JP2021506720A - 流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法 - Google Patents

流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021506720A
JP2021506720A JP2020534485A JP2020534485A JP2021506720A JP 2021506720 A JP2021506720 A JP 2021506720A JP 2020534485 A JP2020534485 A JP 2020534485A JP 2020534485 A JP2020534485 A JP 2020534485A JP 2021506720 A JP2021506720 A JP 2021506720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
base material
bonded
ceramic base
flow path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020534485A
Other languages
English (en)
Inventor
チャン ウク ソル
チャン ウク ソル
Original Assignee
トカイ カーボン コリア カンパニー，リミティド
トカイ カーボン コリア カンパニー，リミティド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by トカイ カーボン コリア カンパニー，リミティド, トカイ カーボン コリア カンパニー，リミティド filed Critical トカイ カーボン コリア カンパニー，リミティド
Publication of JP2021506720A publication Critical patent/JP2021506720A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/001—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating directly with other burned ceramic articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B2037/0092—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding in which absence of adhesives is explicitly presented as an advantage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B2038/0052—Other operations not otherwise provided for
    • B32B2038/0064—Smoothing, polishing, making a glossy surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2315/00—Other materials containing non-metallic inorganic compounds not provided for in groups B32B2311/00 - B32B2313/04
    • B32B2315/02—Ceramics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/785—Submicron sized grains, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/341—Silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/345—Refractory metal oxides
    • C04B2237/348—Zirconia, hafnia, zirconates or hafnates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/365—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/368—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/52—Pre-treatment of the joining surfaces, e.g. cleaning, machining
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/62—Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/64—Forming laminates or joined articles comprising grooves or cuts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

本発明は、流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法に関し、より詳しく、第１セラミック基材と、第２セラミック基材とを含み、第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、接着層なしに接合されたものであり、第２セラミック基材に接する第１セラミック基材の接合面、第１セラミック基材に接する第２セラミック基材の接合面、又はそれら両面の全てにパターンが形成されたものであり、第１セラミック基材と第２セラミック基材の接合面に沿って形成された０．０１μｍ〜５０μｍの大きさの気孔を含む、流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法に関する。【選択図】図１

