JP2005232385A - 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 各種硬化性樹脂組成物に有用な硬化促進剤、硬化性、保存性、流動性や密着性が良好なエポキシ樹脂組成物、および、耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進しうる硬化促進剤であって、下記一般式（１）で表される化合物またはその塩であることを特徴とする硬化促進剤。１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、1分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、前記硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【化１】

［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基、または、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ¹は、芳香環または複素環を含む２ａ価の有機基を表し、ａは２または３を表す。］

Description

本発明は、硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関するものである。

ＩＣおよびＬＳＩ等の半導体素子を封止して半導体装置を得る方法としては、エポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファー成形により封止する方法が、低コストで、大量生産に適しているという点で広く用いられている。
近年、半導体素子の封止に用いられる材料には、生産効率の向上を目的とした速硬化性の向上と、物流・保管時の取扱い性の向上を目的とした保存性の向上が求められるようになってきている。

従来、電子電気分野向けエポキシ樹脂には、硬化促進剤として、アミン類、イミダゾール系化合物、ジアザビシクロウンデセンなどの含窒素複素環式化合物、第４級アンモニウム、ホスホニウムあるいはアルミニウム化合物などの種々の化合物が使用されている。しかし、これらの硬化促進剤は、硬化促進効果を示す温度領域が、比較的低温にまで及ぶため、例えば、硬化前のエポキシ樹脂組成物と他の成分とを混合する際にも、系内に発生する熱や外部から加えられる熱により、エポキシ樹脂組成物の硬化反応は一部進行することがある。また、混合終了後、このエポキシ樹脂組成物を常温で保管するにあたって、反応はさらに進行することが問題となっている。
この部分的な硬化反応の進行は、エポキシ樹脂組成物が液体の場合には、粘度の上昇や流動性の低下をもたらし、また、エポキシ樹脂組成物が固体の場合には、粘性を発現させる。このような状態の変化は、エポキシ樹脂組成物内に厳密な意味で均一に生じるわけではないことから、エポキシ樹脂組成物の各部分の硬化性には、ばらつきが生じる。

これが原因となり、更に、高温で硬化反応を進行させ、エポキシ樹脂組成物を成形（その他賦形という概念も含んで、以下「成形」と記す）する際に、流動性低下による成形上の障害や、成形品の機械的、電気的あるいは化学的特性の低下をもたらすことになる。
したがって、このようにエポキシ樹脂組成物の保存性を低下させる原因となる硬化促進剤を用いる際には、諸成分混合時の厳密な品質管理、低温での保管や運搬、更に成形条件の厳密な管理が必須であり、取扱いが非常に煩雑である。

この問題を解決すべく、低温での粘度、流動性の経時変化を抑え、賦形、成形時の加熱によってのみ、硬化反応を起こすような、いわゆる潜伏性硬化促進剤の研究が盛んになされている。その手段として、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護することで、潜伏性を発現する研究がなされており、種々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造を有する潜伏性硬化促進剤が知られている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、このホスホニウム塩は、半導体装置の表面実装の採用により、耐半田クラック性、耐湿信頼性の低下という問題も生じる恐れがある。これは、次のような理由からである。成形温度における弾性率が高いため、半導体装置における密着が不十分となる可能性がある。すなわち、半導体装置は、半田浸漬あるいは半田リフロー工程で、急激に２００℃以上の高温に曝される。このため、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の密着性が不十分であると、この界面で剥離が生じる。この剥離が生じると、半導体装置にクラックを誘起するとともに、耐湿信頼性の低下も招く。また、エポキシ樹脂組成物中に揮発成分が存在すれば、それが爆発的に気化する際の応力により、半導体装置にクラックが発生しやすい。

また、別の潜伏性硬化促進剤として、種々のホスホニウムベタインの塩構造を有する潜伏性硬化促進剤が提示されている（例えば、特許文献２参照。）。しかし、このホスホニウムベタインの塩は、近年の低分子エポキシ樹脂やフェノールアラルキル樹脂のような硬化剤を用いる半導体封止材料では、硬化が不十分であるという問題が生じている。
特開２００１−９８０５３号公報（第５頁） 米国特許第４１７１４２０号明細書（第２−４頁）

本発明の目的は、各種硬化性樹脂組成物に有用な硬化促進剤、硬化性、保存性、流動性や密着性が良好なエポキシ樹脂組成物、および、耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１３）の本発明により達成される。
（１）硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進しうる硬化促進剤であって、
下記一般式（１）で表される化合物またはその塩であることを特徴とする硬化促進剤。

［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基、または、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ¹は、芳香環または複素環を含む２ａ価の有機基を表し、ａは２または３を表す。］

（２）前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（２）で表されるものである上記第（１）項に記載の硬化促進剤。

［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²およびＡｒ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ²は、芳香環または複素環を含む２ｂ価の有機基を表す。ｂは２または３を表す。］

（３）前記一般式（２）で表される化合物は、下記一般式（３）で表されるものである上記第（２）項に記載の硬化促進剤。

［式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基および水酸基から選択される１種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ³は、芳香環または複素環を含む２ｃ価の有機基を表す。ｃは２または３を表す。］

（４）前記一般式（１）で表される化合物の塩は、前記一般式（１）で表される化合物と、フェノール性水酸基を有する化合物とを反応させることにより得ることができるものである上記第（１）項に記載の硬化促進剤。
（５）前記一般式（１）で表される化合物は、置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³として、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基を有するものである上記第（４）項に記載の硬化促進剤。
（６）前記フェノール性水酸基を有する化合物は、トリヒドロキシ芳香族化合物類、没食子酸類、ビフェノール類、およびジヒドロキシナフタレン類から選ばれるものである上記第（４）項または第（５）項に記載の硬化促進剤。
（７）１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、1分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、上記第（１）項ないし第（６）項のいずれかに記載の硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
（８）前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物は、下記一般式（４）で表されるエポキシ樹脂および下記一般式（５）で表されるエポキシ樹脂の少なくとも一方を主成分とする上記第（７）項に記載のエポキシ樹脂組成物。

［式中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。］

［式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｘは１以上の整数である。］

（９）前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物は、下記一般式（６）で表されるフェノール樹脂および下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂の少なくとも一方を主成分とする上記第（７）項または第（８）項に記載のエポキシ樹脂組成物。

