JP3276539B2 - 半導体装置製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置製造方法及び半導体装置Info
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- JP3276539B2 JP3276539B2 JP18754795A JP18754795A JP3276539B2 JP 3276539 B2 JP3276539 B2 JP 3276539B2 JP 18754795 A JP18754795 A JP 18754795A JP 18754795 A JP18754795 A JP 18754795A JP 3276539 B2 JP3276539 B2 JP 3276539B2
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造方法
及び半導体装置に係り、特に、プレート上でハンダペー
ストを加熱してバンプを形成する半導体装置製造方法に
関する。近年半導体装置の高集積化に伴ない、パッケー
ジの端子数が多くなっている。端子数が極端に多くなる
とピン等の実装が困難となる。このため、ピンに代わ
り、半田ボールをプリント配線板との接続に用いるパッ
ケージ技術であるＢＧＡ（Ball Grid Array)が用いられ
るようになっている。
及び半導体装置に係り、特に、プレート上でハンダペー
ストを加熱してバンプを形成する半導体装置製造方法に
関する。近年半導体装置の高集積化に伴ない、パッケー
ジの端子数が多くなっている。端子数が極端に多くなる
とピン等の実装が困難となる。このため、ピンに代わ
り、半田ボールをプリント配線板との接続に用いるパッ
ケージ技術であるＢＧＡ（Ball Grid Array)が用いられ
るようになっている。
【０００２】また、フリップチップのようにより機能が
複雑になってくると半田バンプのピッチもよりファイン
化し、これに伴ない半田バンプもその径の均一化が要求
されるようになっている。
複雑になってくると半田バンプのピッチもよりファイン
化し、これに伴ない半田バンプもその径の均一化が要求
されるようになっている。
【０００３】
【従来の技術】従来のＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）
等のパッケージに用いられるバンプを形成する方法はプ
レートに形成された矩形状の凹部にハンダペーストを充
填し、充填したハンダペーストを加熱することによりハ
ンダペースト中のハンダ粒子を溶融させ、一体化し、球
状のバンプを形成していた。形成されたバンプを半導体
チップに転写する場合にはバンプが形成されたプレート
に半導体チップを対向させ、圧着し、加熱することによ
り転写していた。
等のパッケージに用いられるバンプを形成する方法はプ
レートに形成された矩形状の凹部にハンダペーストを充
填し、充填したハンダペーストを加熱することによりハ
ンダペースト中のハンダ粒子を溶融させ、一体化し、球
状のバンプを形成していた。形成されたバンプを半導体
チップに転写する場合にはバンプが形成されたプレート
に半導体チップを対向させ、圧着し、加熱することによ
り転写していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のバン
プ形成方法ではバンプを形成するプレートの材質がステ
ンレス（ＳＵＳ）や、４２アロイ等の金属材料であり、
微細加工に限度があり、半導体チップのファインピッチ
化に対応できない。またファインピッチに対応できたと
して凹部形状が矩形状であったため凹部内部でバンプ材
が移動しやすく、均一な凹部内のバンプ形成位置がバラ
ツキが生じ均一な位置にバンプが得られない。
プ形成方法ではバンプを形成するプレートの材質がステ
ンレス（ＳＵＳ）や、４２アロイ等の金属材料であり、
微細加工に限度があり、半導体チップのファインピッチ
化に対応できない。またファインピッチに対応できたと
して凹部形状が矩形状であったため凹部内部でバンプ材
が移動しやすく、均一な凹部内のバンプ形成位置がバラ
ツキが生じ均一な位置にバンプが得られない。
【０００５】さらに、バンプを形成する際には半導体チ
ップに押しつける必要があったため、バンプが変形しや
すくバンプ形状を均一化できない等の問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、均一なバン
プが形成できるバンプ形成方法及び半導体装置を提供す
ることを目的とする。
ップに押しつける必要があったため、バンプが変形しや
すくバンプ形状を均一化できない等の問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、均一なバン
プが形成できるバンプ形成方法及び半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は半導
体チップのパッドにバンプを転写するプレートの半導体
チップに対応した位置にバンプ形成材料を充填し、バン
プ形成材料を加熱することにより球状のバンプを成形す
るバンプ形成方法において、前記プレートを前記凹部形
成面が（１１０）結晶方向となるように切り出されたシ
リコン基板で構成し、（１−１１）結晶方向と平行とな
る平行四辺形のパターンによりエッチングを行ない、前
記凹部を形成することを特徴とし、請求項１によれば、
プレートを凹部形成面が（１１０）結晶面となるように
切出されたシリコン基板で構成し、（１−１１）結晶方
向と平行となる平行四辺形のパターンによりエッチング
を行ない凹部を形成することにより、結晶面が均一にエ
ッチングされ、断面形状がくさび形の凹部を形成するこ
とができるため、シリコン基板の結晶の配置に応じてエ
ッチングが行なわれ、凹部の深さや大きさを一定にでき
るため、ハンダバンプの形状を均一化できる。
体チップのパッドにバンプを転写するプレートの半導体
チップに対応した位置にバンプ形成材料を充填し、バン
プ形成材料を加熱することにより球状のバンプを成形す
るバンプ形成方法において、前記プレートを前記凹部形
成面が（１１０）結晶方向となるように切り出されたシ
リコン基板で構成し、（１−１１）結晶方向と平行とな
る平行四辺形のパターンによりエッチングを行ない、前
記凹部を形成することを特徴とし、請求項１によれば、
プレートを凹部形成面が（１１０）結晶面となるように
切出されたシリコン基板で構成し、（１−１１）結晶方
