JP2005005268A - 放電ランプ - Google Patents

放電ランプ Download PDF

Info

Publication number
JP2005005268A
JP2005005268A JP2004172825A JP2004172825A JP2005005268A JP 2005005268 A JP2005005268 A JP 2005005268A JP 2004172825 A JP2004172825 A JP 2004172825A JP 2004172825 A JP2004172825 A JP 2004172825A JP 2005005268 A JP2005005268 A JP 2005005268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
discharge lamp
discharge
blue
phosphor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004172825A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4732713B2 (ja
Inventor
Guenther Dipl Ing Huber
フーバー ギュンター
Frank Jermann
イェルマン フランク
Ulrich Dr Mueller
ミュラー ウルリッヒ
Martin Zachau
ツァッハウ マーティン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Original Assignee
Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH filed Critical Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Publication of JP2005005268A publication Critical patent/JP2005005268A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4732713B2 publication Critical patent/JP4732713B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/44Devices characterised by the luminescent material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates

Abstract

【課題】青色蛍光物質成分がランプ寿命の経過においてVUV放射によって損なわれ、これによって明度が失われる問題を除去し、動作中にVUV放射を放出する放電媒体で充填された蛍光物質を有する放電ランプを提供し、この放電ランプがその光技術的な特性に関して改善された長時間挙動を示すことである。この課題の特別な局面は、ランプがその寿命の間に比較的小さい色位置ずれを有することである。この課題の別の局面は比較的大きな光束を得ることである。
【解決手段】上記課題は、蛍光物質は黄色蛍光物質成分及び青色蛍光物質成分(2バンド蛍光物質)から成ることによって解決される。
【選択図】図1

