JP2004527905A - ナノ製造 - Google Patents

Abstract

３次元ナノ構造の高速かつ信頼性の高い製造方法。秩序立てた多レベル・ナノ構造を生産する簡単な方法について説明する。この方法は、放射線源に選択的に露出して、ブロック共重合体テンプレートにパターン形成することによって達成される。結果としての多スケール・リソグラフィ・テンプレートを、製造後ステップで処理して、多レベル３次元集積ナノスケール媒体、装置およびシステムを生産することができる。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノスコープ構造の製造に関する。特に、本発明は表面上の機能化したナノスコープ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
＜政府の権利＞
本発明は、米国エネルギー省認可番号ＤＥ−ＦＧ０２−９６ＥＲＡ４５６１２、米国科学財団認可番号ＤＭＲ−９８０９３６５、米国科学財団認可番号ＣＴＳ−９８７１７８２により、政府の支援を受けて実行された。政府は本発明に特定の権利を有する。
【０００３】
有用なナノスケールの装置の製造は困難であることが証明されている。多孔質酸化アルミニウム（Ａｎｏｐｏｒｅ（商標））、イオン・トラック・エッチング・ポリカーボネート（Ｎｕｃｌｅｐｏｒｅ（商標））、イオン・トラック・エッチング雲母、および他のアプローチに基づいたアプローチが試みられてきた。その例が、Ｍｉｔｃｈｅｌｌ他の、「Ｔｅｍｐｌａｔｅ−Ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」（Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ａ． Ｊ． ＢａｒｄおよびＩ． Ｒｕｂｉｎｓｔｅｉｎ， Ｅｄｓ．， ２１， （１９９９）， １−７４）で、Ｓｔｒｉｊｋｅｒｓ他の、「Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ａｒｒａｙｓ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ Ｃｏ Ｗｉｒｅｓ ｉｎ Ａｎｏｄｉｃ Ａｌｕｍｉａ」（Ｊ． Ａｐｐ． Ｐｈｙｓ．， ８６， （１９９９）， ５１４１）で、Ｈａｎ他の、「Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｎｏｂｌｅ Ｍｅｔａｌ Ｎａｎｏｗｉｒｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃａ ＳＢＡ−１５」（Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．， １２， （２０００）， ２０６８−２０６９）で、Ｗｈｉｔｎｅｙ他の、「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ａｒｒａｙｓ ｏｆ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｎａｎｏｗｉｒｅｓ」（Ｓｃｉｅｎｃｅ， ２６１， （１９９３）， １３１６）で、およびＴｏｎｕｃｃｉ他の、「Ｎａｎｏｐｏｓｔ ａｒｒａｙｓ ａｎｄ ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ ｍａｋｉｎｇ ｓａｍｅ」という名称の米国特許第６，１８５，９６１号、およびＣｈｉｅｎ他の、「Ａｒｒａｙｓ ｏｆ ｓｅｍｉ−ｍｅｔａｌｌｉｃ ｂｉｓｍｕｔｈ ｎａｎｏｗｉｒｅｓ ａｎｄ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ ｔｈｅｒｅｆｏｒ」という名称の米国特許第６，１８７，１６５号で開示されている。これらのアプローチの結果、材料の点で横方向のパターン形成および／または集積が非常に困難または不可能であった。製作できるその他のデバイスは、Ｗａｒｒｅｎ他の、「Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｃｒｅａｔｉｎｇ ａｎｄ ｔｅｓｔｉｎｇ ａ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎａｌ ａｒｒａｙ ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌｌｙ ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ」という名称の米国特許第６，１８７，１６４号で開示されるように、巨視的な規模である。
【０００４】
最近、ＳａｍｓｕｎｇおよびＨｉｔａｃｈｉ等の企業は、プロトタイプの電界放出（ＦＥ）ディスプレイを作成する電界放出源としてカーボン・ナノチューブを使用している。カーボン・ナノチューブ材料をベースにしたＦＥデバイスは、Ｗａｎｇ他の、「Ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｐｒｏｔｏｔｙｐｅ ｕｓｉｎｇ ｇａｔｅｄ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ ｆｉｅｌｄ ｅｍｍｉｔｔｅｒｓ」（Ａｐｐ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， ７８， （２００１） １２９４）で開示され、受入可能な電界放出を提供することができるが、製造が困難になることがある。
【０００５】
Ｌｏｈａｕ他の、「Ｗｒｉｔｉｎｇ ａｎｄ ｒｅａｄｉｎｇ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｂｙ ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａｍ」（Ａｐｐ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， ７８， （２００１）， ９９０）、およびＫｏｉｋｅ他の、「Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｂｌｏｃｋ ａｒｒａｙ ｆｏｒ ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｅｄｉａ」（Ａｐｐ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， ７８， （２００１）， ７８４）で開示されているように、逐次書き込みプロセスを使用して、磁気媒体にパターンを形成することができる。ＩＢＭ Ａｌｍａｄｅｎ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒの研究者は、Ｌｏｈａｕ他に記載されているように、１００Ｇｂ／ｉｎ²の記憶密度を有するパターン形成済み媒体を生成する製造スキームを使用している。このスキームは、収束したＧａ⁺イオン・ビームを使用して、粒状のＣｏ₇₀Ｃｒ₁₈Ｐｔ₁₂薄膜媒体にトレンチを切り込むようにしている。これらのプロセスは、速度が遅い傾向があり、処理量が多い製造にはそれほど適していない。
【０００６】
熱電（ＴＥ）冷却装置の効率は、この４０年間にそれほど上昇せず、現在のところ、最良の材料の性能指数（ＺＴ）は１より小さい。ＢｉおよびＢｉ₂Ｔｅ₃などの半金属材料は最高のＺＴ値を有し、かつ、現在のところ、ＭａｒｌｏｗおよびＭｅｌｃｏｒ等の企業が製造する商用ＴＥ装置に使用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ナノスケールのアレイに横方向でパターン形成することにより、３次元ナノ構造の高速かつ信頼性の高い製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
秩序立った多レベル・ナノ構造を作成するために、本明細書で簡単な方法について説明する。この方法は、放射線源に選択的に露出してブロック共重合体テンプレートにパターン形成することにより達成される。結果としての多スケール・リソグラフィ・テンプレートは、製造後ステップで処理して、多レベル３次元集積ナノスケール媒体、デバイスおよびシステムを作成することができる。
【０００９】
１つの態様では、本発明は、横方向にパターン形成したアレイを作成する方法を提供する。該方法は、導電または半導体基板（例えば、金などの金属）の一部をブロック共重合体薄膜（例えば、メチルメタクリレートおよびスチレンのブロック共重合体）で被覆し、ここで、共重合体の一成分が、共重合体の別の成分の基質にナノスコープのシリンダを形成しており、さらに、共重合体の上に導電層を配置して複合構造を形成し、複合構造を垂直に配向し、構造の一部から第１の成分の一部を除去して第２の成分のその領域にナノスコープの孔（ｎａｎｏｓｃｏｐｉｃ ｐｏｒｅ）を形成し、第２の成分を架橋し、ナノスコープの孔の一部を材料で少なくとも部分的に充填することを含む。
【００１０】
基板は、導電領域および非導電領域を含み、この基板はリソグラフィでパターン形成される。このような場合、第１の成分を、少なくとも部分的に基板の導電部分に重なっている構造の一部から除去される。構造は、例えば、少なくとも１時間、電界で加熱することによって垂直に配向される。第１の成分の一部は、構造の一部を紫外線、電子ビームまたはオゾンに露出することによって除去される。第１の成分の一部は、成分を劣化させ、かつ、劣化した成分を選択的に除去する作用物質で構造の一部を処理することにより、除去される。ナノスコープの孔の一部は、電気化学蒸着によって充填される。第２の成分のナノスコープの孔および表面の一部は、材料で充填する前に界面活性剤で湿潤される。電流を制御して、孔に蒸着させる材料の量が決定される。
【００１１】
別の態様では、本発明は、本明細書で説明する方法で製造したアレイを提供する。アレイは、基板、基板上の重合体薄膜、および薄膜内で少なくとも１セットの平行で、基板に直角に配置された金属（例えば、金、銅またはニッケル）または半金属シリンダを含むことができる。シリンダは、コバルトまたはニッケル等の磁性材料を含む。磁性アレイを使用して、磁気記憶媒体または磁気抵抗効果デバイスまたは大磁気抵抗効果デバイスを作成することができる。このようなアレイに非磁性金属を使用して、例えば、電界放出デバイスを作成することができる。これらのアレイのいくつかの実施形態では、少なくとも１セットのシリンダがｎ型材料を含み、少なくとも別の１セットのシリンダがｐ型材料を含む。このようなアレイを使用して、熱電冷却器を生成することができる。シリンダは、交互配置の磁性材料層と非磁性材料層とを含むこともでき、層はシリンダの長さに沿ってほぼ規則的に交互に配置されても、されなくてもよい。このようなアレイでは、シリンダのセットを円形または三角形等のほぼ規則的な幾何学的形状で構成することができる。言うまでもなく、本明細書で開示するデバイスには、不規則な形状にも用途がある。いくつかのアレイでは、１タイプのシリンダが任意の磁化方向を有し、別のタイプが反対の磁化方向を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１セットのシリンダが、例えば、薄膜の上に導電性接触することにより別のセットのシリンダと電気的に接触する。
【００１２】
本明細書では、「垂直に配向」という用語は、共重合体薄膜に言及する場合、孔の軸線が薄膜に関連する表面に対してほぼ垂直であるか、薄膜表面自体に対してほぼ垂直である状態で、円筒形の孔を有する薄膜を意味する。この新しい材料は、シリンダがほぼ同じ方向に配向されている、すなわち平行である限り、垂直に配向された、または垂直に対してある角度で配向された円筒形の孔を有することができる。このシリンダは、様々な形状を有することができ、円形の直径断面を有することができるが、その必要はない。