［式中、Ｒ¹⁹〜Ｒ²²は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｙは、１以上の整数である。］

［式中、Ｒ²³〜Ｒ³⁰は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｚは、１以上の整数である。］

（１０）前記硬化促進剤の含有量は、０．０１〜１０重量％である上記第（７）項ないし第（９）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
（１１）無機充填材を含む上記第（７）項ないし第（１０）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
（１２）前記無機充填材の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物との合計量１００重量部あたり２００〜２４００重量部である上記第（１１）項に記載のエポキシ樹脂組成物。
（１３）上記第（１１）項または第（１２）項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。

本発明の硬化促進剤によれば、硬化性樹脂組成物を速やかに硬化させることができ、硬化性樹脂組成物の硬化物が、高温に曝された場合であっても、この硬化物に欠陥が生じるのを好適に防止することができる。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化性、保存性、流動性、密着性に優れる。
また、本発明の半導体装置は、高温に曝された場合であっても、クラックや剥離等の欠陥が生じ難く、また、吸湿に伴う経時劣化も発生し難い。

本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、本発明の硬化促進剤（Ｃ）と、必要に応じて、無機充填材（Ｄ）とを含むものである。かかるエポキシ樹脂組成物は、硬化性、保存性、流動性および密着性に優れたものである。

以下、各成分について、順次説明する。
［化合物（Ａ）］
本発明に用いる１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）は、１分子内にエポキシ基を２個以上有するものであれば、何ら制限はない。
この化合物（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂などのフェノール類、ナフトール類やフェノール樹脂などの水酸基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ化合物、オレフィンを過酸を用いて酸化させエポキシ化した脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂およびグリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、前記化合物（Ａ）は、特に、前記一般式（４）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂および前記一般式（５）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂のいずれか一方または双方を主成分とするものを用いるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）の流動性が向上するとともに、得られた半導体装置の耐半田クラック性が、より向上する。
ここで、「耐半田クラック性の向上」とは、得られた半導体装置が、例えば半田浸漬や半田リフロー工程等において、高温に曝された場合であっても、クラックや剥離等の欠陥の発生が生じ難くなることを言う。

ここで、前記一般式（４）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂における置換基Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基およびハロゲン原子から選択される１種であり、前記アルキル基およびハロゲン原子の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、塩素原子および臭素原子等が挙げられるが、これらの中でも、特に、メチル基であるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が低下し、例えば半導体装置の製造時等に、その取扱いが容易となる。また、その硬化物は、吸水性が低減するので、得られた半導体装置は、その内部の部材の経時劣化（例えば断線の発生等）が好適に防止され、その耐湿信頼性が、より向上する。

また、前記一般式（５）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂における置換基Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種であり、前記アルキル基およびハロゲン原子の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、塩素原子および臭素原子等が挙げられるが、これらの中でも、特に、水素原子またはメチル基であるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が低下し、例えば半導体装置の製造時等に、その取扱いが容易となるとともに、半導体装置の耐湿信頼性が、より向上する。
また、前記一般式（５）におけるｘは、エポキシ樹脂単位の平均の繰り返し数を表している。すなわち、ｘは、１以上の整数であれば、特に限定されず、１〜１０程度であるのが好ましく、１〜５程度であるのがより好ましい。ｘを前記範囲とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性がより向上する。

［化合物（Ｂ）］
本発明に用いる１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するものであれば制限はなく、前記化合物（Ａ）の硬化剤として作用（機能）するものである。
この化合物（Ｂ）としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、トリスフェノール樹脂、キシリレン変性ノボラック樹脂、テルペン変性ノボラック樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、前記化合物（Ｂ）は、特に、前記一般式（６）で表されるフェノールアラルキル樹脂および前記一般式（７）で表されるビフェニルアラルキル樹脂のいずれか一方または双方を主成分とするものを用いるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）の流動性が向上するとともに、得られた半導体装置の耐半田クラック性や耐湿信頼性が、より向上する。

ここで、前記一般式（６）で表されるフェノールアラルキル樹脂における置換基基Ｒ¹⁹〜Ｒ²²、および、前記一般式（７）で表されるビフェニルアラルキル樹脂における置換基Ｒ²³〜Ｒ³⁰は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種であり、前記アルキル基およびハロゲン原子の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、塩素原子および臭素原子等が挙げられるが、これらの中でも、特に、水素原子またはメチル基であるのが好ましい。かかるフェノール樹脂は、それ自体の溶融粘度が低いため、エポキシ樹脂組成物中に含有しても、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低く保持することができ、その結果、例えば半導体装置の製造時等に、その取扱いが容易となる。また、エポキシ樹脂組成物の硬化物（得られる半導体装置）の吸水性（吸湿性）が低減して耐湿信頼性がより向上するとともに、耐半田クラック性もより向上する。
また、前記一般式（６）におけるｙ、および、前記一般式（７）におけるｚは、それぞれ、フェノール樹脂単位の平均の繰り返し数を表している。すなわち、ｙおよびｚは、それぞれ、１以上の整数であれば、特に限定されず、１〜１０程度であるのが好ましく、１〜５程度であるのがより好ましい。ｙおよびｚを、それぞれ、前記範囲とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性の低下が好適に防止または抑制される。

［硬化促進剤（Ｃ）］
硬化促進剤（Ｃ）は、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進し得る作用（機能）を有し、前記一般式（１）で表されるホスホニウムベタイン化合物またはその塩であり、前記一般式（２）で表される化合物またはその塩であることが好ましく、前記一般式（３）で表される化合物またはその塩であることがより好ましい。

ここで、前記一般式（１）におけるリン原子に結合するＲ¹、Ｒ²およびＲ³で表される基は、それぞれ置換もしくは無置換の芳香族基または置換もしくは無置換のアルキル基であり、その具体例としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、メトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられるが、これらの中でも、前記一般式（２）において、前記一般式（１）におけるＲ¹、Ｒ²およびＲ³で表される基に相当するＡｒ²、Ａｒ³およびＡｒ⁴で表される基として示すように、フェニル基、ナフチル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基およびヒドロキシフェニル基等の芳香族基であるのが好ましく、特に前記一般式（３）においてリン原子に結合する基として示すように、フェニル基、メチルフェニル基の各異性体、メトキシフェニル基の各種異性体、ヒドロキシフェニル基の各種異性体等の置換もしくは無置換のフェニル基であるのが、硬化促進能に特に優れ、製造コストが安価であるのでより好ましい。