Description

本発明は、流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法に関し、より詳しく、接着層なしに接合された流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法に関する。
電子部品、バイオマテリアル、耐熱耐摩耗性の構造部品などにおいて、各種のセラミック材料は多方面で利用されている。セラミック材料を利用するとき、セラミック材料が単独で利用されることは例外的であり、セラミック材料間の接合及びセラミック材料と金属材料との接合などを介して活用される。セラミック材料間の接合及びセラミック材料と金属材料との接合は、一般に、エポキシ樹脂などからなる接着剤により行われる。
一方、エポキシ樹脂の接着強度は、２５℃の温度条件である時と比較して、８０℃の温度条件で半分以下に低下する。そのため、既存のセラミック接合は高温環境で使用し難く、接合強度が低いため高温環境で高強度を要求する応用分野において使用することが難しい。
本発明は、上述した問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、別途の接着層なしに、高温環境で高強度を有する流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法を提供することにある。
また、接合セラミックに流体が流動可能な流路を形成することで、セラミック基材に発生する熱を冷まし、これにより、本発明の接合セラミックは高温環境で使用することに適する。
しかし、本発明が解決しようとする課題は以上で言及したものなどに制限されることなく、言及されない更なる課題は、下記の記載によって当該の分野当業者にとって明確に理解できるものである。
本発明の一実施形態に係る流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックは、第１セラミック基材と、第２セラミック基材とを含み、前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材は、接着層なしに接合されているものであり、前記第２セラミック基材に接する前記第１セラミック基材の接合面、前記第１セラミック基材に接する前記第２セラミック基材の接合面、又は前記両面の全てにパターンが形成されたものであり、前記第１セラミック基材と前記第２セラミック基材の接合面に沿って形成された０．０１μｍ〜５０μｍの大きさの気孔を含むことができる。
一側面によると、前記第１セラミック基材のパターン及び前記第２セラミック基材のパターンは、それぞれホール形態、ライン形態、陰刻回路形態及び前記パターンの複合形態からなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。
一側面によると、前記パターンは、流体が流動可能な流路を形成することができる。
一側面によると、前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材にわたって位置するグレーンを含むことができる。
一側面によると、前記第１セラミック基材と前記第２セラミック基材にわたって位置するグレーンの大きさは、０．１μｍ〜１００μｍであり得る。
一側面によると、前記第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、それぞれ炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、ＺＴＡ（Ｚｉｒｃｏｎｉａ Ｔｏｕｇｈｅｎｅｄ Ａｌｕｍｉｎａ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、菫青石、ムライト及びコーディエライトからなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。
一側面によると、前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材は、同一物質であり、異種物質フリーであり得る。
一側面によると、複数のセラミック基材をさらに含み、前記複数のセラミック基材は、前記第１セラミック基材又は第２セラミック基材上に接着層なしに積層されて接合されているものであり得る。
一側面によると、前記第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、それぞれ１ｍｍ〜１００ｍｍの厚さを有することができる。
一側面によると、前記接合セラミック全体の厚さは２ｍｍ〜２００ｍｍであり得る。
一側面によると、バルク（ｂｕｌｋ）の単一セラミック基材対比７０％以上の強度を有することができる。
本発明の一実施形態に係る流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックの製造方法は、第１セラミック基材の一面及び第２セラミック基材の一面を研磨するステップと、前記研磨された第１セラミック基材の一面、前記研磨された第２セラミック基材の一面、又は前記両面の全てにパターンを形成するステップと、前記パターンを形成した第１セラミック基材の一面及び前記パターンを形成した第２セラミック基材の一面が接するように接合するステップとを含む。
一側面によると、前記接合するステップにおいて、前記第１セラミック基材のパターン及び前記第２セラミック基材のパターンに応じて、流体が流動可能な流路が形成されることができる。
一側面によると、前記接合するステップにおいて、前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材にわたって位置するグレーンが形成されることができる。
一側面によると、前記第１セラミック基材と前記第２セラミック基材にわたって形成されるグレーンの大きさは、０．１μｍ〜１００μｍであり得る。
一側面によると、前記接合するステップは、前記第１セラミック基材の溶融温度の６０％〜９０％の温度範囲と前記第２セラミック基材の溶融温度の６０％〜９０％の温度範囲の重複温度範囲内で行われ、０．１ｋｇ／ｃｍ２〜１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力条件で行われることができる。
本発明の一実施形態に係る流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックを含むアプリケーションは、請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の接合セラミック、又は請求項１２ないし請求項１６のいずれか１項に記載の接合セラミックの製造方法によって製造された接合セラミックを航空宇宙産業の反射鏡、透視窓及び半導体産業のウェハー固定用真空チャックからなる群から選択された少なくとも１つに適用するものである。
本発明に係る接合材を使用することなく素材そのもののグレーン成長によって接合されるため、強度に優れ、高温環境で使用可能であり、航空宇宙防衛産業の反射鏡、透視窓、半導体産業のウェハー固定用真空チャックからなる群から選択された少なくとも１つに適用されて用いられることができる。
また、接合セラミックに流体が流動可能な流路を形成することで、セラミック基材に発生する熱を冷まし、そのため、本発明の接合セラミックは高温環境で使用することに適する。
本発明に係る流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックを説明するための概念図である。 本発明の実施形態に係る接合セラミックのＳＥＭ画像（左側）及び本発明の実施形態に係る接合セラミックの接合面を拡大したＳＥＭ画像（右側）である。
以下、添付する図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。本発明を説明するにおいて、関連する公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にすると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。また、本明細書で使用される用語は、本発明の好適な実施形態を適切に表現するために使用される用語であって、これはユーザ、運用者の意図又は本発明が属する分野の慣例などにより変わり得る。従って、本用語に対する定義は、本明細書の全般にわたった内容に基づいて下されなければならないのであろう。各図面に提示された同一の参照符号は同一の部材を示す。
明細書全体で、ある部材が他の部材「上に」位置しているとするとき、これはある部材が他の部材に接している場合だけではなく、２つの部材間に更なる部材が存在する場合も含む。
明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは他の構成要素を除外するものではなく、他の構成要素をさらに含むことを意味する。
以下、本発明の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックについて実施形態及び図面を参照して具体的に説明する。しかし、本発明がこのような実施形態及び図面に制限されることはない。
本発明の一実施形態に係る流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックは、第１セラミック基材及び第２セラミック基材を含み、第１セラミック基材及び第２セラミック基材は接着層なしに接合されているものであり、第２セラミック基材に接する第１セラミック基材の接合面、第１セラミック基材に接する第２セラミック基材の接合面、又はそれらの両面の全てにパターンが形成されたものであり、第１セラミック基材と第２セラミック基材の接合面に沿って形成された０．０１μｍ〜５０μｍの大きさの気孔を含む。
本発明の一実施形態に係る接合セラミックは、接合面に接合境界線（境界層）が観察されず、接合面に沿って形成された気孔だけを含む。
一側面によると、パターンは、流体が流動可能な流路を形成することができる。
図１は、本発明に係る流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックを説明するための概念図である。
図１を参照すると、第１セラミック基材１００と第２セラミック基材２００は接合境界線（境界層）なしに接合面に沿って形成された気孔だけを含む。また、第１セラミック基材のパターン及び第２セラミック基材のパターンに応じて、接合面に流体が流動可能な流路５００が形成される。接合セラミックに流体が流動可能な流路５００を形成することで、セラミック基材に発生する熱を冷まし、これにより、本発明の接合セラミックは、高温環境で使用することに適している。
