JP2833602B2 - 荷電粒子出射方法および荷電粒子出射装置 - Google Patents
荷電粒子出射方法および荷電粒子出射装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子出射方法
および荷電粒子出射装置に係り、荷電粒子ビームを癌治
療や患部の診断に利用するのに好適な荷電粒子出射方法
および荷電粒子出射装置に関する。
および荷電粒子出射装置に係り、荷電粒子ビームを癌治
療や患部の診断に利用するのに好適な荷電粒子出射方法
および荷電粒子出射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】加速器を周回する荷電粒子ビームを出射
して医療に利用する技術は、特開平5−198397号公報に
記載されている。
して医療に利用する技術は、特開平5−198397号公報に
記載されている。
【０００３】従来の荷電粒子ビーム装置は、Rev.Sci.In
strum.,Ｖol.６４,Ｎo.８,August，１９９３，p.２０８
８のFig.４５に記載されている。この従来技術を図９を
用いて説明する。
strum.,Ｖol.６４,Ｎo.８,August，１９９３，p.２０８
８のFig.４５に記載されている。この従来技術を図９を
用いて説明する。
【０００４】図９において、荷電粒子ビームはｚ方向に
進む。ｘ方向走査電磁石１０１，ｙ方向走査電磁石１０
２に、時間的に変化する電流を流すと、それぞれの電磁
石に発生する磁場も時間的に変化し、荷電粒子ビーム
は、ｘ方向（水平方向）およびｙ方向（垂直方向）に走
査される。図９は、単位時間あたりのｘ方向の走査（往
復）回数を多くし、ｙ方向の走査回数を少なくして、照
射野９９を形成している。照射野９９の幅ａ，ｂは、そ
れぞれ、ｘ方向走査電磁石１０１，ｙ方向走査電磁石１
０２の最大電流によって決まる。
進む。ｘ方向走査電磁石１０１，ｙ方向走査電磁石１０
２に、時間的に変化する電流を流すと、それぞれの電磁
石に発生する磁場も時間的に変化し、荷電粒子ビーム
は、ｘ方向（水平方向）およびｙ方向（垂直方向）に走
査される。図９は、単位時間あたりのｘ方向の走査（往
復）回数を多くし、ｙ方向の走査回数を少なくして、照
射野９９を形成している。照射野９９の幅ａ，ｂは、そ
れぞれ、ｘ方向走査電磁石１０１，ｙ方向走査電磁石１
０２の最大電流によって決まる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、照射目標形状
が複雑な場合に、荷電粒子ビームを照射目標に正確に、
かつ、ビームの密度を一様に照射するためには、ｘ方向
およびｙ方向の走査範囲と走査速度とを、荷電粒子ビー
ムを照射しながら変化させる必要があり、ｘ方向走査電
磁石１０１およびｙ方向走査電磁石１０２に供給される
電流の制御は極めて複雑である。
が複雑な場合に、荷電粒子ビームを照射目標に正確に、
かつ、ビームの密度を一様に照射するためには、ｘ方向
およびｙ方向の走査範囲と走査速度とを、荷電粒子ビー
ムを照射しながら変化させる必要があり、ｘ方向走査電
磁石１０１およびｙ方向走査電磁石１０２に供給される
電流の制御は極めて複雑である。
【０００６】本発明の目的は、照射対象における荷電粒
子ビームの照射線量を均一化できる荷電粒子出射方法お
よび荷電粒子出射装置を提供することにある。
子ビームの照射線量を均一化できる荷電粒子出射方法お
よび荷電粒子出射装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する第１
発明の特徴は、加速器から出射された荷電粒子ビーム
を、荷電粒子ビーム走査用の電磁石を有する照射装置か
ら出力する荷電粒子出射方法において、前記照射装置か
らの荷電粒子ビームの出力を停止し、この出力停止状態
で、前記電磁石を制御することにより荷電粒子ビームの
照射位置を変更し、この変更後に、前記照射装置からの
荷電粒子ビームの出力を開始することにある。
発明の特徴は、加速器から出射された荷電粒子ビーム
を、荷電粒子ビーム走査用の電磁石を有する照射装置か
ら出力する荷電粒子出射方法において、前記照射装置か
らの荷電粒子ビームの出力を停止し、この出力停止状態
で、前記電磁石を制御することにより荷電粒子ビームの
照射位置を変更し、この変更後に、前記照射装置からの
荷電粒子ビームの出力を開始することにある。
【０００８】第１発明は、照射装置からの荷電粒子ビー
ムの出力を停止し、この出力停止状態で、電磁石を制御
することにより荷電粒子ビームの照射位置を変更し、こ
の変更後に、照射装置からの荷電粒子ビームの出力を開
始するので、荷電粒子ビームを出力しながら荷電粒子ビ
ームの照射位置を変える必要がなく、簡単な制御によ
り、照射対象における荷電粒子ビームの照射線量を均一
化できる。
ムの出力を停止し、この出力停止状態で、電磁石を制御
することにより荷電粒子ビームの照射位置を変更し、こ
の変更後に、照射装置からの荷電粒子ビームの出力を開
始するので、荷電粒子ビームを出力しながら荷電粒子ビ
ームの照射位置を変える必要がなく、簡単な制御によ
り、照射対象における荷電粒子ビームの照射線量を均一
化できる。
【０００９】上記目的を達成する第２発明の特徴は、前
記照射位置の変更は、前記照射対象領域に対する荷電粒
子ビームの照射線量が設定値に達した後に行うことにあ
る。
記照射位置の変更は、前記照射対象領域に対する荷電粒
子ビームの照射線量が設定値に達した後に行うことにあ
る。
【００１０】第２発明は、照射対象領域に対する荷電粒
子ビームの照射線量が設定値に達するまで荷電粒子ビー
ムの出力を行うので、荷電粒子ビームの強度が時間的に
変化した場合でも、照射対象における荷電粒子ビームの
照射線量を均一化できる。
子ビームの照射線量が設定値に達するまで荷電粒子ビー
ムの出力を行うので、荷電粒子ビームの強度が時間的に
変化した場合でも、照射対象における荷電粒子ビームの
照射線量を均一化できる。
【００１１】上記目的を達成する第３発明の特徴は、前
記加速器からの荷電粒子ビームの出射の開始は、前記加
速器内を周回する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加
することにより行い、前記出射の停止は、前記高周波電
磁界の印加を停止することにより行うことにある。
記加速器からの荷電粒子ビームの出射の開始は、前記加
速器内を周回する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加
することにより行い、前記出射の停止は、前記高周波電
磁界の印加を停止することにより行うことにある。
【００１２】第３発明は、加速器内を周回する荷電粒子
ビームに高周波電磁界を印加するので、荷電粒子ビーム
のベータトロン振動振幅が増加して共鳴の安定限界を越
え、荷電粒子ビームが加速器から出射される。この時、
荷電粒子ビームは一定に出射されるので、一様なビーム
の密度で荷電粒子ビームを照射対象に照射できる。
ビームに高周波電磁界を印加するので、荷電粒子ビーム
のベータトロン振動振幅が増加して共鳴の安定限界を越
え、荷電粒子ビームが加速器から出射される。この時、
荷電粒子ビームは一定に出射されるので、一様なビーム
の密度で荷電粒子ビームを照射対象に照射できる。
【００１３】上記目的を達成する第４発明の特徴は、患
部の動きが少ないときに、前記照射装置から荷電粒子ビ
ームを出力することにある。
部の動きが少ないときに、前記照射装置から荷電粒子ビ
ームを出力することにある。
【００１４】第４発明は、患者の呼吸等による患部の動
きが少ないとき（たとえば、患部がほぼ静止していると
き）に荷電粒子ビームの出力を行うので、患部に精度よ
く荷電粒子ビームを照射することができる。
きが少ないとき（たとえば、患部がほぼ静止していると
き）に荷電粒子ビームの出力を行うので、患部に精度よ
く荷電粒子ビームを照射することができる。
【００１５】
（実施例１）本発明の第１の実施例の荷電粒子ビーム装
置を図１を用いて説明する。本実施例の荷電粒子ビーム
装置は、前段加速器９８，シンクロトロン型の加速器１
００，回転照射装置１１０および制御装置群１４０から
主に構成される。低エネルギーのイオンが前段加速器９
８から加速器１００に入射され、加速器１００において
加速された後、治療室１０３内の回転照射装置１１０に
出射されて、イオンビームが治療に用いられる。
置を図１を用いて説明する。本実施例の荷電粒子ビーム
装置は、前段加速器９８，シンクロトロン型の加速器１
００，回転照射装置１１０および制御装置群１４０から
主に構成される。低エネルギーのイオンが前段加速器９
８から加速器１００に入射され、加速器１００において
加速された後、治療室１０３内の回転照射装置１１０に
出射されて、イオンビームが治療に用いられる。
【００１６】加速器１００を構成する主な機器について
説明する。加速器１００は、加速器１００を周回する荷
電粒子ビームに高周波電磁界を印加して荷電粒子ビーム
のベータトロン振動を増加し、共鳴の安定限界を越えさ
せ、荷電粒子ビームのベータトロン振動を共鳴状態にし
て荷電粒子ビームを加速器から出射する加速器である。
説明する。加速器１００は、加速器１００を周回する荷
電粒子ビームに高周波電磁界を印加して荷電粒子ビーム
のベータトロン振動を増加し、共鳴の安定限界を越えさ
せ、荷電粒子ビームのベータトロン振動を共鳴状態にし
て荷電粒子ビームを加速器から出射する加速器である。
【００１７】加速器１００は、周回する荷電粒子ビーム
を曲げる偏向電磁石１４６，周回する荷電粒子ビームに
エネルギーを与える高周波加速空胴１４７，周回する荷
電粒子ビームに磁界を印加してベータトロン振動を共鳴
状態にする４極電磁石１４５や多極電磁石１１、および
周回する荷電粒子ビームに高周波を印加してベータトロ
ン振動を増加する出射用高周波印加装置１２０を備えて
いる。また、偏向電磁石１４６，４極電磁石１４５、お
よび多極電磁石１１に電流を、そして、高周波加速空胴
１４７に電力を供給する加速器用電源装置１６５と、出
射用高周波印加装置１２０に電力を供給する出射用高周
波電源１６６を備える。
を曲げる偏向電磁石１４６，周回する荷電粒子ビームに
エネルギーを与える高周波加速空胴１４７，周回する荷
電粒子ビームに磁界を印加してベータトロン振動を共鳴
状態にする４極電磁石１４５や多極電磁石１１、および
周回する荷電粒子ビームに高周波を印加してベータトロ
ン振動を増加する出射用高周波印加装置１２０を備えて
いる。また、偏向電磁石１４６，４極電磁石１４５、お
よび多極電磁石１１に電流を、そして、高周波加速空胴
１４７に電力を供給する加速器用電源装置１６５と、出
射用高周波印加装置１２０に電力を供給する出射用高周
波電源１６６を備える。
【００１８】回転照射装置１１０を説明する。回転照射
装置１１０は、加速器１００から出射された出射ビーム
を照射対象まで輸送するための４極電磁石１５０および
偏向電磁石１５１、および４極電磁石１５０および偏向
電磁石１５１に電流を供給する電源装置１７０を備え
る。
装置１１０は、加速器１００から出射された出射ビーム
を照射対象まで輸送するための４極電磁石１５０および
偏向電磁石１５１、および４極電磁石１５０および偏向
電磁石１５１に電流を供給する電源装置１７０を備え
る。
【００１９】さらに、回転照射装置１１０は、偏向電磁
石１５１よりも下流に、照射位置をｘ方向およびｙ方向
に動かすための電磁石２２０，２２１を備える。ここ
で、ｘ方向は偏向電磁石１５１の偏向面に平行な方向、
ｙ方向は偏向電磁石１５１の偏向面に垂直な方向であ
る。電磁石２２０，２２１には電流を供給する電源装置
１６０が接続されている。電磁石２２０，２２１のさら
に下流で、照射対象である患者の直前には、ビームの照
射線量分布を測定する照射線量モニター２００を設置し
ている。
石１５１よりも下流に、照射位置をｘ方向およびｙ方向
に動かすための電磁石２２０，２２１を備える。ここ
で、ｘ方向は偏向電磁石１５１の偏向面に平行な方向、
ｙ方向は偏向電磁石１５１の偏向面に垂直な方向であ
る。電磁石２２０，２２１には電流を供給する電源装置
１６０が接続されている。電磁石２２０，２２１のさら
に下流で、照射対象である患者の直前には、ビームの照
射線量分布を測定する照射線量モニター２００を設置し
ている。
【００２０】制御装置群１４０を説明する。制御装置群
１４０は、照射制御装置１３０，演算装置１３１，加速
器制御装置１３２を備える。
１４０は、照射制御装置１３０，演算装置１３１，加速
器制御装置１３２を備える。
【００２１】照射制御装置１３０は、加速器１００から
回転照射装置１１０への荷電粒子ビームの出射を制御す
るための制御装置である。加速器１００から回転照射装
置１１０へ出射された荷電粒子ビームは照射対象に照射
されるので、加速器１００からの出射を制御すること
は、患部への荷電粒子ビームの照射を制御することにな
る。
回転照射装置１１０への荷電粒子ビームの出射を制御す
るための制御装置である。加速器１００から回転照射装
置１１０へ出射された荷電粒子ビームは照射対象に照射
されるので、加速器１００からの出射を制御すること
は、患部への荷電粒子ビームの照射を制御することにな
る。
【００２２】演算装置１３１は、照射制御装置１３０が
患部への荷電粒子ビームの照射を制御するために必要な
データを求める装置である。
患部への荷電粒子ビームの照射を制御するために必要な
データを求める装置である。
【００２３】加速器制御装置１３２は、前段加速器９８
から加速器１００への荷電粒子ビームの出射，加速器１
００を周回する荷電粒子ビームの加速、および回転照射
装置１１０における荷電粒子ビームの輸送を制御するた
めの装置である。
から加速器１００への荷電粒子ビームの出射，加速器１
００を周回する荷電粒子ビームの加速、および回転照射
装置１１０における荷電粒子ビームの輸送を制御するた
めの装置である。
【００２４】まず、演算装置１３１の役割について説明
し、次に照射制御装置１３０と加速器制御装置１３２に
よる荷電粒子ビーム装置の運転方法を説明する。
し、次に照射制御装置１３０と加速器制御装置１３２に
よる荷電粒子ビーム装置の運転方法を説明する。
【００２５】演算装置１３１は、オペレーターから患部
の形状，深さ，必要な照射線量Ｒ等の患部情報を入力さ
れる。演算装置１３１は、入力された患部情報に基づい
て、照射領域，患部に照射される荷電粒子ビームのエネ
ルギー，電磁石２２０，221に供給される電流の大きさ
などを演算して求める。
の形状，深さ，必要な照射線量Ｒ等の患部情報を入力さ
れる。演算装置１３１は、入力された患部情報に基づい
て、照射領域，患部に照射される荷電粒子ビームのエネ
ルギー，電磁石２２０，221に供給される電流の大きさ
などを演算して求める。
【００２６】ここで、患部の深さと荷電粒子ビームのエ
ネルギーとの関係を説明する。図２に体内の深さと荷電
粒子ビームの照射線量の関係の例を示す。図２の照射線
量のピークをブラッグピークと呼ぶ。患部への荷電粒子
ビームの照射はブラッグピークの位置で行われる。ブラ
ッグピークの位置は、荷電粒子ビームのエネルギーによ
り変化する。従って、患部の深さによってエネルギーを
変えれば、深さ方向に厚みを持つ患部の全部に荷電粒子
ビームを照射することができる。
ネルギーとの関係を説明する。図２に体内の深さと荷電
粒子ビームの照射線量の関係の例を示す。図２の照射線
量のピークをブラッグピークと呼ぶ。患部への荷電粒子
ビームの照射はブラッグピークの位置で行われる。ブラ
ッグピークの位置は、荷電粒子ビームのエネルギーによ
り変化する。従って、患部の深さによってエネルギーを
変えれば、深さ方向に厚みを持つ患部の全部に荷電粒子
ビームを照射することができる。
【００２７】演算装置１３１を図４に示す。演算装置１
３１の照射領域形成部１３３は、入力された患部情報に
基づいて、図３に示すように、患部を深さ方向の複数の
層Ｌi(ｉ＝１，２…Ｎ）に分割する。エネルギー計算部
１３４は、それぞれの層の深さに応じて照射に適したビ
ームエネルギーＥi を求める。
３１の照射領域形成部１３３は、入力された患部情報に
基づいて、図３に示すように、患部を深さ方向の複数の
層Ｌi(ｉ＝１，２…Ｎ）に分割する。エネルギー計算部
１３４は、それぞれの層の深さに応じて照射に適したビ
ームエネルギーＥi を求める。
【００２８】照射領域形成部１３３は、さらに、各層Ｌ
i の形状に応じて、荷電粒子ビームを照射する複数の照
射領域Ａi,j(ｉ＝１，２…Ｎ，ｊ＝１，２…Ｍ），照射
領域Ａi,jの中心点Ｐi,j、およびその座標(ｘij,ｙij）
を定める。荷電粒子ビームの強度は空間的にガウス分布
をしているので、演算装置１３１は、荷電粒子ビームの
径に基づいて、照射領域Ａi,j と隣接する照射領域とが
重なる部分をつくるように、各照射領域Ａi,jとその中
心点Ｐi,jを定める。
i の形状に応じて、荷電粒子ビームを照射する複数の照
射領域Ａi,j(ｉ＝１，２…Ｎ，ｊ＝１，２…Ｍ），照射
領域Ａi,jの中心点Ｐi,j、およびその座標(ｘij,ｙij）
を定める。荷電粒子ビームの強度は空間的にガウス分布
をしているので、演算装置１３１は、荷電粒子ビームの
径に基づいて、照射領域Ａi,j と隣接する照射領域とが
重なる部分をつくるように、各照射領域Ａi,jとその中
心点Ｐi,jを定める。
【００２９】照射線量計算部１３５は、必要な照射線量
Ｒに基づいて各中心点Ｐi,j の目標照射線量Ｒijを求め
る。
Ｒに基づいて各中心点Ｐi,j の目標照射線量Ｒijを求め
る。
【００３０】電磁石電流計算１３６は、中心点Ｐi,j と
荷電粒子ビームの中心と合わせるために、電磁石２２
０，２２１に供給される電流ＩXij,ＩYijを定める。
荷電粒子ビームの中心と合わせるために、電磁石２２
０，２２１に供給される電流ＩXij,ＩYijを定める。
【００３１】演算装置１３１は、各層Ｌi におけるビー
ムエネルギーＥi，各照射領域Ａi,j，中心点Ｐi,j，中
心点Ｐi,jの座標(ｘij,ｙij)，目標照射線量Ｒij，電流
ＩXij,ＩYijを照射制御装置１３０に出力する。
ムエネルギーＥi，各照射領域Ａi,j，中心点Ｐi,j，中
心点Ｐi,jの座標(ｘij,ｙij)，目標照射線量Ｒij，電流
ＩXij,ＩYijを照射制御装置１３０に出力する。
【００３２】本実施例の荷電粒子ビーム装置の運転方法
を図５に示す。
を図５に示す。
【００３３】（１）加速器制御装置１３２は、前段加速
器９８が荷電粒子ビームを出射するように、前段加速器
９８を制御する。
器９８が荷電粒子ビームを出射するように、前段加速器
９８を制御する。
【００３４】（２）照射制御装置１３０は、記憶してい
たビームエネルギーＥi を加速器制御装置１３２に出力
する。
たビームエネルギーＥi を加速器制御装置１３２に出力
する。
【００３５】（３）加速器制御装置１３２は、周回する
荷電粒子ビームをエネルギーＥi まで加速するために、
偏向電磁石１４６，４極電磁石１４５に電流を供給する
ように、そして、高周波加速空胴１４７に電力を供給す
るように、加速器用電源装置１６５を制御する。
荷電粒子ビームをエネルギーＥi まで加速するために、
偏向電磁石１４６，４極電磁石１４５に電流を供給する
ように、そして、高周波加速空胴１４７に電力を供給す
るように、加速器用電源装置１６５を制御する。
【００３６】（４）周回する荷電粒子ビームがエネルギ
ーＥi まで加速されたら、加速器制御装置１３２は、周
回する荷電粒子ビームのベータトロン振動を共鳴状態に
するために、４極電磁石１４５、および多極電磁石１１
に電流を供給するように、加速器用電源装置１６５を制
御する。
ーＥi まで加速されたら、加速器制御装置１３２は、周
回する荷電粒子ビームのベータトロン振動を共鳴状態に
するために、４極電磁石１４５、および多極電磁石１１
に電流を供給するように、加速器用電源装置１６５を制
御する。
【００３７】４極電磁石１４５、および多極電磁石１１
に電流が供給されると、出射のための共鳴の安定限界が
発生し、安定限界の外側に移動した周回荷電粒子ビーム
は、ベータトロン振動が共鳴状態になる。
に電流が供給されると、出射のための共鳴の安定限界が
発生し、安定限界の外側に移動した周回荷電粒子ビーム
は、ベータトロン振動が共鳴状態になる。
【００３８】（５）照射制御装置１３０は、荷電粒子ビ
ームの中心と中心点Ｐi,j とを合わせるために、電磁石
２２０，２２１に電流ＩXij，ＩYijを供給するように、
電源装置１６０を制御する。
ームの中心と中心点Ｐi,j とを合わせるために、電磁石
２２０，２２１に電流ＩXij，ＩYijを供給するように、
電源装置１６０を制御する。
【００３９】（６）加速器制御装置１３２は、加速器１
００から回転照射装置１１０に出射される荷電粒子ビー
ムを照射対象である患部まで輸送するために、４極電磁
石１５０および偏向電磁石１５１に電流を供給するよう
に、電源装置１７０を制御する。
００から回転照射装置１１０に出射される荷電粒子ビー
ムを照射対象である患部まで輸送するために、４極電磁
石１５０および偏向電磁石１５１に電流を供給するよう
に、電源装置１７０を制御する。
【００４０】（７）照射制御装置１３０は、目標照射線
量Ｒijと照射線量モニター２００で測定された中心点Ｐ
i,jの照射線量を比較する。
量Ｒijと照射線量モニター２００で測定された中心点Ｐ
i,jの照射線量を比較する。
【００４１】（８）中心点Ｐi,j の照射線量が目標照射
線量Ｒijに達していない場合は、照射制御装置１３０
は、加速器１００から回転照射装置１１０に出射を開始
するために、出射用高周波印加装置１２０に電力を供給
するように、出射用高周波電源１６６を制御する。
線量Ｒijに達していない場合は、照射制御装置１３０
は、加速器１００から回転照射装置１１０に出射を開始
するために、出射用高周波印加装置１２０に電力を供給
するように、出射用高周波電源１６６を制御する。
【００４２】出射用高周波印加装置１２０に電力が供給
されると、周回する荷電粒子ビームに高周波電磁界が印
加され、周回する荷電粒子ビームのベータトロン振動振
幅が増加する。ベータトロン振動振幅が増加して、ベー
タトロン振動の共鳴の安定限界を越えると荷電粒子ビー
ムは、加速器１００から回転照射装置１１０へ出射され
る。回転照射装置１１０において、荷電粒子ビームは照
射領域Ａi,j に照射される。
されると、周回する荷電粒子ビームに高周波電磁界が印
加され、周回する荷電粒子ビームのベータトロン振動振
幅が増加する。ベータトロン振動振幅が増加して、ベー
タトロン振動の共鳴の安定限界を越えると荷電粒子ビー
ムは、加速器１００から回転照射装置１１０へ出射され
る。回転照射装置１１０において、荷電粒子ビームは照
射領域Ａi,j に照射される。
【００４３】（９）照射制御装置１３０は、目標照射線
量Ｒijと照射線量モニター２００で測定された中心点Ｐ
i,jの照射線量を比較する。中心点Ｐi,jの照射線量が目
標照射線量Ｒijに達していない場合は出射を続ける。
量Ｒijと照射線量モニター２００で測定された中心点Ｐ
i,jの照射線量を比較する。中心点Ｐi,jの照射線量が目
標照射線量Ｒijに達していない場合は出射を続ける。
【００４４】（１０）照射制御装置１３０は、中心点Ｐ
i,j の照射線量が目標照射線量Ｒijに達していれば出射
を停止するように、出射用高周波電源１６６を制御す
る。そして次の照射領域Ａi,j+1の中心点Ｐi,j+1に荷電
粒子ビームの中心を合わせるように電源装置１６０を制
御する。
i,j の照射線量が目標照射線量Ｒijに達していれば出射
を停止するように、出射用高周波電源１６６を制御す
る。そして次の照射領域Ａi,j+1の中心点Ｐi,j+1に荷電
粒子ビームの中心を合わせるように電源装置１６０を制
御する。
【００４５】（１１）照射領域Ａi,jの照射から照射領
域Ａi,j+1の照射へ移る際に、加速器１００を周回して
いるビームを利用できる場合は、（５）からの運転を行
い、ビーム量，出射時間が不足する場合は、荷電粒子ビ
ームを補給するために(１)からの運転を行う。
域Ａi,j+1の照射へ移る際に、加速器１００を周回して
いるビームを利用できる場合は、（５）からの運転を行
い、ビーム量，出射時間が不足する場合は、荷電粒子ビ
ームを補給するために(１)からの運転を行う。
【００４６】（１２）層Ｌi の全ての照射領域Ａi,j
で、照射線量が目標値に達したら、次の層Ｌi+1 につい
て、（１）からの運転を行い、層Ｌi の場合と同様に全
ての照射領域Ａi+1,jを照射する。
で、照射線量が目標値に達したら、次の層Ｌi+1 につい
て、（１）からの運転を行い、層Ｌi の場合と同様に全
ての照射領域Ａi+1,jを照射する。
【００４７】（１３）患部の全ての層Ｌi を照射した
ら、荷電粒子ビーム装置の運転を終了する。
ら、荷電粒子ビーム装置の運転を終了する。
【００４８】また、本実施例では、加速器１００におい
て荷電粒子ビームのエネルギーをＥi にしているが、回
転照射装置１１０において荷電粒子ビームのエネルギー
を変えてもよい。例えば、ビーム照射位置設定用の電磁
石２２０の直前に、図６に示すようなレンジシフター５
００を設置する。そして、照射制御装置１３０がレンジ
シフター５００を駆動してその厚さを変えることによ
り、レンジシフター５００を透過する荷電粒子ビームの
エネルギーを変えることも可能である。
て荷電粒子ビームのエネルギーをＥi にしているが、回
転照射装置１１０において荷電粒子ビームのエネルギー
を変えてもよい。例えば、ビーム照射位置設定用の電磁
石２２０の直前に、図６に示すようなレンジシフター５
００を設置する。そして、照射制御装置１３０がレンジ
シフター５００を駆動してその厚さを変えることによ
り、レンジシフター５００を透過する荷電粒子ビームの
エネルギーを変えることも可能である。
【００４９】本実施例によれば、照射目標が複雑な形状
をしている場合にも、精度よく患部を照射できる。ま
た、照射線量が目標に達するまで照射を継続するため、
ビーム強度が時間的に変化した場合でも、患部にビーム
の密度を一様に照射できる。
をしている場合にも、精度よく患部を照射できる。ま
た、照射線量が目標に達するまで照射を継続するため、
ビーム強度が時間的に変化した場合でも、患部にビーム
の密度を一様に照射できる。
【００５０】また、電磁石２２０，２２１を制御して照
射領域Ａi,j+1 を変更してから照射対象の他の照射領域
に荷電粒子ビームを照射するので、荷電粒子ビームを照
射しながら走査電磁石の電流を変化させる必要がなく、
電磁石２２０，２２１に供給される電流ＩXij，ＩYijの
制御は従来技術よりも簡単で、精度よく、かつ、ビーム
の密度を一様に照射することができる。
射領域Ａi,j+1 を変更してから照射対象の他の照射領域
に荷電粒子ビームを照射するので、荷電粒子ビームを照
射しながら走査電磁石の電流を変化させる必要がなく、
電磁石２２０，２２１に供給される電流ＩXij，ＩYijの
制御は従来技術よりも簡単で、精度よく、かつ、ビーム
の密度を一様に照射することができる。
【００５１】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
を説明する。本実施例の機器構成は、第１の実施例と同
様である。ただし、本実施例では、患部の各層Ｌi の照
射領域をｘ方向には分割せず、図７に示すように、ｙ方
向にのみ分割する。すなわち、照射領域Ａi,jはｘ方向
に広い。照射領域Ａi,jを照射するときは、電磁石２２
０がつくる磁場の強度を変化させて、荷電粒子ビームを
ｘ方向に走査して照射する。
を説明する。本実施例の機器構成は、第１の実施例と同
様である。ただし、本実施例では、患部の各層Ｌi の照
射領域をｘ方向には分割せず、図７に示すように、ｙ方
向にのみ分割する。すなわち、照射領域Ａi,jはｘ方向
に広い。照射領域Ａi,jを照射するときは、電磁石２２
０がつくる磁場の強度を変化させて、荷電粒子ビームを
ｘ方向に走査して照射する。
【００５２】演算装置１３１は、各範囲Ａi,j のｘ方向
の広がりに基づいて、電磁石２２０の磁場強度を変化さ
せる大きさΔＩXij を求める。そして、実施例１の場合
と同様に、各層Ｌi におけるビームエネルギーＥi，各
照射領域Ａi,jとその中心点Ｐi,j（ｘij,ｙij），目標
照射線量Ｒij，電流ＩXij，ＩYijを求め、これらとΔＩ
Xijを照射制御装置１３０に出力する。
の広がりに基づいて、電磁石２２０の磁場強度を変化さ
せる大きさΔＩXij を求める。そして、実施例１の場合
と同様に、各層Ｌi におけるビームエネルギーＥi，各
照射領域Ａi,jとその中心点Ｐi,j（ｘij,ｙij），目標
照射線量Ｒij，電流ＩXij，ＩYijを求め、これらとΔＩ
Xijを照射制御装置１３０に出力する。
【００５３】本実施例の荷電粒子ビーム装置の運転方法
を図８に示す。（８）以外は第１の実施例と同じである
（８）で、照射制御装置１３０は、加速器１００から回
転照射装置１１０に出射を開始するために、出射用高周
波印加装置１２０に電力を供給するように、出射用高周
波電源１６６を制御するとともに、荷電粒子ビームをｘ
方向に走査して照射するために電磁石２２０の電流ＩXi
jがΔＩXijの範囲で変化するように、電源装置１６０を
制御する。
を図８に示す。（８）以外は第１の実施例と同じである
（８）で、照射制御装置１３０は、加速器１００から回
転照射装置１１０に出射を開始するために、出射用高周
波印加装置１２０に電力を供給するように、出射用高周
波電源１６６を制御するとともに、荷電粒子ビームをｘ
方向に走査して照射するために電磁石２２０の電流ＩXi
jがΔＩXijの範囲で変化するように、電源装置１６０を
制御する。
【００５４】本実施例においても、実施例１で説明した
ように、レンジシフター５００を用いて、回転照射装置
１１０において荷電粒子ビームのエネルギーを変えても
よい。
ように、レンジシフター５００を用いて、回転照射装置
１１０において荷電粒子ビームのエネルギーを変えても
よい。
【００５５】本実施例では、照射領域Ａi,j を照射する
ときに、電磁石２２０がつくる磁場の強度を変化させ
て、荷電粒子ビームをｘ方向に走査して照射するが、電
磁石２２１がつくる磁場の強度を変化させて、荷電粒子
ビームをｙ方向に走査して照射するようにしてもよい。
ときに、電磁石２２０がつくる磁場の強度を変化させ
て、荷電粒子ビームをｘ方向に走査して照射するが、電
磁石２２１がつくる磁場の強度を変化させて、荷電粒子
ビームをｙ方向に走査して照射するようにしてもよい。
【００５６】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
を説明する。本実施例の機器構成を図１０に示す。機器
構成が第１の実施例と異なる点は、患者の体の動きを検
出する動き検出装置２５０を設けている点と、荷電粒子
ビームを照射装置へ輸送するビーム輸送系１７１に、荷
電粒子ビームの輸送と停止を切り替える電磁石１７５と
その電源１７６を設けていることで、その他の構成は、
第１の実施例１と同一である。ただし、電源１７５は、
故障して電流が流れないときは、ビームが患者に照射さ
れないようにしておき、電流が正常に加えられたときの
み照射されるようにしておく。
を説明する。本実施例の機器構成を図１０に示す。機器
構成が第１の実施例と異なる点は、患者の体の動きを検
出する動き検出装置２５０を設けている点と、荷電粒子
ビームを照射装置へ輸送するビーム輸送系１７１に、荷
電粒子ビームの輸送と停止を切り替える電磁石１７５と
その電源１７６を設けていることで、その他の構成は、
第１の実施例１と同一である。ただし、電源１７５は、
故障して電流が流れないときは、ビームが患者に照射さ
れないようにしておき、電流が正常に加えられたときの
み照射されるようにしておく。
【００５７】動き検出装置２５０は、体表面に設置した
歪み検出装置でも良いし、あるいは、カメラで患者の動
きを検出する装置でも良い。この動き検出装置２５０か
らの信号により、患者の体の動きを検出し、体の動きが
少ない時のみ、患者へビームを照射する信号を出射用高
周波電源１６６とビーム輸送系の切り替え電磁石１７５
の電源に１７６を送る。前記信号がビーム照射可である
時のみ、出射用高周波電源１６６から荷電粒子ビームに
高周波を加え、さらに、電源１７６からビーム輸送系の
切り替え電磁石１７５に電流を加えて荷電粒子ビームが
回転照射室110へ供給されるようにする。この時の運転
方法を図１１に示す。運転方法の（８）および（１０）
以外は第１の実施例と同じである。
歪み検出装置でも良いし、あるいは、カメラで患者の動
きを検出する装置でも良い。この動き検出装置２５０か
らの信号により、患者の体の動きを検出し、体の動きが
少ない時のみ、患者へビームを照射する信号を出射用高
周波電源１６６とビーム輸送系の切り替え電磁石１７５
の電源に１７６を送る。前記信号がビーム照射可である
時のみ、出射用高周波電源１６６から荷電粒子ビームに
高周波を加え、さらに、電源１７６からビーム輸送系の
切り替え電磁石１７５に電流を加えて荷電粒子ビームが
回転照射室110へ供給されるようにする。この時の運転
方法を図１１に示す。運転方法の（８）および（１０）
以外は第１の実施例と同じである。
【００５８】（８）では、中心点Ｐi,j の照射線量が目
標照射線量Ｒijに達せず、かつ、動き検出装置２５０か
らの信号で、患者が静止していると判断される場合は、
照射制御装置１３０は、加速器１００から回転照射装置
１１０に出射を開始するために、出射用高周波印加装置
１２０に電力を供給するように、出射用高周波電源１６
６を制御し、同時に、荷電粒子ビーム輸送系の切り替え
電磁石１７５に電源１７６から電流を加える。ただし、
動き検出装置２５０からの信号で、患者が静止していな
いと判断される場合は、出射用高周波電源１６６と荷電
粒子ビーム輸送系の切り替え電磁石１７５の電源を制御
して、荷電粒子ビームの回転照射装置１１０への供給を
停止する。
標照射線量Ｒijに達せず、かつ、動き検出装置２５０か
らの信号で、患者が静止していると判断される場合は、
照射制御装置１３０は、加速器１００から回転照射装置
１１０に出射を開始するために、出射用高周波印加装置
１２０に電力を供給するように、出射用高周波電源１６
６を制御し、同時に、荷電粒子ビーム輸送系の切り替え
電磁石１７５に電源１７６から電流を加える。ただし、
動き検出装置２５０からの信号で、患者が静止していな
いと判断される場合は、出射用高周波電源１６６と荷電
粒子ビーム輸送系の切り替え電磁石１７５の電源を制御
して、荷電粒子ビームの回転照射装置１１０への供給を
停止する。
【００５９】（１０）では、照射制御装置１３０は、中
心点Ｐi,j の照射線量が目標照射線量Ｒijに達していれ
ば、出射を停止するように、出射用高周波電源１６６を
制御するとともに、ビーム輸送系の切り替え電磁石１７
５の電流を止めて、荷電粒子ビームの回転照射装置１１
０への供給を停止する。そして次の照射領域Ａｉ，ｊ＋
１の中心点Ｐｉ，ｊ＋１ に荷電粒子ビームの中心を合
わせるように電源装置１６０を制御する。
心点Ｐi,j の照射線量が目標照射線量Ｒijに達していれ
ば、出射を停止するように、出射用高周波電源１６６を
制御するとともに、ビーム輸送系の切り替え電磁石１７
５の電流を止めて、荷電粒子ビームの回転照射装置１１
０への供給を停止する。そして次の照射領域Ａｉ，ｊ＋
１の中心点Ｐｉ，ｊ＋１ に荷電粒子ビームの中心を合
わせるように電源装置１６０を制御する。
【００６０】本実施例によれば、第１の実施例と同様の
効果が得られるとともに、照射も切り替えが２つの切り
替え手段によって行われるから、より安全性が高い。ま
た、患部がほぼ静止している時に荷電粒子ビームを照射
するので、照射対象を精度良く照射することができる。
以上説明した各実施例では、荷電粒子ビームのエネルギ
ーを加速器における加速段階で変更しているが、照射装
置の荷電粒子ビームが通過するところにグラファイトな
どの板状の物質を置くことにより出射された荷電粒子ビ
ームのエネルギーを変更しても良い。
効果が得られるとともに、照射も切り替えが２つの切り
替え手段によって行われるから、より安全性が高い。ま
た、患部がほぼ静止している時に荷電粒子ビームを照射
するので、照射対象を精度良く照射することができる。
以上説明した各実施例では、荷電粒子ビームのエネルギ
ーを加速器における加速段階で変更しているが、照射装
置の荷電粒子ビームが通過するところにグラファイトな
どの板状の物質を置くことにより出射された荷電粒子ビ
ームのエネルギーを変更しても良い。
【００６１】
【発明の効果】第１発明によれば、簡単な制御により照
射対象における荷電粒子ビームの照射線量を均一化でき
る。第２発明によれば、荷電粒子ビームの強度が時間的
に変化した場合でも、照射対象における荷電粒子ビーム
の照射線量を均一化できる。第３発明によれば、荷電粒
子ビームは一定に出射されるので、一様なビームの密度
で荷電粒子ビームを照射対象に照射できる。第４発明に
よれば、患部に精度よく荷電粒子ビームを照射すること
ができる。
射対象における荷電粒子ビームの照射線量を均一化でき
る。第２発明によれば、荷電粒子ビームの強度が時間的
に変化した場合でも、照射対象における荷電粒子ビーム
の照射線量を均一化できる。第３発明によれば、荷電粒
子ビームは一定に出射されるので、一様なビームの密度
で荷電粒子ビームを照射対象に照射できる。第４発明に
よれば、患部に精度よく荷電粒子ビームを照射すること
ができる。
【図１】第１の実施例の荷電粒子ビーム装置を示す図で
ある。
ある。
【図２】患部の深さとイオンビームの照射線量の関係の
例を示す図である。
例を示す図である。
【図３】第１の実施例の層Ｌiと照射領域Ａijを示す図
である。
である。
【図４】演算装置１３１を示す図である。
【図５】第１の実施例の荷電粒子ビーム装置の運転方法
を示す図である。
を示す図である。
【図６】レンジシフター５００を示す図である。
【図７】第２の実施例の照射領域Ａijを示す図である。
【図８】第２の実施例の荷電粒子ビーム装置の運転方法
を示す図である。
を示す図である。
【図９】従来の荷電粒子ビーム装置を示す図である。
【図１０】第３の実施例の荷電粒子ビーム装置を示す図
である。
である。
【図１１】第３の実施例の荷電粒子ビーム装置の運転方
法を示す図である。
法を示す図である。
１１…多極電磁石、９８…前段加速器、９９…照射野、
１００…加速器、101…ｘ方向走査電磁石、１０２…ｙ
方向走査電磁石、１０３…治療室、１１０…回転照射装
置、１２０…出射用高周波印加装置、１３０…照射制御
装置、１３１…演算装置、１３３…照射領域形成部、１
３４…エネルギー計算部、１３５…照射線量計算部、１
３６…電磁石電流計算、１４０…制御装置群、１４５…
４極電磁石、１４６…偏向電磁石、１４７…高周波加速
空胴、１５０…４極電磁石、151…偏向電磁石、１６０
…電源装置、１６５…加速器用電源装置、１６６…出射
用高周波電源、１７０…電源装置、１７１…輸送系、１
７５…切り替え電磁石、１７６…電源、２００…照射線
量モニター、２２０，２２１…電磁石、２５０…動き検
出装置、５００…レンジシフター。
１００…加速器、101…ｘ方向走査電磁石、１０２…ｙ
方向走査電磁石、１０３…治療室、１１０…回転照射装
置、１２０…出射用高周波印加装置、１３０…照射制御
装置、１３１…演算装置、１３３…照射領域形成部、１
３４…エネルギー計算部、１３５…照射線量計算部、１
３６…電磁石電流計算、１４０…制御装置群、１４５…
４極電磁石、１４６…偏向電磁石、１４７…高周波加速
空胴、１５０…４極電磁石、151…偏向電磁石、１６０
…電源装置、１６５…加速器用電源装置、１６６…出射
用高周波電源、１７０…電源装置、１７１…輸送系、１
７５…切り替え電磁石、１７６…電源、２００…照射線
量モニター、２２０，２２１…電磁石、２５０…動き検
出装置、５００…レンジシフター。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−132567（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−121070（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−320073（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−131675（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−197273（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−229145（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05H 13/04 A61N 5/10 G21K 5/04
Claims (11)
- 【請求項１】加速器から出射された荷電粒子ビームを、
荷電粒子ビーム走査用の電磁石を有する照射装置から出
力する荷電粒子出射方法において、 前記照射装置からの荷電粒子ビームの出力を停止し、こ
の出力停止状態で、前記電磁石を制御することにより荷
電粒子ビームの照射位置を変更し、この変更後に、前記
照射装置からの荷電粒子ビームの出力を開始する ことを
特徴とする荷電粒子出射方法。 - 【請求項２】加速器から出射された荷電粒子ビームを、
荷電粒子ビーム走査用の電磁石を有する照射装置から出
力する荷電粒子出射方法において、 患部の照射対象領域に対する前記照射装置からの荷電粒
子ビームの出力を停止し、この出力停止状態で、前記電
磁石を制御することにより荷電粒子ビームの照射位置を
前記患部内の他の照射対象領域に変更し、この変更後
に、前記照射装置からの荷電粒子ビームの出力を開始す
ることを特徴とする 荷電粒子出射方法。 - 【請求項３】前記照射位置の変更は、前記照射対象領域
に対する荷電粒子ビームの照射線量が設定値に達した後
に行うことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子出射方
法。 - 【請求項４】前記照射装置からの荷電粒子ビームの出力
の停止は、前記加速器からの荷電粒子ビームの出射を停
止することにより行い、前記照射装置からの荷電粒子ビ
ームの出力の開始は、前記加速器からの荷電粒子ビーム
の出射を開始することにより行うことを特徴とする請求
項１乃至３のいずれかに記載の荷電粒子出射方法。 - 【請求項５】前記加速器からの荷電粒子ビームの出射の
開始は、前記加速器内を周回する荷電粒子ビームに高周
波電磁界を印加することにより行い、前記出射の停止
は、前記高周波電磁界の印加を停止することにより行う
ことを特徴とする請求項４記載の荷電粒子出射方法。 - 【請求項６】患部の動きが少ないときに、前記照射装置
から荷電粒子ビームを出力することを特徴とする請求項
１乃至５のいずれかに記載の荷電粒子出射方法。 - 【請求項７】荷電粒子ビーム走査用の電磁石を有し、加
速器から出射された荷電粒子ビームを出力する照射装置
を備えた荷電粒子出射装置において、 前記照射装置からの荷電粒子ビームの出力を停止させ、
荷電粒子ビームの出力を停止した状態で、前記電磁石を
制御することにより荷電粒子ビームの照射位置を変更さ
せ、この変更後に、前記照射装置からの荷電粒子ビーム
の出力を開始させる制御装置を備えたことを特徴とする
荷電粒子出射装置。 - 【請求項８】荷電粒子ビームを出射する加速器と、荷電
粒子ビーム走査用の電磁石を有し、加速器から出射され
た荷電粒子ビームを出力する照射装置とを備えた荷電粒
子出射装置において、 前記照射装置からの荷電粒子ビームの出力を停止させ、
荷電粒子ビームの出力を停止した状態で、前記電磁石を
制御することにより荷電粒子ビームの照射位置を変更さ
せ、この変更後に、前記照射装置からの荷電粒子ビーム
の出力を開始させる制御装置を備えたことを特徴とする
荷電粒子出射装置。 - 【請求項９】 荷電粒子ビームを出射する加速器と、荷電
粒子ビーム走査用の電磁石を有し、加速器から出射され
た荷電粒子ビームを出力する照射装置とを備えた荷電粒
子出射装置において、 患部の照射対象領域に対する荷電粒子ビームの照射線量
を測定する照射線量モニターと、前記照射線量モニター
により測定された照射線量が設定値に達した後に、前記
照射対象領域に対する前記照射装置からの荷電粒子ビー
ムの出力を停止させ、荷電粒子ビームの出力を停止した
状態で、前記電磁石を制御することにより荷電粒子ビー
ムの照射位置を前記患部内の他の照射対象領域に変更さ
せ、この変更後に、前記照射装置からの荷電粒子ビーム
の出力を開始させる制御装置とを備えたことを特徴とす
る荷電粒子出射装置。 - 【請求項１０】 荷電粒子ビームを出射する加速器と、荷
電粒子ビーム走査用の電磁石を有し、加速器から出射さ
れた荷電粒子ビームを出力する照射装置とを備えた荷電
粒子出射装置において、 前記照射装置からの荷電粒子ビームの出力を停止させ、
荷電粒子ビームの出力を停止した状態で、前記電磁石を
制御することにより荷電粒子ビームの照射位置を変更さ
せ、この変更後に、前記照射装置からの荷電粒子ビーム
の出力を開始させる制御を行うように構成されることを
特徴とする荷電粒子出射装置。 - 【請求項１１】 前記加速器は、荷電粒子ビームを出射す
るための高周波電磁界を発生する高周波印加装置を有
し、前記制御装置は、前記高周波印加装置により高周波
電磁界を発生させることによって、前記加速器から荷電
粒子ビームを出射させると共に、前記照射装置からの荷
電粒子ビームの出力を開始させ、前記高周波電磁界の発
生を停止させることにより、前記加速器からの荷電粒子
ビームの出射を停止させると共に、前記照射装置からの
荷電粒子ビームの出力を停止させることを特徴とする請
求項７乃至１０のいずれかに記載の荷電粒子出射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32248496A JP2833602B2 (ja) | 1995-12-11 | 1996-12-03 | 荷電粒子出射方法および荷電粒子出射装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32142795 | 1995-12-11 | ||
| JP7-321427 | 1995-12-11 | ||
| JP32248496A JP2833602B2 (ja) | 1995-12-11 | 1996-12-03 | 荷電粒子出射方法および荷電粒子出射装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4681598A Division JPH10199700A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 荷電粒子ビーム装置およびその運転方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223600A JPH09223600A (ja) | 1997-08-26 |
| JP2833602B2 true JP2833602B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=26570469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32248496A Expired - Lifetime JP2833602B2 (ja) | 1995-12-11 | 1996-12-03 | 荷電粒子出射方法および荷電粒子出射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833602B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1642617A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-05 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam irradiation apparatus |
| US7122978B2 (en) | 2004-04-19 | 2006-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam accelerator, particle beam radiation therapy system using the charged-particle beam accelerator, and method of operating the particle beam radiation therapy system |
| US7227161B2 (en) | 2003-05-13 | 2007-06-05 | Hitachi, Ltd. | Particle beam irradiation apparatus, treatment planning unit, and particle beam irradiation method |
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