JP2004179353A - ステージ部材 - Google Patents

ステージ部材 Download PDF

Info

Publication number
JP2004179353A
JP2004179353A JP2002343132A JP2002343132A JP2004179353A JP 2004179353 A JP2004179353 A JP 2004179353A JP 2002343132 A JP2002343132 A JP 2002343132A JP 2002343132 A JP2002343132 A JP 2002343132A JP 2004179353 A JP2004179353 A JP 2004179353A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage member
thermal expansion
plate
joining
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002343132A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4489344B2 (ja
Inventor
Masako Kataoka
昌子 片岡
Mamoru Ishii
守 石井
Masahito Iguchi
真仁 井口
Motohiro Umetsu
基宏 梅津
Hiroaki Nakamura
中村  浩章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiheiyo Cement Corp
Original Assignee
Taiheiyo Cement Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiheiyo Cement Corp filed Critical Taiheiyo Cement Corp
Priority to JP2002343132A priority Critical patent/JP4489344B2/ja
Publication of JP2004179353A publication Critical patent/JP2004179353A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4489344B2 publication Critical patent/JP4489344B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】熱膨張係数が低く、接合部に内部応力が残留せず、通常のセラミックスと同程度の剛性を有し、接合強度が高い低熱膨張セラミックスからなる軽量なステージ部材を提供する。
【解決手段】β−ユークリプタイト50〜95質量%と炭化珪素5〜50質量%からなる低熱膨張セラミックス底板材1と箱蓋構造を有する同材質の上板材2とを、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合してステージ部材を構成する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置、検査機器等に用いられるステージ部材に関するもので、さらに詳しくは、低熱膨張セラミックスからなる軽量なステージ部材に関するものである。
【0002】
【従来技術】
近年、半導体回路は益々精細化する傾向にあり、例えば、ステージ部材を搭載した半導体露光装置では、極めて高精度な位置決めが要求されるため、各部材の構成に種々の工夫が鋭意検討されている。(たとえば、特許文献1参照)
【0003】
このような状況下で、周囲の温度変化による熱膨張によるわずかな変形でも製品歩留まりの低下を招くことから、半導体製造装置の構成部材としてコージエライトを主成分とする低熱膨張材料が用いられるようになってきた。(たとえば、特許文献2参照)
【0004】
また、半導体製造装置の大型化、高速移動化にともない、このような構成部材の軽量化が要求されており、軽量化の手段として、部材を中空構造にすることが検討されている。具体的には、内部をくり抜いたセラミックス同士を接合することで内部空間を確保し、これにより大幅な重量減少を図ろうとしている。
このように低熱膨張セラミックス同士を接合する技術が求められており、このような場合には、従来、接合材としてガラスが多用されていた。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−118050号公報
【特許文献2】
特開平11−209171号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来から接合材として用いられているガラスは低熱膨張材でないため、接合部にガラスの溶融温度から室温まで冷却する間に応力が残留するという問題がある。また、ガラスは剛性が低いため、接合後の部材全体の剛性が低下し、半導体製造において精細な描画が困難となる。さらには、接着強度が弱いという欠点も抱えている。
【0007】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、熱膨張係数が低く、接合部に内部応力が残留せず、通常のセラミックスと同程度の剛性を有し、接合強度が高い低熱膨張セラミックスからなる軽量なステージ部材を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、以下の(1)〜(5)によって達成される。
(1)少なくとも一方が箱蓋構造を有する低熱膨張セラミックス底板材と同材質の上板材とを、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合してなることを特徴とするステージ部材。
(2)低熱膨張セラミックス底板材と一端から一端まで連通する溝部を有する同材質の上板材とを、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合してなることを特徴とするステージ部材。