前記一般式（１）においてＡ¹で表される基、前記一般式（２）においてＡ²で表される基および前記一般式（３）においてＡ³で表される基は、芳香環または複素環を含む有機基であり、その具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、または、これらにハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基やアルコキシ基等の水酸基以外の置換基により置換された芳香族基が挙げられる。これらの中でもフェニレン基およびナフチレン基が熱安定性に優れ、製造コストが安価であるのでより好ましい。

また、前記一般式（１）において表される置換基の数a、前記一般式（２）において表される置換基の数ｂ、前記一般式（３）において表される置換基の数ｃは、２または３であれば特に限定されないが、ａが２であるのが硬化性がより向上し、より好ましい。

また、前記ホスホニウムベタイン化合物の塩は、前記ホスホニウムベタイン化合物とフェノール性水酸基を有する化合物とを反応させて得ることができるものであり、中でも、下記一般式（８）、下記一般式（９）で表される化合物、下記一般式（１０）および下記一般式（１１）で表される化合物であるのが好ましく、更には、前記一般式（１１）で表される化合物がより好ましい。

［式中、Ｒ³¹、Ｒ³²およびＲ³³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基、または、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ⁴は、芳香環または複素環を含む２e価の有機基を表す。Ａ⁵は、芳香環または複素環を含む（ｇ+ｈ）価の有機基を表し、Ｘは水素原子または有機基を表す。ｄは１〜３の整数、ｅは２または３、ｆは１または２、ｇは１〜５の整数、ｈは１〜３の整数、ｉは０〜２の値を表す。］

［式中、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵およびＲ³⁶は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基、または、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ⁶は、芳香環または複素環を含む２ｋ価の有機基を表す。Ａ⁷は、芳香環または複素環を含む（ｍ+１）価の有機基を表す。ｊは１〜３の整数、ｋは２または３、ｌは１または２、ｍは１〜７の整数、ｎは０〜２の値を表す。］

［式中、Ａｒ⁴、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸およびＡｒ⁹は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ⁸およびＡ⁹は、芳香環または複素環を含む２ｐおよび２ｕ価の有機基を表す。Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹およびＲ⁴⁰は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｙは単結合、またはエーテル基、スルホン基、スルフィド基およびカルボニル基から選ばれる置換基、または炭素原子数１〜１３で構成される有機基を表す。ｏおよびｔは１〜３の整数、ｐおよびｕは２または３、ｑおよびｖは１または２、ｓおよびｗは０〜２の整数を表す。］

前記一般式（８）および（９）のカチオン部においてリン原子に結合するＲ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵およびＲ³⁶で表される基である置換もしくは無置換の芳香族基または置換もしくは無置換のアルキル基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、メトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられるが、これらの中でも、前記一般式（１０）および（１１）のカチオン部において、前記Ａｒ⁴、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶、Ａｒ⁷、Ａｒ⁸およびＡｒ⁹で表される基に相当するリン原子に結合する基として示すように、フェニル基、ナフチル基、ｐ−ターシャリーブチルフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基およびヒドロキシフェニル基等の置換もしくは無置換の１価の芳香族基であるのが好ましい。特にフェニル基、メチルフェニル基の各異性体、メトキシフェニル基の各種異性体、ヒドロキシフェニル基の各種異性体等の置換もしくは無置換のフェニル基であるのが、硬化促進能に特に優れ、製造コストが安価であるのでより好ましい。

また、前記一般式（８）および（９）のカチオン部においてＡ⁴およびＡ⁶で表される基である芳香環または複素環を含む有機基としては、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、または、これらにハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基やアルコキシ基等の水酸基以外の置換基により置換された芳香族基が挙げられる。これらの中でもフェニレン基およびナフチレン基が熱安定性に優れ、製造コストが安価であるのでより好ましい。

一般式（８）においてＸで表される基である水素原子または有機基の内、前記有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基およびシクロペンチル基等が挙げられるが、前記Ｘで表される基としては、特に水素原子であるのが、製造コストが安価であるのでより好ましい。

また、前記一般式（８）および（９）のアニオン部においてＡ⁵およびＡ⁷で表される基である芳香環または複素環を含む有機基としては、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、または、これらにハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基やアルコキシ基等の水酸基以外の置換基により置換された芳香族基が挙げられる。特に前記一般式（１１）のアニオン部において前記Ａ⁹基に相当する基で表されるように、ナフチレン基であるのがエポキシ樹脂組成物の流動性がより向上し、より好ましい。また、前記一般式（８）のアニオン部においてｇで表される置換基の数は１〜５の整数、ｈで表される置換基の数は１〜３の整数であれば、特に限定されないが、ｐが３かつｈが１であるのがより好ましい。このような組み合わせにすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性がより向上する。前記一般式（９）のアニオン部においてｍで表される置換基の数は１〜７の整数であれば、特に限定されない。また、前記一般式（１０）において表されるＹは、単結合、またはエーテル基、スルホン基、スルフィド基およびカルボニル基から選ばれる置換基、または炭素数１〜１３で構成される有機基であるが、これらの中でも特に単結合であるのが、硬化促進能に特に優れ、より好ましい。前記一般式（１０）のアニオン部においてＲ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹およびＲ⁴⁰で表される基である水素原子またはハロゲン原子または炭素数１〜６で構成される有機基の内、前記ハロゲン原子および炭素数１〜６で構成される有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、塩素原子および臭素原子等が挙げられるが、前記Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶で表される基としては、特に、水素原子であるのが、製造コストが安価であるのでより好ましい。

また、前記一般式（８）〜（１１）のカチオン部においてｄ、ｊ、ｏおよびｔで表される置換基の数は１〜３の整数であれば、特に限定されず、また、ｅ、ｋ、ｐおよびｕで表される置換基の数は、２または３であれば特に限定されない。また、前記一般式（８）〜（１１）のアニオン部においてｉ、ｎ、ｓおよびｗで表される分子単位の数は０〜２であれば特に限定されないが、ｄとｆとｉ、ｊとｌとｎ、ｏとｑとｓおよびｔとｖとｗの組み合わせとしては、ｄ、ｊ、ｏおよびｔが２かつｆ、ｌ、ｑおよびｖが１かつｉ、ｎ、ｓおよびｗが０であるのがより好ましい。このような組み合わせとすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性が、より向上する。

