JP2004525500A - トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体セル - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタに関し、特に、トレンチ構造を有する二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】
二重拡散金属酸化膜半導体(Doubled diffused metal−oxide−semiconductor transistor:以下、DMOSという。)トランジスタは、連続する2回の拡散工程を同じエッジに対して適用することによってトランジスタ領域を形成した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Metal On Semiconductor Field Effect Transistor:以下、MOSFETという。)の一種である。DMOSトランジスタは、通常、電源集積回路の用途(power integrated circuit applications)における高電圧及び高電流素子を実現するパワートランジスタとして採用されている。DMOSトランジスタは、低い順方向電圧降下が要求されるときに、単位面積当たりの電流値がより大きい。
【0003】
一般的なディスクリートDMOS回路は、並列に製造された2つ以上の個別のDMOSトランジスタセルを備える。各DMOSトランジスタセルは、同じドレイン接続(基板)を共有し、各DMOSトランジスタセルの全てのソースは、互いに金属により接続され、各DMOSトランジスタセルのゲートは、互いにポリシリコンにより接続されている。これにより、複数の小さなトランジスタのマトリクスから構成されたディスクリートDMOS回路であっても、単一の大きなトランジスタとして動作する。ディスクリートDMOS回路においては、トランジスタマトリクスがゲート電流によりオンになったとき、トランジスタの単位面積当たりの導電率を最大にすることが望ましい。
【0004】
代表的なDMOSトランジスタとしては、所謂トレンチDMOSトランジスタがあり、トレンチDMOSトランジスタでは、チャネルが垂直に形成され、ゲートは、ソースとドレイン間に延びるトレンチ内に形成される。トレンチは、内壁が薄膜の酸化層で覆われ、ポリシリコンで埋められており、これにより電流が抑制されず、固有のオン抵抗値をより小さくすることができる。DMOSトランジスタの具体例は、米国特許第5,072,266号明細書、第5,541,425号明細書、第5,866,931号明細書にも開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来のDMOS回路におけるセル密度は、約100M/in2に制限されていた。このセル密度では、隣接するトレンチ間の距離は、約2.0ミクロンとなる。このような制約は、DMOSトランジスタのソース領域がn型キャリアを適切に拡散させるのに十分な水平方向の寸法を有さなくてはならないために生じる。
【0006】
ここで、ソース領域の水平方向の寸法を縮少することにより、トランジスタセルのセル密度を高めたトレンチDMOS回路の実現が望まれている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセルは、第1の伝導性タイプを有する基板と、基板に形成された、第2の伝導性タイプを有するボディ領域とを備える。ボディ領域及び基板には、少なくとも1つのトレンチが形成されている。トレンチの内壁には、絶縁層が形成されており、絶縁層上には、導電性電極が形成されている。トレンチに隣接するボディ領域の一部には、第1の伝導性タイプを有するソース領域が形成されている。ソース領域は、第1の層と、第1の層上に形成された第2の層とを備える。第1の層は、第2の層より、不純物濃度が低くなるように、不純物がドープされている。
【0008】
本発明の一具体例においては、ソース領域の第1の層の少なくとも一部は、導電性電極の表面レベルより下の深さに延びている。このうち、いくつかの具体例においては、ソース領域の第1の層の実質的に全体が導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていてもよい。更に、このうちのいくつかの具体例においては、ソース領域の第1の層の少なくとも一部は、導電性電極の表面レベルより下の深さに延びており、ソース領域の第2の層の実質的に全体は、導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていない。
【0009】
本発明の一具体例においては、ボディ領域は、下位にあるボディ領域の一部より不純物濃度が高いコンタクト領域を有する。コンタクト領域は、下位にあるボディ領域の一部との電気的接触を実現する。
【0010】
本発明の一具体例においては、第1の層には、燐がドープされ、第2の層には、ヒ素がドープされる。
【0011】
