CN100431091C - 具有两带荧光物质的放电灯 - Google Patents

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Abstract

一个具有包围一种放电介质的一个放电容器(2)的放电灯(1)，该放电介质在灯工作时在VUV范围内发出电磁辐射，所述放电灯在放电容器壁的内侧面上具有朝向放电介质的黄色荧光物质层和在其下面的蓝色荧光物质层。与传统的三带荧光物质混合物相比由此达到一种较高的光通量和较低的色品位置偏移。

Description

具有两带荧光物质的放电灯
技术领域
本发明涉及一种具有荧光物质的放电灯，其中在工作时在放电灯的放电容器内所包含的一种放电介质主要在VUV范围内发出电磁辐射。在此在大约200nm以下的、特别是在大约100nm至200nm的范围内的波长理解为VUV范围。VUV辐射借助于荧光物质转变为具有较长波长的辐射，例如转变为可见光的光谱范围。
本发明也特别涉及上述类型的放电灯，该放电灯此外设计为借助于介电阻碍放电的运行、所谓的介电障碍放电灯。这种放电灯本来就是这种技术状况并且已经在以前的、同一申请人的专利申请中作了极其详尽地描述。在此不再详细探讨这种放电灯的基本的物理的和技术的细节，而请参阅有关的技术标准，在这些标准中该灯偶尔也称作静止放电灯。该灯也特别适合于脉冲工作方式，在该方式中特别高效地产生辐射。典型以惰性气体、主要是氙或者混合惰性气体填充该灯。在灯工作期间在放电容器内部特别产生受激准分子、例如Xe2 *，该受激准分子发出具有最大值为大约172nm的分子带辐射。
对于以白光为前提条件的应用-例如对于普通照明、电子分色机、彩色液晶显示屏的背景照明等等，VUV辐射借助于适当的白光-荧光物质混合物进行转换。为此考虑了发出红色、绿色和蓝色的荧光物质成分(RGB)的传统三带荧光物质混合物。然而有这样的问题，在灯寿命的过程中由于VUV辐射而特别损害普遍使用的蓝色荧光物质成分，由此发光强度就会丧失。由此荧光物质混合物的各种荧光物质成分的发光强度不同地改变，并引起色品位置偏移(Farbortverschiebung)的增加。此外由蓝色荧光物质成分发出的辐射偏移到较长波的光谱范围中。这将使得已知的红色荧光物质成分在以VUV辐射激发时有相对较差的量子效率。
背景技术
专利文献US-A 5714835指出了具有一种白光-荧光物质混合物的介电障碍放电灯。这种白光-荧光物质混合物的成分是：
红色荧光物质成分(Y0.72Gd0.2Eu0.08)BO3，
绿色荧光物质成分(La0.43Ce0.39Tb0.18)PO4，
蓝色荧光物质成分(Ba0.94Eu0.06)MgAl10O17。
在灯的内部惰性气体氙作为放电介质存在。在灯工作期间放电介质发出小于200nm波长的辐射，该辐射由白光-荧光物质混合物转变为白光。
发明内容
本发明的任务是，消除开始提到的问题并且给出一个以在工作中发出VUV辐射的放电介质填充的、具有荧光物质的放电灯，该灯关于其光学技术特性表明改善的持久性能。该任务的特殊方面是，该灯在它的寿命期间具有较低的色品位置偏移。该任务的另一个方面是达到较高的光通量。
通过具有一个放电容器、处在放电容器内部并且在灯工作时在VUV范围内发出辐射的一种放电介质、一种涂敷在放电容器壁上的荧光物质的一个放电灯解决所述任务，其特征在于，荧光物质包括黄色和蓝色荧光物质成分(两带荧光物质(Zweibandenleucht-stoff))。
因为所述荧光物质根据本发明没有红色荧光物质成分、也就是说正好放弃了具有相对较差的VUV激发效率的荧光物质成分，所以通过这种方式可以达到较高的光通量。
这两种荧光物质成分原则上可以作为荧光物质混合物以唯一一个荧光物质层进行涂敷。这有这样的优点，即荧光物质辐射的获得的色品位置不依赖于被调整的层厚的生产波动，并因此可以比所述两种荧光物质成分的每一种成分以各自独立的层进行涂敷更简单且更准确地保持恒定。其它细节在实施例中进一步详细阐述。
然而也可以有益地以各自一个独立的荧光物质层、也就是说以一个黄色荧光物质层和蓝色荧光物质层涂敷所述两种荧光物质成分。在第一变型中荧光物质层的顺序是这样的，即从放电介质向外首先看到黄色荧光物质层，例如YAG:Ce，然后是蓝色荧光物质层、例如BaMgAl10O17:Eu。为了这个目的例如将荧光物质层涂敷在放电容器的内壁上，更确切地说，蓝色荧光物质层涂敷在黄色荧光物质层的下面。这有附加的优点，即黄色荧光物质层部分地吸收高能的VUV辐射，如此保护处于下面的VUV敏感的蓝色荧光物质层。由此最终得到一种改善了的蓝色荧光物质层的持久性能。通过上述措施最终避免或至少减少开始提到的、VUV敏感的荧光物质的发光强度通常随着VUV辐射的降低和在荧光物质混合物中由此引起的色品位置偏移，此外黄色-蓝色荧光物质组合物的特定选择能够放弃相对低效的红色荧光物质成分、比如YBO3:Eu。由此可以达到一个较高的光通量。
在第二变型中，以相反的顺序涂敷所述两种荧光物质成分，也就是说“外部的”、关于放电介质的第一荧光物质层由蓝色荧光物质成分、例如BaMgAl10O16:Eu制成。“内部的”、关于放电介质的第二荧光物质层由黄色荧光物质成分、例如YAG:Ce制成。此外在这种情况下如此选择“外部的”蓝色荧光物质层的厚度，使得射入到蓝色荧光物质层中的VUV辐射在那里基本上完全被吸收，并且因此位于下面的、“内部”的黄色荧光物质层基本完全不受VUV辐射的影响。由此黄色荧光物质由仅仅通过由蓝色荧光物质层发出的蓝色辐射所激发。因此实现，在灯的寿命过程中黄色辐射以如同蓝色荧光物质层由于出现的VUV辐射而递降的基础上的蓝色辐射同样的比例下降。通过所述措施最终实现，色品位置有益地几乎不依赖于灯的使用寿命保持恒定。在把BaMgAl10O16:Eu用于“外部的”蓝色荧光物质层的情况下层重在大约3.20和3.40mg/cm2之间的范围证明是适当的。
原则上所有已知的、可以用VUV辐射激励的黄色或者蓝色荧光物质成分都适合，主要是具有较高量子效率的如此成分。下面列举的荧光物质个体上是特别适合。
例如适合作为黄色荧光物质成分的是：
A)(Y，Gd，Tb)AG:Ce，
例如适合作为蓝色荧光物质成分的是：
B)BaMgAl10O17:Eu；
C)SrMgAl10O17:Eu；
D)q aQQQw(Ba，Sr)MgAl10O17:Eu；
上述列举的荧光物质成分的化学计量成分的细微变化是常见的并且因此由上面的描述共同包含。
附图说明
下面根据实施例详细阐述本发明。附图示出：
图1a  介电阻碍放电灯的第一实施例的侧面图，
图1b  图1a的灯沿着线AB的横截面，
图1c  图1b的灯的横截面的局部放大图，
图2   根据图1a-1c的试验灯的光谱，
图3a  一个介电阻碍放电灯的第二实施例的侧面图，
图3b  图3a的灯沿着线AB的横截面，
图3c  图3b的横截面的局部放大图。
具体实施方式
在本发明的一个实施例的下面阐述中涉及图1a-1c。
放电灯1具有管状双侧封闭的、外径为大约10mm的放电容器2。该放电容器2由碱石灰玻璃制成，并且把氙作为放电介质以大约15kPa的压力进行填充。两个作为线状印刷导线形成的金属电极3a、3b彼此相对并且平行于放电容器的纵向轴线涂敷在放电容器2的壁的外侧面上。在放电容器2的壁的内侧面上(大约450cm2)涂敷“内部的”荧光物质层4和“外部的”荧光物质层5。“外部的”、关于放电介质的第一荧光物质层5由黄色荧光物质成分YAG:Ce制成。“内部的”、关于放电介质的第二荧光物质层4由BaMgAl10O16:Eu制成。
就这种灯类型I以所述两层4或者5的不同层重或者层重比生产了多个试验灯。在下面的表中列举了由此获得的色品位置的坐标(按照CIE标准比色图表)。
  灯号   层5(mg/cm<sup>2</sup>)   层4(mg/cm<sup>2</sup>)   比例、层4/5   x   y
  1   2.69   3.22   1.20   0.420   0.501
  2   2.87   3.07   1.07   0.423   0.501
  3   3.02   2.84   0.94   0.424   0.500
  4   1.78   2.91   1.64   0.415   0.498
  5   1.11   3.00   2.70   0.391   0.474
  6   1.27   2.82   2.23   0.402   0.490
7 0.62 2.44 3.93 0.336 0.395
  8   0.69   2.62   3.81   0.343   0.408
  9   0.76   2.73   3.62   0.356   0.425
  10   0.49   2.84   5.82   0.309   0.355
  11   0.49   2.98   6.09   0.317   0.367
  12   0.38   3.07   8.12   0.290   0.328
以12号灯与一个可比较的标准RGB灯相比达到了13％的校正的亮度增加。在图2中示出了该灯的测量光谱。对此Y轴和X轴表明相对的能量或者以nm为单位的波长。
对于本发明另外实施例的下面阐述涉及图3a-3c。
在此以与第一实施例相反的顺序涂敷所述两种荧光物质成分，也就是说“外部的”、关于放电介质的第一荧光物质层7由蓝色荧光物质成分BaMgAl10O16:Eu。“内部的”、关于放电介质的第二荧光物质层6由黄色荧光物质成分YAG:Ce制成。就这种灯类型II以不同的、蓝色和黄色荧光物质层厚比例生产了多个试验灯。在下面的表中列举了因此获得的色品位置的坐标(按照CIE标准比色图表)。对此象通常一样通过相应的层重表示层厚。
  灯号   层7(mg/cm<sup>2</sup>)   层6(mg/cm<sup>2</sup>)   比例、层6/7   x   y
  13   3.20   0.36   0.11   0.201   0.182
  14   3.36   0.39   0.12   0.209   0.195
15 3.39 0.45 0.13 0.209 0.194
16 3.34 1.00 0.30 0.276 0.300
  17   3.39   1.00   0.29   0.287   0.312
  18   3.27   0.88   0.27   0.275   0.296
另一个实施例涉及由两个前面的实施例制成的灯的变体(没有示出)，当然具有仅仅一个荧光物质层，在该层中混合蓝色荧光物质成分BaMgAl10O16:Eu(BAM)和黄色荧光物质成分YAG:Ce(YAG)。
就这种灯类型III同样以不同的、蓝色和黄色荧光物质比例生产多个试验灯。在下面的表中列举了因此获得的色品位置的坐标(按照CIE标准比色图表)
  灯号   层(mg/cm<sup>2</sup>)   比例BAM/YAG   x   y
  19   3.18   95/5   0.194   0.174
  20   3.27   95/5   0.198   0.183
  21   3.27   85/15   0.283   0.310
  22   3.32   85/15   0.288   0.317
  23   3.14   85/15   0.284   0.311
  24   3.36   75/25   0.337   0.383
  25   3.22   75/25   0.329   0.373
  26   3.09   75/25   0.327   0.370
下面的表指出了在持续照明100或者500小时后上述实施例的试验灯的保持数据一览表。正如看到的，所有三种类型(I、II、III)的两带灯与所比较的传统三带结构(RGB)相比表明提高的色品位置稳定性，其中这种结构、在该结构中蓝色荧光物质层朝向放电(类型II)、虽然具有最高的光通量减少，可是同时具有最高的色品位置稳定性。
Figure C20041004858100091
虽然前面例举管状放电灯的例子阐述本发明。但本发明仍然不局限于这种灯类型。更确切地说，本发明不依赖于放电容器的形状发挥其有益的作用。因此比如在文献US-A 5994849中公开的平面灯形式同样适合。此外，原则上这是无关紧要的，即，电极是否布置在放电容器壁的外侧或可选择地布置在内侧并以介电层覆盖。同样电极也可以是完全无阻碍的。结合开始概括的问题起决定性作用的是，仅仅放电介质在灯工作中发出VUV辐射。然而介电障碍放电灯在这点上有一定的优先地位，正如开始已经提到的，因为在一个特殊的脉冲工作方式中能够产生特别高效的VUV辐射。

Claims (12)

1.放电灯(1；1’)，该放电灯具有
·一个放电容器(2；2’)，
·一种放电介质，该放电介质处在放电容器(2；2’)的内部并且在灯工作时在波长小于200nm的VUV范围内发出电磁辐射，
·涂敷在放电容器(2；2’)的壁上的一种荧光物质(4-7)，其特征在于，
·所述荧光物质(4-7)由一种黄色和一种蓝色荧光物质成分制成，以一个各自独立的荧光物质层、也就是说以一种黄色荧光物质层(5；6)和蓝色荧光物质层(4；7)涂敷所述两种荧光物质成分。
2.按照权利要求1所述的放电灯，其中荧光物质层(4；5)的顺序是这样的，即从放电介质向外首先是黄色荧光物质层(5)，然后是蓝色荧光物质层(4)。
3.按照权利要求1或2所述的放电灯，其中所述两种荧光物质层(4、5)涂敷在放电容器(2)的内壁上。
4.按照权利要求3所述的放电灯，其中蓝色荧光物质层(4)涂敷在黄色荧光物质层(5)的下面。
5.按照权利要求1所述的放电灯，其中所述两种荧光物质层(6、7)涂敷在放电容器(2’)的壁的内侧面上，并且在这种情况下如此选择“外部的”蓝色荧光物质层(7)的厚度，使得“内部的”黄色荧光物质层(6)通过蓝色荧光物质层(7)基本上完全不受VUV辐射的影响。
6.按照权利要求5所述的放电灯，其中黄色荧光物质层(6)涂敷在蓝色荧光物质层(7)的下面。
7.按照权利要求1或2所述的放电灯，具有黄色荧光物质成分(Y，Gd，Tb)AG:Ce。
8.按照权利要求1或2所述的放电灯，具有蓝色荧光物质成分BaMgAl10O17:Eu。
9.按照权利要求1或2所述的放电灯，具有蓝色荧光物质成分SrMgAl10O17:Eu。
10.按照权利要求1或2所述的放电灯，具有蓝色荧光物质成分(Ba，Sr)MgAl10O17:Eu。
11.按照权利要求1或2所述的放电灯，其中放电介质包含惰性气体氙。
12.按照权利要求1或2所述的放电灯，该放电灯是介电障碍放电灯。
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Families Citing this family (213)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10236420A1 (de) * 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
DE10324832A1 (de) * 2003-06-02 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Leuchtstoff
WO2007125471A2 (en) * 2006-05-01 2007-11-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure discharge lamp
JP5274947B2 (ja) * 2008-09-17 2013-08-28 三菱電機照明株式会社 蛍光ランプ
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4258285A (en) * 1979-06-22 1981-03-24 Gte Products Corporation Two-component phosphor in a cool white lamp
US5714835A (en) * 1993-04-05 1998-02-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft F. Elektrische Gluehlampen Mbh Xenon excimer radiation source with fluorescent materials
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
CN1324105A (zh) * 2000-05-13 2001-11-28 皇家菲利浦电子有限公司 稀有气体低压放电灯,制造稀有气体低压放电灯的方法和一种气体放电灯应用
US20030092345A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Chien-Yuan Wang Manufacturing method for white light source

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4458176A (en) * 1977-09-06 1984-07-03 Gte Products Corporation Daylight fluorescent lamps employing blend
JPH0625357B2 (ja) * 1984-09-12 1994-04-06 松下電子工業株式会社 螢光高圧水銀灯
JPH01231256A (ja) * 1988-03-10 1989-09-14 Toshiba Corp 蛍光ランプ
DE19526211A1 (de) * 1995-07-18 1997-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler
JP3405044B2 (ja) * 1996-02-21 2003-05-12 日亜化学工業株式会社 発光組成物及びそれを用いた蛍光ランプ
JPH10195430A (ja) * 1997-01-16 1998-07-28 Toshiba Electron Eng Corp 緑色発光蛍光体
JP3118226B2 (ja) * 1998-01-23 2000-12-18 有限会社ルル 照明光源用フィルター
US6466135B1 (en) * 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10236420A1 (de) * 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
US6844671B2 (en) * 2003-01-31 2005-01-18 General Electric Company High luminosity phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4258285A (en) * 1979-06-22 1981-03-24 Gte Products Corporation Two-component phosphor in a cool white lamp
US5714835A (en) * 1993-04-05 1998-02-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft F. Elektrische Gluehlampen Mbh Xenon excimer radiation source with fluorescent materials
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
CN1324105A (zh) * 2000-05-13 2001-11-28 皇家菲利浦电子有限公司 稀有气体低压放电灯,制造稀有气体低压放电灯的方法和一种气体放电灯应用
US20030092345A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Chien-Yuan Wang Manufacturing method for white light source

Also Published As

Publication number Publication date
EP1491611A3 (de) 2005-04-06
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EP1491611B1 (de) 2007-07-04
DE502004004226D1 (de) 2007-08-16

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