JP2005311348A - バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板1の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層2により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板1の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層2を形成する。炭化珪素基板1の表面を化学機械研磨で処理し、次いで水素エッチングで処理することにより、さらにエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を低減することができる。
【選択図】図1
Description
発生する電子と正孔の再結合エネルギーによって積層欠陥へと変換され、通電時間の増加に伴って積層欠陥の面積が増大する。積層欠陥の領域は、通電時に高抵抗領域として作用するため、積層欠陥の面積拡大に伴ってバイポーラ素子の順方向電圧が増大する。順方向電圧が増加すると、素子の損失が増大するため、この素子を用いたインバータなどの電力変換装置の損失増大、信頼性低下を引き起こす。
が使用されることが多い。
の表面のベーサルプレーン転位3のうち数%程度がエピタキシャル成長時にエピタキシャル層2にベーサルプレーン転位3としてそのまま伝播し、残りはスレッディングエッジ転位4(threading edge転位)に変換されてエピタキシャル層2に伝播する。なお、同図において5は(0001)Si面、θはオフ角である。
本発明のバイポーラ型半導体装置は、通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層により形成した
バイポーラ型半導体装置であって、
前記炭化珪素基板におけるエピタキシャル成長させる表面の表面粗さRmsが0.1〜0.6nmであることを特徴としている。
本発明のバイポーラ型半導体装置は、前記炭化珪素基板におけるエピタキシャル成長させる結晶面が(000−1)C面であり、オフ角が1〜8°であることを特徴としている。
炭化珪素基板の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層を形成することを特徴としている。
炭化珪素基板の表面を化学機械研磨で処理し、次いで水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層を形成することを特徴としている。
本発明のバイポーラ型半導体装置の製造方法は、オフ角が1〜8°である炭化珪素基板の(000−1)C面からエピタキシャル成長させることを特徴としている。
本発明のバイポーラ型半導体装置の製造方法によれば、SiC単結晶基板からエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を大幅に低減することができる。
6H−SiC、15R−SiCなどが挙げられるが、絶縁破壊強度および移動度が高く、異方性が比較的小さい4H−SiCが好ましく用いられ、後述する水素エッチング処理、または化学機械研磨処理と水素エッチング処理との併用によりエピタキシャル層中のベーサルプレーン転位密度が大幅に低減する。
hanical Polishing)により基板表面を処理すると、エピタキシャル層
のベーサルプレーン転位密度がきわめて少なくなる。図2に一般的なCMP装置の概略構成を示す。SiC単結晶基板14は研磨ヘッド11に固定され、ターンテーブル12上の研磨パッド13にSiC単結晶基板14を加圧して押し付けた状態で、スラリー供給ノズル15から研磨スラリーを滴下しながら研磨パッド13とSiC単結晶基板14のいずれか一方または両方を回転モータにより回転させ、化学的および機械的作用によって研磨を行う。研磨スラリーは通常、溶媒、砥粒および添加剤からなり、例えばコロイダルシリカのようなシリカ系微粒子などを砥粒として水に分散させるとともに必要な添加剤を加え、pHを調整したものなどが使用される。
出できる。結晶表面から距離rの位置に、絶対値bのバーガースベクトルを有する転位が存在するとき、この転位と鏡像関係にある転位の持つ力(鏡像力)Fは、
この式から分かるように、結晶表面から転位までの距離dが近くなるほど鏡像力は大きくなる。また、この鏡像力の値が負であることは、転位と表面との間に引力が働くことを示している。すなわち図5(b)に示したように、SiC単結晶中に存在するベーサルプレーン転位には、ベーサルプレーン転位が表面に近づいていくと、次第に表面に対して垂直になろうとする引力が働くようになる。
SiC単結晶基板の(0001)Si面上あるいは(000−1)C面上へエピタキシャル成長させる場合には、C軸から数度傾けた結晶面が使用される。このため、エピタキシャル膜表面は原子レベルでは階段状の表面(原子ステップ)を有している。図5(c)に
示したように、それぞれの原子ステップ42が個々にばらけた状態である理想的な平坦表面の場合、エピタキシャル膜の表面とエピタキシャル膜の内部に存在するベーサルプレーン転位41との距離dは最小となり、ベーサルプレーン転位41が表面から受ける鏡像力(引力)が最大となる。このため、ベーサルプレーン転位41は結晶表面にほぼ垂直な方向(C軸方向)に向きを変えながら(すなわちスレッディングエッジ転位へ変換されて)エピタキシャル単結晶膜の内部を伝搬する。
にスレッディングエッジ転位へ変換されるベーサルプレーン転位の割合が増加する。
p型成長層は、p型接合層24とp+型コンタクト層25からなる。p型接合層24はアクセプタ密度5×1017cm-3、膜厚1.5μmである。p+型コンタクト層25はアクセプタ密度1×1018cm-3、膜厚0.5μmである。
[実施例1]
縦型ホットウォール炉を用いて、改良レーリー法により成長させたインゴットをオフ方
向[11−20]、オフ角度8°でスライスし、表面を砥粒による機械研磨で鏡面状としたn型の4H−SiC(0001)基板に対して、流量10L/minで水素ガスを供給しながら、温度1400℃、圧力30Torrで40分間エッチング処理した。処理後の基板表面の表面粗さRmsを、セイコーインスツルメンス社製の原子間力顕微鏡SPI3800Nを用いて測定したところ、0.25nm(10μm×10μmの領域)であった。
[実施例2]
水素エッチング処理を行う前に、基板表面を化学機械研磨により処理した以外は実施例1と同様にしてエピタキシャル膜付きSiC単結晶基板を得た。処理後の基板表面の表面粗さRmsを実施例1と同様の方法で測定したところ、0.20nm(10μm×10μmの領域)であった。
[実施例3]
改良レーリー法により成長させたインゴットをオフ方向[11−20]、オフ角度8°でスライスし、表面を砥粒による機械研磨で鏡面状としたn型の4H−SiC(000−1)基板を用い、実施例2と同様に化学機械研磨処理および水素エッチング処理を行った後にエピタキシャル膜を成長させた。なお、処理後の基板表面の表面粗さRmsを実施例1と同様の方法で測定したところ、0.20nm(10μm×10μmの領域)であった。
[実施例4]
改良レーリー法により成長させたインゴットをオフ方向[11−20]、オフ角度4°でスライスし、表面を砥粒による機械研磨で鏡面状としたn型の4H−SiC(0001)基板を用い、実施例2と同様に化学機械研磨処理および水素エッチング処理を行った後にエピタキシャル膜を成長させた。なお、処理後の基板表面の表面粗さRmsを実施例1と同様の方法で測定したところ、0.28nm(10μm×10μmの領域)であった。
[比較例1]
水素エッチング処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャル膜付きSiC単結晶基板を得た。なお、エピタキシャル成長させる基板表面の表面粗さRmsを実施例1と同様の方法で測定したところ、1.0nmであった。得られたエピタキシャル膜付きSiC単結晶基板について、溶融KOHエッチングとX線トポグラフによりエピタキシャル膜中のベーサルプレーン転位密度を測定したところ、1700cm-2であった。
[実施例5、比較例2]
SiCインゴットをスライスして得たn型の4H−SiC基板の表面を、化学機械研磨で処理し、次いで水素エッチングで処理した後、CVD法によりSiCをエピタキシャル成長させたエピタキシャル膜付きSiC単結晶基板を用意した。これを用いて図3のようなpnダイオードを作製し、実施例5のpnダイオードを得た。
2 SiCエピタキシャル層
3 ベーサルプレーン転位
4 スレッディングエッジ転位
5 結晶面
11 研磨ヘッド
12 ターンテーブル
13 研磨パッド
14 基板
15 スラリー供給ノズル
21 基板
23 ドリフト層
24 p型接合層
25 p+型コンタクト層
26 JTE
27 酸化膜
28 カソード電極
29 アノード電極
29a チタン膜
29b アルミニウム膜
41 ベーサルプレーン転位
41a 鏡像転位
42 原子ステップ
43 バンチングステップ
d ベーサルプレーン転位と表面との距離
θ オフ角
Claims (7)
- 通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層により形成したバイポーラ型半導体装置であって、
前記炭化珪素基板におけるエピタキシャル成長させる表面の表面粗さRmsが0.1〜0.6nmであることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。 - 前記炭化珪素基板のオフ角が1〜4°であることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラ型半導体装置。
- 前記炭化珪素基板におけるエピタキシャル成長させる結晶面が(000−1)C面であり、オフ角が1〜8°であることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラ型半導体装置。
- 通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層により形成したバイポーラ型半導体装置の製造方法であって、
炭化珪素基板の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層を形成することを特徴とするバイポーラ型半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素基板の表面を化学機械研磨で処理し、次いで水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層を形成することを特徴とする請求項4に記載のバイポーラ型半導体装置の製造方法。
- オフ角が1〜4°である炭化珪素基板の表面からエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項4または5に記載のバイポーラ型半導体装置の製造方法。
- オフ角が1〜8°である炭化珪素基板の(000−1)C面からエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項4または5に記載のバイポーラ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005089227A JP5285202B2 (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-25 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004092666 | 2004-03-26 | ||
JP2004092666 | 2004-03-26 | ||
JP2005089227A JP5285202B2 (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-25 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311348A true JP2005311348A (ja) | 2005-11-04 |
JP5285202B2 JP5285202B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=35439695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005089227A Active JP5285202B2 (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-25 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5285202B2 (ja) |
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JP2012142597A (ja) * | 2012-03-19 | 2012-07-26 | Showa Denko Kk | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5285202B2 (ja) | 2013-09-11 |
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