(3)上記(1)、(2)において、板材および接合材の20〜30℃における平均の熱膨張係数が−1×10−6〜1×10−6/℃であることを特徴とするステージ部材。
(4)上記(3)において、板材および接合材を構成する複合材料が、リチウムアルミノシリケート、コーディエライト、リン酸ジルコニウムカリウムから選ばれる1種以上の材料と、炭化珪素、窒化珪素、炭化ホウ素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウムから選ばれる1種以上の材料とからなることを特徴とするステージ部材。
(5)上記(3)または(4)において、板材と接合材との間の、20〜30℃における平均の熱膨張係数の差が±0.1×10−6/℃以内であることを特徴とするステージ部材。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に係るステージ部材は、低熱膨張セラミックスからなる板材を、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合してなる。
【0010】
このように接合材として板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスを用いることにより、接合に際して接合材の溶融温度よりも高く、板材の溶融温度よりも低い温度で加熱することにより、接合材のみが溶融して複数の母材同士を接合することができる。この場合に、接合材が低熱膨張セラミックスであるから、接合部に残留する応力が小さく、接合部の剛性が高いため材料全体の剛性が高く、かつ接合部自体の強度がガラスより大きいから接合強度が大きい。
【0011】
ここで、前記板材および前記接合材の20〜30℃における平均の熱膨張係数が−1×10−6〜1×10−6/℃であることが好ましい。この範囲であれば、半導体製造装置部材として用いられた場合に、半導体回路の精細化に適合可能である。また、板材と接合材との間の、20〜30℃における平均の熱膨張係数の差が±0.1×10−6/℃以内であることが好ましい。熱膨張係数の差がこの範囲を超えると、接合のための熱処理後、冷却過程で内部応力がたまり、強度低下を招くおそれがある。
【0012】
前記板材および前記接合材を構成する複合材料としては、リチウムアルミノシリケート、コーディエライト、リン酸ジルコニウムカリウムから選ばれる1種以上の第1の材料と、炭化珪素、窒化珪素、炭化ホウ素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウムから選ばれる1種以上の第2の材料とからなるものが好適である。これら構成材料のうち第1の材料は熱膨張が極めて小さく、第2の材料は熱膨張係数は第1の材料よりも大きいがヤング率が高く、これらを複合化することにより、所望の低熱膨張および高剛性を兼備した材料とすることができる。
【0013】
上記第1の材料としては、リチウムアルミノシリケートであるβ−ユークリプタイトやスポジューメンが好ましい。また、その中でもβ−ユークリプタイトはマイナスの熱膨張を示すので、プラスの熱膨張を示す第2の材料と組み合わせることにより、極めて低い熱膨張係数を得ることが可能であるし、また、配合を調節することにより熱膨張係数をマイナスからプラスの広い範囲で調節することが可能となる。なお、β−ユークリプタイトやスポジューメンに代表されるリチウムアルミノシリケートは、Ca、Mg、Fe、K、Ti、Zn等の他の成分と固溶体を形成するが、本発明ではこのような固溶体も適用可能である。
【0014】
一方、接合材における第2の材料の選択は、接合材の溶融温度が板材の溶融温度よりも低くなるように上記材料の中から適宜選択される。
【0015】
なお、接合材および板材を構成する複合材料において、実質的な化学的反応が生じなければ、第1の材料として複数の材料を組み合わせて用いることも可能である。また、第2の材料も同様に、実質的な化学的反応が生じなければ、複数の材料を組み合わせて用いることも可能である。
【0016】
ここで、板材を構成する複合材料の構成材料のうち1種以上が、接合材を構成する複合材料の構成材料と共通であることが好ましい。これにより、共通の構成材料が拡散しやすく強固に接合することができるとともに、接合面がきれいである。
【0017】
この場合に、板材の組成としてはβ−ユークリプタイト50〜95質量%と炭化珪素5〜50質量%であり、接合材の組成としてはβ−ユークリプタイト40〜85質量%と窒化珪素15〜60質量%であることが好ましい。
【0018】
次に、本発明のステージ部材の製造方法について説明する。
本発明のステージ部材は、軽量化を目的として、基本的には板材に中空構造を有している。
より具体的には、少なくとも一方が箱蓋構造(いわゆる弁当箱の箱蓋形状の構造)を有する低熱膨張セラミックス底板材と同材質の上板材とを、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合してステージ部材を製造する。ここで、底板材と上板材は両方とも外形寸法が略同一の箱蓋構造を有していても良いし(箱蓋と箱蓋が接合面でお互いに対象となり、内部に中空構造を形成するように側板同士を接合する。)、いずれか一方が箱蓋構造を有し、他方が平板であっても良い(平板に箱蓋をかぶせて内部に中空構造を形成するように接合する。)ことは勿論である。
また本発明のステージ部材は、低熱膨張セラミックス底板材と一端から一端まで連通する溝部を有する同材質の上板材とを、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合して製造しても良い。ここで、一端から一端まで連通する溝部とは、一端から他の一端まで連通する溝部であっても良いし、一端から蛇行して同一の一端まで戻って連通する溝部であっても良い。このような溝部を形成した場合、この溝部に水や空気を冷却媒体として流せば、ステージの冷却をすることも可能となる。
【0019】
つぎに板材同士の接合は、接合材粉末を適宜のバインダーとともに混練して粘糊性のあるペーストとし、このペーストを板材の接合面に塗布し、脱脂した後に接合面同士を密着させ、接合材は溶融するけれども板材は溶融しない温度で熱処理することによる。これにより、接合材が溶融し、一部は板材に拡散して板材同士を接合できる。
この際の熱処理雰囲気は、材料が全て酸化物系のものであれば、大気雰囲気を用いることができるが、非酸化物系の材料が含まれている場合には、非酸化雰囲気を用いることが好ましい。
【0020】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例A)
まず、β−ユークリプタイト粉末と炭化珪素粉末とを表1の割合でポットミル混合して乾燥させ、板材セラミックスの原料混合粉末を作製した。この混合粉末を一軸加圧成形して、300mm×150mm×厚み10mmの板状成形体を作製し、150MPaでCIP処理した。窒素雰囲気において、表1に示す温度で焼成し、底板材となる低熱膨張セラミックス焼結体を得た。同様にして、300mm×150mm×60mm(肉厚:10mm)の箱蓋構造を有する上板成形体を作製し、同様に焼成して上板材を得た。
ここで、焼成して得られた板材から試験片を切り出し、レーザー干渉式熱膨張測定装置(アルバック理工社製 LIX−1)を用いて熱膨張係数を求めた。また、共振法にてこれら板材のヤング率を測定した。これらの評価結果についても表1にまとめて示した。
【0021】
【表1】
Figure 2004179353
【0022】
次に、β−ユークリプタイトと窒化珪素を表2に示す割合でポットミル混合して乾燥させ、接合材用の混合粉末を作製した。この混合粉末を無機分が30vol%となるようにエチルセルロースの15%α−テルピネオール溶液と混合し、三本ロールを用いてペースト状にした。なお、この接合材について同じ組成の焼結体を作製して板材と同様にして熱膨張係数を求めた。その結果についても表2にまとめて示した。
【0023】
【表2】
Figure 2004179353
【0024】
次に、上記底板材と上板材の接合する面に、上記接合材ペーストをスクリーンマスクを用いて厚さ30μmに印刷し500℃で脱脂した後、印刷面同士を密着して0.5g/mmの荷重をかけた。引き続き、窒素雰囲気で、表2に示した温度で熱処理し、接合材を溶融させて底板材と上板材を接合してステージ部材を得た。
【0025】
図1に本実施例で得られたステージ部材の模式的な斜視図(a)とその横断面図(b)を示した。ここで、1は低熱膨張セラミックスからなる底板材で、2は、箱蓋構造を有する底板材と同材質の上板材であり、3は、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で底板材と上板材を接合した接合部である。
【0026】
次に、以上のようにして得られたステージ部材から接合部を含む試験片を切り出して曲げ強度とヤング率を評価した結果を表3に示した。
本発明のステージ部材は、全体の熱膨張係数が小さく、また、板材と接合材との熱膨張差が著しく小さいため接合部に内部応力がほとんど残留せず、また、表3に示したように、接合部は板材の剛性を維持し、しかも板材の強度からの大幅な低下を招かない程度の大きな曲げ強度を有していることが確認された。
【0027】
【表3】
Figure 2004179353
【0028】
さらに、本発明のステージ部材は、中空構造を有しているために、中空構造でない場合と比較して約40%だけ軽量化できた。
【0029】
(実施例B)
実施例Aに示した方法と同様にして510mm×300mm×厚み10mmの底板状成形体と一端から反対の他の一端まで連通する5個の溝部(溝形状:90mm×300mm×溝深さ50mm)を有する同材質の上板成形体(外形寸法:510mm×300mm×60mm、肉厚:10mm)とを作製し、150MPaでCIP処理した。次に、窒素雰囲気において、実施例Aと同じ温度で焼成した。
【0030】
次に、上記底板材と上板材の接合する面に、実施例Aと同様にして接合材ペーストを塗布し脱脂した後、印刷面同士を密着して0.5g/mmの荷重をかけた。引き続き、窒素雰囲気で実施例Aと同じ温度で熱処理し、接合材を溶融させて底板材と上板材を接合してステージ部材を得た。
【0031】
図2に実施例Bで得られたステージ部材の模式的な横断面を示した。ここで、1は低熱膨張セラミックスからなる底板材で、4は、上板材の一端から反対の他の一端まで連通する溝部であり、5は溝部を有する上板材であり、3は、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合した接合部である。
【0032】
得られたステージ部材を実施例Aと同様にして評価した結果、ステージ部材の熱膨張係数は十分に低く、かつ、通常のセラミックスと同程度の剛性を有し、接合部の曲げ強度が高いことが確認できた。さらに、本実施例のステージ部材は、上板材の一端から反対の他端まで連通した溝部を有しているために、溝部を有しない場合と比較して約60%だけ軽量化できた。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、低い熱膨張係数を維持しつつ、通常のセラミックスと同程度の剛性を有し、接合部の曲げ強度が高いステージ部材を得ることができる。
さらには、本発明のステージ部材は、中空構造または一端から反対の他の一端まで連通した溝部を有しているために、そうでない場合と比較して大幅に軽量化できる効果がある。
また、一端から一端まで連通した溝部を有しているため、この溝部に水や空気を冷却媒体として流せば、ステージを冷却できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を模式的に示した斜視図と断面図である。
【図2】本発明の他の実施例を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
1 底板材
2 箱蓋構造を有する上板材
3 接合材で接合した接合部
4 溝部
5 溝部を有する上板材

