JPH07263342A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07263342A JPH07263342A JP7975694A JP7975694A JPH07263342A JP H07263342 A JPH07263342 A JP H07263342A JP 7975694 A JP7975694 A JP 7975694A JP 7975694 A JP7975694 A JP 7975694A JP H07263342 A JPH07263342 A JP H07263342A
- Authority
- JP
- Japan
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- silicon layer
- substrate
- polycrystalline silicon
- insulating substrate
- amorphous silicon
- Prior art date
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- Pending
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固相成長後の多結晶シリコン薄膜の粒径を大
きくして、移動度の高いデバイスを得ること。 【構成】 絶縁基板１の上にアモルファスシリコン薄膜
２を堆積させる前に、絶縁基板の表面をオゾン処理した
り、絶縁基板の表面を窒素雰囲気中比較的低温でアニー
ルしておくと、表面に付着しているカーボン系の不純物
が除去される。従って、固相成長時にこのカーボン系の
不純物が核となって、至る所で固相成長が起こるような
ことはなく、大きな粒径の多結晶シリコンが得られる。
また、基板の表面を水素雰囲気中でベーキングしておく
と、基板の表面が滑らかになり、しかも、カーボン系の
不純物も除去される。従って、固相成長時の核が発生す
る原因が大幅に除去され、固相成長後の多結晶シリコン
の粒径も大きなものが得られる。
きくして、移動度の高いデバイスを得ること。 【構成】 絶縁基板１の上にアモルファスシリコン薄膜
２を堆積させる前に、絶縁基板の表面をオゾン処理した
り、絶縁基板の表面を窒素雰囲気中比較的低温でアニー
ルしておくと、表面に付着しているカーボン系の不純物
が除去される。従って、固相成長時にこのカーボン系の
不純物が核となって、至る所で固相成長が起こるような
ことはなく、大きな粒径の多結晶シリコンが得られる。
また、基板の表面を水素雰囲気中でベーキングしておく
と、基板の表面が滑らかになり、しかも、カーボン系の
不純物も除去される。従って、固相成長時の核が発生す
る原因が大幅に除去され、固相成長後の多結晶シリコン
の粒径も大きなものが得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示デバイ
スの制御素子として利用される薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下ＴＦＴという）に使用される半
導体装置の製造方法に関する。
スの制御素子として利用される薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下ＴＦＴという）に使用される半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶デバイスとしてのＬＣＤにあって
は、近年は単純マトリックス方式からアクティブマトリ
ックス方式の開発が盛んとなっている。
は、近年は単純マトリックス方式からアクティブマトリ
ックス方式の開発が盛んとなっている。
【０００３】アクティブマトリックス方式には、各画素
毎に薄膜トランジスタを付けたＴＦＴ型と非線形ダイオ
−ドを付けたダイオ−ド型とがある。このうち、ＴＦＴ
型は、そのスイッチング特性と画素容量を利用して、選
択期間に印加された電圧を次の走査まで保持するもので
あり、大容量で高いコントラスト及び中間調を容易に得
ることができる。
毎に薄膜トランジスタを付けたＴＦＴ型と非線形ダイオ
−ドを付けたダイオ−ド型とがある。このうち、ＴＦＴ
型は、そのスイッチング特性と画素容量を利用して、選
択期間に印加された電圧を次の走査まで保持するもので
あり、大容量で高いコントラスト及び中間調を容易に得
ることができる。
【０００４】ところで、近年、アクティブマトリックス
型のＬＣＤの表示特性の向上を実現すべく、例えば、高
