JP2004095730A - 半導体装置、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の半導体チップと、第1の半導体チップがフリップチップ接続され、フリップチップ接続された第1の半導体チップの一辺に沿うように窪みが形成されている基板と、基板上の窪みを挟んで第1の半導体チップに対向する基板上の位置にフリップチップ接続された第2の半導体チップと、基板と第1および第2の半導体チップとの間隙に設けられた樹脂とを具備する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に複数の半導体チップがフリップチップ接続された半導体装置および半導体装置の製造方法に係り、特に、歩留まり向上に好適な半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置(半導体デバイス)を使用した電子機器、通信機器の小型化、高機能化に伴い半導体装置自体も小型化が求められている。半導体装置を小型化するひとつの構造に、複数の半導体チップをひとつの配線基板上に間隔を詰めてフリップチップ接続するものがある。
【0003】
図8にこのような半導体装置を製造するためのプロセス例を示す。同図は、半導体装置を製造する従来プロセスを横方向からの視線で説明する図である。
【0004】
まず、図8(a)に示すように、半導体チップ102a、102bの外部接続用パッド(図示せず)が設けられた面のそのパッド上に半田バンプ103a、103bをあらかじめ形設しておき、配線基板101上のフリップチップ接続面には硬化前の封止樹脂(アンダーフィル樹脂)104を例えばディスペンサにより適用しておく。ここで配線基板101のフリップチップ接続面には、フリップチップ接続用の導電体であるランド(図示せず)がパターニング形成されている。
【0005】
そして、半導体チップ102a、102bと配線基板101とをz方向に離間して、配線基板101に対する半導体チップ102a、102bの位置(x位置、y位置、z軸回りの回転位置)合わせを行なう。
【0006】
次に、図8(b)に示すように、例えばフリップチップボンダにより、半導体チップ102a、102bを配線基板101方向(z方向)に近づけて圧力を加え、半田バンプ103a、103bが配線基板101上のランドに接触するように設定・配置する。これにより、半導体チップ102a、102bを封止樹脂104の粘着力で配線基板101上に仮固定する。
【0007】
このとき、硬化前の封止樹脂104は、半導体チップ102aおよび半導体チップ102bと配線基板101との隙間を充填しかつこれらの隙間から配線基板101上を広がるようにはみ出す。このような充填部分とはみ出し部分(フィレットという。)とにより、フリップチップ接続部への確実な大気の遮断と十分な強度の機械的構造とを得ることを意図する。
【0008】
次に、図8(c)に示すように、半導体チップ102a、102bが仮固定された配線基板101を加熱し、半田バンプ103a、103bを溶融して半導体チップ102a、102bと配線基板101との機械的・電気的な接続を確立し、かつ封止樹脂104の硬化を行なう。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、半導体チップ102aと半導体チップ102bとの間隔は、半導体装置の小型化という意味では狭いほど好ましい。しかしながら、この間隔をより狭くする設計では半導体装置としての歩留まりが低下することが判明した。原因を解析したところ、図8(b)に示す段階で、配線基板101との間隙からはみ出した封止樹脂104のうち半導体チップ102aと半導体チップ102bとの間に位置するものが折り重なる結果、半導体チップ102aと半導体チップ102bとの間隔が広げられる方向に力が生じそれらの位置が所期位置からずらされてしまうことが主要因とわかった。
【0010】
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、基板上に複数の半導体チップがフリップチップ接続された半導体装置および半導体装置の製造方法において、歩留まりを向上することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様に係る半導体装置は、第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップがフリップチップ接続され、前記フリップチップ接続された第1の半導体チップの一辺に沿うように窪みが形成されている基板と、前記基板上の前記窪みを挟んで前記第1の半導体チップに対向する前記基板上の位置にフリップチップ接続された第2の半導体チップと、前記基板と前記第1および第2の半導体チップとの間隙に設けられた樹脂とを具備することを特徴とする。
【0012】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップがフリップチップ接続されるべき基板の面上の第1の領域と第2の領域との間に窪みを形成する工程と、前記窪みを避けて前記基板の面上の前記第1および第2の領域に樹脂を供給する工程と、前記樹脂を前記基板との間に挟むように前記基板の面上の前記第1および第2の領域それぞれに半導体チップをフリップチップ接続する工程とを具備することを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明たる半導体装置の実施形態では、基板上にフリップチップ接続された第1の半導体チップと第2の半導体チップとが形成する間隙に近接する基板上に窪みが形成されている。したがって、この部位にはみ出す樹脂は、窪みにも入り込み実効的な樹脂充填率が低下する。よって、必要なフィレットが半導体チップの対向辺以外の回りに形成されるように基板上に樹脂を適用しても、半導体チップ同士間の間隙には実質的に超過な量の樹脂が充填されなくなる。これにより、半導体チップの基板に対する位置ずれは大きく抑制され歩留まりが向上した半導体装置を得ることができる。
【0014】
実施態様としては、前記基板の前記窪みは、前記第1の半導体チップの一辺(前記対向辺)に沿って溝状に設けられている。溝状にすることにより、超過な樹脂を落とし込む体積をより容易に確保できる。
【0015】
また、実施態様としては、前記基板の前記窪みは、前記第1の半導体チップの前記一辺に沿って列設された複数の穴である。複数の穴にすることにより、基板としての配線領域をより確保しやすくなる。
【0016】
また、実施態様として、前記基板の前記窪みの平面図形は、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間隙を上から見た前記基板上の正射影面の中に収まる。半導体チップ同士の間隙に近接する基板上の部位に形状の整ったフィレットを形成するためである。
【0017】
また、実施態様として、前記樹脂は、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間隙を上から見た前記基板上の正射影面を底面とし、前記基板の前記フリップチップ接続がなされた面から前記第1および第2の半導体チップの背面のうち前記基板から低く位置する方の背面までの距離を高さとする空間領域において、充填率が60%以下である。実験によると、充填率を60%以下とすることにより半導体チップのフリップチップ接続位置ずれは、ほとんど発生しない。窪みの存在によりこのような態様が容易に実現する。
【0018】
また、実施態様として、前記基板と前記第1および前記第2の半導体チップとの間隙に設けられた前記樹脂が前記間隙からはみ出して形成されるフィレットであって前記窪みに沿う前記第1または第2の半導体チップの辺と同一長さの他の辺に沿って形成されるものの体積Fと、前記窪みの容積Aと、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間隙を上から見た前記基板上の正射影面を底面とし、前記基板の前記フリップチップ接続がなされた面から前記第1および第2の半導体チップの背面のうち前記基板から低く位置する方の背面までの距離を高さとする空間領域の体積Vとの関係が、2F−A≦0.6Vである。これにより、体積Fのフィレットは、容積Aの分だけ十分な体積で形成することができる。よって、信頼性向上になる。
【0019】
また、実施態様として、前記体積Fと体積Vとの関係が、2F>0.6Vである。上記の2F−A≦0.6Vである場合には、このようなときも含まれる。
【0020】
また、実施態様として、前記基板は、半導体を素材とする。半導体を素材とする基板では、配線の形成プロセスに半導体製造プロセスを用いることができるので、より微細な配線形成が必要な場合に向いている。
【0021】
また、実施態様として、前記基板は、樹脂を素材とする。樹脂を素材とする基板は最も一般的であり低コスト化に向く。
【0022】
また、実施態様として、前記基板は、前記窪みの底面下に配線を有する。窪みの底面下に配線を有することにより、半導体チップ間を接続する配線を設けることができ、フリップチップ接続する半導体チップ同士の有機的組み合わせに融通性を持たせることができ、半導体装置として付加価値を増大する。
【0023】
また、実施態様として、前記基板は、その面上に、前記列設された複数の穴の間を通過する配線を有する。この場合にも、半導体チップ間を接続する配線を設けることができ、フリップチップ接続する半導体チップ同士の有機的組み合わせに融通性を持たせることができ、半導体装置として付加価値を増大する。
【0024】
また、実施態様として、前記第1および第2の半導体チップは、半田を用いて前記基板にフリップチップ接続されている。半田を用いることにより、より容易にフリップチップ接続を有する半導体装置を製造できる。
【0025】
また、実施態様として、前記基板は、前記第1および第2の半導体チップがフリップチップ接続された面とこの面とは反対側の面との電気的接続を行なう縦方向の導電体と、前記反対側の面に設けられ、前記導電体に電気的に導通する外部接続端子とを有する。反対側の面に設けられた外部接続端子により、BGA(ball grid array)やLGA(land grid array)のような高密度配置の端子を有する半導体装置を得ることができる。
【0026】
また、実施態様として、前記第1の半導体チップおよび/または前記第2の半導体チップは、メモリチップである。小型化が求められる半導体装置として典型的な例である。両方ともメモリチップとしてメモリ容量を増すことや、一方をロジックチップとして付加価値を増すことなどができる。
【0027】
また、本発明たる半導体装置の製造方法の実施形態では、半導体チップがフリップチップ接続されるべき基板の面上の第1の領域と第2の領域との間に窪みを形成し、この形成された窪みを避けて基板の面上に樹脂を供給し、この供給された樹脂を前記基板との間に挟むように基板の面上に複数の半導体チップをフリップチップ接続する。
【0028】
フリップチップ接続により樹脂が基板との間からはみ出し、複数の半導体チップ同士の間にも樹脂が満たされるが、あらかじめ基板に窪みが形成されているので、この窪みに樹脂を落とし込むことができる。よって、必要なフィレットが半導体チップ同士の対向辺以外の回りに形成されるように基板上に樹脂を供給しても、半導体チップ同士間の間隙には実質的に超過な量の樹脂が充填されなくなる。これにより、半導体チップの基板に対する位置ずれは大きく抑制されるので歩留まり向上の可能な半導体装置の製造方法を提供できる。
【0029】
ここで、実施態様としては、半導体チップがフリップチップ接続されるべき基板の面上の第1の領域と第2の領域との間に窪みを形成する前記工程は、前記基板として半導体基板を用いこの半導体基板をエッチングして形成する。半導体基板のエッチングによれば、半導体製造プロセスを適用することができ容易に窪みを形成することができる。
【0030】
また、実施態様として、半導体チップがフリップチップ接続されるべき基板の面上の第1の領域と第2の領域との間に窪みを形成する前記工程は、前記窪みとして直線的な溝または直線的に複数列設された穴を形成する。溝にすることにより、超過な樹脂を落とし込む体積をより容易に確保できる。複数の穴にすることにより、基板としての配線領域をより確保しやすくなる。
【0031】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。まず、隣接して実装される半導体チップ同士間の間隙の樹脂充填率と半導体チップの実装位置ずれとの関係について述べておく。
【0032】
図7は、隣接して実装される半導体チップ同士間の間隙の樹脂充填率を振ったときの、半導体チップ実装位置ずれを測定した結果を示すグラフである。ここで樹脂充填率とは、一方の半導体チップAと他方の半導体チップBとの間隙を上から見た配線基板上の正射影面を底面とし、この配線基板のフリップチップ接続がなされた面から両半導体チップA、Bの背面のうち配線基板から低く位置する方の背面までの距離を高さとする空間領域における、樹脂の占める割合である。
【0033】
図7(a)は、両半導体チップA、Bのx方向の位置ずれを測定した結果を示し、図7(b)は、同じくy方向の位置ずれを測定した結果を示す。ここで用いた半導体チップA、Bは18.75mm×4.55mmの大きさであり、長辺同士を隣接して、名目的な間隔を0.5mmとして実装した場合である。図7に示すように、樹脂充填率が60%以下程度であれば位置ずれは小さいが、これを超えると急激に位置ずれが大きくなる。このようなオーダーの位置ずれの発生は、特にフリップチップ接続端子が狭ピッチである場合に大きな歩留まり低下要因になる。
【0034】
この結果からは、したがって、半導体チップA、Bの間隔をより狭くする設計では上記樹脂充填率があまり大きくならないように、配線基板上に適用する硬化前の封止樹脂(アンダーフィル樹脂)の量を少なくすることが考えられる。しかしながら、この量を少なくすると、半導体チップAと同Bとの対向部以外の辺に形成されるフィレットの形状が十分なものではなくなり信頼性に難が生じる。
【0035】
そこで、図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を断面で示す模式図である。図1(a)から(e)に向かってプロセスが進行する。これらの図において同一相当部位には同一符号を付してある。
【0036】
まず、図1(a)に示すように、必要な縦方向導電体12と配線パターン13とが形成されている配線基板11(厚さは例えば数百μm)を用意する。配線パターン13は、半導体チップがフリップチップ接続されるためのランドを含むものとする。縦方向導電体12が接続されるべき配線基板11の図で下側の面にも配線パターンが存在するが図示省略している。
【0037】
配線基板11には、樹脂、セラミックス、半導体(例えばシリコン)など素材として用いることができる。例えばシリコンを素材とする場合の縦方向導電体12と配線パターン13の形成方法を概略説明すると、以下のようである。まず、縦方向導電体12を形成すべき部位に選択的にRIE(reactive ion etching)法のようなエッチングを適用して穴(非貫通孔)を形成する。次に、この非貫通孔内壁面上および基板片面上に絶縁膜を形成しさらにその上にバリアメタル層を形成する。
【0038】
次に、バリアメタル層上に例えば銅のシード層を形成し、このシード層を種として電解めっきにより上記穴内を銅で満たすようにして基板片面上に銅層を成長させる。次に、基板上の銅層およびバリアメタル層を例えばCMP(chemical mechanical polishing)法により削り取る。次に、基板上にパターニングされたマスクを形成し、このマスクを用いて、同様にバリアメタル層の形成、シード層の形成、電解めっき処理、CMP処理を行ない、配線パターンを形成する。さらに、裏面から基板を研削して、上記穴内に形成された銅の底部を基板裏面に露出させる。
【0039】
配線パターン13および縦方向導電体12の形成において、配線基板11として半導体を用いる場合には、このように半導体製造プロセスを応用することができ、より微細なパターンを形成することができる。これにより、狭端子ピッチを有する半導体チップのフリップチップ接続用基板として好適である。
【0040】
必要な縦方向導電体12と配線パターン13とが形成されている配線基板11が用意されたら、次に、図1(b)に示すように、窪みとしての溝14を配線基板11上に形成する。溝14の形成には、配線基板11の素材に応じて、周知の各種の加工技術を利用することができる。例えば、レーザー加工、化学的・物理的エッチング、ドリリングなどである。また、配線基板11が半導体を素材とする場合には、ダイシング装置を用いて中途の深さの切り込みを入れることによっても溝14を形成することができる。ダイシング装置を用いる場合には、配線基板11として小片にダイシングするときに同時に切り込みを入れておくことができる。
【0041】
溝14が形成されたら、次に、図1(c)に示すように、溝14を避けて配線基板11上に硬化する前の封止樹脂(アンダーフィル樹脂)15を、例えばディスペンサを用いて供給する。封止樹脂15は熱硬化性を有し、硬化する前には粘性があり配線基板11上に適用された場合に一定の広がりを維持する。なお、この後行なうフリップチップ接続が半田による場合には、封止樹脂15としてフラックス成分を含むものを用いると、溶融半田の濡れ性が容易に得られ、半田による確実な機械的・電気的接続を得るのに都合がよい。
【0042】
配線基板11上に封止樹脂15が供給されたら、次に、図1(d)に示すように、外部接続用パッド(図示せず)上に半田バンプ17a、17bが形設された半導体チップ16a、16bを用意する。そして、半導体チップ16a、16bと配線基板11とをz方向に離間して、配線基板11に対する半導体チップ16a、16bの位置(x位置、y位置、z軸回りの回転位置)合わせを行なう。半導体チップ16a、16bの上記パッド上に半田バンプ17a、17bを形設するには、例えば、半田ボールを載置・溶融させるなど周知の方法を採ることができる。
【0043】
半導体チップ16a、16bに半田バンプ17a、17bを形設することに代えて、例えば金バンプを形設するようにしてもよい。金バンプの形設は、例えば、ワイヤボンディングツールを用いて、金ワイヤを半導体チップ16a、16bの上記パッド上にボンディング技術で接続し、根元近くで金ワイヤを切断することにより行なうことができる。
【0044】
配線基板11に対する半導体チップ16a、16bの位置合わせがされたら、次に、図1(e)に示すように、例えばフリップチップボンダにより、半導体チップ16a、16bを配線基板11方向(z方向)に近づけて圧力を加え、半田バンプ17a、17bが配線基板11上のランドに接触するように設定・配置する。これにより、半導体チップ16a、16bが封止樹脂15の粘着力で配線基板11上に仮固定される。このような仮固定の態様は、半導体チップ16a、16bに金バンプが形設されている場合もほぼ同様である。
【0045】
仮固定時、硬化前の封止樹脂15は、半導体チップ16aおよび半導体チップ16bと配線基板11との隙間を充填しかつこれらの隙間から配線基板11上を広がるようにはみ出す。しかしながら、半導体チップ16aと半導体チップ16bとの間隙に近接する配線基板11の部位では、溝14があるためはみ出した封止樹脂15はこの中に落ち込み、上記間隙に超過な封止樹脂15が存在する状態が回避される。この結果、半導体チップ16aと半導体チップ16bとが互いに遠ざかるように上記間隙の封止樹脂15から力を受けることがなくなり、半導体チップ16a、16bの位置精度がそのまま保たれる。
【0046】
このような位置精度が保たれた状態で、次に、半導体チップ16a、16bが仮固定された配線基板11を加熱し、半田バンプ17a、17bを溶融して半導体チップ16a、16bと配線基板11との機械的・電気的な接続を確立し、かつ封止樹脂15の硬化を行なう。以上により、本実施形態に係る半導体装置を得ることができる。
【0047】
なお、フリップチップ接続に上記のように半田バンプ17a、17bを用いる場合には、一般的には、仮固定された位置が多少ずれていても、半田溶融時の表面張力によるセルフアラインメント効果が発揮され、半田の再固化後における位置精度は確保されるというような説明がなされる。しかし、封止樹脂15の性質上必ずしもそうとは言い切れない。
【0048】
例えば半田の融点が260℃であるとして封止樹脂15の硬化温度がこれより低く200℃から210℃である場合もある。このような場合、仮固定された位置がずれると、ずれた位置が封止樹脂15の硬化により固定し、そのあと半田の溶融による電気的・機械的接続が起こる。したがって、仮固定後の位置にずれがあると、そのまま歩留まり低下につながってしまう。このような場合においても、本実施形態では、仮固定後の位置ずれをそもそもなくしており、歩留まりの低下を防止する。
【0049】
また、フリップチップ接続が半田のような溶融金属によるのではなく、例えば金バンプによるように固相のままされる場合であっても、本実施形態において、半導体チップ16a、16bの仮固定時に、半導体チップ16aと半導体チップ16bとが互いに遠ざかるようにこれらの隙間の封止樹脂15から力を受けることがなくなることについては同様である。
【0050】
固体のまま接続される場合には、一般的に、接続強度を十分に確保するため仮固定後にアニールのような熱処理がされる。したがって、仮固定時の接続強度が脆弱であり、封止樹脂15を落とし込む溝14を何ら設けない場合には、半導体チップ16a、16b間の隙間の封止樹脂15から力を受けるとその接続状態が維持されない場合も考えられる。本実施形態では、このような場合にも対応して、歩留まりの低下を防止することができる。
【0051】
また、配線基板11と半導体チップ16a、16bとで素材が異なる場合には、これらの熱膨張率が大きく異なることがあり、半導体チップ16aと半導体チップ16bとの間隙近辺の配線基板11で、使用時の発熱により大きな応力が発生する。このような応力発生はフリップチップ接続部位の破壊につながるなど信頼性の低下要因になるが、本実施形態では、この部位に溝14が設けられているので発生応力の緩和になる。したがって、信頼性の向上も期待できる。
【0052】
図2は、以上説明した実施形態に係る半導体装置を基板に実装する一態様を説明する模式的な断面図である。図2において、すでに説明した部位には同一符号を付してある。
【0053】
この態様では、配線基板11の半導体チップ16a、16bが実装された面とは反対側に半田ボール22を取り付け、半田ボール22により半導体装置を基板21に実装している。このような態様で用いられる半導体装置は、半田ボール22が取り付けられる側の配線基板11の面に設けられる外部接続端子を、BGAやLGAのような高密度の端子配置にすることが容易にできる。したがって、高密度実装に向いている。
【0054】
図3は、図2に示したものとは異なる、上記説明した実施形態に係る半導体装置を基板に実装する一態様を説明する模式的な断面図である。図3において、すでに説明した部位には同一符号を付してある。
【0055】
この態様では、配線基板11aの半導体チップ16a、16bが実装された面と同一の面の周縁近くに半田ボール32を取り付け、半田ボール32により半導体装置を基板31に実装している。ここで、符号33はスペーサである。この態様で用いられる半導体装置は、半導体チップ16a、16bが実装された面とは反対側の配線基板11の面に比較的自由に回路パターンを描くことが可能であり、半導体チップ16a、16bの機能、用途などによって組み合わせによる付加価値の増大が得られる。また、このような回路を要しない場合には、配線基板11aに縦方向導電体を形成せず、フリップチップ接続がされる面のみ配線パターンを形成するようにして低コストの態様とすることもできる。
【0056】
次に、半導体チップ16aと同16bとの間隙、およびこの間隙付近の配線基板11の形状について、図4を参照してさらに説明する。図4は、半導体チップ16aと同16bとの間隙、およびこの間隙付近の配線基板11の形状を示す断面図(図4(a))および上面図(図4(b))である。図4において、すでに説明した部位には同一符号を付してある。
【0057】
図4において、半導体チップ16aと半導体チップ16bとの間隙を上から見た配線基板11上の正射影面は、a×fの面である。また、配線基板11のフリップチップ接続がなされた面から半導体チップ16a、16bの背面のうち配線基板11から低く位置する方の背面までの距離はdである。ここで、体積V=(a×f)×dの空間領域において、封止樹脂15の充填率が60%以下となるようにするのが好ましいということが、すでに説明した図7に示す結果から言える。
【0058】
本実施形態では、長さf、深さe、幅bの溝14が形成されているので、半導体チップ16a、16bと配線基板11との隙間からより多くの封止樹脂15のはみ出しが生じてもこの溝14に封止樹脂15を落とし込むことができる。よって、上記充填率を下げることができ、半導体チップ16a、16bの位置ずれを生じさせる力の発生がないというのが、これまでの説明のアウトラインである。
【0059】
さらに、上記充填率が問題となる空間領域には、対向する2つの半導体チップ16a、16b側から封止樹脂15が供給されるが、この供給される分とほぼ同量の封止樹脂15によって2つの半導体チップ16a、16bの上記空間領域と対向する側の辺には、通常のフィレットが形成される。したがって、このフィレットについてみると、上記Vの空間領域において封止樹脂15の充填率が60%以下に抑えられても溝14の容積A(=(b×f)×e)分だけ十分な体積に形成され得ることになる。
【0060】
例えば、図4に示される半導体チップ16a、16bの、図示されない長さfの辺に沿って形成されるフィレットの体積Fは、上記体積V、容積Aとの間に2F−A≦0.6Vの関係を満足させつつ、2F>0.6Vとすることが可能となる。あるいは、半導体チップ16a、16bの背面の高さが互いに異なり、半導体チップ16a、16bの、図示されない長さfの辺に沿って形成されるフィレットの体積がそれぞれF、Fa(F≠Fa)となる場合、(F+Fa)−A≦0.6Vの関係を満足させつつ、F+Fa>0.6Vとすることが可能となる。よって、信頼性の向上になる。
【0061】
ここで、溝14は、図4に示すように、半導体チップ16aと半導体チップ16bとの間隙を上から見た配線基板11上の正射影面(a×f)内に収まるように設けられ、図4(a)に示すcが正になる(またはaよりbが小さい)ようにするのが一応好ましい。これは、半導体チップ16aと半導体チップ16bとの間隙において、半導体チップ16a(16b)の側面から遠ざかる方向へのフィレットの形成がより容易になされるからである。
【0062】
寸法cが負の場合、半導体チップ16a、16bの側面直下が溝14内になり、側面に達するフィレット形成がされにくくなる。ただし、これは、半導体チップ16a、16b間の間隔aが0.5mm程度の場合に言えることであり、さらに間隔aが狭くなると寸法cが負でもよい可能性がある。
【0063】
溝14の断面形状は、図4に示すような矩形とするほかに、U字形やV字形などとしてもよい。これらの場合の方が、封止樹脂15の流動性により難がある場合においても空隙なく溝内に封止樹脂15を落とし込み得る。
【0064】
図5は、溝14についての他の形状例を説明するための配線基板11の上面図である。図5において、すでに説明した部位と同一相当部位には同一符号を付してある。図5(a)は、これまで述べてきた場合に相当し、溝14は半導体チップ16aと同16bとの取り付け位置間に長矩形状に設けられている。この場合、配線基板11上に設けられる配線パターン(図示省略)は、溝14により分断されざるを得ない。したがって、半導体チップ16a、16b間を行き来する配線パターン数は非常に限られたものとなる。
【0065】
図5(b)に示す場合では、溝14に代えて複数の列設された穴14aが存在する。このような場合でも、封止樹脂15を半導体チップ16a、16bの間隙で落とし込むことが可能である。したがって、この部位の実効的な樹脂充填率を低下させることが可能であり、半導体チップ16a、16bの仮固定位置ずれを回避するように機能する。
【0066】
さらに、穴14aとしたことにより、これらの間の配線基板11上に配線51を通すことが可能であり、半導体チップ16a、16b間を接続する配線を数多く設けることができる。これにより、フリップチップ接続する半導体チップ16a、16bの有機的組み合わせに融通性を持たせることができ、半導体装置として付加価値を増大することができる。
【0067】
なお、穴14aの平面形状は、図示のような矩形とするほかに、円や多角形、楕円などとしてもよい。穴14aの断面形状は、矩形、U字形、V字形などとすることができる。穴14aの形成方法は、溝14の形成と同様に、配線基板11の素材に応じて周知の方法を採ることができる。
【0068】
図6は、半導体チップ16aと同16bとの間隙、およびこの間隙付近の配線基板11の構造について、別の例を示す模式的な断面図である。図6において、すでに説明した部位には同一符号を付してある。この場合の例では、溝65を形成するとともに、この溝65に分断されることなく半導体チップ16aと半導体チップ16bとの間の配線パターンを数多く設けることができる。
【0069】
図6において、まず、半導体基板61上には絶縁層62が形成され、絶縁層62上の必要な部位には配線パターン63が形成される。配線パターン63は、図示のように、半導体チップ16aと半導体チップ16bとの間の配線パターンの一部となるように形成される。絶縁層62、配線パターン63の形成は、周知の半導体製造プロセスを用いることによって可能である。
【0070】
次に、絶縁層62、配線パターン63が形成された面上に、厚みをやや大きく確保するように例えば全面的に絶縁層64を形成する。そして、縦方向導電体66のための穴を選択的に例えばRIEにより形成する。そのあと、縦方向導電体66のための穴に対し、図1(a)で説明したように、例えばこの内部に銅を満たすように縦方向導電体66を形成する処理を行ない、さらに配線パターン67を形成する処理を行なう。その後絶縁層64に、封止樹脂を落とし込むための溝65を選択的に例えばRIEにより形成する。以上により、図6に示す構造を得ることができる。
【0071】
このような構造によれば、溝65の底面下に配線パターン63を自由に配置することができ、半導体チップ16a、16b間を行き来する配線パターンが溝65により分断されることがない。したがって、フリップチップ接続する半導体チップ16a、16bの有機的組み合わせに融通性を持たせることができ、半導体装置として付加価値を増大することができる。
【0072】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、基板上にフリップチップ接続された第1の半導体チップと第2の半導体チップとが形成する間隙に近接する基板上に窪みが形成される。したがって、この部位にはみ出す樹脂は、窪みにも入り込み実効的な樹脂充填率が低下する。これにより、半導体チップの基板に対する位置ずれは大きく抑制され歩留まりが向上した半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を断面で示す模式図。
【図2】本発明の一実施形態に係る半導体装置を基板に実装する一態様を説明する模式的な断面図。
【図3】図2に示したものとは異なる、本発明の一実施形態に係る半導体装置を基板に実装する一態様を説明する模式的な断面図。
【図4】図1に示した半導体チップ16aと同16bとにおけるこれらの間隙、およびこの間隙付近の配線基板11の形状を詳細に示す断面図および上面図。
【図5】図1に示した溝14についての他の形状例を説明するための配線基板11の上面図。
【図6】図1に示した半導体チップ16aと同16bとにおけるこれらの間隙、およびこの間隙付近の配線基板11の構造について、別の例を示す模式的な断面図。
【図7】隣接して実装される半導体チップ同士間の間隙の樹脂充填率を振ったときの、半導体チップ実装位置ずれを測定した結果を示すグラフ。
【図8】半導体装置を製造する従来プロセスを横方向からの視線で説明する図。
【符号の説明】
11、11a…配線基板 12…縦方向導電体 13…配線パターン 14…溝 14a…穴 15…封止樹脂 16a、16b…半導体チップ 17a、17b…半田バンプ 21、31…基板 22、32…半田ボール 33…スペーサ 51…配線 61…半導体基板 62…絶縁層 63…配線パターン 64…絶縁層 65…溝 66…縦方向導電体 67…配線パターン
Claims (17)
- 第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップがフリップチップ接続され、前記フリップチップ接続された第1の半導体チップの一辺に沿うように窪みが形成されている基板と、
前記基板上の前記窪みを挟んで前記第1の半導体チップに対向する前記基板上の位置にフリップチップ接続された第2の半導体チップと、
前記基板と前記第1および第2の半導体チップとの間隙に設けられた樹脂と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記基板の前記窪みは、前記第1の半導体チップの前記一辺に沿って溝状に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記基板の前記窪みは、前記第1の半導体チップの前記一辺に沿って列設された複数の穴であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記基板の前記窪みの平面図形は、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間隙を上から見た前記基板上の正射影面の中に収まることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記樹脂は、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間隙を上から見た前記基板上の正射影面を底面とし、前記基板の前記フリップチップ接続がなされた面から前記第1および第2の半導体チップの背面のうち前記基板から低く位置する方の背面までの距離を高さとする空間領域における充填率が、60%以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記基板と前記第1および前記第2の半導体チップとの間隙に設けられた前記樹脂が前記間隙からはみ出して形成されるフィレットであって前記窪みに沿う前記第1または第2の半導体チップの辺と同一長さの他の辺に沿って形成されるものの体積Fと、前記窪みの容積Aと、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間隙を上から見た前記基板上の正射影面を底面とし、前記基板の前記フリップチップ接続がなされた面から前記第1および第2の半導体チップの背面のうち前記基板から低く位置する方の背面までの距離を高さとする空間領域の体積Vとの関係が、2F−A≦0.6Vであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記体積Fと体積Vとの関係が、2F>0.6Vであることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記基板は、半導体を素材とすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記基板は、樹脂を素材とすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記基板は、前記窪みの底面下に配線を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記基板は、その面上に、前記列設された複数の穴の間を通過する配線を有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記第1および第2の半導体チップは、半田を用いて前記基板にフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記基板は、前記第1および第2の半導体チップがフリップチップ接続された面とこの面とは反対側の面との電気的接続を行なう縦方向の導電体と、前記反対側の面に設けられ、前記導電体に電気的に導通する外部接続端子とを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体チップおよび/または前記第2の半導体チップは、メモリチップであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体チップがフリップチップ接続されるべき基板の面上の第1の領域と第2の領域との間に窪みを形成する工程と、
前記窪みを避けて前記基板の面上の前記第1および第2の領域に樹脂を供給する工程と、
前記樹脂を前記基板との間に挟むように前記基板の面上の前記第1および第2の領域それぞれに半導体チップをフリップチップ接続する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップがフリップチップ接続されるべき基板の面上の第1の領域と第2の領域との間に窪みを形成する前記工程は、前記基板として半導体基板を用いこの半導体基板をエッチングして形成することを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体チップがフリップチップ接続されるべき基板の面上の第1の領域と第2の領域との間に窪みを形成する前記工程は、前記窪みとして直線的な溝または直線的に複数列設された穴を形成することを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108341A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び金型 |
US7705441B2 (en) * | 2007-03-06 | 2010-04-27 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module |
TWI458054B (zh) * | 2009-01-21 | 2014-10-21 | Sony Corp | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
US8399300B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-03-19 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming adjacent channel and DAM material around die attach area of substrate to control outward flow of underfill material |
US8536718B2 (en) * | 2010-06-24 | 2013-09-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with trenches and method of manufacture thereof |
US8546957B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-10-01 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with dielectric support and method of manufacture thereof |
KR20140019688A (ko) * | 2012-08-07 | 2014-02-17 | 삼성전기주식회사 | 플랫 댐 및 이를 이용한 칩 패키징 방법 |
US9368422B2 (en) * | 2012-12-20 | 2016-06-14 | Nvidia Corporation | Absorbing excess under-fill flow with a solder trench |
KR101579673B1 (ko) * | 2014-03-04 | 2015-12-22 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
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Family Cites Families (17)
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---|---|---|---|---|
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US4926240A (en) * | 1989-03-28 | 1990-05-15 | Motorola, Inc. | Semiconductor package having recessed die cavity walls |
JPH05175361A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | 電子部品 |
US5710071A (en) * | 1995-12-04 | 1998-01-20 | Motorola, Inc. | Process for underfilling a flip-chip semiconductor device |
JPH10163211A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Fujitsu Ltd | バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法 |
US6367150B1 (en) * | 1997-09-05 | 2002-04-09 | Northrop Grumman Corporation | Solder flux compatible with flip-chip underfill material |
JP3853979B2 (ja) | 1998-06-16 | 2006-12-06 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製法 |
JP3825181B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2006-09-20 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2000260912A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法 |
JP3128548B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2001-01-29 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TW415056B (en) * | 1999-08-05 | 2000-12-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Multi-chip packaging structure |
JP4361658B2 (ja) * | 2000-02-14 | 2009-11-11 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 実装基板及び実装方法 |
US6452267B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-09-17 | Applied Micro Circuits Corporation | Selective flip chip underfill processing for high speed signal isolation |
US6614122B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-09-02 | Intel Corporation | Controlling underfill flow locations on high density packages using physical trenches and dams |
JP4475825B2 (ja) | 2001-01-10 | 2010-06-09 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装モジュール及び電子部品実装モジュールの基板補強方法 |
US6519844B1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-02-18 | Lsi Logic Corporation | Overmold integrated circuit package |
JP4963148B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2012-06-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2002
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2005
- 2005-08-10 US US11/200,087 patent/US7368323B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027381A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び電子装置 |
JP4498991B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2010-07-07 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び電子装置 |
CN111009481A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-04-14 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | 芯片基板大压力倒装键合柔性加压方法 |
CN111009481B (zh) * | 2019-12-19 | 2023-04-18 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | 芯片基板大压力倒装键合柔性加压方法 |
Also Published As
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