Claims (5)

  1. 少なくとも一方が箱蓋構造を有する低熱膨張セラミックス底板材と同材質の上板材とを、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合してなることを特徴とするステージ部材。
  2. 低熱膨張セラミックス底板材と一端から一端まで連通する溝部を有する同材質の上板材とを、該板材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合材で接合してなることを特徴とするステージ部材。
  3. 前記板材および前記接合材の20〜30℃における平均の熱膨張係数が−1×10−6〜1×10−6/℃であることを特徴とする請求項1または2に記載のステージ部材。
  4. 前記板材および前記接合材を構成する複合材料が、リチウムアルミノシリケート、コーディエライト、リン酸ジルコニウムカリウムから選ばれる1種以上の材料と、炭化珪素、窒化珪素、炭化ホウ素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウムから選ばれる1種以上の材料とからなることを特徴とする請求項3に記載のステージ部材。
  5. 前記板材と前記接合材との間の、20〜30℃における平均の熱膨張係数の差が±0.1×10−6/℃以内であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載のステージ部材。
JP2002343132A 2002-11-27 2002-11-27 ステージ部材 Expired - Lifetime JP4489344B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002343132A JP4489344B2 (ja) 2002-11-27 2002-11-27 ステージ部材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002343132A JP4489344B2 (ja) 2002-11-27 2002-11-27 ステージ部材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004179353A true JP2004179353A (ja) 2004-06-24
JP4489344B2 JP4489344B2 (ja) 2010-06-23

Family

ID=32704981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002343132A Expired - Lifetime JP4489344B2 (ja) 2002-11-27 2002-11-27 ステージ部材

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4489344B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1783554A1 (en) * 2004-06-17 2007-05-09 Tohoku University Exposure equipment
JP2007246319A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Taiheiyo Cement Corp 中空構造を有するセラミックス接合体
JP2007246321A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Taiheiyo Cement Corp 中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体
JP2010515581A (ja) * 2007-01-10 2010-05-13 ヴィステック・リソグラフィー・インコーポレーテッド 器具支持構造物
JP2010111559A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Taiheiyo Cement Corp セラミックス接合体及びその製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60141667A (ja) * 1983-12-28 1985-07-26 日本碍子株式会社 セラミックハニカム構造体を接合若しくはコーティングまたは封着するためのセラミック材料組成物
JPS6126572A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 株式会社日本自動車部品総合研究所 セラミツク製品およびその製造方法
JPH1179830A (ja) * 1997-08-29 1999-03-23 Kyocera Corp 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品
JPH11142555A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Canon Inc 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2000120973A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Asahi Glass Co Ltd セラミックス管の接合方法及び接合構造
JP2001302338A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Taiheiyo Cement Corp 複合セラミックスおよびその製造方法
JP2002160972A (ja) * 2000-11-21 2002-06-04 Hitachi Chem Co Ltd 高剛性低熱膨張セラミックス及びその製造方法
JP2002167284A (ja) * 2000-11-28 2002-06-11 Kyocera Corp 接合体及びその製造方法
JP2002173365A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Kyocera Corp リチウムアルミノシリケート系セラミックス
JP2002321967A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Toray Ind Inc 低熱膨張セラミックス
JP2004059402A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Taiheiyo Cement Corp 低熱膨張セラミックス接合体