品位ＴＶ用表示器やハイビジョン用液晶プロジェクター
への採用を目指して、ＴＦＴのスイッチング時間を短縮
させるために、能動層としてアモルファスシリコン薄膜
を使用することに代えて、電子移動度の高い多結晶シリ
コン膜を使用することの開発が盛んである。
型のＬＣＤの表示特性の向上を実現すべく、例えば、高
品位ＴＶ用表示器やハイビジョン用液晶プロジェクター
への採用を目指して、ＴＦＴのスイッチング時間を短縮
させるために、能動層としてアモルファスシリコン薄膜
を使用することに代えて、電子移動度の高い多結晶シリ
コン膜を使用することの開発が盛んである。
【０００５】このような多結晶シリコン薄膜を得るめ
に、例えば、特開平１−２６８０６４号公報（Ｈ０１Ｌ
２９／７８）には、反応ガスとしてジシランやトリシラ
ンを用い、５５０℃以下の温度で分解させ、基板上にア
モルファスシリコンを堆積し、これを更に高い温度で熱
処理することにより、多結晶化させる技術が記載されて
いる。
に、例えば、特開平１−２６８０６４号公報（Ｈ０１Ｌ
２９／７８）には、反応ガスとしてジシランやトリシラ
ンを用い、５５０℃以下の温度で分解させ、基板上にア
モルファスシリコンを堆積し、これを更に高い温度で熱
処理することにより、多結晶化させる技術が記載されて
いる。
【０００６】この技術は、多結晶シリコンの結晶粒径を
大きくして、電子移動度を更に向上させることにより、
動作電流を増加させることを目的としている。
大きくして、電子移動度を更に向上させることにより、
動作電流を増加させることを目的としている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、反
応ガスや温度等の諸条件を調整することにより、多結晶
シリコンの粒径を大きくするものであるが、アモルファ
スシリコンを堆積させる基板の表面にはカーボン系の不
純物が付着していたり、微細な凹凸があったりして、ア
モルファスシリコンが良質な多結晶シリコンに固相成長
しない問題がある。
応ガスや温度等の諸条件を調整することにより、多結晶
シリコンの粒径を大きくするものであるが、アモルファ
スシリコンを堆積させる基板の表面にはカーボン系の不
純物が付着していたり、微細な凹凸があったりして、ア
モルファスシリコンが良質な多結晶シリコンに固相成長
しない問題がある。
【０００８】即ち、表面に付着しているカーボン系の不
純物は、固相成長時の核となって、アモルファスシリコ
ンの至る所で固相成長が行われ、結果、出来上がった多
結晶シリコンの粒径が小さくなる。
純物は、固相成長時の核となって、アモルファスシリコ
ンの至る所で固相成長が行われ、結果、出来上がった多
結晶シリコンの粒径が小さくなる。
【０００９】通常、基板の表面は、ＲＣＡ洗浄法等の化
学的洗浄法を用いて洗浄されるが、カーボン系の不純物
は、この洗浄法ではなかなか落ちにくい。
学的洗浄法を用いて洗浄されるが、カーボン系の不純物
は、この洗浄法ではなかなか落ちにくい。
【００１０】また、基板の表面に微細な凹凸があると、
この凹凸が固相成長時の核を発生させる原因となりやす
く、アモルファスシリコン内に多数の核が発生し、上記
カーボン系の不純物と同様にアモルファスシリコンの至
る所で固相成長が行われてしまうことになる。
この凹凸が固相成長時の核を発生させる原因となりやす
く、アモルファスシリコン内に多数の核が発生し、上記
カーボン系の不純物と同様にアモルファスシリコンの至
る所で固相成長が行われてしまうことになる。
【００１１】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、
斯かる問題点を解消するものである。
斯かる問題点を解消するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体装
置の製造方法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固
相成長させるものであって、前記多結晶シリコン層を形
成する前に、前記絶縁基板の少なくとも表面をオゾン
（Ｏ3）と接触させるものである。
置の製造方法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固
相成長させるものであって、前記多結晶シリコン層を形
成する前に、前記絶縁基板の少なくとも表面をオゾン
（Ｏ3）と接触させるものである。
【００１３】また、本発明の第２の半導体装置の製造方
法は、前記オゾンと接触させる工程として、前記基板を
酸素雰囲気中に晒し、紫外線を照射することによって、
前記酸素をオゾンに変換するものである。