また、前記ホスホニウムベタイン化合物の塩におけるフェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾシノール、カテコール、１，１−ビ−２−ナフトール、１，４−ジヒドロキシアントラキノン、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン、１，８，９−トリヒドロキシアントラセン、１，２，４−トリヒドロキシアントラキノン、１，４，９，１０−テトラヒドロキシアントラセンおよび１，３，４，４'−テトラヒドロキシフェニルメタンなどのヒドロキシ芳香族化合物類などの前記一般式（８）におけるアニオン部を形成するフェノール性水酸基を有する化合物、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸および２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸などのヒドロキシ芳香族カルボン酸、また、没食子酸、没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸−ｎ−ブチル、没食子酸−ｎ−オクチル、没食子酸−ｎ−ラウリルおよび没食子酸ステアリルなどの没食子酸類などの前記一般式（９）におけるアニオン部を形成するフェノール性水酸基を有する化合物、ビスフェノールＡ（２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン）、ビスフェノールＦ（４，４−メチレンビスフェノール、２，４−メチレンビスフェノール、２，２−メチレビスフェノール）、ビスフェノールＳ（２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン）、ビスフェノールＥ（４，４−エチリデンビスフェノール）、ビスフェノールフルオレン（４，４−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビスフェノール）、４，４−メチリデンビス（２，６−ジメチルフェノール）およびビス（４−ヒドロキシフェニル）メタノンなどのビスフェノール類、また、４，４−ビフェノール、２，２−ビフェノールおよび３，３，５，５−テトラメチルビフェノールなどのビフェノール類などの前記一般式（１０）におけるアニオン部を形成するフェノール性水酸基を有する化合物、２，６−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレンなどのジヒドロキシナフタレン類などの前記一般式（１１）におけるアニオン部を形成するフェノール性水酸基を有する化合物等が挙げられるが、硬化促進剤としての安定性、硬化性、流動性、保存性、硬化物の密着性および硬化物物性の観点から、前記ヒドロキシ化合物類の内、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン、１，８，９−トリヒドロキシアントラセンおよび１，２，４−トリヒドロキシアントラキノンなどのトリヒドロキシ芳香族化合物類や、没食子酸類、ビフェノール類、およびジヒドロキシナフタレン類が好ましく、この中でも２，３−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン等が好適である。

ここで、本発明の硬化促進剤である硬化促進剤（Ｃ）の製造方法の一例について説明する。
前記一般式（１）ないし（３）で表されるホスホニウムベタイン化合物の製法としては、従来公知の手法を利用することができる。具体例としては、第三ホスフィン化合物と、芳香環に結合する水素原子がハロゲンで置換されたフェノール化合物とを、銅、ニッケルおよびコバルト等の金属ハロゲン塩を触媒として加熱反応させて得た、ホスホニウムベタインのハロゲン化水素付加物を、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウム等のアルカリを用いて中和することで、ホスホニウムベタイン化合物を得る手法が挙げられる。

前記第三ホスフィン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンおよび１，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタンなどが挙げられ、前記芳香環に結合する水素原子がハロゲンで置換されたフェノール化合物としては、例えば、２，５−ジブロモ−ベンゼン−１，４−ジオール、２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレン、クロラニル酸、３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ安息香酸、４’，５’−ジブロモフルオレセイン、６，６’−ジブロモ−１，
１’−ビ−２−ナフトール、６，７−ジクロロ−１，４−ジヒドロキシ−アントラキノン、３−クロロフェノール、１−クロロ−２−ナフトール、２−ブロモフェノール、３−ブロモフェノール、３−ブロモ−４−メチルフェノール、２−ヨードフェノール、４−ヨードナフトール、および２−ブロモヒドロキノン等が挙げられ、前記金属ハロゲン塩としては、例えば、塩化ニッケルおよび塩化コバルト等の化合物挙げられる。

また、前記ホスホニウムベタイン化合物の塩の製法としては、前記ホスホニウムベタイン化合物と前記フェノール性水酸基を有する化合物とを反応させることにより得られるが、例えば、前記ホスホニウムベタイン化合物と前記フェノール性水酸基を有する化合物とを溶媒中にて混合することにより得ることができる。また、仕込みモル比については、目的化合物を得るに適した比率を選択することができる。
このホスホニウムベタイン化合物の塩としては、通常のアニオン部とカチオン部とのイオン結合性の塩の他に、分子化合物、包摂化合物または錯化合物の形態（構造）をとる（形成する）ものであっても良い。これらは、特に、熱硬化性樹脂の硬化促進剤として有用である。

前記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ化合物、マレイミド化合物、シアネート化合物、イソシアネート化合物、アクリレート化合物、またはアルケニルおよびアルキニル化合物等を含む樹脂が挙げられる。

本発明のエポキシ樹脂組成物において、硬化促進剤（Ｃ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、０．０１〜１０重量％程度であるのが好ましく、０．１〜１重量％程度であるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の硬化性、保存性、流動性および硬化物における他特性がバランスよく発揮される。
また、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との配合比率も、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、前記化合物（Ｂ）のフェノール性水酸基が０．５〜２モル程度となるように用いるのが好ましく、０．７〜１．５モル程度となるように用いるのがより好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の諸特性のバランスを好適なものに維持しつつ、諸特性が、より向上する。

［無機充填材（Ｄ）］
本発明に用いる無機充填材（Ｄ）は、得られる半導体装置の補強を目的として、エポキシ樹脂組成物中に配合（混合）されるものであり、その種類については、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。
この無機充填材（Ｄ）としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレーおよびガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、無機充填材（Ｄ）としては、特に、溶融シリカであるのが好ましい。溶融シリカは、本発明の硬化促進剤との反応性に乏しいので、エポキシ樹脂組成物中に多量に配合（混合）した場合でも、エポキシ樹脂組成物の硬化反応が阻害されるのを防止することができる。また、無機充填材（Ｄ）として溶融シリカを用いることにより、得られる半導体装置の補強効果が向上する。
また、無機充填材（Ｄ）の形状としては、例えば、粒状、塊状、鱗片状等のいかなるものであってもよいが、粒状（特に、球状）であるのが好ましい。
無機充填材（Ｄ）の平均粒径は、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、５〜３５μｍ程度であるのがより好ましい。また、この場合、粒度分布は、広いものであるのが好ましい。これにより、無機充填材（Ｄ）の充填量（使用量）を多くすることができ、得られる半導体装置の補強効果がより向上する。

