JP2005267744A - 半導体記憶装置、及びタイミング制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置としてのSRAM10は、複数のメモリセル21からなるメモリセルアレイ11と、該メモリセルのデータにアクセスするためのタイミング制御を行うタイミング制御回路18とを備える。SRAM10には、ダミー回路として、ダミーワード線DWLと、該ダミーワード線DWLに接続される複数のダミーセル22と、ダミーセル22aからデータを読み出すためのダミービット線DBL,XDBLとが設けられている。ダミービット線DBL,XDBLを使用してダミーセル22aからデータを読み出すための第1のパスと、該第1のパスとは異なるディレイ特性を持つ第2のパスとでタイミング信号を生成し、該各タイミング信号のいずれか一方を制御回路18のタイミング制御に使用する。
【選択図】 図1
Description
近年の半導体記憶装置では、高集積化や動作速度の高速化が進んでおり、その製造プロセスのバラツキにより回路動作のタイミングがずれてしまう場合がある。そのため、半導体記憶装置におけるタイミング制御では、プロセスバラツキを考慮した適切な動作マージンを確保する必要がある。
半導体記憶装置1は、メモリセルアレイ11、ワード線ドライバ12、コラムスイッチ13、ライトアンプ14、センスアンプ15、入力回路16、出力回路17、及びタイミング制御回路18を含む。
図7(a)に示すように、ワード線ドライバ12によりワード線WLが選択される(Hレベルに活性化される)と、メモリセル21の記憶データに基づいてビット線BL,XBLが駆動され、その一方の電位(図7ではビット線XBLの電位)が高電位側の電源電圧VDDからグランドレベルに徐々に低下する。センスアンプ15の起動信号STAは、ワード線WLの活性化後において所定時間の経過後に出力される。具体的に、センスアンプ15の起動信号STAは、ビット線XBLの電位が十分に低下して正常なデータを読み出すことが可能なタイミングt1に対して所定のマージンを見込んだタイミングでLレベルからHレベルに立ち上がる。そして、このHレベルの起動信号STAによりセンスアンプ15が起動され、各ビット線BL,XBLの電位差が増幅されてメモリセル21のデータが読み出される。
図9(a)に示すように、ワード線WLが選択されると、メモリセル21の記憶データに基づいて、ビット線対BL,XBLの一方の電位(図9ではビット線XBLの電位)が高電位側の電源電圧VDDからグランドレベルに徐々に低下する。またこのとき、そのワード線WLと同時にダミーワード線DWLが選択されるため、ダミービット線XDBLの電位も電源電圧VDDからグランドレベルに徐々に低下する。そして、ダミービット線XDBLの電位がしきい値電圧(具体的には、ダミー用タイミング制御回路20に設けられるインバータ回路のしきい値電圧)Vthよりも低下したとき、Hレベルのセルフリセット信号STCLKが出力される。タイミング制御回路18は、そのセルフリセット信号STCLKに基づいて、Hレベルの起動信号STAを出力してセンスアンプ15を活性化させる。
請求項5に記載の発明によれば、第1のパスから出力されるタイミング信号と第2のパスから出力されるタイミング信号とのうち遅いタイミングで出力されるタイミング信号が論理回路により選択されて制御回路に供給される。この場合、プロセスがスロー側にずれた場合には第1のパスのタイミング信号が選択され、プロセスがファースト側にずれた場合には第2のパスのタイミング信号が選択されるので、内部回路を適切なタイミングで動作させることが可能となる。
図1は、本実施の形態におけるSRAM10の回路構成を示すブロック図である。
コラムスイッチ13は、タイミング制御回路18から出力される選択信号SELに基づいて、所定のビット線対BL,XBLをライトアンプ14又はセンスアンプ15に接続する。
(1)SRAM10では、ダミーセル22やダミービット線対DBL,XDBLのダミー回路を経由する第1のパスと、複数のインバータ回路23aからなる遅延回路23を経由する第2のパスとの2系統の経路が設けられる。この構成により、SRAM10のプロセスがスロー側又はファースト側にばらついたとしても、適切なタイミングで起動信号STAが出力されるため、センスアンプ15の起動タイミングとして適切なマージンを確保することができる。従って、センスアンプ15にて誤ったデータを読み出すことが防止されるので、SRAM10の歩留まりの向上を図ることができる。
・図5に示すSRAM10aのように、ダミーワード線DWLに負荷用のダミーセル22はあってもなくてもよい。また、ダミービット線DBL,XDBLは、メモリセルアレイ11の外側(タイミング制御回路18から最も離れた位置)に設ける必要はなく、図5のように、内側(タイミング制御回路18に近い位置)に設けてもよい。なお、SRAM10aにおける他の構成は上記実施の形態と同じであり、同一の符号を付している。このSRAM10aにおいても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
15 周辺回路としてのセンスアンプ
18 制御回路としてのタイミング制御回路
19 ダミー用タイミング制御回路
21 メモリセル
22,22a 第1のダミーセル
22b 第2のダミーセル
23 遅延回路
23a インバータ回路
BL,XBL ビット線
DBL,XDBL ダミービット線
DWL ダミーワード線
IDB タイミング信号としての遅延信号
XDB タイミング信号としてのダミー信号
WL ワード線
Claims (6)
- 複数のワード線と、複数のビット線と、該各ワード線及びビット線の交差部に設けられたメモリセルと、前記メモリセルのデータにアクセスするためのタイミング制御を行う制御回路とを備えた半導体記憶装置であって、
ダミーワード線と、該ダミーワードに接続される複数の第1のダミーセルと、前記第1のダミーセルの少なくとも1つに接続されそのダミーセルからデータを読み出すためのダミービット線と、該ダミービット線を共有する第2のダミーセルとを含むダミー回路が設けられ、
前記ダミービット線を使用して前記第1のダミーセルからデータを読み出すための第1のパスと、該ダミービット線を使用せず前記第1のパスとは異なるディレイ特性を持つ第2のパスとでタイミング信号を生成し、該各タイミング信号のいずれか一方を前記制御回路のタイミング制御に使用することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第2のパスは、インバータ回路を直列に複数接続してなる遅延回路を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記遅延回路の各インバータ回路として、前記ダミーセルを構成するためのCMOSインバータ回路を用いたことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記制御回路により制御される周辺回路としてセンスアンプを含み、前記タイミング信号に基づいてそのセンスアンプを起動することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 第1のパスから出力されるタイミング信号と第2のパスから出力されるタイミング信号とのうち遅いタイミングで出力されるタイミング信号を選択し、そのタイミング信号を前記制御回路に供給する論理回路を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 複数のワード線と、複数のビット線と、該各ワード線及びビット線の交差部に設けられたメモリセルと、前記メモリセルのデータにアクセスするためのタイミング制御を行う制御回路とを含む通常の動作回路が設けられるとともに、ダミーワード線と、該ダミーワードに接続される複数の第1のダミーセルと、前記第1のダミーセルの少なくとも1つに接続されそのダミーセルからデータを読み出すためのダミービット線と、該ダミービット線を共有する第2のダミーセルとを含むダミー回路が設けられた半導体記憶装置におけるタイミング制御方法であって、
前記ダミービット線を使用して前記第1のダミーセルからデータを読み出すための第1のパスと、該ダミービット線を使用せず前記第1のパスとは異なるディレイ特性を持つ第2のパスとでタイミング信号を生成し、該各タイミング信号のいずれか一方を前記制御回路のタイミング制御に使用することを特徴とするタイミング制御方法。
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