する材料が用いられる。マスク10aは、開口部12aに対応する照射領域が半導体基板1の外縁の内部に位置するように配置される。半導体基板1の外縁領域はフラッシュランプ光が照射されない。その結果、半導体基板1のダメージの発生を抑制することができ、半導体基板1の割れ耐性の向上が可能となる。第3の実施の形態に係る熱処理装置では、矩形状の開口部12aを有するマスク10aを用いる点が、第1の実施の形態と異なる。他の構成は、第1の実施の形態と同様であるので、重複した説明は省略する。
本発明の第3の実施の形態の変形例では、図17に示した熱処理装置により熱処理を行う際に、照射領域毎に熱処理条件が調整される。例えば、図21に示したチップ領域51a〜51dのそれぞれに対応して照射領域が限定されるマスク10aが用いられる。予め測定されたシート抵抗の面内分布の傾向に基づいて、熱処理条件が調整される。したがって、シート抵抗の面内分布を抑制することができ、均一性のよい電気的特性を有する半導体装置の製造が可能となる。第3の実施の形態の変形例は、照射領域毎に熱処理条件を調整する点が第3の実施の形態と異なる。他の構成は同様であるので、重複した説明は省略する。
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
10、10a〜10d、100、110 マスク
12、12a〜12c、112a〜112d 開口部
20 制御システム
30 処理室
31 基板ステージ
32 基板ステージ移動機構
33 マスクステージ
34 マスクステージ移動機構
38、38a 透明窓
39 電源
40、40a 光源
41 加熱源
113 絶縁膜
114 光吸収膜
Claims (7)
- 半導体基板を載置する基板ステージと、
前記基板ステージに対向して配置され、前記半導体基板の表面に0.1m秒〜100m秒のパルス幅で光を照射する光源と、
前記半導体基板の外縁より内部に照射領域が設けられるように、前記外縁に沿った領域に照射される前記光を選択的に減光するマスク
とを備えることを特徴とする熱処理装置。 - 前記マスクが、前記光のピーク波長を含む成分に対して0.2以上の減光率を有することを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 処理室の基板ステージに搭載された半導体基板を300℃以上、且つ600℃以下の温度に加熱し、
前記半導体基板の外縁に沿った領域に照射される光を選択的に減光することにより前記外縁より前記領域分内部に照射領域を設け、前記半導体基板の表面を0.1m秒〜100m秒のパルス幅の前記光で照射する
ことを含むことを特徴とする熱処理方法。 - 前記領域が、前記光のピーク波長を含む成分に対して0.2以上の比率で減光されることを特徴とする請求項3に記載の熱処理方法。
- 前記領域が、前記基板ステージ及び前記光を照射する光源の間に設けられたマスクにより減光されることを特徴とする請求項3又は4に記載の熱処理方法。
- 前記領域の表面に、前記光を減光するマスクが形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の熱処理方法。
- 半導体基板を第1の工程で処理し、
前記半導体基板を処理室の基板ステージに搭載して、前記半導体基板を300℃以上、且つ600℃以下の温度に加熱し、
前記半導体基板の外縁に沿った領域に照射される光を選択的に減光することにより前記外縁より前記領域分内部に照射領域を設け、前記半導体基板の表面を0.1m秒〜100m秒のパルス幅の前記光で照射し、
前記半導体基板を第2の工程で処理する
ことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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