本発明の特定の具体例においては、第1の層は、5×1017〜5×1018cm−3の不純物濃度を有し、第2の層は、4×1019〜8×1019cm−3の不純物濃度を有する。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は、従来の単一のトレンチDMOSトランジスタセル50の平面図である。図2の断面図に示すように、トランジスタセル50は、互いに隣接して設けられた、2個の独立した二重拡散金属酸化膜半導体(Doubled diffused metal−oxide−semiconductor transistor:以下、DMOSという。)トランジスタ20、22から形成されている。この具体例においては、トランジスタセル50は、水平方向に長方形の形状を有している。トランジスタ20、22は、n型不純物が低濃度にドープされたnエピタキシャル層104が成長されているn+基板100に形成されている。更に、nエピタキシャル層104内に形成されている各トランジスタ20、22には、逆の伝導性を有するボディ領域116が設けられている。ボディ領域116は、p型不純物が高濃度にドープされたコンタクト領域116aを備え、このコンタクト領域116aは、下層に存在するボディ領域116を上層の金属層に電気的に接続する。ボディ領域116の殆どの部分(コンタクト領域116aを除く)の上に形成されているnエピタキシャル層140は、ソースとして機能する。更に、各トランジスタ20、22は、nエピタキシャル層104に形成された長方形状のトレンチ124を備え、トレンチ124は、この構造の上面において開口しており、トランジスタセルの外周を画定している。トレンチ124の内壁には、ゲート酸化層130が形成されている。トレンチ124には、ポリシリコン、すなわち多結晶シリコンが埋め込まれている。半導体基板100の背面には、ドレイン電極が接続されており、2つのソース領域140とボディ領域116には、ソース電極が接続されており、トレンチ124に埋め込まれたポリシリコンには、ゲート電極が接続されている。
【0013】
図1及び図2に示す金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field− Effect Transistor:以下、MOSFETという。)においては、ゲートは、垂直方向に延びるトレンチに形成されている。このような構造は、トレンチ垂直DMOSFET(trench vertical DMOSFET)と呼ばれることも多い。このように、このトランジスタが「垂直」と呼ばれる理由は、ドレインコンタクトが基板の背面又は下面に形成され、ソースからドレインへの電流が略垂直に流れるからである。これにより、屈折又は屈曲した電流パス又は寄生電界の発生に起因する抵抗の上昇が最小限に抑制される。更に、このデバイスの名称に「二重拡散(接頭辞「D」により表されている)」が含まれている理由は、ソース領域とは逆の伝導性タイプを有する、先に拡散形成されたボディ領域の一部の表面のエピタキシャル材料にソース領域が拡散形成されているためである。この構造は、トレンチの内壁をゲート電流の制御のために使用し、これにより実質的に垂直に電流を流す。上述のように、このデバイスは、特に、所定の水平方向のシリコン領域(transverse silicon area)を流れる電流を最大にする電力スイッチングトランジスタとして適している。
【0014】
ここで、トランジスタセル50が基本的なトランジスタ動作を行うためには、トランジスタセル50が必ずしも長方形の形状を有している必要はなく、トランジスタセル50は、いかなる多角形の形状を有していてもよい。なお、レイアウトの観点からは、長方形の形状及び正多角形の形状が最も好ましい。若しくは、トランジスタセル50は、図に示すような閉じたセル形状に代えて、開いたセル形状又は縞模様の形状を有していてもよい。トランジスタセルの様々な形状については、上述した参考文献に開示されている。
【0015】
上述のように、従来のDMOS回路のセル密度は、約100M/in2に制限されている。このような制約は、以下の理由から生じる。製造過程において、トレンチに埋め込まれるポリシリコン層124の厚みが最適化され、ボディ領域116の表面に亘って、ゲート酸化層130の一部が露出する。ここで、ポリシリコン拡散プロセス及びエッチングプロセスは、精密に制御することが困難であるため、表面全体に亘って均一な厚みを有するポリシリコン層124を実現することは困難である。この結果、図2に示すように、トレンチに埋め込まれたポリシリコン層124の表面の高さは、多くの場合、隣接するソース領域140の表面の高さより低くなる。更にここで、ソース領域140がトレンチに埋め込まれたポリシリコン層124に垂直方向に重なり、ソースからドレインへの連続的な導電パスを確実に形成することも重要である。すなわち、ソース領域140は、ポリシリコン層124の表面より下の深さに伸びている必要がある。このような重なりを確実に実現するために、ソース領域140は、ポリシリコン層124の表面がソース領域140の表面と同じ高さになってしまうような深さより深く形成する必要がある。このように、ソース領域140の深さを増すと、これに対応して、水平方向の寸法も大きくする必要がある。これは、n型不純物が全方向に拡散し、したがって、不純物をより深く拡散させると、結果的に不純物が水平方向にも広く拡散してしまうためである。このため、単一の基板上に製造できるトランジスタセルのセル密度は、ソース領域140の水平方向の寸法によって制約される。
【0016】
本発明では、それぞれ不純物濃度が異なる2つの部分から構成されるソース領域を形成することにより、ソース領域の水平方向の寸法を縮少する。図3に本発明の具体例として示すデバイスは、n型不純物が高濃度にドープされた基板200上に成長された、n型不純物が低濃度にドープされたエピタキシャル層204を備える。トレンチDMOSトランジスタは、コンタクト領域216aを有するpボディ領域216と、n型不純物がドープされたソース領域240と、内壁にゲート酸化層230が形成され、ポリシリコンが埋め込まれたトレンチ224とを備える。ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極は、従来と同様の手法によって形成されている。
【0017】
図3に示すように、ソース領域240は、n型不純物が低濃度にドープされた低濃度層241と、n型不純物が高濃度にドープされた高濃度層243とを備える。例えば、本発明の一具体例においては、低濃度層241は、1×1018cm−3の不純物濃度を有しており、高濃度層243は、5×1019cm−3の不純物濃度を有している。低濃度層241は、トレンチ224に埋め込まれたポリシリコンと重なり、これにより、チャネルは連続的な導電パスを形成し、一方、高濃度層243は、拡散が行われる一次層(primary layer)として機能する。これにより、拡散が行われるソース領域の有効な厚みは、図2に示すような従来のトレンチDMOSトランジスタにおけるソース領域の厚みより小さくなり、これに対応して、ソース領域の水平方向の寸法を小さくすることができる。例えば、本発明により、隣接するトレンチ間の間隔を1.3ミクロンに縮めることができ、これにより、セル密度を約200Mセル/in2にまで高めることができる。
【0018】
ここで、本発明に基づくトレンチDMOSトランジスタのオン抵抗は、従来のトレンチDMOSトランジスタのオン抵抗より大きくなると思われたが、デバイスがオン状態のとき、低濃度層241全体が電荷蓄積モードで動作するため、オン抵抗は従来のトレンチDMOSトランジスタより大きくなることはないということが分かった。
【0019】
図3に示すDMOSトランジスタは、従来のいかなる手法を用いても製造することができる。以下では、一連の製造工程の一具体例を説明するが、これは例示的なものであり、本発明に基づくデバイスの製造は、以下に説明する工程に限定されるものではない。
【0020】
図4(a)〜図4(f)は、図3に示すDMOSを製造するための一連の工程を説明する図である。まず、図4(a)に示すように、従来と同様のn+基板400にnエピタキシャル層404を成長させる。nエピタキシャル層404は、30Vデバイスの場合、通常、5.5ミクロンの厚みに形成する。次に、注入及び拡散プロセスによって、pボディ領域416を形成する。p型不純物の注入は、基板全体に亘って均一に行われるため、マスクは不要である。pボディ領域416は、40〜60KeVで、ドーズ量を約5.5×1013/cm3として、ホウ素を注入する。
【0021】
次に、図4(b)に示すように、pボディ領域416の表面を酸化層で覆い、マスク層を形成し、このマスク層を従来と同様の手法で露光及びパターン化し、マスク部分420を残す。マスク部分420は、トレンチ424の位置を画定するために使用される。次に、マスク開口部を介して反応性イオンエッチングによって、トレンチ424をドライエッチングする。トレンチ424の深さは、例えば1.5〜2.5ミクロンに形成する。
【0022】
次に、図4(c)に示すように、エッチングされたトレンチの側壁を平坦化する。まず、例えば、ドライ化学エッチング(dry chemical etch)により、トレンチの側壁から酸化物の薄膜(通常、500〜1000Å)を取り除き、これにより、反応イオンエッチングによるダメージを除去する。次に、トレンチ424及びマスク部分420上に犠牲酸化シリコン層450を形成する。次に、緩衝酸化膜エッチング(buffered oxide etch)又はHFエッチングにより犠牲酸化シリコン層450及びマスク部分420を除去し、トレンチの側壁を可能な限り平坦にする。
【0023】
次に、図4(d)に示すように、構造体全体にゲート酸化層430を堆積させ、このゲート酸化層430により、トレンチの内壁及びpボディ領域416を覆う。ゲート酸化層430の厚みは、例えば500〜800Åに形成する。次に、トレンチ424にポリシリコン452、すなわち多結晶シリコンを埋め込む。ここで、ポリシリコンを埋め込む前に、ポリシリコンには、通常、塩化燐をドープし、又はポリシリコンにヒ素又は燐を注入し、これによりポリシリコンの抵抗率を20Ω/m以下の範囲に低減する。いくつかの具体例においては、ポリシリコンを2回の工程に分けて堆積させてもよい。すなわち、第1の工程において、不純物がドープされていないポリシリコンをトレンチの内壁に堆積させる。次に、この不純物がドープされていないポリシリコン層上に、不純物がドープされたポリシリコンを堆積させる。ここで、多くの場合、不純物がドープされたポリシリコンの厚みは、不純物がドープされていないポリシリコンの厚みより大きくするとよい。例えば、ポリシリコン層全体の厚みを8000Åとし、不純物がドープされたポリシリコンの厚みと、不純物がドープされていないポリシリコンの厚みの比を7:1としてもよい。不純物がドープされていないポリシリコン層は、ゲート酸化層430を介してpボディ領域416に不純物が拡散するのを防ぐ緩衝層として用いられる。
【0024】
次に、図4(e)に示すように、ポリシリコン452をエッチングしてこの厚みを最適化し、pボディ領域416の表面に亘って形成されているゲート酸化層430の一部を露出させる。続いて、フォトレジストマスキングプロセスにより、パターンを有するマスク層460を形成する。パターンを有するマスク層460は、ソース領域440を画定する。次に、2回の注入工程及び1回の拡散工程により、ソース領域440を形成する。このソース領域440には、例えば200KeVで、ドーズ量を約5×1017〜1×1018cm−3として、燐を注入する。次に、80KeVで、ドーズ量を約4×1019〜8×1019cm−3として、ヒ素を注入する。この注入の後、燐が約0.45ミクロンの深さに拡散する。一方、ヒ素は、拡散係数が小さく、注入エネルギも小さいため、約0.15ミクロンの深さまでしか拡散しない。このように、ソース領域440は、燐が低濃度にドープされた層と、この層上に形成された、ヒ素が高濃度にドープされた層から構成されている。続いて、マスク層460を従来と同様の手法を用いて取り除き、図4(f)に示す構造が完成する。
【0025】
トレンチDMOSトランジスタは、従来と同様に、この構造上にBPSG(Boro−Phospho−Silicate−Glasses)層を形成及びパターン化し、ソース及びゲート電極を画定することにより完成する。更に、基板の底面には、ドレインコンタクト層を形成する。最後に、パッドマスクを用いて、パッドコンタクトを形成する。
【0026】
以上、様々な実施の形態を図示し、説明したが、上述の説明から、この実施の形態を修正及び変更することができ、このような修正及び変更は、添付の請求の範囲に基づく本発明の思想及び範囲から逸脱するものではない。例えば、本発明に基づいて、上述の具体例とは各半導体基板の伝導性が逆のトレンチDMOSを製造することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
従来のトレンチDMOSトランジスタの個別のセルの平面図である。
【図2】
図1に示すトレンチDMOSトランジスタセルのA−A’線における断面図である。
【図3】
本発明に基づくトレンチDMOSトランジスタの断面図である。
【図4a】
図3に示すトレンチDMOSトランジスタの製造工程を説明する図である。
【図4b】
図3に示すトレンチDMOSトランジスタの製造工程を説明する図である。
【図4c】
図3に示すトレンチDMOSトランジスタの製造工程を説明する図である。
【図4d】
図3に示すトレンチDMOSトランジスタの製造工程を説明する図である。
【図4e】
図3に示すトレンチDMOSトランジスタの製造工程を説明する図である。
【図4f】
図3に示すトレンチDMOSトランジスタの製造工程を説明する図である。
Claims (28)
- 第1の伝導性タイプを有する基板と、
上記基板に形成された、第2の伝導性タイプを有するボディ領域と、
上記ボディ領域及び基板に形成された少なくとも1つのトレンチと、
上記トレンチの内壁に形成された絶縁層と、
上記トレンチ内において、絶縁層上に設けられた導電性電極と、
上記トレンチに隣接する上記ボディ領域の一部に形成された第1の伝導性タイプを有するソース領域であって、第1の層と、該第1の層上に形成され、該第1の層より不純物濃度が高い第2の層とを有するソース領域とを備えるトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。 - 上記ソース領域の第1の層の少なくとも一部は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていることを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記ソース領域の第1の層の実質的に全体は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていることを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記ソース領域の第1の層の少なくとも一部は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びており、上記ソース領域の第2の層の実質的に全体は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていないことを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記ボディ領域は、下位にあるボディ領域の一部より不純物濃度が高く、該下位にあるボディ領域の一部との電気的接触を実現するコンタクト領域を有することを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記第1の層は、5×1017〜5×1018cm−3の不純物濃度を有し、上記第2の層は、4×1019〜8×1019cm−3の不純物濃度を有することを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記第1の層には、燐がドープされ、上記第2の層には、ヒ素がドープされることを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記第1の層には、燐がドープされ、上記第2の層には、ヒ素がドープされることを特徴とする請求項6記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記基板の上記ボディ領域とは反対側の面に形成されたドレイン電極を備える請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記絶縁層は、酸化層であることを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記導電性電極は、ポリシリコンを含むことを特徴とする請求項1記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記ポリシリコンは、不純物を含むことを特徴とする請求項11記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 上記ポリシリコンは、不純物がドープされていない層と、不純物がドープされた層とを含むことを特徴とする請求項11記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセル。
