JP2005109352A - アニール用薄膜半導体構造体、薄膜半導体用アニール方法、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置製造方法、および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタはエキシマレーザによって溶融再結晶化される非晶質の半導体薄膜と、この半導体薄膜を支持する絶縁基板10とを備える。この薄膜トランジスタはさらに半導体薄膜12の下地として絶縁基板10上に形成され絶縁基板10側から侵入する炭素を収容して絶縁基板10よりも低い炭素濃度に設定されるアンダーコート膜11を備える。
【選択図】図1
Description
フラットパネルディスプレイ95 p.200-p203 応用物理 第49巻第1号 p.90-p.96 応用物理 第67巻第3号 p.332-p.336
図23は半導体薄膜12の上側および下側に配置されるカバーによる平均結晶粒径の違いを示す。半導体薄膜12の上側表面および下側表面の両方をカバーしたときに、最も平均結晶粒径が大きくなることがわかる。また、結晶粒の核は半導体薄膜12において上側表面よりも早く冷却される下側表面に発生し易いため、下側表面をカバーするほうが上側表面をカバーするよりも効果的である。
表示画面は複数の表示画素PXにより構成される。各表示画素PXは画素電極PEおよび対向電極CE、並びにこれらの間に挟持された液晶層LQの液晶材料を含む。さらに、複数のスタティックメモリ部113および複数の接続制御部114が複数の表示画素PXに対してそれぞれ設けられる。図29に示すように、画素電極PEはこの信号線X上の映像信号Vpixを選択的に取り込む画素スイッチング素子111に接続され、さらに例えば対向電極CEのコモン電位Vcomに等しい電位Vcsに設定される補助容量線に容量結合する。画素電極PEおよび対向電極CEは液晶材料を介して液晶容量を構成し、画素電極PEおよび補助容量線は液晶材料を介さず液晶容量に並列的な補助容量112を構成する。
Claims (15)
- エネルギー光によって溶融再結晶化される非単結晶の半導体薄膜と、前記半導体薄膜を支持する支持基板と、前記半導体薄膜の下地として前記支持基板上に形成され前記支持基板側から侵入する炭素を収容して前記支持基板の表面よりも低い炭素濃度に設定される下地絶縁膜とを備えることを特徴とするアニール用薄膜半導体構造体。
- 前記下地絶縁膜は前記支持基板の上面を覆う酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載のアニール用薄膜半導体構造体。
- さらに前記半導体薄膜上に形成され外部から侵入する炭素を収容する光透過性絶縁膜を備えることを特徴とする請求項1に記載のアニール用薄膜半導体構造体。
- 前記光透過性絶縁膜は前記半導体薄膜の上面を覆う酸化膜を含むことを特徴とする請求項3に記載のアニール用薄膜半導体構造体。
- 支持基板上に下地絶縁膜を形成し、前記下地絶縁膜上に単結晶の半導体薄膜を形成し、前記支持基板側から侵入する炭素を収容させて下地絶縁膜の炭素濃度を前記支持基板の表面よりも低く設定した状態でエネルギー光を前記半導体薄膜に照射することにより前記半導体薄膜を溶融再結晶化することを特徴とする薄膜半導体用アニール方法。
- 前記下地絶縁膜として前記支持基板の上面を覆うように酸化膜を形成することを特徴とする請求項5に記載の薄膜半導体用アニール方法。
- さらに外部から侵入する炭素を収容する光透過性絶縁膜を前記半導体薄膜上に形成することを特徴とする請求項5に記載の薄膜半導体用アニール方法。
- 前記光透過性絶縁膜として前記半導体薄膜の上面を覆うように酸化膜を形成することを特徴とする請求項7に記載の薄膜半導体用アニール方法。
- 前記エネルギー光は位相シフタを介して前記半導体薄膜に照射されることを特徴とする請求項4に記載の薄膜半導体用アニール方法。
- 半導体薄膜と、前記半導体薄膜を支持する支持基板と、前記半導体薄膜の下地として前記支持基板上に形成され前記支持基板側から侵入する炭素を収容して前記支持基板の表面よりも低い炭素濃度に設定される下地絶縁膜と、前記半導体薄膜に設けられる薄膜トランジスタとを備えることを特徴とする薄膜半導体装置。
- さらに前記半導体薄膜上に形成され外部から侵入する炭素を収容する光透過性絶縁膜を備えることを特徴とする請求項10に記載の薄膜半導体装置。
- 支持基板上に下地絶縁膜を形成し、前記下地絶縁膜上に単結晶の半導体薄膜を形成し、前記支持基板側から侵入する炭素を収容させて下地絶縁膜の炭素濃度を前記支持基板の表面よりも低く設定した状態でエネルギー光を前記半導体薄膜に照射することにより前記半導体薄膜を溶融再結晶化し、この溶融再結晶化後に薄膜トランジスタを形成することを特徴とする薄膜半導体装置製造方法。
- さらに外部から侵入する炭素を収容する光透過性絶縁膜を前記半導体薄膜上に形成することを特徴とする請求項12に記載の薄膜半導体装置製造方法。
- 半導体薄膜と、前記半導体薄膜を支持する支持基板と、前記半導体薄膜の下地として前記支持基板上に形成され前記支持基板側から侵入する炭素を収容して前記支持基板の表面よりも低い炭素濃度に設定される下地絶縁膜と、前記半導体薄膜に設けられる薄膜トランジスタとを備え、この薄膜トランジスタにより表示回路を構成したことを特徴とする表示装置。
- さらに前記半導体薄膜上に形成され外部から侵入する炭素を収容する光透過性絶縁膜を備えることを特徴とする請求項14に記載の表示装置。
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