本発明のエポキシ樹脂組成物において、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部程度であるのが好ましく、４００〜１４００重量部程度であるのがより好ましい。無機充填材（Ｄ）の含有量が前記下限値未満の場合、無機充填材（Ｄ）による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、一方、無機充填材（Ｄ）の含有量が前記上限値を超えた場合、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）に、充填不良等が生じるおそれがある。
なお、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）が、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、４００〜１４００重量部であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が低くなり、半田クラックの発生を防止することができる。また、かかるエポキシ樹脂組成物は、加熱溶融時の流動性も良好であるため、半導体装置内部の金線変形を引き起こすことが好適に防止される。
また、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、前記化合物（Ａ）、前記化合物（Ｂ）や無機充填材（Ｄ）自体の比重を、それぞれ考慮し、重量部を体積％に換算して取り扱うようにしてもよい。

また、本発明のエポキシ樹脂組成物中には、前記（Ａ）〜（Ｄ）の化合物（成分）の他に、必要に応じて、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合（混合）するようにしてもよい。
また、本発明の硬化促進剤の特性を損なわない範囲で、エポキシ樹脂組成物中には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾール等の、他の公知の触媒を配合（混合）するようにしても、何ら問題はない。

本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）〜（Ｄ）の化合物（成分）、および、必要に応じて、その他の添加剤等を、ミキサーを用いて常温混合し、熱ロール、加熱ニーダー等を用いて加熱混練し、冷却、粉砕することにより得られる。

上記で得られたエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールドおよびインジェクションモールド等の成形方法で硬化成形することにより、半導体素子等の電子部品を封止する。これにより、本発明の半導体装置が得られる。

本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、ＳＩＰ（Single Inline Package）、ＨＳＩＰ（SIP with Heatsink）、ＺＩＰ（Zig-zag Inline Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＳＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＳＯＰ（Shrink Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＰ(ＦＰ）（QFP Fine Pitch）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、ＱＦＪ（ＰＬＣＣ）（Quad Flat J-leaded Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等が挙げられる。

このようにして得られた本発明の半導体装置は、耐半田クラック性および耐湿信頼性に優れる。その理由は、本発明の硬化促進剤（Ｃ）を添加した樹脂組成物は、成形温度における弾性率が低いため、半導体装置における密着が十分であることが関係してくる。すなわち、半導体装置は、製造時の半田浸漬あるいは半田リフロー工程で、急激に２００℃以上の高温に曝されるため、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の密着性が不十分であると、この界面で剥離が生じる。この剥離が生じると、半導体装置にクラックを誘起するとともに、耐湿信頼性の低下も招く。

なお、本実施形態では、本発明の硬化促進剤（前記一般式（１）〜一般式（３）および前記一般式（８）〜一般式（１１））（Ｃ）を、エポキシ樹脂組成物に用いる場合を代表して説明したが、本発明の硬化促進剤は、ホスフィンまたはホスホニウム塩を硬化促進剤として好適に使用し得る熱硬化性樹脂組成物に対して使用可能である。かかる熱硬化性樹脂組成物としては、例えばエポキシ化合物、マレイミド化合物、シアネート化合物、イソシアネート化合物、アクリレート化合物、アルケニル化合物およびアルキニル化合物等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物が挙げられる。
また、本発明の硬化促進剤は、熱硬化性樹脂組成物の他、例えば反応硬化性樹脂組成物、光硬化性樹脂組成物、嫌気硬化性樹脂組成物等の各種硬化性樹脂組成物に対しても使用可能である。

また、本実施形態では、本発明のエポキシ樹脂組成物を、半導体装置の封止材料として用いる場合について説明したが、本発明のエポキシ樹脂組成物の用途としては、これに限定されるものではない。また、エポキシ樹脂組成物の用途等に応じて、本発明のエポキシ樹脂組成物では、無機充填材の混合（配合）を省略することもできる。
以上、本発明の硬化促進剤、硬化促進剤の製造方法、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
まず、硬化促進剤として使用する化合物Ｃ１〜Ｃ１３を用意した。
［硬化促進剤の合成］
各化合物Ｃ１〜Ｃ１３を、それぞれ、以下のようにして合成した。
（化合物Ｃ１の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：５００ｍＬ）に、２，５−ジブロモ−ベンゼン−１，４−ジオール１３．４ｇ（０．０５０ｍｏｌ）と、トリフェニルホスフィン３１．４ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、塩化ニッケルおよびエチレングリコール５０ｍＬを仕込み、還流するように加熱し２時間反応させた。
反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、純水５００ｍＬに滴下し、反応物を析出させた。析出した反応物は、ろ過後にヘキサン１００ｍＬで洗浄し、乾燥して、５５．４ｇの粉末を得た。
次に、ビーカー（容量：５００ｍＬ）に、上記で得た粉末５５．４ｇをメタノール９０ｍＬに溶解し、水酸化ナトリウム水溶液５ｍＬ（０．０７０ｍｍｏｌ）を滴下し、３０分間攪拌した。
次に反応物を、ジイソプロピルエーテル５００ｍＬに滴下し、析出した固形物を濾過、乾燥し、白色固形物１７．３ｇを得た。
この化合物をＣ１とした。化合物Ｃ１を、¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１２）で表される目的のホスホニウムベタイン化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１の収率は、５５％であった。

（化合物Ｃ２の合成）
２，５−ジブロモ−ベンゼン−１，４−ジオールに代わり、２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレン１５．９ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を用いた以外は、前記化合物Ｃ１の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に茶色の結晶２２．１ｇを得た。
この化合物をＣ２とした。化合物Ｃ２を、¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１３）で表される目的のホスホニウムベタイン化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ２の収率は、６５％であった。

（化合物Ｃ３の合成）
２，５−ジブロモ−ベンゼン−１，４−ジオールに代わり、３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ安息香酸１４．８ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を用いた以外は、前記化合物Ｃ１の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に茶色の結晶１１．２ｇを得た。
この化合物をＣ３とした。化合物Ｃ３を、¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１４）で表される目的のホスホニウムベタイン化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ３の収率は、３４％であった。

（化合物Ｃ４の合成）
トリフェニルホスフィンに代わり、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン４１．５ｇ（０．１２０ｍｏｌ）を用いた以外は、前記化合物Ｃ１の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に茶色の結晶２１．４ｇを得た。
この化合物をＣ４とした。化合物Ｃ４を、¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１５）で表される目的のホスホニウムベタイン化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ４の収率は、６０％であった。

（化合物Ｃ５の合成）
２，５−ジブロモ−ベンゼン−１，４−ジオール１３．４ｇ（０．０５０ｍｏｌ）に代わり、３−ブロモフェノール１７．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）を用い、また、トリフェニルホスフィンに代わり、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン２３．９ｇ（０．０６ｍｏｌ）を用いた以外は、前記化合物Ｃ１の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に茶色の結晶８．８ｇを得た。
この化合物をＣ５とした。化合物Ｃ５を、¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１６）で表される目的のホスホニウムベタイン化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ５の収率は、３０％であった。

