JP4385696B2 - 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関するものである。

ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を封止して半導体装置を得る方法としては、エポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファー成形により封止する方法が、低コストで、大量生産に適しているという点で広く用いられている。また、エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂や、硬化剤であるフェノール樹脂などの成分を改良することにより、これを用いた半導体装置の特性および信頼性の向上が図られている。

しかしながら、昨今の電子機器の市場動向において、機器の小型化、軽量化および高性能化に伴い、半導体の高集積化も年々進んでおり、また、製造工程における半導体装置の表面実装化も促進されている。半導体装置の表面実装化においては、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の密着性が不十分であると、この界面で剥離が生じることがあり、剥離により半導体装置にクラックを誘起するとともに、耐湿信頼性の低下も招くこととなる。また、エポキシ樹脂組成物中に揮発成分が存在すれば、それが爆発的に気化する際の応力により、半導体装置にクラックが発生しやすくなり、半導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂組成物への要求は、益々厳しいものとなってきている。これらの問題に対し、従来からのエポキシ樹脂組成物では、解決できない（対応できない）事態も生じている。

近年、半導体素子の封止に用いられる材料には、生産効率の向上を目的とした速硬化性の向上と、物流・保管時の取扱い性の向上を目的とした保存性の向上が求められるようになってきている。

電気・電子材料分野向けのエポキシ樹脂組成物には、硬化時における樹脂の硬化反応を促進する目的で、ホスホニウム分子化合物などを硬化促進剤として、一般的に添加している（例えば、特許文献１参照。）。

ところで、かかる硬化促進剤は、硬化促進効果を示す温度領域が、比較的低温にまで及ぶため、例えば、硬化前のエポキシ樹脂組成物と他の成分とを混合する際にも、系内に発生する熱や外部から加えられる熱により、エポキシ樹脂組成物の硬化反応は一部進行する。また、混合終了後、このエポキシ樹脂組成物を常温で保管するにあたって、反応はさらに進行する。

この部分的な硬化反応の進行は、エポキシ樹脂組成物が液体の場合には、粘度の上昇や流動性の低下をもたらし、また、エポキシ樹脂組成物が固体の場合には、粘性を発現させる。このような状態の変化は、エポキシ樹脂組成物内に厳密な意味で均一に生じるわけではない。このため、エポキシ樹脂組成物の各部分の硬化性には、ばらつきが生じる。

これが原因となり、更に、高温で硬化反応を進行させ、エポキシ樹脂組成物を成形（その他賦形という概念も含んで、以下「成形」と記す）する際に、流動性低下による成形上の障害や、成形品の機械的、電気的あるいは化学的特性の低下をもたらす。

この問題を解決する硬化促進剤として、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを用いることで、良好な潜伏性、保存安定性および硬化性を両立する技術が公開されている（例えば、特許文献２参照。）。しかし、かかる硬化促進剤を用いても、近年求められる速硬化性に対応できず、決定的な技術であるとはいえなかった。
特開２００１−９８０５３号公報（第６−９頁） 特許第２９３９１６６号公報（第３−４頁）

本発明の目的は、熱硬化性樹脂組成物、特に、エポキシ樹脂組成物に、優れた保存性と良好な硬化性および流動性を与えることができる硬化促進剤、該特性が良好なエポキシ樹脂組成物および耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１４）の本発明により達成される。

（１） 硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進しうる硬化促進剤であって、
下記一般式（１）で表されることを特徴とする硬化促進剤。
［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の１価の芳香族基、または、置換もしくは無置換の１価のアルキル基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の２価の芳香族基を示す。置換基Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ、置換もしくは無置換の１価の芳香族基、または置換もしくは無置換の１価のアルキル基を示し、これらのうちの少なくとも１つは、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。前記分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基は、フェノール、１−ナフトール、２−ナフトール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、安息香酸、１−ナフトエ酸および２−ナフトエ酸から選ばれるプロトン供与体が有する水酸基、カルボキシル基のプロトンを１個放出してなる基である。ｎは、１以上の数である。］

（２） １分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、1分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、第（１）項に記載の硬化促進剤（Ｃ）とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

（３） 前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）は、下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂および下記一般式（３）で表されるエポキシ樹脂の少なくとも一方を主成分とするものである、第（２）項に記載のエポキシ樹脂組成物。
［式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基およびハロゲン原子から選択される１種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
［式中、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ａは１以上の整数である。］

（４） 前記ａは、１〜１０である、第（３）項に記載のエポキシ樹脂組成物。

（５） 前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、下記一般式（４）で表されるフェノール樹脂および下記一般式（５）で表されるフェノール樹脂の少なくとも一方を主成分とするものである、第（２）項ないし第（４）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
［式中、Ｒ²⁰〜Ｒ²³は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｂは、１以上の整数である。］
［式中、Ｒ²⁴〜Ｒ³¹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｃは、１以上の整数である。］