Description

本発明は、放電容器を有し、放電媒体を有し、この放電媒体は放電容器の内部に存在し、ランプの動作中にはVUV領域の電磁放射を放出し、蛍光物質を有し、この蛍光物質は放電容器の壁面に塗付されている、放電ランプに関する。
とりわけ本発明は、蛍光物質を有する放電ランプに関し、この放電ランプでは動作中に放電ランプの放電容器内部に含まれる放電媒体から電磁放射が主にVUV領域において放出される。VUV領域とはこの場合ほぼ200nmより下の波長と見なし、とりわけほぼ100nm〜200nmの領域の波長である。VUV放射は蛍光物質によってより長い波長を有する放射に変換され、例えば可視スペクトル領域に変換される。
とりわけ本発明は上記タイプの放電ランプに関し、これらの放電ランプはさらに誘電的に妨げられた放電による動作のために設計されており、いわゆる誘電体バリア放電ランプである。このような放電ランプは、それ自体従来技術であり、既に極めて詳しく同一の出願人の以前の特許出願に示されている。このような放電ランプの基本的な物理的及び技術的詳細はここではもはや詳しくは説明しないが、その代わりに関連従来技術を参照してほしい。関連従来技術においてはこれらのランプは時には無音放電ランプとも呼ばれている。これらの放電ランプはとりわけパルス動作モードにも適しており、このパルス動作モードではとりわけ良好な放射発生効率が生じる。これらのランプは典型的には希ガス、有利にはキセノン乃至は希ガス混合気により充填されている。ランプ動作中には放電容器内部にとりわけエキシマ、例えばXe が発生し、このXe は最大でほぼ172nmの分子バンド放射(molecular band radiation)を放出する。
例えば一般照明、カラースキャナ、カラー液晶ディスプレイのバックライトなどのための白色光を前提とする適用事例では、VUV放射は適当な白色光蛍光物質混合物によって変換される。このために従来は赤色、緑色及び青色を放出する蛍光物質成分(RGB)の3バンド蛍光物質混合物が考察されてきた。しかし、問題は、とりわけ通常使用される青色蛍光物質成分がランプ寿命の経過においてVUV放射によって損なわれ、これによって明度が失われることである。これによって蛍光物質混合物の個々の蛍光物質成分の明度は異なって変化し、結果的に色位置ずれ(color locus displacement)の増大を生じる。さらに、青色蛍光物質成分から放出される放射がより長い波のスペクトル領域へとシフトする。さらに、周知の赤色蛍光物質成分はVUV放射による励起において比較的悪い量子効率を有する。
特許文献US−A5714835は白色光蛍光物質混合物による誘電体バリア放電ランプを示している。この白色光蛍光物質混合物の成分は
赤色蛍光物質成分(Y0.72Gd0.2Eu0.08)BO
緑色蛍光物質成分(La0.43Ce0.39Tb0.18)PO
青色系物質成分(Ba0.94Eu0.06)MgAl1017
である。放電媒体としてはランプの内部には希ガスキセノンが存在する。ランプ動作中には放電媒体は200nmより短い波長を有する放射を放出し、この放射は白色光蛍光物質混合物によって白色光に変換される。
US−A5714835
本発明の課題は、冒頭で言及した問題を除去し、動作中にVUV放射を放出する放電媒体で充填された蛍光物質を有する放電ランプを提供し、この放電ランプがその光技術的な特性に関して改善された長時間挙動を示すことである。この課題の特別な局面は、ランプがその寿命の間に比較的小さい色位置ずれを有することである。この課題の別の局面は比較的高い光束を得ることである。
上記課題は、蛍光物質は黄色蛍光物質成分及び青色蛍光物質成分(2バンド蛍光物質)から成ることによって解決される。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、両方の蛍光物質成分はそれぞれ別個の蛍光物質層に、すなわち黄色蛍光物質層及び青色蛍光物質層として塗付されている。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、蛍光物質層の順番は、放電媒体から見てまず最初に黄色蛍光物質層、その後で青色蛍光物質層がくる。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、両方の蛍光物質層は放電容器の壁面の内側に塗付されており、より詳しく言うと黄色蛍光物質層の下に青色蛍光物質層が塗付されている。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、両方の蛍光物質層は放電容器の壁面の内側に塗付されており、より詳しく言うと青色蛍光物質層の下に黄色蛍光物質層が塗付されており、「外側の」青色蛍光物質層の厚さは、「内側の」黄色蛍光物質層が青色蛍光物質層によって実質的に完全にVUV放射から遮蔽されるように選択されている。