一側面によると、第１セラミック基材のパターン及び第２セラミック基材のパターンは、それぞれホール形態、ライン形態、陰刻回路形態、及びそれらのパターンの複合形態からなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、パターンの形態に応じて、接合面に形成される流路の形態が変わり得る。従って、様々なパターンを第１セラミック基材のパターン及び第２セラミック基材に形成することで、所望する大きさ及び形態を有する流路を形成することができる。
一側面によれば、第１セラミック基材及び第２セラミック基材にわたって位置するグレーンを含むことができる。
本発明に係る接合セラミックは、接合材を使用しない接着層フリー接合セラミックであり、セラミック素材そのもののグレーン成長によって２つのセラミック基材にわたって位置するグレーンが形成される。そのため、本発明に係る接合セラミックは、強度に優れ、高温環境で使用可能である。
一側面によれば、第１セラミック基材と第２セラミック基材にわたって位置するグレーンの大きさは、０．１μｍ〜１００μｍである。
第１セラミック基材と第２セラミック基材は、接合される前にそれぞれの接合面にグレーンを形成している。それぞれの接合面のグレーンの大きさが極めて小さいか、極めて大きい場合、２つのセラミック基材にわたって位置するグレーンが形成されない問題が生じる可能性がある。従って、最終的に生成される第１セラミック基材と第２セラミック基材にわたって位置するグレーンの大きさは、０．１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
一側面によれば、第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、それぞれ炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、ＺＴＡ（Ｚｉｒｃｏｎｉａ Ｔｏｕｇｈｅｎｅｄ Ａｌｕｍｉｎａ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、菫青石、ムライト及びコーディエライトからなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。但し、これらに限定されることはない。
一側面によれば、第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、同一物質であり、異種物質フリーであってもよい。即ち、異種物質を使用せず、本発明の一実施形態に係る接合セラミック素材を機器分析する場合に異種物質が検出されない。
一側面によれば、複数のセラミック基材をさらに含み、それら複数のセラミック基材は、第１セラミック基材又は第２セラミック基材上に接着層なしに積層されて接合されたものであり得る。
このような積層は上述したものと同様に、グレーンの成長によって行われ、複数のセラミック基材のグレーンがそれぞれの境界面にわたって位置するグレーンによって接合される。
一側面によれば、第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、それぞれ１ｍｍ〜１００ｍｍの厚さを有する。
一側面によれば、接合セラミック全体の厚さは２ｍｍ〜２００ｍｍであってもよい。
一側面によれば、バルク（ｂｕｌｋ）の単一セラミック基材対比７０％以上の強度を有してもよい。
セラミック基材は、種類に応じて最適な厚さがあり、厚さが薄いか厚ければ、セラミック基材の強度が大きく低下し、壊れやすいという問題が生じる可能性がある。しかし、本発明に係る接合セラミックは、複数のセラミック基材を接合層なしに接合することで、接合セラミック全体の厚さを自由に調節することができ、バルク（ｂｕｌｋ）の単一セラミック基材対比７０％以上の強度を有することができる。
本発明の一実施形態に係る流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックの製造方法は、第１セラミック基材の一面及び第２セラミック基材の一面を研磨するステップと、研磨された第１セラミック基材の一面、研磨された第２セラミック基材の一面、又はそれら両面の全てにパターンを形成するステップと、パターンを形成した第１セラミック基材の一面及びパターンを形成した第２セラミック基材の一面が接するように接合するステップとを含む。
一側面によると、接合するステップにおいて、第１セラミック基材のパターン及び第２セラミック基材のパターンに応じて、流体が流動可能な流路が形成されることができる。第１セラミック基材のパターン及び第２セラミック基材のパターンに応じて、流体が流動可能な流路が形成され、流路の大きさ及び形態は、パターンの大きさ及び形態に応じて決定される。
一側面によれば、接合するステップにおいて、第１セラミック基材及び第２セラミック基材にわたって位置するグレーンが形成される。
一側面によれば、第１セラミック基材と第２セラミック基材にわたって形成されるグレーンの大きさは、０．１μｍ〜１００μｍであってもよい。
本発明に係る接合セラミックの製造方法は、接合材を使用しない接着層フリー接合セラミックの製造方法である。より詳しくは、セラミック素材それぞれの一面に存在するグレーンを、可能であれば屈曲することなく研磨した後、研磨された一面を接合する方式に基づいて、２つのセラミック基材の研磨されたグレーン成長により２つのセラミック基材にわたって位置するグレーンが形成される。これにより、強度に優れ、高温環境で使用可能な接合セラミックを実現することができる。