（６） 前記ｂは、１〜１０である、第（５）項に記載のエポキシ樹脂組成物。

（７） 前記ｃは、１〜１０である、第（５）項または第（６）項に記載のエポキシ樹脂組成物。

（８） 前記硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、０．０１〜１０重量％である、第（２）項ないし第（７）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。

（９） 無機充填材（Ｄ）を含む、第（２）項ないし第（８）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。

（１０） 前記無機充填材（Ｄ）は、溶融シリカである、第（９）項に記載のエポキシ樹脂組成物。

（１１） 前記無機充填材（Ｄ）は、粒状をなしている、第（９）項または第（１０）項に記載のエポキシ樹脂組成物。

（１２） 前記無機充填材（Ｄ）の平均粒径は、１〜１００μｍである、第（９）項ないし第（１１）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。

（１３） 前記無機充填材（Ｄ）の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部である、第（９）項ないし第（１２）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。

（１４） 第（９）項ないし第（１３）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。

本発明の硬化促進剤によれば、常温での保存性に優れ、成形時に高い流動性と硬化性を有する硬化性樹脂組成物を得ることができ、また、該硬化性樹脂組成物を用いて作製された半導体装置は、高温に曝された場合であっても、この硬化物に欠陥が生じるのを好適に防止することができ、耐半田クラック性や耐湿信頼性など良好な信頼性を発揮することができる。

本発明者らは、前記問題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、特定構造のホスホニウムと、特定構造のボレートが、イオン結合の作用により形成した塩、または、非共有結合性の相互作用により形成した分子化合物が、優れた保存性と硬化性を両立することを見出し、本発明を完成するに至った。
以下、本発明の硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明する。

本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、本発明の硬化促進剤である分子化合物（Ｃ）と、無機充填材（Ｄ）とを含むものである。かかるエポキシ樹脂組成物は、硬化性、保存性および流動性に優れたものである。

以下、各成分について、順次説明する。
本発明で用いられる、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）は、１分子内にエポキシ基を２個以上有するものであればその種類に何ら制限はなく、従来公知の化合物を用いることが出来る。
この化合物（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂など、フェノール類、フェノール樹脂およびナフトール類などの水酸基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ化合物、オレフィンを、過酸により酸化させエポキシ化したエポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂およびグリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、前記化合物（Ａ）は、特に、前記一般式（２）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂および前記一般式（３）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂のいずれか一方または双方を主成分とするものを用いるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）の流動性が向上するとともに、得られた半導体装置の耐半田クラック性がより向上する。
ここで、「耐半田クラック性の向上」とは、得られた半導体装置が、例えば半田浸漬や半田リフロー工程等において、高温に曝された場合であっても、硬化物のクラックや剥離等の欠陥の発生が生じ難くなることを言う。

ここで、前記一般式（２）における置換基Ｒ⁸〜Ｒ¹¹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれるものであり、前記一般式（３）における置換基Ｒ¹²〜Ｒ¹⁹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選ばれるものである。前記炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基およびブチル基等が挙げられ、前記ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子および臭素原子等が挙げられるが、これらの中でも、特に、置換基Ｒ⁸〜Ｒ¹¹については、メチル基、置換基Ｒ¹²〜Ｒ¹⁹については、水素原子またはメチル基であるのが好ましい。かかるエポキシ樹脂は、それ自体の溶融粘度が低いため、エポキシ樹脂組成物中に含有しても、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低く保持することができ、その結果、例えば半導体装置の製造時等に、その取扱いが容易となる。また、エポキシ樹脂組成物の硬化物（得られる半導体装置）の吸水性が低減して耐湿信頼性がより向上するとともに、耐半田クラック性もより向上する。

また、前記一般式（３）中のａは、エポキシ樹脂単位の平均の繰り返し数を表している。すなわち、ａは、１以上の整数であれば、特に限定されず、１〜１０程度であるのが好ましく、１〜５程度であるのが、より好ましい。ａを前記範囲とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性が、より向上する。

本発明で用いられる、1分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、前記化合物（Ａ）の硬化剤として作用（機能）するものであり、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物であれば、その種類に制限はなく、従来公知の化合物を用いることができる。
この化合物（Ｂ）としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、トリスフェノール樹脂、キシリレン変性ノボラック樹脂、テルペン変性ノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、特に、前記一般式（４）で表されるフェノールアラルキル樹脂および前記一般式（５）で表されるビフェニルアラルキル樹脂のいずれか一方または双方を主成分とするものが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）の流動性が向上するとともに、得られた半導体装置の耐半田クラック性や耐湿信頼性が、より向上する。