【００１３】
本明細書では、「ナノスケール」という用語は、例えば、本明細書で説明する共重合体分子の自己集合の方法を使用して達成されるアレイなどの特徴的なサイズ範囲を指す。例えば、孔の直径、ワイヤの直径、ワイヤの長さ、およびアレイの期間はナノスケール範囲でよい。すなわち約１ナノメートルから１０００ナノメートル以上の範囲内である。本明細書では、「ナノワイヤ」という用語は、アレイの孔に生成されたナノスケールの材料を指す。この用語は、材料の縦横比が高くなる必要があることを意味せず、いくつかの実施形態では、アレイに蒸着すべき材料は低い縦横比を有することができる。「ナノワイヤ」は、必ずしも導電性ではないが、それでもナノスケールのアレイに存在すると有用である材料も指す。
【００１４】
本明細書では、「多レベル」という用語は、少なくとも１レベルが、横方向にパターン形成された２元ブロック共重合体薄膜で生成された状態で、複数の独立したレベルのリソグラフィによって構築することができる構造を指す。本明細書では、「多層」という用語は、２つ以上の材料を含むリソグラフィの単層内にある構造的要素を指す。本明細書では、「ワイヤ」という用語は、幅および長さを有し、縦横比（すなわち長さ対幅の比率）が少なくとも２：１である導電性材料を指す。この用語は、「ドット」という用語とは区別され、「ドット」はさらに縦横比が低い導電性材料を指す。
【００１５】
他に定義されていない限り、本明細書で使用する全ての技術的および科学的用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって普通に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書で説明するものと同様、または等しい方法および材料を、本発明の実践または試験に使用することができるが、適切な方法および材料は以下で説明される。本明細書で言及する全ての出版物、特許出願、特許および他の参考文献は、引用により全体を本明細書の記載に援用する。矛盾する場合は、定義を含めて本発明の明細書が優勢となる。また、材料、方法および例は、例示としてのものにすぎず、制限するものではない。
【００１６】
本明細書で説明する技術およびシステムは、多くの利点を含む。例えば、新しい薄膜の磁気シリンダは極めて密度が高く、そのためこのシステムを次世代の磁気データ記憶用途に使用することができ、潜在的なデータ記憶密度は１０００Ｇｂｉｔ／ｉｎ²を超える。金などの金属膜上にある磁性金属の良好に制御されたサイズおよび分離距離は、次世代の大磁気抵抗磁界感知デバイスを設計する手段も提供する。
【００１７】
プロセスは、並列で規模を拡大縮小することができ、シリアル書き込みに基づくナノ製造技術による速度の制限を受けない。技術は、単純、高速かつ費用効果が高いので、製造に適する。それらのプロセスは産業に容易に採用することができ、他の製造プロセスと互換性がある。
【００１８】
本明細書で説明する技術は、共重合体テンプレートを自己集合させることにより、ナノ製造の一般的有用性を大幅に前進させた。ナノ製造技術は、単純、高速かつ費用効果が高いので、製造に適する。それらの技術は、産業に容易に採用することができ、他の産業の微小製造プロセスと互換性がある。例えば、横方向のパターン形成によりチップ上に電子回路を作成するために、このようなシステムを使用することができる。チップ内にナノ構造を集積し、構造と任意の位置にある他のチップ素子とのインタフェースをとることが、本明細書で開示する方法によって可能になる。
【００１９】
例えば、この３次元構造により、電子電界放出アレイを設計する手段が提供される。アレイは、現在入手可能なフラット・パネル・ディスプレイより明るく、解像度が高く、コストが安く、薄く、柔軟性があるフラット・パネル・ディスプレイに使用することができる。トランジスタ様のデバイス、スピン偏極電子エミッタ、および電界放出に基づく他の周知のデバイスなどの他の電界放出電子デバイスが可能である。
【００２０】
例えば、３次元構造により、多段冷却機能を有するものを含め、ソリッドステート熱電冷却装置を設計する手段も提供される。他の用途には、例えば、磁気抵抗センサ、大容量の磁気データ記憶装置、スマート・メディア、スピントロニクス、化学的検出装置、生体分子診断センサ・アレイ、設計者の「マイクロ磁気」媒体、および分子電子工学がある。
【００２１】
本発明の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および請求の範囲から明白になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本明細書では、横方向にパターン形成したブロック共重合体テンプレートを使用して３次元デバイスを製造するプロセス技術について説明する。この方法では、選択的区域を放射線源に露出することにより、共重合体薄膜に横方向にパターン形成する。この手順によって、多スケール・リソグラフィ・テンプレートが、すなわち全体的な横方向の範囲が任意かつ所望の設計に制約されたナノスケール孔の規則的なアレイが生成される。横方向の設計の寸法は、ナノスケールからマイクロスケールまでの範囲が可能である。パターン形成したアレイ・テンプレートは、適切に調整した製造前および製造後ステップと組み合わせて、多レベル３次元集積ナノスケール媒体、デバイスおよびシステムを生成する。上記方法により、チップ上の任意かつ所望の位置にナノスケールの機能的要素を集積し、かつ実際的な方法で機能的要素を他のチップ・コンポーネントと集積することができる。したがって、自己集合した共重合体テンプレートの一般的有用性が大幅に前進する。
＜一般的準備技術＞
本明細書で説明する方法は、表面上に材料の規則的なアレイを形成することに基づく。例えば、端部と端部が共有結合された化学的に別個の２つの重合体で構成された２元ブロック共重合体を重合体鎖を備える成分の体積分率に応じて球、シリンダまたはラメラの整列したアレイに自己集合させることができる。有向自己集合は、外部場（例えば、電界または磁界、または温度または濃度勾配）で実行され、その結果、少なくとも２：１または３：１の縦横比を有するナノワイヤの拡張したアレイを生産できるように、指向性が十分に長い有用な薄膜を生成することができる。垂直に配向された円筒形の位相２元ブロック共重合体薄膜が生成される。使用できる多くの適切な２元ブロック共重合体の中で、（体積分率で）７０／３０のポリスチレンポリメチルメタクリレート２元ブロック共重合体を例示することができる。共重合体の他のシリンダ状成分には、例えば、ポリブタジエン、ポリカプロラクトン、および溶剤中で可溶性にすることができる他の材料がある。他の基質成分には、ポリブタジエン、およびシリンダ状成分の除去に使用する作用物質と反応しない他の材料がある。
【００２３】
ブロック共重合体は最初に、金属、半金属または絶縁体基板等の基板に、例えば、溶液からのスパン・キャストなどを蒸着させる。基板は剛性または可撓性であってもよい。特に問題となるのは、金属の薄膜で少なくとも部分的に被覆された基板、半導体基板、およびリソグラフィで設計した薄膜金属電極パターンで少なくとも部分的に被覆した半導体基板である。適切な基板には、シリコン・ウェーハまたはチップなどのシリコン、Ｋａｐｏｎ等の重合体基板があり、各々は基板表面の少なくとも一部を導電体材料または半導体材料で被覆することにより、導電体または半導体にすることができる。特定の用途において、金属基板では、金属の酸化は、蒸着すべき金属の蒸着速度ほど速くなってはならない。
【００２４】
例えば、本明細書で説明するデバイスおよび技術に使用するための基板は、導電性である必要はない下位材料の上にある被覆または非連続表層でよい。使用する基板の量は、機能材料の蒸着に電着を使用する場合に、基板が電極として機能することができる任意の量でよい。他の材料蒸着方法を使用する場合、基板の性質および量は制限されない。基板が被覆または表層として存在する実施形態では、基板は従来のリソグラフィ技術、または導電性材料を表面に蒸着させる他の周知の方法によって下位基板に適用することができる。
【００２５】
いくつかの実施形態では、基板は金などの金属を含むことができる。他の実施形態では、基板は、下位材料に被覆または蒸着させた金を有することができる。いくつかの実施形態では、基板は、例えば、シリコン酸化物などの半金属酸化物でよい。特定の準備方法は必要ないが、いくつかの実施形態では、水で基板を洗浄し、その後に弱酸および／または基剤で洗浄することができる。
【００２６】
端部と端部が共有結合された化学的に別個の２つの重合体で構成された２元ブロック共重合体は、重合体鎖を備える成分の体積分率に応じて球、シリンダまたはラメラの整列したアレイに自己集合される。主要成分の体積分率が約０．７（例えば、約０．６５から約０．８０）である場合、どの共重合体も主要成分の基質に埋め込まれた少量成分が六角形アレイのシリンダに自己集合し得る。２元ブロック共重合体の少量成分のモル比は、約０．２０から約０．３５の範囲で、それによりシリンダを形成することになるミクロ相を形成することができる。主要成分の体積分率が約０．９である場合、少量成分は球を形成し、これは、電界などの有向場を加えると、細長くなって非常に細いシリンダにすることができる。
【００２７】
Ａ−ＢおよびＡ−Ｃの２元ブロック共重合体などの２元ブロック共重合体の混合物を使用して、例えば、ＢおよびＣシリンダなどの異なるタイプのシリンダを生成することができる。Ａ−Ｂ−Ｃの３ブロック共重合体などのより高いブロック共重合体も使用することができる。共重合体の分子量は、異なるシリンダ直径を達成するために変更することができる。例えば、約１５０万分子量単位（ダルトン）の範囲にある分子量共重合体は、シリンダ直径が約７０ｎｍになる。約２０，０００ダルトンの範囲の分子量にすると、直径が約１４ｎｍのシリンダにすることができる。約４００万ダルトンの分子量では、直径が約１００ｎｍのシリンダになり、約１５，０００ダルトンの分子量では、約１．０ｎｍの直径になる。
【００２８】
いくつかの実施形態では、架橋できる成分を含むブロック共重合体を使用することが望ましい。この成分は、別の成分の除去前または除去中に架橋することができ、したがって共重合体に構造的結合性を追加することができる。この成分は、基質成分とも呼ぶことができる。いくつかの実施形態では、基質成分は体積で共重合体の主要成分である。適切な基質成分には、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリジメチルシロキサン、および他の重合体がある。除去すべき成分は、コア成分と呼ぶことができる。いくつかの実施形態では、コア成分は体積で共重合体の少量成分である。適切なコア成分には、ポリメチルメタクリレート、ポリブタジエン、ポリカプロラクトンまたはフォトレジストがある。通常、コア成分は、基質材料とは劣化または分解が異なる材料である。
【００２９】
他の実施形態では、スチレンおよびメチルメタクリレートのブロック共重合体を使用することができる。いくつかの実施形態では、メチルメタクリレートのブロックが少量成分を構成する。例えば、ポリスチレン／ポリメチルメタクリレートの７０／３０（体積）の２元ブロック共重合体を使用することができる。アルキル／アルキル、アルキル／アリル、アリル／アリル、親水性／親水性、親水性／疎水性、疎水性／疎水性、正に帯電したまたは負に帯電した／正または負に帯電した、非荷電／正または負に帯電した、または非荷電／非荷電などの任意のブロック共重合体を使用することができる。膜の厚さは、例えば、約０．５ｎｍから約１０ｃｍ、または約１ｎｍから約１ｃｍ、または約５ｎｍから約１０００ｎｍなど、必要に応じて、変更することができる。いくつかの好ましい実施形態では、膜の厚さは、約１０ｎｍから約２００ミクロン、または約１ミクロンから２００ミクロン、または最大約２５ｍｉｌなどに変更することができる。
【００３０】
共重合体の配向は、有向自己集合を、すなわち例えば、電界、磁界、熱勾配または濃度勾配などの外部場によって配向された自己集合を使用して実施することができる。シリンダの垂直な配向は、例えば、アニーリング状態での電界の調整、または制御されたインタフェース状態を使用する自己配向などによって達成することができる。
【００３１】
電界で誘発した配向では、共重合体のブロックの化学的成分が異なると、共重合体ドメインの誘電率が異なることになる。誘電率が約０．１％異なると、特定の、例えば、垂直の方位になる。電界中では、シリンダの誘電体に関連する方位依存の分極エネルギーが、例えば、Ｍｏｒｋｖｅｄ他の、「Ｌｏｃａｌ ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ ｍｉｃｒｏｄｏｍａｉｎ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｉｎ ｄｉｂｌｏｃｋ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｗｉｔｈ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄｓ」（Ｓｃｉｅｎｃｅ， ２７３， （１９９６）， ９３１）、Ｔｈｕｒｎ−Ａｌｂｒｅｃｈｔ他の、「Ｏｖｅｒｃｏｍｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｆｉｅｌｄｓ」（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， ３３， （２０００）， ３２５０−５３）、Ａｍｕｎｄｓｏｎ他の、「Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｏｆ ｌａｍｅｌｌａｒ ｂｌｏｃｋ−ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎ ａｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃ−ｆｉｅｌｄ． １． Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｋｉｎｅｔｉｃｓ」（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２６， （１９９３）， ２６９８）およびＡｍｕｎｄｓｏｎ他の、「Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｏｆ ｌａｍｅｌｌａｒ ｂｌｏｃｋ−ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎ ａｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃ−ｆｉｅｌｄ． ２． Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ ｏｆ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ」（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２７， （１９９４）， ６５５９）に記載されているように、シリンダを電界の線に平行に整列させる。
【００３２】
基板に平行な十分に強い場があると、モルフォロジの表面誘発アラインメントを克服し、場と平行に配向されたシリンダ状のミクロドメインを生成することができ、これは厚さ１ミクロンのサンプル全体に延在する基板に対して垂直でよい。散乱実験は、薄膜のミクロ相構造の方位を特徴付けるために簡単な手段である。側部から見ると、基板に垂直に配向されたシリンダ状構造は、横方向に周期性がある。その結果、有限入射角で測定した散乱パターンは強度に異方性で、２つの赤道ブラッグ・ピークで構成される。
【００３３】
重合体薄膜の配向に電界を使用するいくつかの実施形態では、除去可能な導電層を共重合体薄膜の上に配置し、２つの電極で薄膜を挟む。例えば、導電層は、スピン・コーティングで蒸着させ、次にアニーリング後にエッチングで、例えば、溶剤化学または物理エッチングで除去することができる。あるいは、「スピン・オン」犠牲層を塗布し、その後に金属層を蒸発、スパッタリングまたはスピン・オンさせる。アニーリング後、犠牲層は溶剤、化学または物理エッチングで除去することができる。この導電層は金属または半導体材料でよく、任意選択で薄膜表面全体に接触することができる。例えば、共重合体薄膜上の導電層として、アルミニウム、銅、金または他の金属を使用することができる。
【００３４】
アルミニウム蒸着ＫＡＰＴＯＮ（登録商標）などの金属被覆層も使用することができる。金属被覆層は、垂直配向などの配向を実施する際に、均一な薄膜表面の形成を促進することができる。例えば、いくつかの実施形態では、金属導電層のみを使用し、共重合体薄膜に直接接触させると、導電層の除去時に付着および／または引き裂きのため、共重合体層に損傷を与えることがある。アルミニウム蒸着Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）は、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）の層と位置合わせしたアルミニウムの層であり、Ｋｐａｔｏｎ（登録商標）層は共重合体薄膜と直接接触している。Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）層は、アルミニウム層と薄膜の反対側にある基板との間に確立された電界と干渉するほど厚くなってはならない。電界で誘発される垂直配向のために金属被覆層を生成するには、他の金属および他の重合体材料を使用することができる。
【００３５】
共重合体中の分子を可動化するため、サンドイッチ構造を共重合体のガラス転移温度より上に加熱することができる。次に基板と導電層の間に電圧を印加し、可動化した共重合体薄膜を通る電界を生成する。電界の強度は少なくとも５Ｖ／ｍｍ、例えば、少なくとも１０Ｖ／ｍｍである。
【００３６】
共重合体が自己集合できるよう十分な時間、例えば、３０分以上、６０分以上、１．５時間以上、２時間以上または３時間以上、薄膜をこの状態に保持した後、共重合体薄膜アセンブリを共重合体のガラス転移温度より下の温度まで冷却する。配向場、例えば、電界は、冷却を実行した後にオフすることが望ましい。この時点で、導電層、および関連する全ての追加層を共重合体薄膜から除去する。これで、薄膜は１つの共重合体成分のシリンダの規則的アレイを含み、これが別の共重合体成分の基質に埋め込まれる。自己集合の結果、ブロックが平行に配向され、したがって一方の成分がシリンダを形成して、シリンダの軸線は相互に対してほぼ平行で、例えば、基板の表面に対して全て垂直か、または薄膜表面自体に対してほぼ垂直となる。シリンダは、ほぼ基板表面から薄膜の表面にまで延在することが望ましい。シリンダは、約５ｎｍから約１００ｎｍの範囲の直径を有する。薄膜のシリンダ状ドメインの周期数（Ｌ）は、シリンダの中心軸間の距離であり、共重合体の分子量に（２／３乗まで）比例する。少量成分のモル分率が０．２から０．３５で、シリンダが六角形に充填されている実施形態では、周期数がシリンダの直径を画定する。周期数は、例えば、約１．０から約７０ｎｍの範囲でよいが、この範囲外でもよい。
【００３７】
他の実施形態では、加熱以外の方法を使用して、共重合体の分子を可動化する。例えば、共重合体をそのガラス転移温度まで加熱するのではなく、いくつかの方法のいずれかにより、実際にガラス転移温度を低下させることができる。例えば、可塑剤、溶剤、または超臨界ＣＯ₂などの超臨界流体を共重合体に添加して、分子を可動化し、分子が移動して自己集合できるようにすることができる。配向場を加え、可塑剤、溶剤、または超臨界流体を除去して、分子を固定化する。その後、配向場を除去するが、固定化した分子はその方向を維持する。
【００３８】
電界を使用した配向によって、広範囲の薄膜厚さを準備することができ、それによって広範囲のナノワイヤ縦横比を生成することができる。ナノワイヤの縦横比率は、例えば、約０．０５：１から約１０，０００：１、または約０．１：１から約５，０００：１、または約１：１から約５００：１、または約２：１から約１０，０００：１または約２：１から約５，０００：１、または約２：１から約５００：１または約２：１から約１００：１の範囲が可能である。拡張したアレイ中にあるこのように大きい縦横比のワイヤは、例えば、形状の異方性があっても、十分に大きい磁気保持力を生成するのに有用である。
【００３９】
制御された界面相互作用を使用した配向は、比較的薄い、例えば、厚さ約１００ｎｍ未満、または約６０ｎｍ未満、または約４０ｎｍ未満の２元ブロック薄膜に非常に適している。このような方法により、共重合体２元ブロック薄膜に「中性」表面を与えるように、基板を前処理する。水素を不動態化したシリコン、またはランダム共重合体ブラシで被覆したシリコンが、適切な例示的な中性表面である。薄い２元ブロック薄膜をこの表面の上でスパン・キャストし、アニーリングすることができる。シリンダは、十分に薄い２元ブロック薄膜、例えば、約１００ｎｍ未満の薄膜で、外部場から配向された自己集合をせず、垂直に自己配向する。
【００４０】
このような方法の結果、非常に平坦な薄膜表面となり、製造が簡単になる。何故なら、上部電極の適用および以降の除去が厳密には必要ないからである。コバルトより大きい固有異方性を有する磁性材料を使用すると、超高密度磁気データ記憶を達成することができる（例えば、ＦｅＰｔ）。横方向のパターン形成に電子ビームを使用して、薄膜上にパターンの高い解像度が可能である。
【００４１】
配向後に得られた共重合体薄膜の表面を、形成したままの状態でいくつかの用途に使用することができる。いくつかの用途では、垂直に配向された共重合体薄膜の表面が、ほぼ滑らかであることが望ましい。ほぼ平坦な表面を生成するこのようなアレイおよび技術が、２０００年３月２２日出願の、「Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ａｒｒａｙｓ」という名称の米国仮特許出願番号６０／１９１，３４０および２００１年３月２２日出願の、「Ｎａｎｏｃｙｌｉｎｄｅｒ Ａｒｒａｙ」という名称の米国特許出願番号０９／８１４，８９１で説明され、各出願は引用により全体を本明細書の記載に援用する。例えば、読み取りデバイスが磁気アレイ上を高速で通過する磁気データ記憶の用途では、表面は滑らかであることが望ましい。読み書きヘッドがアレイ上を通過するどの用途でも、高い平滑性を必要とすることがある。データ記憶および検索用途の磁気アレイの平滑性は、約０．５から約５．０ｎｍの範囲であることが望ましい。垂直に配向された共重合体薄膜の表面は、垂直配向ステップを実行する前に導電層に塗布したエラストマまたは架橋エラストマなどの追加の材料を使用することにより、滑らかにすることができる。例えば、架橋ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリルシロキサンなどの架橋シリコン、または架橋ポリジメチルシロキサンなどのポリアルキルアリルシロキサンなどの追加材料を導電層に塗布するか、いくつかの実施形態では、上述したように追加層に塗布することができる。導電層および／または関連する追加の層を追加のエラストマ材料で被覆し、層を共重合体薄膜と接触するように配置する。上述したように垂直配向を実行し、垂直に配向した共重合体薄膜の表面から層を除去する。これにより、表面は、追加のエラストマ材料がない状態で生成した表面より滑らかにすることができる。
【００４２】
次に、基板に関連した共重合体の少量成分（またはいくつかの実施形態では主要成分）を除去する（２元ブロック共重合体のどの成分も「少量」または「主要」になる可能性があり、成分が等しく存在することもある）。少量成分の除去は、例えば、放射線（紫外線、Ｘ線、ガンマ線、可視光線、熱、または電子ビームまたは少量成分を選択的に劣化させる他の放射線源）に露出することによって達成される。例えば、オゾンなどの反応性酸素種、またはエタノールなどの溶剤のような劣化または分解剤も使用することができる。紫外線を使用して、例えば、コア成分としてのポリメチルメタクリレートなどを劣化させることができる。エタノールを使用して、例えば、ポリブタジエンを劣化させることができる。
【００４３】
この処理の後に、化学的にすすいで、分解副産物を除去することができ、通常は数十ナノメートル範囲の孔サイズを有する多孔質材料になる。残留成分を除去するステップは、溶剤での洗浄など、液体での処理、または酸または塩基など、残留成分と選択的に反応する材料での処理を含むことができる。いくつかの実施形態では、劣化した残留成分との反応に使用する材料は、例えば、酢酸の希釈液でよい。この時点で除去されている共重合体成分が以前に充填していた容積は、この時点では膜の厚さを通して延在するシリンダ状空間を備える。残りの容積は、残りの共重合体成分で占有され、基質と呼ばれる。
【００４４】
いくつかの実施形態では、任意選択で共重合体薄膜の成分を架橋することが望ましい。エネルギー源または作用物質によって劣化されない成分の架橋は、薄膜に構造的強度を加えることができる。いくつかの実施形態では、共重合体成分は、別の共重合体成分の劣化と同時に架橋される。放射線が、２元ブロック共重合体の基質成分を任意選択で架橋し、その後に不動態化することが望ましく、したがってシリンダ状の空隙が生成された後にも、基質はアレイ構造を維持する。その結果、ナノ孔アレイ・テンプレートが全体の構造となる。例えば、ポリスチレン（ＰＳ）基質中にポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のシリンダがある場合、紫外線がＰＭＭＡを劣化させる一方、ＰＳを架橋する。共重合体の初期形態が、全劣化プロセスを通して保持されることが望ましい。一方または他方の成分を除去する他の方法（例えば、化学的方法）を使用することができる。「少量」成分または「主要」成分を除去するか、残すことができる。孔の寸法は、通常、垂直に配向された共重合体薄膜のシリンダ状ドメインの寸法と同じであり、したがって孔の直径は約５ｎｍから約１００ｎｍ以上の範囲でよく、周期数は約５．０から７０ｎｍの範囲でよい。
【００４５】
結果的に生じた孔を少なくとも部分的に金属材料、半金属材料、半導体材料および／または磁性材料で充填する。機能材料の蒸着は、例えば、電着、化学蒸着、無電解めっき、界面化学、化学吸着、および化学的に実行される層ごとの蒸着によって実行することができる。約３０ｎｍより大きい深さを有する孔に材料を蒸着させるには、電着が望ましい方法である。何故なら、電着は孔の底に材料を蒸着させる駆動力を提供するからである。例えば、２元ブロック共重合体の薄膜から得たナノスケール・テンプレートの孔中の電着では、縦横比が大きい孔が非常に制御された方法で充填され、ナノワイヤのアレイを提供する便利な手段が提供される。
【００４６】
アレイの磁気特性を利用する用途では、ナノワイヤは少なくとも多少の磁性材料を含む。磁性材料には、コバルト、ニッケル、鉄、およびこれらの材料を１つまたは複数含む合金、および測定できる磁気を有する材料がある。アレイの磁気特性を利用する用途では、ナノワイヤは少なくとも多少の磁性材料を含む。磁性材料は、測定できる磁気を有する材料であり、コバルト、ニッケル、鉄、希土類磁性材料、およびこれらの材料を１つまたは複数含む合金（例えば、鉄とプラチナの合金、またはＰＥＲＭＡＬＬＯＹ（登録商標）、すなわち化学量論組成がＮｉ₈₁Ｆｅ₁₉の鉄とニッケルの合金）、さらに鉄酸化物と組み合わせたストロンチウムまたはバリウムなどのセラミック材料を含む磁性非金属の材料である。テトラシアノエチレンなどの有機磁石も、磁性材料として使用することができる。磁気システムは、銅、金、銀などのように非磁性金属などの非磁性材料も含むことができる。
【００４７】
磁性材料は、磁性金属と非磁性材料の層を交互に蒸着させることにより、磁性ナノワイヤとして作成することもできる。このような交互の層は、任意選択で、規則的に交互になることが実施形態によっては望ましく、規則性は、このような材料の規則的に交互する量を含むことができる。例えば、磁性ナノワイヤは、磁性金属、非磁性材料、磁性金属、または非磁性材料、磁性金属、非磁性材料として交互になる少なくとも３つの層の材料を含むことができる。交互層は、任意選択で、いくつかの実施形態では、不規則に交互することが望ましい。さらなる詳細が、Ｕｗｅ Ｈａｒｔｍａｎ（編集者）の、「Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ ａｎｄ Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ： Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ （Ｓｐｒｉｎｇｅｒ Ｓｅｒｉｅｓ ｉｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ， Ｎｏ． ３７）」の３７０ページ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ， ２０００）に記載され、これは引用により本明細書の記載に援用する。コバルト／銅が交互になる多層が有用であることが判明した。
【００４８】
磁性材料は、通常、選択された保磁性を有するように選択することができ、これは所望の用途によって決定される。例えば、コバルト（Ｃｏ）のみのナノワイヤを使用することにより、保磁性は約７０００Ｏｅ以下の範囲にすることができる。適切な製造状態では、コバルト・ナノワイヤ・アレイの垂直保磁性は、３００Ｋで１．７ｋＯｅを超えることができる。これは異方性が円筒形で、ナノワイヤが１つの磁気ドメインのサイズより小さい直径を有するからである。保磁性は、特定の電着状態、孔直径、および添加剤を選択することにより、より小さい値に調整することができる。例えば、本明細書で説明する技術を使用すると（基板に垂直で、ワイヤの軸線に平行な場の印加）、室温で約８００Ｏｅの垂直保磁性を確立することができる。希土類磁性材料を蒸着させることにより、より高い保磁性を得ることができる。
【００４９】
磁性材料は、磁性区間の厚さ、通常の金属区間の厚さ、および多層ナノワイヤの直径を調節することにより調整した磁気抵抗挙動も有することができる。これらのデバイスは、いわゆる「大」磁気抵抗デバイスで、これは磁界の変化とともに抵抗が劇的に変化する点で、敏感な磁界センサである。不規則な多層形成を用いて意図的に「２状態」デバイスを作成することもできる。例えば、厚い磁性層の後に薄い通常の金属層、次に薄い磁性層をナノワイヤに蒸着させ、２状態デバイスの設計に有用なアレイを形成することができる。
【００５０】
他の実施形態では、デバイスを通る電流を増加させることにより、比較的小さい磁性層の磁化状態を逆転させることができる。スピン偏極した電流は、比較的大きい磁気領域を残し、比較的小さい磁石に注入することができる。この電流は、小さい磁石の磁化にトルクを与え、磁化の方向を逆転させることができる。磁化の変化は、通常、抵抗測定値の離散的変化を伴う。その結果、電流を使用した「読み書き」の方法が得られる。大きい方の電流で「書き込み」、小さい方の電流で「読み出す」ことができる。この概念については、Ｋａｔｉｎｅ他の、「Ｃｕｒｒｅｎｔ−ｄｒｉｖｅｎ ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ ｒｅｖｅｒｓａｌ ａｎｄ ｓｐｉｎ−ｗａｖｅ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎｓ ｉｎ Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ ｐｉｌｌａｒｓ」（Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｌｅｔｔ．， ８４， （２０００）， ３１４９）で検討されている。磁性材料の最適な電着は、磁性材料を蒸着させた表面に対して垂直の材料の磁気軸の整列を伴うことができる。
【００５１】
アレイの磁気特性を用いない用途には、電着できる他の任意の材料を使用することができ、これには一般的に金属、半金属（例えば、ＢｉおよびＢｉＴｅを含む）、および電着できる特定の半導体材料がある。磁性材料の最適な電着は、磁性材料を蒸着させた表面に対してほぼ平行、または斜め垂直の材料の磁気軸の整列を伴うことができる。
【００５２】
上述した技術が一般的に図１に示され、これは基板上の有向２元ブロック共重合体薄膜を示す。基板上の暗い区域は、２元ブロック共重合体の成分の１つを示し、隣接するこれより明るい区域は、２元ブロック共重合体の他の成分を示す。共重合体薄膜の上面は、この図では完全に平坦であるよう図示されている。この状態は、いくつかの用途では好ましいが、一般にこの技術の要件ではない。ほぼ平坦な薄膜表面を生成することが望ましい用途は、共重合体薄膜の頂部にさらなる重合体を使用する方法を用いることができる。例えば、共重合体薄膜の表面全体にポリジメチルシロキサンを蒸着させて、共重合体薄膜にほぼ平坦な表面を生成することができる。
【００５３】
特定の用途では、機能材料を蒸着させた後、基板表面から基質材料を除去することが望ましい。他の用途では、蒸着させた後に基質材料が存在し、ナノワイヤのアレイに構造的安定性を提供するか、さらなる製造後のリソグラフィ・ステップを可能にすることが望ましい。基質材料の除去は、上述したように、ナノワイヤに対して基質材料を選択的に劣化させる作用物質でアレイを処理することにより達成することができる。
＜選択的露出＞
本明細書で説明する特定の実施形態の方法は、２元ブロック共重合体を放射線源に選択的に露出することに基づき、これによって重合体薄膜から材料を除去し、多レベル組み込み技術で３次元ナノスケール・エレメントを生成する。特に特定の各デバイス構成に合わせて調整された特殊な多レベル処理ステップを使用して、完全な組み込みを達成することができる。単純な製品では、リソグラフィだけでパターン形成した２元ブロック・レベルが必要であり、複雑な組み込み製品は、製造前および製造後のリソグラフィ・ステップも必要とすることがある。ナノ構造製造のあらゆるケースに共通の技術は、選択的な共重合体パターン形成技術である。
【００５４】
このプロセスは、例えば、放射線源への露出などによって、ナノ孔がある共重合体テンプレートの特定の区域または位置の選択的変更を伴う。共重合体成分の選択的劣化に適した放射線源には、例えば、紫外線（ＵＶ）光、電子ビーム、または２元ブロック共重合体の成分を効率的に劣化できる他の放射線源がある。このプロセスは、一般的に図２ａに示され、これは放射線が共重合体薄膜に衝突した状態で、表面上で垂直に配向された２元ブロック共重合体薄膜の側面図を示す。放射線は薄膜から材料を除去して、シリンダを生成し、露出が選択的であるので、シリンダを含む薄膜の区域と含まない区域とがある。図２ｂは同じ薄膜の上面図であり、この場合は、薄膜表面に三角形の形状が与えられ、その結果、下にある表面の特徴に応じて、電着を潜在的に実行できる区域が生じることを明示的に示す。図３は同じプロセス、および結果としてのテンプレートを示し、図３では明瞭さを期して、薄膜の基質成分が削除されている。
【００５５】
ＵＶ光を使用する用途では、アレイの表面全体での空間的選択性のため、ＵＶマスクまたはＵＶ投影を使用することができる。電子ビームを使用する用途では、空間的選択性のため、集束した電子ビーム書き込み装置または他の電子ビーム源を使用することができる。表面に与えられる露出パターンは、薄膜中の下にある機構または下にある表面に関連するか、それによって決定される、あるいはこのような機構に関連なく決定することができる。例えば、下位層が電子パターンを含む場合、２元ブロック露出パターンの部分を電極パターンの部分と個々に整列させることがデバイス製造の要件になることがある。結果としてのアレイを、横方向にパターン形成された、と言う。
【００５６】
パターン形成したナノ多孔質アレイ・テンプレートが生成されると、表面選択的材料蒸着方法を使用して、所望の材料を孔に入れ、ナノスケール・エレメントを生成する。ナノワイヤは、放射線に露出された複数の区域が合体した区域にのみ存在し、区域は、共重合体薄膜の表面の下にある電極を含む。
【００５７】
例えば、電気化学蒸着方法の新規の使用により、いくつかの用途が可能になる。例えば、化学蒸着、無電解めっき、界面化学、化学吸着、および化学的に駆動された１層ごとの蒸着などの他の表面選択的材料蒸着方法を使用することができる。電気化学蒸着の場合、電気化学蒸着の間に異なる電極を異なる電圧で保持し、選択した電極での蒸着を可能にするか防止することができ、この技術を「プログラムされた蒸着」と呼ぶことができる。特に、下位電極は別個に扱うことができるので、１つの電極（または電極グループ）を１つの材料の蒸着に適切な電位で保持し、他の電極を、その材料が蒸着できない電位に保持することができる。この方法は、同じチップに異なるタイプのナノワイヤを蒸着できるという点で、材料の拡張された汎用性を提供する。
【００５８】
このタイプのナノ製造の例を図４に示し、これは上述した概念を用いて生成した多レベル構造の略図である。図４では、明瞭さを期して、共重合体の基質成分が図から削除されている。基板は、例えば、従来のリソグラフィなどで生成できる表面内、または表面上に薄膜電極を含む。横方向のパターン形成は、必要に応じて下位電極パターンと位置合わせして実行することができ、その後に第１の材料を電着する結果、図示のような第１のナノワイヤが生成される。その後、第１の材料の電着に使用したものとは異なる電極電位で、第２の材料を電着すると、図示のような第２のナノワイヤが生成される。第１および第２の材料は、特にデバイスの機能的側面に関する特徴において異なる。第１および第２の材料は金属または半金属でよく、したがって還元電位、半金属タイプ（例えば、「ｎ」または「ｐ」型半金属、メタロイドまたは半導体材料）、還元電位、および他の有用な特徴などの特徴を薄膜の様々な位置で変更することができる。
【００５９】
あるいは、横方向にパターン形成し、その後に第１の材料を電着すると、図示のような第１のナノワイヤが生成される。異なる位置に別の横方向のパターン形成ステップを実行し、次に任意の電極電位で第２の材料を電着すると、第２のナノワイヤが生成される。その後に、薄膜の表面上で電着後レベル接続としても知られるリソグラフィを実行すると、ナノワイヤのセット間に接続部が生成され、単純な回路または複雑な回路を生成することができる。図５は、このような３次元構造の別の例の上面図を示し、異なる位置にある成分と見当合わせした電気接続部を生成するため、２元ブロック共重合体の基質成分の下（レベル＃１）、中（レベル＃２）および上（レベル＃３）にある電気接続部間の関係を強調している。
【００６０】
いくつかの用途では、相互接続および組み込みの目的で、以降の上位レベルのリソグラフィを使用することが望ましい。このような実施形態を図１３ａおよび図１３ｂに示し、これは磁気抵抗伝達ナノデバイスの基本的な２つの構成を示す。図１３ａおよび図１３ｂは、ナノワイヤを通る伝達電流を使用する磁気電子デバイスの構成を示す。これらのデバイスは、磁気検出および「スピントロニック」の目的で、Ｋａｔｉｎｅ他の、「Ｃｕｒｒｅｎｔ−ｄｒｉｖｅｎ ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ ｒｅｖｅｒｓａｌ ａｎｄ ｓｐｉｎ−ｗａｖｅ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎｓ ｉｎ Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ ｐｉｌｌａｒｓ」（Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｌｅｔｔ．， ８４， （２０００）， ３１４９）で検討されているように、異方性磁気抵抗、大磁気抵抗、またはスピン偏極した電流切換磁気抵抗を使用する。これは、磁気データ記憶読み取りヘッド技術、磁気ＲＡＭ、および磁気検出用途に関連する。図１３ａは第１の構成を示し、ここで「電流入口」および「電流出口」電極が基板レベルにあり、この２つの電極間の相互接続部は、上部相互接続レベルにある。図１３ｂは第２の構成を示し、ここで「電流入口」電極は基板位置にあって、「電流出口」電極は上部相互接続位置にある。これらの構成の特定の組合せが、回路設計者には容易に明白である。
【００６１】
図１３で示した構造のデバイスが作成され、このデバイスの顕微鏡写真を図１７に示す。パターン形成した黒い領域は、ナノワイヤの位置である。図１７に示したデバイスを通る電子伝達の磁気抵抗測定が実行され、これが図１８に示される。
【００６２】
また、ナノワイヤ自体は、例えば、２成分槽でのパルス状電着を使用して多層にし、Ｃｕ／Ｃｏ多層を形成するか、逐次電着によって生成することができる。多層にしたナノワイヤのいくつかの実施形態を図１３ｃに示す。基本的にコバルト、ニッケル、鉄、およびこれらの金属を含む合金などの磁性材料を使用して生成した上述のような磁性ナノワイヤは、異方性磁気抵抗用途に有用である。多層磁性ナノワイヤは、個々のナノワイヤ内で磁性材料と非磁性材料がほぼ規則的に交互する層（例えば、Ｃｏ／Ｃｕ交互層）を使用して生成され、大磁気抵抗用途に有用である。磁性材料と非磁性材料が不規則に交互する層を使用して、非対称磁気ヘテロ構造が形成され、これはスピン偏極した電流切換磁気抵抗に有用である。
【００６３】
区域を選択的に露出した直後に、重合体薄膜は、次の３つの異なる状態にある重合体を含む。すなわち、１）劣化副産物、２）不溶性成分、および３）露出していない領域の未使用有向２元ブロック共重合体である。これら３つの状態が共存することで、追加製造の汎用性を提供する。溶剤または放射線を選択することにより、露出したシリンダのみを除去するか、あるいは２元ブロック共重合体の露出したシリンダと露出していない領域とを除去するかを選択することができる。例えば、酢酸を使用して、露出した区域から劣化した重合体破片を除去することができるが、基質成分には影響しない。酢酸などの作用物質も、未使用の露出していない２元ブロック共重合体から材料を除去しない。未使用領域から材料を除去したい場合には、例えば、トルエンなどの別の作用物質による処理によって遂行することができる。露出していない２元ブロック共重合体を除去したい場合には、例えば、孔中にナノワイヤを製造した後など、処理の別個の段階で実行するように選択することができる。
【００６４】
大量の過剰露出では、両方の重合体ブロックが架橋し、製造目的にも使用できる個体の不溶性薄膜になることも留意されたい。このような実施形態では、２元ブロック共重合体のいずれの成分も除去することができない。このような区域は、頑丈なバリアとして使用することができ、これは下にある基板をさらなる溶剤処理から保護する。露出と溶剤プロトコルの異なる組合せを使用すると、ナノ構造の製造のために本明細書で説明している一般的手順の一般的有用性が大幅に前進する。
【００６５】
データ記憶用途では、磁気アレイのパターン形成を使用して、図１４ａに示すようなパターン形成した垂直磁気媒体を生成することができる。各セットのナノワイヤは、露出していない２元ブロック共重合体によって、他のナノワイヤのセットから分離される。任意のナノワイヤのセット内にある全ての個々のナノワイヤは、「１」または「０」のデータ・ビットに対応する上方向または下方向の同じ磁化方向を有する。
【００６６】
磁気アレイの磁気切換動作を利用できる他の用途では、本明細書で説明した横方向にパターン形成されたアレイが有用である。磁気ナノワイヤの磁化切換場は、隣接するナノワイヤによる磁気双極子相互作用により大幅に変更することができる。その結果、ナノワイヤが円形、三角形、十文字または星形、または相互に、または薄膜の非磁性区域に対するナノワイヤの露出を最大または最小にする傾向がある他の形状で見られるかどうかによって磁化切換場が決定される。磁気ナノワイヤのアレイの横方向の範囲および形状は、その切換動作に劇的に影響する。これは、このようなワイヤを使用したデバイスの磁気ヒステリシスの曲線（磁化対印加した場）および磁気抵抗で見ることができる。パターン形成した２元ブロック・テンプレートを使用して、「設計者用ミクロ磁気媒体」を生成することができる。この設計者用媒体は、特定しきい値の場における不連続の変化を必要とする磁気伝達デバイス技術に、または磁界の段階的変化を利用する他の用途に使用することができる。このような実施形態のいくつかが図１４ｂに例示され、これはナノワイヤの三角形と円形両方のセットを示す。特定の用途では、設計されたデバイスの不連続切換動作を強化することができる。
＜用途＞
本明細書で説明する３次元ナノ構造のアレイは、ディスプレイ技術、冷却技術、磁気電気技術、データ記憶技術、センサ技術、生体分子アレイ技術、分子電子工学技術、導波路技術、および他の技術などの技術に使用することができる。本明細書で提示する技術は一般的であり、様々な研究材料システムを進歩させる。
＜電界放出用途＞
電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）は、高輝度、低電力消費、およびフラット・パネルの設計を提供する。ディスプレイは電界放出部と発光スクリーンのアドレス可能なアレイを含むことができる。効率的な電界放出ディスプレイには、低いしきい値電圧での電子電界放出を可能にするため、縦横比が高い（例えば、約２０：１または約３５：１または約５０：１から約１０，０００：１）ナノスケール金属片を必要とする。十分に大きい電流密度を得るため、放出部は高密度アレイ内に配置することが望ましい。ディスプレイのピクセルを形成するため、アレイを横方向にパターン化してナノワイヤのセットにし、各ピクセルが電子的にアドレス可能であることが望ましい。このセットには、所望の用途に応じて、１から１０、２０、３０またはそれ以上のナノワイヤを含むことができる。
【００６７】
本発明は、配向を改善したチップ・アレイを作成するために、単純化した処理および能力を提供する。
本明細書で説明する方法で生成した超高密度の横方向にパターン形成したアレイは、高解像度、低電力、薄型および可撓性のディスプレイ装置に良好に使用することができる。本明細書で説明する技術で生成されるナノワイヤは縦横比が高いので、このような電界放出デバイスの電力消費量が、それに対応して低下するように、放出のしきい値電圧を十分に低くすることができる。装置は、テレビおよびビデオの画面、コンピュータのモニタ画面、および時計、ＧＰＳ装置およびＬＥＤまたはＬＣＤディスプレイを現在使用している他の装置などの多くの他のディスプレイ装置に有用である。このような電界放出アレイは薄いので、このような装置の設計を、現在入手可能な装置よりはるかに薄くすることができる。本明細書で説明する技術で作成したディスプレイ装置は、任意のエネルギー消費量レベルで、現在入手可能な装置よりはるかに輝度も高い。可撓性の基板を使用できる可能性により、本明細書で説明する技術で作成するディスプレイ装置の有用性がさらに拡大する。ディスプレイの用途が異なると、動作特性に関する優先度も異なる。例えば、アウトドア用ディスプレイは高い輝度が必要であり、ビデオ・ディスプレイは高い解像度を必要とすることがある。
【００６８】
本明細書で説明した方法により生成した電界放出アレイの例が図６に図示され、これはこのようなアレイの略斜視図である。基板はその表面内または表面上に、従来のリソグラフィによって生成された電極を有する。２元ブロック共重合体は、例えば、スピン結合によって、上述したように基板上に蒸着される。その後に垂直配向、選択的放射、化学処理、および電着を実施して、数セットのナノワイヤを生成し、この場合、ナノワイヤは２つの別個の電極上に配置される。電界放出の用途では、ナノワイヤの端部は薄膜表面にあるか、その付近にあることが望ましい。これは、薄膜のほぼ全厚さにワイヤを成長（すなわち電着）させるか、それより少ない範囲（例えば、膜の厚さの９０％）まで成長させ、その後に当業者には周知の手段（例えば、酸素プラズマによる反応性イオン・エッチングなど）により、薄膜の表面の部分を除去することによって達成することができる。この場合も、明瞭さを期して、図６では基質成分が削除されている。
【００６９】
図６の構造によるデバイスを作成し、そのデバイスの顕微鏡写真を図１９に示す。２元ブロック・テンプレートが、図１９の左上では、パターン形成して円形の領域にした状態で２０倍の倍率にて図示されている。同じ領域が、図１９の右上では、２５０ｎｍのコバルト・ナノワイヤを−１Ｖで成長させて円形の領域にした後、電気的測定を実行する前の状態で、２０倍の倍率で図示されている。同じ領域が、図１９の下部分では、電気的測定を実行した後、サンプルが破壊される点まで放出電流を引き上げた状態で（左下には５倍の倍率、右下には２０倍の倍率にて）図示されている。図２０は、図１９に示したアレイで実行した電子電界放出測定のグラフを示す。ここでは、大きい電流密度および低いしきい値が達成された。図２１は、図１９の画像の拡大図で、左上および左下はそれぞれ、サンプルの破壊前および破壊後である。
【００７０】
電極は、このケースでは電圧Ｖ₁およびＶ₂で個々にアドレス可能である。この印加電圧は、必要に応じて個々に変更し、各ナノワイヤ・セットからの放出電流を制御する（すなわち「オン」および「オフ」にする）。ナノワイヤ・セットの上に燐光面を配置して、ディスプレイを生成することができる。図７は、同様のデバイスの上面図を示すが、４つの個々にアドレス可能なナノワイヤのセットがある。ナノワイヤは、基板上の１）共重合体の成分を基板表面まで劣化させる照射に共重合体が露出している場所、２）劣化した成分の残りが基板表面から除去される場所、および３）基板表面が電着を可能にする電気接点を有する場所にのみ配置されることに注目することは重要なことである。
＜熱電冷却用途＞
本明細書で説明する技術を使用して、ソリッドステート冷却装置も設計することができる。現在のところ、市販されている最良の熱電冷却装置は、約０．１の性能指数を有する。本明細書で説明する技術は、２．０に近づくか、これを超える熱電性能指数を有する装置、例えば、０．５、０．７、０．９、１．０、１．２、１．５、１．７、１．８、１．１１、２．０またはそれ以上の性能指数を有する装置を作成することができる。
【００７１】
図９は、本明細書で説明した方法により作成できる１段熱電冷却器の略図である。基板は、その表面内または表面上に予めパターン形成された電極を有する。パターン形成された２元ブロック共重合体層が、本明細書で説明するように基板上に生成される。この場合も、明瞭さを期して図９では共重合体の基質成分が削除されている。２タイプのナノワイヤがプログラムされた電着で配置される。図示の例では、当業者にとって周知の「ｎ型」材料から作成した「ｎ型」ナノワイヤを、一方の電極に蒸着させ、これも当業者にとって周知の「ｐ型」材料から作成した「ｐ型」ナノワイヤを別の電極に蒸着させる。次に、最上層の金属相互接続部を電気化学的に蒸着させる。デバイスは、デバイスに電流を通すことによって作動し、したがって最上部のプレートが低温になり、電極および基板が高温になる。最上部のプレートを、例えば、電子デバイスに使用するヒート・シンクとして使用することができる。この製造方法で、多段冷却器も作成することができる。このような目的のためのデバイスを単純に適応させることにより加熱装置も可能になる。
＜磁気データ記憶用途＞
次世代の磁気データ記憶技術は、データを記憶するために垂直磁気媒体を使用する可能性が高い。現在の技術は、磁気記憶エレメントが基板の表面に沿っている横方向磁気媒体を使用している。単位面積当たりに詰め込むエレメント数を増加させるには、基本的エレメントのサイズを低減しなければならない。しかし、これは問題を引き起こす。この領域のスケールを縮小すると、超常磁性の開始を特徴付けるブロッキング温度も低下するからである。ブロッキング温度は高く維持しなければならず、そうしないと、各エレメントの記憶された磁化状態が崩壊し、データが失われる。
【００７２】
ブロッキング温度をそれほど低下させずに、磁気媒体エレメントのサイズ・スケールを低減する１つの方法は、形状および体積を利用することである。すなわち、縦横比が高く（例えば、約２０：１または約３５：１または約５０：１から約１０，０００：１）、小さい円筒形の物体を作成することである。他の考慮事項が全て等しいなら、直径１０ｎｍおよび長さ５００ｎｍの円筒形磁石は、直径１０ｎｍの球形磁石よりはるかに高いブロッキング温度を有する。磁気シリンダの最高の空間記録密度は、シリンダの場合、六角形の密に充填した垂直構成で生じる。
【００７３】
大部分は、純粋なコバルトは保磁力が比較的低い軟質の強磁性体であり、磁気データ記憶には必ずしも理想的な材料ではない。しかし、特定のコバルト合金は、工学的保磁力を含む「設計者用」磁気特性を有し、このために現在の磁気媒体用途にとって有用になる。このコバルト合金は、関連するイオンを含む特定のめっき槽から電着することができる。
【００７４】
本明細書で説明する技術は、次世代の磁気データ記憶に有用なアレイの生成に使用することができる。このようなアレイの表面の平滑さが重要になることがあるので、基板表面上に非常に滑らかな薄膜を生成するため、補助ポリマを使用することが望ましいと考えられる。非常に滑らかな薄膜は、２００１年３月２２日に出願され、「Ｎａｎｏｃｙｌｉｎｄｅｒ Ａｒｒａｙｓ」という名称の同時係属米国特許出願番号０９／８１４，８９１に記載されているように、２元ブロック共重合体薄膜にポリジメチルシロキサンを蒸着させて生成することができる。この出願は、引用により全体を本明細書の記載に援用する。
＜工学的磁気抵抗用途＞
磁気電子デバイスは、磁気検出用途（例えば、磁気データ記憶）および「スピントロニクス」（例えば、ＭＲＡＭ）に使用することができる。ナノスケールの磁気アーキテクチャを適切に選択すると、ナノメートルの規模で磁気相互作用を調整することができるので、性能を改善することができる。本明細書で説明する技術を使用して、有用な様々の磁気電子構成で装置を生成することができる。
【００７５】
大磁気抵抗（ＧＭＲ）特性を使用して磁気を検出するために現在使用されている材料が、この１０年で開発されてきた。この材料は様々なアーキテクチャを有するが、概して、非磁気金属の層が磁気金属の層と接触した多層材料である。磁気層間交換結合および電子のスピンに依存する散乱は、磁界に対する抵抗感度をもたらす。材料工学によってこれらのシステムの構造を調整すると、用途に応じて磁気抵抗特性を最適にすることができる。ハードディスク・ドライブ技術のＧＭＲ読み取りヘッドは、１つの重要な商業的用途である。このような工学的材料システムは、よりよい材料および新しい材料のアーキテクチャで前進すると予想される。
【００７６】
本明細書で説明した技術を使用して作成した磁気アレイは、ＧＭＲタイプの挙動を呈する。しかし、これらのアレイのアーキテクチャは、生産されているその他とは大きく異なる。ＧＭＲデバイスの設計において重要な考慮事項は、基板と磁気ナノワイヤ間に電気的接触があることであり、ワイヤをテンプレートに埋め込むか否かではない。したがって、ＧＭＲデバイスでは、オペラビリティの前に基質材料を除去する必要なく、膜の厚さより少なくワイヤを成長（すなわち電着）させることができる。
【００７７】
ＧＭＲデバイスの最適性能にとって非常に重要なのは、非常に小さい寸法の規則的なアレイ、例えば、直径１１ナノメートルのシリンダで作成した２５．４ナノメータ周期のアレイを形成する能力である。さらに、本明細書で説明する製造プロセスにより、シリンダの高さを巧みに制御し、シリンダ材料が成長するにつれ、それを多層化することができる。この新しい処理の考慮事項により、周知の製造プロセスを使用しては達成できなかったサイズ規模で、新しい幾何学的アーキテクチャを生成することができた。本明細書で説明する製造プロセスにて材料構造を調整することにより、ＧＭＲ材料の新しい種類が可能になる。
【００７８】
ＧＭＲデバイスの特定の実施形態を図１０に示す。デバイスは、電極でパターン形成された基板上に、本明細書で説明したような磁気ナノアレイを作成することによって生成される。この特定の磁気抵抗デバイスは、「横方向伝達」構成である（伝達電流は、磁気ナノワイヤの存在から影響を受けるが、その長さに沿ってワイヤを通るようには構成されていない）。この場合も、明瞭さを期して図１０では共重合体の基質成分が削除されている。このようなデバイスのナノワイヤは、図１３ｃに関して上述したように、非対称の磁気ヘテロ構造であることが望ましい。図１３ｃは、任意のナノワイヤのセットで、１セットにいずれか１つのタイプを使用できるのではなく、３つのタイプ全てを使用することを示唆するものではない。
＜スマート・メディア用途＞
「スマート・メディア」とは、特定の方法で環境を検出し、測定可能な応答を生成する媒体である。これは、例えば、溶液中に特定タイプの分子の存在が検知されると、デバイスが電流を生成する化学センサでよい。パターン形成したスマート・メディアの電子の形態は、同じチップ上で他の信号処理と集積することができる。別の例は、化学的環境、温度環境、光学的刺激、または他のタイプの刺激を検出すると変色する検出媒体である。２元ブロック・システムは横方向にパターン形成されるので、多数の別個の検出エレメントを有するアレイが製造される。各エレメントは、オンチップ回路に集積される局所的トランスデューサである。
【００７９】
現在のところ、本明細書で説明する技術を使用して、エレメントが約１．２×１０¹²個／ｉｎ²のナノエレメント密度を有するナノワイヤ・アレイを生産することができる。これによって、最終的に、テラビット／ｉｎ²を超える記憶容量を有するデータ記憶技術が可能になる。磁気ナノワイヤのグループの磁化で１ビットのデータがコード化された、高密度媒体のパターン化されたタイプのものが生成される。本明細書で説明するパターン形成した２元ブロック派生デバイスにより、高い記憶密度への簡単な製造方法が提供される。
＜電気化学センサ用途＞
このセンサは、糖尿病患者用の携帯用ブドウ糖検出など、広範囲の用途に使用される。本明細書で開示するナノ多孔質テンプレートは、「微小電極」のアレイとして電気化学的に検知する装置の作成に好都合に使用される。電気化学の文献では、「微小電極」とは、電気化学的に活性の種が電極に向かって半径方向に拡散することを誘発する電極の構成を指す。微小電極の作用は、平面電極の作用とは劇的に異なる。本明細書で説明するナノ多孔質ポリマ・テンプレート・ナノ電極アレイは、迅速な応答、低下した検出限界、およびサイズまたは分子とテンプレートとの相互作用に基づき分子を選択する可能性を提供する。横方向のパターン形成の発明は、この目的のためのナノ多孔質テンプレートの使用を前進させる。何故なら、予めパターン形成した薄膜電極セットの上でパターン形成した２元ブロック・テンプレートを使用して、同じチップにいくつかの異なる微小電極アレイが構成されるからである。
＜生体分子アレイ用途＞
ＤＮＡ遺伝子発見の研究および他の診断用途のために、組合せチップが構成されている。本明細書で説明するナノ多孔質ポリマ・テンプレートは、パターン形成され、新しいタイプの生体分子研究の能力を得るようにする生体分子を取り付けるために使用される金属またはシリコン酸化物で充填される。このような構造のパターン形成したタイプは、これよりはるかに有用である。横方向パターン形成の別の用途には、ナノスケールで分子を分類する構造を生成することが挙げられる。
＜分子電子工学用途＞
特定タイプの分子および小さいコロイド状クラスタを、電子デバイスとして使用する。その目的は、特定タイプの末端基、芳香環および側基を使用して分子を合成することにより、電子的機能性（例えば、整流、切換、負性差分抵抗）を「設計に盛り込む」ことである。周知の技術を用いて、電気的に特徴付けるためにこれらの分子を接続することは、極めて困難である。しかし、特定タイプの電子的に関連する分子を特徴付けるため、実際的なホスト基板として、パターン形成した新しいナノ多孔質テンプレートを使用することができる。２元ブロック・テンプレートは、予めパターン形成した金の電極の上部にある領域でパターン形成される。チオールと金の相互作用を使用して、各孔の底部で分子を金に吸着させる。その結果、各孔の底部に電子的分子が自己集合した単層が生じる。対電極を分子層の上部に電気化学的に蒸着させ、上述したパターン形成相互接続部を使用して接触させる。この製造方式により、候補となる分子を電気的に都合良く特徴付けることができる。
＜フォトニック・バンドギャップ構造用途＞
フォトニック・バンドギャップ結晶は、周期的に変調する誘電率を有する光学材料である。周期的構造の結果、伝送特性は入射光の周波数に依存するようになり、したがって特定の周波数では伝送がない（分散関係式□（ｋ）は非線形であり、ブリルアン領域の境界にゼロの導関数を有し、したがってｋ＝□／ａであり、ここでａは結晶格子周期である）。これらの材料を使用すると、電子デバイスと同様に、ある範囲のデバイスを構成することができる。十分に広範囲のアレイ・オーダーで２元ブロック共重合体システムが作成できた上で、特定の形状でパターン形成し、平面のフォトニック結晶導波路および他のフォトニック結晶デバイスを製造することができる。フォトニック導波路は、光ファイバと比較して、はるかに小さい旋回半径を有することができる。このような導波路を使用して、オンチップ光学コンポーネントを相互接続することができる。
＜ナノワイヤとの電気的相互接続＞
パターン形成した２元ブロック共重合体テンプレートで作成したナノワイヤと、電気的に相互接続することができる。これは、テンプレート作成プロセスを他の処理前および処理後ステップと統合することによって達成される。
【００８０】
電気的ナノ構造を使用する際の重要なステップは、これらのナノ構造との適切な電気的インタフェースを作成することである。図１５で本発明の一実施形態が確認される。第１に、適切なリソグラフィ技術で、基板上に予め電極をパターン形成する。第２に、２元ブロック共重合体薄膜を蒸着させる。次に、金属層を蒸着させる。最後に、従来の（フォトまたは電子ビーム）レジストを蒸着させる。２元ブロック共重合体のシリンダを、本明細書で説明する技術で配向することができる。その結果の構造を図１５ａに示す。
【００８１】
最上部レジストの選択区域をリソグラフィで露光し、化学現像で除去する。その後、金属エッチングで露出した金属層（＃２）を除去する。この時点で、以前のステップで露出していない場合は、２元ブロック薄膜を紫外線（ＵＶ）光または電子ビームに露出する。この構造を図１５ｂに示す。
【００８２】
次に、２元ブロック薄膜を酢酸または別の適切な現像液で化学的に現像し、ナノ多孔質テンプレートにする。ナノ多孔質テンプレートの表面を洗浄したい場合には、反応性イオン・エッチングと酸素を使用する。この構造を図１５ｃに示す。
【００８３】
次に、ナノワイヤまたは他の適切なナノ構造を、ナノ多孔質テンプレートの孔に蒸着させる。最上部の電気的接触を達成するため、最上層と電気的に接続するまで蒸着を継続することができる。本明細書で検討するように、目標の用途に応じて、ある範囲の異なる所望のナノ構造を孔に蒸着させることができる。この構造を図１５ｄに示す。
【００８４】
電界放出アレイなどのいくつかの用途では、最上層との電気的接触は望ましくない。むしろ、絶縁した最上金属層を、三極電界放出デバイス構成の電気ゲートとして使用する。他の用途では、蒸着させたナノワイヤの上に金属接点＃２を再配置して、図１５ｅに示すように、ワイヤを通る接触を完成する。
【００８５】
図１５で説明した組み込み方式は、パターン形成したナノ多孔質テンプレートで作成したナノ構造を組み込んで接続するいくつかの方式のうちの１つにすぎない。パターン形成した２元ブロック共重合体によるナノ製造により、他のプロセス（前後の）ステップと容易に組み合わせ、以前のリソグラフィ・パターンと位置合わせしてパターンが作成されるように実行することができる。
【００８６】
別の製造方式は、以下のように説明することができる。第１に、適切なリソグラフィ技術で、電極を基板上で事前にパターン形成する。第２に、２元ブロック共重合体薄膜を蒸着させる。次に２元ブロック・シリンダを所望のパターンで配向し、リソグラフィで露光して、次にナノ多孔質テンプレートに現像する。次に、ナノワイヤまたは他の適切なナノ構造を、ナノ多孔質テンプレートの孔に蒸着させる。
【００８７】
最上部の電気的接触または最上部の非接触電極を達成するため、適切なリソグラフィの露光および現像、イオン・エッチングを実行してナノワイヤの最上部から劣化した部分（例えば、酸化物）を除去し、次に接触区域に金属電極を蒸着させる。
【００８８】
以下の例は、請求の範囲で説明する本発明の範囲を制限するものではない。
＜実施例＞
以下の実施例は、いくつかの実施形態の特定の特性および利点を例示する。
＜実施例１：電界放出アレイのプロトタイプ＞
図８ａから図８ｄは、本発明により構築した電界放出アレイのプロトタイプの１０倍光学像である。図８ａでは、シリコン基板が、従来のリソグラフィにて金でパターン形成してあり、厚さ１マイクロメートルで垂直に配向された２元ブロック共重合体薄膜（体積で７０／３０のポリスチレン／ポリメチルメタクリレート）が表面全体を覆っている（薄膜は光学的に透明である）。図８ｂは、正方形の形状に電子ビームでパターン形成し、酢酸で現像した後の同じサンプルの像である。内部の正方形は、パターン形成したナノ多孔質テンプレートであった。外側の正方形は、意図的な放射線への過剰露出によって作成した架橋ポリスチレン／ポリメチルメタクリレートの固体薄膜であった。図８ｃは、テンプレートに長さ５００ｎｍのコバルト・ワイヤを電着した後の、同じサンプルの像である。コバルトは、像では黒い。図８ｄは電着した区域の拡大図である。ナノワイヤは、金属が下にあるナノ多孔質テンプレート領域にのみ配置することに注目することは重要なことである。
＜実施例２：プロトタイプの磁気抵抗デバイス＞
図１１ａおよび図１１ｂは、発明者が作成したプロトタイプの四線式磁気抵抗デバイスの１０倍光学像である。垂直磁気ナノワイヤのアレイが、四探針レジスタ・パターンに予めパターン形成した金の薄膜の上にある。このデバイスを使用して、散乱インタフェースが数十ナノメートルの規模で幾何学的に周期的である「平面内電流」（ＣＩＰ）形状で、スピン依存の散乱が調査される。図１１ａは、パターン形成した電極下層を、例１で説明したように準備し、光学的に透明な２元ブロック共重合体薄膜層で覆った基板の像である。
【００８９】
四探針レジスタ・パターンは、シリコン基板上でＰＭＭＡレジストを使用した標準的な電子ビーム・リソグラフィによって、幅が２μｍ、長さが１００μｍになるように生成されている。薄膜レジスタは、１ｎｍのＣｒ付着層の上に厚さ２０ｎｍの金の層を含む。体積で３０％のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を有し、分子量が４２，０００ダルトンのＰ（Ｓ−β−ＭＭＡ）と呼ばれるポリ（スチレン−β−メチルメタクリレート）２元ブロック共重合体の厚さ１．１μｍの薄膜を、基板のパターン形成した表面にスピン・コーティングした。この共重合体ミクロ相は、ポリスチレン（ＰＳ）基質中のＰＭＭＡシリンダの六角形アレイに分離される。電界を加えて、ガラス転移温度より高い１８０℃で薄膜をアニーリングすると、ＰＭＭＡシリンダが薄膜表面に対して垂直に配向され、縦横比が大きいナノ構造を製造することができる。次に、正方形の形状でサンプルに衝突する電子ビームにサンプルを露出した（面積露出量は５０μＣ／ｃｍ²で、使用ビーム・エネルギーおよび電流はそれぞれ２０ｋＶおよび２００ｐＡ）。通常、約１ミクロンのこのような２元ブロック薄膜の場合、露出量は約２０から約２００μＣ／ｃｍ²の範囲でよく、上述したような加速電圧およびビーム電流である。最適量は、約８０μＣ／ｃｍ²であることが判明した。次に、サンプルを酢酸で化学的に現像した。露出していない区域に元の共重合体が残っている。
【００９０】
３００ｍｌの純粋なＨ₂Ｏ中で９６グラムのＣｏＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏと１３．５グラムのＨ₃ＢＯ₃を混合して調製し、６０ｍｌのメタノールを界面活性剤として添加して、電解液ｐＨが３．７となった水性蒸着槽から、金のパターンの最上部にある孔にコバルトのナノワイヤを蒸着させた。飽和カロメル照合電極に対して−１．０Ｖの還元電位でＣｏが電気めっきされた。ナノワイヤは、長さが５００ｎｍであった。図１１ｂは、ナノワイヤ電着後の同じサンプルの像である。
【００９１】
小角Ｘ線散乱（ＳＡＸＳ）および電界放出走査電子顕微鏡検査（ＦＥＳＥＭ）によって、構造的情報を獲得した。ＳＡＸＳデータで、２１．７ｎｍ周期のナノワイヤの垂直配向が確認される。サンプルを２つに裂いて、ＦＥＳＥＭを使用し、ナノワイヤ・アレイの断面を検査した。ナノワイヤの直径は約１１ｎｍで、周期は２１．８ｎｍであることが判明した。この規模で、ワイヤ間の間隔がスピン拡散長さより小さいので、個々の磁気ナノワイヤは平衡状態で単一ドメインであり、興味深い磁気抵抗（ＭＲ）効果を呈するはずである。
＜実施例３：大磁気抵抗デバイスおよび測定値＞
実施例２で調製した四線式磁気抵抗デバイスを測定に使用した。磁気コバルト・ナノワイヤ・アレイは、それぞれが長さ５００ｎｍで、２４ｎｍの周期にて六角形格子に配置された直径１４ｎｍのワイヤで構成される。デバイスの構造は、小角Ｘ線散乱測定によって検証した。磁界方向は、ナノワイヤの軸線に平行である。このようなアレイの断面走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図１２ｂに示す。２Ｋと３００Ｋの間の温度の関数として、ＧＭＲ率を図１２ａに示す。２Ｋで採取したデータは、最大の振幅曲線を示し、３００Ｋで採取したデータは最小の振幅曲線を示して、中間温度は中間値を有し、振幅は温度の順序に合致する。
【００９２】
磁界の方位および温度の関数として、他のＧＭＲ率を図１６ａから図１６ｃに示す。磁気抵抗は、［Ｒ（Ｈ）−Ｒ（５０ｋＯｅ）／Ｒ（５０ｋＯｅ）］と定義される。この場合も、２Ｋで採取したデータが最大の振幅曲線を示し、３００Ｋで採取したデータが最小の振幅曲線を示して、中間温度が中間値を有し、振幅は温度の順序に合致する。［垂直］方向（図１６ａ）では、場はＡｕ薄膜の面（Ｃｏナノワイヤに平行）および電流方向に対して垂直である。「横」方向（図１６ｂ）および「縦」方向（図１６ｃ）では、場は金の薄膜の面（Ｃｏワイヤに垂直）にあるが、それぞれ電流方向に直角または平行である。３つの方向では、ＭＲ曲線の形状および値が異なり、このシステムに異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）および大磁気抵抗（ＧＭＲ）散乱メカニズムが共存するという証拠を提供する。