- 第1の伝導性タイプを有する基板上に形成された、複数のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体電界効果トランジスタセルを備えるトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造において、各トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体電界効果トランジスタセルは、
第1の伝導性タイプを有する基板と、
上記基板に形成された、第2の伝導性タイプを有するボディ領域と、
上記ボディ領域及び基板に形成された少なくとも1つのトレンチと、
上記トレンチの内壁に形成された絶縁層と、
上記トレンチ内において、絶縁層上に設けられた導電性電極と、
上記トレンチに隣接する上記ボディ領域の一部に形成された第1の伝導性タイプを有するソース領域であって、第1の層と、該第1の層上に形成され、該第1の層より不純物濃度が高い第2の層とを有するソース領域とを備えるトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。 - 上記ソース領域の第1の層の少なくとも一部は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていることを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記ソース領域の第1の層の実質的に全体は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていることを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記ソース領域の第1の層の少なくとも一部は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びており、上記ソース領域の第2の層の実質的に全体は、上記導電性電極の表面レベルより下の深さに延びていないことを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記ボディ領域は、下位にあるボディ領域の一部より不純物濃度が高く、該下位にあるボディ領域の一部との電気的接触を実現するコンタクト領域を有することを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記第1の層は、5×1017〜5×1018cm−3の不純物濃度を有し、上記第2の層は、4×1019〜8×1019cm−3の不純物濃度を有することを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記第1の層には、燐がドープされ、上記第2の層には、ヒ素がドープされることを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記第1の層には、燐がドープされ、上記第2の層には、ヒ素がドープされることを特徴とする請求項19記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記基板の上記ボディ領域とは反対側の面に形成されたドレイン電極を備える請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記絶縁層は、酸化層であることを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記導電性電極は、ポリシリコンを含むことを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記ポリシリコンは、不純物を含むことを特徴とする請求項24記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記ポリシリコンは、不純物がドープされていないポリシリコン層と、不純物がドープされているポリシリコン層とを有することを特徴とする請求項24記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記少なくとも1つのトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセルは、閉じたセル形状を有していることを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
- 上記少なくとも1つのトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタセルは、開いたセル形状を有していることを特徴とする請求項14記載のトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ構造。
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