一側面によれば、接合するステップは、第１セラミック基材の溶融温度の６０％〜９０％の温度範囲と第２セラミック基材の溶融温度の６０％〜９０％の温度範囲の重複温度範囲内で行われ、０．１ｋｇ／ｃｍ２ないし１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力条件で行われる。
温度の選択は各素材の溶融温度に比例し、溶融温度の６０％〜９０％が接合する。溶融温度の９０％を超過する温度条件で記接合するステップを行う場合、素材の深刻な変形又は溶融が発生する問題が生じ、６０％未満の温度条件で行う場合は、十分に拡散されず、接合し難いという問題が生じる可能性がある。
一例として、第１セラミック基材の溶融温度が１００℃であり、第２セラミック基材の溶融温度が１２０℃である場合、７２℃〜９０℃の温度範囲内で接合するステップを行うことができる。
更なる一例として、第１セラミック基材及び第２セラミック基材が炭化ケイ素である場合、７００℃〜２５００℃の温度範囲内で、より好ましくは、１７００℃〜２３００℃の温度範囲内で接合するステップを行う。
一方、１００ｋｇ／ｃｍ２を超過する荷重条件で接合するステップが行われる場合、素材の深刻な変形が発生する可能性があり、０．１ｋｇ／ｃｍ２未満の荷重条件では十分に拡散されず、接合し難いという問題が生じる可能性がある。
本発明の一実施形態に係る接合セラミック又は本発明の一実施形態に係る接合セラミックの製造方法によって製造された接合セラミックは、航空宇宙産業の反射鏡、透視窓及び半導体産業のウェハー固定用真空チャックからなる群から選択された少なくとも１つに適用され得る。
特に、航空宇宙産業の反射鏡として、本発明の接合セラミックを使用することができる。航空宇宙産業で使用されるアプリケーションに適用されるセラミック基材は、苛酷な環境条件の内で強度が保持されなければならない。上述したように本発明の接合セラミックは、接合材を使用せず、素材自体のグレーン成長によって接合された接合セラミックであるため、強度に優れ、高温環境で使用可能である。また、セラミック基材の内部に形成された流路を介して冷却水を流してセラミック基材の熱を冷ますことができる。即ち、航空宇宙産業の反射鏡として、本発明の接合セラミックを使用することがとても好ましい。
以下、実施例及び比較例によって本発明をより詳しく説明する。但し、下記の実施例は本発明を例示するためのものであって、本発明の内容が下記の実施例に限定されることはない。
実施例
グレーンの大きさが約１０μｍであり、厚さが２ｍｍである炭化ケイ素２枚の接合面を研磨し、研磨面にパターンを形成した。
研磨面が向かい合うように積層し、２０００℃の温度と１０ｋｇ／ｃｍ２の荷重で１０時間維持した。
比較例
グレーンの大きさが３ｍｍであり、厚さが２ｍｍである炭化ケイ素２枚の接合面を研磨し、研磨面にパターンを形成した。
研磨面が向かい合うように積層し、２０００℃の温度と１０ｋｇ／ｃｍ２の荷重で１０時間維持した。
図２は、本発明の実施例に係る接合セラミックのＳＥＭ画像（左側）及び本発明の実施例に係る接合セラミックの接合面を拡大したＳＥＭ画像（右側）である。
図２を参照すると、接合された第１炭化ケイ素基材１００及び第２炭化ケイ素基材２００の間に流路５００が形成されていることが分り、接合境界線（境界層）なしに接合されていることが分かる。また、接合面を拡大したＳＥＭ画像（右側）を参照すると、実施例において製造された接合セラミックは、第１炭化ケイ素基材１００及び第２炭化ケイ素基材２００にわたって位置するグレーン３００を含んでいることが分かり、接合境界線（境界層）なしに４００だけが観察されることが分かる。これは、接着材を使用することなく、第１炭化ケイ素１００の基材と第２炭化ケイ素２００の基材が接合されたことを意味する。
一方、比較例において製造された接合セラミックは接合が全く行われていないことを確認した。これは、グレーンの大きさが大き過ぎて拡散が行われないことを意味する。
表１は、本発明の実施例に係る接合セラミック及び接合を行っていないバルク（ｂｕｌｋ）の単一炭化ケイ素基材の強度を示した表である。
Figure 2021506720
表１を参照すると、本発明の実施形態により炭化ケイ素基材を接合した接合素材は、バルク（ｂｕｌｋ）の単一セラミック基材と比較して、７０％以上の強度を有することが分かる。
また、ＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を介して、本発明の実施形態に係る接合セラミックを分析する場合、選択領域である接合面でケイ素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）の他に異種の物質がないことが確認され、これは接着剤なしに２つの炭化ケイ素基材が接合されていることを意味する。
上述したように実施例が、限定された実施例と図面によって説明されたが、当技術分野で通常の知識を有する者であれば、上記の記載から様々な修正及び変形が可能である。例えば、説明された技術が説明された方法と異なる順に実行されたり、及び／又は説明された構成要素が説明された方法と異なる形態に結合又は組み合せわせられたり、他の構成要素又は均等物によって代替、置換されても適切な結果が達成されることができる。従って、本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されて定められるものではなく、特許請求の範囲及び特許請求の範囲と均等なものなどによって定められるものである。