向と平行となる平行四辺形のパターンによりエッチング
を行ない凹部を形成することにより、結晶面が均一にエ
ッチングされ、断面形状がくさび形の凹部を形成するこ
とができるため、シリコン基板の結晶の配置に応じてエ
ッチングが行なわれ、凹部の深さや大きさを一定にでき
るため、ハンダバンプの形状を均一化できる。
【０００７】請求項２はプレートをシリコン（Ｓｉ）で
構成することを特徴とし、請求項２によれば、半導体装
置の基板として用いられているシリコン基板を流用する
ことができると共に、シリコンはすべりが良いため、バ
ンプ形成材料を凹部に充填する際にスキージ等のすべり
を良くすることができる。
構成することを特徴とし、請求項２によれば、半導体装
置の基板として用いられているシリコン基板を流用する
ことができると共に、シリコンはすべりが良いため、バ
ンプ形成材料を凹部に充填する際にスキージ等のすべり
を良くすることができる。
【０００８】請求項３は前記プレートに保護膜を形成す
ることを特徴とし、請求項２によれば、プレートに保護
膜を形成することにより、プレートを化学的に安定化で
きると共にハンダ付性を劣化させることができるため、
耐久性を向上させることができると共にバンプの離れを
良くすることができ、また、バンプの形状を均一化でき
る。
ることを特徴とし、請求項２によれば、プレートに保護
膜を形成することにより、プレートを化学的に安定化で
きると共にハンダ付性を劣化させることができるため、
耐久性を向上させることができると共にバンプの離れを
良くすることができ、また、バンプの形状を均一化でき
る。
【０００９】請求項４は前記保護膜を酸化膜で構成する
ことを特徴とし、請求項４によれば、酸化膜は化学的に
安定し、かつ、ハンダ付性を劣化させることができるた
め、耐久性を向上せることができると共にバンプ離れを
良くすることができる。請求項５は保護膜を窒化膜で構
成することを特徴とし、請求項５によれば、窒化膜は酸
化膜同様に化学的に安定で、かつ、ハンダ付性が悪いた
め、耐久性の向上及びバンプバンプ離れを良好とするこ
とができる。
ことを特徴とし、請求項４によれば、酸化膜は化学的に
安定し、かつ、ハンダ付性を劣化させることができるた
め、耐久性を向上せることができると共にバンプ離れを
良くすることができる。請求項５は保護膜を窒化膜で構
成することを特徴とし、請求項５によれば、窒化膜は酸
化膜同様に化学的に安定で、かつ、ハンダ付性が悪いた
め、耐久性の向上及びバンプバンプ離れを良好とするこ
とができる。
【００１０】請求項６はエッチングにドライエッチング
を用いることにより、何枚かのマスクを用いてエッチン
グを行ない、凹部を形成できる。請求項７は前記エッチ
ングに異方性エッチングを用いることを特徴とし、請求
項３によれば、エッチングは異方性エッチングを用いる
ことを特徴とする。
を用いることにより、何枚かのマスクを用いてエッチン
グを行ない、凹部を形成できる。請求項７は前記エッチ
ングに異方性エッチングを用いることを特徴とし、請求
項３によれば、エッチングは異方性エッチングを用いる
ことを特徴とする。
【００１１】請求項８はプレート上の半導体チップのパ
ッドに対応して形成された凹部にバンプ形成材料を充填
し、該バンプ形成材料を加熱することによりバンプを成
形した後、前記プレートを前記半導体チップに対向さ
せ、前記バンプを前記パッド上に転写して形成される半
導体装置製造方法において、前記プレートを所定の方向
に傾斜させた状態で前記凹部に充填された前記バンプ形
成材料を加熱することを特徴とし、請求項４によれば、
プレートを傾斜させた状態でバンプ形成材料を加熱する
ことによりバンプを形成する材料が所定の方向に流れ、
所定の位置にバンプを形成することができるため、バン
プ位置を凹部の所定の位置に位置決めでき、バンプ位置
のバラツキを解消できる。
ッドに対応して形成された凹部にバンプ形成材料を充填
し、該バンプ形成材料を加熱することによりバンプを成
形した後、前記プレートを前記半導体チップに対向さ
せ、前記バンプを前記パッド上に転写して形成される半
導体装置製造方法において、前記プレートを所定の方向
に傾斜させた状態で前記凹部に充填された前記バンプ形
成材料を加熱することを特徴とし、請求項４によれば、
プレートを傾斜させた状態でバンプ形成材料を加熱する
ことによりバンプを形成する材料が所定の方向に流れ、
所定の位置にバンプを形成することができるため、バン
プ位置を凹部の所定の位置に位置決めでき、バンプ位置
のバラツキを解消できる。
【００１２】請求項９はプレート上の半導体チップのパ
ッドに対応して形成された凹部にバンプ形成材料を充填
し、該バンプ形成材料を加熱することによりバンプを成
形した後、前記プレートを前記半導体チップに対向さ
せ、前記バンプを前記パッド上に転写して形成される半
導体装置製造方法において、前記凹部のバンプを形成し
ようとする位置に前記バンプ形成材料の核となるバンプ
核材料を設けた後、前記バンプ形成材料を前記凹部に充
填し、前記バンプ形成材料を加熱することにより前記バ
ンプを前記プレート上に成形することを特徴とし、請求
項９によれば、プレートの凹部内の所定の位置にバンプ
の核となるバンプ核材料を配設することにより凹部内に
配設されたバンプ核材料を核としてバンプが形成される
ため、バンプがバンプ核材料を配置した位置に形成で
き、バンプ位置のバラツキを解消できる。
ッドに対応して形成された凹部にバンプ形成材料を充填
し、該バンプ形成材料を加熱することによりバンプを成
形した後、前記プレートを前記半導体チップに対向さ
せ、前記バンプを前記パッド上に転写して形成される半
導体装置製造方法において、前記凹部のバンプを形成し
ようとする位置に前記バンプ形成材料の核となるバンプ
核材料を設けた後、前記バンプ形成材料を前記凹部に充
填し、前記バンプ形成材料を加熱することにより前記バ
ンプを前記プレート上に成形することを特徴とし、請求
項９によれば、プレートの凹部内の所定の位置にバンプ
の核となるバンプ核材料を配設することにより凹部内に
配設されたバンプ核材料を核としてバンプが形成される
ため、バンプがバンプ核材料を配置した位置に形成で
き、バンプ位置のバラツキを解消できる。
【００１３】請求項１０は請求項１乃至７のいずれか一
項記載の半導体装置製造方法において前記プレートを所
定の方向に傾斜させた状態で前記凹部に充填された前記
バンプ形成材料を加熱することを特徴とし、請求項１０
によれば、請求項１乃至７で形成された平行四辺形状の
凹部にバンプ形成材料が充填されたプレートを傾斜させ
た状態で加熱し、バンプを形成することにより凹部の一
側端に寄った状態でバンプを形成できるため、バンプ位
置を均一にでき、バンプ位置のバラツキを解消できる。
項記載の半導体装置製造方法において前記プレートを所
定の方向に傾斜させた状態で前記凹部に充填された前記
バンプ形成材料を加熱することを特徴とし、請求項１０
によれば、請求項１乃至７で形成された平行四辺形状の
凹部にバンプ形成材料が充填されたプレートを傾斜させ
た状態で加熱し、バンプを形成することにより凹部の一
側端に寄った状態でバンプを形成できるため、バンプ位
置を均一にでき、バンプ位置のバラツキを解消できる。
【００１４】請求項１１は請求項１乃至７のいずれか一
項記載の半導体装置製造方法において前記凹部の所望の
位置に前記バンプ形成材料の柱となるバンプ該材料を設
けた後、前記バンプ形成材料を前記凹部に充填し、前記
バンプ形成材料を加熱することにより前記バンプを前記
プレート上に成形することを特徴とし、請求項１１によ
れば、請求項１乃至７で形成された平行四辺形状の凹部
内の所定の位置にバンプの核となるバンプ核材料を配設
した後に凹部にバンプ形成材料を充填し、加熱すること
により凹部内でバンプ核材料を中心としてバンプが形成
されるため、凹部内のバンプ核材料を配置した所定の位
置にバンプを形成でき、したがって、バンプ位置を均一
化でき、バンプ位置のバラツキを解消できる。
項記載の半導体装置製造方法において前記凹部の所望の
位置に前記バンプ形成材料の柱となるバンプ該材料を設
けた後、前記バンプ形成材料を前記凹部に充填し、前記
バンプ形成材料を加熱することにより前記バンプを前記
プレート上に成形することを特徴とし、請求項１１によ
れば、請求項１乃至７で形成された平行四辺形状の凹部
内の所定の位置にバンプの核となるバンプ核材料を配設
した後に凹部にバンプ形成材料を充填し、加熱すること
により凹部内でバンプ核材料を中心としてバンプが形成
されるため、凹部内のバンプ核材料を配置した所定の位
置にバンプを形成でき、したがって、バンプ位置を均一
化でき、バンプ位置のバラツキを解消できる。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【発明の実施の形態】図１乃至図４に本発明の一実施例
のバンプ形成方法の工程図を示す。図１（Ａ）はプレー
ト１のくさび状の凹部２にバンプ形成材であるハンダを
含むハンダペースト３をスキージ４を用いて埋め込む工
程を示す。プレート１はシリコン基板５に酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）、窒化膜（ＳｉＮ）等よりなる保護膜６が形成さ
れ、一面に半導体チップのパッド位置に対応した位置に
平面形状がひし形で、断面形状がくさび状の凹部２が後
述するような方法により形成される。図２にハンダペー
スト３が埋込まれた凹部２の断面図を示す。図２に示す
ように凹部２にはハンダペースト３の成分であるハンダ
粒子３ａ及びフラックス３ｂが埋め込まれる。
のバンプ形成方法の工程図を示す。図１（Ａ）はプレー
ト１のくさび状の凹部２にバンプ形成材であるハンダを
含むハンダペースト３をスキージ４を用いて埋め込む工
程を示す。プレート１はシリコン基板５に酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）、窒化膜（ＳｉＮ）等よりなる保護膜６が形成さ
れ、一面に半導体チップのパッド位置に対応した位置に
平面形状がひし形で、断面形状がくさび状の凹部２が後
述するような方法により形成される。図２にハンダペー
スト３が埋込まれた凹部２の断面図を示す。図２に示す
ように凹部２にはハンダペースト３の成分であるハンダ
粒子３ａ及びフラックス３ｂが埋め込まれる。
【００１８】次に図４（Ａ）に示すようにプレート１を
水平方向（矢印Ａ方向）を基準にして１０°〜４５°の
角度だけ傾斜させ図１（Ｂ）に示すように、ハンダペー
スト３が凹部２に埋め込まれたプレート１をハンダの融
点約３００℃〜３１４℃以上の約３２０℃〜４００℃ま
で加熱する。プレート１をハンダの融点以上まで加熱す
ると、ハンダペースト３に含まれるハンダ粒子３ａが溶
融して一体化し、表面張力により図１（Ｃ）に示すよう
にハンダボール７を形成する。このとき、ハンダペース
ト３に含まれる樹脂や活性剤などは一部が蒸発し、一部
が凹部２内に残留するが、ハンダボール７の形成に問題
は生じない。
水平方向（矢印Ａ方向）を基準にして１０°〜４５°の
角度だけ傾斜させ図１（Ｂ）に示すように、ハンダペー
スト３が凹部２に埋め込まれたプレート１をハンダの融
点約３００℃〜３１４℃以上の約３２０℃〜４００℃ま
で加熱する。プレート１をハンダの融点以上まで加熱す
ると、ハンダペースト３に含まれるハンダ粒子３ａが溶
融して一体化し、表面張力により図１（Ｃ）に示すよう
にハンダボール７を形成する。このとき、ハンダペース
ト３に含まれる樹脂や活性剤などは一部が蒸発し、一部
が凹部２内に残留するが、ハンダボール７の形成に問題
は生じない。
【００１９】図３にハンダボール７形成時の凹部２の断
面図を示す。図３に示すように凹部２の平面形状のひし
形の一辺を例えば０．１８〔ｍｍ〕とし、凹部２の深さ
を１００μとすると、直径約１００μのハンダボール７
が形成される。このとき、凹部２の底面形状はくさび形
に成形されているため、ハンダボール７は凹部２の最底
部より浮上し、プレート１の表面より十分に突出させる
ことができる。またプレート１は図４（Ａ）に示される
ように傾斜しているため、ハンダボール７は重力により
プレート１の傾斜時の下端Ｅ１の方向（矢印Ｂ方向）に
寄り、図４（Ｂ）に示されるように全てのハンダボール
７が凹部２内の矢印Ｂ方向の側面に寄った位置に形成さ
れる。このため、全ての凹部２でハンダボール７の形成
される位置を均一化できる。
面図を示す。図３に示すように凹部２の平面形状のひし
形の一辺を例えば０．１８〔ｍｍ〕とし、凹部２の深さ
を１００μとすると、直径約１００μのハンダボール７
が形成される。このとき、凹部２の底面形状はくさび形
に成形されているため、ハンダボール７は凹部２の最底
部より浮上し、プレート１の表面より十分に突出させる
ことができる。またプレート１は図４（Ａ）に示される
ように傾斜しているため、ハンダボール７は重力により
プレート１の傾斜時の下端Ｅ１の方向（矢印Ｂ方向）に
寄り、図４（Ｂ）に示されるように全てのハンダボール
７が凹部２内の矢印Ｂ方向の側面に寄った位置に形成さ
れる。このため、全ての凹部２でハンダボール７の形成
される位置を均一化できる。
【００２０】なお、本実施例ではプレート１を傾斜させ
るためによりバンプ形成位置を均一にしているがバンプ
形成位置を均一にする方法はこれに限ることはなく、凹
部のバンプを形成したい位置にバンプの核を形成するバ
ンプ核材料を予め配設しておき、バンプを形成すること
により、バンプを所定の位置に形成する方法も考えられ
る。
るためによりバンプ形成位置を均一にしているがバンプ
形成位置を均一にする方法はこれに限ることはなく、凹
部のバンプを形成したい位置にバンプの核を形成するバ
ンプ核材料を予め配設しておき、バンプを形成すること
により、バンプを所定の位置に形成する方法も考えられ
る。
【００２１】図５に本発明の一実施例の要部の工程の変
形例の工程図を示す。本変形例ではプレート１を傾斜さ
せる代わりに凹部２の所定の角部Ｐ１にフラックスＮを
予め塗布しておく。フラックスＮの塗布の方法としては
例えば凹部２のピッチｄ１と同じピッチｄ１に中空針を
配列しておき、凹部２に中空針を挿入した後、プレート
１又は中空針を一定の方向に移動させることにより中空
針の先端を凹部２の角部Ｐ１に位置させた後、中空針を
通してフラックスを中空針先端に供給することにより塗
布する方法などが考えられる。
形例の工程図を示す。本変形例ではプレート１を傾斜さ
せる代わりに凹部２の所定の角部Ｐ１にフラックスＮを
予め塗布しておく。フラックスＮの塗布の方法としては
例えば凹部２のピッチｄ１と同じピッチｄ１に中空針を
配列しておき、凹部２に中空針を挿入した後、プレート
１又は中空針を一定の方向に移動させることにより中空
針の先端を凹部２の角部Ｐ１に位置させた後、中空針を
通してフラックスを中空針先端に供給することにより塗
布する方法などが考えられる。
【００２２】図５（Ａ）に示すようにフラックスＮを凹
部２の角部Ｐ１に塗布した後、図１（Ａ）に示すように
ハンダペースト３を凹部２に充填し、図１（Ｂ）に示す
ように加熱させることにより、フラックスＮを核として
ハンダペースト３のハンダ粒子が集まり、図５（Ｂ）に
示されるようにフラックスＮの塗布部分の角部Ｐ１部分
にハンダボール７が形成される。したがって、プレート
１を傾斜させたときと同様に凹部２の所定の位置にハン
ダボール７を位置させることができ、ハンダボール７の
位置のバラツキをなくすことができる。
部２の角部Ｐ１に塗布した後、図１（Ａ）に示すように
ハンダペースト３を凹部２に充填し、図１（Ｂ）に示す
ように加熱させることにより、フラックスＮを核として
ハンダペースト３のハンダ粒子が集まり、図５（Ｂ）に
示されるようにフラックスＮの塗布部分の角部Ｐ１部分
にハンダボール７が形成される。したがって、プレート
１を傾斜させたときと同様に凹部２の所定の位置にハン
ダボール７を位置させることができ、ハンダボール７の
位置のバラツキをなくすことができる。
【００２３】なお、本変形例ではハンダボール７の核と
なるものとしてフラックスＮを用いたが、ハンダボール
７の核としてはフラックス以外に低融点半田、導電性樹
脂、フェライト等の磁性体粒子などの固体粒子も考えら
れる。このような固体粒子を凹部２内に位置決めするに
は例えば、凹部２内に上記の固体粒子を入れた後、プレ
ート１を一方向に傾斜させることにより容易に位置決め
できる。
なるものとしてフラックスＮを用いたが、ハンダボール
７の核としてはフラックス以外に低融点半田、導電性樹
脂、フェライト等の磁性体粒子などの固体粒子も考えら
れる。このような固体粒子を凹部２内に位置決めするに
は例えば、凹部２内に上記の固体粒子を入れた後、プレ
ート１を一方向に傾斜させることにより容易に位置決め
できる。
【００２４】次に図１（Ｄ）に示すように半導体チップ
８のパッド９の形成面をプレート１のハンダボール７が
形成された面に対向させ、ハンダボール７とパッド９と
が一致するように位置決めを行ない、ハンダボール７と
パッド９とを接触させてプレート１を３５０°程度に加
熱し、ハンダボール７を溶融させ、パッド９に転写さ
せ、その後、冷却することにより図１（Ｅ）に示すよう
に半導体チップ８のパッド９にハンダボール７が付着し
た、いわゆるＢＧＡパッケージを得ることができる。
８のパッド９の形成面をプレート１のハンダボール７が
形成された面に対向させ、ハンダボール７とパッド９と
が一致するように位置決めを行ない、ハンダボール７と
パッド９とを接触させてプレート１を３５０°程度に加
熱し、ハンダボール７を溶融させ、パッド９に転写さ
せ、その後、冷却することにより図１（Ｅ）に示すよう
に半導体チップ８のパッド９にハンダボール７が付着し
た、いわゆるＢＧＡパッケージを得ることができる。
【００２５】図６に本発明のプレート１の作成方法の工
程図を示す。プレート１を作成する場合にはまず、図６
（Ａ）に示すように結晶面（１１０）面が凹部２の形成
面となるように切り出されたシリコン基板１１を用意す
る。図７にシリコン基板１１の斜視図を示す。シリコン
基板１１は図７に示すように凹部２を形成する平板面が
結晶面（１１０）面とし、シリコン基板１１の位置決め
を行なうためのオリエンテーションフラット１１ａが結
晶面（１−１１）面と平行になるように、切り出され
る。
程図を示す。プレート１を作成する場合にはまず、図６
（Ａ）に示すように結晶面（１１０）面が凹部２の形成
面となるように切り出されたシリコン基板１１を用意す
る。図７にシリコン基板１１の斜視図を示す。シリコン
基板１１は図７に示すように凹部２を形成する平板面が
結晶面（１１０）面とし、シリコン基板１１の位置決め
を行なうためのオリエンテーションフラット１１ａが結
晶面（１−１１）面と平行になるように、切り出され
る。
【００２６】次に図６（Ｂ）に示されるようにシリコン
基板１１の表面に（酸化膜（ＳｉＯ 2 ）、窒化膜（Ｓｉ
Ｎ）等よりなる保護膜１２を形成する。次に図６（Ｃ）
に示されるように凹部２を形成する面に窒化膜１２の上
からレジスト１３を塗布する。
基板１１の表面に（酸化膜（ＳｉＯ 2 ）、窒化膜（Ｓｉ
Ｎ）等よりなる保護膜１２を形成する。次に図６（Ｃ）
に示されるように凹部２を形成する面に窒化膜１２の上
からレジスト１３を塗布する。
【００２７】次に図６（Ｄ）に示されるように電子ビー
ム露光等を用いてレジスト１３の半導体チップのパッド
に対応した位置にひし形のパターン１４を形成する。図
７にパターン１４の形状を示す図を示す。図７に示すよ
うに、凹部２を形成するパターン１４はパターン１４の
一辺Ｌ2 がオリエンテーションフラット１１ａの辺Ｌ 1
に平行で、かつ、パターン１４の一辺Ｌ2 に交叉する一
辺Ｌ3 が辺Ｌ1 に対して７０．５３°となるひし形に形
成される。凹部２の形成パターン１４を図８に示すよう
なひし形とし、異方性エッチングを行なうことにより後
述するように結晶面（１１０）面には図８点Ｐ1 と点Ｐ
2 とを結ぶ線ａが底辺となるくさび状の凹部２を形成で
きる。
ム露光等を用いてレジスト１３の半導体チップのパッド
に対応した位置にひし形のパターン１４を形成する。図
７にパターン１４の形状を示す図を示す。図７に示すよ
うに、凹部２を形成するパターン１４はパターン１４の
一辺Ｌ2 がオリエンテーションフラット１１ａの辺Ｌ 1
に平行で、かつ、パターン１４の一辺Ｌ2 に交叉する一
辺Ｌ3 が辺Ｌ1 に対して７０．５３°となるひし形に形
成される。凹部２の形成パターン１４を図８に示すよう
なひし形とし、異方性エッチングを行なうことにより後
述するように結晶面（１１０）面には図８点Ｐ1 と点Ｐ
2 とを結ぶ線ａが底辺となるくさび状の凹部２を形成で
きる。
【００２８】レジスト１３に図８に示すようなひし形の
パターン１４を形成した後にドライエッチングを行なう
ことにより図６（Ｂ）に示されるようにレジスタ１３の
下部に形成された窒化膜１２がひし形のパターンにエッ
チングされ、シリコン基板１１のひし形のパターン１４
に対応する部分が露出される。次にひし形パターン１４
に露出されたシリコン基板１１に対してＫＯＨ（水酸化
カリウム）系のエッチング液を用いた異方性エッチング
を実施する。
パターン１４を形成した後にドライエッチングを行なう
ことにより図６（Ｂ）に示されるようにレジスタ１３の
下部に形成された窒化膜１２がひし形のパターンにエッ
チングされ、シリコン基板１１のひし形のパターン１４
に対応する部分が露出される。次にひし形パターン１４
に露出されたシリコン基板１１に対してＫＯＨ（水酸化
カリウム）系のエッチング液を用いた異方性エッチング
を実施する。
【００２９】異方性エッチングは例えば、ＫＯＨ３０ｗ
ｔ％のエッチングで１時間実施され、異方性エッチング
によりシリコン基板１１には図６（Ｆ）に示されるよう
に平面形状がひし形で、かつ、断面形状がくさび形の凹
部２が形成される。図９に凹部２の形状を説明するため
の図を示す。図９（Ａ）は斜視図、図９（Ｂ）は平面
図、図９（Ｃ）は断面図を示す。
ｔ％のエッチングで１時間実施され、異方性エッチング
によりシリコン基板１１には図６（Ｆ）に示されるよう
に平面形状がひし形で、かつ、断面形状がくさび形の凹
部２が形成される。図９に凹部２の形状を説明するため
の図を示す。図９（Ａ）は斜視図、図９（Ｂ）は平面
図、図９（Ｃ）は断面図を示す。
【００３０】凹部２は図９に示されるように結晶の配置
方向によりくさび状にエッチングされる。このとき、凹
部２は上記のＫＯＨ３０ｗｔ％のエッチング液、１時間
のエッチングにより７０μ〜１００μの深さｈに形成さ
れる。また、異方性エッチングにより生じるアンダーエ
ッチングにより一辺が０．１７ｍｍのひし形のパターン
１４に対して形成される凹部２の形状は一辺が０．１８
ｍｍのひし形となる。
方向によりくさび状にエッチングされる。このとき、凹
部２は上記のＫＯＨ３０ｗｔ％のエッチング液、１時間
のエッチングにより７０μ〜１００μの深さｈに形成さ
れる。また、異方性エッチングにより生じるアンダーエ
ッチングにより一辺が０．１７ｍｍのひし形のパターン
１４に対して形成される凹部２の形状は一辺が０．１８
ｍｍのひし形となる。
【００３１】なお、このとき、実際に形成される凹部２
の平面形状はひし形の狭角部分でエッチングが進みにく
くひし形の形状がわずかに変形し、図９に破線で示すよ
うに略六角形の形状に形成される傾向にある。図１０に
凹部２のひし形の一辺の長さに対する深さｈの関係を示
す。図１０に示されるように一辺の長さに正比例してリ
ニアに深さｈが大きくなることがわかる。このとき、凹
部形状と半田ボールとの関係は、凹部の一辺の長さを
ａ、凹部２の傾斜角をα、深さをｈ、半田ボールの半径
をｒとすると、
の平面形状はひし形の狭角部分でエッチングが進みにく
くひし形の形状がわずかに変形し、図９に破線で示すよ
うに略六角形の形状に形成される傾向にある。図１０に
凹部２のひし形の一辺の長さに対する深さｈの関係を示
す。図１０に示されるように一辺の長さに正比例してリ
ニアに深さｈが大きくなることがわかる。このとき、凹
部形状と半田ボールとの関係は、凹部の一辺の長さを
ａ、凹部２の傾斜角をα、深さをｈ、半田ボールの半径
をｒとすると、
【００３２】
【数１】
【００３３】で表わされ、半田ボールの大きさと、それ
を形成するための凹部の形状を算出できる。したがって
より大きなバンプを形成しようとする場合にはひし形の
パターンの一辺の長さを大きく設定すれば図７に示す凹
部２と類似した凹部が容易に形成できる。
を形成するための凹部の形状を算出できる。したがって
より大きなバンプを形成しようとする場合にはひし形の
パターンの一辺の長さを大きく設定すれば図７に示す凹
部２と類似した凹部が容易に形成できる。
【００３４】シリコン基板１１にくさび形の凹部２が形
成された後には、プラズマエッチングを行い、レジスト
１３を除去すると共にリン酸によりシリコン窒化膜１２
を除去し、図６（Ｇ）に示されるような凹部２が形成さ
れたシリコン基板１１が得られる。次にシリコン基板１
１を熱酸化させることによりシリコン基板１１の表面に
シリコン酸化膜１５を形成し、基板を安定化させる。次
にシリコン基板１１をダイシングして、必要とする形状
に切り出し、プレート１が完成する。
成された後には、プラズマエッチングを行い、レジスト
１３を除去すると共にリン酸によりシリコン窒化膜１２
を除去し、図６（Ｇ）に示されるような凹部２が形成さ
れたシリコン基板１１が得られる。次にシリコン基板１
１を熱酸化させることによりシリコン基板１１の表面に
シリコン酸化膜１５を形成し、基板を安定化させる。次
にシリコン基板１１をダイシングして、必要とする形状
に切り出し、プレート１が完成する。
【００３５】以上のようなプレート形成方法によれば、
凹部２をシリコン基板１１の結晶の特性を生じて、異方
性エッチングにより、断面形状をくさび状に形成するこ
とによりエッチング量の制御が矩形状にエッチングを行
なうものに比べて正確に行なえるため、凹部２に埋設さ
れるハンダペースト１３の量の凹部２毎のバラツキを低
減でき、バンプの大きさを一定にできる。また、半導体
の微細加工技術により形成が行なえるため、ファンピッ
チ化にも十分に対応できる。
凹部２をシリコン基板１１の結晶の特性を生じて、異方
性エッチングにより、断面形状をくさび状に形成するこ
とによりエッチング量の制御が矩形状にエッチングを行
なうものに比べて正確に行なえるため、凹部２に埋設さ
れるハンダペースト１３の量の凹部２毎のバラツキを低
減でき、バンプの大きさを一定にできる。また、半導体
の微細加工技術により形成が行なえるため、ファンピッ
チ化にも十分に対応できる。
【００３６】なお、本実施例では凹部２を形成する方法
として異方性エッチングを用いたが、これに限ることは
なくドライエッチングを用いることも可能である。図１
１にドライエッチングを用いた凹部の形成方法を説明す
るための図を示す。ドライエッチングにより凹部２を形
成する場合にはまず、図１１（Ａ）に示すように凹部２
を外形パターンと略同じ形状パターンを有するマスクＭ
１を用いてドライエッチングを行ない、次に図１１
（Ｂ）〜（Ｃ）に示すように徐々にパターンが小さくな
るマスクＭ２〜ＭＮを用いて順次ドライエッチングを行
なうことにより断面形状がくさび状の凹部２を形成す
る。なお、凹部の形成方法は異方性エッチング、ドライ
エッチングに限ることはなく、要はシリコン基板に断面
形状がくさび状の凹部が形成可能な方法であればよい。
として異方性エッチングを用いたが、これに限ることは
なくドライエッチングを用いることも可能である。図１
１にドライエッチングを用いた凹部の形成方法を説明す
るための図を示す。ドライエッチングにより凹部２を形
成する場合にはまず、図１１（Ａ）に示すように凹部２
を外形パターンと略同じ形状パターンを有するマスクＭ
１を用いてドライエッチングを行ない、次に図１１
（Ｂ）〜（Ｃ）に示すように徐々にパターンが小さくな
るマスクＭ２〜ＭＮを用いて順次ドライエッチングを行
なうことにより断面形状がくさび状の凹部２を形成す
る。なお、凹部の形成方法は異方性エッチング、ドライ
エッチングに限ることはなく、要はシリコン基板に断面
形状がくさび状の凹部が形成可能な方法であればよい。
【００３７】図１２に本発明のバンプ形成方法の他の実
施例の工程図を示す。本実施例のバンプ形成方法は、ハ
ンダバンプ２１を形成しようとする半導体チップ２２の
パッド２３の位置に対応した位置にパッド２３よりわず
かに大きい形状の貫通穴部２４が形成されたプレート２
５を用い、半導体チップ２２にハンダバンプ２３を形成
しようとするものである。
施例の工程図を示す。本実施例のバンプ形成方法は、ハ
ンダバンプ２１を形成しようとする半導体チップ２２の
パッド２３の位置に対応した位置にパッド２３よりわず
かに大きい形状の貫通穴部２４が形成されたプレート２
５を用い、半導体チップ２２にハンダバンプ２３を形成
しようとするものである。
【００３８】プレート２５には図１２（Ａ）に示めされ
るように半導体チップ２２に形成されたパッド２３の位
置に対応した位置にパッド２３の大きさｄ1 よりわずか
に大きい大きさｄ2 の貫通穴部２４が形成されている。
プレート２５としては例えば、板厚４００μｍのステン
レス（ＳＵＳ）板に直径１１５０μｍの貫通穴部２４が
１２７０μｍのピッチでマトリクス状に設けられ、表面
に硬質クロームメッキが施されたものが考えられる。
るように半導体チップ２２に形成されたパッド２３の位
置に対応した位置にパッド２３の大きさｄ1 よりわずか
に大きい大きさｄ2 の貫通穴部２４が形成されている。
プレート２５としては例えば、板厚４００μｍのステン
レス（ＳＵＳ）板に直径１１５０μｍの貫通穴部２４が
１２７０μｍのピッチでマトリクス状に設けられ、表面
に硬質クロームメッキが施されたものが考えられる。
【００３９】図１２（Ａ）に示されるようなプレート２
５を図１２（Ｂ）に示されるように貫通穴部２４とパッ
ド２３とか一致するように半導体チップ２２上に搭載さ
れる。半導体チップ２２は、例えばガラスエポキシ樹脂
からなるＢＧＡパッケージの形態をなし、直径７５０μ
ｍのパッド２３が１２７０μｍピッチでパターン形成さ
れている。このパッド２３の表面は金メッキが施されて
おり、ハンダ付け性の優れた構成をとっている。
５を図１２（Ｂ）に示されるように貫通穴部２４とパッ
ド２３とか一致するように半導体チップ２２上に搭載さ
れる。半導体チップ２２は、例えばガラスエポキシ樹脂
からなるＢＧＡパッケージの形態をなし、直径７５０μ
ｍのパッド２３が１２７０μｍピッチでパターン形成さ
れている。このパッド２３の表面は金メッキが施されて
おり、ハンダ付け性の優れた構成をとっている。
【００４０】次に、図１２（Ｃ）に示されるようにスキ
ージ２６を用いて例えば６０Ｐｂ／４０Ｓｎ（融点１８
０℃程度）のハンダペースト２７をプレート２５上に塗
布し、図１２（Ｄ）に示されるように貫通穴部２４にハ
ンダペースト２７を充填する。
ージ２６を用いて例えば６０Ｐｂ／４０Ｓｎ（融点１８
０℃程度）のハンダペースト２７をプレート２５上に塗
布し、図１２（Ｄ）に示されるように貫通穴部２４にハ
ンダペースト２７を充填する。
【００４１】次に、例えばＮ2 雰囲気中で温度リフロー
により２３０℃程度に加熱すると、図１２（Ｅ）に示す
ように、ハンダペースト２７中のハンダ粒子が溶融し
て、一体化し、柱状のハンダバンプ２１が形成される。
次に、プレート２５を半導体チップ２２より離脱させる
と図１２（Ｆ）に示されるように半導体チップ２３上に
球状のハンダバンプ２１が形成される。
により２３０℃程度に加熱すると、図１２（Ｅ）に示す
ように、ハンダペースト２７中のハンダ粒子が溶融し
て、一体化し、柱状のハンダバンプ２１が形成される。
次に、プレート２５を半導体チップ２２より離脱させる
と図１２（Ｆ）に示されるように半導体チップ２３上に
球状のハンダバンプ２１が形成される。
【００４２】本実施例によれば、半導体チップ２２のパ
ッド２３上に直接ハンダバンプ２１を形成できるため、
押圧・再加熱が不要となり形状が極めて球状に近く、変
形の少ないハンダバンプを形成できる。
ッド２３上に直接ハンダバンプ２１を形成できるため、
押圧・再加熱が不要となり形状が極めて球状に近く、変
形の少ないハンダバンプを形成できる。
【００４３】
【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１によれ
ば、プレートを凹部形成面が（１１０）結晶面となるよ
うに切出されたシリコン基板で構成し、（１−１１）結
晶方向と平行となる平行四辺形のパターンを形成するよ
うにエッチングを行ない凹部を形成することにより、結
晶面が均一にエッチングされ、断面形状が略くさび形の
凹部を形成することができるため、シリコン基板の結晶
の配置に応じてエッチングが行なわれ、凹部の深さや大
きさを一定にできるため、ハンダバンプの形状を均一化
できる等の特長を有する。
ば、プレートを凹部形成面が（１１０）結晶面となるよ
うに切出されたシリコン基板で構成し、（１−１１）結
晶方向と平行となる平行四辺形のパターンを形成するよ
うにエッチングを行ない凹部を形成することにより、結
晶面が均一にエッチングされ、断面形状が略くさび形の
凹部を形成することができるため、シリコン基板の結晶
の配置に応じてエッチングが行なわれ、凹部の深さや大
きさを一定にできるため、ハンダバンプの形状を均一化
できる等の特長を有する。
【００４４】請求項２によれば、プレートをシリコン
（Ｓｉ）で構成することにより、半導体装置のシリコン
基板をそのまま流用でき、また、シリコンはすべりがよ
いため、バンプ形成材料の凹部への充填時のスキージ性
を向上させることができ、凹部にまんべんなくバンプ形
成材料を充填でき、したがってバンプを均一に形成でき
る等の特長を有する。
（Ｓｉ）で構成することにより、半導体装置のシリコン
基板をそのまま流用でき、また、シリコンはすべりがよ
いため、バンプ形成材料の凹部への充填時のスキージ性
を向上させることができ、凹部にまんべんなくバンプ形
成材料を充填でき、したがってバンプを均一に形成でき
る等の特長を有する。
【００４５】請求項３によれば、プレートに保護膜を形
成することにより、プレートを化学的に安定化できると
共にハンダ付性を劣化させることができるため、耐久性
を向上させることができ、また、バンプの形状を均一化
できる等の特長を有する。請求項４によれば、保護膜と
して酸化膜を用いることによりプレートの耐久性、バン
プの離れを向上させることが等の特長を有する。
成することにより、プレートを化学的に安定化できると
共にハンダ付性を劣化させることができるため、耐久性
を向上させることができ、また、バンプの形状を均一化
できる等の特長を有する。請求項４によれば、保護膜と
して酸化膜を用いることによりプレートの耐久性、バン
プの離れを向上させることが等の特長を有する。
【００４６】請求項５によれば保護膜として窒化膜を用
いることによりプレートの耐久性の離れを向上させるこ
とができる等の特長を有する。請求項６によれば、凹部
形成をドライエッチングにより行なうことにより、凹部
形状を精度良く形成できる等の特長を有する。
いることによりプレートの耐久性の離れを向上させるこ
とができる等の特長を有する。請求項６によれば、凹部
形成をドライエッチングにより行なうことにより、凹部
形状を精度良く形成できる等の特長を有する。
【００４７】請求項７によれば、エッチングに異方性エ
ッチングを用いることにより、エッチングを均一化でき
るため、凹部の形状を均一化でき、したがってバンプの
形状を均一化できる等の特長を有する。請求項８によれ
ば、プレートを傾斜させた状態でバンプ形成材料を加熱
することによりバンプを形成する材料が所定の方向に流
れ、所定の位置にバンプを形成することができるため、
バンプ位置を凹部の所定の位置に位置決めでき、バンプ
位置のバラツキを解消できる等の特長を有する。
ッチングを用いることにより、エッチングを均一化でき
るため、凹部の形状を均一化でき、したがってバンプの
形状を均一化できる等の特長を有する。請求項８によれ
ば、プレートを傾斜させた状態でバンプ形成材料を加熱
することによりバンプを形成する材料が所定の方向に流
れ、所定の位置にバンプを形成することができるため、
バンプ位置を凹部の所定の位置に位置決めでき、バンプ
位置のバラツキを解消できる等の特長を有する。
【００４８】請求項９によれば、プレートの凹部内の所
定の位置にバンプの核となるバンプ核材料を配設するこ
とにより凹部内に配設されたバンプ核材料を核としてバ
ンプが形成されるため、バンプがバンプ核材料を配置し
た位置に形成でき、バンプ位置のバラツキを解消できる
等の特長を有する。
定の位置にバンプの核となるバンプ核材料を配設するこ
とにより凹部内に配設されたバンプ核材料を核としてバ
ンプが形成されるため、バンプがバンプ核材料を配置し
た位置に形成でき、バンプ位置のバラツキを解消できる
等の特長を有する。
【００４９】請求項１０によれば、請求項１で形成され
た平行四辺形状の凹部にバンプ形成材料が充填されたプ
レートを傾斜させた状態で加熱し、バンプを形成するこ
とにより凹部の一側端に寄った状態でバンプを形成でき
るため、バンプ位置を均一にでき、バンプ位置のバラツ
キを解消できる等の特長を有する。
た平行四辺形状の凹部にバンプ形成材料が充填されたプ
レートを傾斜させた状態で加熱し、バンプを形成するこ
とにより凹部の一側端に寄った状態でバンプを形成でき
るため、バンプ位置を均一にでき、バンプ位置のバラツ
キを解消できる等の特長を有する。
【００５０】請求項１１によれば、請求項１乃至３で形
成された平行四辺形状の凹部内の所定の位置にバンプの
核となるバンプ核材料を配設した後に凹部にバンプ形成
材料を充填し、加熱することにより凹部内でバンプ核材
料を中心としてバンプが形成されるため、凹部内のバン
プ核材料を配置した所定の位置にバンプを形成でき、し
たがって、バンプ位置を均一化でき、バンプ位置のバラ
ツキを解消できる等の特長を有する。
成された平行四辺形状の凹部内の所定の位置にバンプの
核となるバンプ核材料を配設した後に凹部にバンプ形成
材料を充填し、加熱することにより凹部内でバンプ核材
料を中心としてバンプが形成されるため、凹部内のバン
プ核材料を配置した所定の位置にバンプを形成でき、し
たがって、バンプ位置を均一化でき、バンプ位置のバラ
ツキを解消できる等の特長を有する。
【００５１】請求項１２によれば、半導体チップのパッ
ドに対応した貫通穴部を有するプレートを半導体チップ
に積層させた後に、貫通穴部にバンプ形成材料を充填
し、加熱することにより半導体チップに直接的にバンプ
を形成できるため、従来のように一度形成されたバンプ
に半導体チップのパッドを押し付ける必要がないため、
バンプが変形することがなく、変形の極めて少ないバン
プが得られる等の特長を有する。
ドに対応した貫通穴部を有するプレートを半導体チップ
に積層させた後に、貫通穴部にバンプ形成材料を充填
し、加熱することにより半導体チップに直接的にバンプ
を形成できるため、従来のように一度形成されたバンプ
に半導体チップのパッドを押し付ける必要がないため、
バンプが変形することがなく、変形の極めて少ないバン
プが得られる等の特長を有する。
【００５２】請求項１３によれば、バンプの形状が均一
な半導体装置が形成できるため、プリント配線板等への
搭載を確実に行なえる等の特長を有する。
な半導体装置が形成できるため、プリント配線板等への
搭載を確実に行なえる等の特長を有する。
【図１】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施例のハンダペースト埋込時の凹
部の断面図である。
部の断面図である。
【図３】本発明の一実施例のハンダボール形成時の凹部
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の一実施例の要部の工程図である。
【図５】本発明の一実施例の要部の変形例の工程図であ
る。
る。
【図６】本発明のプレート作成方法の一実施例の工程図
である。
である。
【図７】本発明の一実施例のプレート作成に用いられる
シリコン基板の斜視図である。
シリコン基板の斜視図である。
【図８】本発明の一実施例のプレート作成に用いられる
凹部形成パターンの形状を示す図である。
凹部形成パターンの形状を示す図である。
【図９】本発明の一実施例のプレート作成方法により形
成される凹部の形状を説明するための図である。
成される凹部の形状を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施例の凹部の一辺の長さに対す
る深さの関係を示す図である。
る深さの関係を示す図である。
【図１１】本発明の一実施例のドライエッチングによる
凹部の形成方法を説明するための図である。
凹部の形成方法を説明するための図である。
【図１２】本発明のバンプ形成方法の他の実施例の工程
図である。
図である。
１ プレート ２ 凹部 ３ ハンダペースト ４ スキージ ５ シリコン基板 ６ 酸化膜 ７ ハンダボール ８ 半導体チップ ９ パッド ２１ バンプ ２２ 半導体チップ ２３ パッド ２４ 貫通穴部 ２５ プレート ２６ スキージ ２７ ハンダペースト
フロントページの続き (72)発明者 山口 一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−222570（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−17794（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−340001（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−204322（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−155722（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−283565（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体チップのパッドに対応して凹部が
形成されたプレートの該凹部にバンプ形成材料を充填
し、該バンプ形成材料を加熱することによりバンプを成
形する半導体装置製造方法において、 前記プレートを前記凹部形成面が（１１０）結晶面とな
るように切り出された基板で構成し、 （１−１１）結晶方向と略平行となるような平行四辺形
のパターン形成すべくエッチングを行ない、前記凹部を
形成し、前記バンプを形成することを特徴とする半導体
装置製造方法。 - 【請求項２】 前記プレートはシリコン（Ｓｉ）よりな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造方
法。 - 【請求項３】 前記プレートに保護膜を形成することを
特徴とする請求項１記載の半導体装置製造方法。 - 【請求項４】 前記保護膜は酸化膜であることを特徴と
する請求項３記載の半導体装置製造方法。 - 【請求項５】 前記保護膜は窒化膜であることを特徴と
する請求項３記載の半導体装置製造方法。 - 【請求項６】 前記エッチングはドライエッチングを用
いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記
載の半導体装置製造方法。 - 【請求項７】 前記エッチングは異方性エッチングを用
いることを特徴とする請求項１乃至６いずれか一項記載
の半導体装置製造方法。 - 【請求項８】 プレート上の半導体チップのパッドに対
応して形成された凹部にバンプ形成材料を充填し、該バ
ンプ形成材料を加熱することによりバンプを成形した
後、前記プレートを前記半導体チップに対向させ、前記
バンプを前記パッド上に転写して形成される半導体装置
製造方法において、 前記プレートを所定の方向に傾斜させた状態で前記凹部
に充填された前記バンプ形成材料を加熱することを特徴
とする半導体装置製造方法。 - 【請求項９】 プレート上の半導体チップのパッドに対
応して形成された凹部にバンプ形成材料を充填し、該バ
ンプ形成材料を加熱することによりバンプを成形した
後、前記プレートを前記半導体チップに対向させ、前記
バンプを前記パッド上に転写して形成される半導体装置
製造方法において、 前記凹部の所望の位置に前記バンプ形成材料の核となる
バンプ核材料を設けた後、前記バンプ形成材料を前記凹
部に充填し、前記バンプ形成材料を加熱することにより
前記バンプを前記プレート上に成形することを特徴とす
る半導体装置製造方法。 - 【請求項１０】 前記プレートを所定の方向に傾斜させ
た状態で前記凹部に充填された前記バンプ形成材料を加
熱することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項
記載の半導体装置製造方法。 - 【請求項１１】 前記凹部の前記バンプを形成しようと
する位置に前記バンプ形成材料の核となるバンプ核材料
を配設した後、前記バンプ形成材料を前記凹部に充填
し、前記バンプ形成材料を加熱することにより前記バン
プを前記プレート上に成形することを特徴とする請求項
１乃至７のいずれか一項記載の半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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1995
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