JP2005268469A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板の主面上に高融点金属膜からなる配線を形成し、その後、前記半導体基板の主面と反対側の裏面に不純物をイオン注入して半導体領域を形成し、その後、前記半導体領域の不純物を活性化させる熱処理を施し、その後、半導体基板の主面上に最終保護膜を形成する
【選択図】 図9
Description
本発明の他の目的は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの特性の向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
本発明によれば、半導体基板の裏面にイオン注入によって形成された半導体領域の不純物活性化率の向上及び半導体基板の裏面のダメージ回復向上を図ることができる。
本発明の他の目的は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの特性の向上を図ることができる。
本実施形態では、トレンチ型IGBTを有する半導体装置に本発明を適用した例について説明する。
図2は、図1のトレンチ型IGBTの構造を示す模式的断面図であり、
図3乃至図10は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式的断面図である。
まず、図1に示すように、比抵抗が60[Ωcm]程度の単結晶シリコンからなるn型半導体基板1を準備し、その後、n型基板1の主面1xに図4に示すp型半導体領域2及びn型半導体領域6を形成する。これら半導体領域(2,6)は、n型基板1の主面1xに不純物をイオン注入し、その後、不純物を活性化させる熱処理を施すことによって形成される。
ここで、トレンチ型IGBT−20の特性は、n型基板1の裏面1yに形成されたn型半導体領域10a及びp型半導体領域(コレクタ領域)10bの不純物の活性化、及び、これらの半導体領域(10a,10b)の形成工程でのイオン注入によってn型基板1の裏面1yに生じた結晶欠陥(ダメージ)の回復に影響するため、不純物の活性化及びダメージ回復を十分に行う必要がある。
前述の実施形態では、配線9を形成した後に、半導体領域(10a,10b)の不純物を活性化させる熱処理を行っているが、図11に示すように、半導体領域(10a,10b)の不純物を活性化させる熱処理を実施し、その後、図12に示すように、n型基板1の主面上に配線9を形成してもよい。この場合、配線9の材料として融点が低い従来のアルミニウム膜若しくはAl合金膜を使用しても、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
例えば、本発明は、プレナー型IGBTを有する半導体装置に適用できる。
Claims (5)
- 半導体基板の主面上に配線を形成する(a)工程と、
前記(a)工程の後、前記半導体基板の主面と反対側の裏面に不純物をイオン注入して半導体領域を形成する(b)工程と、
前記(b)工程の後、前記半導体領域の不純物を活性化させる熱処理を施す(c)工程と、
前記(c)工程の後、前記半導体基板の主面上に最終保護膜を形成する(d)工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線は、前記半導体領域の不純物を活性化させる熱処理時の温度よりも融点が高い金属膜からなり、
前記最終保護膜は、樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程の後であって前記(b)工程の前に、前記半導体基板の裏面を加工して前記半導体基板の厚さを薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体領域は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのコレクタ領域であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主面と反対側の裏面に不純物をイオン注入して半導体領域を形成する(a)工程と、
前記(a)工程の後、前記半導体領域の不純物を活性化させる熱処理を施す(b)工程と、
前記(b)工程の後、前記半導体基板の主面上に配線を形成する(c)工程と、
前記(c)工程の後、前記半導体基板の主面上に最終保護膜を形成する(d)工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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