JP2005194435A

JP2005194435A - 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置

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Publication number: JP2005194435A
Application number: JP2004003458A
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Inventors: Masahito Akiyama; 仁人秋山
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Priority date: 2004-01-08
Filing date: 2004-01-08
Publication date: 2005-07-21
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Abstract

【課題】各種硬化性樹脂組成物に有用な硬化促進剤、硬化性、保存性や、とりわけ流動性が良好なエポキシ樹脂組成物、および、耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進し得る硬化促進剤であって、前記硬化促進剤は、トリ置換ホスホニオフェノラートと、１分子内にエポキシ基を１個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を１個以上有する化合物とを反応させて得られるものであることを特徴とする硬化促進剤。１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、前記硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。前記エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。

Description

本発明は、硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関するものである。

ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を封止して半導体装置を得る方法としては、エポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファー成形により封止する方法が、低コスト、大量生産に適しているという点で広く用いられている。また、エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂や、硬化剤であるフェノール樹脂などの成分を改良することにより、これを用いた半導体装置の特性および信頼性の向上が図られている。

しかしながら、昨今の電子機器の市場動向において、機器の小型化、軽量化および高性能化に伴い、半導体の高集積化も年々進んでおり、また、製造工程における半導体装置の表面実装化も促進されている。半導体装置の表面実装化においては、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の密着性が不十分であると、半田浸漬あるいは半田リフロー工程で、急激に２００℃以上の高温において、この界面で剥離が生じることがあり、剥離により半導体装置にクラックを誘起するとともに、耐湿信頼性の低下も招くこととなる。また、エポキシ樹脂組成物中に揮発成分が存在すれば、それが爆発的に気化する際の応力により、半導体装置にクラックが発生しやすくなり、半導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂組成物への要求は、益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では、解決できない（対応できない）問題も生じている。

これら耐半田クラック性、耐湿信頼性を改良した硬化促進剤として、付加反応によらない手法で合成されたホスホベタイン構造の硬化促進剤が開示されている（例えば、特許文献３参照。）が、そのようなホスホベタイン化合物は、高融点で結晶性が優れるものが多く、樹脂組成物に添加した際、均一に混合することが難しく、その結果、硬化反応にムラが生じ、粘度が上昇するといった問題があった。

近年、半導体素子の封止に用いられる材料には、生産効率の向上を目的とした速硬化性の向上と、物流・保管時の取扱い性の向上を目的とした保存性の向上が求められるようになってきている。

電気・電子材料分野向けのエポキシ樹脂組成物には、硬化時における樹脂の硬化反応を促進する目的で、第三ホスフィンとキノン類との付加反応物（例えば、特許文献１参照。）を硬化促進剤として、一般的に添加する。

ところで、かかる硬化促進剤は、硬化促進効果を示す温度領域が比較的低温にまで及ぶ。このため、例えば硬化前のエポキシ樹脂組成物と他の成分とを混合する際にも、系内に発生する熱や外部から加えられる熱により、エポキシ樹脂組成物の硬化反応は一部進行する。また、混合終了後、このエポキシ樹脂組成物を常温で保管するにあたって、反応はさらに進行する。

この部分的な硬化反応の進行は、エポキシ樹脂組成物が液体の場合には、粘度の上昇や流動性の低下をもたらし、また、エポキシ樹脂組成物が固体の場合には、粘性を発現させる。このような状態の変化は、エポキシ樹脂組成物内に厳密な意味で均一に生じるわけではない。このため、エポキシ樹脂組成物の各部分の硬化性には、ばらつきが生じる。

これが原因となり、更に、高温で硬化反応を進行させ、エポキシ樹脂組成物を成形（その他賦形という概念も含んで、以下「成形」と記す）する際に、流動性低下による成形上の障害や、成形品の機械的、電気的あるいは化学的特性の低下をもたらす。

したがって、このようにエポキシ樹脂組成物の保存性を低下させる原因となる硬化促進剤を用いる際には、諸成分混合時の厳密な品質管理、低温での保管や運搬、更に成形条件の厳密な管理が必須であり、取扱いが非常に煩雑である。

