JP4956902B2
(ja)
*
|
2005-03-18 |
2012-06-20 |
三菱化学株式会社 |
GaN系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
|
JP4671748B2
(ja)
*
|
2005-04-25 |
2011-04-20 |
京セラ株式会社 |
発光装置用配線基板および発光装置
|
JP5030398B2
(ja)
*
|
2005-07-04 |
2012-09-19 |
昭和電工株式会社 |
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
|
WO2007004701A1
(en)
*
|
2005-07-04 |
2007-01-11 |
Showa Denko K.K. |
Gallium nitride-based compound semiconductor lihgt-emitting device
|
JP4920249B2
(ja)
*
|
2005-12-06 |
2012-04-18 |
豊田合成株式会社 |
Iii族窒化物系化合物半導体発光素子
|
JP4738999B2
(ja)
*
|
2005-12-06 |
2011-08-03 |
豊田合成株式会社 |
半導体光素子の製造方法
|
JP5048960B2
(ja)
*
|
2006-03-20 |
2012-10-17 |
パナソニック株式会社 |
半導体発光素子
|
JP4932292B2
(ja)
*
|
2006-03-23 |
2012-05-16 |
昭和電工株式会社 |
窒化物半導体素子の製造方法。
|
JP5153082B2
(ja)
*
|
2006-03-24 |
2013-02-27 |
三洋電機株式会社 |
半導体素子
|
US7737455B2
(en)
|
2006-05-19 |
2010-06-15 |
Bridgelux, Inc. |
Electrode structures for LEDs with increased active area
|
US7573074B2
(en)
|
2006-05-19 |
2009-08-11 |
Bridgelux, Inc. |
LED electrode
|
CN101523603B
(zh)
*
|
2006-08-06 |
2013-11-06 |
光波光电技术公司 |
具有一个或多个谐振反射器的ⅲ族氮化物发光器件以及用于该器件的反射工程化生长模板和方法
|
EP2097935B1
(en)
*
|
2006-12-21 |
2016-10-05 |
Koninklijke Philips N.V. |
Light-emitting apparatus with shaped wavelength converter
|
CN102779918B
(zh)
|
2007-02-01 |
2015-09-02 |
日亚化学工业株式会社 |
半导体发光元件
|
DE102007022947B4
(de)
*
|
2007-04-26 |
2022-05-05 |
OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung |
Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
|
KR20100047219A
(ko)
*
|
2007-06-15 |
2010-05-07 |
로무 가부시키가이샤 |
반도체 발광 소자
|
US7939836B2
(en)
|
2007-07-18 |
2011-05-10 |
Nichia Corporation |
Semiconductor light emitting element
|
JP5223102B2
(ja)
|
2007-08-08 |
2013-06-26 |
豊田合成株式会社 |
フリップチップ型発光素子
|
JP5251038B2
(ja)
*
|
2007-08-23 |
2013-07-31 |
豊田合成株式会社 |
発光装置
|
JP5634003B2
(ja)
*
|
2007-09-29 |
2014-12-03 |
日亜化学工業株式会社 |
発光装置
|
US8368100B2
(en)
*
|
2007-11-14 |
2013-02-05 |
Cree, Inc. |
Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
|
US9461201B2
(en)
|
2007-11-14 |
2016-10-04 |
Cree, Inc. |
Light emitting diode dielectric mirror
|
US7915629B2
(en)
*
|
2008-12-08 |
2011-03-29 |
Cree, Inc. |
Composite high reflectivity layer
|
KR101449005B1
(ko)
|
2007-11-26 |
2014-10-08 |
엘지이노텍 주식회사 |
반도체 발광소자 및 그 제조방법
|
JP2009164423A
(ja)
*
|
2008-01-08 |
2009-07-23 |
Nichia Corp |
発光素子
|
US8581283B2
(en)
|
2008-04-28 |
2013-11-12 |
Advanced Optoelectronic Technology, Inc. |
Photoelectric device having group III nitride semiconductor
|
TWI447783B
(zh)
*
|
2008-04-28 |
2014-08-01 |
Advanced Optoelectronic Tech |
三族氮化合物半導體發光元件之製造方法及其結構
|
JP5151758B2
(ja)
*
|
2008-07-18 |
2013-02-27 |
豊田合成株式会社 |
発光素子
|
JP5497301B2
(ja)
*
|
2009-01-29 |
2014-05-21 |
スタンレー電気株式会社 |
半導体発光素子及びその製造方法
|
US20100327300A1
(en)
|
2009-06-25 |
2010-12-30 |
Koninklijke Philips Electronics N.V. |
Contact for a semiconductor light emitting device
|
US9362459B2
(en)
|
2009-09-02 |
2016-06-07 |
United States Department Of Energy |
High reflectivity mirrors and method for making same
|
US9435493B2
(en)
|
2009-10-27 |
2016-09-06 |
Cree, Inc. |
Hybrid reflector system for lighting device
|
US9012938B2
(en)
|
2010-04-09 |
2015-04-21 |
Cree, Inc. |
High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
|
US9105824B2
(en)
|
2010-04-09 |
2015-08-11 |
Cree, Inc. |
High reflective board or substrate for LEDs
|
JP5637210B2
(ja)
*
|
2010-06-25 |
2014-12-10 |
豊田合成株式会社 |
半導体発光素子
|
DE102010032497A1
(de)
|
2010-07-28 |
2012-02-02 |
Osram Opto Semiconductors Gmbh |
Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
|
JP5095785B2
(ja)
|
2010-08-09 |
2012-12-12 |
株式会社東芝 |
半導体発光素子及びその製造方法
|
US8764224B2
(en)
|
2010-08-12 |
2014-07-01 |
Cree, Inc. |
Luminaire with distributed LED sources
|
WO2012035759A1
(ja)
*
|
2010-09-14 |
2012-03-22 |
パナソニック株式会社 |
バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード
|
JP5877347B2
(ja)
*
|
2010-09-14 |
2016-03-08 |
パナソニックIpマネジメント株式会社 |
バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード
|
WO2012067075A1
(ja)
*
|
2010-11-15 |
2012-05-24 |
日本電気株式会社 |
光素子
|
US8680556B2
(en)
|
2011-03-24 |
2014-03-25 |
Cree, Inc. |
Composite high reflectivity layer
|
JP5708285B2
(ja)
*
|
2011-06-10 |
2015-04-30 |
豊田合成株式会社 |
半導体発光素子及び半導体発光装置
|
US10243121B2
(en)
|
2011-06-24 |
2019-03-26 |
Cree, Inc. |
High voltage monolithic LED chip with improved reliability
|
US8686429B2
(en)
|
2011-06-24 |
2014-04-01 |
Cree, Inc. |
LED structure with enhanced mirror reflectivity
|
US9728676B2
(en)
|
2011-06-24 |
2017-08-08 |
Cree, Inc. |
High voltage monolithic LED chip
|
US8395165B2
(en)
*
|
2011-07-08 |
2013-03-12 |
Bridelux, Inc. |
Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer
|
JP5304855B2
(ja)
*
|
2011-08-12 |
2013-10-02 |
三菱化学株式会社 |
GaN系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
|
JP5949294B2
(ja)
|
2011-08-31 |
2016-07-06 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
KR101916140B1
(ko)
*
|
2012-05-14 |
2018-11-08 |
엘지이노텍 주식회사 |
발광소자
|
JP2014049603A
(ja)
|
2012-08-31 |
2014-03-17 |
Toshiba Corp |
半導体発光装置
|
JP5435523B1
(ja)
*
|
2012-10-12 |
2014-03-05 |
エルシード株式会社 |
半導体発光素子及びその製造方法
|
JP5915504B2
(ja)
|
2012-11-06 |
2016-05-11 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
KR102091831B1
(ko)
*
|
2013-01-08 |
2020-03-20 |
서울반도체 주식회사 |
발광 다이오드 및 그 제조방법
|
KR102119817B1
(ko)
*
|
2014-01-02 |
2020-06-05 |
엘지이노텍 주식회사 |
발광소자
|
US20150364651A1
(en)
*
|
2014-06-12 |
2015-12-17 |
Toshiba Corporation |
Flip-Chip Light Emitting Diode Assembly With Relief Channel
|
US10658546B2
(en)
|
2015-01-21 |
2020-05-19 |
Cree, Inc. |
High efficiency LEDs and methods of manufacturing
|
KR102404760B1
(ko)
*
|
2015-07-24 |
2022-06-07 |
쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 |
발광소자
|
JP6683003B2
(ja)
|
2016-05-11 |
2020-04-15 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体素子、半導体装置及び半導体素子の製造方法
|
JP6720747B2
(ja)
|
2016-07-19 |
2020-07-08 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体装置、基台及びそれらの製造方法
|