法は、前記オゾンと接触させる工程として、前記基板を
酸素雰囲気中に晒し、紫外線を照射することによって、
前記酸素をオゾンに変換するものである。
【００１４】また、本発明の第３の半導体装置の製造方
法は、絶縁基板の少なくとも表面をオゾン処理した後、
この表面にアモルファスシリコン層を形成し、これを熱
処理することにより前記アモルファスシリコン層を多結
晶シリコン層に固相成長させるものである。
法は、絶縁基板の少なくとも表面をオゾン処理した後、
この表面にアモルファスシリコン層を形成し、これを熱
処理することにより前記アモルファスシリコン層を多結
晶シリコン層に固相成長させるものである。
【００１５】また、本発明の第４の半導体装置の製造方
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記多結晶シリコン層を形成する前
に、前記絶縁基板の少なくとも表面を窒素雰囲気中比較
的低温でベーキングするものである。
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記多結晶シリコン層を形成する前
に、前記絶縁基板の少なくとも表面を窒素雰囲気中比較
的低温でベーキングするものである。
【００１６】また、本発明の第５の半導体装置の製造方
法は、絶縁基板の少なくとも表面を窒素雰囲気中比較的
低温でベーキングした後、この表面にアモルファスシリ
コン層を形成し、これを熱処理することにより前記アモ
ルファスシリコン層を多結晶シリコン層に固相成長させ
るものである。
法は、絶縁基板の少なくとも表面を窒素雰囲気中比較的
低温でベーキングした後、この表面にアモルファスシリ
コン層を形成し、これを熱処理することにより前記アモ
ルファスシリコン層を多結晶シリコン層に固相成長させ
るものである。
【００１７】また、本発明の第６の半導体装置の製造方
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記多結晶シリコン層を形成する前
に、前記絶縁基板の少なくとも表面を水素雰囲気中でベ
ーキングするものである。
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記多結晶シリコン層を形成する前
に、前記絶縁基板の少なくとも表面を水素雰囲気中でベ
ーキングするものである。
【００１８】また、本発明の第７の半導体装置の製造方
法は、絶縁基板の少なくとも表面を水素雰囲気中でベー
キングした後、この表面にアモルファスシリコン層を形
成し、これを熱処理することにより前記アモルファスシ
リコン層を多結晶シリコン層に固相成長させるものであ
る。
法は、絶縁基板の少なくとも表面を水素雰囲気中でベー
キングした後、この表面にアモルファスシリコン層を形
成し、これを熱処理することにより前記アモルファスシ
リコン層を多結晶シリコン層に固相成長させるものであ
る。
【００１９】また、本発明の第８の半導体装置の製造方
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記絶縁基板の少なくとも表面をオゾ
ン（Ｏ3）と接触させる工程と、水素雰囲気中でベーキ
ングする工程のうち、一方の工程を先に、他方の工程を
後に実行した後、前記基板の表面にアモルファスシリコ
ン層を形成するものである。
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記絶縁基板の少なくとも表面をオゾ
ン（Ｏ3）と接触させる工程と、水素雰囲気中でベーキ
ングする工程のうち、一方の工程を先に、他方の工程を
後に実行した後、前記基板の表面にアモルファスシリコ
ン層を形成するものである。
【００２０】また、本発明の第９の半導体装置の製造方
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記絶縁基板の少なくとも表面を、窒
素雰囲気中比較的低温でベーキングする工程と、水素雰
囲気中でベーキングする工程のうち、一方の工程を先
に、他方の工程を後に実行した後、前記基板の表面にア
モルファスシリコン層を形成するものである。
法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相成長させ
るものであって、前記絶縁基板の少なくとも表面を、窒
素雰囲気中比較的低温でベーキングする工程と、水素雰
囲気中でベーキングする工程のうち、一方の工程を先
に、他方の工程を後に実行した後、前記基板の表面にア
モルファスシリコン層を形成するものである。
【００２１】
【作用】アモルファスシリコンから多結晶シリコンへの
一般的な固相成長は、図５のように行われる。
一般的な固相成長は、図５のように行われる。
【００２２】即ち、図５Ａにおいて、ガラス、石英等の
絶縁基板１の上に、減圧ＣＶＤ法（使用ガス：Ｓｉ
Ｈ4、流量：２０ｓｃｃｍ、圧力：０．２５Ｔｏｒｒ）
により、５００℃〜６００℃程度の温度で膜厚１００Å
〜２０００Å程度のアモルファスシリコン薄膜２を堆積
させる。
絶縁基板１の上に、減圧ＣＶＤ法（使用ガス：Ｓｉ
Ｈ4、流量：２０ｓｃｃｍ、圧力：０．２５Ｔｏｒｒ）
により、５００℃〜６００℃程度の温度で膜厚１００Å
〜２０００Å程度のアモルファスシリコン薄膜２を堆積
させる。
【００２３】次に、図５Ｂにおいて、窒素（Ｎ2）やア
ルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスの雰囲気中、５５０℃〜
６５０℃程度の温度で、これを２〜２０時間程熱処理す
る。すると、アモルファスシリコン薄膜２は結晶核を中
心に固相成長し、多結晶シリコン薄膜３へと変質する。
ルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスの雰囲気中、５５０℃〜
６５０℃程度の温度で、これを２〜２０時間程熱処理す
る。すると、アモルファスシリコン薄膜２は結晶核を中
心に固相成長し、多結晶シリコン薄膜３へと変質する。
【００２４】ここで、アモルファスシリコン薄膜２を堆
積させる前に、絶縁基板の表面をオゾン処理しておく
と、オゾン分子が化学反応して、表面に付着しているカ
ーボン系の不純物が除去される。
積させる前に、絶縁基板の表面をオゾン処理しておく
と、オゾン分子が化学反応して、表面に付着しているカ
ーボン系の不純物が除去される。
【００２５】また、アモルファスシリコン薄膜２を堆積
させる前に、絶縁基板の表面を窒素雰囲気中比較的低温
でアニールしておいても、基板表面に付着しているカー
ボン系の不純物が除去される。
させる前に、絶縁基板の表面を窒素雰囲気中比較的低温
でアニールしておいても、基板表面に付着しているカー
ボン系の不純物が除去される。
【００２６】従って、固相成長時にこのカーボン系の不
純物が核となって、至る所で固相成長が起こるようなこ
とはなく、大きな粒径の多結晶シリコンが得られる。
純物が核となって、至る所で固相成長が起こるようなこ
とはなく、大きな粒径の多結晶シリコンが得られる。
【００２７】また、基板の表面を水素雰囲気中でベーキ
ングしておくと、水素ガスによるエッチング効果のた
め、基板の表面が滑らかになり、しかも、カーボン系の
不純物も除去される。
ングしておくと、水素ガスによるエッチング効果のた
め、基板の表面が滑らかになり、しかも、カーボン系の
不純物も除去される。
【００２８】従って、固相成長時の核が発生する原因が
大幅に除去され、固相成長後の多結晶シリコンの粒径も
大きなものが得られる。
大幅に除去され、固相成長後の多結晶シリコンの粒径も
大きなものが得られる。
【００２９】また、オゾン処理、窒素雰囲気中比較的低
温でのベーキング及び水素雰囲気中でのベーキングとを
組み合わせて行うことにより、基板表面のカーボン系の
不純物をより念入りに除去することができ、しかも基板
表面の微細な凹凸も滑らかになり、より良好な状態で固
相成長を行うことができる。
温でのベーキング及び水素雰囲気中でのベーキングとを
組み合わせて行うことにより、基板表面のカーボン系の
不純物をより念入りに除去することができ、しかも基板
表面の微細な凹凸も滑らかになり、より良好な状態で固
相成長を行うことができる。
【００３０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００３１】まず、本発明者は、４枚の石英基板を準備
し、各表面をＲＣＡ洗浄（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５及びＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５を
用いた化学的洗浄法）した後、夫々に次のような処理を
施した。
し、各表面をＲＣＡ洗浄（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５及びＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５を
用いた化学的洗浄法）した後、夫々に次のような処理を
施した。
【００３２】その後、図５Ａ及び図５Ｂと同様に、まず
減圧ＣＶＤ法により５８０℃の基板温度で膜厚１０００
Åのアモルファスシリコン薄膜を堆積し、その後、窒素
雰囲気中で６００℃の温度で２０時間の熱処理を行うこ
とにより、アモルファスシリコン薄膜を多結晶化し、試
料１〜試料４を作成した。 （処理） 試料１：基板表面に何も処理しない。
減圧ＣＶＤ法により５８０℃の基板温度で膜厚１０００
Åのアモルファスシリコン薄膜を堆積し、その後、窒素
雰囲気中で６００℃の温度で２０時間の熱処理を行うこ
とにより、アモルファスシリコン薄膜を多結晶化し、試
料１〜試料４を作成した。 （処理） 試料１：基板表面に何も処理しない。
【００３３】試料２：オゾン処理（酸素（Ｏ2）雰囲気
中に紫外線を照射することにより、酸素をオゾン
（Ｏ3）に変換し、基板表面と接触させる（本発明）。
中に紫外線を照射することにより、酸素をオゾン
（Ｏ3）に変換し、基板表面と接触させる（本発明）。
【００３４】試料３：基板表面に水素プラズマ処理を行
う。
う。
【００３５】試料４：基板を窒素雰囲気中１０５０℃の
温度でアニールする。
温度でアニールする。
【００３６】試料５：基板を窒素雰囲気中６００℃の温
度でアニールする。
度でアニールする。
【００３７】試料６：基板を水素雰囲気中７５０℃の温
度でベーキングする。
度でベーキングする。
【００３８】図１は上述の方法で結晶化した多結晶シリ
コン膜をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡：Scanning Electro
n Microscopy）で観察し、夫々の試料の粒径を測定した
ものである。
コン膜をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡：Scanning Electro
n Microscopy）で観察し、夫々の試料の粒径を測定した
ものである。
【００３９】図の通り、基板に事前にオゾン処理を施し
たもの（試料２）、基板を窒素雰囲気中で比較的低温で
アニールしたもの（試料５）及び基板を水素雰囲気中で
ベーキングしたもの（試料６）が、大きな粒径が得られ
ることが分かる。これは、これらの処理により、基板表
面に付着していた固相成長の核となる不純物質が除去さ
れ、大きく結晶成長できる土壌が整ったからである。
たもの（試料２）、基板を窒素雰囲気中で比較的低温で
アニールしたもの（試料５）及び基板を水素雰囲気中で
ベーキングしたもの（試料６）が、大きな粒径が得られ
ることが分かる。これは、これらの処理により、基板表
面に付着していた固相成長の核となる不純物質が除去さ
れ、大きく結晶成長できる土壌が整ったからである。
【００４０】特に、試料６は、水素によるエッチング効
果により、基板表面の微細な凹凸を滑らかにし、核を発
生させる原因を更に除去するので、大きな粒径が得られ
る。
果により、基板表面の微細な凹凸を滑らかにし、核を発
生させる原因を更に除去するので、大きな粒径が得られ
る。
【００４１】図２、図３及び図４は、熱処理を初めて３
０分後、即ち、固相成長初期の多結晶シリコン薄膜の断
面を撮影した写真であり、図２は試料２（本発明）を、
図３は試料６（本発明）を、そして図４は試料４を示し
ている。
０分後、即ち、固相成長初期の多結晶シリコン薄膜の断
面を撮影した写真であり、図２は試料２（本発明）を、
図３は試料６（本発明）を、そして図４は試料４を示し
ている。
【００４２】これらの図を比較しても明らかなように、
試料２や試料６は数ケ所の核から固相成長が起こり始め
ており、大きな結晶に成長できることが分かる。一方、
試料４では至る所に核が存在しているため、そこから成
長する結晶は、他の成長核に阻まれて、粒径が大きくな
りえない。
試料２や試料６は数ケ所の核から固相成長が起こり始め
ており、大きな結晶に成長できることが分かる。一方、
試料４では至る所に核が存在しているため、そこから成
長する結晶は、他の成長核に阻まれて、粒径が大きくな
りえない。
【００４３】また、上述した通り、試料６の処理では、
基板の表面の凹凸を滑らかにするという作用も持ち合わ
せている。従って、試料２や試料５の処理と試料６の処
理とを両方行うことにより、カーボン系の不純物がより
一層除去され、しかも基板表面の凹凸も滑らかとなっ
て、更に良好な粒径の多結晶シリコン膜を得ることがで
きる。
基板の表面の凹凸を滑らかにするという作用も持ち合わ
せている。従って、試料２や試料５の処理と試料６の処
理とを両方行うことにより、カーボン系の不純物がより
一層除去され、しかも基板表面の凹凸も滑らかとなっ
て、更に良好な粒径の多結晶シリコン膜を得ることがで
きる。
【００４４】尚、本実施例においては、基板として石英
基板を使用したが、絶縁性のある例えばガラス基板であ
ってもよい。
基板を使用したが、絶縁性のある例えばガラス基板であ
ってもよい。
【００４５】また、本実施例のオゾン処理は、処理室内
に基板を装填し、酸素（Ｏ2）を充満した状態で紫外線
を照射することにより、酸素をオゾン（Ｏ3）に変換
し、基板と接触させているが、オゾンガスを処理室内に
直接導入しても良いことは勿論である。
に基板を装填し、酸素（Ｏ2）を充満した状態で紫外線
を照射することにより、酸素をオゾン（Ｏ3）に変換
し、基板と接触させているが、オゾンガスを処理室内に
直接導入しても良いことは勿論である。
【００４６】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法にあって
は、多結晶への固相成長作業のためのアモルファスシリ
コンを堆積させる前に、基板表面のカーボン系の不純物
の数や基板表面の微細な凹凸度合いを軽減する処理を施
すので、固相成長時の核発生となる原因が減少し、少な
い核から大きな結晶へ成長させることができる。
は、多結晶への固相成長作業のためのアモルファスシリ
コンを堆積させる前に、基板表面のカーボン系の不純物
の数や基板表面の微細な凹凸度合いを軽減する処理を施
すので、固相成長時の核発生となる原因が減少し、少な
い核から大きな結晶へ成長させることができる。
【００４７】従って、これをトランジスタの能動層とし
て採用したときに、移動度の高いデバイスを得ることが
できる。
て採用したときに、移動度の高いデバイスを得ることが
できる。
【図１】本発明の実施例における石英基板の表面処理方
法と固相成長後の粒径との関係を示す図である。
法と固相成長後の粒径との関係を示す図である。
【図２】石英基板をオゾン処理したときの固相成長初期
におけるアモルファスシリコン薄膜中の核成長の状態を
撮影したＳＥＭ写真である。
におけるアモルファスシリコン薄膜中の核成長の状態を
撮影したＳＥＭ写真である。
【図３】石英基板を水素雰囲気中でベーキング処理した
ときの固相成長初期におけるアモルファスシリコン薄膜
中の核成長の状態を撮影したＳＥＭ写真である。
ときの固相成長初期におけるアモルファスシリコン薄膜
中の核成長の状態を撮影したＳＥＭ写真である。
【図４】石英基板を窒素雰囲気中高温でアニール処理し
たときの固相成長初期におけるアモルファスシリコン薄
膜中の核成長の状態を撮影したＳＥＭ写真である。
たときの固相成長初期におけるアモルファスシリコン薄
膜中の核成長の状態を撮影したＳＥＭ写真である。
【図５】石英基板上のアモルファスシリコン薄膜を固相
成長により多結晶化させる工程を示す図である。
成長により多結晶化させる工程を示す図である。
１ 絶縁基板 ２ アモルファスシリコン薄膜 ３ 多結晶シリコン薄膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336 (72)発明者 昌原 鎬 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 森本 佳宏 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 浜田 弘喜 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 米田 清 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相
成長させるものであって、前記多結晶シリコン層を形成
する前に、前記絶縁基板の少なくとも表面をオゾン（Ｏ
3）と接触させることを特徴とした半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記オゾンと接触させる工程は、前記基
板を酸素雰囲気中に晒し、紫外線を照射することによっ
て、前記酸素をオゾンに変換するものであることを特徴
とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 絶縁基板の少なくとも表面をオゾン処理
した後、この表面にアモルファスシリコン層を形成し、
これを熱処理することにより前記アモルファスシリコン
層を多結晶シリコン層に固相成長させることを特徴とし
た半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相
成長させるものであって、前記多結晶シリコン層を形成
する前に、前記絶縁基板の少なくとも表面を窒素雰囲気
中比較的低温でベーキングすることを特徴とした半導体