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60141667A (ja) * 1983-12-28 1985-07-26 日本碍子株式会社 セラミックハニカム構造体を接合若しくはコーティングまたは封着するためのセラミック材料組成物
JPS6126572A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 株式会社日本自動車部品総合研究所 セラミツク製品およびその製造方法
JPH1179830A (ja) * 1997-08-29 1999-03-23 Kyocera Corp 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品
JPH11142555A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Canon Inc 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2000120973A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Asahi Glass Co Ltd セラミックス管の接合方法及び接合構造
JP2001302338A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Taiheiyo Cement Corp 複合セラミックスおよびその製造方法
JP2002160972A (ja) * 2000-11-21 2002-06-04 Hitachi Chem Co Ltd 高剛性低熱膨張セラミックス及びその製造方法
JP2002167284A (ja) * 2000-11-28 2002-06-11 Kyocera Corp 接合体及びその製造方法
JP2002173365A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Kyocera Corp リチウムアルミノシリケート系セラミックス
JP2002321967A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Toray Ind Inc 低熱膨張セラミックス
JP2004059402A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Taiheiyo Cement Corp 低熱膨張セラミックス接合体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1783554A1 (en) * 2004-06-17 2007-05-09 Tohoku University Exposure equipment
EP1783554A4 (en) * 2004-06-17 2009-03-11 Univ Tohoku EXHIBITION EQUIPMENT
JP2007246319A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Taiheiyo Cement Corp 中空構造を有するセラミックス接合体
JP2007246321A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Taiheiyo Cement Corp 中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体
JP2010515581A (ja) * 2007-01-10 2010-05-13 ヴィステック・リソグラフィー・インコーポレーテッド 器具支持構造物
JP2010111559A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Taiheiyo Cement Corp セラミックス接合体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4489344B2 (ja) 2010-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6924910B2 (ja) 結合溝を備えたセラミック−アルミニウムアセンブリ
JP2001048667A (ja) セラミックス部品の接合方法
JP4460325B2 (ja) 天体望遠鏡用ミラー
JP2008007341A (ja) 低熱膨張セラミックス接合体及びその製造方法
JP4489344B2 (ja) ステージ部材
JP2004059402A (ja) 低熱膨張セラミックス接合体
JPH09283671A (ja) セラミックス−金属複合回路基板
JP4870455B2 (ja) 中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体
JP5664949B2 (ja) 金属−セラミック基板または銅−セラミック基板の製造方法および該方法で使用するための支持体
JP2003282685A (ja) 冷却プレート
JP2006232667A (ja) 低熱膨張性セラミックスおよびそれを用いた半導体製造装置用部材
JP3946132B2 (ja) 位置測定用ミラーおよびミラー用部材
JP2021506720A (ja) 流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法
JPH08245268A (ja) ガラスセラミックス積層体の焼結方法
JP3805119B2 (ja) 低熱膨張性セラミックスの製造方法
JP4088515B2 (ja) 静電チャック
JP2001068536A (ja) 露光装置およびそれに用いられる支持部材
JP2004186400A (ja) 半導体製造装置用真空チャック
JP2005035839A (ja) 低熱膨張セラミックス接合体
JP3904746B2 (ja) 半導体製造装置用部材およびその製造方法
JP2004335742A (ja) 静電チャック
JP4338994B2 (ja) 高剛性低熱膨張セラミックス部材
JP4259647B2 (ja) セラミック製焼成用治具及びその製造方法
JP4417189B2 (ja) ハニカム構造体
JP2004177587A (ja) 低熱膨張ミラーおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070925

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071121

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080708

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080905

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20081105

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090501

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100331

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4489344

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250