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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4723871B2 (ja) * 2004-06-23 2011-07-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ ドライエッチング装置
JP4761502B2 (ja) * 2004-10-07 2011-08-31 株式会社アルバック 層間絶縁膜のドライエッチング方法
US7491647B2 (en) * 2005-03-08 2009-02-17 Lam Research Corporation Etch with striation control
US7241683B2 (en) * 2005-03-08 2007-07-10 Lam Research Corporation Stabilized photoresist structure for etching process
US7442649B2 (en) * 2005-03-29 2008-10-28 Lam Research Corporation Etch with photoresist mask
US7390753B2 (en) * 2005-11-14 2008-06-24 Taiwan Semiconductor Mfg. Co., Ltd. In-situ plasma treatment of advanced resists in fine pattern definition
US20090191715A1 (en) * 2006-03-09 2009-07-30 Toshio Hayashi Method for etching interlayer dielectric film
US8125069B2 (en) 2006-04-07 2012-02-28 Philtech Inc. Semiconductor device and etching apparatus
TWI437633B (zh) 2006-05-24 2014-05-11 Ulvac Inc Dry etching method for interlayer insulating film
KR101346897B1 (ko) 2006-08-07 2014-01-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 플라즈마 처리 시스템
JP4182125B2 (ja) * 2006-08-21 2008-11-19 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2008053507A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング方法
US7589005B2 (en) * 2006-09-29 2009-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of forming semiconductor structures and systems for forming semiconductor structures
JP5108489B2 (ja) * 2007-01-16 2012-12-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
JP2009123866A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法、および被エッチング膜の加工方法
JP5128421B2 (ja) * 2008-09-04 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびレジストパターンの改質方法
JP5423029B2 (ja) * 2009-02-12 2014-02-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP5171683B2 (ja) * 2009-02-18 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP5466480B2 (ja) * 2009-02-20 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体
US9373521B2 (en) 2010-02-24 2016-06-21 Tokyo Electron Limited Etching processing method
JP5662079B2 (ja) * 2010-02-24 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法
US9190316B2 (en) * 2011-10-26 2015-11-17 Globalfoundries U.S. 2 Llc Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer
JP5142236B1 (ja) * 2011-11-15 2013-02-13 エルシード株式会社 エッチング方法
JP2013222852A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Tokyo Electron Ltd 有機膜をエッチングする方法及びプラズマエッチング装置
JP6226668B2 (ja) * 2012-09-25 2017-11-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP6037914B2 (ja) * 2013-03-29 2016-12-07 富士フイルム株式会社 保護膜のエッチング方法およびテンプレートの製造方法
JP6158027B2 (ja) * 2013-10-08 2017-07-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
WO2015105651A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 Applied Materials, Inc. Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films
TWI518751B (zh) * 2014-05-14 2016-01-21 國立清華大學 成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法
US9512517B2 (en) * 2015-01-23 2016-12-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Multiple exposure treatment for processing a patterning feature
JP6449141B2 (ja) * 2015-06-23 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及びプラズマ処理装置
US9922806B2 (en) 2015-06-23 2018-03-20 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma processing apparatus
JP6817692B2 (ja) * 2015-08-27 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP6604911B2 (ja) 2016-06-23 2019-11-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法
US9852924B1 (en) * 2016-08-24 2017-12-26 Lam Research Corporation Line edge roughness improvement with sidewall sputtering
TWI810181B (zh) * 2017-04-26 2023-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 使用硫及/或碳基化學品之有機膜循環電漿蝕刻方法
US11361947B2 (en) 2019-01-09 2022-06-14 Tokyo Electron Limited Apparatus for plasma processing and method of etching
CN113228830B (zh) * 2019-01-09 2024-10-01 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及等离子体处理方法
CN111524782B (zh) * 2019-02-05 2023-07-25 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP2022135120A (ja) 2021-03-04 2022-09-15 キオクシア株式会社 基板処理装置、基板処理方法、ガス再生システム、及びガス再生方法
US12272562B2 (en) * 2021-12-17 2025-04-08 L'Aire Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Oxygen and iodine-containing hydrofluorocarbon compound for etching semiconductor structures

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5804088A (en) * 1996-07-12 1998-09-08 Texas Instruments Incorporated Intermediate layer lithography
JPH1116885A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Sony Corp ドライエッチング方法
JP3283477B2 (ja) * 1997-10-27 2002-05-20 松下電器産業株式会社 ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法
US6159862A (en) * 1997-12-27 2000-12-12 Tokyo Electron Ltd. Semiconductor processing method and system using C5 F8
US6117786A (en) * 1998-05-05 2000-09-12 Lam Research Corporation Method for etching silicon dioxide using fluorocarbon gas chemistry
US6831742B1 (en) * 2000-10-23 2004-12-14 Applied Materials, Inc Monitoring substrate processing using reflected radiation
JP2002334879A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US7125496B2 (en) * 2001-06-28 2006-10-24 Hynix Semiconductor Inc. Etching method using photoresist etch barrier
US7179752B2 (en) * 2001-07-10 2007-02-20 Tokyo Electron Limited Dry etching method
KR100493015B1 (ko) * 2001-08-25 2005-06-07 삼성전자주식회사 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
US7022611B1 (en) * 2003-04-28 2006-04-04 Lam Research Corporation Plasma in-situ treatment of chemically amplified resist

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