また、保存性の問題を解決すべく、低温での粘度、流動性の経時変化を抑え、賦形、成形時の加熱によってのみ、硬化反応を起こすような硬化促進剤（いわゆる潜伏性硬化促進剤）の研究が盛んになされており、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護することで、潜伏性を発現する研究がなされており、種々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造を有する潜伏性硬化促進剤が知られている（例えば、特許文献２参照。）が、このホスホニウム塩もまた、表面実装に十分なレベルの耐半田クラック性、耐湿信頼性が得られていない。
また、表面実装に足る耐半田クラック性、耐湿信頼性を得るべく、別の潜伏性硬化促進剤として、種々のホスホニウムベタインの塩構造を有する潜伏性硬化促進剤も提示されている（例えば、特許文献４参照。）が、このホスホニウムベタインの塩は、近年の低分子エポキシ樹脂やフェノールアラルキル樹脂のような硬化剤を用いる半導体封止材料では、硬化が不十分であるという問題が生じている。
特開平１０−２５３３５号公報特開２００１−９８０５３号公報（第５頁）特願２００３−１５８６２３号公報米国特許第４１７１４２０号明細書（第２−４頁）

本発明の目的は、各種硬化性樹脂組成物に有用な硬化促進剤、硬化性、保存性や、とりわけ流動性が良好なエポキシ樹脂組成物、および、耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（７）の本発明により達成される。

（１）硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進し得る硬化促進剤であって、
前記硬化促進剤は、トリ置換ホスホニオフェノラートと、１分子内にエポキシ基を１個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を１個以上有する化合物とを反応させて得られるものであることを特徴とする硬化促進剤。

（２）前記トリ置換ホスホニオフェノラートは、下記一般式（１）で表されるものである上記（１）に記載の硬化促進剤。

［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基、または、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］

（３）前記トリ置換ホスホニオフェノラートは、下記一般式（２）で表されるものである上記（１）に記載の硬化促進剤。

［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²およびＡｒ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］

（４）前記トリ置換ホスホニオフェノラートは、下記一般式（３）で表されるものである上記（１）に記載の硬化促進剤。

［式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基および水酸基から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。］

（５）前記一般式（３）において、オキシアニオンは、リン原子に対してオルト位またはメタ位に位置する上記（４）に記載の硬化促進剤。

（６）１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

（７）上記（６）に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。

本発明の硬化促進剤によれば、常温での保存性に優れ，成形時に特に高い流動性を有する硬化性樹脂組成物を得ることができ、前記硬化促進剤を用いたエポキシ樹脂組成物は、硬化性、保存性や、とりわけ流動性が良好であり、また、前記エポキシ樹脂組成物を用いて作製された半導体装置は、高温に曝された場合であっても、この硬化物に欠陥が生じるのを好適に防止することができ、耐半田クラック性や耐湿信頼性など良好な信頼性を発揮することができる。

本発明者は、前述したような問題点を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、次のようなＩ〜IIIの事項を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、Ｉ：特定構造のトリ置換ホスホニオフェノラートの誘導体が、各種硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進する硬化促進剤として極めて有用であることを見出した。

II：かかるトリ置換ホスホニオフェノラートの誘導体を硬化性樹脂組成物、特にエポキシ樹脂組成物に硬化促進剤として混合することにより、エポキシ樹脂組成物が、硬化性、保存性および流動性に優れたものとなることを見出した。

III：かかるエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなる半導体装置が、高温に曝された場合であっても、クラックや剥離等の欠陥が発生し難いことを見出した。

以下、本発明の硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明する。

本発明の硬化促進剤は、各種硬化性樹脂組成物の硬化促進剤として適用可能であるが、以下では、熱硬化性樹脂組成物の１種であるエポキシ樹脂組成物に適用した場合を代表して説明する。

本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、本発明の硬化促進剤であるトリ置換ホスホニオフェノラートの誘導体（Ｃ）とを含むものである。かかるエポキシ樹脂組成物は、硬化性、保存性および流動性に優れたものである。
以下、各成分について、順次説明する。

［化合物（Ａ）］
本発明に用いる１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）は、１分子内にエポキシ基を２個以上有するものであれば、何ら制限はない。
この化合物（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂など、フェノール類やフェノール樹脂、ナフトール類などの水酸基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ樹脂、エポキシ化合物、または、その他、脂環式エポキシ樹脂のように、オレフィンを過酸を用いて酸化させエポキシ化したエポキシ樹脂や、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

［化合物（Ｂ）］
本発明に用いる１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するものであり、前記化合物（Ａ）の硬化剤として作用（機能）するものである。
この化合物（Ｂ）としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、トリスフェノール樹脂、キシリレン変性ノボラック樹脂、テルペン変性ノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

［トリ置換ホスホニオフェノラート誘導体（Ｃ）：本発明の硬化促進剤］
本発明に用いるトリ置換ホスホニオフェノラート誘導体（Ｃ）は、トリ置換ホスホニオフェノラートと、１分子内にエポキシ基を１個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を１個以上有する化合物とを反応させて得られるものであり、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進し得る作用（機能）を有するものである。
このうち、トリ置換ホスホニオフェノラートは、前記一般式（１）で表されるものであるのが好ましく、前記一般式（２）で表されるものであるのがより好ましく、前記一般式（３）で表されるものであるのがさらに好ましい。

ここで、前記一般式（１）において、リン原子に結合する置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³としては、置換もしくは無置換の芳香族基または置換もしくは無置換のアルキル基であり、例えば、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、ナフチル基、フェニル基、メチルフェニル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、メトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基等が挙げられるが、これらの中でも、前記一般式（２）において、Ａｒ¹、Ａｒ²およびＡｒ³で表されるように、ナフチル基、フェニル基、メチルフェニル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、メトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基等の置換もしくは無置換の芳香族基であるのが好ましく、特に、前記一般式（３）において、リン原子に結合する置換基で表されるように、フェニル基、メチルフェニル基の各種異性体、メトキシフェニル基の各種異性体、ヒドロキシフェニル基の各種異性体等であるのがより好ましい。

また、前記一般式（１）および前記一般式（２）において、Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の芳香族基を表す。
この置換基Ａｒとしては、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、または、これらにハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基やアルコキシ基等の水酸基以外の置換基により置換された芳香族基が挙げられる。
総じて、前記一般式（１）において、置換基Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＡｒの組み合わせとしては、置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³がそれぞれフェニル基であり、Ａｒがフェニレン基であるものが好適である。すなわち、前記一般式（３）において、置換基Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶がそれぞれ水素原子であるものが好適である。このものは、熱安定性、硬化促進能に特に優れ、製造コストが安価である。

更には、前記一般式（３）において、オキシアニオン（解離状態のフェノール性水酸基）は、リン原子に対してオルト位またはメタ位に位置することが好ましい。オルト位またはメタ位のものを硬化促進剤として用いることにより、パラ位のものを硬化促進剤として用いる場合に比較して、エポキシ樹脂組成物は、加熱時の弾性率がより低減する。さらに、かかる弾性率の低いエポキシ樹脂組成物で半導体素子を封止することにより、得られる半導体装置の耐半田クラック性の向上を図ることができる。

本発明の硬化促進剤である、トリ置換ホスホニウムフェノラート誘導体（Ｃ）に用いる１分子内にエポキシ基を１個以上有する化合物は、分子内にエポキシ基を１個以上有するものであれば、その骨格構造などに制限はなく、従来公知のものが使用できる。具体的には、フェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテルなどの単官能エポキシ化合物、および上記化合物（Ａ）として述べられているような２官能以上のエポキシ化合物が挙げられるが、得られる硬化促進剤がエポキシ樹脂組成物に添加されるときに、良好な溶解性を有するためには、上記化合物（Ａ）として使用するものと、同じものを選択することが好ましい。

また、トリ置換ホスホニウムフェノラート誘導体（Ｃ）に用いる１分子内にフェノール性水酸基を１個以上有する化合物は、分子内にフェノール性水酸基を１つ以上有するものであれば、その骨格構造などに制限はなく、従来公知のものが使用できる。具体的には、フェノール、クレゾール、ブロモフェノールなどの単官能フェノール化合物、および上記化合物（Ｂ）として述べられているような２官能以上のフェノール化合物が挙げられるが、得られる硬化促進剤がエポキシ樹脂組成物に添加されるときに、良好な溶解性を有するためには、上記化合物（Ｂ）として使用するものと、同じものを選択することが好ましい。

前記トリ置換ホスホニウムフェノラート誘導体（Ｃ）において、これらの３つの成分を反応させる際の、各成分の比率は、トリ置換ホスホニオフェノラートの硬化促進能力が発揮され、成分がゲル化しないような比率であれば、何ら制限はない。具体的には、トリ置換ホスホニオフェノラート１モルに対し、エポキシ基およびフェノール性水酸基が各々１モルとなるような比率であることが好ましい。トリ置換ホスホニオフェノラートが他成分に対して少ない場合、エポキシとフェノール性水酸基の反応が主として進行し、この２成分がゲルを形成してしまうことがある。また、エポキシがフェノール性水酸基に対して大過剰に存在する場合、エポキシ基が開環して生じたアルコラートアニオンに、フェノール性水酸基がプロトン供与できないことから、エポキシ基同士の反応が促進し、ゲル化してしまうことがある。
これらの３成分を反応させる方法としては、例えば、各成分を常温で混合後、成分の少なくとも１つ以上が溶融する温度まで加熱し、混合しながら反応する方法や、各成分が溶解するような溶媒中で、穏やかに加温し反応させる方法などが挙げられるが、これに限定されるものではない。また、３つの成分のうち、２つをあらかじめ反応させ、さらに３つ目の成分を加えて反応をさせることもできる。

このようにして得られるトリ置換ホスホニウムフェノラート誘導体（Ｃ）は、トリ置換ホスホニウムフェノラートのフェノール性水酸基と、エポキシ化合物のエポキシ基が反応して得られるホスホニウム化合物と、フェノール性水酸基を有する化合物との塩を形成していると考えられる。

本発明のエポキシ樹脂組成物において、トリ置換ホスホニオフェノラート誘導体（Ｃ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、０．０１〜１５重量％程度であるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の硬化性、保存性、流動性、他特性がバランスよく発揮される。
また、前記化合物（Ａ）と、前記化合物（Ｂ）との配合比率も、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、前記化合物（Ｂ）のフェノール性水酸基が０．５〜２モル程度となるように用いるのが好ましく、０．７〜１．５モル程度となるように用いるのがより好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の諸特性のバランスを好適なものに維持しつつ、諸特性がより向上する。

本発明の樹脂組成物には、得られる半導体装置の補強を目的として、無機充填材を配合することができる。その種類については、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。
この無機充填材としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、無機充填材の形状としては、例えば、粒状、塊状、鱗片状等のいかなるものであってもよいが、粒状（特に、球状）であるのが好ましい。
この無機充填材の含有量（配合量）は、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部程度であるのが好ましく、４００〜１４００重量部程度であるのがより好ましい。無機充填材の含有量（配合量）が、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、４００〜１４００重量部であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が低くなり、半田クラックの発生を防止することができる。また、かかるエポキシ樹脂組成物は、加熱溶融時の流動性も良好であるため、半導体装置内部の金線変形を引き起こすことが好適に防止される。
また、無機充填材の含有量（配合量）は、前記化合物（Ａ）、前記化合物（Ｂ）や無機充填材自体の比重を、それぞれ考慮し、重量部を体積％に換算して取り扱うようにしてもよい。

また、本発明のエポキシ樹脂組成物中には、前記（Ａ）〜（Ｃ）成分と、無機充填材の他に、必要に応じて、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合（混合）するようにしてもよい。

また、本発明において硬化促進剤として機能するトリ置換ホスホニオフェノラート誘導体（Ｃ）の特性を損なわない範囲で、エポキシ樹脂組成物中には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾール等の他の公知の硬化促進剤を配合（混合）するようにしても、何ら問題はない。

本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）〜（Ｃ）の化合物（成分）、および、必要に応じて、その他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、熱ロール、加熱ニーダー等を用いて加熱混練し、冷却、粉砕することにより得られる。

得られたエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形することにより、半導体素子等の電子部品を封止する。これにより、本発明の半導体装置が得られる。

本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、ＳＩＰ（Single Inline Package）、ＨＳＩＰ（SIP with Heatsink）、ＺＩＰ（Zig-zag Inline Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＳＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＳＯＰ（Shrink Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＰ(ＦＰ）（QFP Fine Pitch）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、ＱＦＪ（ＰＬＣＣ）（Quad Flat J-leaded Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等が挙げられる。

なお、本実施形態では、本発明の硬化促進剤を、エポキシ樹脂組成物に用いる場合を代表して説明したが、本発明の硬化促進剤は、ホスフィンまたはホスホニウム塩を硬化促進剤として好適に使用し得る熱硬化性樹脂組成物に対して使用可能である。かかる熱硬化性樹脂組成物としては、例えばエポキシ化合物、マレイミド化合物、シアネート化合物、イソシアネート化合物、アクリレート化合物、または、アルケニルおよびアルキニル化合物等を含む樹脂組成物が挙げられる。

また、本発明の硬化促進剤は、熱硬化性樹脂組成物の他、例えば反応硬化性樹脂組成物、光硬化性樹脂組成物、嫌気硬化性樹脂組成物等の各種硬化性樹脂組成物に対しても使用可能である。

また、本実施形態では、本発明のエポキシ樹脂組成物を、半導体装置の封止材料として用いる場合について説明したが、本発明のエポキシ樹脂組成物の用途としては、これに限定されるものではない。また、エポキシ樹脂組成物の用途等に応じて、本発明のエポキシ樹脂組成物では、無機充填材の混合（配合）を省略することもできる。
以上、本発明の硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．トリ置換ホスホニオフェノラート誘導体（Ｃ）の合成
まず、硬化促進剤として使用する、本発明の硬化促進剤である化合物Ｃ１〜Ｃ８、比較用の硬化促進剤である化合物Ｃ９、Ｃ１０、およびトリフェニルホスフィンを用意した。

（化合物Ｃ１の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、３−ヨードフェノール２２．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）と、トリフェニルホスフィン３１．４ｇ（０．１００ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．５ｇ、エタノール１００ｍＬを仕込み、還流するように加熱し２４時間反応させた。
反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、純水５００ｍＬに滴下し、反応物を析出させた。析出した反応物は、ろ過後にヘキサン１００ｍＬで洗浄し、乾燥して、ホスホニウムハロゲン塩３６．２ｇ（収率８３％）を得た。このハロゲン塩を、等モルの水酸化ナトリウムで中和して合成した下記式（４）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラート３５．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、下記式（５）で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂１９．３ｇ（エポキシ基０．１ｍｏｌ相当）を、攪拌装置付きのセパラブルフラスコにしこみ、常温で混合後、内温が１４０℃になるよう加熱し、９０分間反応させた。反応後に、フェノール９．４ｇ（フェノール水酸基０．１ｍｏｌ相当）を加え、さらに１００℃で６０分反応させ、樹脂状の化合物Ｃ１を得た。

＜式（５）の化合物の物性＞
融点：１０５℃
水酸基当量：１９３
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．１５ｐｏｉｓｅ

上記で得た樹脂状の化合物Ｃ１を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、９０℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ２の合成）
前記同様にして合成した式（４）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラート３５．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、下記式（６）で表される構造のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂２７．２ｇ（エポキシ基０．１ｍｏｌ相当）を、攪拌装置付きのセパラブルフラスコにしこみ、常温で混合後、内温が１４０℃になるよう加熱し、９０分間反応させた。反応後に、下記式（７）で表される構造のビフェニルアラルキル樹脂１９．９ｇ（フェノール水酸基０．１ｍｏｌ相当）を加え、さらに１００℃で６０分反応させ、樹脂状の化合物Ｃ２を得た。

＜式（６）の化合物の物性＞
軟化点：６０℃
エポキシ当量：２７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：１．３ｐｏｉｓｅ

＜式（７）の化合物の物性＞
軟化点：６８℃
水酸基当量：１９９
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．９ｐｏｉｓｅ

上記で得た樹脂状の化合物Ｃ２を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、６０℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ３の合成）
前記同様にして合成した式（４）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラート３５．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、フェニルグリシジルエーテル１５．０ｇ（エポキシ基０．１ｍｏｌ）を、攪拌装置付きのセパラブルフラスコにしこみ、常温で混合後、内温が１４０℃になるよう加熱し、９０分間反応させた。反応後に、下記式（８）で表される構造のフェノールアラルキル樹脂１７．２ｇ（フェノール水酸基０．１ｍｏｌ相当）を加え、さらに１００℃で６０分反応させ、樹脂状の化合物Ｃ３を得た。

＜式（８）の化合物の物性＞
軟化点：７７℃
水酸基当量：１７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：３．６ｐｏｉｓｅ

上記で得た樹脂状の化合物Ｃ３を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、７０℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ４の合成）
前記同様にして合成した式（４）表されるトリ置換ホスホニウムフェノラート３５．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、前記式（５）で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂１９．３ｇ（エポキシ基０．１ｍｏｌ）を、攪拌装置付きのセパラブルフラスコにしこみ、常温で混合後、内温が１００℃になるよう加熱し、６０分間反応させた。反応後に、前記式（８）で表される構造のフェノールアラルキル樹脂１７．２ｇ（フェノール水酸基０．１ｍｏｌ相当）を加え、さらに１００℃で６０分反応させ、樹脂状の化合物Ｃ４を得た。

上記で得た樹脂状の化合物Ｃ４を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、７５℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ５の合成）
３−ブロモフェノールの代わりに、２−ブロモ−６−ナフトール２２．３ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いて、化合物Ｃ１と同様の手法で合成した下記式（９）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラート４０．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた以外は、化合物Ｃ１の合成と同様に行い、樹脂状の化合物Ｃ５を得た。

上記で得た樹脂状の化合物Ｃ５を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、９０℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ６の合成）
前記式（４）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラートの代わりに、前記同様にして合成した式（９）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラート４０．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた以外は、化合物Ｃ２の合成と同様に行い、樹脂状の化合物Ｃ６を得た。
上記で得た樹脂状の化合物Ｃ６を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、６０℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ７の合成）
トリフェニルホスフィンの代わりに、トリ−ｐ−トリルホスフィン３０．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、３−ヨードフェノールの代わりに、２−ヨードフェノールを用いて合成した下記式（１０）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラート３９．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた以外は、化合物Ｃ２の合成と同様に行い、樹脂状の化合物Ｃ７を得た。

上記で得た樹脂状の化合物Ｃ７を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、６０℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ８の合成）
トリフェニルホスフィンの代わりに、トリ−ｎ−ブチルホスフィン２０．２ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いて合成した下記式（１１）で表されるトチ置換ホスホニウムフェノラート２９．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を用いた以外は、化合物Ｃ２の合成と同様に行い、樹脂状の化合物Ｃ８を得た。

上記で得た樹脂状の化合物Ｃ８を、ＤＳＣにより測定を行ったところ、６０℃付近に幅広い軟化点による吸熱を確認した。また、高温域で、エポキシ基の開環反応による発熱は見られなかった。これより、仕込んだ原料が適切な反応を起こしていることが確認できた。

（化合物Ｃ９、Ｃ１０の合成）
前記同様にして合成した式（４）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラートを化合物Ｃ９とし、前記同様にして合成した式（９）で表されるトリ置換ホスホニウムフェノラートをＣ１０とした。

２．エポキシ樹脂組成物の調製および半導体装置の製造
以下のようにして、前記化合物Ｃ１〜Ｃ８、比較用の化合物Ｃ９、Ｃ１０、およびトリフェニルホスフィンを含むエポキシ樹脂組成物を調製し、半導体装置を製造した。

（実施例１）
まず、化合物（Ａ）として前記式（５）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、化合物（Ｂ）として前記式（８）で表されるフェノールアラルキル樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。）、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、その他の添加剤として、無機充填材の溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、カーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびカルナバワックスを、それぞれ用意した。

次に、ビフェニル型エポキシ樹脂：５２重量部、フェノールアラルキル樹脂：４８重量部、化合物Ｃ１：３．２１重量部、溶融球状シリカ：７３０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて８５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。

次に、このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、１００ピンＴＱＦＰのパッケージ（半導体装置）を８個、および、１６ピンＤＩＰのパッケージ（半導体装置）を１５個、それぞれ製造した。
１００ピンＴＱＦＰは、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１００ピンＴＱＦＰのパッケージサイズは、１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
また、１６ピンＤＩＰは、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１６ピンＤＩＰのパッケージサイズは、６．４×１９．８ｍｍ、厚み３．５ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、３．５×３．５ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。

（実施例２）
まず、化合物（Ａ）として前記式（６）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。）、化合物（Ｂ）として前記式（７）で表されるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。）、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、その他の添加剤として、無機充填材である溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、カーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびカルナバワックスを、それぞれ用意した。

次に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：５７重量部、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：４３重量部、化合物Ｃ１：３．２１重量部、溶融球状シリカ：６５０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて９５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：４．１３重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：４．１３重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例５）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：３．３８重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例６）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：３．３８重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例７）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：３．６０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例８）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：３．６０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例９）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：３．４６重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１０）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：３．４６重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１１）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：４．３８重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１２）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：４．３８重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ７：３．６３重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ７：３．６３重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１５）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ８：３．８５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１６）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ８：３．８５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例１）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ９：１．７７重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例２）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ９：１．７７重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１０：２．０２重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１０：２．０２重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例５）
化合物Ｃ１に代わり、トリフェニルホスフィン：１．００重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例６）
化合物Ｃ１に代わり、トリフェニルホスフィン：１．００重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

３．特性評価
各実施例および各比較例で得られたエポキシ樹脂組成物の特性評価Ｉ〜III、および、各実施例および各比較例で得られた半導体装置の特性評価IVおよびＶを、それぞれ、以下のようにして行った。
Ｉ：スパイラルフロー
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。
このスパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい程、流動性が良好であることを示す。
II：硬化トルク
キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。
この硬化トルクは、数値が大きい程、硬化性が良好であることを示す。
III：フロー残存率
得られたエポキシ樹脂組成物を、大気中３０℃で１週間保存した後、前記Ｉと同様にしてスパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率（％）を求めた。
このフロー残存率は、数値が大きい程、保存性が良好であることを示す。
IV：耐半田クラック性
１００ピンＴＱＦＰを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後、２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。
その後、顕微鏡下に、外部クラックの発生の有無を観察し、クラック発生率＝（クラックが発生したパッケージ数）／（全パッケージ数）×１００として、百分率（％）で表示した。
また、シリコンチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率＝（剥離面積）／（シリコンチップの面積）×１００として、８個のパッケージの平均値を求め、百分率（％）で表示した。
これらのクラック発生率および剥離率は、それぞれ、数値が小さい程、耐半田クラック性が良好であることを示す。
Ｖ：耐湿信頼性
１６ピンＤＩＰに、１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１５個のパッケージのうち８個以上に不良が出るまでの時間を不良時間とした。
なお、測定時間は、最長で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個未満であったものは、不良時間を５００時間超（＞５００）と示す。
この不良時間は、数値が大きい程、耐湿信頼性に優れることを示す。

各特性評価Ｉ〜Ｖの結果を、表１に示す。

表１に示すように、各実施例で得られたエポキシ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）は、いずれも、硬化性、保存性、流動性が極めて良好であり、さらに、この硬化物で封止された各実施例のパッケージ（本発明の半導体装置）は、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性が良好なものであった。
これに対し、比較例１ないし比較例４で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも流動性に劣るものであった。また、比較例５および比較例６で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、硬化性、保存性、流動性が極めて悪く、これらの比較例で得られたパッケージは、いずれも、耐半田クラック性に劣るものであった。

４．他の熱硬化性樹脂組成物の調製と半導体装置の製造およびその評価
（実施例１７〜２４および比較例７）
ジアミノジフェニルメタンのビスマレイミド樹脂（ケイ・アイ化成製ＢＭＩ−Ｈ）１００重量部に、硬化促進剤として化合物Ｃ１〜Ｃ８およびトリフェニルホスフィンを、それぞれ、表２に示す配合比で配合し、これらを均一に混合した樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
実施例１７〜２４および比較例７で得られた樹脂組成物に対して、１９０℃におけるゲル化時間を測定した。

この結果を、各硬化促進剤の配合比と合わせて、表２に示す。

表２に示すように、各実施例で得られた樹脂組成物は、いずれも、速やかに硬化に至るものであった。これに対し、比較例で得られた樹脂組成物は、硬化には至らず、ミクロゲル化した。

本発明の硬化促進剤は、熱硬化性樹脂組成物、特に、エポキシ樹脂組成物に、特に優れた流動性を与えることができ、また、良好な保存性と硬化性も兼ね備えている。一方、常温保管性の向上による、各種コストの低減及びハンドリング性の向上にも寄与することができる。また、該熱硬化性樹脂組成物を用い、その硬化物により封止された半導体素子などの電子部品を封止した電子部品装置は、耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れるものとなる。

Claims

硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進し得る硬化促進剤であって、
前記硬化促進剤は、トリ置換ホスホニオフェノラートと、１分子内にエポキシ基を１個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を１個以上有する化合物とを反応させて得られるものであることを特徴とする硬化促進剤。
前記トリ置換ホスホニオフェノラートは、下記一般式（１）で表されるものである請求項１に記載の硬化促進剤。

［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基、または、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
前記トリ置換ホスホニオフェノラートは、下記一般式（２）で表されるものである請求項１に記載の硬化促進剤。

［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²およびＡｒ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
前記トリ置換ホスホニオフェノラートは、下記一般式（３）で表されるものである請求項１に記載の硬化促進剤。

［式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基および水酸基から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
前記一般式（３）において、オキシアニオンは、リン原子に対してオルト位またはメタ位に位置する請求項４に記載の硬化促進剤。
１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、請求項１ないし５のいずれかに記載の硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
請求項６に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。