CN101868866A - 改良式发光二极管结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光元件、一晶圆用于制作该发光元件及该发光元件的制造方法。该元件及晶圆包括一具第一导电型材料的第一层、一主动层及一具第二导电型材料的第二层。该主动层位在该第一层上方，该主动层产生光。该第二层位在该主动层上方，该第二层具有一第一表面相邻接触该主动层及一第二表面具有一表面包含散射照在该第二表面的光的特征。一透明导电材料层相邻该第二表面且被一第一介电层覆盖，该第一介电层对于该主动层产生的光具有穿透性。一具有大于百分之九十的反射率的镜面层沉积于该第一介电层上方。

Description

改良式发光二极管结构

技术领域

本发明关于一种发光元件及其制造方法，特别是有关于一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管是一种将电能转换成光的重要固态元件。这些元件的改良使得可用在取代现行白炽灯及荧光灯源的照明装置设计。发光二极管具有足够长的寿命时间，且在某些例子具有足够高的电转化成光的效率。

发光二极管成本及转换效率是决定此新技术取代现行光源及被利用在高功率应用的重要因素。由于个别的发光二极管受限于数瓦，许多高功率应用需要多个发光二极管以达到需要的功率级。此外，发光二极管产生相当窄频谱的光。因此，在应用上若需要一特定颜色的一光源，组合发光于不同光学谱带的多个发光二极管。因此，许多以发光二极管为主的光源的成本为个别发光二极管成本的许多倍。

在将发光二极管晶粒(die)放置在终端产品的印刷电路板等之前，封装发光二极管晶粒的需要增加了发光二极管的成本。以打线方式连接晶粒于下方电路载体的传统封装的成本占最终发光二极管成本的一相当部分。因此，“覆晶(flip-chip)”封装已经发展出来，其中发光二极管晶粒改成提供发光二极管电力的焊垫位于晶粒发光表面的相对面。这些焊垫建构成使得该晶粒可直接焊接于一印刷电路板上对应的一对焊垫。不幸的是，用在增加发光二极管转换效率的技术不易实现在覆晶结构。

个别发光二极管的转换效率对于解决高功率发光二极管光源的成本是一项重要因素。在发光二极管内未转成光的电能转成热能使得发光二极管温度升高。散热限制发光二极管操做的功率范围。此外，发光二极管必须装置在具有提供散热的结构，更增加这些光源的成本。因此，假使一发光二极管转换效率可以提高，由单一发光二极管所提供的最大量光也可增加，并降低一给定光源所需的发光二极管数目。此外，发光二极管操做的成本亦反比于转换效率。因此，已有许多直接改善发光二极管转换效率的做法。

发光二极管产生的光谱通常与该发光二极管的制造材料有关。发光二极管通常包含一半导体主动层夹持于附加层之间。一发光二极管可视为具有三层，该主动层夹持在其他两层间。这些层典型地沉积在例如蓝宝石的一基板上。须注意的是，这些层的每一层典型上包含若干子层。

材料的改良已改善在主动层内产生光的效率。然而，在主动层内产生的光的相当部分被损失掉。大部分的光被用于建构发光二极管的各层吸收而损失掉。此光损失模式因大量的光被捕捉于发光二极管结构内而加剧。主动层产生的光在出光前必须通过顶层或是基板。由于主动层发出所有方向的光，从主动区域出来的光射向介于发光二极管外层的边界且光是以相对于该边界法线方向从零度至九十度的角度入射。光以大于临界角的角度射向该边界则光于该边界产生全反射。此光改变方向朝向另一外部边界且同样地反射回到发光二极管内。因此，光被捕捉于发光二极管内直到光射向发光二极管端部或被发光二极管中的材料吸收。常见以蓝宝石为基板的氮化镓基发光二极管例子中，由主动层发射出的光，其中接近百分之七十被捕捉于蓝宝石基板与氮化镓外表面之间。

有一些技术已经描述增进发光二极管的光萃取，进而可增进这些元件的光转换效率。其中一种技术是发光二极管的一外表面从一平滑表面转换成一粗糙表面。另一表面反射回来的一些光回到该粗糙表面的一位置使光于临界角以内，因此光可以逃脱而不是又再一次反射。其余光被反射回来朝向平滑表面，并且回到该粗糙表面的一新位置及一角度范围，因此，一部分的光也逃脱，且以此类推。

典型覆晶发光二极管，是从发光二极管的底表面发光，例如，经由发光二极管层沉积于其上的基板出光。提供一粗糙表面于基板/空气边界对于降低夹持于空气及蓝宝石间的高折射系数氮化镓层内的光捕捉不是有效的。因此，该粗糙表面通常提供在发光二极管的顶表面，除非是藉成长氮化镓在一表面图案化蓝宝石基板上以形成该粗糙表面在该氮化镓底表面。然而，在覆晶设计中，发光二极管的顶表面必须是一反射器。为将该粗糙表面转换成一反射器，一金属层例如银被施予在该表面。不幸地，此一层由于下方粗糙层造成的表面等离子效应使得其反射率远小于百分之百。

为避开此问题，现有技术的元件利用移除该基板以曝露出外延成长的氮化镓的底层。首先，发光二极管被焊接到一新基板，该蓝宝石基板被移除，然后该底表面被粗糙化。然而，此技术有其自身问题。首先，该基板移除工艺不像其他制造发光二极管工艺一样已经发展得相当良好。第二，该工艺包含一些额外步骤使得发光二极管成本增加。最后，若在任何期间内，发光二极管晶圆(wafer)没有基板，该晶圆会极度易脆而受到损坏。

发明内容

本发明包含一种发光元件、一晶圆用于制作该发光元件及该发光元件的制造方法。该元件及晶圆包括一具第一导电型材料的第一层、一主动层，及一具第二导电型材料的第二层。该主动层位在该第一层上方，当空穴与电子于该主动层中复合时，该主动层产生光。该第二层位在该主动层上方，该第二层具有一第一表面相邻接触该主动层及一第二表面具有一表面包含散射照在该第二表面的光的特征。一透明导电材料层相邻该第二表面且被一第一介电层覆盖，该第一介电层是对于该主动层产生的光具有穿透性。一具有大于百分之九十的反射率的镜面层(mirror layer)沉积于该第一介电层上方。本发明中一态样，该镜面层通过一导电路径连接至该第一层及该第二层其中一者且一接触层位在该镜面层上方，该接触层通过一导电路径连接至该第一层及该第二层其中另一者。本发明中另一态样，该镜面层及该接触层连接至在该元件顶表面上的焊垫，用于连接该元件至一印刷电路板或其类似者。

附图说明

图1是根据本发明一实施例的一发光二极管剖面图。

图2是根据本发明另一实施例的一发光二极管剖面图。

图3是根据本发明另一实施例的一发光二极管剖面图。

图4是图3中发光二极管40沿线4-4的断面俯视图。

图5至图10是根据本发明一实施例的发光二极管工艺不同阶段对应的一晶圆80的部分剖面图。

图11是显示通过切割晶圆以分割成两晶粒的该晶圆区域。

图12是根据本发明一实施例的晶圆200。

图13是根据本发明另一实施例的一晶圆部分剖面图。

图14是根据本发明另一实施例的一发光二极管剖面图。

具体实施方式

本发明提供优点的方式可通过参考图1更易于了解。图1是根据本发明一实施例的一发光二极管的剖面图。发光二极管20是由在一蓝宝石基板21上外延成长若干层氮化镓家族材料层而建构出来。为简化以下的讨论，这些层归成三层。一N型层22、一主动层23及一P型层24。然而，需了解这些层的每一层可包含若干子层彼此有不同的组成。除此之外，须注意到图中这些层并未按照真实比例绘制。

当来自相邻层的空穴(hole)及电子于主动层23内复合时，主动层23产生光。主动层23可由藉氮化镓层隔开的多层氮化镓铟所构成。该主动区域的详细构造为熟知的技术，因此在此不再赘述。

使P型层24的上表面粗糙化可在P型层24沉积完成后通过一适当刻蚀程序达成或者可在成长期间最后部分通过适当地改变晶体成长条件达成。粗糙化该P型层的方法亦为已知技术，因此在此不多作讨论。在基板21上具有层22-24的晶圆其层24已经粗糙化，可由不同半导体制造厂提供。

一透明导电层25沉积于P型层24粗糙表面上。铟锡氧化物(ITO)可用以建构层25。层25扮演着一电流散布层。P型层24的阻值太大以致于当一电位施加于P型层24一侧时电流无法均匀分布在主动层。因此层25用以提供覆盖于P型层24表面的一透光接触。

光照射在层24的粗糙表面将被散射回到基板21或者穿透该表面。穿透该表面的光将被包覆于一介电层26内的一镜面层27反射并穿过该粗糙层24。该镜面层可由银或铝建构，银或铝在最大入射角范围具有最高的蓝光反射率。介电包覆层可由两层旋涂式玻璃(spin-on glass)构成或其他常见介电质例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成。该第一层沉积于晶圆上方并提供一平滑顶表面由银沉积于其上。镜面沉积于上方的该表面的平滑度对于该镜面性能极为关键。若该表面粗糙，该镜面的蓝光(波长约450nm)反射率将明显低于百分之九十。对于该第一层选择旋涂式玻璃是由于旋涂式玻璃提供足够平滑的表面及对于在主动区域产生的蓝光具有穿透性。通过旋涂式玻璃表面获得的镜面层具有大于百分之九十的反射率。需注意到铟锡氧化层(ITO layer)不够平滑以致不允许该镜面沉积于铟锡氧化物(indium tin oxide)上以获得需要的反射率。若该镜面直接沉积于铟锡氧化层上，该镜面将得到小于百分之七十的反射率。若利用其他介电层必须平坦化以提供大于百分之九十的反射率。在此实施例中，金属镜面层被定义图案使得第二旋涂式玻璃层或其他介电质包覆该金属镜面。

建构被包覆的镜面后，刻蚀该晶圆以提供延伸至层22及层24的引线孔(via)。接着在这些引线孔上方沉积金属电极28及29以提供连接垫用于供给电力予发光二极管。电极28及29的顶表面趋近于共平面，通过直接焊接电极至一印刷电路板对应的焊垫，以安置发光二极管20于该印刷电路板上。

上文所述的包覆提供两项功能。第一，其是预防建构该镜面的材料漂移(migrating)。若使用银作为镜面材料则金属漂移(metal migration)是一严重的问题。第二，包覆层是预防金属镜面层连接至电极28及29，即因此预防电极间的短路。

上述实施例通过在铟锡氧化层及N型氮化镓层端部施以驱动电压以提供发光二极管电力。然而，在大面积元件中，铟锡氧化层及N型氮化镓层的阻值在大电流情况下将变成是问题。因此一些电流散布附加形式形成在大面积发光二极管中是令人希望的。在一些已知元件中，相对厚或高而窄的指状金属(metal fingers)沉积在铟锡氧化物之上及于暴露N型氮化镓层的沟漕内以促进电流散布。此类指状电极(electrode fingers)制造成本高、机械度脆弱及晶粒处理过程有时会损毁。在本发明一实施例中，镜面层亦使用作为一电流散布层。现参考图2，其是根据本发明另一实施例的一发光二极管的剖面图。发光二极管30相似于上述讨论的发光二极管20，其中一镜面层37形成于沉积于铟锡氧化层35上方的一介电层38的平坦表面上。不同于发光二极管20，镜面层37电连接至电极39及通过铟锡氧化层35上方的多个点而电连接至铟锡氧化层35。镜面层37与铟锡氧化层35之间的连接是通过若干金属填塞路径41所提供。因此，镜面层37作为一电流散布电极及一镜面。金属填塞路径41的密度与下方铟锡氧化层35阻值及其厚度有关。这些路径间距的选择使得沿着铟锡氧化层35的电压降小于视特定发光二极管设计所需的均匀度而定的一预定值。在本发明一实施例中，这些路径间距介于100毫微米(μm)至200毫微米(μm)。

当N型氮化镓材料阻值明显小于P型氮化镓材料阻值时，若元件足够大则电流散布问题亦会出现在N型氮化镓层。利用多个金属填塞路径连接至N型氮化镓层的一第二金属层可改善N型氮化镓层内的电流散布。现参考图3，是根据本发明另一实施例的一发光二极管的剖面图。发光二极管40包含一第二电流散布层是在多个点提供接触至该N型层。该第二电流散布层包含位于镜面层37上方的一金属层42。金属层42连接至一N型电极45。具有一金属内芯44及一外部绝缘层43的多个绝缘路径连接层42至N型层47内的不同位置使得一电位源至N型层内任一位置的距离小于依据发光二极管40的设计的一预定距离。

现参考图4，是图3中发光二极管40沿线4-4的断面俯视图。用以参考，图3是图4中沿线3-3的剖面图。该金属填塞路径的直径是根据必须通过每一路径的电流量、该路径长度及用以填塞该路径的金属阻值所决定。

现参考图5至图10，是根据本发明一实施例的一发光二极管的工艺中不同时期一晶圆80的部分剖面图。工艺一开始是提供一晶圆如图5所示，N型层82、主动区域83及P型层84已成长于一基板81上方。该起始晶圆也包含该粗糙P型表面及一铟锡氧化层85。供做N型电流散布接触的路径如86处所示刻蚀穿过晶圆。然后，一绝缘层87在晶圆上及路径86侧边沉积且在该路径底部的玻璃通过刻蚀移除。最后，一金属层88于路径86内沉积。绝缘层87可由旋涂式玻璃或其他适合的绝缘体构成。在此实施例中，金属层88是铬/金(Cr/Au)，亦可使用其他导体如钛/金(Ti/Au)、铬/铂/金(Cr/Pt/Au)。

现参考图6，填塞N型路径之后，一镜面层92沉积于绝缘层87表面上方。定义镜面层92图案留下开口91以用于将提供P型电流散布接触至铟锡氧化层85的P型路径。在此实施例中，镜面层92可由银/钛(Ag/Ti)合金建构以增进镜面层与铬/金层88间的接合。

现参考图7，沉积镜面层及定义图案之后，一绝缘层94沉积于该镜面层上方，之后于绝缘层94及87内形成开口路径如路径93以裸露下方的铟锡氧化层85。接下来，一第二金属层95沉积于绝缘层94上方如图8所示。金属填塞路径93提供一接触至铟锡氧化层85。

现参考图8，定义金属层95图案以包含一开口96用以提供一绝缘金属填塞路径连接金属层92至最终晶圆顶表面上的一接触。之后，如图9所示，一绝缘层97沉积于金属层95上方且形成开口路径98及99以分别提供金属层92及95的通道。最后，一金属层沉积于绝缘层97上方且被定义出图案以提供电极101及102，如图10所示。电极101提供用以供给N型层电力的一外部接触，且电极102提供用以供给P型层电力的一外部接触。

上述附图提供对应于一单一晶粒一部分的一晶圆部分剖面图。为进一步说明晶圆级结构，参考图11及图12，是上述图5至图10对应步骤完成后其包含两个晶粒的一晶圆部分剖面图。图11所示晶圆200的一部分包含沿线210-212切割晶圆以分割成的两颗晶粒。除了上述各种路径及顶部接触之外，晶圆中各层于晶圆中呈连续状。顶部金属层连接至元件标号207的P型接触点，及镜面层亦提供连接至元件标号206的N型接触点。为简化附图，P型层204及铟锡氧化层205之间的粗糙表面被省略。元件标号203为主动层，而元件标号202为N型层。

现参考图12，切割晶圆200之前，在元件标号241-243的切割点切出沟漕。每一沟漕从晶圆200的顶表面延伸至主动层下方的一点。一绝缘材料245沉积于这些沟槽周壁。本发明一实施例中该绝缘材料为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。该绝缘层封住晶粒边缘以阻挡水气进入主动层及P型层，使得该晶粒无需进一步封装而可直接焊接至一印刷电路板。焊垫221及222供做晶粒220的覆晶焊垫，及焊垫231及232供做晶粒230的覆晶焊垫。

本发明需注意到相同晶圆可通过省略上述切割点的一以切割成较大晶粒。举例而言，省略沟槽242及使用不一样的光罩在那步骤以移除焊垫222及231。当经由沟槽241及243切割该晶圆，将形成具有两倍宽度的一晶粒由原本欲切割成晶粒220及230的该晶圆部分形成。该新晶粒的N型接触为焊垫221及P型接触为焊垫232。通过改变用于制作沟槽的光罩，相同晶圆可制作出不同尺寸的晶粒。因此，一制造商只需要现有的一晶圆，并且可大幅减少改变晶粒尺寸所需的时间。

散热对于高功率发光二极管是一严重问题。在一类发光二极管中，发光二极管产生的热转移至发光二极管贴附的印刷电路板中心部分。热经由连接至发光二极管电源端子的一的焊垫转移或者转移至与发光二极管接触但与这些电源端子绝缘的焊垫。连接至该中心部分的焊垫面积必须足以确保从发光二极管转移热至印刷电路板该中心部分时，焊垫的热阻不是限制因素。在本发明一实施例中，一第三焊垫是加在这些晶粒的顶表面以提供热转移至印刷电路板上一对应焊垫。现参考图13，类似上述晶圆200的一晶圆250部分剖面图。晶圆250上的晶粒包含焊垫251提供可用以转移热至一印刷电路板的一绝缘接触。若该热传导焊垫是一电力焊垫而不是一电气绝缘焊垫，则增加该焊垫尺寸。

本发明上述实施例使用N型层沉积于基板之上而P型层最后沉积的一发光二极管结构配置。然而，也可建构P型层沉积于基板之上而N型层最后沉积的结构配置。

上述实施例使用氮化镓家族材料。基于讨论目的，前述氮化镓家族材料定义为氮化镓、氮化铟及氮化铝的所有合金组成物。然而，需注意到本发明可以其他材料系统实施。

上述实施例使用一金属层作为镜面。然而，本发明亦可建构使用其他镜面形式的实施例。现参考图14，例示说明根据本发明另一实施例的一发光二极管。发光二极管300类似上述图1的发光二极管20，因此，与上述执行类似功能的结构给予相同的元件编号而不再详述。发光二极管300与发光二极管20不同处在于镜面层置换成具交替折射系数的一堆迭式介电层301。这些层厚度及材料经选择以使得主动层23内产生的波长光可从不同层的边界建设性反射以形成一镜面类似用于垂直共振腔面射型激光(VCSELs)的镜面，例如分布式布拉格反射器(distributed Bragg reflectors)。可选择性地包含一金属层302以对于以明显偏离光轴角度照射在该堆迭式介电层301的光更进一步增加镜面反射率。该金属层可被包覆于该堆迭式介电层301及一介电层303之间以防止电极28及29短路。

本发明上述实施例是利用位在其他层上方的一些层。为此应用的目的，须了解到位在一第二层上方的一第一层可以直接或不直接接触该第二层。同样地，上述实施例是利用透明材料层。为此应用的目的，若一层对于主动层内产生的波长光具有大于百分之九十的穿透率则该层定义为透明的。一镜面层定义成对于该主动层内产生的波长光具有大于百分之九十的反射率。

上述实施例中包含一基板是在元件工艺中各层沉积于该基板上。然而，通过焊接已经制作完成的晶圆至一载体，可将该基板从该晶圆移除，是以适当波长的光曝照氮化镓-蓝宝石边界以移除该基板。在一些实施例中，移除基板可提供优点。

通过上述说明及所附附图，本发明各种修改对于本领域的技术人员将显而易见。据此，本发明仅受限于所附的权利要求涵盖的范围。

Claims (29)

1.一种元件包括：

一第一层包含一第一导电型材料；

一主动层位于所述第一层上方，当空穴与电子于所述主动层中复合时，所述主动层产生光；

一第二层包含一第二导电型材料，所述第二层具有一第一表面位于所述主动层上方及相对于所述第一表面的一第二表面包含散射照在所述第二表面的光的特征；

一透明导电材料层位在所述第二表面上方；

一第一介电层对于所述主动层产生的光具有穿透性，所述第一介电层位在所述透明导电材料层上方且具有一第一介电表面接触所述透明导电材料层及一第二介电表面相对于所述第一介电表面，所述第二介电表面相对于所述第一介电表面较为平滑；及

一镜面层位于所述第一介电层上方。

2.如权利要求1所述的元件，进一步包含一第二介电层位于所述镜面层上方，所述镜面层被所述第一介电层及所述第二介电层包覆。

3.如权利要求1所述的元件，其中所述镜面层具有大于百分之九十的反射率。

4.如权利要求3所述的元件，其中所述镜面层包含一金属。

5.如权利要求1所述的元件，其中所述第一介电层包含旋涂式玻璃。

6.如权利要求1所述的元件，其中所述镜面层包含银。

7.如权利要求1所述的元件，其中所述透明导电材料层包含铟锡氧化物。

8.如权利要求1所述的元件，其中所述第一层、所述第二层及所述主动层包含氮化镓家族材料。

9.如权利要求1所述的元件，其中所述镜面层通过一导电路径连接至所述第一层及所述第二层其中一者。

10.如权利要求9所述的元件，进一步包含一接触层位于所述镜面层上方，所述接触层通过一导电路径连接至所述第一层及所述第二层其中另一者。

11.如权利要求10所述的元件，其中连接至所述第一层及所述第二层其中另一者的所述导电路径通过所述镜面层中的一开口。

12.如权利要求10所述的元件，其中所述元件包含一顶表面及一底表面，所述主动层产生的光从所述底表面发出，且其中所述顶表面包括一第一导电结构电连接至所述镜面层。

13.如权利要求12所述的元件，其中所述顶表面包括一第二导电结构电连接至所述接触层。

14.如权利要求12所述的元件，其中所述镜面层及所述接触层被一第二介电层隔开。

15.如权利要求14所述的元件，其中所述接触层位于于一第三介电层下方，所述第三介电层具有包含所述顶表面的一表面。

16.如权利要求13所述的元件，其中所述第一及所述第二导电结构具有共平面的外表面焊接于一外部元件。

17.如权利要求13所述的元件，进一步包含一热传导结构于所述顶表面上方，所述热传导结构具有一外表面与所述第一及所述第二电传导结构共平面。

18.一种发光元件的制造方法，包括：

提供具有一顶表面及一底表面的一晶圆，所述晶圆包含：

一第一层包含一第一导电型材料；

一主动层位于所述第一层上方，当空穴与电子于所述主动层中复合时，所述主动层产生光；

一第二层包含一第二导电型材料位于所述主动层上方，所述第二层具有一第一表面相邻接触所述主动层及一第二表面具有一表面包含散射照在所述第二表面的光的特征；

一透明导电材料层相邻所述第二表面；

一第一介电层对于所述主动层产生的光具有穿透性；

一镜面层；

多个第一导电结构于所述顶表面上方，每一个所述第一导电结构电连接至所述第一层；及

多个第二导电结构于所述顶表面上与所述第一导电结构隔开且电连接至所述第二层；及

沿着所述第一及第二导电结构之间的点切割所述晶圆，以提供具有一个所述第一导电结构及一个所述第二导电结构的发光元件，当一电位差施加在所述发光元件的所述第一及第二导电结构之间时，所述发光元件产生光。

19.如权利要求18所述的发光元件的制造方法，其中所述镜面层具有大于百分之九十的反射率。

20.如权利要求18所述的发光元件的制造方法，其中提供所述晶圆包含：

沉积所述第一层、所述主动层及所述第二层于一基板上；

处理所述第二层以提供所述特征；

沉积所述透明导电材料层于所述特征上方；

沉积所述第一介电层；及

沉积所述镜面层，其中所述第一介电层的沉积留下一表面供所述镜面层沉积，所述表面具有一平滑度足以提供所述镜面层大于百分之九十的反射率。

21.如权利要求18所述的发光元件的制造方法，其中所述晶圆的切割进一步包含从所述导电元件的一移除所述第一及第二导电结构其中之一。

22.一种元件包括：

一半导体发光元件具有一第一源表面，所述半导体发光元件产生一波长光通过所述第一源表面；

一透明介电层位在所述第一源表面上方，所述透明介电层具有第一及第二介电表面，所述第一介电表面接触所述第一源表面；及

一镜面层沉积在所述第二介电表面上方，其中

所述第二介电表面相对于所述第一源表面较为平滑，及其中所述镜面层对于所述波长光提供大于百分之九十的反射率。

23.如权利要求22所述的元件，其中所述镜面层包含一金属层。

24.如权利要求22所述的元件，其中所述镜面层包含一分布式布拉格反射器。

25.如权利要求22所述的元件，其中所述透明介电层包含旋涂式玻璃。

26.一种位于一具有一粗糙表面的光源上方的镜面层制造方法，所述光源发射出一预定波长光通过所述粗糙表面，所述方法包括：

沉积一透明介电层于所述粗糙表面上方；及

沉积一镜面层于所述透明介电层的一表面，

其中所述透明介电层的所述表面相对于所述粗糙表面较为平滑且其中所述镜面层对于所述预定波长光提供大于百分之九十的反射率。

27.如权利要求26所述的位于一具有一粗糙表面的光源上方的镜面层制造方法，其中所述镜面层包含一金属层。

28.如权利要求26所述的位于一具有一粗糙表面的光源上方的镜面层制造方法，其中所述反射层包含一分布式布拉格反射器。

29.如权利要求26所述的位于一具有一粗糙表面的光源上方的镜面层制造方法，其中所述透明介电层通过一旋涂工艺沉积。

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