JP4749791B2 - はんだボールの製造方法 - Google Patents

はんだボールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4749791B2
JP4749791B2 JP2005220128A JP2005220128A JP4749791B2 JP 4749791 B2 JP4749791 B2 JP 4749791B2 JP 2005220128 A JP2005220128 A JP 2005220128A JP 2005220128 A JP2005220128 A JP 2005220128A JP 4749791 B2 JP4749791 B2 JP 4749791B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
ball
substrate
metal
paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005220128A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007036082A (ja
Inventor
将元 田中
孝之 小林
幸弘 山本
修 山内
正美 藤島
浩 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Micrometal Corp
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Materials Co Ltd
Nippon Micrometal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Materials Co Ltd, Nippon Micrometal Corp filed Critical Nippon Steel Materials Co Ltd
Priority to JP2005220128A priority Critical patent/JP4749791B2/ja
Publication of JP2007036082A publication Critical patent/JP2007036082A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4749791B2 publication Critical patent/JP4749791B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

本発明は、半導体基板の電極と回路基板の電極あるいは配線との相互間を接続するためのはんだボール及びはんだバンプの製造方法に関するものである。
最近の電子部品の小型化、高密度実装化に伴い、プリント配線基板等に電子部品を実装する際には、BGA(ボールグリッドアレイ)、CSP(チップサイズパッケージ)技術が用いられるようになっている。また、これらの技術に採用される電極サイズも微細化の一途をたどっている。
これらの接合においては、半導体基板、電子部品、プリント基板等の上に配置された多数の電極にまずはんだバンプを形成する。電子部材上の電極へのはんだバンプ形成は、各電極にフラックスの粘着力を利用してはんだボールを粘着させ、ついで該電子部材を高温に熱してはんだボールをリフローさせることによって行なう。このはんだバンプを介して半導体基板等とプリント基板等との間を接合する。ここで、はんだバンプとは、銅あるいはアルミ配線電極上のメッキの上に半球状に盛り上がって形成されたはんだをいう。
半導体素子はますます小型化・高密度化が進み、基板上における隣接する電極間の間隔が狭まっている。そのため、従来のはんだボールを用いて図10(a)に示すようにはんだボール19を電極17a上に配置し、半導体基板16と回路基板18との間を図10(b)に示すようにBGA接続しようとするとき、半導体基板16と回路基板18との間隔を狭めて両者の電極17間にはんだボール19を挟み込んだ際、図10(c)に示すように両電極に押されたはんだボール19が変形して隣接するはんだボール同士が合体してしまうことがある。このようなはんだボール同士の合体を防止するためには、半導体基板16と回路基板18との間隔を狭めるに際し、両者の間隔をきわめて正確に制御することが必要となる。
特許文献1には、半導体素子を搭載するとともに電気接点としてマイクロボールを搭載した半導体装置のパッケージにおいて、マイクロボールはコアボールの周囲に導電膜を備えた複合マイクロボールからなり、コアボールは直径が30〜100μmで十分良い転がり性を有し、その直径精度が優れており、導電膜は外周面に均一に形成された厚さ10μm以上の半田めっき層を備えていることを特徴とする半導体パッケージが記載されている。これにより、複合マイクロボールを搭載して、パッケージのZ軸の寸法精度を精密に制御できるように構成したものであるとしている。ここでパッケージのZ軸とは、積載する高さ方向を示す軸を示す。コアボールは銅、金またはこれらの合金からなる。
廃棄された電子装置を廃棄処理するに際し、環境への影響を最少とするため、電子装置に使用するはんだ合金についても無鉛はんだ合金が要求されるようになっている。
無鉛はんだ合金としては、二元系ではSnにAgを3.5%含有した組成が共晶組成となり、融点は221℃と比較的低く、広く無鉛はんだとして使用されている。
電子部品に用いるはんだ合金については、優れた耐熱疲労特性を必要とする。特許文献2においては、電子機器用の無鉛はんだ合金として、Ag3.0〜5.0%、Cu0.5〜3.0%、残部Snからなる耐熱疲労特性に優れた高温はんだが開示されている。Sn−Ag−Cu系はんだ合金では、Ag4.7%−Cu1.7%で三元共晶組成となることが報告されており、3%以上のAgを含有することによって共晶点近傍の組成として融点を下げ、はんだ合金としての使いやすさを実現している。
特開2001−319994号公報 特開平5−50286号公報
特許文献1に記載の複合マイクロボールは、銅などの金属コアと外周にはんだめっき層を備えた金属コアはんだボールである。半導体基板の電極と回路基板の電極との間をBGA接続するに際し、このような金属コアはんだボール1を用いて電極17上に配置することにより、図8(b)に示すようにはんだボール1を介して対面する両電極間の距離はコアとなる金属ボール2の直径より狭くなることができず、即ち両電極間の距離は金属ボール2の存在によって正確に制御することが可能になる。
従来の金属コアはんだボールにおいて、金属コアボールの外周面にはんだ層を形成する方法としては、めっき方法が用いられていた。ところが、外周面に形成するはんだとしてSn−Ag−Cu系などの多成分系無鉛はんだ合金を用いた場合、はんだめっき時にめっき組成のずれが生じ、目標とする成分を有するはんだめっき層を形成することが困難となることがある。組成のずれが生じたはんだボールを用いてはんだバンプを形成すると、そのはんだバンプのはんだも組成がずれたバンプとなる。
本発明は、多成分系無鉛はんだ合金を用いた金属コアはんだボール又ははんだバンプにおいて、組成のずれを生じさせることのないはんだボール又ははんだバンプの製造方法を提供することを目的とする。
即ち、本発明の要旨とする所は以下の通りである。
(1)基板上に多数の島状はんだペースト領域4を形成し、各島状はんだペースト領域4に金属ボール2を配置し、その後基板上のはんだを溶融させ、さらにその後、金属ボールとはんだの結合体7を加熱した液相31中に自由落下させ、金属コアはんだボール形状とすることを特徴とするはんだボールの製造方法。
(2)基板3は、溶融したはんだとの接触角が60°以上であることを特徴とする上記(1)に記載のはんだボールの製造方法。
(3)基板3の材質は、カーボン、ガラス、セラミックスのいずれかであることを特徴とする上記(2)に記載のはんだボールの製造方法。
(4)はんだペースト領域4の形成は、はんだペースト10を液滴ジェット11として基板上に転写する方法、あるいははんだペースト10をスクリーン印刷して基板上に転写する方法を用いることを特徴とする上記(1)乃至(3)のいずれかに記載のはんだボールの製造方法。
(5)島状はんだペースト領域4は、基板上に設けた凹部5に形成することを特徴とする上記(1)乃至(4)のいずれかに記載のはんだボールの製造方法。
)金属ボール2は銅ボールであることを特徴とする上記(1)乃至()のいずれかに記載のはんだボールの製造方法
本発明の製造方法によるはんだボール及びはんだバンプは、多成分系無鉛はんだ合金を用いた場合でも成分のずれが生じないので、半導体基板の電極と回路基板の電極との間をBGA接続等するに際し、接続に無鉛はんだを用いることができ、さらに両電極間の距離は金属コアボールの存在によって正確に制御することが可能になる。
本発明方法で製造される金属コアはんだボール1は、中心部に金属ボール2を有し、外周面がはんだ9で被覆された形状を有する。金属ボール2の材質としては、導電性を有し、はんだのリフロー温度で固相を保持することのできる金属であれば限定はされないが、銅、金、銀、鉄あるいはこれら金属の合金を用いると特に好ましい。金属ボール2の直径をDとしたとき、D:30〜600μmとし、外周面のはんだ層の厚さは、D/10〜D/2とする。金属ボール2を有することにより、接合する半導体基板16の電極17や回路基板18の電極17との間隔を正確に一定に保持することができる。また、金属ボール2の材質としてはんだ9に比較して電気伝導、熱伝導に優れる材質を選択することができるので、半導体素子の高速安定化にも寄与することができる。
本発明のはんだボール1の製造方法においては、図2(a)に示すように基板3上に多数の島状はんだペースト領域4を形成し、図2(b)に示すように各島状はんだペースト領域4に金属ボール2を配置し、その後基板上のはんだを溶融させることを特徴とする。基板3には、溶融したはんだとの間で濡れ性の良くない材質のものを用いる。
図1の例に基づいて本発明の説明を行う。図1に示す例では、図1(a)に示すように基板3の島状はんだペースト領域4を形成すべき部位に凹部5が形成されている。図1(b)は、基板3表面の凹部5に島状はんだペースト領域4が形成された状況を示す。
各島状はんだペースト領域4のはんだの量は、1個のはんだボールを構成するはんだの量と等しくする。図1(c)に示すように各島状はんだペースト領域4に金属ボール2を配置すると、金属ボール2ははんだペーストの粘着力によってはんだペースト上に被着する。この状態で基板全体を熱してはんだを溶融させると、図1(d)に示すようにはんだ9と金属ボール2とを一体化することができる。基板3と溶融はんだとの間は濡れ性が悪いので、はんだ9が基板3と接着することはない。また、各島状はんだペースト領域4はお互いに離れているので、相互に接触して2以上のはんだボール1が合体することもない。その後、図1(e)に示すように、基板3からはんだボール1(金属ボールとはんだの結合体7)を回収する。
基板と溶融したはんだとの間の濡れ性については、図3に示す基板3と溶融したはんだ9との接触角θが、SnPbの濡れ角60°以上であることとすると好ましい。これにより、基板3を熱したときに、溶融したはんだ9は自身の表面張力及びはんだ9と金属ボール2との間の界面張力により、はんだ9と金属ボール2とを一体化させることが可能になる。
基板3の材質としてテフロン(登録商標)、カーボン、ガラス、セラミックスのいずれかを選択することにより、はんだとの間に上記良好な濡れ性特性を実現することができる。
金属コアはんだボール1を高い生産性で製造するためには、1枚の基板3上にできるだけ多くの島状はんだペースト領域4を配置し、一度に多数のはんだボールを製造することが必要である。このため、本発明における島状はんだペースト領域4の形成は、はんだペースト10を液滴ジェット11として基板上に転写する方法、あるいはスクリーン12を用いてはんだペースト10をスクリーン印刷して基板上に転写する方法を用いることとすると好ましい。
はんだペースト10を液滴ジェット11として基板上に転写する方法について図4に基づいて説明を行う。図4(a)については基板表面6が平坦で凹部が存在しない場合、図4(b)についてははんだペースト領域4を形成すべき位置に凹部5が存在する場合を示す。
図4に示すように、容器22内にはんだペースト10を格納し、容器22にノズル23を接続する。ノズル23からは1回に一定量のはんだペースト10を液滴ジェット11として噴射することができる。ノズル23の噴射方向を基板表面に向け、ノズルの位置を移動させつつ基板上にはんだペーストを噴射することにより、短時間に多数の島状はんだペースト領域4を基板上に形成することができる。
はんだペーストをスクリーン印刷して基板上に転写する方法について図5に基づいて説明を行う。図5(a)(b)(c)については基板表面6が平坦で凹部が存在しない場合、図5(d)(e)(f)についてははんだペースト領域4を形成すべき位置に凹部5が存在する場合を示す。
島状はんだペースト領域4に対応する位置に開口25を有するスクリーン12を準備し、図5(a)(d)に示すようにこのスクリーン12を基板3の表面に配置した上で、スクリーン上にはんだペーストを塗布する。その結果、図5(b)に示す例ではスクリーン12の開口25内部に、図5(e)に示す例ではスクリーン12の開口25と凹部5の内部にはんだペースト10が充填される。その後スクリーンを基板から排除すると、図5(c)(f)に示すように、スクリーンの開口位置に対応する部位に島状はんだペースト領域4が形成されている。
島状はんだペースト領域4を形成する基板3については、図1に示すように島状はんだペースト領域4を形成する位置に凹部5を設け、基板上の凹部5に島状はんだペースト領域4を形成することとすると好ましい。これにより、基板3を加熱してはんだを溶融させるに際し、溶融したはんだ9が容易に金属ボール2と一体化することができる。また、溶融したはんだ9が凹部5に拘束されるので基板上で移動することがなく、隣り合った溶融はんだ領域同士が合体することがない。さらに、スクリーン印刷によってはんだペーストを基板上に転写する方法を採用する場合には、はんだペーストを凹部内に充填することにより、はんだペースト容積を凹部の内容積と等しくすることができ、すなわち、各はんだペースト領域毎のはんだペースト容積を正確に一定に保持することが可能になる。
金属ボールを基板上の各島状はんだペースト領域に配置する方法について図6に示す例を用いて説明する。この例においては、金属ボール2を配列板27に吸着し、基板上に金属ボール2を配列して吸着を解除する金属ボール配列装置26を用いている。また、図6(b)(c)に示す例では基板3の表面は平坦であり、図6(d)(e)に示す例では基板3の表面に凹部5が形成されている。
金属ボール配列装置26の配列板27は、多数の吸引口28を有する。吸引口28の直径は金属ボール2の直径より小さく、吸引口28の配置位置は基板上の島状はんだペースト領域4に対応して配置される。図6(a)に示すように配列板27の背後には吸引装置30が設けられ、吸引口28を通して空気を吸引することができる。吸引口28から空気を吸引しつつ、図6(a)に示すように金属ボール2を多数収容したトレー29に金属ボール配列装置の配列板27を接近させると、金属ボール2が各吸引口28に吸着される。この状態で配列板27を基板3上に移動し、図6(b)(d)に示すように各金属ボール2を各島状はんだペースト領域4に接触させ、この状態で配列板27の吸引を解除すると、図6(c)(e)に示すように各金属ボール2を各島状はんだペースト領域4に被着することができる。
本発明で用いるはんだペーストとしては、はんだ粉の粒度分布が5〜25μmで主サイズが15μmであるものや、15〜50μmで主サイズが25μm、25〜75μmで主サイズが40μmであり、フラックスと混合され、その粘度が50Pa・s〜400Pa・sであるペーストとすると好ましい。
基板上の各島状はんだペースト領域4に金属ボール2を配置した状態で基板全体を加熱することにより、基板上のはんだを溶融させることができる。溶融したはんだ9と基板3とは濡れ性が悪く、一方溶融したはんだ9と金属ボール2との間は濡れ性が良いので、はんだ9は基板3には溶着せず、金属ボール2を包み込むようにリフローする。この状態で基板全体を常温に戻すと、金属ボールとはんだが一体化した結合体を得ることができる。
金属ボールとはんだの結合体7は、製造条件によっては図1(d)に示すようにそのままではんだ9が金属ボール2を包み込んだ金属コアはんだボール1の形態を形成していることもあるが、このままではまだ結合体の中心と金属ボールの中心が一致した金属コアはんだボールの形状を形成せず、図7(a)に示すような金属ボールとはんだの結合体7の形態を有していることが多い。
本発明においては、基板上のはんだを溶融させた後、図7(b)に示すように金属ボールとはんだの結合体7を加熱した液相32中に自由落下させることにより、金属コアはんだボール形状とすることができる。液相32としては、はんだの溶融温度において液相を保持する液体を用いることができる。たとえば、シリコーンオイル、大豆・なたね等の植物油や鉱物油を用いることができる。
図7(b)に示すように、液容器31の上部に加熱装置33を設け、容器内の液相のうち上部に液相温度をはんだ溶融温度以上の温度とした高温領域34を形成し、下部に液相温度をはんだ溶融温度以下の低温に保持した低温領域35を形成する。この状態で容器31の上方から液層内に金属ボールとはんだの結合体7を投入すると、結合体7は液相内を自由落下する。結合体7が液相上部の高温領域34を通過するときにはんだが溶融し、はんだの界面張力によってはんだが金属ボールを完全に取り囲んで金属コアはんだボール1の形状を形成する。結合体がさらに液相内を自由落下して容器下部の低温領域35に入ると、はんだが凝固し、最終的に固相の金属コアはんだボール1が形成される。
形成した金属コアはんだボール1については、その直径が許容範囲内に入ることが重要である。本発明においては、ふるいあるいはロール分級器を用いて直径が上下限に外れたものを排除することができる。
本発明のはんだボールの金属コアとして用いる金属ボール2の材質は、銅を用いることが最も好ましい。第1に銅は電気伝導性と熱伝導性が良好である。第2に、半導体素子等の電極同士をハンダ接合するに際し、金属ボール2が銅であればはんだボールをリフローするときに金属ボール2が固相を保持するので、電極間の間隔を金属ボール2の直径に等しい距離に正確に確保することができる。さらに金属ボール2の材質としては、はんだの主成分であるすずより電気・熱伝導に優れている金、銀、鉄を用いることとしてもよい。
金属ボール2は、その表面にバリアメタルコーティングを有していると好ましい。バリアメタルコーティングを施すことにより、外周面のはんだと内部の金属ボールとの間の反応を防止することができる。その結果として、ハンダ接合電極の接合信頼性を高めることができる。バリアメタルの材質としてはNi又はNi−P合金を用いることができ、バリアメタルコーティングの厚さは0.5〜5μmであり、好ましくは1μmとすればよい。
本発明のはんだボールに用いるはんだ9の材質としては、Sn−Ag−Cu系のような多元系の無鉛はんだ成分を用いると特に好ましい。このような多元系無鉛はんだ成分を用いる場合、従来のように金属ボールにはんだをメッキしてはんだボールを製造しようとすると、はんだ成分の組成ずれを発生させていたのに対し、本発明の製造方法で製造した場合には、多元系無鉛はんだ成分であっても組成ずれを発生させないからである。多元系無鉛はんだ成分としては、Sn−Zn−Bi系のような低融点はんだを用いることとしても良い。もちろん、通常の有鉛はんだ成分のはんだを用いることとしてもよい。
上記本発明の金属コアはんだボールを用いて半導体基板等の電極同士を接合するに際しては、図8(a)に示すようにまず一方の側の素子(この場合は半導体基板16)の電極17a上に金属コアはんだボール1を被着する。その後、図8(b)に示すように他方の側の素子(この場合は回路基板18)を上記素子に近づけ、他方の側の素子上の電極17bを上記はんだボール1に接触させて全体を高温に加熱し、はんだをリフローさせて両電極間を接合する。図8(c)に示すように、一方の側の素子の電極17a上に金属コアはんだボール1を被着した後、素子全体を加熱してはんだをリフローし、電極17a上にはんだバンプ8を形成し、その後他方の側の素子を接触させて両電極間を接合することとしても良い。
本発明においては、上記のように金属コアはんだボールを素子の電極上に被着して金属コアはんだバンプを形成するかわりに、図9(a)に示すように、基板表面の電極17a上にはんだペースト10を配置し、図9(b)に示すようにはんだペースト10を配置した電極17aに金属ボール2を配置し、その後基板全体を加熱することにより図9(c)に示すように電極17a上のはんだを溶融させて金属コアはんだバンプ8とすることができる。
電極17a上へのはんだペースト10の配置は、はんだペーストを液滴ジェットとして電極上に転写する方法、あるいははんだペーストをスクリーン印刷して電極上に転写する方法を用いることができる。液滴ジェットによる転写方法、スクリーン印刷による転写方法いずれも、前記はんだボールの製造方法における方法をそのまま利用することができる。
図9(c)に示すように半導体基板等の電極17a上に金属コアはんだバンプ8を形成し、その後、他方の側の素子を上記素子に近づけ、他方の側の素子上の電極17bを上記はんだバンプ8に接触させて全体を高温に加熱し、はんだをリフローさせて図9(d)に示すように両電極間を接合する。これにより、両電極間にははんだリフロー時に固相を維持する金属ボールが介在しているので、両電極の間隔を正確に金属ボールの直径と等しく保持することができる。金属ボール2を電極17aに配置した直後の最初のはんだリフローは行わず、はんだ領域を両電極で挟み込んだ後にはじめてはんだリフローを行うこととしても良い。
本発明のはんだバンプの製造方法に用いるはんだペースト及び金属ボールとしては、前記はんだボールの製造方法に用いたと同様のはんだペースト及び金属ボールを用いることができる。
本発明の金属コアはんだボールあるいは金属コアはんだバンプを用いて半導体基板等の電極同士を接合すると、はんだリフロー時に金属ボールが固相を保持し、両電極間の距離を正確に金属ボールの直径と等しく保持することができる。そのため、両電極間の距離が近すぎることによる隣接はんだ同士の接合不良の発生を防止することができる。
また、本発明においてははんだメッキの工程を含まないので、多成分系の無鉛はんだをはんだ組成として選択するに際しても、はんだ組成のずれが発生することがない。
φ100μmの銅ボールに鉛フリーはんだ層を25μmコーティングし、本発明の金属コアはんだボールを形成した。銅ボールの表面にコーティングするはんだとして表1のはんだペーストを使用した。
当該ペーストはスクリーン印刷で所定量を浅いディンプルを形成したテフロン(登録商標)基板に転写した。スクリーン印刷に使用した印刷マスクの開口径は170μmφ、印刷マスク厚みは100μmである。ここで使用印刷マスクの設定に際しては、はんだ比重を7.35、ペースト比重を4.54、印刷マスク厚みを100μmとした場合のコーティング必要体積から、印刷マスクの開口径は170μmφとした。
次に、テフロン(登録商標)基板上の当該印刷位置(はんだペースト転写位置)に、φ100銅ボール(球径分布:100±3μm)をボールマウンターで吸着、位置合わせ後、転写されたペースト上に、銅ボールを配列した。同基板を245℃ピークのリフロー炉でリフローした。銅ボール下半球部に各鉛フリーはんだが塊状に接合された個片を、5%フラックス成分を添加した上部240℃、中間部180℃、下部140〜160℃のオイル炉中に投入し、銅ボール下半球部に接合した塊状はんだを銅ボール全体に回り込むように再溶解した。
再溶解後、得られた銅コアはんだボールの球径精度を同じく表1に示す。これにより、設定目標通りの最終直径がφ150μmである銅コアボールが形成できた。
Figure 0004749791
φ200μmの銅ボールに鉛フリーはんだ層を50μmコーティングし、本発明の金属コアはんだボールを形成した。銅ボールの表面にコーティングするはんだとして表2のはんだペーストを使用した。
当該ペーストはスクリーン印刷で所定量を浅いディンプルを形成したカーボン基板に転写した。スクリーン印刷に使用した印刷マスクの開口径は602μmφ、印刷マスク厚みは、200μmである。ここで使用印刷マスクの設定に際しては、はんだ比重を7.35、ペースト比重を4.54、印刷マスク厚みを200μmとした場合のコーティング必要体積から、印刷マスクの開口径は602μmφとした。
次に、カーボン基板上の当該印刷位置(はんだペースト転写位置)に、φ200銅ボール(球径分布:200±5μm)をボールマウンターで吸着、位置合わせ後、転写されたペースト上に、銅ボールを配列した。同基板を245℃ピークのリフロー炉でリフローした。銅ボール下半球部に各鉛フリーはんだが塊状に接合された個片を、5%フラックス成分を添加した上部240℃、中間部180℃、下部140〜160℃のオイル炉中に投入し、銅ボール下半球部に接合した塊状はんだを銅ボール全体に回り込むように再溶解した。
再溶解後、得られた銅コアはんだボールの球径精度を同じく表2に示す。これにより、設定目標通りの最終直径がφ300μmである銅コアボールが形成できた。
Figure 0004749791
φ500μmの銅ボールに鉛フリーはんだ層を100μmコーティングし、本発明の金属コアはんだボールを形成した。銅ボールの表面にコーティングするはんだとして表3のはんだペーストを使用した。
当該ペーストは液滴ジェットであるはんだペーストディスペンサーを用いて一回あたりの噴出量が約0.22mm3となるように調整し、ガラス基板に2mm間隔にペースト塗布した。ここで噴出量の設定に際しては、はんだ比重を7.35、ペースト比重を4.54とした場合のコーティング必要体積から、一回あたりの噴出量を約0.22mm3とした。
次に、ガラス基板上の2mm間隔に噴出塗布されたペースト位置に、φ500銅ボール(球径分布:500±5μm)を銅ボールを当該ペースト中心部に各1個配置した。同基板を245℃ピークのリフロー炉でリフローした。銅ボール下半球部に各鉛フリーはんだが塊状に接合された個片を、5%フラックス成分を添加した上部240℃、中間部180℃、下部140〜160℃のオイル炉中に投入し、銅ボール下半球部に接合した塊状はんだを銅ボール全体に回り込むように再溶解した。
再溶解後、得られた銅コアはんだボールの球径精度を同じく表3に示す。これにより、設定目標通りの最終直径がφ700μmである銅コアボールが形成できた。
Figure 0004749791
金属コアはんだボールの使用においては、その接合信頼性を明らかにすることが重要である。そこで、本発明の金属コアはんだボールの接合信頼性に関する評価を行った。本発明の金属コアはんだボールとして、実施例1で作製した、表1の2のCuコアボールを適用し、比較例としてSn−3Ag−0.5Cuのはんだボール(SAC)を適用し、両者の接合信頼性を比較した。
(実験方法)
BGA(Ball Grid Array)/CSP(Chip Size Package)等に用いられるはんだボールの接合信頼性評価方法として、はんだバンプ形成後のShear/Pull強度試験を行った。評価対象とした本発明例のCuコアボールは実施例1で作製した、表1の2のCuコア径Φ150μm、ボール外径Φ200μmのCuコアボール(以下、Cuコアと記す)であり、比較対象はΦ200μmのSn−3Ag−0.5Cu鉛フリーはんだボール(以下SACと記す)を用いた。
(Shear/Pull強度試験方法)
Shear/Pull強度試験装置としてDAGE社製4000を用いた。Shear試験は測定高さ10μm、測定速さ300μm/sec、Pull試験は測定速さ250μm/secで行い、測定点はそれぞれ20点行った。
(評価実験結果)
第1に、プリント基板上にボールバンプを実装する評価を行った。
本発明及び比較例のボールを実装するプリント基板はピッチ0.45mm、パッド径160μmのものを用い、リフロー温度250℃、Fluxには水溶性のWS609(アルファメタルズ社製)を用いた。リフロー後のボールバンプの外観上は、本発明のCuコアは比較的光沢面が多く、比較例のSACはデンドライトによるがさついた面が多いという違いが見られた。
第2に、まずSiチップ上にはんだバンプを実装し、その後はんだバンプを実装したSiチップとプリント基板をFlip Chip接続する評価を行った。
Siチップ上にはんだバンプを実装しリフロー後のはんだバンプ断面組織の観察を行った。本発明のCuコアボールははんだバンプ内部にCuのコアが存在していることが確認できた。また、プレーティングはんだ部分もCuコアの周囲に存在していることがわかった。この時点ではバンプ高さ等にCuコアとSAC305とで大きな差は観察されなかった。
はんだバンプを実装したSiチップとプリント基板をFlip Chip接続した後の断面組織を観察した。この断面組織観察によると、プリント基板のCu電極とSiチップの間の距離は、本発明のCuコアで170μm、比較例のSACで100μmであった。当初の狙いどおり、Cuコアボールを用いることで、はんだバンプが潰れるのを抑制する効果があることが分る。
(Shear/Pull強度試験結果)
Shear/Pull強度評価結果を行ったところ、Shear強度はCuコアで190g、SACで165gであり、Pull強度はCuコアで120g、SACで175gであった。これらの値は、フリップチップ接合した場合の接合強度としては十分な値である。以上から本発明Cuコアボールが、バンプ高さを所定に保ち且つ、通常のはんだボールと同等の接合信頼性を有し、実用上有効に機能することが確認できた。
本発明のはんだボールの製造方法を示す図であり、(a)は凹部を有する基板の断面図、(b)は島状はんだペースト領域を形成した状況を示す断面図、(c)は島状はんだペースト領域に金属ボールを配置した状況を示す断面図、(d)は基板上のはんだを溶融した後の状況を示す断面図、(e)ははんだボールを回収する状況を示す断面図である。 本発明のはんだボールの製造方法を示す斜視図であり、(a)は基板表面に島状はんだペースト領域を形成した状況を示す図、(b)は島状はんだペースト領域に金属ボールを配置した状況を示す図である。 はんだと基板との接触角θを説明する断面図である。 本発明のはんだペーストを液滴ジェットとして基板上に転写する方法を示す図であり、(a)は凹部を有しない基板を用いた場合、(b)は凹部を有する基板を用いた場合を示す。 本発明のはんだペーストをスクリーン印刷して基板上に転写する方法を示す図であり、(a)〜(c)は凹部を有しない基板を用いた場合、(d)〜(f)は凹部を有する基板を用いた場合を示す。 金属ボール配列装置を用いて基板上の各島状はんだペースト領域に金属ボールを配置する方法を示す図であり、(a)は金属ボール配列装置で金属ボールを吸着する状況を示す図、(b)(c)は凹部を有しない基板上に金属ボールを配置する状況を示す図、(d)(e)は凹部を有する基板上に金属ボールを配置する状況を示す図である。 金属ボールとはんだの結合体を加熱した液相中に自由落下させ、金属コアはんだボール形状とする本発明方法を示す断面図である。 金属コアはんだボールを用いて電極間の接合を行う状況を示す図であり、(a)は電極上に金属コアはんだボールを配置した状況を示す断面図、(b)は電極間の接合を行った状況を示す断面図、(c)は一方の電極上で金属コアバンプを形成する状況を示す断面図である。 基板表面の電極上に金属コアはんだバンプを形成する状況を示す図であり、(a)は基板表面の電極上にはんだペーストを配置する状況を示す断面図、(b)ははんだペーストを配置した電極に金属ボールを配置する状況を示す断面図、(c)は基板上のはんだを溶融させて金属コアはんだバンプとする状況を示す断面図、(d)は電極間の接合を行った状況を示す断面図である。 金属コアを有しない従来のはんだボールを用いて電極間の接合を行う状況を示す図であり、(a)は電極上に金属コアはんだボールを配置した状況を示す断面図、(b)は正常に電極間の接合を行った状況を示す断面図、(c)は電極間の距離が近すぎて隣接する電極間のはんだが合体した状況を示す断面図である。
符号の説明
1 はんだボール
2 金属ボール
3 基板
4 島状はんだペースト領域
5 凹部
6 基板表面
7 金属ボールとはんだの結合体
8 バンプ
9 はんだ
10 はんだペースト
11 液滴ジェット
12 スクリーン
16 半導体基板
17 電極
18 回路基板
19 はんだボール
21 液滴ジェット発生機
22 容器
23 ノズル
25 開口
26 金属ボール配列装置
27 配列板
28 吸引口
29 トレー
30 吸引装置
31 容器
32 液相
33 加熱装置
34 高温領域
35 低温領域
41 はんだボール供給
42 直径上限外れはんだボール
43 直径下限外れはんだボール
44 直径合格はんだボール
θ 接触角

Claims (6)

  1. 基板上に多数の島状はんだペースト領域を形成し、各島状はんだペースト領域に金属ボールを配置し、その後基板上のはんだを溶融させ、さらにその後、金属ボールとはんだの結合体を加熱した液相中に自由落下させ、金属コアはんだボール形状とすることを特徴とするはんだボールの製造方法。
  2. 前記基板は、溶融したはんだとの接触角が60°以上であることを特徴とする請求項1に記載のはんだボールの製造方法。
  3. 前記基板の材質は、カーボン、ガラス、セラミックスのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のはんだボールの製造方法。
  4. はんだペースト領域の形成は、はんだペーストを液滴ジェットとして基板上に転写する方法、あるいははんだペーストをスクリーン印刷して基板上に転写する方法を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のはんだボールの製造方法。
  5. 前記島状はんだペースト領域は、前記基板上に設けた凹部に形成することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のはんだボールの製造方法。
  6. 前記金属ボールは銅ボールであることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載のはんだボールの製造方法。
JP2005220128A 2005-07-29 2005-07-29 はんだボールの製造方法 Expired - Fee Related JP4749791B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005220128A JP4749791B2 (ja) 2005-07-29 2005-07-29 はんだボールの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005220128A JP4749791B2 (ja) 2005-07-29 2005-07-29 はんだボールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007036082A JP2007036082A (ja) 2007-02-08
JP4749791B2 true JP4749791B2 (ja) 2011-08-17

Family

ID=37794936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005220128A Expired - Fee Related JP4749791B2 (ja) 2005-07-29 2005-07-29 はんだボールの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4749791B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5036265B2 (ja) * 2005-09-21 2012-09-26 株式会社新菱 接続端子用ボールのめっき方法
JP5456545B2 (ja) 2009-04-28 2014-04-02 昭和電工株式会社 回路基板の製造方法
JP5908893B2 (ja) * 2010-05-03 2016-04-26 ア レイモン エ シーA. Raymond Et Cie 接着要素をマトリックス上に配置する方法及び装置
JP5690554B2 (ja) 2010-10-27 2015-03-25 昭和電工株式会社 はんだボールの製造方法
CN105826207B (zh) * 2016-03-17 2018-05-04 大连理工大学 一种核壳结构凸点制备方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936118A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Fujitsu Ltd 半導体装置製造方法及び半導体装置
JPH1079404A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 半田バンプを有する配線基板及びその製造方法
JP2001077144A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Micro Tekku Kk 半田ボール形成方法
JP2001244286A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Fujitsu Ltd 球状電極、半導体デバイスの突起電極および実装基板の形成方法
JP2001267730A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Hitachi Metals Ltd 半田ボール

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936118A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Fujitsu Ltd 半導体装置製造方法及び半導体装置
JPH1079404A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 半田バンプを有する配線基板及びその製造方法
JP2001077144A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Micro Tekku Kk 半田ボール形成方法
JP2001244286A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Fujitsu Ltd 球状電極、半導体デバイスの突起電極および実装基板の形成方法
JP2001267730A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Hitachi Metals Ltd 半田ボール

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007036082A (ja) 2007-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5160450B2 (ja) 回路基板上への半導体部品の搭載方法
KR101332532B1 (ko) 전자 장치의 제조 방법, 전자 부품 탑재용 기판 및 반도체 소자 탑재용 기판의 제조 방법
JP4633630B2 (ja) 半田付用のフラックスおよび半田付方法
US20100090334A1 (en) Electronic Part Manufacturing Method
US9978709B2 (en) Solder bump stretching method for forming a solder bump joint in a device
TWI505898B (zh) A bonding method, a bonding structure, and a method for manufacturing the same
JP4749791B2 (ja) はんだボールの製造方法
US7425299B2 (en) Lead-free solder balls and method for the production thereof
US7422973B2 (en) Method for forming multi-layer bumps on a substrate
US20160064320A1 (en) Coupling of an interposer to a package substrate
CN100579337C (zh) 封装结构体
JP3145331B2 (ja) 中継基板、その製造方法、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接続体および中継基板と取付基板の接続体の製造方法
JP6350967B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5147349B2 (ja) バンプ形成用ペースト、及びバンプ構造体
US6402012B1 (en) Method for forming solder bumps using a solder jetting device
JP6784053B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP2018181939A (ja) 半導体部品の実装構造体
EP3923686B1 (en) Method for forming bump electrode substrate
JP6017351B2 (ja) 鉛フリー接合材料
JPH0910986A (ja) 電子部品の通電用金属球
JP2009200285A (ja) バンプ及びバンプ接続構造体
TW201212194A (en) Method for manufacturing a wiring substrate having solder bumps
Lee et al. Soldering technology for area array packages
JP2006024659A (ja) 配線基板の製造方法
TW201201295A (en) Method of manufacturing a wiring substrate having solder bumps

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070124

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080606

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110420

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110517

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110518

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4749791

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees