KR101226706B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

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KR101226706B1
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Abstract

본 개시는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층; 제1 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되는 비도전성 반사막; 복수의 반도체층과 비도전성 반사막 사이에 형성되며, 제2 반도체층으로 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하도록 뻗어 있고, 제2 반도체층과 전기적으로 연통하며, 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급받기 위한 전기적 연결을 구비하는 가지 전극; 그리고, 가지 전극의 아래에서 가지 전극과 복수의 반도체층 사이에 형성되며, 활성층에서 생성된 빛이 가지 전극에 의해 흡수되는 것은 막는 광 흡수 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMIMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광 반사면을 구비하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(400)은 그 도전성을 반대로 하여 좋다. 바람직하게는, 기판(100)과 n형 반도체층(300) 사이에 버퍼층(도시 생략)이 구비된다. 이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 반대 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층; 제1 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되는 비도전성 반사막; 복수의 반도체층과 비도전성 반사막 사이에 형성되며, 제2 반도체층으로 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하도록 뻗어 있고, 제2 반도체층과 전기적으로 연통하며, 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급받기 위한 전기적 연결을 구비하는 가지 전극; 그리고, 가지 전극의 아래에서 가지 전극과 복수의 반도체층 사이에 형성되며, 활성층에서 생성된 빛이 가지 전극에 의해 흡수되는 것은 막는 광 흡수 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3 내지 도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 9 및 도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3 내지 도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 3은 도 4의 A-A 라인을 따라 취한 단면도이다. 도 5는 도 4의 B-B 라인을 따라 취한 단면도이다. 도 4에는 설명을 위해 비도전성 반사막(91)과 전극(92)이 도시되어 있지 않다.
반도체 발광소자는 기판(10), 기판(10)에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20)위에 성장되는 n형 반도체층(30), n형 반도체층(30) 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 반도체층(50)을 구비한다. 기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 기판(10)이 제거되거나 도전성을 가지는 경우에 전극(80)은 기판(10)이 제거된 n형 반도체층(30) 측 또는 도전성 기판(10) 측에 형성될 수 있다. n형 반도체층(30)과 p형 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. 각각의 반도체층(20,30,40,50)이 다층으로 구성될 수 있으며, 추가의 층이 구비될 수도 있다. 또한 n형 반도체층(30)으로 전자를 공급하는 전극(80) 및 p형 반도체층(50)으로 정공을 공급하는 전극(92)이 구비된다. n형 반도체층(30) 내로 뻗어 있는 가지 전극(81)이 전극(80)의 일부를 형성한다. 전극(80)은 별도의 범프를 이용하여 패키지와 결합할 정도의 높이를 가져도 좋고, 도 2에서와 같이 자체가 패키지와 결합될 정도의 높이로 증착되어도 좋다. 활성층(40)으로부터의 빛을, 성장에 사용되는 기판(10) 측 또는 기판(10)이 제거된 경우에 n형 반도체층(30) 측으로 반사하도록 p형 반도체층(50) 위에 비도전성 반사막(91)이 구비된다. 비도전성 반사막(91)은 식각되어 노출된 n형 반도체층(30) 및 전극(80) 일부의 위에 형성될 수 있다. 비도전성 반사막(91)이 기판(10) 반대 측의 반도체층(30,50) 위의 모든 영역을 반드시 덮어야 하는 것은 아니라는 점을 당업자는 염두에 두어야 한다. 비도전성 반사막(91)은 반사막으로 기능하되, 빛의 흡수를 방지하도록 투광성 물질로 구성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2와 같은은 투광성 유전체 물질로 구성될 수 있다. 비도전성 반사막(91)이 SiOx로 이루어지는 경우에, p형 반도체층(50; 예: GaN)에 비해 낮은 굴절률을 가지므로, 임계각 이상의 빛을 반도체층(30,40,50) 측으로 일부 반사시킬 수 있게 된다. 한편, 비도전성 반사막(91)이 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector; 예: SiO2와 TiO2의 조합으로 된 DBR)로 이루어지는 경우에, 보다 많은 양의 빛을 반도체층(30,40,50) 측으로 반사시킬 수 있게 된다. 도 7에는, 비도전성 반사막(91)이 분포 브래그 리플렉터(91a)와 p형 반도체층(50)보다 낮은 굴절률을 가지는 유전체 막(91b)으로 된 이중 구조를 가진다. 정밀성을 요하는 분포 브래그 리플렉터(91a)의 증착에 앞서, 일정 두께의 유전체 막(91b)을 형성함으로써, 반도체층(30,40,50) 위에 존재하는 이질적이면서 이형(異形)을 가지는 증착물(50,60,80,81,93)에도 불구하고, 분포 브래그 리플렉터(91a)를 안정적으로 제조할 수 있게 되며, 빛의 반사에도 도움을 줄 수 있다. 유전체 막(91b)의 경우에 물질은 SiO2가 적당하며, 그 두께는 0.2um ~ 1.0um가 적당하다. 분포 브래그 리플렉터(91a)의 경우에 TiO2/SiO2로 구성되는 경우 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되며, 그 조합의 수는 4 ~ 20 페어(pairs)가 적합하다. 또한 가지 전극(93)의 높이는 0.5um ~ 4.0um가 적당하다. 너무 얇은 두께의 경우 동작전압의 상승을 야기하며, 너무 두꺼운 가지 전극은 공정의 안정성과 재료비 상승을 야기할 수 있기 때문이다. 전극(92)은 활성층(30)으로부터의 빛을, 기판(10) 측 또는 n형 반도체층(30) 측으로 반사하는데 일조한다는 관점에서 p형 반도체층(50) 위에서 비도전성 반사막(91)의 전부 또는 거의 대부분을 덮는 도전성 반사막인 것이 바람직하다. 이때 반사율이 높은 Al, Ag와 같은 금속이 사용될 수 있다. 비도전성 반사막(91)과 p형 반도체층(50) 사이에는 전극(92)으로부터 p형 반도체층(50)으로 전류 공급(엄밀하게는 정공의 공급)을 위해 길게 뻗어 있는 가지 전극(93)이 구비되어 있다. 가지 전극(93)을 도입함으로써, 도 1에 제시된 플립 칩과 도 2에 제시된 플립 칩의 문제점을 모두 개선한 플립 칩을 구현할 수 있는 기초가 마련된다. 비도전성 반사막(91)을 개재한 전극(92)과 가지 전극(93)의 전기적 연통을 위해, 수직 방향으로 비도전성 반사막(91)을 관통한 전기적 연결(94)이 마련되어 있다. 가지 전극(93)이 없다면, 많은 수의 전기적 연결(94)을 형성하여 p형 반도체층(50)의 거의 전면에 마련된 투광성 도전막(60)에 직접 연결해야 하지만, 이 경우에, 전극(92)과 투광성 도전막(60) 사이에 좋은 전기적 접촉을 형성하기가 쉽지 않을 뿐만 아니라, 제조 공정상 많은 문제점을 야기한다. 본 개시는 가지 전극(93)을 비도전성 반사막(91) 및 전극(92)의 형성에 앞서, p형 반도체층(50) 또는 바람직하게는 투광성 도전막(60) 위에 형성하고, 열처리함으로써, 양자 간에 안정적인 전기적 접촉을 만들어낼 수 있게 된다. 또한, 전극(92)의 재질로 반사율이 좋은 Al, Ag 등이 적합하지만, 안정적 전기적 접촉에는 Cr, Ti Ni 또는 이들의 합급 등의 물질이 적합하며, 따라서 가지 전극(93)을 도입함으로써, 필요한 설계 사양에 대응하는 것이 보다 용이해지게 된다. 당업자는 가지 전극(93)에도 반사율이 좋은 Al, Ag 등을 사용할 수 있음을 염두에 두어야 한다. 전술한 바와 같이, 바람직하게는 투광성 도전막(60)이 구비된다. 특히 p형 GaN의 경우에 전류 확산 능력이 떨어지며, p형 반도체층(50)이 GaN으로 이루어지는 경우에, 대부분 투광성 도전막(60)의 도움을 받아야 한다. 예를 들어, ITO, Ni/Au와 같은 물질이 투광성 도전막(60)으로 사용될 수 있다. 가지 전극(93)의 높이가 전극(92)에까지 이르는 경우에는 가지 전극(93) 자체가 전기적 연결(94)을 형성한다. 전극(92)을 도 2의 p측 본딩 패드(700)와 같은 방식으로 구성하는 것을 배제할 필요는 없으나, p측 본딩 패드(700)에 의해 빛이 흡수되고, 비도전성 반사막(91)의 면적이 줄어드는 등 바람직하다고 할 수 없다. 당업자는 바람직하지는 않더라도 전극(92)이 칩의 제조 이후 패키지 레벨에서 장착면에 의해 구성될 수 있음을 배제하여서는 안 된다. 여기까지의 구성요소들로 본 개시에 따른 반도체 발광소자가 구성될 수 있음을 밝혀 둔다. 그러나 가지 전극(93) 자체에서도 활성층(40)에서 생성된 빛의 흡수가 일부 있으므로, 바람직하게는 이를 방지하기 위하여, 가지 전극(93) 아래에 광 흡수 방지막(95)이 구비된다. 광 흡수 방지막(95)은 활성층(40)에서 발생된 빛의 일부 또는 전부를 반사하는 기능만을 가져도 좋고, 가지 전극(93)으로부터의 전류가 가지 전극(93)의 바로 아래로 흐르지 못하도록 하는 기능만을 가져도 좋고, 양자의 기능을 모두 가져도 좋다. 이들의 기능을 위해, 광 흡수 방지막(95)은 p형 반도체층(50)보다 굴절률이 낮은 투광성 물질로 된 단일층(예: SiO2) 또는 다층막(예: Si02/TiO2/SiO2) 또는 분포 브래그 리플렉터 또는 단일층과 분포 브래그 리플렉터의 결합 등으로 이루어질 수 있다. 또한 광 흡수 방지막(95)은 비도전성 물질(예: SiOx, TiOx와 같은 유전체막)로 이루어질 수 있다. 따라서, 광 흡수 방지막(95)이 반드시 투광성 물질로 구성될 필요는 없으며, 또한 반드시 비도전성 물질로 구성될 필요도 없다. 다만 투광성 유전체막을 이용함으로써, 보다 그 효과를 높일 수 있게 된다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 투광성 도전막(60)에 비도전성 반사막(91)이 p형 반도체층(50)과 접하도록 개구(96)가 구비되어 있다. 개구(96)는 복수의 섬 형태, 띠 형태 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 투광성 도전막(60)으로 가장 일반적인 ITO의 경우에도 활성층(40)에서 발생한 빛의 일부를 흡수하므로, 개구(96)를 형성함으로써 투광성 도전막(60)에 의한 빛을 흡수를 줄일 수 있게 된다. 이때 p형 반도체층(50) 전체로의 부족한 전류 확산은 가지 전극(93)에 의해 보완될 수 있다. 미설명 동일부호에 대한 설명은 생략한다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 기판(10), 버퍼층(20) 및 n형 반도체층(30)을 관통하여 전기적 연결(82)이 마련되어 있으며, 기판(10) 또는 기판(10)이 제거된 경우에 n형 반도체층(30)에, 즉 n형 반도체층(30) 측에 전극(83)이 마련되어 있다. 이러한 구성을 통해 기판(10) 반대 측의 복수의 반도체층(30,50) 전체에 비도전성 반사막(91) 및 전극(92)을 형성할 수 있게 된다.
도 9 및 도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 투광성 도전막(60)이 제거되어 가지 전극(93)이 직접 광 흡수 방지막(95)과 접촉하는 구조를 제시하고 있다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 5와 달리 광 흡수 방지막(95)이 구비되어 있지 않다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층; 제1 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되는 비도전성 반사막; 복수의 반도체층과 비도전성 반사막 사이에 형성되며, 제2 반도체층으로 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하도록 뻗어 있고, 제2 반도체층과 전기적으로 연통하며, 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급받기 위한 전기적 연결을 구비하는 가지 전극; 그리고, 가지 전극의 아래에서 가지 전극과 복수의 반도체층 사이에 형성되며, 활성층에서 생성된 빛이 가지 전극에 의해 흡수되는 것은 막는 광 흡수 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 여기서, 전기적 연결은 도 3에서와 같이 별도 구성을 가질 수 있으며, 가지 전극(92)이 전극(93)과 직접 접촉하는 경우에, 가지 전극(92)가 전기적 연결을 구성할 수도 있음을 염두에 두어야 한다.
(2) 비도전성 반사막이 분포 브래그 리플렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(3) 비도전성 반사막이 분포 브래그 리플렉터 아래에서 제2 반도체층보다 낮은 굴절률을 가지는 유전체막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4) 전기적 연결은 제2 전극으로부터 가지 전극으로 비도전성 반사막을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(5) 투광성 도전막이 광 흡수 방지막을 덮고 있고, 가지 전극이 투광성 도전막 위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(6) 가지 전극이 광 흡수 방지막에 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 도 10의 실시예에서, 투광성 도전막이 제거되어 가지 전극이 광 흡수 방지막과 직접 접촉하고 있다.
(7) 제2 반도체층이 p형 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 본 개시는 p형 GaN의 전류 확산 능력이 좋지 못하고, 투광성 도전막(예: ITO)의 도움을 받아야 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 특히 적합하다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 새로운 형태의 반사막 구조를 구현할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 다른 반도체 발광소자에 의하면, 새로운 형태의 플립 칩을 구현할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극을 도입한 반사막 구조를 구현할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극을 도입한 플립 칩을 구현할 수 있게 된다.
기판(10) 반도체층(30,50) 활성층(40)

Claims (16)

  1. 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층;
    제1 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극;
    활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되는 비도전성 반사막;
    복수의 반도체층과 비도전성 반사막 사이에 형성되며, 제2 반도체층으로 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하도록 뻗어 있고, 제2 반도체층과 전기적으로 연통하며, 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급받기 위한 전기적 연결을 구비하는 가지 전극; 그리고,
    가지 전극의 아래에서 가지 전극과 복수의 반도체층 사이에 형성되며, 활성층에서 생성된 빛이 가지 전극에 의해 흡수되는 것은 막는 광 흡수 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    광 흡수 방지막은 제2 반도체층보다 굴절률이 낮은 투광성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    광 흡수 방지막은 비도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    광 흡수 방지막은 제2 반도체층보다 굴절률이 낮은 투광성 유전체막인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    비도전성 반사막과 제2 반도체층 사이에 형성되어, 가지 전극과 제2 반도체층을 전기적으로 연통시키는 투광성 도전막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    전기적 연결과 연결되어, 제2 반도체층으로 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    비도전성 반사막은 분포 브래그 리플렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    비도전성 반사막은 분포 브래그 리플렉터 아래에서 제2 반도체층보다 낮은 굴절률을 가지는 유전체막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    전기적 연결은 제2 전극으로부터 가지 전극으로 비도전성 반사막을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 청구항 5에 있어서,
    투광성 도전막이 광 흡수 방지막을 덮고 있고,
    가지 전극은 투광성 도전막 위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 청구항 5에 있어서,
    가지 전극이 광 흡수 방지막에 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  12. 청구항 5에 있어서,
    전기적 연결과 연결되어, 제2 반도체층으로 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 포함하며,
    광 흡수 방지막은 제2 반도체층보다 굴절률이 낮은 투광성 유전체막인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  13. 청구항 12에 있어서,
    비도전성 반사막은 분포 브래그 리플렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  14. 청구항 13에 있어서,
    비도전성 반사막은 분포 브래그 리플렉터 아래에서 제2 반도체층보다 낮은 굴절률을 가지는 유전체막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  15. 청구항 13에 있어서,
    제2 반도체층은 p형 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  16. 청구항 1에 있어서,
    투광성 도전막은 비도전성 반사막이 복수의 반도체층과 접하도록 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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