JP2006179487A - 垂直方向に配列されたナノロッドおよびその配列への電気接点をつくるためのシステムおよび方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ナノロッドの配列の上部への電気接点層を形成するための構造および方法を提供すること。
【解決手段】システムおよび方法は、ほぼ垂直方向に整列したナノロッド１３２の配列に電気接点を提供する。ナノロッド１３２は、ナノロッド１３２への底部接点１２０として作用する導電性の層の上部に製造することができる。上部金属接点１４０は、ナノロッド１３２の配列の複数のナノロッド１３２に適用される。接点１２０，１４０は、ナノロッドのＩ／Ｖ（電流／電圧）特性を測定することを可能にする。
【選択図】図１

Description

本発明は、垂直方向に配列されたナノロッドおよびその配列への電気接点をつくるためのシステムおよび方法に関する。

現在、種々の装置においてナノ構造を使用する事に大きな興味がもたれている。ナノ構造は、発光器、磁界エミッタ、センサ等のために特別の可能性を有する。例えば、ガスセンサは、ナノ構造の非常に有効な用途である。なぜならば、検出された種の単位当たりにつき大きな信号をつくるためにナノ構造の相対的に非常に大きな表面積から大きな感度を得ることができる。

垂直方向に整列されたナノワイヤの配列は、導体バッファ層上で成長されることができる。このような配列は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のナノロッド上に形成され、高感度のガスセンサにおいて非常に有効である。それらは、電子または光電センサおよび装置としての用途のための興味を引く側面を提供する。

Park et al., "Schottky nanocontacts on ZnO nanorod arrays," Applied Physics Letters, Vol.82, Number 24, pp.4358-4360, June 16, 2003 Liu et al., "Electrical Properties of zinc oxide nanowires and intramolecular p-n junction," Applied Physics Letters, Volume 83, Number 15, pp.3168-3170, October 13,2003 Lee et al., "Field emission from well-aligned zinc oxide nanowires grown at low temperature," Applied Physics Letters, Volume 81, Number 19,pp.3648-3650,November 4,2002

ナノロッドは、金属触媒および金属製の有機化学蒸着の存在において、例えば、蒸気搬送を含むいくつかの技術を使用して成長した。ナノロッドへの底部接点として機能する導体層の上部に高密度のナノロッドの配列を形成することができる。しかしながら、このようなナノロッドの配列の上部への電気接点を形成することは困難である。このような配列内のナノロッドは、わずかに等しくない長さになる場合がある。したがって、複数のナノロッドへの信頼性のある電気接点を同時につくるナノロッドの配列の上部への電気接点を形成することは、困難である。

ナノロッドの配列の上部への電気接点層を形成するための構造および方法が提供される。

種々の例示的な実施例において、複数のナノロッドへの信頼性のある電気接点を同時につくるナノロッドの配列の上部へ電気接点を形成するシステムおよび方法が提供される。

種々の例示的な実施例において、ナノロッドの配列において複数のナノロッドの上部および底部の双方への電気接点をつくるためのシステムおよび方法が提供される。

わずかに不均一な長さのナノロッドの配列への金属上部接点を形成するためのシステムおよび方法が提供される。

種々の例示的な実施例において、ナノロッドの配列への底部接点として作用する導体層の上部に製造されたナノロッドの配列を含む。複数のナノロッドへの信頼性のある電気接点を同時につくるためにナノロッドの上部に上部接点を形成することもできる。ナノロッドの一部を露出するように底部接点と上部接点との間に空隙または通路が形成されることができる。上部接点と下部接点は、Ｉ／Ｖ（電流／電圧）特性を測定することを可能にし、ナノロッドの配列がセンサとして機能するようにナノロッドが露出されるガス内にある種に対する存在に対して感度を有する。

これおよび他の特徴および詳細は、次の詳細な説明に説明されるか、そこから明らかになる。

複数のナノロッドへ信頼性のある電気接点を同時につくるためにナノロッドの配列の上部に上部接点を形成することができる。ナノロッドは、底部基板にほぼ垂直であり、異なる長さを有していてもよい。

図１は、例示的なナノロッド装置１００を示す。図１に示すように、ナノロッド装置１００は、基板１１０と、底部接点１２０と、複数のナノロッド１３２と、上部接点１４０を含むナノロッド配列１３０とを含む。底部接点１２０および上部接点１４０は、空隙または通路１５０によって分離されている。

例えば、基板１１０は、サファイヤ、シリコン、水晶、ガラス、金属または有機基板であってもよい。また、基板１１０は、他の機械的に安定した基板であってもよい。

酸化亜鉛（ＺｎＯ）を使用した底部接点１２０が提供される。また、酸化すず、酸化インジウム、他の２成分または合金または金属のような他の材料を使用した底部接点１２０が提供される。

ナノロッド配列１３０内の各ナノロッド１３２は、底部接点１２０の表面にほぼ直角である。ナノロッド１３２は、酸化亜鉛を使用して成長される。また、ナノロッド１３２は、シリコン、炭素、金属、酸化銅、ＧａＮ、ＣｄＺｎＳｅ、インジウム酸化すず（ＩＴＯ）または他の２成分または合金を使用して成長される。ナノロッド１３２を成長させるために酸化すず、酸化インジウムのような他の材料も考えられる。上部接点１４０は、底部接点１２０にほぼ平行な金属層であってもよい。また、上部接点１４０は、底部接点１２０の表面に対して傾斜していてもよい。さらに、上部接点１４０は、くぼみ、曲がり、変形されていてもよい。上部接点１４０は、ナノロッド配列１３０の複数のナノロッド１３２と接触して配置されることもできる。ナノロッド１３２は、ナノ管、ナノワイヤ、ナノピラー等またはその組み合わせを含むことができる。ナノロッドの断面形状は、円形、楕円、１２角形、または、ナノロッドが形成される材料の結晶、または本質的な特性を反映する他の形状を含む。ナノロッドの直径は、ナノロッドの長さにわたって底部から上部へ同じか、またはナノロッドの長さにわたって変化してもよい。例えば、ナノロッドは、ピラミッド形状か、または切頭型のピラミッド形状または円錐型であってもよい。

底部接点１２０および上部接点１４０は、ナノロッド配列１３０のナノロッド１３２の電極として作用する。

図２は、他の例示的なナノロッド装置１８０を示す。図２の装置１８０は、装置１８０が第３の接点１８２を含むことを除いて図１の１００と同様である。図２に示すように、第３の接点１８２は、底部接点１２０と上部接点１４０との間に形成される。第３の接点１８２は、ナノロッド１３２の第３の電極として作用する。第３の接点１８２は、空隙１５０を上方部分１５２と下方部分１５４とに分割することができ、上部接点１４０と第３の接点１８２との間に上方部分１５２が、第３の接点１８２と底部接点１２０との間に下方部分１５４が形成される。

図１および図２において、空隙１５０は、ナノロッド１３２を、例えば、ある種のガスに露出することができる。底部接点１２０および上部接点１４０は、Ｉ／Ｖ（電流／電圧）特性を測定することを可能にし、これは、ナノロッド１３２が露出されるガスの種の存在に対して反応する。例えば、電流または電圧が底部接点１２０と上部接点との間に印加されるとき、電流または電圧の変化がガスの種の存在を示す。変化の大きさは、ガスの種の型式または量を示す。例えば、電流がガスの型および量の双方によって変化するとき、およびガスの種の型式が知られているとき、電流の変化は、ナノロッドの表面で吸収されたガスの量を示す。このような態様で、ナノロッド装置は、高感度のガスセンサとして使用されることができる。

空隙１５０は、特定の材料で充填されることもできる。例えば、空隙１５０は、検出されるべきガスを容易に拡散する材料で充填される。

図３は、例示的な成長ナノロッド配列２００を示す。図３に示すように、ナノロッド配列２００は、例えば、サファイヤ基板２１０上に酸化亜鉛のウエッティング層またはバッファ層２２０を形成することによって形成される。酸化亜鉛ウエッティング層２２０は、例えば、金属有機化学蒸着技術（ＭＯＣＶＤ）によってサファイヤ基板上で成長される。酸化亜鉛ウエッティング層２２０は、金属触媒の存在において蒸気搬送を使用してサファイヤ基板２１０の上で成長される。また、ナノロッドは、多孔性アルミナ基板上で成長される。このような成長は、ナノロッドの形成のために触媒層なしでまたは触媒層を有する多孔性表面上で開始される。

