JP2018107476A - SiCエピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、端部欠陥は、ステップフロー成長の起点側の外周端部に、周辺の面と異なる平坦面が直線上に存在する形状の凹凸として観察されるものであり、前記SiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでの領域を、ステップフロー成長の起点側のウェハの半周に渡って外周に沿って計測した端部欠陥の個数をウェハの外周の長さで割った値が30個/m以内である。
【選択図】図1
Description
これらの欠陥は、SiCデバイスの特性、歩留りおよび信頼性等に悪影響を及ぼすため低減することが求められている。
エッジエクスクルージョンを減少させることができれば、チップの取れる有効面積率は増大し、半導体チップの収率は向上する。このため、エッジエクスクルージョンの幅をより小さく抑えることが求められている。
このため、この端部欠陥を効果的に改善することができるSiCエピタキシャルウェハの製造方法が切に求められていた。また、よりエッジエクスクルージョンの幅をより小さく抑えるために、この端部欠陥の少ないSiCエピタキシャルウェハが切に求められていた。
その結果、当該外周端部を粗研磨し、さらに仕上げ研磨することで、端部欠陥を効率的に低減することを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
またヘリカルスキャン研削は、その構成上、被研磨面にダメージを与えにくい研磨方法であるため、研磨速度を上げることができる。すなわち、生産性を高めることができる。
なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
本発明者らは、このような端部欠陥は、SiCエピタキシャルウェハの所定の領域に発生することから、以下のような原理に従い、当該欠陥が発生しているのではないかと考えた。
端部欠陥は、SiC単結晶基板10におけるステップフロー成長の起点側の外周端部2に特徴的に発生する。すなわち、上記のような欠陥メカニズムと同様に、ステップフロー成長の起点側の外周端部2がダメージを有しており、そのダメージに起因した欠陥が発生しているものと考えることができる。
SiC単結晶基板は、例えば、昇華法等によって作製したSiCバルク単結晶のインゴットの外周を研削して円柱状に加工した後、ワイヤーソー等を用いて円板状にスライス加工し、外周部を面取りして所定の直径に仕上げることで製造できる。
従来、端部欠陥は発見されていなかった、または発見されていても問題視されていなかったため、SiC単結晶基板を作製後にその端部に対し研磨等は特に行われていなかった。また行われていたとしても、外周端部の形状を整えるために行っており、当該端部欠陥の解消に至る所定の研磨工程を経たSiC単結晶基板は存在していなかった。
まず粗研磨工程でSiC単結晶基板の外周端部の形状を整える。粗研磨工程で、ステップフロー成長の起点側の外周端部2が有しているインゴットの外周研削またはスライス後の基板成型加工によるダメージ部を除去することができる。ここで「ダメージ部」は、ステップフロー成長の起点側の外周端部から数百μm程度の幅を持つ領域を意味する。
砥石を用いた通常外周研削とは、後述するが研磨砥石の回転軸と、SiC単結晶基板の回転軸とを平行とした状態で、SiC単結晶基板の端部を研削する方法である。また砥石を用いたヘリカルスキャン研削とは、後述するが研磨砥石の回転軸がSiC単結晶基板の回転軸に対して、SiC単結晶基板の外周接線方向に所定の角度傾けた状態で、SiC単結晶基板の端部を研削する方法である。テープ式の研磨方法とは、固定砥粒が形成されたラッピングフィルムを回転させ、このラッピングフィルムに被研磨面を押し付けることで研磨する研磨方法である。スラリ式の研磨方法とは、研磨剤を含む研磨液を用いて被研磨面を研磨する研磨方法である。いずれの加工方式でも、円形を維持するために基板は回転させながら加工することが好ましい。
また粗研磨工程は、通常外周研削を行うことが好ましい。通常外周研削は被研磨面との接触圧力が大きいため、スループットを高めることができる。
粗研磨工程でSiC単結晶基板の外周端部の表面粗さRaをある程度整えておくことで、仕上げ研磨工程においてSiC単結晶基板がダメージを受けることを抑制することができる。そのため、表面粗さは小さければ小さい程好ましい。
粗研磨工程後のSiC単結晶基板の外周端部を仕上げ研磨する。仕上げ研磨工程を行うことで、粗研磨工程で外周端部に生じたダメージ部を除去しながら研磨を行う。
そのため仕上げ研磨は、外周端部に深いダメージを与えない方法であれば特に制限されない。外周端部に深いダメージを与えない方法とは、具体的には高番手の研磨砥粒を用いたテープ式の研磨方法やスラリ式の研磨方法で研磨を行うことや、ヘリカルスキャン研削を行うことが好ましい。なかでも、ヘリカルスキャン研削が特に好ましい。ヘリカルスキャン研削を用いると、研磨砥粒の番手を下げることができ、効率的に研磨を行うことができる。これは、砥石が傾くことで実効的なワークに対する砥粒の間隔が狭くなるため、同じ番手の砥石での加工でもヘリカル研削の方が通常の外周研削等より面粗さを良好にできるためである。
