JP2005313628A - {100}配向性を有する誘電体、圧電体、インクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びその製造方法 - Google Patents

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300071A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Canon Inc 圧電素子及びその製造方法、電子デバイス、インクジェット装置
JP2010137485A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置並びに液体噴射ヘッドの製造方法
JP2013056559A (ja) * 2012-12-27 2013-03-28 Seiko Epson Corp 液体吐出ヘッドの製造方法
JP2014183076A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Ricoh Co Ltd 圧電体薄膜素子および該圧電体薄膜素子の製造方法、並びに圧電アクチュエータ、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置
JP2015033799A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、および、液体噴射装置
JP2015222970A (ja) * 2011-07-29 2015-12-10 株式会社村田製作所 弾性波デバイスの製造方法
CN108400020A (zh) * 2018-03-06 2018-08-14 云南大学 一类层状钙钛矿型纳米氧化物的超级电容器电极材料

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060000542A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Yongki Min Metal oxide ceramic thin film on base metal electrode
US7497962B2 (en) * 2004-08-06 2009-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing liquid discharge head and method of manufacturing substrate for liquid discharge head
US7290315B2 (en) * 2004-10-21 2007-11-06 Intel Corporation Method for making a passive device structure
US7629269B2 (en) * 2005-03-31 2009-12-08 Intel Corporation High-k thin film grain size control
US7375412B1 (en) * 2005-03-31 2008-05-20 Intel Corporation iTFC with optimized C(T)
US20060220177A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Palanduz Cengiz A Reduced porosity high-k thin film mixed grains for thin film capacitor applications
US7453144B2 (en) * 2005-06-29 2008-11-18 Intel Corporation Thin film capacitors and methods of making the same
JP2008258516A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Funai Electric Co Ltd 圧電素子及び結晶質セラミックスの成膜方法
KR100901201B1 (ko) * 2008-02-22 2009-06-08 서울시립대학교 산학협력단 초음파 스피커용 세슘디옥사이드가 첨가된피에스엔-피지티 세라믹스의 제조방법
CN102113145B (zh) * 2009-01-20 2013-06-05 松下电器产业株式会社 压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用了压电发电元件的发电方法
JP5527527B2 (ja) 2010-03-12 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
TWI450426B (zh) * 2010-09-09 2014-08-21 Microjet Technology Co Ltd 壓電致動模組及其所適用之壓電噴墨頭之製造方法
EP2617076B1 (en) * 2010-09-15 2014-12-10 Ricoh Company, Limited Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof
JP5743059B2 (ja) * 2011-01-19 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外線センサー
JP5751407B2 (ja) * 2011-01-19 2015-07-22 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外線センサー
JP5743060B2 (ja) * 2011-01-19 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外線センサー
JP6020784B2 (ja) * 2011-01-19 2016-11-02 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー
CN102136315B (zh) * 2011-03-21 2012-08-15 四川师范大学 多层陶瓷全面积LNO/Ag/LNO复合电极及制备方法
JP5836754B2 (ja) * 2011-10-04 2015-12-24 富士フイルム株式会社 圧電体素子及びその製造方法
US9761785B2 (en) 2011-10-17 2017-09-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing
US8866367B2 (en) 2011-10-17 2014-10-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making
US10387824B2 (en) * 2012-12-21 2019-08-20 United Parcel Service Of America, Inc. Systems and methods for delivery of an item
JP6123992B2 (ja) * 2013-03-05 2017-05-10 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子及びその製造方法
JP5528612B1 (ja) * 2013-07-09 2014-06-25 Roca株式会社 半導体装置
US9590050B2 (en) 2014-05-08 2017-03-07 Flosfia, Inc. Crystalline multilayer structure and semiconductor device
CN104505146B (zh) * 2014-11-20 2017-02-22 北京工业大学 一种具有纳米核壳及内晶型结构的介电复合材料及制备方法
EP3458270A4 (en) * 2016-09-26 2020-01-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. THIN FILM STACK
US11302618B2 (en) * 2018-04-09 2022-04-12 Intel Corporation Microelectronic assemblies having substrate-integrated perovskite layers
JP7341155B2 (ja) * 2018-09-28 2023-09-08 日本碍子株式会社 センサ素子およびセンサ素子を製造する方法
JP2022514522A (ja) 2019-04-29 2022-02-14 ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 耐腐食性微小電子機械流体吐出デバイス
US20220048763A1 (en) * 2019-04-29 2022-02-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Manufacturing a corrosion tolerant micro-electromechanical fluid ejection device
US12308365B2 (en) 2021-06-21 2025-05-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film structure including method of manufacturing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058525A (ja) * 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 金属酸化物誘電体膜の気相成長方法
JP2003209303A (ja) * 2001-11-08 2003-07-25 Seiko Epson Corp 圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッド
JP2004096050A (ja) * 2002-09-04 2004-03-25 Seiko Epson Corp 強誘電体デバイスの作製方法、およびそれを用いた強誘電体メモリ、圧電素子、インクジェット式ヘッドおよびインクジェットプリンタ
JP2004153233A (ja) * 2002-09-05 2004-05-27 Seiko Epson Corp 電子デバイス用基体及びその製造方法並びに電子デバイス

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3104550B2 (ja) 1994-10-17 2000-10-30 松下電器産業株式会社 圧電アクチュエータおよびその製造方法
KR100292012B1 (ko) * 1995-06-28 2001-11-15 엔, 마이클 그로브 실리콘에집적된강유전체커패시터를위한장벽층
JP3435966B2 (ja) * 1996-03-13 2003-08-11 株式会社日立製作所 強誘電体素子とその製造方法
JP3347010B2 (ja) * 1997-01-30 2002-11-20 株式会社東芝 薄膜誘電体素子
JP3684059B2 (ja) * 1998-01-07 2005-08-17 株式会社東芝 半導体装置
JP3817730B2 (ja) * 2001-12-10 2006-09-06 セイコーエプソン株式会社 圧電アクチュエータの製造方法、インクジェット式記録ヘッド、及びプリンタ
JP4099818B2 (ja) 2001-12-10 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド
EP1367658B1 (en) * 2001-12-18 2016-04-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, manufacturing method thereof, and ink jet type recording apparatus
JP3902023B2 (ja) 2002-02-19 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 圧電アクチュエータ、液滴噴射ヘッド、およびそれを用いた液滴噴射装置
JP2004006722A (ja) * 2002-03-27 2004-01-08 Seiko Epson Corp 圧電アクチュエータ、インクジェット式ヘッド及び吐出装置
JP4432776B2 (ja) 2002-05-15 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 圧電アクチュエータ及び液体噴射ヘッド
JP2003347618A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電素子、インクジェットヘッド及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置
US6969157B2 (en) 2002-05-31 2005-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, method for manufacturing the same, and ink jet recording apparatus
US7083270B2 (en) * 2002-06-20 2006-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, method for manufacturing the same, and ink jet recording apparatus
JP3873935B2 (ja) * 2003-06-18 2007-01-31 セイコーエプソン株式会社 強誘電体メモリ素子
JP4165347B2 (ja) * 2003-06-25 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 圧電素子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058525A (ja) * 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 金属酸化物誘電体膜の気相成長方法
JP2003209303A (ja) * 2001-11-08 2003-07-25 Seiko Epson Corp 圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッド
JP2004096050A (ja) * 2002-09-04 2004-03-25 Seiko Epson Corp 強誘電体デバイスの作製方法、およびそれを用いた強誘電体メモリ、圧電素子、インクジェット式ヘッドおよびインクジェットプリンタ
JP2004153233A (ja) * 2002-09-05 2004-05-27 Seiko Epson Corp 電子デバイス用基体及びその製造方法並びに電子デバイス

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300071A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Canon Inc 圧電素子及びその製造方法、電子デバイス、インクジェット装置
JP2010137485A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置並びに液体噴射ヘッドの製造方法
US8579417B2 (en) 2008-12-15 2013-11-12 Seiko Epson Corporation Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, actuator device, and manufacturing method of liquid ejecting head
JP2015222970A (ja) * 2011-07-29 2015-12-10 株式会社村田製作所 弾性波デバイスの製造方法
JP2013056559A (ja) * 2012-12-27 2013-03-28 Seiko Epson Corp 液体吐出ヘッドの製造方法
JP2014183076A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Ricoh Co Ltd 圧電体薄膜素子および該圧電体薄膜素子の製造方法、並びに圧電アクチュエータ、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置
JP2015033799A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、および、液体噴射装置
US9656468B2 (en) 2013-08-09 2017-05-23 Seiko Epson Corporation Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
US10093092B2 (en) 2013-08-09 2018-10-09 Seiko Epson Corporation Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
CN108400020A (zh) * 2018-03-06 2018-08-14 云南大学 一类层状钙钛矿型纳米氧化物的超级电容器电极材料
CN108400020B (zh) * 2018-03-06 2020-10-30 云南大学 一类层状钙钛矿型纳米氧化物的超级电容器电极材料

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Publication number Publication date
KR100777468B1 (ko) 2007-11-20
EP1585180A2 (en) 2005-10-12
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US7265483B2 (en) 2007-09-04

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