酸化亜鉛の連続的な成長は、複数の酸化亜鉛ナノロッド２３２を含む配列２３０を形成する。ナノロッドの直径は、典型的には２および１００ナノメーターである。例えば、ナノロッドの直径は、２０と５０ナノメーターとの間である。ナノロッド２３２の長さは、１ミクロンと１０ミクロンとの間の数ミクロン台である。

酸化亜鉛ウエッティング層２２０は、任意に不純物を添加された酸化亜鉛を含み、ナノロッド２３２への底部接点として作用する。例えば、酸化亜鉛ウエッティング層２２０上へインジウムの点をアニール処理することによって形成することができる。酸化亜鉛のウエッティング層２２０の導電性は、酸化亜鉛のナノロッド２３２への適当な底部接点を提供する。例えば、酸化亜鉛のウエッティング層２２０は、１Ω／ｃｍの抵抗値および約５×１０^１３／ｃｍの担体濃度を有する。上述したように、ナノロッドは、シリコン、炭素、金属、酸化銅、ＧａＮ、ＣｄＺｎＳｅ、インジウム酸化すず（ＩＴＯ）または他の２成分または合金を使用して成長される。酸化すずおよび酸化インジウムのような他の材料もナノロッドを成長させるために考えることができる。ナノロッドの成分は、一定であるか、ナノロッドの長さに沿って変化することができる。例えば、ナノロッドの底部部分は、１つの材料であってもよいが、上部部分は、異なる材料からなり、ナノロッド内でヘテロジャンクションを形成する。他の例において、ナノロッドの底部部分は、ｎ型でドープされるが、上部部分は、ｐ型でドープされ、ナノロッド内でｐｎ接合を形成する。これらの層に対するオーム接点は、金属堆積処理の組み合わせを使用してつくられ、ナノロッドの後ろ側に接近するためにハンドルウエハ上に移動される。

図４は、図３に示されるナノロッドの配列２００の側面図を示す。図４に示すように、ナノロッド２３２は、酸化亜鉛ウエッティング層２２０の表面にほぼ垂直である。

ナノロッド２３２の長さ２３４は、ある範囲にわたって変化する。したがって、図４に示すように（実物大ではない）、ナノロッド２３２の上部２３６は、単一の平面内では整列しない。これは、ナノロッド２３２の間で空隙２３８を充填することなく、複数のナノロッドの上部２３６に接触することができる図１の上部接点のような接点を形成する課題を提供する。

図５Ａ−図５Ｉは、ナノロッドの配列のための金属の上部接点を形成する例示的な処理３００の概略図である。図５Ａ−図５Ｉに示すように、金属上部接点を堆積する例示的な処理３００は、ナノロッドを包む防食層を使用することを含む。ウエットまたはドライエッチングは、ナノロッドの一部を露出し、金属と接触することができるようにするために使用される。この防食層は、必要ならば、エッチングされる。

図５Ａに示すように、処理３００は、基板３１０の上にナノロッド３３０および底部電極３２０を成長させることによって開始される。次に図５Ｂに示すように、防食層は、ナノロッド３３０の少なくともいくつかを包囲するために配置されることができる。

次に、図５Ｃに示すように、防食層３４０は、少なくとも一部がマスク３５０によってカバーされ、防食層は、例えば、必要であれば、エッチングによってマスク３５０のパターンによって製造されることができる。次に、図５Ｄに示すように、マスク３５０は、取り除かれる。

次に、図５Ｅに示すように、防食層３４０は、例えば、所望の厚さを達成してナノロッド３３０の上部を露出するために一部が取り除かれる。たとえば、防食層３４０は、ナノロッド３３０を露出するためにドライまたはウエットエッチングによってエッチングされることができる。次に、図５Ｆに示すように、薄い金属層３６０が、ナノロッド３３０の頭部を金属化するためにナノロッド３３０の頭部に配置されることができる。

次に、図５Ｇに示すように、薄い金属層３６０は、必要に応じて製造される。次に、図５Ｈに示すように、薄い金属層３７０が堆積される。

最後に、図５Ｉに示すように、防食層は、たとえば、ナノロッド３３０の露出された中央部分が除去され、エッチングされてもよい。さらに、端子３８０および３９０が、それぞれ上方電極３７０および底部電極３９０のために製造される。しかしながら、図１に関連して上述したように、防食層は、空隙を充填する材料として残ることができる。

上述したように、上部金属接点は、２つのステップで堆積され、それによって、薄い金属層３６０が、スパッタリングされるか蒸発され、次の金属メッキステップのためのシード層として機能する。例えば、電気的でないメッキまたは電気メッキが使用される。厚い金属層３７０のメッキは、上部電極のための機械的支持体を提供する。しかしながら、例えば、スパッタング、蒸発またはメッキ技術を使用して単一の金属化ステップを使用して上部電極が製造されてもよい。

防食層３４０を製造するための材料は、酸化物、窒化物、オキシニトライド、ポリマーフィルムまたは金属であってもよい。防食層３４０は、抵抗層であり得る。しかしながら、防食層３４０が空隙内に残るとき、防食層３４０は意図した目的に適した材料から製造されるべきである。例えば、ガス種を検出するための装置において、材料は、検出すべきガスを容易に拡散すべきものでなければならない。

図６Ａ−６Ｉは、ナノロッド装置を形成する他の例示的な処理４００の概略である。図６Ａ−６Ｉの処理４００は、図５Ａ−５Ｉの処理３００と同様である。したがって、同様の特徴部のために同じ参照符号が使用される。しかしながら、図６Ａ−６Ｉにおいて、ナノロッドを露出するためにウエットまたはドライエッチングでなく、化学機械ポリッシュ（ＣＭＰ）技術が使用される。また、ＣＭＰは、ナノロッドを同じ長さ（高さ）に調節するために使用されてもよい。

特に、金属製の上部接点を形成する処理４００は、ナノロッドを包むために防食層を使用することを含む。ＣＭＰは、ナノロッドを露出し、金属と接触させることを可能にするために使用される。防食層は、必要ならば、次に取り除いてもよい。

図６Ａに示すように、ナノロッドの配列が提供される。特に、ナノロッド３３０および底部電極３２０は、基板３１０上に形成される。次に、図６Ｂに示すように、防食層３４０が形成される。防食層３４０は、ナノロッド３３０を包むために使用される。

次に図６Ｃに示すように、ＣＭＰは、ナノロッド３３０の上部を露出するために使用される。このＣＭＰの処理中、防食層３４０内に埋め込まれたナノロッド３３０は、同じ高さに調節されることができる。ＣＭＰステップは、例えば、ナノロッド３３０の成長処理中または処理の後に展開する可能なナノロッドの汚れまたは絶縁層を除去することができる。

次に図６Ｄに示すように、マスク３５０が防食層３４０を構成するために形成される。次に、図６Ｅに示すように、防食層３４０が形成される。防食層３４０の構造は、所望の態様で上部接触を形成する目的を果たす。

次に図６Ｆに示すように、マスク３５０が除去される。次に、図５Ｇおよび図５Ｈに示すように、薄い金属層３６０および厚い金属層３７０がそれぞれ形成される。

次に、図６Ｉに示すように、必要ならば、防食層３４０が除去される。防食層３４０は、例えば、エッチングまたは溶解によって除去される。その後、底部電極および厚い金属層３７０のために端子３９０および３８０がそれぞれ形成される。第２の金属層３７０は、ナノロッド３３０のための上部接点として機能する。

図７は、他の例示的なナノロッド装置５００を示す。図７に示すように、ナノロッド５００は、単一のナノロッド装置である。単一のナノロッド装置５００は、たとえば、図５Ａ−図５Ｉに示す処理または図６Ａ−図６Ｉに示す処理によって製造される。

図７に示すように、単一のナノロッド５００は、基板５１０、底部接点５２０、ナノロッドまたはナノワイヤ５３０、上部接点５４０、底部接点５２０のための電極端子５２２、上部接点５４０のための電極端子５４２を含む。単一のナノロッド装置５００は、受動のナノロッド装置として作用する。

図８は、他の例示的なナノロッド装置６００を示す。図８に示すように、ナノロッド装置６００は、基板６１０、底部接点６２０、中間接点６３０、上部接点６４０、およびナノロッドまたはナノワイヤ６５０を含む。電極端子６２２、６３２、６４２は、それぞれ底部接点６２０、中間接点６３０および上部接点６４０のために設けられる。中間接点６３０および上部接点６４０は、例えば、図５Ａ−図５Ｉまたは図６Ａ−図６Ｉの処理を繰り返すことによって、または図５Ａ−図５Ｉまたは図６Ａ−図６Ｉの処理の組み合わせを適用することによって形成される。図７および図８に示す構造は、図５または図６に示す処理を二度繰り返すことによって、またはナノロッドにわたる異なる層のための異なる材料を使用することによって製造される。単一のナノロッド装置６００は、活性ナノロッド装置として作用する。

例えば、図５Ａ−図５Ｉまたは図６Ａ−図６Ｉに示す処理の後に、第２の金属層の上方の厚さは、ナノロッドの上方の第１の部分を露出するために取り除かれる。次に第２の防食層（図示せず）は、上方の第１の部分を包囲するために堆積される。次に、第２の防食層の上部厚さは、上部の第１の部分の第２の部分を露出するために除去されることができる。最後に、第２の接点層が第２の防食層に形成されることができる。第２の接点層は、ナノロッドの上部の第１の部分の第２の部分と電気的に接触するようにつくられるとよい。

３つの電極を有するナノロッド６００は、例えば、トランジスタ構造として使用されることができる。ナノロッド装置６００は、２つまたはそれ以上のナノロッドを有するように製造されることができるが、中間層６３０は、図２と関連して第３層として作用する。ナノロッド層６００は、活性の単一ナノロッド装置として使用されることができる。

図９Ａ−図９Ｊは、ナノロッドを形成する他の例示的な処理７００を示す。特に、処理７００は、ハンドルウエハのような置換基板上に元の成長基板からナノロッドおよび防食層を移行するために使用される。移行は、元の基板が絶縁性を有するとき、またはさらに導電性を有することが必要であるときに有効である。

図９Ａに示すように、処理７００は、基板７１０の上にナノロッド７３０を成長させることによって開始される。次に図９Ｂに示すように、防食層７４０は、ナノロッド７３０の少なくともいくつかを包囲するために堆積される。防食層７４０は、例えば、ナノロッド７３０を機械的に補強する作用をする。防食層７４０の表面は、例えば、ＣＭＰによって平坦化される。

次に図９Ｃに示すように、防食層７４０は、例えば、ナノロッド７３０の少なくともいくつかの上部を露出するために一部が除去され、エッチング処理される。防食層７４０は、例えば、ナノロッド７３０をドライエッチングまたはウエットエッチングによってエッチング処理される。代替案または追加案として、ＣＭＰは、ナノロッド７３０を露出するために使用される。ＣＭＰ処理の間、防食層７４０に埋め込まれたナノロッド７３０は、同じ長さ（高さ）に調節されることができる。またＣＭＰは、可能なナノロッドの汚れまたは絶縁層を除去することができる。

次に図９Ｄに示すように、金属層７６５は、ナノロッド７３０の上部を金属化するためにナノロッド７３０の上部に堆積される。金属層７６５は、電気接点層として作用される。

次に、図９Ｅに示すように、ハンドルウエハ７７５は、金属層７６５の上に形成されるか、結合される。ハンドルウエハ７７５は、エポキシまたは糊を含むエチル・シオナクロリレートのようなポリマーまたは金属をベースとした接着剤を使用して結合される。ハンドルウエハ７７５は、以下に述べるように、基板７１０が除去されるとナノロッドを保持するために置換基板として作用する。

次に、基板７１０は、図９Ｆに示すようにナノロッド７３０から除去することができる。ナノロッド７３０は、基板７１０が除去されるとき、離れ落ちる。なぜならば、それらは、ハンドルウエハ７７５および防食層７４０によって保持されているからである。したがって、ナノロッド７３０は、基板７１０からハンドルウエハ７７５へ移動する。例えば、基板７１０の除去は、基板７１０とナノロッド７３０との間の境界で超音波アジテーション、選択的な化学エッチング、またはレーザリフトオフのような選択的な放射線の放射によって達成することができる。ハンドルウエハ７７５は、ナノロッド７３０のための新しい基板プラットフォームとして使用される。

次に、図９Ｇに示すように、防食層７４０は、例えば、ナノロッド７３０の少なくともいくつかの底部を露出するために一部が除去され、エッチングされることができる。平坦化処理は、防食層がエッチングされる前に防食層７４０の底部面で実行される。

その後、図９Ｈに示すように、金属層７８５がナノロッド７３０の底部を金属化するためにナノロッド７３０の底部に堆積される。金属層７８５は、他の電気接触層として作用する。

次に、図９Ｉに示すように、ハンドルウエハ７７５が除去される。ウエハハンドル７７５の除去は、溶剤または化学腐食液につけることによって、またはレーザリフトオフ処理によって達成されることができる。その後、上部および金属化された底部を有するナノロッドの配列がさらに処理される。例えば、電極および／または端子は、ナノロッド配列になるように製造されることができる。また、さらに導電性を有する構造のような他の基板は、ナノロッド配列上に形成されることができる。さらに、防食層７４０は、図９Ｊに示すように各々が２つの金属化された端部を有するフリースタンド・ナノロッドを製造するために除去されることができる。防食層の除去は、例えば、エッチングによって達成されることができる。

代替案としては、ナノロッド７３０は、画定された形状内で選択的にリフト・オフされることができる。例えば、ナノロッドの中心に配置された１つのナノロッドは、レーザリフトオフによって選択的に除去される。このようなリフト・オフは、基板７１０およびウエハハンドル７７５のいずれかまたは双方が除去されたとき、またはそのいずれかがまたは双方が除去された後に実行される。

上部接点は、図５Ａ−図５Ｉ及び図６Ａ−図６Ｉに説明されたもの以外の方法を使用して製造される。例えば、上部接点は、ナノロッド配列の上部に対して薄い金属フォイルを押すことによって形成される。薄い金属フォイルは、薄いインジウムフォイルまたは薄いガリウムフォイルである。

薄い金属フォイルは、薄い金属フォイルの溶解温度に近いが、それ以下である温度まで加熱される。この薄い金属フォイルは、複数のナノロッドが薄い金属フォイルと接触する点まで薄い金属フォイルにナノロッドが押されるように、ナノロッドに対して押される。その所望の溶解温度まで上昇させるように不純物が付加される。

薄い金属フォイルは、異なる金属の組み合わせを含む。例えば、薄い金属フォイルは、Ｔｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ａｇの組み合わせを含む。

また、金属フォイルは、融点温度以上に加熱してもよい。このような処理において、ナノロッド配列は、複数のナノロッドが金属に接触するまでナノロッドが上下を逆にして溶解された液体金属内に挿入されるように上下を回転されるとよい。次に金属が冷却される。

薄い金属フォイルは、例えば、異なる融点を有する２つの異なる金属を組み合わせた２層の金属である。機械的安定性を提供するために第１の層が使用されるが、加熱時に第２の層が融解する。ナノロッドは、上下を逆さにして溶解層の液体金属に浸けられる。液体金属の毛管接着は、ナノロッドへの接触を提供する。液体金属は、その融点以下まで冷却される。このような処理によって、ＮおよびＰ型接点のための合金接点が実現される。代替案として、薄い金属フォイルは、ベースフォイル上の金属フィルムを含む。ベースフォイルは、金属または非金属である。例えば、ベースフォイルは、誘電材料で形成される。

例えば、１つの金属のフォイルを取り、頭部上の第２の金属の薄いフィルムを蒸発させることによって２層の金属フォイルが形成される。第１の金属は、機械的な安定性を提供する。第２の金属は、例えば、１００ナノメーター台の厚さを有するように調整される。第２の金属の厚さは、ナノロッドの長さ以下でなければならないが、ナノロッドの長さの変化に対応するために十分な長さでなければならない。２層の金属フォイルは、金属化処理の間ビルトイン型ｐｎ接合を提供することができる。

図１０は、ナノロッド装置を製造する例示的な方法の概略を示すフローチャートである。この方法は、上述したような２層の金属フォイルを使用する。図１０に示すように、ステップＳ１０００から始まり、２層の金属フォイルが準備されるステップＳ２０００に続く。次に、ステップＳ３０００において、２層の金属フォイルは、第２の層の融点以上の温度であるが、第１の層の融点以下である温度まで加熱される。