装置の製造方法。 - 【請求項５】 絶縁基板の少なくとも表面を窒素雰囲気
中比較的低温でベーキングした後、この表面にアモルフ
ァスシリコン層を形成し、これを熱処理することにより
前記アモルファスシリコン層を多結晶シリコン層に固相
成長させることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相
成長させるものであって、前記多結晶シリコン層を形成
する前に、前記絶縁基板の少なくとも表面を水素雰囲気
中でベーキングすることを特徴とした半導体装置の製造
方法。 - 【請求項７】 絶縁基板の少なくとも表面を水素雰囲気
中でベーキングした後、この表面にアモルファスシリコ
ン層を形成し、これを熱処理することにより前記アモル
ファスシリコン層を多結晶シリコン層に固相成長させる
ことを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相
成長させるものであって、前記絶縁基板の少なくとも表
面をオゾン（Ｏ3）と接触させる工程と、水素雰囲気中
でベーキングする工程のうち、一方の工程を先に、他方
の工程を後に実行した後、前記基板の表面にアモルファ
スシリコン層を形成したことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項９】 絶縁基板の上に多結晶シリコン層を固相
成長させるものであって、前記絶縁基板の少なくとも表
面を、窒素雰囲気中比較的低温でベーキングする工程
と、水素雰囲気中でベーキングする工程のうち、一方の
工程を先に、他方の工程を後に実行した後、前記基板の
表面にアモルファスシリコン層を形成したことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7975694A JPH07263342A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7975694A JPH07263342A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263342A true JPH07263342A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13699073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7975694A Pending JPH07263342A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263342A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109352A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | アニール用薄膜半導体構造体、薄膜半導体用アニール方法、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置製造方法、および表示装置 |
| CN100413025C (zh) * | 2003-09-05 | 2008-08-20 | 美光科技公司 | 电容器结构、粗糙的含硅表面与形成粗糙的含硅表面的方法 |
| JP2016044347A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社東芝 | 成膜装置 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP7975694A patent/JPH07263342A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100413025C (zh) * | 2003-09-05 | 2008-08-20 | 美光科技公司 | 电容器结构、粗糙的含硅表面与形成粗糙的含硅表面的方法 |
| JP2005109352A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | アニール用薄膜半導体構造体、薄膜半導体用アニール方法、薄膜半導体装置、薄膜半導体装置製造方法、および表示装置 |
| JP2016044347A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社東芝 | 成膜装置 |
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