JP2005251814A - 層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 - Google Patents
層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005251814A JP2005251814A JP2004056962A JP2004056962A JP2005251814A JP 2005251814 A JP2005251814 A JP 2005251814A JP 2004056962 A JP2004056962 A JP 2004056962A JP 2004056962 A JP2004056962 A JP 2004056962A JP 2005251814 A JP2005251814 A JP 2005251814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- interlayer insulating
- dry etching
- etching
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 25
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 31
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 12
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 6
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 244000132059 Carica parviflora Species 0.000 description 1
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】 フロロカーボンガスと、このフロロカーボンガスに対して1〜3倍の流量の炭化水素ガスとを含む混合ガスを用い、この混合ガスを、プラズマ雰囲気中で0.5Pa以下の作動圧力下で導入してレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をエッチングする。
【選択図】 図4
Description
11 真空チャンバ
12 プラズマ発生室
13 基板電極室
S 処理基板
Claims (11)
- レジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングして、ホール、トレンチを微細加工する層間絶縁膜のドライエッチング方法であって、フロロカーボンガスと、このフロロカーボンガスに対して1〜3倍の流量の炭化水素ガスとを含む混合ガスを用い、この混合ガスを、プラズマ雰囲気中で0.5Pa以下の作動圧力下で導入してエッチングすることを特徴とする層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記レジストマスクは、KrFフォトリソグラフィ法、ArFフォトリソグラフィ法またはF2フォトリソグラフィ法で用いられるものであることを特徴とする請求項1記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記層間絶縁膜を、シリコン酸化膜または比誘電率が3.0以下のSiOCH或いはSiOC系材料から構成したものであることを特徴とする請求項1または請求項2記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記混合ガスの主成分を不活性ガスとすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記混合ガスに、酸素を添加することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記炭化水素ガスとして、Cの数が1〜4のものを用いることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記層間絶縁膜を形成した処理基板を0〜10℃の範囲内の温度に保持してエッチングすることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の層間絶縁膜のドライエッチング方法に使用されるドライエッチング装置であって、真空排気手段を有する真空チャンバを備え、この真空チャンバを上部のプラズマ発生室と下部の基板処理室とから構成し、このプラズマ発生室と対向して基板処理室に基板載置部を配設し、プラズマ発生室に誘導結合方式で放電プラズマを発生させると共にエッチングガスを導入して、基板載置部上の処理基板に形成したレジストマスクを有する層間絶縁膜をエッチングして微細加工するドライエッチング装置において、基板載置部の面積を、プラズマ発生室の横断面積の0.5〜0.8に設定したことを特徴とするドライエッチング装置。
- 前記プラズマ発生室の中心から処理基板までの距離を、150〜250mmに設定したことを特徴とする請求項8記載のドライエッチング装置。
- 前記プラズマ発生室の側壁の外側に磁場コイルを設けると共に、この磁場コイルと側壁の外側との間に、高周波電源に接続したアンテナコイルを配置し、磁場コイルで形成した磁気中性線に沿って交番電場を加え、この磁気中性線に放電プラズマを発生させるようにしたことを特徴とする請求項8または請求項9記載のドライエッチング装置。
- 前記アンテナコイルは、パラレルアンテナ構造のものであることを特徴とする請求項10記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004056962A JP4643916B2 (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004056962A JP4643916B2 (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005251814A true JP2005251814A (ja) | 2005-09-15 |
JP4643916B2 JP4643916B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=35032039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004056962A Expired - Lifetime JP4643916B2 (ja) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | 層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4643916B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007135906A1 (ja) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Ulvac, Inc. | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
US8125069B2 (en) | 2006-04-07 | 2012-02-28 | Philtech Inc. | Semiconductor device and etching apparatus |
JP2012204367A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2013004745A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
CN112567502A (zh) * | 2018-08-24 | 2021-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻的方法和等离子体处理装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10229071A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング方法及び装置 |
JP2001035834A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Canon Inc | ドライエッチング方法 |
JP2001077090A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2002543613A (ja) * | 1999-05-05 | 2002-12-17 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 低容量の誘電体層をエッチングするための技術 |
WO2004003988A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理方法 |
-
2004
- 2004-03-02 JP JP2004056962A patent/JP4643916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10229071A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング方法及び装置 |
JP2002543613A (ja) * | 1999-05-05 | 2002-12-17 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 低容量の誘電体層をエッチングするための技術 |
JP2001035834A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Canon Inc | ドライエッチング方法 |
JP2001077090A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
WO2004003988A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8125069B2 (en) | 2006-04-07 | 2012-02-28 | Philtech Inc. | Semiconductor device and etching apparatus |
WO2007135906A1 (ja) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Ulvac, Inc. | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
CN101454878B (zh) * | 2006-05-24 | 2011-03-23 | 株式会社爱发科 | 层间绝缘膜的干式蚀刻方法 |
JP4950188B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2012-06-13 | 株式会社アルバック | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
KR101190137B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2012-10-12 | 가부시키가이샤 알박 | 층간 절연막의 드라이 에칭 방법 |
DE112007001243B4 (de) * | 2006-05-24 | 2015-01-22 | Ulvac, Inc. | Verfahren zum Trockenätzen einer Zwischenisolierschicht |
JP2012204367A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び記憶媒体 |
US9165784B2 (en) | 2011-03-23 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and storage medium |
JP2013004745A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
CN112567502A (zh) * | 2018-08-24 | 2021-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻的方法和等离子体处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4643916B2 (ja) | 2011-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4579611B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP4657458B2 (ja) | 低容量の誘電体層をエッチングするための技術 | |
KR100778260B1 (ko) | 수소로 포토레지스트를 포스트 에칭 박리하기 위한 프로세스 | |
JP4733214B1 (ja) | マスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
US8809199B2 (en) | Method of etching features in silicon nitride films | |
US20130344702A1 (en) | Method of etching silicon nitride films | |
JP5637212B2 (ja) | 基板処理方法、パターン形成方法、半導体素子の製造方法、および半導体素子 | |
JP2013030778A (ja) | 二層レジストプラズマエッチングの方法 | |
JP2006013190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20030054656A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device including two-step ashing process of N2 plasma gas and N2/H2 plasma gas | |
JP2004512673A (ja) | 炭素を含有するシリコン酸化物膜をエッチングする方法 | |
JP2007123399A (ja) | ドライエッチング方法 | |
US7183220B1 (en) | Plasma etching methods | |
JP4643916B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 | |
JP2006253245A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
JP4761502B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
JP4681217B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
TWI689007B (zh) | 蝕刻方法 | |
JP2005123550A (ja) | 異方性エッチング方法 | |
JP4651956B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
JP4500023B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
JP4144795B2 (ja) | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
JP4500029B2 (ja) | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
JP4713851B2 (ja) | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 | |
JP4316322B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061213 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081216 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4643916 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |