JP2005332794A - 荷電粒子ビーム加速器、荷電粒子ビーム加速器を用いた粒子線照射医療システムおよび、粒子線照射医療システムの運転方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 共鳴の安定限界内のベータトロン振動振幅を増加させる手段は、周回ビームが共鳴の安定限界を越えない範囲の周波数帯で運転し、ビーム出射に必要なタイミングで共鳴の安定限界を変化させる手段を運転して、荷電粒子ビームを出射する。
【選択図】 図1
Description
上記のことは、例えば特許文献1には、高周波電磁界をビームに与えてベータトロン振動振幅を大きくし、出射する方法が記載されているが、RFKOの実用的な周波数制御に関しては記載されてない。
また特許文献2には、前記特許文献1に記載された出射方法を用いて任意のスポットを照射し、その後出射を止めてビームが次のスポットに来るようにビーム偏向装置を設定し、同出射方法で出射して照射することを繰り返すことが記載されている。
また非特許文献1には、前記特許文献1に記載された方式を基本として、出射ビームの時間構造が滑らかで、高速でビーム出射・停止を実現できる方法が記載されている。
さらに非特許文献2には、前記非特許文献1に書かれていることを、より詳細に記載している。
またさらに非特許文献3には、機器の制御方法が詳細に記載されている。
また、シンクロトロンは様々なエネルギーでのビーム出射や、ビーム強度が要求され、それら全てでビームパラメータが異なるため、それら全ての条件に対して上記制御の最適化を行わなければならず、装置建設・調整時のパラメータ最適化に長時間を要し、結果的に高コストな装置となる。
またさらに前記非特許文献1〜3では非常に高い安定度の電磁石電源を使用しているため問題となっていないが、低コスト化のために電源安定度を下げようとすると、電源変動は安定領域の境界を変動させることになるため、出射装置を全て停止しても電源変動により後からビームが出射されるため、大きな課題となるというような問題点を有していた。
共鳴の安定限界を変化させる手段とが設けられており、
ベータトロン振動振幅を増加させる手段は、共鳴の安定限界を周回ビームが越えない範囲の周波数帯で運転し、ビーム出射に必要なタイミングで共鳴の安定限界を変化させる手段を運転して荷電粒子ビームが出射されるものである。
以下、この発明の実施の形態1を図に基づいて説明する。
図1は荷電粒子ビーム加速器と、粒子線照射医療システムとを組み合わせた状態を示す粒子線照射システム図である。図において、荷電粒子ビーム加速器200は、入射セプタム3、主偏向電磁石4、主四極電磁石5、高周波加速装置6、六極電磁石7および高周波発生装置であるRFKO機器8、出射四極電磁石9、出射セプタム10によって構成されている。この荷電粒子ビーム加速器200は、その前段には低エネルギビームの入射系100が設けられている。この入射系はイオン源1、線形加速器2によって構成されている。また、荷電粒子ビーム加速器200の出射セプタム10から出射された出射ビームは、ビーム輸送系300を通り、医療室に設けられた照射系400の照射装置17によって照射対象体、例えば患者の腹部に照射される。前記ビーム輸送系300は、偏向電磁石20、ビームモニタ15、遮蔽電磁石18、ビームダンパ19、照射路偏向電磁石16が設けられている。なお前記照射路偏向電磁石16は、ビーム輸送系300ではなく照射系400に含まれる場合もある。
また前記照射系400には照射対象体の変位検出器31が設置されている。
粒子線であるイオンビームはイオン源1で発生し、線形加速器2で荷電粒子ビーム加速器であるシンクロトロンに必要な入射エネルギーまで加速される。入射セプタム2を通して入射されたイオンビームは、主偏向電磁石4により周回運動し、主四極電磁石5により収束力を受け、ビームサイズが広がることなく周回し続ける。この実施の形態1では、主偏向電磁石4と主四極電磁石5の各1台の組み合わせが4組配置された構成としている。通常、ビームを水平・垂直方向に収束させるために極性の異なる2種類の四極電磁石が使われるが、この実施の形態1では、主偏向電磁石4は半径方向に磁場強度が変化するか、エッジ角を有することにより垂直方向にも収束力を与える機能を有する偏向電磁石4としており、それにより主四極電磁石5は1種類としている。偏向電磁石4は、原理的に偏向と同時に水平方向には収束力を与える。
入射されたビームは、高周波加速装置6で加速されるが、周回軌道が変動しないように主偏向電磁石4及び主四極電磁石5もビームエネルギー(運動量)の増加に合わせて磁場が強められる。加速後は、主偏向電磁石4及び主四極電磁石5の磁場強度は一定とし、高周波加速装置6はOFFとするか、ONとした状態でも加減速しない位相で運転される。これにより、加速後のビームは一定のエネルギーで周回し続ける。
前記した特許文献、非特許文献では、セパラトリクスは一定にして、高周波電界によりベータトロン振動振幅を大きくして、セパラトリクスの外側に粒子を移動させる方法を用いている。この高周波電界を発生させる装置は、この実施の形態1による図1ではRFKO(高周波ノックアウト)機器8に相当する。
高周波電界は、ビームを広げるためだけに使われるため、出射のための高周波発生装置8は1台だけでよい。但し、ベータトロン振動数は粒子によって異なり、また、振幅によっても異なるため、単一周波数だけでは取り出せないビームが多くなるため、従来より適用されているFM変調した高周波が望ましい。変調幅は、この信号によりビームが出射されないで、且つセパラトリクス中心付近のビームも広がってゆく値に選ばれる。また、従来と同様に振幅変調することも効果的である。このRFKO機器8は、高周波磁場でも同様の効果が得られる。
出射ビームはビーム輸送系300を通して治療室に導かれ、照射装置17を通して患者30に照射される。照射装置17は、ビームを適切な位置に照射するためのスキャナー電磁石や、線量モニタ、ビーム位置モニタ、ビームエネルギーを変えるレンジシフタなどから構成される。
運転パターンの一例を図6に示す。所定のスポットに照射できる準備が完了後(a)、全体制御系から出射開始信号が出力され(b)、それを受けて出射四極電磁石9が磁場を発生させる(d)。その後、シンクロトロン200からビームが出射され(e)、スポットスキャニング照射装置17内の線量モニタで線量測定が開始され、所定の線量に達した時点で線量満了信号を発生する(c)。出射四極電磁石9は、線量満了信号(c)を受けて磁場発生を停止する。その後、RFKO機器8で高周波電界を発生させ(f)、周回ビームをセパラトリクス内の境界付近まで広げて高周波電界発生を停止させる。それと並行して、スポットスキャニング照射装置17では、次のスポット照射のための準備が進められ、それが完了後、前記と同様に前記照射装置17からの照射タイミングに合わせ同じ動作が繰り返される。
呼吸による腹部の動きと、臓器の位置関係は、予めMRIやCTで測定しておくことは言うまでもない。
これに対して、患部の動きに合わせた照射を行う場合は、図7(b)に示すように、加速後から減速までのフラットトップの時間が長くなる。患部は呼吸にほぼ同期した動きをするが、一呼吸の周期は一般に大体12秒程度で、その間で、患部が安定する時間は1秒から2秒程度である(図7では安定している時間を長く描いている)。一方、スポットスキャニング照射において、シンクロトロン200での加速粒子数は、一呼吸で照射できる粒子数よりも多くすることができ、2〜3呼吸以上に対応できる場合もある。従って、加速後、患部の変動に対して照射が可能となった時点でスポット照射を開始し、患部の変動が大きくなると停止して次の呼吸で患部が安定になるのを待って、スポット照射を再開する。そして、周回ビームが予め設定された強度以下になった時点で、減速して再入射・加速をし、同様の条件でスポット照射を再開する。
本方式は、医療分野だけでなく物理実験の分野でも有効である。物理実験では、加速粒子を標的にぶつけて、そこから発生する2次、3次粒子を検出するが、一度に多くの加速粒子をぶつけると、検出器が飽和するなどの問題から、ビームを少しずつ取り出す。従って、本方式で少しずつ取り出し、その取り出しのタイミングが分かれば、効率の良い測定が可能となる。
このように、この実施の形態1の荷電粒子ビーム加速器では、ビーム出射に必要な制御機器が少なく、且つ制御が容易であるという効果がある。
次に実施の形態2を説明する。前記実施の形態1では、図6(d)(f)に示したように出射四極電磁石9を運転している時は高周波発生装置(RFKO機器)8をOFFしているが、図8(e)に示すように、周波数をf1からf2まで変化させるFM変調信号を発生する高周波発生装置8を連続的に運転しても同様の効果が得られる。また、図9(f)(g)に示すように、この高周波発生装置8を従来例のように2台用いて、FM変調の位相をずらす方式を用いると、より効果的な取り出しができる。更に、図10(f)に示すように、f1からf2までの周波数が含まれる信号を発生させる高周波発生装置8を用いても同様の効果が得られる。ここで、周波数f1からf2は、ベータトロン振動振幅がゼロの周回荷電粒子から振幅の大きい周回荷電粒子まで振幅を増幅させるが、共鳴の安定領域境界を越えない周波数帯である。
前記実施の形態1の図6(f)では高周波発生装置8の運転タイミングを描いており、図8から図10では出力信号の周波数或いは周波数成分を描いている。
なお、これらの信号の振幅は、時間とともに徐々に大きくした方が、共鳴の安定限界付近のビーム密度を一定に近くできるので効果的である。この振幅変調は、FM変調周期内での変調と、加速した粒子全部を取り出すまでの時間内での変調の両方を含むが、後者だけの場合もある。
なお、前記図8から図10の(d)に示す出射四極磁場波形は、前記実施の形態1に示した図6(d)の波形とは異なるが、本実施の形態2では、出射四極電磁石9の電源は取り出しビーム強度が一定となるようにフィードバック制御する方式とした。取り出しビーム強度は、例えばシンクロトロンと照射装置の間に設置したビームモニターで測定するとか、照射装置内に設置したビームモニタで測定する。
この実施の形態2は、FM変調信号の位相と出射四極電磁石9の運転タイミングの関係により、取り出しビーム強度が変わる可能性があるが、タイミング制御する機器の数が減るため、システムの運転制御が容易になる効果がある。
なお、図8、図9、図10では、照射可信号とは無関係に高周波発生装置8を連続運転しているが、照射可信号が出ている間だけ高周波発生装置8を連続運転しても同様の効果が得られる。
次に実施の形態3を説明する。主偏向電磁石4や主四極電磁石5の電磁石電源やRFKO機器8電源のノイズ等により、前述した図6に示す出射開始信号(b)と線量満了信号(c)との間以外の時間帯にビームが出射されてもスポットスキャニング照射装置17に輸送されないようにするために、出射開始信号(b)と線量満了信号(c)の間だけ磁場を発生させる遮蔽電磁石18を図1に示したビーム輸送系300に設置する方式はより効果的である。この遮蔽電磁石18の運転パターンを図11(g)に示す。この場合、ビーム輸送系300の偏向電磁石20の偏向角を少なめにして、遮蔽電磁石18がOFFの状態ではビームは中心軌道を外れてビームダンパ19に衝突するようにし、遮蔽電磁石18ONで中心軌道を通ってスポットスキャニング照射装置17に導かれるようにする。偏向電磁石20の偏向角を少なめにする替わりに、偏向電磁石20の一つであるステアリング電磁石を遮蔽電磁石18直近に設置し、ステアリング電磁石は常時ONとして遮蔽電磁石18がOFFしていればビームはダンパに衝突するようにし、遮蔽電磁石18ONでスポットスキャニング照射装置17に導かれるようにする方法も考えられる。或いは逆に、遮蔽電磁石18ONでビームダンパ19に当たるような方式でも同様の効果が得られる。また、この場合は、出射開始信号(b)と線量満了信号(c)との間以外の時間帯に遮蔽電磁石18をONする必要がある。勿論、この遮蔽電磁石18は必須の機器ではない。このような実施の形態3では不必要な時間帯にビームを出射しない。
次に実施の形態4を説明する。前記実施の形態1の図6(d)に示した出射四極電磁石の磁場波形を三角波としているが、この波形に限定するものではない。更に、ビーム輸送系300に設置したビームモニタ15で出射ビーム強度を測定し、その測定値が予め設定した値となるように出射四極電磁石電源の出力をフィードバック制御する方式も有効である。この場合、セパラトリクスの大きさを大きく変え過ぎると、出射セプタム10入り口でのビームの傾きが大きく変わり、その結果、照射位置で所定の位置にビームが来なくなるため、出射四極電磁石電源出力の上限を設定する方式が、より有効である。このようなこの実施の形態4によると出射ビームの時間構造の均一性がよい。
次に実施の形態5を説明する。前記実施の形態では照射動作中の高周波加速装置6の運転、制御に関しては触れてないが、高周波発生装置(RFKO機器)8の運転に同期させて高周波加速装置6を運転する方法もある。この方法を採用する理由は、スパイク発生の少ない、時間的に一様なビーム取り出しを可能とすることにある。その場合の運転パターンを図12に示す。周回粒子のベータトロン振動数は全て同一ではなく、ある幅を持つことは先に述べた。高周波加速装置6でビーム進行方向に高周波電界を発生させると、周回粒子は加速されたり減速されたりして、エネルギー振動(シンクロトロン振動)を始める。この場合、中心位相はゼロとするので平均エネルギーは一定である。シンクロトロンは通常有限のクロマティシティξ(色収差)を持ち、エネルギー(運動量p)が異なる粒子のベータトロン振動数νは異なる。そして運動量幅Δpとベータトロン振動数幅Δνの間にはΔν/ν=ξΔp/pの関係がある。従って、一つの粒子がいろいろなベータトロン振動をするため、共鳴状態となる機会が増え、FM変調したRFKO機器8の高周波電界との組み合わせにより、より効果的なビーム拡散を実現できる。
なお、シンクロトロン振動におけるΔpの最大値は高周波加速装置6の電界強度によるため、電界強度は、これにより粒子がセパラトリクス外に出ない値に設定する。
図13(e)(f)に高周波加速装置6の電界強度の変化のさせ方についての実施例を示す。図13(e)(f)に示すように電界強度を徐々に強くした方が、効果的である。突然強くすることを繰り返すと、運動量幅が徐々に大きくなり、出射ビームの質が変わる可能性があるためである。また、図12、13に示す例では、RFKO機器8の運転時間幅よりも高周波加速装置6の運転時間幅を長くしているが、これに限定されるものではない。この実施の形態5を採用することにより高周波加速装置により安定領域内のビームを撹乱するために均一性がよくなり、出射ビームの時間構造の均一性がよくなる。
次に実施の形態6を説明する。前述した実施の形態5の図12(f)の加速装置運転タイミング例2は、ビーム出射中に実施する例である。図14は実施の形態1で説明した図4のビーム出射の説明図をシュタインバッハ図と呼ばれる図で表したもので、非特許文献2でも用いられている。この図14から分かることは、初期状態の出射四極電磁石OFF、RFKO機器OFFでも、高周波加速装置をONすると各粒子のΔp/pが変化するため、図の左右の境界の範囲内で移動するため、安定領域境界付近にいる粒子が不安定領域にはみ出すことである。従って、図13(e)に示した加速装置運転タイミング例1だと、運転パラメータによってはビーム拡散時に出射されるビームが出てくる場合がある。遮蔽電磁石18が備わっていれば問題ないが、このようなことが起きない方法がベストである。図13(f)の加速装置運転タイミング例2はビーム出射中にONする方式であるため、このような問題は生じない。このような実施の形態6では、図14における粒子座標を左右に撹乱させることになるため、粒子密度分布を均一化し、出射ビームの時間構造を更に平坦化できる効果が期待できるとともに、不必要な時間帯にビームを出射しない。
次に実施の形態7について説明する。加速器のクロマティシティは、六極電磁石の調整によりゼロに近い値で運転することができる。この場合、前記図15に示すようにシュタインバッハ図では安定限界は、Δp/pに関係なく大体一定となる。従って、前記実施の形態6で述べたような問題はなくなる効果がある。また、高周波発生装置8による安定限界付近のビーム拡散は、高周波加速装置6のON/OFFに関係なく容易となり、ビーム取り出しが効果的にできる。
次に実施の形態8のビーム輸送系300で照射停止を制御する方法について説明する。出射四極電磁石9で強い磁場が要求される場合、電磁石9のインダクタンスが大きくなり高速の制御が難しくなり、結果的に、線量満了信号が届いてからビーム出射停止までの時間が仕様を満たさない場合が考えられる。このような場合、図17の全体システム図に示すように、ビーム輸送系300に高速のパルス電磁石(照射ビーム制御電磁石25)を配置すれば、高速の照射停止が可能となる。図18(f)(g)に運転パターンの例を示す。この照射ビーム制御電磁石25の作用は、基本的には実施の形態3で示した遮蔽電磁石18と同じであり、遮蔽電磁石18の効果も併せ持たせることができる。照射ビーム制御電磁石25は、マイクロ秒或いは数十マイクロ秒オーダの早い磁場立ち上がり(又は立下り)が必要とされるため、フェライトコア等を使用した高周波応答特性を有した電磁石とする。線量満了信号(c)発生後に出射されたビームは、ビームダンパ19に当たるように制御する。
また、出射ビームは出射開始信号より少し遅れて出てくるが、照射ビーム制御電磁石25のONタイミングを出射開始信号より遅らせれば、ONタイミングに合わせた照射が可能となる。
RFKO機器8や高周波加速装置6の運転方法は、前記した実施の形態1と同じである。このような実施の形態8では照射停止が高速にでき、且つ、不必要な時間帯にスポットスキャニング照射装置17にビームを輸送しない。
この実施の形態9は、シンクロトロン200の主偏向電磁石4や主四極電磁石5の電磁石電源のリップルを考慮した場合の実施例について説明する。シンクロトロンの主四極電磁石電源や主偏向電磁石電源の出力変動(リップル)は、セパラトリクスの大きさを変動させることになる。例えば、図19の網掛け部分(a)〜(b)が周期的に変動することになる。その周期は通常数msから10ms程度である。このため、セパラトリクス一杯にビームを広げた場合、それがセパラトリクスが最小になった時であれば問題ないが、最小でなかった場合、その後最小に向かった時にビーム出射が起き、所望の時間帯以外に出射されることになる。
これを避ける方法として、リップルによるセパラトリクスの変動を考慮して、RFKO機器8の高周波のFM変調幅や高周波加速装置6の電界強度を決める。つまり、リップルによりセパラトリクスが最小となる境界以内にビームの拡散を留める。
従来例では、極めて高い安定度の電源を使用しているため、このような問題は出ていないと考えられるが、この実施の形態9によると、安定度の比較的悪い電源にも対応可能で、低コストの装置となる効果がある。
次に実施の形態10について説明する。これまでに説明した実施の形態1〜9では、セパラトリクスを狭める方式として出射四極電磁石9を用いた例を示したが、高周波加速装置6でも同様の効果が得られる。前述した図14は横軸を運動量で与えているが、ビームを加速すると色塗りの部分は全体的に右側に移動するため、境界線からはみ出したビームは出射される。ビーム加速を停止して減速すると、ビームは元の位置に戻り出射は停止する。ベータトロン振動振幅を増大させる方法は前述した実施の形態と同じである。加速は、周波数を変化させる(一般には増加)ことで実施できる。また、シンクロトロン200のパラメータによっては減速によりこのような状態を作り出すこともある。このように、高周波加速装置6で周波数を適当に制御することで、出射四極電磁石9と同様の効果が得られるとともに、出射四極電磁石9を不要にでき低コストにできる。
次に実施の形態11の粒子線照射医療システムの運転方法について説明する。
シンクロトロンの運転パターンに関して、前記実施の形態1では、周回ビームが予め設定された強度以下になった時点で減速するとしたが、例えば照射対象が人体であるような場合、一呼吸での照射完了後の周回ビーム強度が、次の呼吸サイクルでの照射可能時間に対して、多くの時間に対応できない場合は、減速・再入射・加速のパターに移るようにすれば、時間ロスを少なくできる効果が得られる。減速・再入射・加速のパターに移る条件は、様々なケースが考えられるが、例えば、予め測定した照射可能時間の平均値の半分以下のスポット照射しかできないビーム強度などが挙げられる。このような運転方法を採用することにより、時間ロスを少なくでき、全照射時間を短くできる。
次に実施の形態12について説明する。前記実施の形態1の図5で説明した平行スキャナー方式のスポットスキャニング照射においては、1回転角当たり照射後の平行スキャナー電磁石21の回転に0.5秒程度の時間を要するため、シンクロトロン200の減速・入射・加速のパターンをこの回転駆動のタイミングに合わせて実施するようにすれば、時間ロスの少ない照射ができる。更に、この回転駆動を吸気のタイミングに合わせて行うようにすれば、より時間ロスの少ない照射ができ、全照射時間を短くできる。
次に実施の形態13について説明する。前記実施の形態12では平行スキャナー方式を例として挙げたが、通常のスポットスキャニング方式でも同様の効果が得られる。図20はその原理図を示す。偏向方向が90度異なる2台のスキャナー電磁石を用いて、2次元の任意の位置に照射する方式で、深さ方向は平行スキャナー方式で説明した方式と同じである。この方式の場合は、通常任意のレンジシフタ厚みに対して2次元平面全てのスポットに照射し、その後レンジシフタの厚みを変えて、同様の照射を繰り返す方式である。RFKO機器8や高周波加速装置6の高周波電磁界のタイミングや運転パターン等は平行スキャナー方式への適用例と同様である。
このように、この実施の形態13は、他のスポットスキャニング照射方式への適用が可能である。
前述した実施の形態では、一スポット当たりの照射(出射)は連続的としたが、これに限定されるものではない。各スポットに必要とされる線量は異なるため、例えば、最も少ないスポットの線量を与える照射時間以下のパルスビームを出射するようにRFKO機器8と出射四極電磁石9を交互に運転し、あるスポットに対して必要線量照射後、RFKO機器8と出射四極電磁石9の少なくとも一つを停止し、次のスポット照射の準備が完了してから再度両装置を運転して、必要線量照射することを繰り返す。ビーム出射の間の時間は、RFKO機器8によるビームの拡散に必要な時間とする。また、高周波加速装置6の使用も前記実施の形態5と同様に効果的である。
この実施の形態14によれば制御が容易で、照射と照射の間は全ての出射に関係する機器を停止するため、ビームの出射を完全に停止できるという効果がある。
以上述べた実施の形態ではスキャニング照射方式への適用について述べたが、通常のブロードビーム方式への適用も可能である。ブロードビーム方式とは、散乱体やワブラー電磁石を使ってビームを広げ、コリメータやボーラスを使って患部以外の場所への照射を減らす方式である。
患部への照射が可能となった時点で、出射四極電磁石9とRFKO機器8を交互に運転し、断続的にビームを出射し、照射制御系から停止の指示がくれば出射四極電磁石9とRFKO機器8の少なくとも一方の運転を停止することによりビーム出射を停止する。前記実施の形態と同様に高周波加速装置6を使うことも効果的であり、基本的には前記実施の形態と同様の運転方法が適用できる。
照射線量誤差はスポット照射の場合と同程度の値が要求されるが、ブロードビーム照射の場合、スポット照射と異なり全照射時間に対するパーセンテージで良い為、例えば、照射停止の信号発生後1ms程度でビーム出射が停止できれば問題ない。この場合の出射四極電磁石9の1出射当たりの出力時間が1ms程度であれば、出射四極電磁石9のON/OFFだけの制御で対応できる。出射四極電磁石9の出力時間が長い場合、ビーム輸送系300の照射制御偏向電磁石16或いは遮蔽電磁石18を使えばよく、1ms程度の電磁場変化で問題ないため、安価な装置で対応できる。出力時間の長さに関しては、長いと安定領域の縮小幅が大きくなり出射ビームの傾きの変化が大きくなるため、長くする場合は、それが許容できる値に設定される。
このようにこの実施の形態15ではスポットスキャニング照射方式と同様の効果が得られ、必要な時間帯だけビーム出射が可能で、安価な装置構成で達成できるという効果がある。
8 高周波発生装置(RFKO機器)、9 出射四極電磁石、17 照射装置、
18 遮蔽電磁石、20 偏向電磁石、31 変位検出器、200 加速器(加速系)、300 ビーム輸送系、400 照射系。
Claims (14)
- 荷電粒子ビーム加速器であって、
前記荷電粒子ビーム加速器には、荷電粒子ビームを加速させるとともに周回軌道に沿って周回させる手段と、共鳴の安定限界の外側で前記荷電粒子のベータトロン振動を共鳴状態にする手段が備えられており、
さらに加えて前記共鳴の安定限界内の荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増加させる手段と、前記共鳴の安定限界を変化させる手段とが設けられており、
前記ベータトロン振動振幅を増加させる手段は、前記共鳴の安定限界を前記周回ビームが越えない範囲の周波数帯で運転制御されるとともに、ビーム出射に必要なタイミングで前記共鳴の安定限界を変化させる手段が運転制御され、前記荷電粒子ビームが出射されることを特徴とする荷電粒子ビーム加速器。 - 前記共鳴の安定限界内の荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増加させる手段と、前記共鳴の安定限界を変化させる手段とを交互に運転制御、あるいはいずれか一方を繰り返して運転したのち交互に運転制御されて、前記荷電粒子ビームが出射されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム加速器。
- 前記荷電粒子ビームを加速させるとともに周回軌道に沿って周回させる手段は、高周波加速装置、偏向電磁石および四極電磁石であり、
前記共鳴の安定限界の外側でベータトロン振動を共鳴状態にする手段は六極電磁石であり、
前記共鳴の安定限界内のベータトロン振動振幅を増加させる手段はRFKO機器であり、
前記共鳴の安定限界を変化させる手段は、四極電磁場発生装置であり、
前記四極電磁石と六極電磁石とが制御されることによって、前記荷電粒子ビームの出射時における前記共鳴の安定限界が作り出されるとともに、前記共鳴の安定限界内の荷電粒子のベータトロン振動振幅を増加させる手段と、前記共鳴の安定限界を変化させる手段とが運転制御される請求項1〜2のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム加速器。 - 前記共鳴の安定限界を変化させる手段によって、
前記共鳴の安定限界が縮小されてビーム出射が開始され、前記共鳴の安定限界が所定の縮小幅に達した後に縮小を停止させることにより、前記ビーム出射を停止させ、
前記安定限界内の荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増加させる手段によって、前記ベータトロン振動振幅を前記共鳴の安定限界内の境界付近まで増加させることを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム加速器。 - 前記共鳴の安定限界が縮小されてビーム出射が開始され、所定のビーム量が出射された後に、前記縮小を停止させることにより、前記ビーム出射を停止することを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム加速器。
- 前記ビーム出射の待機状態における前記共鳴の安定限界は、前記荷電粒子ビーム加速器を構成する電磁石の電源リップルによって変動縮小されても、ビーム出射しない領域に設定されていることを特徴とする請求項4または請求項5のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム加速器。
- 前記共鳴の安定限界を変化させる手段は、四極の空心コイルまたは、高周波応答特性を備えた磁気鉄心を有する四極電磁石のいずれかであることを特徴とする請求項3〜6のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム加速器。
- 前記共鳴の安定限界を変化させる手段は、前記高周波加速装置で、前記荷電粒子ビームを加速あるいは減速することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム加速器。
- 粒子線照射医療システムであって、
前記粒子線照射医療システムには、荷電粒子ビーム加速器と、前記荷電粒子ビーム加速器から出射された荷電粒子ビームを治療室へ輸送するビーム輸送系とが備えられており、前記荷電粒子ビーム加速器が、請求項1〜8のいずれか1項に記載のものを用いたことを特徴とする粒子線照射医療システム。 - 前記治療室には、照射装置が設けられており、前記照射装置の照射タイミングに合わせて、前記荷電粒子ビーム加速器からビームが出射されることを特徴とする請求項9に記載の粒子線照射医療システム。
- 前記治療室には、照射対象物の照射位置変化を検出する変位検出器が設けられており、前記変位検出器が検出する信号が予め設定されたレベルの範囲内である時に、前記照射装置によってビーム照射が行われることを特徴とする請求項10に記載の粒子線照射医療システム。
- 前記ビーム輸送系には荷電粒子ビームの偏向装置が設けられており、
前記偏向装置によって所望の時間以外は前記照射装置への前記荷電粒子ビームの輸送を止めるようにしたことを特徴とする請求項10に記載の粒子線照射医療システム。 - 前記ビーム輸送系には前記照射装置によるビーム照射が所定の線量に達した時、高速で前記荷電粒子ビームを遮断するための偏向装置が設けられており、前記偏向装置が空心コイルまたは高周波応答特性を備えた磁気鉄心を有する電磁石のいずれかによって構成されていることを特徴とする請求項10に記載の粒子線照射医療システム。
- 請求項10に記載の粒子線照射医療システムの運転方法であって、前記照射装置によって所定の時間照射された後、前記荷電粒子ビーム加速器の周回ビーム強度が、次の照射に予定されている時間以下しか照射できない場合に、前記荷電粒子ビーム加速器を減速、入射、加速のパターンに移行させることを特徴とする粒子線照射医療システムの運転方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004180532A JP4257741B2 (ja) | 2004-04-19 | 2004-06-18 | 荷電粒子ビーム加速器、荷電粒子ビーム加速器を用いた粒子線照射医療システムおよび、粒子線照射医療システムの運転方法 |
DE102005015601.0A DE102005015601B4 (de) | 2004-04-19 | 2005-04-05 | Verfahren zum Betreiben des Teilchenbeschleunigers |
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004122481 | 2004-04-19 | ||
JP2004180532A JP4257741B2 (ja) | 2004-04-19 | 2004-06-18 | 荷電粒子ビーム加速器、荷電粒子ビーム加速器を用いた粒子線照射医療システムおよび、粒子線照射医療システムの運転方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005332794A true JP2005332794A (ja) | 2005-12-02 |
JP4257741B2 JP4257741B2 (ja) | 2009-04-22 |
Family
ID=35070662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004180532A Active JP4257741B2 (ja) | 2004-04-19 | 2004-06-18 | 荷電粒子ビーム加速器、荷電粒子ビーム加速器を用いた粒子線照射医療システムおよび、粒子線照射医療システムの運転方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
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US (1) | US7122978B2 (ja) |
JP (1) | JP4257741B2 (ja) |
DE (1) | DE102005015601B4 (ja) |
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US9776019B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-10-03 | Hitachi, Ltd. | Particle beam therapy system |
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US9974156B2 (en) | 2014-03-25 | 2018-05-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Circular accelerator, circular accelerator operation method, and particle-beam therapy device |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005015601A1 (de) | 2005-11-03 |
US20050231138A1 (en) | 2005-10-20 |
JP4257741B2 (ja) | 2009-04-22 |
DE102005015601B4 (de) | 2016-02-04 |
US7122978B2 (en) | 2006-10-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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