なお、「SiC単結晶基板の外周接線方向」とは、図6及び図7に示すように、SiC単結晶基板10を外周端面側から平面視した際に、SiC単結晶基板によって形成される直線と平行な方向を意味する。すなわち、「SiC単結晶基板の回転軸方向に対しSiC単結晶基板の外周接線方向に傾斜」とは、図7におけるSiC単結晶基板の回転軸方向Aに対し研磨砥石を図示右側に傾けても、図示左側に傾けてもよい。
ヘリカルスキャン研削は、例えば、特許文献2および特許文献3のようにSi基板の面取り加工にもちいられることがある。しかし、Si基板では、本発明の端部欠陥が発生しないため、特許文献2および特許文献3の記載より本発明に至ることはできない。
角度θが45°超であると、研磨砥石20の稼働方向に対する研磨面21の角度が大きく、研磨砥石20を稼働させる際にステップフロー成長の起点側の外周端部2にダメージを与えるおそれがある。また角度が1°未満であると、ヘリカルスキャン研削の効果を十分発揮することができず、ダメージを抑制することが困難になる。
研磨砥石20の稼働速度が1μm/min未満であると、仕上げ研磨に時間がかかり過ぎ生産性を高めることが難しい。また 研磨砥石20の稼働速度が20μm/min超であると、僅かなパーティクルが研磨面21とSiC単結晶基板10の間に噛みこんでも、外周端部に沿って大きなダメージを生じさせてしまうおそれがある。
回転速度が当該範囲であれば、ダメージを抑制しつつ、生産性を高めることができる。
研磨砥石20の回転速度が1000rpm未満であると、研磨面の表面粗さRaを十分小さくすることが難しい。また研磨砥石20の回転速度が100000rpm超であると、回転速度が速すぎるため、研磨砥石20が振動し、研磨面21とSiC単結晶基板10の外周端部の間隔を一定に保つことが難しくなる。すなわち、研磨面21とSiC単結晶基板10の外周端部が衝突し、SiC単結晶基板10の外周端部がダメージを受けてしまう。
研磨砥粒が#2000未満であると、砥粒が大きいためステップフロー成長の起点側の外周端部2がダメージを受けてしまう。また十分な表面粗さRaを得ることができない。
またヘリカルスキャン研削以外の方法で仕上げ研磨を行う場合は、ヘリカルスキャン研削の場合の研磨砥粒より高番手の研磨砥粒を用いることが好ましい。
SiCエピタキシャル膜の成長は、特に制限されるものではなく、従来の方法を用いることができる。例えば、減圧排気可能なチャンバ(成膜室)内に、原料ガスを供給しながら、加熱されたSiC単結晶基板の面上に層を堆積成長させる化学的気相成長方法等を用いることができる。原料ガスとしては、Si源にシラン(SiH4)、ジクロロシラン(SiCl2H2)、トリクロロシラン(SiCl3)、四塩化ケイ素(SiCl4)等を用いることができ、炭素(C)源にプロパン(C3H8)、エタン(C2H6)等を用いることができる。また、キャリアガスとして水素(H2)を含むもの等を用いことができる。
したがって、本発明のエピタキシャルウェハの製造方法は、上記のような簡便な方法を行うだけで、端部欠陥を容易に除去することができ、生産性の面で非常に好ましい。
本発明のエピタキシャルウェハは、オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、SiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでに、ウェハ全周平均で端部欠陥が30個/m以内である。これは端部欠陥の個数をウェハ外周の長さで割って求めることができる。また、外周端部1mmの面積で割って単位面積当たりの密度として、3.0個/cm2以内と表現することができる。さらに、端部欠陥が発生するステップフロー上流側のウェハ半分の外周部(半円周)のみに注目して規定した場合は、この半分の長さになるため、オフ角度の形成された基板でステップフローの上流側となる半円周状で、それぞれ60個/m以内、6.0個/cm2以内と表すこともできる。
端部欠陥は、周辺の面と異なる平坦面が直線状に存在する形状の凹凸として観察されるため、光学顕微鏡で個数をカウントし、求めることができる。また複数の欠陥が局所的に高密度で発生する場合や数mmの間隔を空けて発生する場合もあるため、発生の仕方が一様ではないという特徴を有している。その為、端面欠陥の数は、外周に沿って計測した個数を外周の長さで割り、その単位長さ辺りの個数として表すことが適している。端面端部欠陥の個数は、ステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmの領域を、SiCエピタキシャルウェハの半周に渡って顕微鏡を用いて確認し、カウントした。
ここでいう、「SiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまで」とは、SiC単結晶基板の外周から1mmまでの領域であって、図1の中心線Cより左側の部分を意味する。尚、SiCエピタキシャルウェハの半周に渡って顕微鏡を用いて確認したのは、端部欠陥はステップフロー成長の起点側と逆側の外周部にあたる半周には発生しないため、基本的には全周測定しても、カウント数は変わらない。