【００９３】
ＣｏナノワイヤのＭＲ挙動も、金の膜の厚さおよびＣｏナノワイヤの長さの関数として調査した。厚さが７．５、１０および２０ｎｍの金の薄膜を、５００ｎｍのＣｏナノワイヤで研究した。また長さ１００および５００ｎｍで厚さ２０ｎｍの金薄膜を有するＣｏナノワイヤのサンプルを準備した。ＭＲ挙動は、基本的にナノワイヤの長さに依存することが判明した。様々な金の膜の厚さおよびＣｏナノワイヤの長さに対して、０電界における垂直配向の正規化したＭＲ_maxと温度とのプロットを図２２に示す。その特性は、ＭＲの温度依存性が、Ｃｏナノワイヤの長さに強く依存するが、金の膜の厚さにさほど強くは依存しないことを示す。各データ・セットは、比較のためにその２Ｋの値に正規化されている。
＜他の実施形態＞
本発明を、その詳細な説明に関連して説明してきたが、以上の説明は本発明の範囲を例示するものであり、制限するものではなく、本発明の範囲は、添付の請求の範囲によって定義されることを理解されたい。他の態様、利点および変更も、特許請求の範囲に入る。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】ナノ規模の孔があるアレイの生成に使用し、その後にナノワイヤのアレイの生成に使用することができる露出プロセスの略図である。
【図２】ａは横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜の生成に使用することができる選択的露出プロセスの略側面図であり、ｂは三角形のパターンで横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜の生成に使用することができる選択的露出プロセスの略上面図である。
【図３】横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜の作成に使用し、その後に、この場合は三角形の形状のナノ構造である横方向にパターン形成したナノ構造の生成に使用することができる選択的露出プロセスの略図である。
【図４】横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した多レベル・ナノ構造の略斜視図である。
【図５】横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した多レベル・ナノ構造の略上面図である。
【図６】２セットのナノワイヤを含み、横方向にパターン形成された２元ブロック共重合体薄膜から生成された電界放出アレイの略斜視図である。
【図７】個々にアドレス指定可能な４セットのナノワイヤを含み、横方向にパターン形成された２元ブロック共重合体薄膜から生成された電界放出アレイの略上面図である。
【図８】ａは垂直に配向された２元ブロック共重合体薄膜が表面を覆った状態で電極パターンを示すサンプルの光学像（５倍）上面図であり、ｂは電子ビームでパターン形成し、共重合体成分を除去してナノ孔を形成した後の、図８ａからのサンプルの光学像（５倍）上面図であり、ｃはナノワイヤをサンプルに電着させた後の、図８ｂからのサンプルの光学像（５倍）上面図であり、ｄは図８ｃからのサンプルの拡大光学像（５倍）上面図である。
【図９】横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した一段熱電冷却器の略斜視図である。
【図１０】横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した四線式大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）デバイスの略斜視図である。
【図１１】ａはナノワイヤ電着前の、横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した四線式磁気抵抗効果デバイスの光学像（１０倍）上面図であり、ｂはナノワイヤ電着後の、横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した四線式磁気抵抗効果デバイスの光学像（１０倍）上面図である。
【図１２】ａはデバイス温度の関数とした、図１１ｂに示したような四線式デバイスの大磁気抵抗効果測定値のグラフであり、ｂは横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成し、垂直に配向されたナノワイヤの走査電子顕微鏡写真ＳＥＭ像である。
【図１３】ａは横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した磁気電子伝達ナノデバイスの特定の構成の略側面図であり、「電流入口」および「電流出口」電極が両方とも基板レベルにあり、ｂは横方向にパターン形成した２元ブロック共重合体薄膜から生成した磁気電子伝達ナノデバイスのさらなる特定の構成の略斜視図であり、「電流入口」電極は基板レベルにあり、「電流出口」電極は上部相互接続レベルにあり、ｃは図１３ａおよび図１３ｂのデバイスに使用する３つの異なるタイプの磁気電子ナノエレメントの略側面図である。
【図１４】ａはパターン形成済み垂直媒体を示す、パターン形成した媒体の特定の例の略上面図であり、ｂは注文生産のパターン形成済み垂直媒体を示す、パターン形成した媒体のさらなる特定の例の略上面図である。
【図１５】ａ〜ｅは金属電極と、ナノスケール２元ブロック共重合体テンプレートによって作成したナノ構造の底部および頂部とをインタフェースする方法の略図である。
【図１６】ａ〜ｃは様々な磁界方向で見た、図１１ｂで示したデバイスの磁気抵抗効果測定の一連のグラフである。
【図１７】図１３に示したように構築したデバイスの顕微鏡写真である。
【図１８】図１７に示したデバイスを通る電子伝達の磁気抵抗効果測定のグラフである。
【図１９】図６に示したように構築したデバイスからの電界放出試験サンプルの顕微鏡写真である。
【図２０】図１９に示したデバイスから、真空中のコバルト・ワイヤのアレイで実行した電界放出測定のグラフである。
【図２１】図１９からの特定の電界放出試験サンプルの顕微鏡写真であるが、５０倍に拡大されている。
【図２２】特定の方位において、０電界にて正規化したＭＲ応答（％）と温度とのプロットである。

Claims (34)

1. 多層ナノ構造であって、
   少なくとも一部が導体または半導体である基板表面と、
   前記導体または半導体基板表面から延在する少なくとも１セットのナノワイヤとを備え、前記ナノワイヤの一方の端部が、前記導体または半導体表面と電気的に連絡している多層ナノ構造。
2. 前記セットのうちの少なくともいくつかのナノワイヤの反対の端部と接触する少なくとも１つの導体または半導体層を備え、該導体または半導体層が、前記セットのうちの少なくともいくつかのナノワイヤと電気的に連絡している、請求項１に記載の多層ナノ構造。
3. 前記セットが、ほぼ同じ長さを有するナノワイヤを備える、請求項１に記載の多層ナノ構造。
4. 前記セットが、少なくとも２０ｎｍの長さを有するナノワイヤを備える、請求項３に記載の多層ナノ構造。
5. 前記セットが、少なくとも１００ｎｍの長さを有するナノワイヤを備える、請求項４に記載の多層ナノ構造。
6. 前記基板がリソグラフィでパターン形成され、かつ、複数の独立した導体または半導体表面領域を有する、請求項１に記載の多層ナノ構造。
7. 少なくとも１セットが、複数の独立した導体または半導体表面領域と電気的に連絡している、請求項６に記載の多層ナノ構造。
8. 少なくともいくつかの独立した導体または半導体表面領域が、それぞれ個々のナノワイヤのセットと電気的に連絡している、請求項６に記載の多層ナノ構造。
9. 前記基板がリソグラフィでパターン形成され、かつ、複数の独立した導体または半導体表面領域を有する、請求項２に記載の多層ナノ構造。
10. 少なくとも１セットが、複数の独立した導体または半導体表面領域と電気的に連絡している、請求項９に記載の多層ナノ構造。
11. 少なくともいくつかの独立した導体または半導体表面領域が、それぞれ個々のナノワイヤのセットと電気的に連絡している、請求項９に記載の多層ナノ構造。
12. 前記導体または半導体層が、複数のセットのうちの少なくともいくつかのナノワイヤと電気的に連絡している、請求項１１に記載の多層ナノ構造。
13. 複数の導体または半導体層を備える、請求項２に記載の多層ナノ構造。
14. 少なくともいくつかの導体または半導体層が、それぞれ複数のセットのうちの少なくともいくつかのナノワイヤと電気的に連絡している、請求項１３に記載の多層ナノ構造。
15. 少なくともいくつかのセットが、他のセットとは異なる材料で作成したナノワイヤを備える、請求項１１に記載の多層ナノ構造。
16. ナノワイヤ同士は、その還元電位が異なる、請求項１５に記載の多層ナノ構造。
17. ナノワイヤ同士は、その半金属タイプが異なる、請求項１５に記載の多層ナノ構造。
18. 少なくともいくつかのナノワイヤが磁気材料からなる、請求項１に記載の多層ナノ構造。
19. 少なくともいくつかのナノワイヤが多層化されている、請求項１に記載の多層ナノ構造。
20. 少なくともいくつかのナノワイヤが多層化されている、請求項１９に記載の多層ナノ構造。
21. 少なくともいくつかのセットを他のセットとは異なる磁気特性を有するように変更可能である、請求項１１に記載の多層ナノ構造。
22. 前記磁気特性が磁化方向を含む、請求項２１に記載の多層ナノ構造。
23. 電界放出ディスプレイ装置であって、請求項１２の多層ナノ構造を備える電界放出部のアドレス可能なアレイと、発光画面とを備える装置。
24. 「ｎ」および「ｐ」型のナノワイヤを備える、請求項１７の多層ナノ構造を備える熱電冷却装置。
25. 請求項２１に記載の多層ナノ構造を備え、前記ナノワイヤが少なくとも２０：１の縦横比を有する磁気データ記憶装置。
26. 請求項１２に記載の多層ナノ構造を備え、前記ナノワイヤが磁気材料を備える磁気電子デバイス。
27. 前記ナノワイヤが非対称磁気ヘテロ構造を備える、請求項２６に記載の磁気電子デバイス。
28. 電気接続部を多層ナノ構造とインタフェースする方法であって、
    少なくとも一部が導体または半導体である基板表面上に２元ブロック共重合体を製作するステップと、
    前記２元ブロック共重合体層の少なくとも一部上に金属層を蒸着させるステップと、
    相互に平行で、前記表面に対して垂直に配向されたナノスコープ・シリンダを形成すべく、２元ブロック共重合体を配向するステップと、
    前記共重合体にパターン形成されたナノ孔のアレイを形成すべく、前記配向した共重合体から１つの成分の少なくとも一部を除去するステップと、
    前記ナノ孔の少なくともいくつかを材料で少なくとも部分的に充填するステップとを備える方法。
29. 前記共重合体を配向する前に、前記金属層の少なくとも一部上にレジスト層を蒸着させるステップを備える、請求項２８に記載の方法。
30. 前記配向した共重合体から１つの成分の少なくとも一部を除去するステップが、放射線への露出によって実行される、請求項２８に記載の方法。
31. 前記ナノ孔の少なくともいくつかを少なくとも部分的に充填するために使用する材料が磁気材料からなる、請求項２８に記載の方法。
32. 磁気伝達デバイスであって、
    少なくとも１つの電極を備える基板表面と、
    少なくとも１つの電極と電気的に連絡している表面から垂直に延在する磁気ナノワイヤのアレイとを備え、該ナノワイヤのアレイが数十ナノメートルの規模で周期的であるデバイス。
33. 前記アレイのワイヤ間の間隔がほぼ一定である、請求項３２に記載のデバイス。
34. 前記ワイヤ間の間隔がスピン拡散長さより小さい、請求項３３に記載のデバイス。

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