次に、ステップＳ４０００において、上下を逆にしたナノロッドが第１の層に対して溶解した第２の層に押される。液体の毛管接着、溶解した金属層は、溶解金属と複数のナノロッドとの間に適切な接点を提供する。その後、ステップＳ５０００において、２層の金属フォイルは、第２の層の溶解温度以下の温度まで低下するように冷却される。その後、工程は、ステップＳ６０００に進み、この方法の処理が終了する。

上述したようなナノロッド装置は、発光器のような種々のナノロッドをベースとした装置、トランジスタのような電子装置、ガスセンサ、圧力センサおよび温度センサのような種々のタイプのセンサに使用される。

図１１は、このようなナノロッド装置を使用する例示的なガス相化学検出システムを示す。図１１に示すように、検出システム８００は、ナノロッド装置８１０およびアナライザ８４０を示す。ナノロッド装置８１０は、接続部分８４２を介してアナライザ８４０に接続された第１の接点８４６、接続部分８４４を介してアナライザ８４０に接続された第２の接点８４８含む。

ナノロッド装置８１０は、複数のナノロッド８５０を含む。第１の接点８４６と第２の接点８４８との間の空隙およびナノロッド８５０の間の空隙は、検出すべきガスが容易に拡散される材料で充填される。第１の接点８４６と第２の接点８４８との間の空隙は、ナノロッド８５０を露出するように開放される。

ナノロッド装置８１０は、ガス入り口８２０を含むか、それに接続される。また、ナノロッド装置８１０は、出口８３０を含むか、それに接続される。

動作において、ガスは、第１の接点８４６と第２の接点８４８との間の空隙にガス入り口８２０を介して入ることができる。ガスは、出口８３０を介して出る。ナノロッド８５０のＩ／Ｖ（電流／電圧）特性は、ガスによって影響を受ける。このような特徴は、アナライザ８４０によって分析され、アナライザ８４０は、接続部分８４２および８４８を介して第１および第２の接点８４６および８４８から情報を受ける。図１１に示される構成は、検出システム８００に高感度を提供する。

上述した方法は、コンピュータで実行されるコンピュータプログラム製品によって実行されることができる。コンピュータプログラム製品は、制御プログラムが記録されるコンピュータ読み取り可能な記録媒体であるか、または制御プログラムがデータ信号として実行される送信可能な搬送波である。

種々の詳細を説明したが、これらの詳細は、例示として説明したものであり、制限を意図するものではない。前述した開示の観点で種々の変更、改造、改良等が実施されることができる。

例示的なナノ構造を示す図である。 他の例示的なナノ構造を示す図である。 例示的な成長ナノロッド配列を示す図である。 図３に示すナノロッドの配列の側面図を示す図である。 ナノロッドを形成する例示的な方法の該略図である。 ナノロッドを形成する他の例示的な方法の該略図である。 他の例示的なナノロッド装置を示す図である。 他の例示的なナノロッド装置を示す図である。 ナノロッド装置を形成する他の例示的な方法を示す図である。 ナノロッド装置を製造する例示的な方法を示すフローチャートを示す図である。 例示的なセンサシステムを示す図である。

符号の説明

１００ ナノロッド装置、１１０ 基板、１２０ 底部接点、１３２ ナノロッド、１４０ 上部接点、１５０ 通路。

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の表面上に形成され、各々が前記基板の表面と平行でない方向に伸びているナノロッドの配列と、
   前記基板と反対の配列上に形成された接点層とを有し、前記接点層は、配列の複数のナノロッドと電気的に接触している装置。
2. 前記基板は、前記ナノロッドと電気的に接触している請求項１に記載の装置。
3. アナライザを含み、前記アナライザは、前記基板と接点層に電気的に接続され、少なくとも１つのナノロッドの少なくとも１つの特徴を測定する請求項２に記載の装置。
4. 基板と接点層との間に形成された中間接点を含み、前記中間接点は、複数のナノロッドと電気的に接触する請求項１に記載の装置。
5. 前記基板上に形成されたウエッティング層またはバッファ層を含む請求項１に記載の装置。

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