JP2004115455A5 - - Google Patents
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Description
【0002】
【従来の技術】
オレフィン類のエポキシ化方法として、従来、(1)硫酸などの酸性触媒および硫酸ナトリウムなどの塩類の存在下、酢酸などのカルボン酸および過酸化水素によりエポキシ化する方法(特許文献1参照)、(2)メチルレニウムトリオキサイドを触媒として過酸化水素によりエポキシ化する方法(非特許文献1参照)、(3)チタノシリケートおよび過酸化水素を用いてエポキシ化する方法(非特許文献2参照)、
【従来の技術】
オレフィン類のエポキシ化方法として、従来、(1)硫酸などの酸性触媒および硫酸ナトリウムなどの塩類の存在下、酢酸などのカルボン酸および過酸化水素によりエポキシ化する方法(特許文献1参照)、(2)メチルレニウムトリオキサイドを触媒として過酸化水素によりエポキシ化する方法(非特許文献1参照)、(3)チタノシリケートおよび過酸化水素を用いてエポキシ化する方法(非特許文献2参照)、
(4)第4級アンモニウムイオンとリンなどの周期律表第V族元素およびタングステンのヘテロポリ酸イオンの塩から誘導されるタングステンのオキソ錯体を調製し、該タングステンのオキソ錯体を調製系から単離して触媒として用い、過酸化水素でエポキシ化する方法(特許文献2参照)、(5)式Q3 XW4 O24(式中、Qは70個までの炭素原子を含む4級アンモニウムカチオンを表し、XはPまたはAsを表す)で示される触媒およびジオレフィンを含む有機相と過酸化水素を含む水相とを反応させてエポキシ化する方法(特許文献3参照)、(6)反応系にオレフィン、過酸化水素、タングステン酸などの第一触媒成分、リン酸などの第二触媒成分およびオニウム塩を一括して仕込み、オレフィンを有する有機相と過酸化水素を有する酸性水相からなる二相系においてエポキシ化する方法(特許文献4参照)、(7)タングステン酸、リン酸および過酸化水素が溶解した水相と、脂環式オレフィンおよびオニウム塩が溶解した水不溶性溶媒相からなる不均一系でエポキシ化する方法(特許文献5参照)、(8)1,5,9−シクロドデカトリエンおよび第3級アミンまたはその塩を含む有機相とタングステン原子を含むヘテロポリ酸などの触媒および過酸化水素を含む水相の二相系でエポキシ化する方法(特許文献6参照)が知られている。
[式中、mおよびnは1〜4の整数を表し、R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、ニトロ基、アルコキシ基、カルボニル基、エステル基またはカルボキシル基もしくはその塩を表し、これらの内のいずれか複数個はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環状構造を形成していてもよい。]
【0014】
【発明の実施の形態】
上記一般式において、R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8が表すハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8が表すアルキル基としては、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、セチル基、ステアリル基などの直鎖状アルキル基;シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基などが挙げられる。これらのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基;ニトロ基;カルボキシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのエステル基などが挙げられる。
【発明の実施の形態】
上記一般式において、R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8が表すハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8が表すアルキル基としては、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、セチル基、ステアリル基などの直鎖状アルキル基;シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基などが挙げられる。これらのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基;ニトロ基;カルボキシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのエステル基などが挙げられる。
R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8が表すアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。これらのアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基;ニトロ基;カルボキシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基;アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基;アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基などのエステル基などが挙げられる。
R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8が表すアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられ、またエステル基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR8が表すカルボキシル基の塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩を挙げることができる。
上記のmおよびnが2〜4の整数を表す場合、複数のR 3 、R 4 、R 7 およびR 8 はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
Claims (1)
- 一般式(I)
で示される環状オレフィンおよび第4級アンモニウム塩を含む有機相とタングステン化合物およびリン酸類を含む水相からなる二相系溶液に、過酸化水素を添加することを特徴とする環状オレフィンのエポキシ化方法。
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JP2002282715A JP4118642B2 (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 環状オレフィンのエポキシ化方法 |
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JP2002282715A JP4118642B2 (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 環状オレフィンのエポキシ化方法 |
Publications (3)
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JP2004115455A JP2004115455A (ja) | 2004-04-15 |
JP2004115455A5 true JP2004115455A5 (ja) | 2005-06-16 |
JP4118642B2 JP4118642B2 (ja) | 2008-07-16 |
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Family Applications (1)
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CN103003254B (zh) | 2010-07-14 | 2015-08-19 | 昭和电工株式会社 | 环氧化合物的制造方法 |
JP2012025688A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | エポキシ化合物の製造方法 |
US9045446B2 (en) | 2012-07-05 | 2015-06-02 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Method for producing epoxy compound |
CN116143727B (zh) * | 2023-02-09 | 2024-05-07 | 浙江皇马科技股份有限公司 | 一种甲基环氧氯丙烷的精制方法 |
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2002
- 2002-09-27 JP JP2002282715A patent/JP4118642B2/ja not_active Expired - Fee Related
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