Claims (17)

  1. 第１セラミック基材と、
    第２セラミック基材と、を含み、
    前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材は、接着層なしに接合されたものであり、
    前記第２セラミック基材に接する前記第１セラミック基材の接合面、前記第１セラミック基材に接する前記第２セラミック基材の接合面、又は前記両面の全てにパターンが形成されたものであり、
    前記第１セラミック基材と前記第２セラミック基材の接合面に沿って形成された０．０１μｍ〜５０μｍの大きさの気孔を含む、
    流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  2. 前記第１セラミック基材のパターン及び前記第２セラミック基材のパターンは、それぞれホール形態、ライン形態、陰刻回路形態、及び前記パターンの複合形態からなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  3. 前記パターンは、流体が流動可能な流路を形成する、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  4. 前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材にわたって位置するグレーンを含む、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  5. 前記第１セラミック基材と前記第２セラミック基材にわたって位置するグレーンの大きさは、０．１μｍ〜１００μｍである、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  6. 前記第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、それぞれ炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、ＺＴＡ（Ｚｉｒｃｏｎｉａ Ｔｏｕｇｈｅｎｅｄ Ａｌｕｍｉｎａ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、菫青石、ムライト及びコーディエライトからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  7. 前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材は、同一物質であり、
    異種物質フリーである、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  8. 複数のセラミック基材をさらに含み、
    前記複数のセラミック基材は、前記第１セラミック基材又は第２セラミック基材上に接着層なしに積層されて接合されたものである、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  9. 前記第１セラミック基材及び第２セラミック基材は、それぞれ１ｍｍ〜１００ｍｍの厚さを有する、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  10. 前記接合セラミック全体の厚さは２ｍｍ〜２００ｍｍである、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  11. バルク（ｂｕｌｋ）の単一セラミック基材対比７０％以上の強度を有する、請求項１に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック。
  12. 第１セラミック基材の一面及び第２セラミック基材の一面を研磨するステップと、
    前記研磨された第１セラミック基材の一面、前記研磨された第２セラミック基材の一面、又は前記両面の全てにパターンを形成するステップと、
    前記パターンを形成した第１セラミック基材の一面及び前記パターンを形成した第２セラミック基材の一面に接するように接合するステップと、
    を含む流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックの製造方法。
  13. 前記接合するステップにおいて、前記第１セラミック基材のパターン及び前記第２セラミック基材のパターンに応じて、流体が流動可能な流路が形成される、請求項１２に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックの製造方法。
  14. 前記接合するステップにおいて、前記第１セラミック基材及び前記第２セラミック基材にわたって位置するグレーンが形成される、請求項１２に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックの製造方法。
  15. 前記第１セラミック基材と前記第２セラミック基材にわたって形成されるグレーンの大きさは、０．１μｍ〜１００μｍである、請求項１３に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックの製造方法。
  16. 前記接合するステップは、
    前記第１セラミック基材の溶融温度の６０％〜９０％の温度範囲と前記第２セラミック基材の溶融温度の６０％〜９０％の温度範囲の重複温度範囲内で行われ、
    ０．１ｋｇ／ｃｍ２〜１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力条件で行われる、請求項１２に記載の流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックの製造方法。
  17. 請求項１に記載の接合セラミック、又は請求項１２に記載の接合セラミックの製造方法によって製造された接合セラミックは、
    航空宇宙産業の反射鏡、透視窓及び半導体産業のウェハー固定用真空チャックからなる群から選択された少なくとも１つに適用される、流体が流動可能な流路が形成された接合セラミックを含む部品。
JP2020534485A 2017-12-19 2018-11-23 流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法 Pending JP2021506720A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0174972 2017-12-19
KR1020170174972A KR102069422B1 (ko) 2017-12-19 2017-12-19 유체 흐름이 가능한 유로가 형성된 접합 세라믹 및 이의 제조방법
PCT/KR2018/014502 WO2019124779A1 (ko) 2017-12-19 2018-11-23 유체 흐름이 가능한 유로가 형성된 접합 세라믹 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021506720A true JP2021506720A (ja) 2021-02-22

Family

ID=66993616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020534485A Pending JP2021506720A (ja) 2017-12-19 2018-11-23 流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200317586A1 (ja)
JP (1) JP2021506720A (ja)
KR (1) KR102069422B1 (ja)
CN (1) CN111433170A (ja)
WO (1) WO2019124779A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021141057A1 (ja) * 2020-01-10 2021-07-15 京セラ株式会社 セラミック接合体およびその製造方法ならびに液体クロマトグラフィー用混合部材
JP7325543B2 (ja) * 2020-01-10 2023-08-14 京セラ株式会社 セラミック接合体、セラミック接合体の製造方法、流路切替弁用ステータおよび流路切替弁

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3338593B2 (ja) * 1995-09-19 2002-10-28 日本碍子株式会社 半導体処理装置およびその製造方法
US20040094871A1 (en) * 2001-04-12 2004-05-20 Yasutaka Ito Ceramic bonded body and its producing method, and ceramic structure for semiconductor wafer
JP2006083057A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Esk Ceramics Gmbh & Co Kg セラミック構成要素を低変形拡散溶接するための方法
JP2010111559A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Taiheiyo Cement Corp セラミックス接合体及びその製造方法
JP2014009114A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Taiheiyo Cement Corp ＳｉＣ焼結体の接合方法及びＳｉＣ接合体
JP2015224152A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素セラミックの接合方法
JP2016503387A (ja) * 2012-11-26 2016-02-04 コーニング インコーポレイテッド ジルコン基板を結合させる方法
US20170226019A1 (en) * 2014-05-21 2017-08-10 Ceramtec-Etec Gmbh Ceramics wringing

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001261458A (ja) * 2000-03-16 2001-09-26 Toshiba Ceramics Co Ltd 炭化珪素接合体および炭化珪素接合体の製造方法
JP2002104884A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Ibiden Co Ltd セラミック部材の製造方法、ウェハ研磨装置用テーブルの製造方法
JP2016069207A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 京セラ株式会社 セラミック流路体およびこれを備える熱交換器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3338593B2 (ja) * 1995-09-19 2002-10-28 日本碍子株式会社 半導体処理装置およびその製造方法
US20040094871A1 (en) * 2001-04-12 2004-05-20 Yasutaka Ito Ceramic bonded body and its producing method, and ceramic structure for semiconductor wafer
JP2006083057A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Esk Ceramics Gmbh & Co Kg セラミック構成要素を低変形拡散溶接するための方法
JP2010111559A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Taiheiyo Cement Corp セラミックス接合体及びその製造方法
JP2014009114A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Taiheiyo Cement Corp ＳｉＣ焼結体の接合方法及びＳｉＣ接合体
JP2016503387A (ja) * 2012-11-26 2016-02-04 コーニング インコーポレイテッド ジルコン基板を結合させる方法
US20170226019A1 (en) * 2014-05-21 2017-08-10 Ceramtec-Etec Gmbh Ceramics wringing
JP2015224152A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素セラミックの接合方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019124779A1 (ko) 2019-06-27
KR20190073806A (ko) 2019-06-27
KR102069422B1 (ko) 2020-01-22
CN111433170A (zh) 2020-07-17
US20200317586A1 (en) 2020-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5229780B2 (ja) 基板載置台
JP7010592B2 (ja) 半導体素子用放熱部品
JP2011091297A5 (ja)
JP2021506720A (ja) 流体が流動可能な流路が形成された接合セラミック及びその製造方法
WO2015064430A1 (ja) 積層体、絶縁性冷却板、パワーモジュールおよび積層体の製造方法
US11780781B2 (en) Bonding dissimilar ceramic components
JP2008044009A (ja) 熱膨張係数が異なる部材の接合方法
JP2021185123A (ja) 結合溝を備えたセラミック−アルミニウムアセンブリ
JP2001048667A (ja) セラミックス部品の接合方法
JP2021506719A (ja) 接合セラミック及びその製造方法
JP6621736B2 (ja) アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びこれを用いた放熱部品
TW201936551A (zh) 燒成用承燒板
JP2012501851A5 (ja)
WO2019188915A1 (ja) 異方性グラファイト、異方性グラファイト複合体及びその製造方法
US20190359530A1 (en) Manufacturing method of ceramic electrostatic chuck
JP3193034B2 (ja) 真空ピンセット
JP2004179353A (ja) ステージ部材
JP2003188240A (ja) ウエハー保持装置
JP2004083366A (ja) 窒化アルミニウムセラミックス接合体及びその製造方法
JP2006347653A (ja) ディスプレー用ガラス基板吸着装置
WO2024004555A1 (ja) グラファイト複合体、およびグラファイト複合体の製造方法
JP2021172542A (ja) ＳｉＣ被覆黒鉛部材の接合体及びその製造方法
KR20130097085A (ko) 세라믹스 접합체의 제조방법
JPH06128046A (ja) 非酸化物セラミックス接合体及び接合方法
JP2003201180A (ja) 加熱圧着用Ｓｉ３Ｎ４基セラミック部材

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200818

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200818

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200818

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20201223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210405

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210622

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211021

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20211021

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20211119

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20211124

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20220107

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20220118

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220614

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220809

C13 Notice of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13

Effective date: 20220920

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20221004

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20230328