JP2005101151A - 光起電力素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 n型単結晶シリコン基板1の裏面にi型非晶質シリコン膜4を形成する。次に、i型非晶質シリコン膜4の一部にメタルマスクを被せ、i型非晶質シリコン膜4上のメタルマスクを除く部分にp型非晶質シリコン膜5を形成する。次いで、p型非晶質シリコン膜5およびi型非晶質シリコン膜4上にn型非晶質シリコン膜6を形成する。次に、p型非晶質シリコン膜5が存在する領域を除いてn型非晶質シリコン膜6上を覆うようにメタルマスクを被せ、メタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極8および集電極10を形成する。次いで、集電極10にメタルマスクを被せ、n型非晶質シリコン膜6上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極7および集電極9を形成する。
【選択図】 図2
Description
以下、本発明の一実施の形態について説明する。
以下、本発明の第2の実施の形態について説明する。
以下の実施例1,2では、上記実施の形態の方法でそれぞれ図2および図3の構造を有する光起電力素子を作製し、出力特性を測定した。実施例1,2の光起電力素子の作製条件を表2に示す。
図4は、比較例の光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
実施例1,2および比較例の光起電力素子の出力特性を測定した。実施例1,2および比較例の光起電力素子の出力特性を表3に示す。
2,4,4a i型非晶質シリコン膜
3 反射防止膜
5 p型非晶質シリコン膜
6 n型非晶質シリコン膜
7,8 裏面電極
9,10 集電極
100 正極
200 負極
500 光起電力素子
Claims (6)
- 結晶系半導体の一面に真性の第1の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第1の非晶質系半導体膜の第1の領域に一導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第1の非晶質系半導体膜の第2の領域および前記第2の非晶質系半導体膜上に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第3の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第1の領域上における前記第3の非晶質系半導体膜の領域に第1の電極を形成する工程と、
前記第2の領域上における前記第3の非晶質系半導体膜の領域に第2の電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 結晶系半導体の一面の第1の領域に真性の第1の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第1の非晶質系半導体膜上に一導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第2の非晶質系半導体膜上に第1の電極を形成する工程と、
前記結晶系半導体の前記一面の第2の領域および前記第1の電極上に真性の第3の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第3の非晶質系半導体膜上に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記第2の領域上における前記第4の非晶質系半導体膜の領域に第2の電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 前記結晶系半導体の他面の実質的に全面が光入射面であることを特徴とする請求項1または2記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記結晶系半導体の他面上に反射防止膜を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。
- 一面および他面を有する結晶系半導体と、
前記結晶系半導体の前記一面に形成された真性の第1の非晶質系半導体膜とを備え、
前記第1の非晶質系半導体膜の第1の領域に一導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜が形成され、
前記第1の非晶質系半導体膜の第2の領域および前記第2の非晶質系半導体膜上に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第3の非晶質系半導体膜が形成され、
前記第1の領域上における前記第3の非晶質系半導体膜の領域に第1の電極が形成され、
前記第2の領域上における前記第3の非晶質系半導体膜の領域に第2の電極が形成されたことを特徴とする光起電力素子。 - 一面および他面を有する結晶系半導体を備え、
前記結晶系半導体の一面の第1の領域に真性の第1の非晶質系半導体膜が形成され、
前記第1の非晶質系半導体膜上に一導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜が形成され、
前記第2の非晶質系半導体膜上に第1の電極が形成され、
前記結晶系半導体の前記一面の第2の領域および前記第1の電極上に真性の第3の非晶質系半導体膜が形成され、
前記第3の非晶質系半導体膜上に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体膜が形成され、
前記第2の領域上における前記第4の非晶質系半導体膜の領域に第2の電極が形成されたことを特徴とする光起電力素子。
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