ここで、前記一般式（４）で表されるフェノールアラルキル樹脂の置換基Ｒ²⁰〜Ｒ²³、および、前記一般式（５）で表されるビフェニルアラルキル樹脂の置換基Ｒ²⁴〜Ｒ³¹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基およびハロゲン原子から選択される１種を表し、これらは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
これらの置換基Ｒ²⁰〜Ｒ²³およびＲ²⁴〜Ｒ³¹の具体例としては、それぞれ、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、塩素原子、臭素原子等が挙げられるが、これらの中でも、特に、水素原子またはメチル基であるのが好ましい。かかるフェノール樹脂は、それ自体の溶融粘度が低いため、エポキシ樹脂組成物中に含有しても、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低く保持することができ、その結果、例えば、半導体装置の製造時等に、その取扱いが容易となる。また、エポキシ樹脂組成物の硬化物（得られる半導体装置）の吸水性（吸湿性）が低減して、耐湿信頼性が、より向上するとともに、耐半田クラック性も、より向上する。

また、前記一般式（４）中のｂ、および、前記一般式（５）中のｃは、それぞれ、それぞれ、１以上の整数であれば、特に限定されず、１〜１０程度であるのが好ましく、１〜５程度であるのがより好ましい。ｂおよびｃを、それぞれ、前記範囲とすることにより、エポキシ樹脂組成物に添加した際に、好適な流動性を得ることができる。

本発明で用いられる硬化促進剤（Ｃ）は、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進し得る作用（機能）を有し、前記一般式（１）で表される塩または分子化合物であり、カチオン部を形成する第一の成分とアニオンを形成する第二の成分とから構成される。

ここで、前記一般式（１）において、塩または分子化合物を形成する第一の成分は、ホスホニウムベタイン化合物である。該ホスホニウムベタイン化合物の、リン原子に結合する置換基Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³は、置換もしくは無置換の１価の芳香族基または置換もしくは無置換の１価のアルキル基であり、その具体例としては、例えば、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、ナフチル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、フェニル基、メチルフェニル基の各種異性体、ヒドロキシフェニル基の各種異性体等が挙げられるが、これらの中でも、ナフチル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、フェニル基、メチルフェニル基の各種異性体、メトキシフェニル基の各種異性体等の置換もしくは無置換の１価の芳香族基であるのが好ましく、特に、フェニル基、メチルフェニル基の各種異性体、メトキシフェニル基の各種異性体、ヒドロキシフェニル基の各種異性体等であるのが、より好ましい。

また、前記一般式（１）において、Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の２価の芳香族基を表す。
このＡｒの具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基およびナフチレン基などの芳香族基、更には、これらの芳香族基にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基やアルコキシ基等の水酸基以外の置換基により置換された芳香族基が挙げられる。

総じて、前記一般式（１）において、置換基Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＡｒの組み合わせとしては、置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³が、それぞれフェニル基であり、Ａｒがフェニレン基であるものが好適である。このものは、熱安定性、硬化促進能に特に優れ、製造コストが安価である。

また、前記一般式（１）において、塩または分子化合物を形成する第二の成分は、ホウ素原子を含むアニオン成分である。前記一般式（１）において、置換基Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶およびＲ⁷は、置換もしくは無置換の１価の芳香族基または置換もしくは無置換の１価のアルキル基を示し、これらのうちの少なくとも１つは、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。前記置換もしくは無置換の１価の芳香族基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフタレン基、および、それらがＣ１〜Ｃ８アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基を有するもの等が挙げられる。また、前記置換もしくは無置換の１価のアルキル基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ８の直鎖アルキル基、およびそれらがＣ１〜Ｃ８アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基を有するもの等が挙げられる。

前記分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基は、それぞれ、ＨＲ⁴、ＨＲ⁵、ＨＲ⁶およびＨＲ⁷で表されるプロトン供与体から形成されるものであり、前記プロトン供与体は、水酸基及び／又はカルボキシル基を、同一分子内に１個以上有し、プロトンを放出して１価のプロトン供与性置換基となりホウ素原子と共有結合を形成できるものであれば、特に限定はない。このプロトン供与体としては、例えば、酢酸、トリフルオロ酢酸、ステアリン酸、フェノール、１−ナフトール、２−ナフトール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、安息香酸、１−ナフトエ酸、２−ナフトエ酸およびベンゾトリアゾール等が挙げられる。これらのうち、特に１−ナフトエ酸および２−ナフトエ酸等の芳香族カルボン酸を用いた場合、得られる塩または分子化合物は安定性に優れ、硬化物の信頼性を向上するため、好ましい。

本発明の硬化促進剤（Ｃ）は、ホスホニウムベタイン化合物と、ボレートアニオンの共役酸を接触させることで、非共有性の結合が形成され、その成分の組み合わせに応じた、一定比率の塩または分子化合物が生成する反応を利用して合成される。この比率が、一般式（１）において、ｎ＝１となるような場合、生成する化合物は塩であり、ｎが１より大きな場合、生成する化合物は分子化合物である。
このような分子化合物は、包接化合物、錯化合物、分子会合体など、種々の名称で呼ばれることがあるが、非共有性の結合、具体的には、ファンデルワールス力や、水素結合などの結合により、組み合わせに固有の、一定の比率で二種以上の成分が複合体を形成したものであれば、全て本発明の分子化合物と同義であり、本発明に含まれる。

本発明の硬化促進剤（Ｃ）の製法としては、ホスホニウムベタイン化合物を合成する工程と、そのホスホニウムベタイン化合物を、ボレートアニオンの共役酸と接触させ、本発明の硬化促進剤である塩、または分子化合物とする工程との、２工程からなる手法をとることができる。
ホスホニウムベタイン化合物の製法としては、従来公知の手法を利用することができる。例えば、第三ホスフィン化合物を、芳香環に結合する水素原子がハロゲンで置換されたフェノール化合物を、銅、ニッケルおよびコバルト等の金属のハロゲン塩を触媒として加熱反応させて得た、ホスホニウムベタインのハロゲン化水素付加物を、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウム等のアルカリを用いて中和することで、ホスホニウムベタインを得る手法が挙げられる。前記第三ホスフィン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィンおよびトリス（４−メトキシフェニル）ホスフィンなどが挙げられ、前記芳香環に結合する水素原子がハロゲンで置換されたフェノール化合物としては、例えば、３−クロロフェノール、１−クロロ−２−ナフトール、２−ブロモフェノール、３−ブロモフェノール、３−ブロモ−４−メチルフェノール、２−ヨードフェノールおよび４−ヨードナフトール等が挙げられ、銅、ニッケルおよびコバルト等の金属のハロゲン塩としては、例えば、塩化銅、塩化ニッケルおよび塩化コバルト等が挙げられる。
また、ボレートアニオンの共役酸の製法としては、例えば、テトラフェニルボレートナトリウム塩、テトラブチルボレートカリウム塩のような、テトラ置換ボレートのアルカリ金属塩と、プロトン供与体とを、加熱下で反応させ、生成物を塩酸等の酸を用いて中和し、ボレートアニオンの共役酸を得る手法が挙げられる。
上記のようにして得られた、ホスホニウムベタイン化合物を、ボレートアニオンの共役酸と接触させる手法としては、例えば、両成分を、成分毎に所定のモル比で、アルコール等の可溶な溶媒に溶解し、溶液を混合し、接触させるなどの手法を取ることができる。また、ボレートアニオンの共役酸が不安定である場合、ホスホニウムベタインのハロゲン化水素付加物と、テトラフェニルボレートのアルカリ金属塩とを接触させ、得られたホスホニウムベタインのテトラフェニルボレート塩と、プロトン供与体とを、加熱下で置換反応させる手法によって合成することもできる。
なお、本発明の硬化促進剤の製造方法は、適宜選択され得るものであり、上記の具体例に何ら限定されるものではない。

本発明のエポキシ樹脂組成物において、硬化促進剤（Ｃ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、０．０１〜１５重量％程度であるのが好ましく、０．１〜５重量％程度であるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の硬化性、保存性、流動性、他特性が、バランスよく発揮される。
また、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との配合比率も、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、前記化合物（Ｂ）のフェノール性水酸基が０．５〜２モル程度となるように用いるのが好ましく、０．７〜１．５モル程度となるように用いるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の諸特性のバランスを好適なものに維持しつつ、諸特性が、より向上する。

本発明で用いられる無機充填材（Ｄ）は、得られる半導体装置の補強を目的として、エポキシ樹脂組成物中に配合（混合）されるものであり、その種類については、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。
この無機充填材（Ｄ）としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に、溶融シリカであるのが好ましい。溶融シリカは、本発明の硬化促進剤との反応性に乏しいので、エポキシ樹脂組成物中に多量に配合（混合）した場合でも、エポキシ樹脂組成物の硬化反応が阻害されるのを防止することができる。また、無機充填材（Ｄ）として、溶融シリカを用いることにより、得られる半導体装置の補強効果が向上する。
また、無機充填材（Ｄ）の形状としては、例えば、粒状、塊状、鱗片状等のいかなるものであってもよいが、粒状（特に、球状）であるのが好ましい。
この場合、無機充填材（Ｄ）の平均粒径は、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、５〜３５μｍ程度であるのがより好ましい。また、この場合、粒度分布は、広いものであるのが好ましい。これにより、無機充填材（Ｄ）の充填量（使用量）を多くすることができ、得られる半導体装置の補強効果がより向上する。

本発明のエポキシ樹脂組成物において、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部程度であるのが好ましく、４００〜１４００重量部程度であるのが、より好ましい。また、４００〜１４００重量部であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が、より低くなり、半田クラックの発生を防止することができる。また、かかるエポキシ樹脂組成物は、加熱溶融時の流動性も良好であるため、半導体装置内部の金線変形を引き起こすことが好適に防止される。無機充填材（Ｄ）の含有量が前記下限値未満の場合、無機充填材（Ｄ）による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、一方、無機充填材（Ｄ）の含有量が前記上限値を超えた場合、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）に、充填不良等が生じるおそれがある。
また、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、前記化合物（Ａ）、前記化合物（Ｂ）や無機充填材（Ｄ）自体の比重を、それぞれ考慮し、重量部を体積％に換算して取り扱うようにしてもよい。

また、本発明のエポキシ樹脂組成物中には、前記（Ａ）〜（Ｄ）の化合物（成分）の他に、必要に応じて、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合（混合）するようにしてもよい。
また、本発明において硬化促進剤として機能する硬化促進剤（Ｃ）の特性を損なわない範囲で、エポキシ樹脂組成物中には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾール等の、他の公知の触媒を配合（混合）するようにしても、何ら問題はない。

本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）〜（Ｄ）の化合物（成分）、および、必要に応じて、その他の添加剤等を、ミキサーを用いて、常温混合し、熱ロール、加熱ニーダー等を用いて加熱混練し、冷却、粉砕することにより得ることができる。

得られたエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形することにより、半導体素子等の電子部品を封止する。これにより、本発明の半導体装置が得られる。

本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、ＳＩＰ（Single Inline Package）、ＨＳＩＰ（SIP with Heatsink）、ＺＩＰ（Zig-zag Inline Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＳＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＳＯＰ（Shrink Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＰ(ＦＰ）（QFP Fine Pitch）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、ＱＦＪ（ＰＬＣＣ）（Quad Flat J-leaded Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等が挙げられる。
このようにして得られた本発明の半導体装置は、耐半田クラック性および耐湿信頼性に優れる。その理由は、本発明の硬化促進剤（Ｃ）の半田条件（例えば半田リフロー工程等）における安定性に関係すると考えられる。

なお、本実施形態では、本発明の硬化促進剤（前記一般式（１）で表される硬化促進剤（Ｃ））を、エポキシ樹脂組成物に用いる場合を代表して説明したが、本発明の硬化促進剤は、ホスフィンまたはホスホニウム塩を硬化促進剤として、好適に使用し得る熱硬化性樹脂組成物に対して、使用可能である。かかる熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、エポキシ化合物、マレイミド化合物、シアネート化合物、イソシアネート化合物、アクリレート化合物、アルケニル化合物およびアルキニル化合物等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物が挙げられる。

また、本発明の硬化促進剤は、熱硬化性樹脂組成物の他、例えば、反応硬化性樹脂組成物、光硬化性樹脂組成物、嫌気硬化性樹脂組成物等の各種硬化性樹脂組成物に対しても使用可能である。

また、本実施形態では、本発明のエポキシ樹脂組成物を、半導体装置の封止材料として用いる場合について説明したが、本発明のエポキシ樹脂組成物の用途としては、これに限定されるものではない。また、エポキシ樹脂組成物の用途等に応じて、本発明のエポキシ樹脂組成物では、無機充填材の混合（配合）を省略することもできる。
以上、本発明の硬化促進剤、硬化促進剤の製造方法、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。

[硬化促進剤の原料化合物の合成]
まず、硬化促進剤を合成するために、原料となるホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）〜（４ｂ）を、以下のようにして合成した。

（ホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、２−ヨードフェノール２２．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）と、トリフェニルホスフィン３１．４ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．５ｇ、エタノール１００ｍＬを仕込み、還流するように加熱し２４時間反応させた。
反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、純水５００ｍＬに滴下し、反応物を析出させた。析出した反応物は、ろ過後にヘキサン１００ｍＬで洗浄し、乾燥して、下記式（６）で示されるホスホニウムハロゲン塩（１）３６．２ｇ（収率７５％）を得た。得られたホスホニウムハロゲン塩の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

上記で得られたホスホニウムハロゲン塩２４．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解し、常温で攪拌しながら、テトラフェニルホウ酸ナトリウム１７．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解した溶液を滴下した。析出した反応物を、イオン交換水で洗浄後、乾燥して、下記式（７）で示されるホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）２９．７ｇ（収率８８％）を得た。得られたホスホニウムテトラフェニルボレートの構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（ホスホニウムテトラフェニルボレート（２ｂ）の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、３−ブロモフェノール１７．３ｇ（０．１００ｍｏｌ）と、トリフェニルホスフィン３１．４ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．５ｇ、エタノール１００ｍＬを仕込み、還流するように加熱し２４時間反応させた。
反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、純水５００ｍＬに滴下し、反応物を析出させた。析出した反応物は、ろ過後にヘキサン１００ｍＬで洗浄し、乾燥して、下記式（８）で示されるホスホニウムハロゲン塩（２）３０．４ｇ（収率７０％）を得た。得られたホスホニウムハロゲン塩の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

上記で得られたホスホニウムハロゲン塩２１．８ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解し、常温で攪拌しながら、テトラフェニルホウ酸ナトリウム１７．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解した溶液を滴下した。析出した反応物を、イオン交換水で洗浄後、乾燥して、下記式（９）で示されるホスホニウムテトラフェニルボレート（２ｂ）２５．４ｇ（収率７５％）を得た。得られたホスホニウムテトラフェニルボレートの構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（ホスホニウムテトラフェニルボレート（３ｂ）の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、４−ヨードフェノール２２．０ｇ（０．１００ｍｏｌ）と、トリフェニルホスフィン３１．４ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．５ｇ、エタノール１００ｍＬを仕込み、還流するように加熱し２４時間反応させた。
反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、純水５００ｍＬに滴下し、反応物を析出させた。析出した反応物は、ろ過後にヘキサン１００ｍＬで洗浄し、乾燥して、下記式（１０）で示されるホスホニウムハロゲン塩（３）３７．５ｇ（収率７８％）を得た。得られたホスホニウムハロゲン塩の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

上記で得られたホスホニウムハロゲン塩２４．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解し、常温で攪拌しながら、テトラフェニルホウ酸ナトリウム１７．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解した溶液を滴下した。析出した反応物を、イオン交換水で洗浄後、乾燥して、下記式（１１）で示されるホスホニウムテトラフェニルボレート（３ｂ）２８．７ｇ（収率８５％）を得た。得られたホスホニウムテトラフェニルボレートの構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（ホスホニウムテトラフェニルボレート（４ｂ）の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、６−ブロモ−２−ナフトール２２．３ｇ（０．１００ｍｏｌ）と、トリフェニルホスフィン３１．４ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．５ｇ、エタノール１００ｍＬを仕込み、還流するように加熱し２４時間反応させた。
反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、純水５００ｍＬに滴下し、反応物を析出させた。析出した反応物は、ろ過後にヘキサン１００ｍＬで洗浄し、乾燥して、下記式（１２）で示されるホスホニウムハロゲン塩（４）３１．１ｇ（収率６４％）を得た。得られたホスホニウムハロゲン塩の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

上記で得られたホスホニウムハロゲン塩２４．３ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解し、常温で攪拌しながら、テトラフェニルホウ酸ナトリウム１７．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を、２００ｍＬのメタノールに溶解した溶液を滴下した。析出した反応物を、イオン交換水で洗浄後、乾燥して、下記式（１３）で示されるホスホニウムテトラフェニルボレート（４ｂ）２７．９ｇ（収率７７％）を得た。得られたホスホニウムテトラフェニルボレートの構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

[硬化促進剤の製造]
上記で得たホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）〜（４ｂ）を用い、本発明の硬化促進剤（Ｃ１）〜（Ｃ８）を、以下の方法により合成した。

（硬化促進剤Ｃ１の合成）
蒸留用の分枝管、冷却管、および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、上記で得たホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）２０．２ｇ（０．０３０ｍｏｌ）と、１−ナフトエ酸２０．７ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を仕込み、オイルバスで２６０℃に加熱し、反応させた。反応により脱離するベンゼンを、蒸留用の分岐管で捕集し、理論的に１００％反応分のベンゼンが捕集された時点で反応を終了した。
反応物を常温まで冷却後、３００ｍＬのメタノールを加え、再度加熱し、還流下で十分に洗浄した。得られた精製品を、乾燥して、下記式（１４）で示される硬化促進剤（Ｃ１）２８．７ｇ（収率９１％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（硬化促進剤Ｃ２の合成）
ホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）の代わりに、上記で得たホスホニウムテトラフェニルボレート（２ｂ）を用いた以外は、前記硬化促進剤Ｃ１の合成法と同様に行ない、下記式（１５）で示される硬化促進剤（Ｃ２）２６．５ｇ（収率８４％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（硬化促進剤Ｃ３の合成）
ホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）の代わりに、上記で得たホスホニウムテトラフェニルボレート（３ｂ）を用いた以外は、前記硬化促進剤Ｃ１の合成法と同様に行ない、下記式（１６）で示される硬化促進剤（Ｃ３）２８．１ｇ（収率８９％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（硬化促進剤Ｃ４の合成）
ホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）の代わりに、上記で得たホスホニウムテトラフェニルボレート（４ｂ）２１．７ｇ（０．０３０ｍｏｌ）を用いた以外は、前記硬化促進剤Ｃ１の合成法と同様に行ない、下記式（１７）で示される硬化促進剤（Ｃ４）２４．８ｇ（収率７５％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（硬化促進剤Ｃ５の合成）
１−ナフトエ酸の代わりに、フェノール１１．３ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を用いた以外は、前記硬化促進剤Ｃ１の合成法と同様に行ない、下記式（１８）で示される硬化促進剤（Ｃ５）１８．６ｇ（収率８４％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（硬化促進剤Ｃ６の合成）
１−ナフトエ酸の代わりに、フェノール８．５ｇ（０．０９０ｍｏｌ）を用い、理論的にホウ素上のフェニル置換基数の７５％反応分のベンゼンが捕集された時点で反応を終了した以外は、前記硬化促進剤Ｃ１の合成法と同様に行ない、下記式（１９）で示される硬化促進剤（Ｃ６）１８．４ｇ（収率８５％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（硬化促進剤Ｃ７の合成）
１−ナフトエ酸の代わりに、安息香酸１４．７ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を用いた以外は、前記硬化促進剤Ｃ１の合成法と同様に行ない、下記式（２０）で示される硬化促進剤（Ｃ７）２２．２ｇ（収率８７％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

（硬化促進剤Ｃ８の合成）
１−ナフトエ酸の代わりに、１−ナフトール１７．３ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を用いた以外は、前記硬化促進剤Ｃ１の合成法と同様に行ない、下記式（２１）で示される硬化促進剤（Ｃ８）２２．２ｇ（収率７９％）を得た。硬化促進剤の構造は、元素分析およびＮＭＲにより確認した。

［エポキシ樹脂組成物の調製および半導体装置の製造］
（実施例１〜８、比較例１〜３）
硬化促進剤として、前記硬化促進剤Ｃ１〜Ｃ８、比較用の硬化促進剤である、ＰＰ−３６０（ケイアイ化成（株）製、トリフェニルホスフィン）、ＴＰＰ−Ｋ（北興化学（株）製、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート）およびホスホニウムテトラフェニルボレート（１ｂ）、化合物（Ａ）として、ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００ＨＫ、融点１０５℃、エポキシ等量１９３）およびビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００Ｐ、軟化点６０℃、エポキシ等量２７２）、成分（Ｂ）として、フェノールアラルキル樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−ＬＬ、軟化点７７℃、水酸基等量１７２）およびビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６８℃、水酸基等量１９９）、成分（Ｄ）として、溶融球状シリカ（平均粒径５μｍ）、その他の成分を準備し、表１に記載の配合比率により、室温で混合し、さらに、熱ロールを用いて、９５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、１００ピンＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）のパッケージ（半導体装置）を８個、および、１６ピンＤＩＰ（Dual Inline Package）のパッケージ（半導体装置）を１５個、それぞれ製造した。
１００ピンＴＱＦＰは、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃８時間で、後硬化させることにより製造した。
なお、この１００ピンＴＱＦＰのパッケージサイズは、１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
また、１６ピンＤＩＰは、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃８時間で、後硬化させることにより製造した。
なお、この１６ピンＤＩＰのパッケージサイズは、６．４×１９．８ｍｍ、厚み３．５ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、３．５×３．５ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。

［特性評価］
各実施例および各比較例で得られたエポキシ樹脂組成物の特性評価（１）〜（３）、および、各実施例および各比較例で得られた半導体装置の特性評価（４）および（５）を、それぞれ、以下のようにして行った。
（１）：スパイラルフロー
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。
このスパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい程、流動性が良好であることを示す。
（２）：硬化トルク
キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターIV ＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。
この硬化トルクは、数値が大きい程、硬化性が良好であることを示す。
（３）：フロー残存率
得られたエポキシ樹脂組成物を、大気中４０℃で１週間保存した後、前記（１）と同様にしてスパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率（％）を求めた。
このフロー残存率は、数値が大きい程、保存性が良好であることを示す。
（４）：耐半田クラック性
１００ピンＴＱＦＰを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後、２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。
その後、顕微鏡下に、外部クラックの発生の有無を観察し、クラック発生率＝（クラックが発生したパッケージ数）／（全パッケージ数）×１００として、百分率（％）で表示した。
また、シリコンチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率＝（剥離面積）／（シリコンチップの面積）×１００として、８個のパッケージの平均値を求め、百分率（％）で表示した。
これらのクラック発生率および剥離率は、それぞれ、数値が小さい程、耐半田クラック性が良好であることを示す。
（５）：耐湿信頼性
１６ピンＤＩＰに、１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１５個のパッケージのうち８個以上に不良が出るまでの時間を不良時間とした。
なお、測定時間は、最長で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個未満であったものは、不良時間を５００時間超（＞５００）と示す。
この不良時間は、数値が大きい程、耐湿信頼性に優れることを示す。
各特性評価（１）〜（５）の結果を、表１に示す。

表１に示すように、各実施例で得られたエポキシ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）は、いずれも、硬化性、流動性が極めて良好であり、特に保存性に優れており、さらに、この硬化物で封止された各実施例のパッケージ（本発明の半導体装置）は、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性が良好なものであった。
これに対し、比較例１は硬化促進剤成分がトリフェニルホスフィンであり、硬化性、流動性、耐半田性、耐湿信頼性のすべてにおいて、実施例に比べ劣り、とりわけ、保存性は大きく劣っている、比較例２および比較例３で得られたエポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤成分が、従来のテトラフェニルボレートの塩であり、保存性、流動性はある程度の特性が得られるが、硬化性、耐半田性、耐湿信頼性において十分であるとは言えなかった。

（実施例９〜１６、比較例４〜５）
ジアミノジフェニルメタンのビスマレイミド樹脂（ケイ・アイ化成製ＢＭＩ−Ｈ）１００重量部に、硬化促進剤として化合物Ｃ１〜Ｃ８およびＴＰＰ−Ｋ、トリフェニルホスフィンを、それぞれ、表２に示す配合比で配合し、これらを均一に混合した樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
実施例９〜１６および比較例４〜５で得られた樹脂組成物に対して、１９０℃におけるゲル化時間を測定した。

この結果を、各硬化促進剤の配合比と合わせて、表２に示す。

表２に示すように、各実施例で得られた樹脂組成物は、いずれも、速やかに硬化に至るものであった。これに対し、比較例で得られた樹脂組成物は、比較例４は３００秒後においても硬化には至らず、比較例５はミクロゲル化により均一な硬化物が得られなかった。

本発明の硬化促進剤は、熱硬化性樹脂組成物、特に、エポキシ樹脂組成物に、優れた保存性と良好な硬化性を与えることができ、常温保管性の向上による、各種コストの低減及びハンドリング性の向上に寄与することができる。また、該熱硬化性樹脂組成物は、これを用い、その硬化物により封止された半導体素子などの電子部品を封止した電子部品装置は、耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れるものとなり、電気・電子材料分野において好適である。

Claims (14)

1. 硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進しうる硬化促進剤であって、
   下記一般式（１）で表されることを特徴とする硬化促進剤。
   ［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の１価の芳香族基、または、置換もしくは無置換の１価のアルキル基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の２価の芳香族基を示す。置換基Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ、置換もしくは無置換の１価の芳香族基、または置換もしくは無置換の１価のアルキル基を示し、これらのうちの少なくとも１つは、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。前記分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基は、フェノール、１−ナフトール、２−ナフトール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、安息香酸、１−ナフトエ酸および２−ナフトエ酸から選ばれるプロトン供与体が有する水酸基、カルボキシル基のプロトンを１個放出してなる基である。ｎは、１以上の数である。］
2. １分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、請求項１に記載の硬化促進剤（Ｃ）とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
3. 前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）は、下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂および下記一般式（３）で表されるエポキシ樹脂の少なくとも一方を主成分とするものである請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物。
   ［式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基およびハロゲン原子から選択される１種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
   ［式中、Ｒ¹²〜Ｒ¹⁹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基およびハロゲン原子から選択される１種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ａは１以上の整数である。］
4. 前記ａは、１〜１０である請求項３に記載のエポキシ樹脂組成物。
5. 前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、下記一般式（４）で表されるフェノール樹脂および下記一般式（５）で表されるフェノール樹脂の少なくとも一方を主成分とするものである請求項２ないし４のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
   ［式中、Ｒ²⁰〜Ｒ²³は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｂは、１以上の整数である。］
   ［式中、Ｒ²⁴〜Ｒ³¹は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｃは、１以上の整数である。］
6. 前記ｂは、１〜１０である請求項５に記載のエポキシ樹脂組成物。
7. 前記ｃは、１〜１０である請求項５または請求項６に記載のエポキシ樹脂組成物。
8. 前記硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、０．０１〜１５重量％である請求項２ないし７のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
9. 無機充填材（Ｄ）を含む請求項２ないし８のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
10. 前記無機充填材（Ｄ）は、溶融シリカである請求項９に記載のエポキシ樹脂組成物。
11. 前記無機充填材（Ｄ）は、粒状をなしている請求項９または１０に記載のエポキシ樹脂組成物。
12. 前記無機充填材（Ｄ）の平均粒径は、１〜１００μｍである請求項９ないし１１のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
13. 前記無機充填材（Ｄ）の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部である請求項９ないし１２のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
14. 請求項９ないし１３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。