このような端部欠陥があると、SiCエピタキシャルウェハ上にデバイスを形成する際に、酸化膜の膜剥がれ、亀裂等を生み出す原因となる。そのため、端部欠陥を有する部分はチップの有効部分として利用することができず、エッジエクスクルージョンの幅を十分小さくすることができない。そのため、端部欠陥を低減することが有効であることを見出した。
従来のエピタキシャルウェハでは、SiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部が有しているダメージ部から、ステップフロー成長に伴い端部欠陥が成長する。そのため、従来、このような端部欠陥は、SiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでに、30個/m以上存在した。しかし、本発明では、そのSiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部に所定の研磨を行うことで、端部欠陥を抑制できることを見出した。
SiC単結晶基板として4インチの4°オフ角を有するSiC単結晶基板を準備した。まず、このSiC単結晶基板の外周端部を#600の研磨砥石を用いて、通常外周研削を行った。次に、#3000の研磨砥石を用いて、SiC単結晶基板10の外周接線方向に対し、砥石の回転軸を5°傾け、砥石の稼働速度は、10μm/min、砥石の回転速度は、35000rpmでヘリカル研削を行った。ヘリカル研削は東精エンジニアリング社製のW−GM−4200を用いた。このときの仕上がり面はミラー面であり、Raが27nmであった。
その後、成膜面であるSiC単結晶基板のSi面をCMP加工し、Si系ガスとしてシラン、C系ガスとしてプロパンを供給しながら、化学的気相成長装置でエピタキシャル膜を10μm成長させた。図8は、実施例1のエピタキシャル膜形成後のステップフロー成長の起点側の外周端部の共焦点顕微鏡画像であり、図8(a)はエピタキシャル成長前の円弧外周上部であり、図8(b)はエピタキシャル成長前の円弧外周下部であり、図8(c)はエピタキシャル成長後の円弧外周上部であり、図8(d)はエピタキシャル成長後の円弧外周下部である。
このときSiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでに、端部欠陥が22個/mであった。
ヘリカル研削後の端面をスラリ式研磨法で、さらにエッジポリッシュ(EP)した点のみが実施例1と異なる。図9は、実施例2のエピタキシャル膜形成後のステップフロー成長の起点側の外周端部の共焦点顕微鏡画像であり、図9(a)はエピタキシャル成長前の円弧外周上部であり、図9(b)はエピタキシャル成長前の円弧外周下部であり、図9(c)はエピタキシャル成長後の円弧外周上部であり、図9(d)はエピタキシャル成長後の円弧外周下部である。このときの仕上がり面はミラー面であり、Raが10nm以下であった。
比較例1は、仕上げ研磨工程を行わっていない点のみが実施例1と異なる。図10は、比較例1のエピタキシャル膜形成後のステップフロー成長の起点側の外周端部の共焦点顕微鏡画像であり、図10(a)はエピタキシャル成長前の円弧外周上部であり、図10(b)はエピタキシャル成長前の円弧外周下部であり、図10(c)はエピタキシャル成長後の円弧外周上部であり、図10(d)はエピタキシャル成長後の円弧外周下部である。このときの仕上がり面は粗面であり、Raが89nmであった。
このときSiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでに、端部欠陥が166個/mであった。
比較例2は、追加でゴム砥石によるミラー加工を行っている点のみが比較例1と異なる。図11は、比較例2のエピタキシャル膜形成後のステップフロー成長の起点側の外周端部の共焦点顕微鏡画像であり、図11(a)はエピタキシャル成長後の円弧外周上部であり、図11(b)はエピタキシャル成長後の円弧外周下部である。このときの仕上がり面はミラー面であり、Raが15nm以下であった。またSiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでに、端部欠陥が118個/mであった。
比較例3は、ミラー加工をスラリ式のエッジポリッシュ(EP)を用いた点が比較例2と異なる。図12は、比較例3のエピタキシャル膜形成後のステップフロー成長の起点側の外周端部の共焦点顕微鏡画像であり、図12(a)はエピタキシャル成長後の円弧外周上部であり、図12(b)はエピタキシャル成長後の円弧外周下部である。このときの仕上がり面はミラー面であり、Raが15nm以下であった。またSiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでに、端部欠陥が74個/mであった。
比較例4は、ミラー加工をラッピングフィルムによるテープ式のエッジポリッシュ(EP)を用いた点が比較例2と異なる。図13は、比較例4のエピタキシャル膜形成後のステップフロー成長の起点側の外周端部の共焦点顕微鏡画像であり、図13(a)はエピタキシャル成長後の円弧外周上部であり、図13(b)はエピタキシャル成長後の円弧外周下部である。
このときSiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでに、端部欠陥が138個/mであった。このときの仕上がり面はミラー面であり、Raが15nm以下であった。
Claims (2)
- オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、
前記SiC単結晶基板におけるステップフロー成長の起点側の外周端部から1mmまでの領域を、ステップフロー成長の起点側のウェハの半周に渡って外周に沿って計測した端部欠陥の個数をウェハの外周の長さで割った値が30個/m以内であり、
前記端部欠陥は、ステップフロー成長の起点側の外周端部に、周辺の面と異なる平坦面が直線上に存在する形状の凹凸として観察されるものであることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。 - 前記SiCエピタキシャル層の厚さが5μm以上である、請求項1に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021034670A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311348A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Kansai Electric Power Co Inc:The | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
US20070290211A1 (en) * | 2004-03-26 | 2007-12-20 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Bipolar Semiconductor Device and Process for Producing the Same |
JP2010195598A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板 |
JP2011219297A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ |
JP2013219206A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 |
JP2014033220A (ja) * | 2013-10-01 | 2014-02-20 | Showa Denko Kk | SiCエピタキシャルウェハ |
JP2014058411A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 |
-
2018
- 2018-03-20 JP JP2018053498A patent/JP6481790B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311348A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Kansai Electric Power Co Inc:The | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
US20070290211A1 (en) * | 2004-03-26 | 2007-12-20 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Bipolar Semiconductor Device and Process for Producing the Same |
JP2010195598A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板 |
JP2011219297A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ |
JP2013219206A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 |
US20140073228A1 (en) * | 2012-04-10 | 2014-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide single-crystal substrate and method for manufacturing same |
JP2014058411A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 |
JP2014033220A (ja) * | 2013-10-01 | 2014-02-20 | Showa Denko Kk | SiCエピタキシャルウェハ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021034670A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
JP7467843B2 (ja) | 2019-08-29 | 2024-04-16 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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