（化合物Ｃ６の合成）
前記化合物Ｃ１の合成と同じ手順で合成を行い、上記式（１２）で表されるホスホニウムベタイン化合物を１７．３ｇ（０．０２７ｍｏｌ）得た。
２００ｍｌのビーカーに攪拌装置を取り付け、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン３．３８ｇ（０．０２７ｍｏｌ）およびメタノール１０ｇを仕込み、室温で、約３０分間攪拌を続け、均一に溶解させた。次いで、６０ｇのメタノールに、１７．３ｇ（０．０２７ｍｏｌ）の上記式（１２）で表されるホスホベタイン化合物を、均一に溶解した溶液を、攪拌下のビーカー中に滴下した。析出した白色の結晶を、ろ過した後、２００ｍｌのメタノールで洗浄し、乾燥して、結晶８．２ｇを得た。
得られた褐色結晶を¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１７）で表される目的の生成物であることが確認された。得られた化合物Ｃ６の収率は、４０％であった。

（化合物Ｃ７の合成）
前記化合物Ｃ２の合成と同じ手順で合成を行い、上記式（１３）で表されるホスホニウムベタイン化合物を２２．１ｇ（０．０３３ｍｏｌ）得た。
２００ｍｌのビーカーに攪拌装置を取り付け、２，３−ジヒドロキシナフタレン１０．６ｇ（０．０６６ｍｏｌ）およびメタノール２０ｇを仕込み、室温で、約３０分間攪拌を続け、均一に溶解させた。次いで、３５ｇのメタノールに、２２．１ｇ（０．０４０ｍｏｌ）の上記式（１３）で表されるホスホベタイン化合物を、均一に溶解した溶液を、攪拌下のビーカー中に滴下した。析出した白色の結晶を、ろ過した後、２００ｍｌのメタノールで洗浄し、乾燥して、結晶８．３ｇを得た。
得られた褐色結晶を¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１８）で表される目的の生成物であることが確認された。得られた化合物Ｃ７の収率は、２５％であった。

（化合物Ｃ８の合成）
前記化合物Ｃ３の合成と同じ手順で合成を行い、上記式（１４）で表されるホスホニウムベタイン化合物を１１．２ｇ（０．０１７ｍｏｌ）得た。
２００ｍｌのビーカーに攪拌装置を取り付け、４，４−ビフェノール６．３ｇ（０．０３４ｍｏｌ）およびメタノール４０ｇを仕込み、室温で、約３０分間攪拌を続け、均一に溶解させた。次いで、６０ｇのメタノールに、１１．２ｇ（０．０１７ｍｏｌ）の上記のホスホベタイン化合物を、均一に溶解した溶液を、攪拌下のビーカー中に滴下した。析出した白色の結晶を、ろ過した後、２００ｍｌのメタノールで洗浄し、乾燥して、結晶６．１ｇを得た。
得られた褐色結晶を¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１９）で表される目的の生成物であることが確認された。得られた化合物Ｃ８の収率は、３５％であった。

（化合物Ｃ９の合成）

前記化合物Ｃ４の合成と同じ手順で合成を行い、上記式（１５）で表されるホスホニウムベタイン化合物を２１．４ｇ（０．０３０ｍｏｌ）得た。
２００ｍｌのビーカーに攪拌装置を取り付け、１，６−ジヒドロキシナフタレン２．４ｇ（０．０１５ｍｏｌ）およびメタノール１０ｇを仕込み、室温で、約３０分間攪拌を続け、均一に溶解させた。次いで、３５ｇのメタノールに、２１．４ｇ（０．０３０ｍｏｌ）の上記式（１５）で表されるホスホベタイン化合物を、均一に溶解した溶液を、攪拌下のビーカー中に滴下した。析出した茶色の結晶を、ろ過した後、２００ｍｌのメタノールで洗浄し、乾燥して、結晶７．１ｇを得た。
得られた褐色結晶を¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（２０）で表される目的の生成物であることが確認された。得られた化合物Ｃ９の収率は、３０％であった。

（化合物Ｃ１０の合成）
前記化合物Ｃ５の合成と同じ手順で合成を行い、上記式（１６）で表されるホスホニウムベタイン化合物を８．８ｇ（０．０１５ｍｏｌ）得た。
２００ｍｌのビーカーに攪拌装置を取り付け、没食子酸５．１ｇ（０．０３０ｍｏｌ）およびメタノール１２ｇを仕込み、室温で、約３０分間攪拌を続け、均一に溶解させた。次いで、２０ｇのメタノールに、８．８ｇ（０．０３０ｍｏｌ）の上記式（１６）で表されるホスホベタイン化合物を、均一に溶解した溶液を、攪拌下のビーカー中に滴下した。析出した茶色の結晶を、ろ過した後、２００ｍｌのメタノールで洗浄し、乾燥して、結晶４．８ｇを得た。
得られた褐色結晶を¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（２１）で表される目的の生成物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１０の収率は、３５％であった。

（化合物Ｃ１１の合成）
トリフェニルホスフィン２６．２ｇ（０．１００ｍｏｌ）をビーカー（容量：５００ｍＬ）中で、７５ｍＬのアセトンに室温で溶解させた。
次に、この溶液中に、ｐ−ベンゾキノン１０．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）をアセトン４５ｍＬに溶解した溶液を、撹拌下ゆっくり滴下した。このとき、滴下を続けると、しだいに析出物が現われた。滴下終了後、約１時間撹拌を継続した後、約３０分静置した。その後、析出した結晶を濾過、乾燥し、緑褐色粉末２７．７５ｇを得た。
この化合物をＣ１１とした。化合物Ｃ１１を、¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（２２）で表される目的のトリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノン付加反応物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１１の収率は、７５％であった。

（化合物Ｃ１２の合成）
トリフェニルホスフィン２６．２ｇ（０．１００ｍｏｌ）を５００ｍｌのビーカー中で、７５ｇのアセトンに室温で溶解させた。
次に、この溶液中に、ｐ−ベンゾキノン１０．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）をアセトン４５ｇに溶解した溶液を、撹拌下ゆっくり滴下した。このとき、滴下を続けると、しだいに析出物が現われた。滴下終了後、約１時間撹拌を継続した後、約３０分静置した。その後、析出した結晶を濾過、乾燥し、緑褐色粉末２７．７５ｇを得た。
次に、５００ｍｌのビーカーにこの緑褐色粉末２７．７５ｇ（０．０７５ｍｍｏｌ）とギ酸４．８ｇ（０．０７５ｍｍｏｌ）と、メタノール２００ｇとを供給し、攪拌した。その後、ビーカー内に水酸化ナトリウム３ｇ（０．０７５ｍｍｏｌ）のメタノール溶液２００ｇを滴下し、３０分間攪拌した。
次に、反応物を純水２０００ｍｌに滴下し、析出した固形物を濾過、乾燥し、褐色固形物１３．４ｇを得た。
この化合物をＣ１２とした。¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（２３）で表される目的のホスホニウム化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１２の収率は、２５％であった。

（化合物Ｃ１３の合成）
前記化合物Ｃ１の合成と同じ手順で合成を行い、上記式（１２）で表されるホスホニウムベタイン化合物を１７．３ｇ（０．０２７ｍｏｌ）得た。
２００ｍｌのビーカーに攪拌装置を取り付け、ギ酸１．５９ｇ（０．０２７ｍｏｌ）、メタノール８ｇを仕込み、室温で、約３０分間攪拌を続け、均一に溶解させた。次いで、６０ｇのメタノールに、１７．３ｇ（０．０２７ｍｏｌ）の上記式（１２）で表されるホスホベタイン化合物を、均一に溶解した溶液を、攪拌下のビーカー中に滴下した。析出した白色の結晶を、ろ過した後、２００ｍｌのメタノールで洗浄し、乾燥して、結晶８．１ｇを得た。
得られた褐色結晶を¹Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（２４）で表される目的の生成物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１３の収率は、４０％であった。

［エポキシ樹脂組成物の調製および半導体装置の製造］
以下のようにして、前記化合物Ｃ１〜Ｃ１３を含むエポキシ樹脂組成物を調製し、半導体装置を製造した。
（実施例１）
まず、化合物（Ａ）として下記式（２５）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、化合物（Ｂ）として下記式（２６）で表されるフェノールアラルキル樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。）、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、無機充填材（Ｄ）として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびカルナバワックスを、それぞれ用意した。

＜式（２５）で表される化合物の物性＞
融点 ：１０５℃
エポキシ当量 ：１９３
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．１５ｐｏｉｓｅ

＜式（２６）で表される化合物の物性＞
軟化点 ：７７℃
水酸基当量 ：１７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：３．６ｐｏｉｓｅ

次に、ビフェニル型エポキシ樹脂：５２重量部、フェノールアラルキル樹脂：４８重量部、化合物Ｃ１：１．５８重量部、溶融球状シリカ：７３０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて９５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、１００ピンＴＱＦＰのパッケージ（半導体装置）を８個、および、１６ピンＤＩＰのパッケージ（半導体装置）を１５個、それぞれ製造した。
１００ピンＴＱＦＰは、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１００ピンＴＱＦＰのパッケージサイズは、１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
また、１６ピンＤＩＰは、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１６ピンＤＩＰのパッケージサイズは、６．４×１９．８ｍｍ、厚み３．５ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、３．５×３．５ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。

（実施例２）
まず、化合物（Ａ）として下記式（２７）で表されるエポキシ樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。）、化合物（Ｂ）として下記式（２８）で表されるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、無機充填材（Ｄ）として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびカルナバワックスを、それぞれ用意した。

＜式（２７）で表される化合物の物性＞
軟化点 ：６０℃
エポキシ当量 ：２７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：１．３ｐｏｉｓｅ

＜式（２８）で表される化合物の物性＞
軟化点 ：６８℃
水酸基当量 ：１９９
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．９ｐｏｉｓｅ

次に、エポキシ樹脂：５７重量部、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：４３重量部、化合物Ｃ１：２．０９重量部、溶融球状シリカ：６５０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて１０５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：１．７０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：１．７０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例５）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：１．６５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例６）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：１．６５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例７）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：１．７９重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例８）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：１．７９重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例９）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：１．４６重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１０）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：１．４６重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１１）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：１．８９重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１２）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：１．８９重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ７：２．５０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ７：２．５０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を
用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１５）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ８：２．５８重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１６）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ８：２．５８重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１７）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ９：１．９８重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１８）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ９：１．９８重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例１９）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１０：２．３１重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（実施例２０）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１０：２．３１重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例１）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１１：１．８５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例２）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１１：１．８５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１２：２．１５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１２：２．１５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例５）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１３：１．８８重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

（比較例６）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ１３：１．８８重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。

［特性評価］
各実施例および各比較例で得られたエポキシ樹脂組成物の特性評価（１）〜（４）、および、各実施例および各比較例で得られた半導体装置の特性評価（５）および（６）を、それぞれ、以下のようにして行った。
（１）：スパイラルフロー
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。
このスパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい程、流動性が良好であることを示す。
（２）：硬化トルク
キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶ ＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。
この硬化トルクは、数値が大きい程、硬化性が良好であることを示す。
（３）：フロー残存率
得られたエポキシ樹脂組成物を、大気中３０℃で１週間保存した後、前記（１）と同様にしてスパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率（％）を求めた。
このフロー残存率は、数値が大きい程、保存性が良好であることを示す。
（４）：弾性率
化合物（Ａ）として、前記式（２５）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：５２重量部、および、化合物（Ｂ）として、前記式（２６）で表されるフェノールアラルキル樹脂：４８重量部、化合物（Ｃ）として、Ｃ１ないしＣ１４を表１に記してある触媒量を配合し、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて９５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
この硬化物をレオバイブロン ＤＤＶ−２５ＦＰ型（オリエンテック（株）製）を用い、１７５℃での貯蔵弾性率を測定した。
（５）：耐半田クラック性
１００ピンＴＱＦＰを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後、２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。
その後、顕微鏡下に、外部クラックの発生の有無を観察し、クラック発生率＝（クラックが発生したパッケージ数）／（全パッケージ数）×１００として、百分率（％）で表示した。
また、シリコンチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率＝（剥離面積）／（シリコンチップの面積）×１００として、８個のパッケージの平均値を求め、百分率（％）で表示した。
これらのクラック発生率および剥離率は、それぞれ、数値が小さい程、密着性、耐半田クラック性が良好であることを示す。
（６）：耐湿信頼性
１６ピンＤＩＰに、１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１５個のパッケージのうち８個以上に不良が出るまでの時間を不良時間とした。
なお、測定時間は、最長で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個未満であったものは、不良時間を５００時間超（＞５００）と示す。
この不良時間は、数値が大きい程、耐湿信頼性に優れることを示す。

各特性評価（１）〜（６）の結果を、表１に示す。

表１に示すように、各実施例で得られたエポキシ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）は、いずれも、硬化性、保存性、流動性、密着性が極めて良好であり、さらに、この硬化物で封止された各実施例のパッケージ（本発明の半導体装置）は、樹脂硬化物の弾性率が低いという結果に反映して、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性が良好なものであった。
これに対し、比較例１および比較例２で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、流動性、保存性に劣り、これらの比較例で得られたパッケージは、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性に劣るものであった。また、比較例３および４で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、硬化性、流動性、保存性が極めて悪く、これらの比較例で得られたパッケージは、耐半田クラック性に劣るものであった。また、比較例５および６で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも流動性、保存性に劣り、これらの比較例で得られたパッケージは、いずれも、耐半田クラック性に極めて劣るものであった。

（実施例２１〜３０、比較例７〜９）
化合物（Ａ）として、前記式（２５）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：２６重量部、前記式（２７）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：２８．５重量部、および、化合物（Ｂ）として、前記式（２６）で表されるフェノールアラルキル樹脂：４５．５重量部を配合した以外は、それぞれ、前記実施例１、３、５、７、９、１１、１３、１５、１７、１９、比較例１、３、５と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、パッケージ（半導体装置）を製造した。
各実施例２１〜３０、比較例７〜９で得られたエポキシ樹脂組成物およびパッケージの特性評価を、前記と同様にして行ったところ、前記表１とほぼ同様の結果が得られた。

（実施例３１〜４０、比較例１０〜１２）
化合物（Ａ）として、前記式（２５）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：５４．５重量部、化合物（Ｂ）として、前記式（２６）で表されるフェノールアラルキル型フェノール樹脂：２４重量部、および、前記式（２８）で表されるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：２１．５重量部を配合した以外は、それぞれ、前記実施例１、３、５、７、９、１１、１３、１５、１７、１９、比較例１、３、５と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、パッケージ（半導体装置）を製造した。
各実施例３１〜４０、比較例１０〜１２で得られたエポキシ樹脂組成物およびパッケージの特性評価を、前記と同様にして行ったところ、前記表１とほぼ同様の結果が得られた。

（実施例４１〜４６、比較例１３）
Ｎ，Ｎ’−（４，４’−メチレンジフェニレン）ジマレイミドのビスマレイミド樹脂１００重量部に、硬化促進剤として化合物Ｃ１〜Ｃ６およびトリフェニルホスフィンを、それぞれ、表２に示す配合比で配合し、これらを均一に混合した樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
実施例４１〜４６および比較例１３で得られた樹脂組成物に対して、１９０℃におけるゲル化時間を測定した。

この結果を、各硬化促進剤の配合比と合わせて、表２に示す。

表２に示すように、各実施例で得られた樹脂組成物は、いずれも、速やかに硬化に至るものであった。これに対し、比較例で得られた樹脂組成物は、ミクロゲル化で不均質な硬化のため不良であった。

本発明の硬化促進剤は、ホスフィンまたはホスホニウム塩を硬化促進剤として好適に使用し得る熱硬化性樹脂組成物に対して有用である。これを含むエポキシ樹脂組成物は、流動特性が良好であり、クラックや剥離などの不具合を生じることがないため、高温環境下の製造工程を有する電子部品においても、半導体素子などの電子部品を封止に用いることができる。また、これを含むエポキシ樹脂組成物は、諸成分混合時の厳密な品質管理、低温での保管や運搬、更に成形条件の厳密な管理を行う必要がないため、取扱いが非常に容易である。

Claims (13)

1. 硬化性樹脂組成物に混合され、該硬化性樹脂組成物の硬化反応を促進しうる硬化促進剤であって、
   下記一般式（１）で表される化合物またはその塩であることを特徴とする硬化促進剤。
   

   

   ［式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基、または、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ¹は、芳香環または複素環を含む２ａ価の有機基を表し、ａは２または３を表す。］
2. 前記一般式（１）で表される化合物は、
   下記一般式（２）で表されるものである請求項１に記載の硬化促進剤。
   

   

   ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²およびＡｒ³は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ²は、芳香環または複素環を含む２ｂ価の有機基を表す。ｂは２または３を表す。］
3. 前記一般式（２）で表される化合物は、
   下記一般式（３）で表されるものである請求項２に記載の硬化促進剤。
   

   

   ［式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基および水酸基から選択される１種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ³は、芳香環または複素環を含む２ｃ価の有機基を表す。ｃは２または３を表す。］
4. 前記一般式（１）で表される化合物の塩は、前記一般式（１）で表される化合物と、フェノール性水酸基を有する化合物とを反応させることにより得ることができるものである請求項１に記載の硬化促進剤。
5. 前記一般式（１）で表される化合物は、置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³として、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香族基を有するものである請求項４に記載の硬化促進剤。
6. 前記フェノール性水酸基を有する化合物は、トリヒドロキシ芳香族化合物類、没食子酸類、ビフェノール類、およびジヒドロキシナフタレン類から選ばれるものである請求項４または５に記載の硬化促進剤。
7. １分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、1分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、請求項１ないし６のいずれかに記載の硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
8. 前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物は、下記一般式（４）で表されるエポキシ樹脂および下記一般式（５）で表されるエポキシ樹脂の少なくとも一方を主成分とする請求項７に記載のエポキシ樹脂組成物。
   

   

   ［式中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６の鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｘは１以上の整数である。］
9. 前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物は、下記一般式（６）で表されるフェノール樹脂および下記一般式（７）で表されるフェノール樹脂の少なくとも一方を主成分とする請求項７または８に記載のエポキシ樹脂組成物。
   

   

   ［式中、Ｒ¹⁹〜Ｒ²²は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｙは、１以上の整数である。］
   

   

   ［式中、Ｒ²³〜Ｒ³⁰は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、およびハロゲン原子から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、ｚは、１以上の整数である。］
10. 前記硬化促進剤の含有量は、０．０１〜１０重量％である請求項７ないし９のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
11. 無機充填材を含む請求項７ないし１０のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
12. 前記無機充填材の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物との合計量１００重量部あたり２００〜２４００重量部である請求項１１に記載のエポキシ樹脂組成物。
13. 請求項１１または１２に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。