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、両方の蛍光物質成分は共通の蛍光物質層において混合されている。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、黄色蛍光物質成分(Y,Gd,Tb)AG:Ceを有する。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、青色蛍光物質成分BaMgAl1017:Euを有する。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、青色蛍光物質成分SrMgAl1017:Euを有する。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、青色蛍光物質成分(Ba,Sr)MgAl1017:Euを有する。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、放電媒体は希ガスキセノンを含む。
本発明の特に有利な更に別の実施形態では、誘電体バリア放電ランプとして設計されている。
本発明によれば蛍光物質は赤色蛍光物質成分なしですむので、すなわち比較的悪いVUV励起効率を有する蛍光物質成分を放棄するので、比較的高い光束を得ることができる。
両方の蛍光物質成分は原理的に蛍光物質混合物として唯一の蛍光物質層に塗付されうる。これは次のような利点を有する。すなわち、蛍光物質放射の得られる色位置は調整される層厚の製造変動には依存しない、従って、色位置は両方の蛍光物質成分の各々がそれぞれ別個の層において塗付される場合よりも簡単かつ正確に一定に保持される。更なる詳細は実施例に記載されている。
しかし、有利には、両方の蛍光物質成分はそれぞれ別個の蛍光色物質層において、すなわち黄色蛍光物質層及び青色蛍光物質層において塗付される。第1の変形実施形態では、蛍光物質層の順番が、放電媒体から見てまず最初に黄色蛍光物質層、例えばYAG:Ceであり、その後に青色蛍光物質層、例えばBaMgAl1017:Euがくる。このために、両方の蛍光物質層は放電容器の壁面の内側に塗付され、より詳しく言えば黄色蛍光物質層の下に青色蛍光物質層が塗付される。これは次のような付加的な利点を有する。すなわち、黄色蛍光物質層が高エネルギーVUV放射を部分的に吸収し、このためその下にあるVUV感応性青色蛍光物質層を保護するのである。これによって、結局は青色蛍光物質層の改善された長時間挙動が得られる。前述の手段によって、最終的に、冒頭で言及した、通常はVUV放射に付随して生じるこのVUV感応性蛍光物質の明度の低下及びこのことから蛍光物質混合物において結果的に生じる色位置ずれが回避又は少なくとも低減される。さらに黄色・青色蛍光物質組み合わせの所期の選択は、例えばYBO:Euのような比較的効率の悪い赤色蛍光物質成分の放棄を可能にする。これによってより高い光束が得られる。
第2の変形実施形態では、2つの蛍光物質成分が逆の順番に塗付され、すなわち、放電媒体を基準にして「外側の」第1の蛍光物質層が青色蛍光物質成分、例えばBaMgAl1016:Euから成る。これに対して、放電媒体を基準にして「内側の」第2の蛍光物質層が黄色蛍光物質成分、例えばYAG:Ceから成る。さらにこの場合「外側の」青色蛍光物質層の厚さは、この青色蛍光物質層に入射するVUV放射がそこで実質的に完全に吸収され、結果的にその下にある「内側の」黄色蛍光物質層が実質的に完全にVUV放射から遮蔽されるように選択される。これによって、黄色蛍光物質は専ら青色蛍光物質層から放出される青色放射によって励起される。これにより、ランプ燃焼持続の経過において黄色放射は、発生するVUV放射による青色蛍光物質層のデグラデーションのために青色放射が減衰するのと同じ割合で減衰することが達成される。結局のところ、我々はこれらの手段によって色位置が有利にはほぼランプの動作持続時間には無関係に一定にしておくことを実現する。「外側の」青色蛍光物質層に対してBaMgAl1016:Euを使用する場合には、ほぼ3.20mg/cmと3.40mg/cmとの間の領域の層重量(layer weights)が適当であると判明した。
原理的にはVUV放射によって励起可能な全ての周知の黄色乃至は青色蛍光物質成分が、有利には高い量子効率を有するこのような黄色乃至は青色蛍光物質成分が適している。詳しく言えば、とりわけ以下のような蛍光物質が適している。
黄色蛍光物質成分としては例えば
A) (Y,Gd,Tb)AG:Ce
が適している。
青色蛍光物質成分としては例えば
B) BaMgAl1017:Eu
C) SrMgAl1017:Eu
D) (Ba,Sr)MgAl1017:Eu
が適している。
上記の蛍光物質成分の化学量論的組成のわずかなバリエーションは通常のことであり、それゆえ上記の記述に含まれる。
次に本発明を実施例に基づいて詳しく説明する。
本発明の実施例の以下の説明においては図1〜3を参照してほしい。
放電ランプ1は、ほぼ10mmの外径を有する、両端部が密閉された管状の放電容器2を有する。この放電容器2はソーダ石灰ガラスから成り、放電媒体としてほぼ15kPaの圧力を有するキセノンで充填されている。放電容器2の壁面の外側には2つのライン状の導体線路として形成された金属電極3a、3bが直径上に互いに向かいあってかつ放電容器の長手軸に平行に載置されている。放電容器2の壁面の内側(ほぼ450cm)には「内側の」蛍光物質層4及び「外側の」蛍光物質層5が塗付されている。放電媒体を基準にして「外側の」第1の蛍光物質層5は黄色蛍光物質成分YAG:Ceから成る。放電媒体を基準にして「内側の」第2の蛍光物質層4はBaMgAl1016:Euから成る。
このランプタイプIについては異なる層重量乃至は2つの層4乃至は5の層重量の比率を有する複数の試験ランプが製造された。これによって得られる色位置の座標(CIE標準色度図による)は次のテーブルに記載されている。
Figure 2005005268
ランプ番号12によって比較可能な標準RGBランプに対して13%の補正された輝度増加が得られた。このランプの測定されたスペクトルは図4に示されている。この場合、Y及びX軸は相対エネルギ乃至はnmの波長を示す。
本発明の更に別の実施例の以下の説明では図5〜7を参照してほしい。
ここでは2つの蛍光物質成分は第1の実施例の場合とは逆の順番で塗付されており、すなわち放電媒体を基準にして「外側の」第1の蛍光物質層7は青色蛍光物質成分BaMgAl1016:Euから成り、放電媒体を基準にして「内側の」第2の蛍光物質層6は黄色蛍光物質成分YAG:Ceから成る。このランプタイプIIについては青色及び黄色蛍光物質の異なる層厚比率を有する複数の試験ランプが製造された。これによって得られる色位置の座標(CIE標準色度図による)は次のテーブルに記載されている。層厚はこの場合一般的に習慣通り相応の層重量によって表現される。
Figure 2005005268
更に別の実施例はただ1つの蛍光物質層を有する上記2つの実施例のランプの変形例(図示せず)に関し、このただ1つの蛍光物質層においては青色蛍光物質成分BaMgAl1016:Eu(BAM)と黄色蛍光物質成分YAG:Ce(YAG)とが混合されている。
このランプタイプIIIについては同様に青色及び黄色蛍光物質の異なる比率を有する複数の試験ランプが製造された。これによって得られる色位置の座標(CIE標準色度図による)は次のテーブルに記載されている。
Figure 2005005268
次のテーブルは100乃至は500時間燃焼持続の後の上記の実施例の試験ランプのメンテナンスデータの一覧表を示す。見て取れるように、2バンドランプの全ての3つのタイプ(I、II、III)は比較された従来型の3バンドデザイン(RGB)と比べて向上した色位置安定性を示し、青色蛍光物質層が放電に面しているデザイン(タイプII)は、なるほど最高の光束減少を有するが、同時に最高の色位置安定性を有する。
Figure 2005005268
これまで本発明は管状放電ランプの例において説明されてきた。しかし、本発明はこのランプタイプに限定されるものではない。むしろ本発明はその有利な作用を放電容器の形状には無関係に発揮する。それゆえ、例えば文献US−A5994849に開示されているような面状のランプ形状も同様に適している。さらに放電容器壁面の外側に又は代わりに内側に電極が配置されるか、及び、誘電体層によって被覆されているかどうかは原理的に重要ではない。電極は完全に露出されていてもよいのである。決定的なことは、冒頭に挙げた問題に関連して、放電媒体がランプ動作中にVUV放射を放出することだけである。しかし、誘電体バリア放電ランプはこれに関して確かな利点を有する。なぜなら、冒頭ですでに言及したようにこれによって特定のパルス動作においてとりわけ効率的にVUV放射が発生されるからである。
側面図における誘電体バリア放電ランプの第1の実施例である。
ラインABに沿った図1のランプの断面図である。
図2の断面図の部分拡大図である。
図1〜3の試験ランプのスペクトルを示す線図である。
側面図における誘電体バリア放電ランプの第2の実施例である。
ラインABに沿った図5のランプの断面図である。
図6の断面図の部分拡大図である。
符号の説明
1、1’ 放電ランプ
2、2’ 放電容器
3a、3b、3a’、3b’ 電極
4 「内側の」蛍光物質層
5 「外側の」蛍光物質層
6 「内側の」蛍光物質層
7 「外側の」蛍光物質層

Claims (12)

  1. 放電ランプ(1;1’)であって、
    放電容器(2;2’)を有し、
    放電媒体を有し、該放電媒体は前記放電容器(2;2’)の内部に存在し、ランプの動作中にはVUV領域の電磁放射を放出し、
    蛍光物質(4〜7)を有し、該蛍光物質(4〜7)は前記放電容器(2;2’)の壁面に塗付されている、放電ランプ(1;1’)において、
    前記蛍光物質(4〜7)は黄色蛍光物質成分及び青色蛍光物質成分から成ることを特徴とする、放電ランプ(1;1’)。
  2. 両方の蛍光物質成分はそれぞれ別個の蛍光物質層に、すなわち黄色蛍光物質層(5;6)及び青色蛍光物質層(4;7)として塗付されている、請求項1記載の放電ランプ。
  3. 蛍光物質層(4;5)の順番は、放電媒体から見てまず最初に黄色蛍光物質層(5)、その後で青色蛍光物質層(4)がくる、請求項2記載の放電ランプ。
  4. 両方の蛍光物質層(4;5)は放電容器(2)の壁面の内側に塗付されており、より詳しく言うと黄色蛍光物質層(5)の下に青色蛍光物質層(4)が塗付されている、請求項2又は3記載の放電ランプ。
  5. 両方の蛍光物質層(6;7)は放電容器(2)の壁面の内側に塗付されており、より詳しく言うと青色蛍光物質層(7)の下に黄色蛍光物質層(6)が塗付されており、「外側の」青色蛍光物質層(7)の厚さは、「内側の」黄色蛍光物質層(6)が前記青色蛍光物質層(7)によって実質的に完全にVUV放射から遮蔽されるように選択されている、請求項2記載の放電ランプ。
  6. 両方の蛍光物質成分は共通の蛍光物質層において混合されている、請求項1記載の放電ランプ。
  7. 黄色蛍光物質成分
    (Y,Gd,Tb)AG:Ce
    を有する、請求項1〜6のうちの1項記載の放電ランプ。
  8. 青色蛍光物質成分
    BaMgAl1017:Eu
    を有する、請求項1〜7のうちの1項記載の放電ランプ。
  9. 青色蛍光物質成分
    SrMgAl1017:Eu
    を有する、請求項1〜7のうちの1項記載の放電ランプ。
  10. 青色蛍光物質成分
    (Ba,Sr)MgAl1017:Eu
    を有する、請求項1〜7のうちの1項記載の放電ランプ。
  11. 放電媒体は希ガスキセノンを含む、請求項1〜10のうちの1項記載の放電ランプ。
  12. 誘電体バリア放電ランプとして設計されている、請求項1〜11のうちの1項記載の放電ランプ。
JP2004172825A 2003-06-13 2004-06-10 放電ランプ Expired - Fee Related JP4732713B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10326755.7 2003-06-13
DE10326755A DE10326755A1 (de) 2003-06-13 2003-06-13 Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005005268A true JP2005005268A (ja) 2005-01-06
JP4732713B2 JP4732713B2 (ja) 2011-07-27

Family

ID=33394825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004172825A Expired - Fee Related JP4732713B2 (ja) 2003-06-13 2004-06-10 放電ランプ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7199513B2 (ja)
EP (1) EP1491611B1 (ja)
JP (1) JP4732713B2 (ja)
KR (1) KR101078174B1 (ja)
CN (1) CN100431091C (ja)
CA (1) CA2470301C (ja)
DE (2) DE10326755A1 (ja)
TW (1) TWI288944B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073378A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Osram-Melco Ltd 蛍光ランプ

Families Citing this family (212)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10236420A1 (de) * 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
DE10324832A1 (de) * 2003-06-02 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Leuchtstoff
WO2007125471A2 (en) * 2006-05-01 2007-11-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure discharge lamp
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6168853A (ja) * 1984-09-12 1986-04-09 Matsushita Electronics Corp 螢光高圧水銀灯
JPH01231256A (ja) * 1988-03-10 1989-09-14 Toshiba Corp 蛍光ランプ
JPH09231943A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光組成物及びそれを用いた蛍光ランプ
JPH10195430A (ja) * 1997-01-16 1998-07-28 Toshiba Electron Eng Corp 緑色発光蛍光体
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4458176A (en) * 1977-09-06 1984-07-03 Gte Products Corporation Daylight fluorescent lamps employing blend
US4258285A (en) * 1979-06-22 1981-03-24 Gte Products Corporation Two-component phosphor in a cool white lamp
DE4311197A1 (de) * 1993-04-05 1994-10-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle
DE19526211A1 (de) * 1995-07-18 1997-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
JP3118226B2 (ja) * 1998-01-23 2000-12-18 有限会社ルル 照明光源用フィルター
DE10023504A1 (de) * 2000-05-13 2001-11-15 Philips Corp Intellectual Pty Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe
US6466135B1 (en) * 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10236420A1 (de) * 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
US6844671B2 (en) * 2003-01-31 2005-01-18 General Electric Company High luminosity phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6168853A (ja) * 1984-09-12 1986-04-09 Matsushita Electronics Corp 螢光高圧水銀灯
JPH01231256A (ja) * 1988-03-10 1989-09-14 Toshiba Corp 蛍光ランプ
JPH09231943A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光組成物及びそれを用いた蛍光ランプ
JPH10195430A (ja) * 1997-01-16 1998-07-28 Toshiba Electron Eng Corp 緑色発光蛍光体
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073378A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Osram-Melco Ltd 蛍光ランプ

Also Published As

Publication number Publication date
EP1491611A3 (de) 2005-04-06
EP1491611A2 (de) 2004-12-29
CA2470301C (en) 2013-03-26
CN1574193A (zh) 2005-02-02
US20040251807A1 (en) 2004-12-16
TW200504786A (en) 2005-02-01
JP4732713B2 (ja) 2011-07-27
CN100431091C (zh) 2008-11-05
DE10326755A1 (de) 2006-01-26
TWI288944B (en) 2007-10-21
CA2470301A1 (en) 2004-12-13
KR101078174B1 (ko) 2011-10-28
KR20040107403A (ko) 2004-12-20
US7199513B2 (en) 2007-04-03
EP1491611B1 (de) 2007-07-04
DE502004004226D1 (de) 2007-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4732713B2 (ja) 放電ランプ
JP2004269845A (ja) 蛍光灯用途の青−緑蛍光体
US7265487B2 (en) Discharge lamp with an arrangement of phosphor layers excitable by VUV and UVA radiation
EP2722379B1 (en) Fluorescent lamp including phosphor composition with special BAMn phosphor, (Ba,Sr,Ca)(Mg1-x Mnx)Al10O17:Eu2+
US7030549B2 (en) Display device having reduced color shift during life
JP4268936B2 (ja) 改善された演色性を有する誘電体バリア放電ランプ
JP4763685B2 (ja) 表示装置及び緑色蛍光体
US8461753B2 (en) Fluorescent lamp with multi-layer phosphor coating
JP2005171057A (ja) 緑色蛍光体及びそれを用いた装置
US6777867B2 (en) Highly loaded fluorescent lamp
KR100772944B1 (ko) 녹색 발광 형광체 및 그를 이용하는 형광 램프
KR100784710B1 (ko) 장파장 자외선을 방출하는 기체 방전을 이용한 백 라이트유닛
JP3908737B2 (ja) 緑色発光蛍光体およびそれを用いた蛍光ランプ
JP2692470B2 (ja) 蛍光ランプ
JP2004055322A (ja) 蛍光ランプ
JP2004127633A (ja) 蛍光ランプおよび照明装置
JPH0696736A (ja) 蛍光ランプ
JP2015079640A (ja) 蛍光ランプ
JP2004346204A (ja) 発光組成物、蛍光ランプ及び蛍光ランプ用蛍光体塗布液
JPS6351347B2 (ja)
JP2011082047A (ja) 希ガス蛍光ランプ
JP2007227316A (ja) 照明光源

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070320

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101126

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110225

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110323

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110421

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees