JPH10163211A - バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法

Info

Publication number
JPH10163211A
JPH10163211A JP8321628A JP32162896A JPH10163211A JP H10163211 A JPH10163211 A JP H10163211A JP 8321628 A JP8321628 A JP 8321628A JP 32162896 A JP32162896 A JP 32162896A JP H10163211 A JPH10163211 A JP H10163211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate member
bump
forming
hole
crystalline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8321628A
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Mizukoshi
正孝 水越
Ichiro Yamaguchi
一郎 山口
Masahiro Yoshikawa
政廣 吉川
Koki Otake
幸喜 大竹
Junichi Kasai
純一 河西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP8321628A priority Critical patent/JPH10163211A/ja
Priority to US08/848,717 priority patent/US6090301A/en
Priority to KR1019970024234A priority patent/KR100273649B1/ko
Publication of JPH10163211A publication Critical patent/JPH10163211A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/111—Manufacture and pre-treatment of the bump connector preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/0113—Female die used for patterning or transferring, e.g. temporary substrate having recessed pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0338—Transferring metal or conductive material other than a circuit pattern, e.g. bump, solder, printed component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/043—Reflowing of solder coated conductors, not during connection of components, e.g. reflowing solder paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形
成用板部材に関し、結晶性の板に異方性のエッチング及
び等方性のエッチングを行うことにより、バンプ形成用
板部材の穴をより深く形成でき、よってバンプ形成用板
部材を使用して、電子部品に微細なピッチで配列され且
つ十分な大きさをもつバンプを形成することを目的とす
る。 【解決手段】 結晶性の板１０にマスク１４を形成し、
該結晶性の板に異方性のエッチングを行って該結晶性の
板の表面に複数の穴１６を形成し、該異方性のエッチン
グを行った後に該結晶性の板に等方性のエッチングを行
って該結晶性の板の表面の穴１６をさらに深くすること
を特徴とする。この等方性のエッチングを行った後に、
さらに異方性のエッチング及び等方性のエッチングを繰
り返して行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体チップ
等の電子部品を印刷回路基板に取り付けるためのはんだ
バンプ等のバンプを所定のパターンで形成するためのバ
ンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子装置の小型化及び軽量化への
要求に伴い、ＩＣやＬＳＩ等の電子部品は、半導体チッ
プ上に素子が高集積化されて、その入出力端子（端子電
極）の数は数百にも及ぶようになっている。このような
多端子の電子部品を回路基板上に搭載する方法として、
電子部品の表面にはんだバンプ等のバンプを予め形成し
ておき、そのバンプを回路基板上の電極パッドに溶着す
る方法が知られている。
【０００３】従来、電子部品の表面にバンプを予め形成
する方法として、メッキ法、蒸着法、転写法などが知ら
れている。図２３は、従来のバンプ転写法を示し、電子
部品２の表面にバンプ形成用板部材１を使用して電子部
品２にはんだを転写するところを示している。電子部品
２は所定のパターンで設けられた電極パッド３を有し、
バンプ形成用板部材１は電極パッド３と同じパターンで
設けられた貫通穴４を有する。
【０００４】転写時には、電極パッド３と貫通穴４とを
位置合わせした状態でバンプ形成用板部材１を電子部品
２の上に載せ、スキージ５によりはんだペースト６をバ
ンプ形成用板部材１の貫通穴４に充填する。それから、
バンプ形成用板部材１を電子部品２に対して持ち上げる
と、はんだペースト６がバンプ形成用板部材１の貫通穴
４から抜けて電極パッド３へ転写される。そこで、この
電子部品２を回路基板（図示せず）の上に載せて加熱す
ると、電子部品２が回路基板に取りつけられることにな
る。
【０００５】図２３の転写法の問題点は、バンプ形成用
板部材１を電子部品２に対して持ち上げるときに、はん
だペースト６がバンプ形成用板部材１の貫通穴４の壁面
に付着し、はんだペースト６をバンプ形成用板部材１か
ら電子部品２に転写できないことがあることである。最
近のように、電子部品２のピン配列が微細ピッチ化して
いくにつれて、バンプ形成用板部材１の貫通穴４の断面
積が小さくなり、はんだペースト６がバンプ形成用板部
材１の貫通穴４から抜けにくくなる。
【０００６】図２２は、特開平４−２６３４３３号公報
に記載されているバンプ転写法を示す図である。バンプ
形成用板部材１は穴４ａを有し、この穴４ａは図２３の
貫通穴４と同様のパターンで形成される。ただし、穴４
ａは貫通穴ではない。図２２の場合にも、図２３の場合
と同様に、スキージ５（図示せず）によりはんだペース
ト６をバンプ形成用板部材１の穴４ａに充填する。そこ
で、電子部品２をバンプ形成用板部材１に重ね合わせ、
電子部品２及びバンプ形成用板部材１を加熱すると、穴
４ａ内のはんだペースト６のはんだ成分が丸くなっては
んだボール６ａとなってその一部がバンプ形成用板部材
１の表面から突出し、電子部品２をバンプ形成用板部材
１から離すとはんだボール６ａがバンプ形成用板部材１
から電子部品２へ転写される。
【０００７】この転写法によれば、はんだペースト６が
穴４ａから抜けないという問題点はない。しかし、バン
プ形成用板部材１の穴４ａがその頂部からその底部まで
ほぼ一定の断面を有しているので、加熱により形成され
たはんだボール６ａが穴４ａの壁に接触し、電子部品２
をバンプ形成用板部材１から離すときにはんだボール６
ａが電子部品２から落下することがある。
【０００８】このためには、穴４ａの断面積を大きく
し、穴４ａの深さを小さくし、形成されたはんだボール
６ａが穴４ａの壁に接触しないようにすることが必要で
ある。すると、穴４ａ間のピッチを大きくしなければな
らず、電子部品２のピン配列の微細ピッチ化に対応でき
なくなる。また、バンプ形成用板部材１をステンレス鋼
やガラス板等を使用して作る場合、ステレンス鋼やガラ
ス板に穴加工やエッチングを行って穴４ａを形成するこ
とができる。しかし、微小な穴４ａを一定の形状で所定
のピッチ配列で形成することは難しい。
【０００９】図２１は、さらに他のバンプ転写法の例を
示す図である。バンプ形成用板部材１は穴４ｂを有し、
この穴４ｂは図２２の穴４ａと同様のパターンで形成さ
れる。そして、この場合にも、スキージ５（図示せず）
によりはんだペースト６をバンプ形成用板部材１の穴４
ｂに充填し、加熱してはんだボール６ａを形成し、この
はんだボール６ａがバンプ形成用板部材１から電子部品
２（図示せず）に転写される。
【００１０】図２１に示されるバンプ形成用板部材１
は、シリコン等の結晶性の板で作られている。穴４ｂは
結晶性の板に異方性のエッチングを行うことにより形成
される。この構成によれば、一定の形状で所定のピッチ
配列の穴４ｂを有するバンプ形成用板部材１を得ること
ができ、このバンプ形成用板部材１を使用して電子部品
２に微細なピッチで配列されたバンプを形成することが
できる。
【００１１】さらに、図２１のバンプ形成用板部材１の
穴４ｂの形状は、その上端部が広く、底部が狭い三角形
の断面形状になっているので、はんだボール６ａをバン
プ形成用板部材１から電子部品２に転写するときに、は
んだボール６ａが穴４ｂから容易に抜け出ることがで
き、穴４ｂの壁面に付着することがない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】結晶性の板に異方性の
エッチングを行うことにより、穴４ｂを形成すると、穴
４ｂを一定の微少な形状で一定の微小なピッチで形成す
ることができるが、最終的な穴４ｂの形状において、穴
４ｂの内面が一定の傾斜面となり、マスク７の開口部
（穴４ｂのリップ部）の寸法Ｌに対して穴４ｂの深さＤ
が決まってしまう。電子部品２のピン配列のピッチが小
さくなると、穴４ｂのリップ部の寸法Ｌが小さくなり、
穴４ｂの深さＤはますます小さくなる。その結果、形成
されたはんだボール６ａが小さくなる。
【００１３】さらに、上記穴４ｂを有するバンプ形成用
板部材１は、非常に薄い結晶性の板で作られたものであ
り、比較的に壊れやすい。しかし、従来は、金属でバン
プ形成用板部材１を作ると、微小な穴４ｂを微小なピッ
チで形成することができなかった。しかし、価格及び耐
久性の面から、金属で作られ且つ微小なピッチで配置さ
れた穴４ｂを有するバンプ形成用板部材１が求められて
いた。
【００１４】本発明の目的は、結晶性の板に異方性のエ
ッチングを行うことにより、穴を有するバンプ形成用板
部材を製造する方法において、バンプ形成用板部材の穴
をより深く形成でき、よってバンプ形成用板部材を使用
して、電子部品に微細なピッチで配列され且つ十分な大
きさをもつバンプを形成することができるようにした、
バンプ形成用板部材の製造方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によるバンプ形成
用板部材の製造方法は、結晶性の板にマスクを形成し、
該結晶性の板に異方性のエッチングを行って該結晶性の
板の表面に複数の穴を形成し、該異方性のエッチングを
行った後に該結晶性の板に等方性のエッチングを行って
該結晶性の板の表面の穴をさらに深くすることを特徴と
するものである。
【００１６】この方法によれば、結晶性の板に異方性の
エッチングを行って、一定な形状をもち微小なピッチで
配列された穴を有するバンプ形成用板部材を製造するこ
とができ、且つ、さらに異方性のエッチングを行った後
に等方性のエッチングを行うことにより、前記特徴を維
持したままで穴をさらに深くすることができる。好まし
くは、上記等方性のエッチングを行った後に、異方性の
エッチング及び等方性のエッチングを行う。それによっ
て、穴をさらに深くすることができる。
【００１７】好ましくは、前記結晶性の板の穴の先端に
嘴状の細い深い穴を形成する。好ましくは、前記結晶性
の板の穴のリップ部のある表面とは反対側の表面を研削
し、前記穴の先端が該反対側の表面に露出するようにす
る。これによって、バンプ形成用板部材を使用してバン
プを形成する際に、反対側の表面に露出する穴の先端が
ガス抜き穴として作用する。
【００１８】さらに、本発明によるバンプ形成用板部材
の製造方法は、結晶性の板の表面にマスクを形成し、該
結晶性の板に異方性のエッチングを行って該結晶性の板
の表面に複数の穴を形成し、該結晶性の板を型としてレ
プリカを作成し、該レプリカを型として該穴と同様の穴
を有する金属のバンプ形成用板部材を形成することを特
徴とする。この方法によれば、結晶性の板に異方性のエ
ッチングを行って該結晶性の板の表面に複数の穴を形成
した場合と同様の穴を有する金属性のバンプ形成用板部
材を得ることができる。
【００１９】好ましくは、前記異方性のエッチングを行
った後で金属のバンプ形成用板部材を形成する前に、該
結晶性の板に等方性のエッチングを行って該結晶性の板
の表面の穴をさらに深くする。好ましくは、前記等方性
のエッチングを行った後で金属のバンプ形成用板部材を
形成する前に、異方性のエッチング及び等方性のエッチ
ングを行う。
【００２０】好ましくは、前記金属のバンプ形成用板部
材を形成した後に、該金属のバンプ形成用板部材の表面
を研削し、前記穴の先端が反対側の表面に露出するよう
にした。好ましくは、該結晶性の板を型としてレプリカ
を作成する工程において、該レプリカは該結晶性の板の
表面にメッキを施す工程からなり、該レプリカはメッキ
層からなる。
【００２１】好ましくは、該レプリカを型として該金属
のバンプ形成用板部材を形成する工程において、該金属
のバンプ形成用板部材は該レプリカの表面にメッキを施
す工程からなり、該金属のバンプ形成用板部材はメッキ
層からなる。さらに、上記製造方法によって製造された
本発明の金属製のバンプ形成用板部材は、四角錐形の形
状の複数の穴を有することを特徴とするものである。
【００２２】さらに、上記製造方法によって製造された
本発明の金属製のバンプ形成用板部材は、四角形形状の
リップ部を、直線状の最深部の両側に斜面が延びる楔形
の底部とを有する形状の複数の穴を有することを特徴と
するものである。こうして製造されたバンプ形成用板部
材を用いてバンプを形成する方法は、該バンプ形成用板
部材の穴にはんだペーストを充填し、該はんだペースト
を加熱して形成したはんだボールを回路基板等の電気部
材に転写することを特徴とするものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１から図４は本発明の第１実施
例のバンプ形成用板部材の製造方法を示す図である。図
１においては、結晶性の板であるシリコン基板１０を準
備し、シリコン基板１０の表面１２にマスク１４を設け
る。マスク１４はシリコン基板１０の表面１２に形成さ
れた酸化膜（ＳｉＯ2 ）や窒化膜（ＳｉＮ）等からな
り、フォトリソグラフィプロセスによって開口部を有す
るマスクを形成する。すなわち、例えば酸化膜の上にレ
ジストを塗布し、マスクの開口部に相当する酸化膜の部
分のレジストを露光して除去し、次にＨＦでマスクの開
口部に相当する酸化膜の部分を除去し、それからレジス
トの残りを洗い落とす。
【００２４】次に、マスク１４をした状態でシリコン基
板１０にＫＯＨで異方性のエッチングを行い、シリコン
基板１０の表面に複数の穴１６を形成する。次に、図２
に示すように、マスク１４をした状態でシリコン基板１
０にＨＦと硝酸の混合液で等方性のエッチングを行い、
シリコン基板１０の表面の穴１６をさらに深くする。図
１の状態でさらに異方性のエッチングを続けても穴１６
は大きくならないが、図２に示すように等方性のエッチ
ングを行うと穴１６がさらに大きく、深くなる。なお、
等方性のエッチングはシリコン基板１０のマスク１４の
下の部分へも広がる。
【００２５】こうして、深くなった穴１６を有するシリ
コン基板１０をバンプ形成用板部材２０として使用する
ことができる。シリコン基板１０の穴１６をさらに深く
したい場合には、図２の等方性のエッチングを行った後
に、図３に示すように、さらに異方性のエッチング及び
等方性のエッチングを行う。これによって、穴１６はさ
らに深くなる。異方性のエッチング及び等方性のエッチ
ングをさらに繰り返すことができる。それによって、エ
ッチングがシリコン基板１０のマスク１４の下の部分へ
広がるのを最小にしつつ、穴１６がさらに深くなるよう
にする。
【００２６】さらに、図４に示すように、異方性のエッ
チング及び等方性のエッチングを繰り返すことにより、
シリコン基板１０の穴１６の中心付近の先端にさらに嘴
状の細い深い穴１８を形成する。細い深い穴１８はシリ
コン基板１０の表面１２とは反対側の表面２２に開口す
るようにしてもよい。ただし、細い深い穴１８は反対側
の表面２２に開口しなくてもよい。
【００２７】なお、ＣＦ4 やＣＨＦ3 を使用した異方性
のドライエッチングの場合の穴１６の深さは、ＫＯＨを
使用した異方性のウェットエッチングの場合の穴１６の
深さよりもいくらか深くなる。従って、等方性のエッチ
ングの後で、異方性のドライエッチングを行うと、細い
深い穴１８ができる（図では誇張して示されている）。
また、異方性のウェットエッチング及びドライエッチン
グと、等方性のエッチングとを組合せて用いることもで
きる。
【００２８】こうして、図３のシリコン基板１０及び図
４のシリコン基板１０をバンプ形成用板部材２０として
使用することもできる。また、図３及び図４において、
シリコン基板１０の穴１６のリップ部のある表面１２と
は反対側の表面２２を研削し、研削後の表面が２４で示
す部位になって、穴１６の先端が反対側の表面２４に露
出するようにする。このようにすることによって、バン
プ形成用板部材２０を使用するときに、穴１６の先端
が、ガス抜き穴として作用する。図２のシリコン基板１
０の反対側の表面２２を同様に研削してもよい。
【００２９】図５及び図６は、図１の工程において、シ
リコン基板１０の表面１２を＜１００＞の結晶面とした
場合の穴１６の形状を示す図である。この場合、穴１６
は四角錐状の形状になる。そして、この四角錐状の形状
の穴１６は、さらに等方性のエッチング及び異方性のエ
ッチングを繰り返しても、全体的に丸みをおびつつ四角
錐状の形状を維持し、そして深くなる。
【００３０】図７及び図８は、図１の工程において、シ
リコン基板１０の表面１２を＜１１０＞の結晶面とした
場合の穴１６の形状を示す図である。この場合、穴１６
のリップ部は四角形形状であり、且つ穴１６は直線状の
最深部１６の両側に斜面１６ｂ、１６ｃが延びる楔形の
底部を有する形状をしている。四角形のリップ部の対角
線上にある２つの角から直線状の最深部１６の各端部へ
垂直に、辺１６ｄが延びる。そして、この穴１６も、さ
らに等方性のエッチング及び異方性のエッチングを繰り
返しても、全体的に丸みをおびつつ元の形状を維持し、
そして深くなる。
【００３１】図９から図１１は、図２から図４のバンプ
形成用板部材２０を使用してはんだバンプを形成する例
を示している。図９に示すように、スキージ２６を使用
してはんだペースト２８をバンプ形成用板部材２０の表
面１２の穴１６に充填する。穴１６は単純化した形状で
示されており、且つ穴１６の先端がバンプ形成用板部材
２０の反対側の表面２２（２４）に開口するように形成
されている。はんだペースト２８の充填時には、バンプ
形成用板部材２０の反対側の表面２２に支持板３０が重
ねて使用され、はんだペースト２８が穴１６の先端から
流れ出ないようになっている。
【００３２】穴１６間のピッチは例えば２００μｍであ
り、穴１６のリップ部の一辺の長さは１８０μｍであ
る。これに対して、穴１６の深さ（この場合には研削後
のシリコン基板１０の厚さ）は例えば０．２mmである。
使用に際しては、シリコン基板１０のマスク１４は除去
される。はんだペースト２８は、はんだクリームにはん
だ粒子を混合したものであり、はんだ粒子の大きさは例
えば１５〜３０μｍの直径である。穴１６の先端の開口
部の大きさは例えば３０μｍである。
【００３３】図１０においては、バンプ形成用板部材２
０とシリコンチップ等の電子部品３２とを重ね合わせ、
バンプ形成用板部材２０の穴１６と電子部品３２の電極
パッド３４と位置合わせする。それから、バンプ形成用
板部材２０及び電子部品３２をはんだの融点よりも３０
℃程度高い温度まで加熱し、はんだペースト２８中のは
んだを溶かしてバンプ形成用板部材２０から電子部品３
２へ転写する。
【００３４】バンプ形成用板部材２０を加熱すると、穴
１６の中にあったはんだペースト２８中のはんだが溶け
て、表面張力により丸くなり、図１１に示すようにはん
だボール３６となり、はんだボール３６が電子部品３２
の電極パッド３４に付着する。また、バンプ形成用板部
材２０を加熱すると、はんだペースト２８中の揮発成分
がガスとなって吹き出す。吹き出したガスは穴１６の先
端の開口部から抜ける。一方、穴１６の先端が開口して
いないと、ガスは逃げ場がないので、バンプ形成用板部
材２０と電子部品３２との間から逃げようとし、電子部
品３２がバンプ形成用板部材２０から浮いて、ペースト
と電極パットがはなれる。
【００３５】図１１に示すように、電子部品３２をバン
プ形成用板部材２０から離すと、はんだボール３６が電
子部品３２の電極パッド３４に付着してバンプとなる。
図１２から図１５は、図２から図４のバンプ形成用板部
材２０を使用してはんだバンプを形成する他の例を示し
ている。図１２に示すように、スキージ２６を使用して
はんだペースト２８をバンプ形成用板部材２０の表面の
穴１６に充填する。はんだペースト２８の充填時には、
バンプ形成用板部材２０の反対側の表面２２に支持板３
０が重ねて使用され、はんだペースト２８が穴１６の先
端から流れ出ないようになっている。
【００３６】図１３においては、バンプ形成用板部材２
０を加熱すると、穴１６の中にあったはんだペースト２
８中のはんだが溶けて、表面張力により丸くなり、はん
だボール３６となる。この場合には、穴１６の先端は必
ずしも開口している必要はない。図１４においては、バ
ンプ形成用板部材２０とシリコンチップ等の電子部品３
２とを重ね合わせ、バンプ形成用板部材２０の穴１６の
はんだボール３６と電子部品３２の電極パッド３４と位
置合わせする。バンプの転写圧力は例えば５から１０ｇ
／バンプ程度とする。それから、バンプ形成用板部材２
０及び電子部品３２をはんだの融点よりも３０℃程度高
い温度まで加熱し、はんだボール３６をバンプ形成用板
部材２０から電子部品３２へ転写する。図１５に示すよ
うに、電子部品３２をバンプ形成用板部材２０から離す
と、はんだボール３６が電子部品３２の電極パッド３４
に付着してバンプとなる。
【００３７】図１６から図１９は、図２から図４のシリ
コン基板１０を、バンプ形成用板部材２０として使用す
るのではなく、金属のバンプ形成用板部材を作るための
オリジナルとして使用する例を示している。図２から図
４のシリコン基板１０は、図１に示したように、結晶性
の板であるシリコン基板１０にマスク１４を形成して、
異方性のエッチングを行ってシリコン基板１０の表面に
複数の穴１６を形成してなるものである。また、異方性
のエッチングを行った後に等方性のエッチングを行い、
さらに、異方性のエッチング及び等方性のエッチングを
繰り返して行ったものとしてもよい。穴１６は貫通穴で
あっても、盲穴であってもよい。
【００３８】図１６においては、シリコン基板１０を図
示しないメッキ槽中に挿入し、シリンコ基板１０を一方
の電極とし、シリコン基板１０にニッケル又は４２アロ
イをメッキする。こうして、穴１６を有するシリコン基
板１０と補完的な形状のレプリカ４０がシリコン基板１
０の上に形成される。レプリカ４０は例えば１００μｍ
程度の厚さのニッケル又は４２アロイの層からなる。
【００３９】図１７においては、レプリカ４０をシリコ
ン基板１０から取り外した後、レプリカ４０を金属のバ
ンプ形成用板部材４２を作るための型として使用する。
レプリカ４０を図示しないメッキ槽中に挿入し、レプリ
カ４０を一方の電極とし、レプリカ４０にニッケル又は
４２アロイをメッキする。こうして、レプリカ４０と補
完的な形状の金属のバンプ形成用板部材４２がレプリカ
４０の上に形成される。
【００４０】図１８においては、金属のバンプ形成用板
部材４２をレプリカ４０から取り外す。金属のバンプ形
成用板部材４２はシリコン基板１０の表面１２と同様の
表面４４を有し表面にはんだとはがれやすくするための
クロムメッキをほどこされ、この表面４４には穴１６と
同様の形状の穴４６が形成されている。金属のバンプ形
成用板部材４２は図９から図１５に示したシリコン基板
からなるバンプ形成用板部材２０と同様にして電子部品
３２にはんだバンプを形成するために使用される。
【００４１】さらに、図１９においては、金属のバンプ
形成用板部材４２を形成した後に、金属のバンプ形成用
板部材４２の穴４６のリップ部とは反対側の表面４８を
研削し、穴４６の先端が反対側の表面４８に露出するこ
とを示している。この場合、金属のバンプ形成用板部材
４２が薄くて柔らかいので、金属のバンプ形成用板部材
４２に例えばパラフィン等の支持板４８をあてがった状
態で研削を行う。こうして作られた金属のバンプ形成用
板部材４２は、歪んだ面へのバンプ形成を可能とし、且
つ長い寿命を提供する。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
結晶性の板に異方性のエッチング及び等方性のエッチン
グを行うことにより、バンプ形成用板部材の穴をより深
く形成でき、よってバンプ形成用板部材を使用して、電
子部品に微細なピッチで配列され且つ十分な大きさをも
つバンプを形成することができる。また、一定の形状で
微小なピッチで配置された穴を有する金属のバンプ形成
用板部材を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例のバンプ形成用板部材を製造す
る製造方法の異方性のエッチング工程を示す図である。
【図２】図１の異方性のエッチング工程の後で等方性の
エッチングを行う工程を示す図である。
【図３】図２の等方性のエッチング工程の後で異方性の
エッチングと等方性のエッチングを行う工程を示す図で
ある。
【図４】図３の異方性のエッチングと等方性のエッチン
グを行う工程において結晶性の板の穴の中心付近の先端
にさらに嘴状の細い深い穴を形成することを示す図であ
る。
【図５】異方性のエッチングを行った結晶性の板の平面
図である。
【図６】図５の結晶性の板の断面図である。
【図７】異方性のエッチングを行った結晶性の板の他の
例の平面図である。
【図８】図７の結晶性の板の図解的斜視図である。
【図９】バンプ形成用板部材の使用例を示し、バンプ形
成用板部材の穴にはんだペーストを充填する工程を示す
図である。
【図１０】図９のバンプ形成用板部材と電極パッドを有
する電子部品とを重ね合わせはんだを転写する工程を示
す図である。
【図１１】はんだボールが転写された電子部品を示す図
である。
【図１２】バンプ形成用板部材の他の使用例を示し、バ
ンプ形成用板部材の穴にはんだペーストを充填する工程
を示す図である。
【図１３】図１２のバンプ形成用板部材を加熱してはん
だボールを形成する工程を示す図である。
【図１４】図１３のバンプ形成用板部材と電極パッドを
有する電子部品とを重ね合わせはんだを転写する工程を
示す図である。
【図１５】はんだボールが転写された電子部品を示す図
である。
【図１６】図２から図４のシリコン基板を使用して金属
のバンプ形成用板部材を作る列を示し、レプリカを作る
工程を示す図である。
【図１７】図１６のレプリカを使用して金属のバンプ形
成用板部材を作る工程を示す図である。
【図１８】金属のバンプ形成用板部材を示す図である。
【図１９】金属のバンプ形成用板部材の穴のリップ部と
は反対側の表面を研削する工程を示す図である。
【図２０】深い穴をもったバンプ形成用板部材を示す図
である。
【図２１】従来のシリコン板からなるバンプ形成用板部
材を示す図である。
【図２２】従来の一様な断面の穴をもったバンプ形成用
板部材を示す図である。
【図２３】従来の一様な断面の貫通穴をもったバンプ形
成用板部材ではんだペーストを電子部品に転写する工程
を示す図である。
【符号の説明】
１０…シリコン基板 １４…マスク １６…穴 １８…嘴状の細い深い穴 ２０…バンプ形成用板部材 ３２…電子部品 ３４…電極パッド ４０…レプリカ ４２…金属のバンプ形成用板部材 ４６…穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 政廣 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 大竹 幸喜 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 河西 純一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶性の板にマスクを形成し、該結晶性
    の板に異方性のエッチングを行って該結晶性の板の表面
    に複数の穴を形成し、該異方性のエッチングを行った後
    に該結晶性の板に等方性のエッチングを行って該結晶性
    の板の表面の穴をさらに深くすることを特徴とするバン
    プ形成用板部材の製造方法。
  2. 【請求項２】 上記等方性のエッチングを行った後に、
    異方性のエッチング及び等方性のエッチングを行うこと
    を特徴とする請求項１に記載のバンプ形成用板部材の製
    造方法。
  3. 【請求項３】 前記結晶性の板の穴の先端に嘴状の元の
    穴よりも細い穴を形成することを特徴とする請求項１に
    記載のバンプ形成用板部材の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記結晶性の板の穴のリップ部のある表
    面とは反対側の表面を研削し、前記穴の先端が該反対側
    の表面に露出するようにすることを特徴とする請求項１
    又は２に記載のバンプ形成用板部材の製造方法。
  5. 【請求項５】 結晶性の板の表面にマスクを形成し、該
    結晶性の板に異方性のエッチングを行って該結晶性の板
    の表面に複数の穴を形成し、該結晶性の板を型としてレ
    プリカを作成し、該レプリカを型として該穴と同様の穴
    を有する金属のバンプ形成用板部材を形成することを特
    徴とするバンプ形成用板部材の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記異方性のエッチングを行った後で金
    属のバンプ形成用板部材を形成する前に、該結晶性の板
    に等方性のエッチングを行って該結晶性の板の表面の穴
    をさらに深くすることを特徴とする請求項５に記載のバ
    ンプ形成用板部材の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記等方性のエッチングを行った後で金
    属のバンプ形成用板部材を形成する前に、異方性のエッ
    チング及び等方性のエッチングを行うことを特徴とする
    請求項６に記載のバンプ形成用板部材の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記金属のバンプ形成用板部材を形成し
    た後に、該金属のバンプ形成用板部材の表面を研削し、
    前記穴の先端が反対側の表面に露出するようにしたこと
    を特徴とする請求項５から７のいずれかに記載のバンプ
    形成用板部材の製造方法。
  9. 【請求項９】 該結晶性の板を型としてレプリカを作成
    する工程において、該レプリカは該結晶性の板の表面に
    メッキを施す工程からなり、該レプリカはメッキ層から
    なることを特徴とする請求項５に記載のバンプ形成用板
    部材の製造方法。
  10. 【請求項１０】 該レプリカを型として該金属のバンプ
    形成用板部材を形成する工程において、該金属のバンプ
    形成用板部材は該レプリカの表面にメッキを施す工程か
    らなり、該金属のバンプ形成用板部材はメッキ層からな
    ることを特徴とする請求項９に記載のバンプ形成用板部
    材の製造方法。
  11. 【請求項１１】 該金属製のバンプ形成用板部材は四角
    錐形の形状の複数の穴を有することを特徴とする請求項
    ５に記載のバンプ形成用板部材の製造方法。
  12. 【請求項１２】 該金属製のバンプ形成用板部材は四角
    形形状のリップ部と、直線状の最深部の両側に斜面が延
    びる楔形の底部とを有する形状の複数の穴を有すること
    を特徴とする請求項５に記載のバンプ形成用板部材の製
    造方法。
  13. 【請求項１３】 結晶性の板にマスクを形成し、該結晶
    性の板に異方性のエッチングを行って該結晶性の板の表
    面に複数の穴を形成し、該異方性のエッチングを行った
    後に該結晶性の板に等方性のエッチングを行って該結晶
    性の板の表面の穴をさらに深くすることによって製造さ
    れたバンプ形成用板部材を用いてバンプを形成する方法
    であって、該バンプ形成用板部材の穴にはんだペースト
    を充填し、該はんだペーストを加熱して形成したはんだ
    ボールを電気部材に転写することを特徴とするバンプ形
    成方法。
  14. 【請求項１４】 結晶性の板の表面にマスクを形成し、
    該結晶性の板に異方性のエッチングを行って該結晶性の
    板の表面に複数の穴を形成し、該結晶性の板を型として
    レプリカを作成し、該レプリカを型として該穴と同様の
    穴を有する金属のバンプ形成用板部材を形成することに
    よって製造されたバンプ形成用板部材を用いてバンプを
    形成する方法であって、該バンプ形成用板部材の穴には
    んだペーストを充填し、該はんだペーストを加熱して形
    成したはんだボールを電気部材に転写することを特徴と
    するバンプ形成方法。
JP8321628A 1996-12-02 1996-12-02 バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法 Withdrawn JPH10163211A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8321628A JPH10163211A (ja) 1996-12-02 1996-12-02 バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法
US08/848,717 US6090301A (en) 1996-12-02 1997-05-19 Method for fabricating bump forming plate member
KR1019970024234A KR100273649B1 (ko) 1996-12-02 1997-06-12 범프형성용판부재의제조방법및범프형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8321628A JPH10163211A (ja) 1996-12-02 1996-12-02 バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10163211A true JPH10163211A (ja) 1998-06-19

Family

ID=18134637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8321628A Withdrawn JPH10163211A (ja) 1996-12-02 1996-12-02 バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6090301A (ja)
JP (1) JPH10163211A (ja)
KR (1) KR100273649B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307159B1 (en) 1997-11-07 2001-10-23 Nec Corporation Bump structure and method for making the same
US7452797B2 (en) 2003-04-15 2008-11-18 Harima Chemicals, Inc. Solder deposition method and solder bump forming method
JPWO2015052780A1 (ja) * 2013-10-08 2017-03-09 リンテック株式会社 電子部品実装体の製造方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6528346B2 (en) * 1994-01-20 2003-03-04 Fujitsu Limited Bump-forming method using two plates and electronic device
US5984164A (en) * 1997-10-31 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method of using an electrically conductive elevation shaping tool
JP3938253B2 (ja) * 1997-12-26 2007-06-27 日本板硝子株式会社 樹脂正立等倍レンズアレイおよびその製造方法
US6105852A (en) * 1998-02-05 2000-08-22 International Business Machines Corporation Etched glass solder bump transfer for flip chip integrated circuit devices
JP3239335B2 (ja) * 1999-08-18 2001-12-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電気的接続用構造体の形成方法およびはんだ転写用基板
US6484927B1 (en) * 1999-11-05 2002-11-26 Delaware Capital Formation Corporation Method and apparatus for balling and assembling ball grid array and chip scale array packages
DE10004647C1 (de) * 2000-02-03 2001-07-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit einem Multichipmodul und einem Silizium-Trägersubstrat
US6386435B1 (en) * 2000-08-11 2002-05-14 Emc Corporation Systems and methods for distributing solder paste using a tool having a solder paste aperture with a non-circular cross-sectional shape
US6581640B1 (en) * 2000-08-16 2003-06-24 Kelsey-Hayes Company Laminated manifold for microvalve
US6495053B1 (en) * 2000-08-30 2002-12-17 Visteon Global Tech, Inc. Electrical circuit board and a method for making the same
DE10143283C1 (de) * 2001-09-04 2002-12-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators für einen Halbleiterspeicher
JP3639272B2 (ja) * 2002-08-30 2005-04-20 株式会社東芝 半導体装置、半導体装置の製造方法
US7084353B1 (en) 2002-12-11 2006-08-01 Emc Corporation Techniques for mounting a circuit board component to a circuit board
US20080164609A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 International Business Machines Corporation Injection molded solder ball method
US8148255B2 (en) * 2007-09-18 2012-04-03 International Business Machines Corporation Techniques for forming solder bump interconnects
US8132775B2 (en) * 2008-04-29 2012-03-13 International Business Machines Corporation Solder mold plates used in packaging process and method of manufacturing solder mold plates
US8561880B2 (en) 2012-02-11 2013-10-22 International Business Machines Corporation Forming metal preforms and metal balls
US8875978B2 (en) 2012-02-11 2014-11-04 International Business Machines Corporation Forming constant diameter spherical metal balls
US8408448B1 (en) 2012-02-11 2013-04-02 International Business Machines Corporation Forming constant diameter spherical metal balls
US8523046B1 (en) 2012-10-18 2013-09-03 International Business Machines Corporation Forming an array of metal balls or shapes on a substrate
TW201508848A (zh) * 2013-08-23 2015-03-01 Chipmos Technologies Inc 一種植球裝置及其植球方法
US20190275600A1 (en) * 2018-03-07 2019-09-12 Powertech Technology Inc. Flux transfer tool and flux transfer method

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3423823A (en) * 1965-10-18 1969-01-28 Hewlett Packard Co Method for making thin diaphragms
EP0117258B1 (de) * 1983-02-23 1987-05-20 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung von haftfesten Metallschichten auf Kunststoffsubstraten
US4867839A (en) * 1987-09-04 1989-09-19 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Process for forming a circuit substrate
US4902377A (en) * 1989-05-23 1990-02-20 Motorola, Inc. Sloped contact etch process
US5164336A (en) * 1989-09-11 1992-11-17 Nippon Steel Corporation Method of connecting tab tape to semiconductor chip, and bump sheet and bumped tape used in the method
US5145552A (en) * 1989-12-21 1992-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing electrical connecting member
JPH04263433A (ja) * 1991-02-19 1992-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法
DE69232606T2 (de) * 1991-02-25 2004-08-05 Canon K.K. Elektrischer Verbindungskörper und Herstellungsverfahren dafür
US5308415A (en) * 1992-12-31 1994-05-03 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Enhancing step coverage by creating a tapered profile through three dimensional resist pull back
US5390412A (en) * 1993-04-08 1995-02-21 Gregoire; George D. Method for making printed circuit boards
KR0135037B1 (ko) * 1994-08-08 1998-04-20 양승택 광통신 소자의 플립-칩 본딩방법 및 그를 사용한 패키징방법
KR960039233A (ko) * 1995-04-19 1996-11-21 구자홍 솔더범프 형성방법
US5872051A (en) * 1995-08-02 1999-02-16 International Business Machines Corporation Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate
US5860585A (en) * 1996-05-31 1999-01-19 Motorola, Inc. Substrate for transferring bumps and method of use
JP3292068B2 (ja) * 1996-11-11 2002-06-17 富士通株式会社 金属バンプの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307159B1 (en) 1997-11-07 2001-10-23 Nec Corporation Bump structure and method for making the same
US6625883B2 (en) 1997-11-07 2003-09-30 Nec Corporation Method for making a bump structure
US7452797B2 (en) 2003-04-15 2008-11-18 Harima Chemicals, Inc. Solder deposition method and solder bump forming method
JPWO2015052780A1 (ja) * 2013-10-08 2017-03-09 リンテック株式会社 電子部品実装体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100273649B1 (ko) 2001-01-15
US6090301A (en) 2000-07-18
KR19980063333A (ko) 1998-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10163211A (ja) バンプ形成用板部材の製造方法及びバンプ形成方法
US6295730B1 (en) Method and apparatus for forming metal contacts on a substrate
US5929521A (en) Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies
US6468893B2 (en) Method of forming solder bumps
US20050161490A1 (en) Method and apparatus for forming metal contacts on a substrate
US7390732B1 (en) Method for producing a semiconductor device with pyramidal bump electrodes bonded onto pad electrodes arranged on a semiconductor chip
JP3904326B2 (ja) バンプを形成した電子装置及び電子装置の製造方法
JP3598564B2 (ja) バンプ形成方法
JP3276539B2 (ja) 半導体装置製造方法及び半導体装置
JP3961876B2 (ja) 半導体装置用はんだバンプの製造方法
Souriau et al. Electrical conductive film for flip-chip interconnection based on Z-axis conductors
JP2000049182A (ja) はんだバンプの形成方法
KR100395489B1 (ko) 고 밀도/고 에스펙트비를 얻기 위한 범프 배열 방법
JP2001085558A (ja) 半導体装置およびその実装方法
JP4364383B2 (ja) 半田バンプの製造方法
JP3967999B2 (ja) フリップチップ型ｉｃの製造方法
KR100608360B1 (ko) 반도체 장치의 솔더 구조물 형성 방법
JPH10209623A (ja) 半田バンプ形成方法
KR101301737B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법
KR101301738B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법 및 그에 의한 프로브 카드
JP2000138248A (ja) 高精度印刷用マスク及びこれを用いたスクリーン印刷方法
JP2007116051A (ja) 半導体製造装置の製造方法
JPH10107037A (ja) 突起電極の形成方法
JPH09283565A (ja) 金属バンプの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040203