JP2001077144A - 半田ボール形成方法 - Google Patents
半田ボール形成方法Info
- Publication number
- JP2001077144A JP2001077144A JP25210099A JP25210099A JP2001077144A JP 2001077144 A JP2001077144 A JP 2001077144A JP 25210099 A JP25210099 A JP 25210099A JP 25210099 A JP25210099 A JP 25210099A JP 2001077144 A JP2001077144 A JP 2001077144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- solder layer
- printing
- solder paste
- print mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 206
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 64
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1131—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form
- H01L2224/1132—Screen printing, i.e. using a stencil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/119—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps
- H01L2224/11901—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps with repetition of the same manufacturing step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/119—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps
- H01L2224/11901—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps with repetition of the same manufacturing step
- H01L2224/11902—Multiple masking steps
- H01L2224/11903—Multiple masking steps using different masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/035—Paste overlayer, i.e. conductive paste or solder paste over conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
- H05K2203/043—Reflowing of solder coated conductors, not during connection of components, e.g. reflowing solder paste
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スクリーン印刷により、より高い半田ボール
(バンプ)を形成したい。 【解決手段】 第1の印刷工程S10により第1層目の
半田層を印刷する。次に、乾燥工程S20において乾燥
させた後、第2の印刷工程S30において第1層目の半
田層の上に第2層目の半田層を印刷する。最後に、リフ
ロー処理工程S40においてリフロー処理を行い、第1
層目と第2層目の半田層を溶融し、球状に固化させて半
田ボール(バンプ)を形成する。半田ペーストを積層印
刷するので、半田ペーストの量が多くなり、高い半田ボ
ール(バンプ)が形成できる。
(バンプ)を形成したい。 【解決手段】 第1の印刷工程S10により第1層目の
半田層を印刷する。次に、乾燥工程S20において乾燥
させた後、第2の印刷工程S30において第1層目の半
田層の上に第2層目の半田層を印刷する。最後に、リフ
ロー処理工程S40においてリフロー処理を行い、第1
層目と第2層目の半田層を溶融し、球状に固化させて半
田ボール(バンプ)を形成する。半田ペーストを積層印
刷するので、半田ペーストの量が多くなり、高い半田ボ
ール(バンプ)が形成できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、BGA(ボール
グリッドアレイ)などの基板(ワーク)に対して半田ボ
ールを形成する半田ボール形成方法に関するものであ
る。
グリッドアレイ)などの基板(ワーク)に対して半田ボ
ールを形成する半田ボール形成方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図12は、BGA51の斜視図である。
BGA51には、複数の半田ボール(バンプ)45が配
列されて設けられている。半田ボール(バンプ)45
は、所定のピッチPで等間隔に配列されている。これら
の半田ボール(バンプ)45を形成する方法として、印
刷マスクを用いてワークの電極上に半田ペーストをスク
リーン印刷した後、この半田ペーストをリフロー処理し
て電極上に半田ボール(バンプ)を形成する技術が知ら
れている。近年、電子部品の高密度化により半田ボール
(バンプ)のピッチPが小さくなり、印刷マスクの開口
サイズDを小さくしなければならないという要求が高ま
っている。また、BGA51を他の基板に半田付けする
場合に、半田ボール(バンプ)の高さHは、より高いこ
とが望まれている。その理由は、半田ボール(バンプ)
の高さHが高い方がBGA51が半田付けされる基板の
そりや返りなどによる基板の高低差及びBGA51自身
の基板のそりや返りなどによる基板表面の高低差をより
吸収し、かつ、熱膨張量の差を吸収して、全ての半田ボ
ール(バンプ)45を確実に電気的に接続することがで
きるからである。このため、BGA51の電極上に塗布
される半田ペーストの量をできるだけ多くして、半田ボ
ール(バンプ)の高さHを高くしなければならない。
BGA51には、複数の半田ボール(バンプ)45が配
列されて設けられている。半田ボール(バンプ)45
は、所定のピッチPで等間隔に配列されている。これら
の半田ボール(バンプ)45を形成する方法として、印
刷マスクを用いてワークの電極上に半田ペーストをスク
リーン印刷した後、この半田ペーストをリフロー処理し
て電極上に半田ボール(バンプ)を形成する技術が知ら
れている。近年、電子部品の高密度化により半田ボール
(バンプ)のピッチPが小さくなり、印刷マスクの開口
サイズDを小さくしなければならないという要求が高ま
っている。また、BGA51を他の基板に半田付けする
場合に、半田ボール(バンプ)の高さHは、より高いこ
とが望まれている。その理由は、半田ボール(バンプ)
の高さHが高い方がBGA51が半田付けされる基板の
そりや返りなどによる基板の高低差及びBGA51自身
の基板のそりや返りなどによる基板表面の高低差をより
吸収し、かつ、熱膨張量の差を吸収して、全ての半田ボ
ール(バンプ)45を確実に電気的に接続することがで
きるからである。このため、BGA51の電極上に塗布
される半田ペーストの量をできるだけ多くして、半田ボ
ール(バンプ)の高さHを高くしなければならない。
【0003】図13は、従来のスクリーン印刷による半
田ボール(バンプ)45の形成手順を示す図である。ワ
ーク31には、電極33が設けられている。電極33の
周囲にはレジスト34が設けられている。印刷マスク2
1には、電極33に対応して開口部23が設けられてい
る。ワーク31に印刷マスク21が重ね合わされ、スキ
ージ25の矢印方向への移動により半田ペースト24が
ワーク31の表面に印刷される。図13の(a)は、印
刷状態を示している。(b)は、ワーク31から印刷マ
スク21を引き剥がした印刷後の状態を示している。
(c)は、リフロー処理を行った結果、半田ペースト2
4により半田ボール(バンプ)45が形成された場合を
示している。(c)に示した半田ボール(バンプ)の高
さHを大きくするためには、(a)に示した印刷マスク
の厚さWを厚くしなければならない。しかし、印刷マス
クの厚さWを厚くすればするほど、印刷マスクの側壁と
半田ペースト24の密着力が高まり、印刷マスク21を
ワーク31から引き剥がすときに半田ペースト24がワ
ーク31に残らず、印刷マスク21とともに引き剥がさ
れてしまい、印刷不良の状態となってしまう。印刷マス
クの厚さWを厚くした場合には、半田ペースト24の粘
度を小さくすればよいが、半田ペースト24の粘度を小
さくすることによって、スクリーン印刷後に半田ペース
ト24が電極33の周囲に広がってしまい、隣接する半
田ペースト24同士がくっついてしまい、電気的接続不
良、或いは、半田ブリッジの発生等の不具合が生じてし
まう。
田ボール(バンプ)45の形成手順を示す図である。ワ
ーク31には、電極33が設けられている。電極33の
周囲にはレジスト34が設けられている。印刷マスク2
1には、電極33に対応して開口部23が設けられてい
る。ワーク31に印刷マスク21が重ね合わされ、スキ
ージ25の矢印方向への移動により半田ペースト24が
ワーク31の表面に印刷される。図13の(a)は、印
刷状態を示している。(b)は、ワーク31から印刷マ
スク21を引き剥がした印刷後の状態を示している。
(c)は、リフロー処理を行った結果、半田ペースト2
4により半田ボール(バンプ)45が形成された場合を
示している。(c)に示した半田ボール(バンプ)の高
さHを大きくするためには、(a)に示した印刷マスク
の厚さWを厚くしなければならない。しかし、印刷マス
クの厚さWを厚くすればするほど、印刷マスクの側壁と
半田ペースト24の密着力が高まり、印刷マスク21を
ワーク31から引き剥がすときに半田ペースト24がワ
ーク31に残らず、印刷マスク21とともに引き剥がさ
れてしまい、印刷不良の状態となってしまう。印刷マス
クの厚さWを厚くした場合には、半田ペースト24の粘
度を小さくすればよいが、半田ペースト24の粘度を小
さくすることによって、スクリーン印刷後に半田ペース
ト24が電極33の周囲に広がってしまい、隣接する半
田ペースト24同士がくっついてしまい、電気的接続不
良、或いは、半田ブリッジの発生等の不具合が生じてし
まう。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この発明の好適な実施
の形態は、ワークに対してスクリーン印刷により半田ボ
ール(バンプ)を形成する場合により、ワークの電極上
に塗布される半田ペーストの量をできるだけ多くして、
より高い半田ボール(バンプ)を形成することができる
半田ボール(バンプ)形成方法を提供することを目的と
する。
の形態は、ワークに対してスクリーン印刷により半田ボ
ール(バンプ)を形成する場合により、ワークの電極上
に塗布される半田ペーストの量をできるだけ多くして、
より高い半田ボール(バンプ)を形成することができる
半田ボール(バンプ)形成方法を提供することを目的と
する。
【0005】また、半田ペーストの量をできるだけ多く
しても、半田ブリッジの生じにくい半田ボール(バン
プ)の形成方法を提供することを目的とする。
しても、半田ブリッジの生じにくい半田ボール(バン
プ)の形成方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半田ボー
ル(バンプ)形成方法は、ワークの電極に半田ペースト
を用いて半田ボール(バンプ)を形成する半田ボール
(バンプ)形成方法において、ワークの電極上に半田ペ
ーストを載置して第1半田層を形成する第1半田層形成
工程と、第1半田層形成工程後、ワークの電極上に形成
された第1半田層上に半田ペーストを載置して第2半田
層を形成する第2半田層形成工程と、第2半田層形成工
程後、リフロー処理により第1層目と第2層目の半田層
の半田を加熱溶融固化させて半田ボール(バンプ)を形
成する工程とを備えたことを特徴とする。
ル(バンプ)形成方法は、ワークの電極に半田ペースト
を用いて半田ボール(バンプ)を形成する半田ボール
(バンプ)形成方法において、ワークの電極上に半田ペ
ーストを載置して第1半田層を形成する第1半田層形成
工程と、第1半田層形成工程後、ワークの電極上に形成
された第1半田層上に半田ペーストを載置して第2半田
層を形成する第2半田層形成工程と、第2半田層形成工
程後、リフロー処理により第1層目と第2層目の半田層
の半田を加熱溶融固化させて半田ボール(バンプ)を形
成する工程とを備えたことを特徴とする。
【0007】上記第1半田層形成工程と第2半田層形成
工程とは、印刷マスクを用いて半田ペーストをスクリー
ン印刷することを特徴とする。
工程とは、印刷マスクを用いて半田ペーストをスクリー
ン印刷することを特徴とする。
【0008】上記第2半田層形成工程は、第1半田層形
成工程で用いた印刷マスクの開口サイズより小さな開口
サイズを有する印刷マスクを用いることを特徴とする。
成工程で用いた印刷マスクの開口サイズより小さな開口
サイズを有する印刷マスクを用いることを特徴とする。
【0009】上記第2半田層形成工程は、第1半田層形
成工程で用いた印刷マスクの厚さより厚い厚さを有する
印刷マスクを用いることを特徴とする。
成工程で用いた印刷マスクの厚さより厚い厚さを有する
印刷マスクを用いることを特徴とする。
【0010】上記第2半田層形成工程は、第1半田層形
成工程で用いた半田ペーストの粘度より小さい粘度の半
田ペーストを用いることを特徴とする。
成工程で用いた半田ペーストの粘度より小さい粘度の半
田ペーストを用いることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は、この発明
の半田ボール(バンプ)形成方法の一実施の形態におけ
る動作フローチャートを示す図である。図2は、印刷マ
スク21とワーク31の部分斜視図である。図3は、第
1の印刷工程S10と第2の印刷工程S30の印刷条件
比較図である。図4は、各工程の状態を示す図である。
の半田ボール(バンプ)形成方法の一実施の形態におけ
る動作フローチャートを示す図である。図2は、印刷マ
スク21とワーク31の部分斜視図である。図3は、第
1の印刷工程S10と第2の印刷工程S30の印刷条件
比較図である。図4は、各工程の状態を示す図である。
【0012】図2に示すように、ワーク31には、複数
の電極33が露出している。これらの電極33は、等し
い直径Eを有しており、等しいピッチQで配列されてい
る。一方、印刷マスク21は、電極33に対応して複数
の開口部23を有している。印刷マスク21は、メッシ
ュのないメタルマスク、或いは、プラスチックマスクを
用いるのが望ましい。メッシュがあるよりもメッシュの
ない方が半田ペーストを多く印刷することができるから
である。これら開口部23は、等しい開口サイズDを有
している。また、これら開口部23は、等しいピッチP
(P=Q)で配列されている。印刷マスクの開口サイズ
Dは、電極の直径Eと同じであっても構わないし、違っ
ていても構わない。印刷する半田ペーストの量を多くす
るためには、印刷マスクの開口サイズDは、大きい方が
望ましい。しかし、大きくしすぎると、隣同士の半田ペ
ーストがくっついてしまい、半田ブリッジ等の障害を起
こしやすくなる。印刷マスクの厚さWは、半田ペースト
が電極33に残ることができる範囲でできるだけ厚い方
が望ましい。印刷マスクの厚さWと印刷マスクの開口サ
イズDと半田ペーストの粘度Nとの関係は相対的なもの
であり、いずれかの値の変更に伴い他の値を変更する必
要が生じる場合が多い。
の電極33が露出している。これらの電極33は、等し
い直径Eを有しており、等しいピッチQで配列されてい
る。一方、印刷マスク21は、電極33に対応して複数
の開口部23を有している。印刷マスク21は、メッシ
ュのないメタルマスク、或いは、プラスチックマスクを
用いるのが望ましい。メッシュがあるよりもメッシュの
ない方が半田ペーストを多く印刷することができるから
である。これら開口部23は、等しい開口サイズDを有
している。また、これら開口部23は、等しいピッチP
(P=Q)で配列されている。印刷マスクの開口サイズ
Dは、電極の直径Eと同じであっても構わないし、違っ
ていても構わない。印刷する半田ペーストの量を多くす
るためには、印刷マスクの開口サイズDは、大きい方が
望ましい。しかし、大きくしすぎると、隣同士の半田ペ
ーストがくっついてしまい、半田ブリッジ等の障害を起
こしやすくなる。印刷マスクの厚さWは、半田ペースト
が電極33に残ることができる範囲でできるだけ厚い方
が望ましい。印刷マスクの厚さWと印刷マスクの開口サ
イズDと半田ペーストの粘度Nとの関係は相対的なもの
であり、いずれかの値の変更に伴い他の値を変更する必
要が生じる場合が多い。
【0013】この実施の形態においては、図3に示すよ
うに、第1の印刷工程S10と第2の印刷工程S30に
用いる印刷条件は等しいものとする。即ち、第1の印刷
工程S10と第2の印刷工程S30において用いる印刷
マスクと半田ペーストは、全く同一のものを用いるもの
とする。
うに、第1の印刷工程S10と第2の印刷工程S30に
用いる印刷条件は等しいものとする。即ち、第1の印刷
工程S10と第2の印刷工程S30において用いる印刷
マスクと半田ペーストは、全く同一のものを用いるもの
とする。
【0014】以下、図1と図4を用いて動作の詳細につ
いて説明する。第1の印刷工程S10においては、ま
ず、S11でスクリーン印刷機へワークを搬入する。S
12において、ワークをスクリーン印刷機のテーブルに
位置決めする。S13において、ワークに対して印刷マ
スク21を用いてスクリーン印刷を行う。図4の(a)
は、この印刷状態を示している。この印刷により、電極
33の上に半田ペースト24が印刷される。次に、S1
4において、スクリーン印刷機からワークを搬出する。
図4の(b)は、スクリーン印刷後のワーク31に第1
半田層43が形成された場合を示している。その後、半
田ペーストが液状(ペースト状)のため、半田ペースト
が周囲に広がり、第1半田層43のサイズFは、印刷マ
スクの開口サイズDよりも大きくなる。
いて説明する。第1の印刷工程S10においては、ま
ず、S11でスクリーン印刷機へワークを搬入する。S
12において、ワークをスクリーン印刷機のテーブルに
位置決めする。S13において、ワークに対して印刷マ
スク21を用いてスクリーン印刷を行う。図4の(a)
は、この印刷状態を示している。この印刷により、電極
33の上に半田ペースト24が印刷される。次に、S1
4において、スクリーン印刷機からワークを搬出する。
図4の(b)は、スクリーン印刷後のワーク31に第1
半田層43が形成された場合を示している。その後、半
田ペーストが液状(ペースト状)のため、半田ペースト
が周囲に広がり、第1半田層43のサイズFは、印刷マ
スクの開口サイズDよりも大きくなる。
【0015】次に、乾燥工程S20において、スクリー
ン印刷されたワーク31を乾燥させる。この乾燥によ
り、図4の(c)に示すように、半田ペーストが電極3
3の周囲に広がった状態で半田ペーストが固まる。図4
の(c)に示す第1半田層のサイズFは、印刷マスクの
開口サイズDよりも大きくなり、約10%〜20%サイ
ズが大きくなる。このサイズの増加量は、半田ペースト
24の粘度が大きければ小さくなるし、粘度が小さけれ
ば大きくなる。第1半田層のサイズFが大きすぎると、
隣接する第1半田層と接触し、半田ブリッジの原因とな
ってしまう。従って、乾燥工程S20の後に形成される
第1半田層のサイズFの大きさを考慮して印刷マスクの
開口サイズDと半田ペーストの粘度Nを予め設定してお
かなければならない。
ン印刷されたワーク31を乾燥させる。この乾燥によ
り、図4の(c)に示すように、半田ペーストが電極3
3の周囲に広がった状態で半田ペーストが固まる。図4
の(c)に示す第1半田層のサイズFは、印刷マスクの
開口サイズDよりも大きくなり、約10%〜20%サイ
ズが大きくなる。このサイズの増加量は、半田ペースト
24の粘度が大きければ小さくなるし、粘度が小さけれ
ば大きくなる。第1半田層のサイズFが大きすぎると、
隣接する第1半田層と接触し、半田ブリッジの原因とな
ってしまう。従って、乾燥工程S20の後に形成される
第1半田層のサイズFの大きさを考慮して印刷マスクの
開口サイズDと半田ペーストの粘度Nを予め設定してお
かなければならない。
【0016】次に、第2の印刷工程S30において、第
1の印刷工程S10で行ったS11〜S14までの動作
と同じ動作をS31〜S34において実行する。S32
におけるワークの位置決めは、前回印刷した場所と全く
同じ場所に開口部23が位置するように正確に位置決め
を行う。図4の(d)は、S33の第2層目の半田層の
印刷状態を示している。図4の(e)は、スクリーン印
刷後の状態を示しており、第1半田層43の上に第2半
田層44が重ねて印刷されている状態を示している。第
1半田層43の形状はドーム型をしており、その上に、
印刷マスク21の開口部23が重ねられるため、ドーム
型の第1半田層43の頂部が印刷マスク21の開口部2
3に入り込み、印刷マスク21の開口部23の体積全て
の分だけ半田ペースト24が充填されない。印刷マスク
21の開口部23の体積を1.0とすると、約0.5程
度は半田ペーストが充填され印刷される。
1の印刷工程S10で行ったS11〜S14までの動作
と同じ動作をS31〜S34において実行する。S32
におけるワークの位置決めは、前回印刷した場所と全く
同じ場所に開口部23が位置するように正確に位置決め
を行う。図4の(d)は、S33の第2層目の半田層の
印刷状態を示している。図4の(e)は、スクリーン印
刷後の状態を示しており、第1半田層43の上に第2半
田層44が重ねて印刷されている状態を示している。第
1半田層43の形状はドーム型をしており、その上に、
印刷マスク21の開口部23が重ねられるため、ドーム
型の第1半田層43の頂部が印刷マスク21の開口部2
3に入り込み、印刷マスク21の開口部23の体積全て
の分だけ半田ペースト24が充填されない。印刷マスク
21の開口部23の体積を1.0とすると、約0.5程
度は半田ペーストが充填され印刷される。
【0017】次に、リフロー処理工程S40において、
リフロー処理が行われる。第1半田層43と第2半田層
44は、リフロー処理により加熱され溶けて一体とな
り、その後、冷却されることにより固化し、表面張力に
より球状の半田ボール(バンプ)45を形成する。半田
ボール(バンプ)の高さHは、二層印刷しているため、
半田ペーストの量が約1.5倍程度になり、より高いも
のとなる。また、第1半田層43の上に第2半田層44
を印刷していること及び第1半田層43と第2半田層4
4は同一の半田ペーストであることから、第1半田層4
3と第2半田層44は、互いに吸着力を持ち、第1半田
層のサイズF以上に第2半田層44が広がる可能性が少
ない。即ち、第2半田層44に用いられている溶剤は、
乾燥して固化している第1半田層43に吸収されやすい
ため、第2半田層44が周囲に広がろうとしても、溶剤
が第1半田層43に吸収されてしまうため、第2半田層
44は周囲に広がりにくく、第2半田層44は第1半田
層43の上部に完全に積層された形で印刷される。この
ようにして、半田ペーストの量が1.5倍になった場合
でも、第1半田層のサイズFのサイズ以上に半田ペース
トが広がることがなく、半田ブリッジを形成する危険が
少なくなる。
リフロー処理が行われる。第1半田層43と第2半田層
44は、リフロー処理により加熱され溶けて一体とな
り、その後、冷却されることにより固化し、表面張力に
より球状の半田ボール(バンプ)45を形成する。半田
ボール(バンプ)の高さHは、二層印刷しているため、
半田ペーストの量が約1.5倍程度になり、より高いも
のとなる。また、第1半田層43の上に第2半田層44
を印刷していること及び第1半田層43と第2半田層4
4は同一の半田ペーストであることから、第1半田層4
3と第2半田層44は、互いに吸着力を持ち、第1半田
層のサイズF以上に第2半田層44が広がる可能性が少
ない。即ち、第2半田層44に用いられている溶剤は、
乾燥して固化している第1半田層43に吸収されやすい
ため、第2半田層44が周囲に広がろうとしても、溶剤
が第1半田層43に吸収されてしまうため、第2半田層
44は周囲に広がりにくく、第2半田層44は第1半田
層43の上部に完全に積層された形で印刷される。この
ようにして、半田ペーストの量が1.5倍になった場合
でも、第1半田層のサイズFのサイズ以上に半田ペース
トが広がることがなく、半田ブリッジを形成する危険が
少なくなる。
【0018】実施の形態2.図5は、第1の印刷工程S
10と第2の印刷工程S30との印刷条件の内、印刷マ
スクの開口サイズDを変えた場合を示している。図5に
示すように、第1の印刷工程S10に用いる印刷マスク
の開口サイズD1より第2の印刷工程S30に用いる印
刷マスクの開口サイズD2を小さくすることにより、多
くの半田量を第2の印刷工程で稼ぐことができる。前述
したとおり、第1半田層43はドーム型の形状をしてお
り、第2の印刷工程S30において、第1の印刷工程S
10と開口サイズが同じ印刷マスクを用いると、ドーム
型の第1半田層43の頂部が印刷マスクの開口部に入り
込んでしまい、半田ペーストの量が半減する可能性があ
る。そこで、第2の印刷工程S30の開口サイズを小さ
くすることにより、開口部に入り込むドーム型の第1半
田層43の頂部が少なくなり、開口部のほぼ全体積分だ
け半田ペーストを充填でき、多くの半田ペーストを印刷
できる。また、図7に示すように、印刷マスク21とワ
ーク31との位置決めが正確に行われない場合は、半田
ペースト24が第1半田層43の片側にずれて印刷され
ることになるが、第1の印刷工程S10に用いる印刷マ
スクの開口サイズD1より第2の印刷工程S30に用い
る印刷マスクの開口サイズD2を小さくすることによ
り、第1半田層43の上に半田ペースト24が印刷され
るというメリットもある。
10と第2の印刷工程S30との印刷条件の内、印刷マ
スクの開口サイズDを変えた場合を示している。図5に
示すように、第1の印刷工程S10に用いる印刷マスク
の開口サイズD1より第2の印刷工程S30に用いる印
刷マスクの開口サイズD2を小さくすることにより、多
くの半田量を第2の印刷工程で稼ぐことができる。前述
したとおり、第1半田層43はドーム型の形状をしてお
り、第2の印刷工程S30において、第1の印刷工程S
10と開口サイズが同じ印刷マスクを用いると、ドーム
型の第1半田層43の頂部が印刷マスクの開口部に入り
込んでしまい、半田ペーストの量が半減する可能性があ
る。そこで、第2の印刷工程S30の開口サイズを小さ
くすることにより、開口部に入り込むドーム型の第1半
田層43の頂部が少なくなり、開口部のほぼ全体積分だ
け半田ペーストを充填でき、多くの半田ペーストを印刷
できる。また、図7に示すように、印刷マスク21とワ
ーク31との位置決めが正確に行われない場合は、半田
ペースト24が第1半田層43の片側にずれて印刷され
ることになるが、第1の印刷工程S10に用いる印刷マ
スクの開口サイズD1より第2の印刷工程S30に用い
る印刷マスクの開口サイズD2を小さくすることによ
り、第1半田層43の上に半田ペースト24が印刷され
るというメリットもある。
【0019】実施の形態3.図8は、印刷条件の内、印
刷マスクの厚さWと半田ペーストの粘度Nとを変えた場
合を示している。図8は、第1の印刷工程S10に比べ
て第2の印刷工程S30の場合は、印刷マスクの厚さW
を厚くし半田ペーストの粘度Nを低くする場合を示して
いる。図9は、印刷状態を示している。図9の(a)の
印刷マスクの厚さW1よりも、図9の(b)の印刷マス
クの厚さW2の方が厚い(W2>W1)。こうすること
により、より多くの半田ペーストを積層印刷することが
できる。また、印刷マスク26の印刷マスクの厚さW2
が厚くなったことにより、半田ペースト27の粘度を低
くする(N2>N1)。半田ペースト27の粘度Nを半
田ペースト24の粘度N1より低くすることにより、印
刷マスクの厚さW2を厚くしても半田ペースト27が第
1半田層43に残るようにしている。この実施の形態の
ように、印刷マスクの厚さWを厚くし半田ペーストの粘
度Nを低くした場合でも、第2半田層44の半田ペース
ト27は、第1半田層43の上に印刷されるため、半田
ペースト27と第1半田層43との吸着力が印刷マスク
26と半田ペースト27との吸着力よりも大きくなるこ
とにより、半田ペースト27は確実に第1半田層43の
上に残される。また、半田ペーストの粘度Nが低くても
第1半田層43の上に印刷されるため、半田ペースト2
7の溶剤は第1半田層43に吸収され、第1半田層43
の周囲に半田ペースト27が広がることを防いでくれ
る。
刷マスクの厚さWと半田ペーストの粘度Nとを変えた場
合を示している。図8は、第1の印刷工程S10に比べ
て第2の印刷工程S30の場合は、印刷マスクの厚さW
を厚くし半田ペーストの粘度Nを低くする場合を示して
いる。図9は、印刷状態を示している。図9の(a)の
印刷マスクの厚さW1よりも、図9の(b)の印刷マス
クの厚さW2の方が厚い(W2>W1)。こうすること
により、より多くの半田ペーストを積層印刷することが
できる。また、印刷マスク26の印刷マスクの厚さW2
が厚くなったことにより、半田ペースト27の粘度を低
くする(N2>N1)。半田ペースト27の粘度Nを半
田ペースト24の粘度N1より低くすることにより、印
刷マスクの厚さW2を厚くしても半田ペースト27が第
1半田層43に残るようにしている。この実施の形態の
ように、印刷マスクの厚さWを厚くし半田ペーストの粘
度Nを低くした場合でも、第2半田層44の半田ペース
ト27は、第1半田層43の上に印刷されるため、半田
ペースト27と第1半田層43との吸着力が印刷マスク
26と半田ペースト27との吸着力よりも大きくなるこ
とにより、半田ペースト27は確実に第1半田層43の
上に残される。また、半田ペーストの粘度Nが低くても
第1半田層43の上に印刷されるため、半田ペースト2
7の溶剤は第1半田層43に吸収され、第1半田層43
の周囲に半田ペースト27が広がることを防いでくれ
る。
【0020】この実施の形態に示すように、印刷マスク
の厚さWを厚くすることにより、半田ペーストの量を更
に多くすることができ、より高い半田ボール(バンプ)
を形成することができる。
の厚さWを厚くすることにより、半田ペーストの量を更
に多くすることができ、より高い半田ボール(バンプ)
を形成することができる。
【0021】実施の形態4.図10は、実施の形態2と
実施の形態3の両方を実行する場合を示している。即
ち、印刷条件の内、印刷マスクの開口サイズDと印刷マ
スクの厚さWと半田ペーストの粘度Nを変化させる場合
を示している。図10に示す場合は、印刷の位置ずれが
発生してもボール(バンプ)の高さばらつきを小さくす
ることができるとともに、より多くの半田ペーストを印
刷でき、半田ボール(バンプ)の高さを高くすることが
できる。なお、図示していないが、印刷マスクの厚さW
のみを変化させる場合、或いは、半田ペーストの粘度N
のみを変化させる場合であっても構わない。また、図示
していないが、その他の印刷条件を変更する場合であっ
ても構わない。
実施の形態3の両方を実行する場合を示している。即
ち、印刷条件の内、印刷マスクの開口サイズDと印刷マ
スクの厚さWと半田ペーストの粘度Nを変化させる場合
を示している。図10に示す場合は、印刷の位置ずれが
発生してもボール(バンプ)の高さばらつきを小さくす
ることができるとともに、より多くの半田ペーストを印
刷でき、半田ボール(バンプ)の高さを高くすることが
できる。なお、図示していないが、印刷マスクの厚さW
のみを変化させる場合、或いは、半田ペーストの粘度N
のみを変化させる場合であっても構わない。また、図示
していないが、その他の印刷条件を変更する場合であっ
ても構わない。
【0022】上記実施の形態においては、開口部23と
電極33との形状がともに円形の場合を示したが、形状
は円形に限らず、楕円形、四角形や多角形や不規則な形
状をしている場合であっても構わない。また、開口部2
3と電極33との形状が異なっていてもよい。また、上
記実施の形態においては、開口部23と電極33が規則
正しく配列されている場合を示したが、ランダムに配置
されている場合であっても構わない。また、上記実施の
形態においては、第1層目と第2層目の印刷を行う場合
を示したが、第3層目の印刷を行う場合でも構わない。
また、3層以上の印刷を行う場合であっても構わない。
また、上記実施の形態においては、スクリーン印刷する
ことにより第1半田層43と第2半田層44を形成する
場合を示したが、スクリーン印刷以外の方法で第1半田
層43又は第2半田層44を形成しても構わない。ディ
スペンスの方法を用いたり、インクジェット法を用いる
ことにより第1半田層43又は第2半田層44を形成し
ても構わない。
電極33との形状がともに円形の場合を示したが、形状
は円形に限らず、楕円形、四角形や多角形や不規則な形
状をしている場合であっても構わない。また、開口部2
3と電極33との形状が異なっていてもよい。また、上
記実施の形態においては、開口部23と電極33が規則
正しく配列されている場合を示したが、ランダムに配置
されている場合であっても構わない。また、上記実施の
形態においては、第1層目と第2層目の印刷を行う場合
を示したが、第3層目の印刷を行う場合でも構わない。
また、3層以上の印刷を行う場合であっても構わない。
また、上記実施の形態においては、スクリーン印刷する
ことにより第1半田層43と第2半田層44を形成する
場合を示したが、スクリーン印刷以外の方法で第1半田
層43又は第2半田層44を形成しても構わない。ディ
スペンスの方法を用いたり、インクジェット法を用いる
ことにより第1半田層43又は第2半田層44を形成し
ても構わない。
【0023】
【実施例】図11は、具体例を示す図である。第1の印
刷工程S10においては、印刷マスクの開口サイズD=
0.8mm、印刷マスクの厚さW=0.25mmの印刷
マスクを用い、第2の印刷工程S30においては、印刷
マスクの開口サイズD=0.7mm、印刷マスクの厚さ
W=0.25mmの印刷マスクを用いた場合、半田ボー
ル(バンプ)のピッチP=1.0mm、半田ボール(バ
ンプ)の直径B=0.5mm、半田ボール(バンプ)の
高さH=0.4mmの半田ボール(バンプ)を形成する
ことができる。
刷工程S10においては、印刷マスクの開口サイズD=
0.8mm、印刷マスクの厚さW=0.25mmの印刷
マスクを用い、第2の印刷工程S30においては、印刷
マスクの開口サイズD=0.7mm、印刷マスクの厚さ
W=0.25mmの印刷マスクを用いた場合、半田ボー
ル(バンプ)のピッチP=1.0mm、半田ボール(バ
ンプ)の直径B=0.5mm、半田ボール(バンプ)の
高さH=0.4mmの半田ボール(バンプ)を形成する
ことができる。
【図1】 この発明の半田ボール(バンプ)形成方法の
一実施の形態を示すフローチャート図である。
一実施の形態を示すフローチャート図である。
【図2】 印刷マスク21とワーク31の部分斜視図で
ある。
ある。
【図3】 実施の形態1の印刷条件を示す図である。
【図4】 実施の形態1の各工程の状態を示す図であ
る。
る。
【図5】 実施の形態2の印刷条件を示す図である。
【図6】 実施の形態2の各工程の状態を示す図であ
る。
る。
【図7】 印刷マスクの開口サイズDが同一の場合の位
置ずれを起こした場合の積層印刷の状態を示す図であ
る。
置ずれを起こした場合の積層印刷の状態を示す図であ
る。
【図8】 実施の形態3の印刷条件を示す図である。
【図9】 実施の形態3の各工程の状態を示す図であ
る。
る。
【図10】 実施の形態4の印刷条件を示す図である。
【図11】 この発明の実施例を示す図である。
【図12】 BGAの斜視図である。
【図13】 従来の半田ボール(バンプ)形成方法を示
す状態図である。
す状態図である。
21,26 印刷マスク、23 開口部、24,27
半田ペースト、25スキージ、31 ワーク、33 電
極、34 レジスト、43 第1半田層、44 第2半
田層、45 半田ボール(バンプ)、51 BGA、B
半田ボール(バンプ)の直径、D,D1,D2 印刷
マスクの開口サイズ、E 電極の直径、F 第1半田層
のサイズ、H 半田ボール(バンプ)の高さ、N,N
1,N2半田ペーストの粘度、P 半田ボール(バン
プ)のピッチ、Q 電極のピッチ、S10 第1の印刷
工程、S20 乾燥工程、S30 第2の印刷工程、S
40 リフロー処理工程、W,W1,W2 印刷マスク
の厚さ。
半田ペースト、25スキージ、31 ワーク、33 電
極、34 レジスト、43 第1半田層、44 第2半
田層、45 半田ボール(バンプ)、51 BGA、B
半田ボール(バンプ)の直径、D,D1,D2 印刷
マスクの開口サイズ、E 電極の直径、F 第1半田層
のサイズ、H 半田ボール(バンプ)の高さ、N,N
1,N2半田ペーストの粘度、P 半田ボール(バン
プ)のピッチ、Q 電極のピッチ、S10 第1の印刷
工程、S20 乾燥工程、S30 第2の印刷工程、S
40 リフロー処理工程、W,W1,W2 印刷マスク
の厚さ。
Claims (5)
- 【請求項1】 ワークの電極に半田ペーストを用いて半
田ボールを形成する半田ボール形成方法において、 ワークの電極上に半田ペーストを載置して第1半田層を
形成する第1半田層形成工程と、 第1半田層形成工程後、ワークの電極上に形成された第
1半田層上に半田ペーストを載置して第2半田層を形成
する第2半田層形成工程と、 第2半田層形成工程後、リフロー処理により第1層目と
第2層目の半田層の半田を加熱溶融固化させて半田ボー
ルを形成する工程とを備えたことを特徴とする半田ボー
ル形成方法。 - 【請求項2】 上記第1半田層形成工程と第2半田層形
成工程とは、印刷マスクを用いて半田ペーストをスクリ
ーン印刷することを特徴とする請求項1記載の半田ボー
ル形成方法。 - 【請求項3】 上記第2半田層形成工程は、第1半田層
形成工程で用いた印刷マスクの開口サイズより小さな開
口サイズを有する印刷マスクを用いることを特徴とする
請求項2記載の半田ボール形成方法。 - 【請求項4】 上記第2半田層形成工程は、第1半田層
形成工程で用いた印刷マスクの厚さより厚い厚さを有す
る印刷マスクを用いることを特徴とする請求項2記載の
半田ボール形成方法。 - 【請求項5】 上記第2半田層形成工程は、第1半田層
形成工程で用いた半田ペーストの粘度より低い粘度の半
田ペーストを用いることを特徴とする請求項2記載の半
田ボール形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25210099A JP3403677B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半田ボール形成方法 |
US09/596,552 US6264097B1 (en) | 1999-09-06 | 2000-06-19 | Method for forming a solder ball |
TW089113655A TWI239799B (en) | 1999-09-06 | 2000-07-10 | A method for forming a solder ball |
EP00250275A EP1081990A3 (en) | 1999-09-06 | 2000-08-11 | A method for forming a solder ball |
KR10-2000-0052262A KR100440851B1 (ko) | 1999-09-06 | 2000-09-05 | 땜납 볼 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25210099A JP3403677B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半田ボール形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077144A true JP2001077144A (ja) | 2001-03-23 |
JP3403677B2 JP3403677B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=17232522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25210099A Expired - Fee Related JP3403677B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半田ボール形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6264097B1 (ja) |
EP (1) | EP1081990A3 (ja) |
JP (1) | JP3403677B2 (ja) |
KR (1) | KR100440851B1 (ja) |
TW (1) | TWI239799B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100424168B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-03-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 레벨 패키지의 제조방법 |
JP2007036082A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Nippon Steel Materials Co Ltd | はんだボール及びはんだバンプの製造方法 |
US9859110B2 (en) | 2014-09-12 | 2018-01-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW511122B (en) * | 1999-12-10 | 2002-11-21 | Ebara Corp | Method for mounting semiconductor device and structure thereof |
SE518640C2 (sv) * | 2000-07-11 | 2002-11-05 | Mydata Automation Ab | Förfarande, anordning för applicering av ett visköst medium på ett substrat, anordning för applicering av ytterligare visköst medium samt användningen av screentryckning |
SE518642C2 (sv) * | 2000-07-11 | 2002-11-05 | Mydata Automation Ab | Förfarande, anordning för att förse ett substrat med visköst medium, anordning för korrigering av applikationsfel samt användningen av utskjutnings- organ för korrigering av appliceringsfel |
JP3420203B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2003-06-23 | Necエレクトロニクス株式会社 | ハンダバンプの形成方法 |
US6555296B2 (en) * | 2001-04-04 | 2003-04-29 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Fine pitch wafer bumping process |
US20040232562A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-25 | Texas Instruments Incorporated | System and method for increasing bump pad height |
KR100642746B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 멀티 스택 패키지의 제조방법 |
TWI285069B (en) * | 2004-05-26 | 2007-08-01 | Advanced Semiconductor Eng | Screen printing method of forming conductive bumps |
US7331503B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-02-19 | Intel Corporation | Solder printing process to reduce void formation in a microvia |
JP2006173460A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100746365B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-08-06 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 실장용 기판의 제조방법 |
US20080182398A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Carpenter Burton J | Varied Solder Mask Opening Diameters Within a Ball Grid Array Substrate |
KR100871034B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2008-11-27 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 페이스트 범프 형성 방법 |
EP2304783A1 (en) * | 2008-05-28 | 2011-04-06 | MVM Technologies, Inc. | Maskless process for solder bumps production |
US20100029074A1 (en) * | 2008-05-28 | 2010-02-04 | Mackay John | Maskless Process for Solder Bump Production |
US9426901B2 (en) | 2011-10-12 | 2016-08-23 | General Electric Company | Patterning method for component boards |
KR101940237B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2019-01-18 | 한국전자통신연구원 | 미세 피치 pcb 기판에 솔더 범프 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 플립 칩 본딩 방법 |
US9461008B2 (en) * | 2012-08-16 | 2016-10-04 | Qualcomm Incorporated | Solder on trace technology for interconnect attachment |
TWI610603B (zh) * | 2013-07-23 | 2018-01-01 | 陳彥毅 | 錫膏印刷製程之改良 |
CN105489511B (zh) * | 2015-11-30 | 2019-01-25 | 苏州瑞而美光电科技有限公司 | 标径bga封装金属焊球的制备方法及模具 |
DE102020129830A1 (de) | 2020-11-12 | 2022-05-12 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zum Auflöten mindestens eines ersten Bauelements auf eine Oberfläche einer ersten Leiterplatte |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2794731B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1998-09-10 | 富士通株式会社 | はんだバンプの形成方法 |
US4914814A (en) * | 1989-05-04 | 1990-04-10 | International Business Machines Corporation | Process of fabricating a circuit package |
US5130779A (en) * | 1990-06-19 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Solder mass having conductive encapsulating arrangement |
US5261593A (en) * | 1992-08-19 | 1993-11-16 | Sheldahl, Inc. | Direct application of unpackaged integrated circuit to flexible printed circuit |
US5234149A (en) * | 1992-08-28 | 1993-08-10 | At&T Bell Laboratories | Debondable metallic bonding method |
EP0657932B1 (en) * | 1993-12-13 | 2001-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip package assembly and method of production |
US5478700A (en) * | 1993-12-21 | 1995-12-26 | International Business Machines Corporation | Method for applying bonding agents to pad and/or interconnection sites in the manufacture of electrical circuits using a bonding agent injection head |
JPH07193159A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP3008768B2 (ja) * | 1994-01-11 | 2000-02-14 | 松下電器産業株式会社 | バンプの形成方法 |
US5539153A (en) * | 1994-08-08 | 1996-07-23 | Hewlett-Packard Company | Method of bumping substrates by contained paste deposition |
US5542174A (en) * | 1994-09-15 | 1996-08-06 | Intel Corporation | Method and apparatus for forming solder balls and solder columns |
KR0163975B1 (ko) * | 1994-12-06 | 1999-04-15 | 정장호 | 혼성 집접회로용 고밀도 수동소자 실장구조 및 그의 실장방법 |
US5597469A (en) * | 1995-02-13 | 1997-01-28 | International Business Machines Corporation | Process for selective application of solder to circuit packages |
JP2671851B2 (ja) * | 1995-02-21 | 1997-11-05 | 日本電気株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
US5656933A (en) * | 1995-02-24 | 1997-08-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Solder paste and residue measurement system |
TW336371B (en) * | 1995-07-13 | 1998-07-11 | Motorola Inc | Method for forming bumps on a substrate the invention relates to a method for forming bumps on a substrate |
US5597110A (en) * | 1995-08-25 | 1997-01-28 | Motorola, Inc. | Method for forming a solder bump by solder-jetting or the like |
US6099935A (en) * | 1995-12-15 | 2000-08-08 | International Business Machines Corporation | Apparatus for providing solder interconnections to semiconductor and electronic packaging devices |
US6042953A (en) * | 1996-03-21 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
US5735452A (en) * | 1996-06-17 | 1998-04-07 | International Business Machines Corporation | Ball grid array by partitioned lamination process |
US5938106A (en) * | 1996-08-01 | 1999-08-17 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for applying solder and forming solder balls on a substrate |
US5803344A (en) * | 1996-09-09 | 1998-09-08 | Delco Electronics Corp. | Dual-solder process for enhancing reliability of thick-film hybrid circuits |
KR100239406B1 (ko) * | 1996-12-27 | 2000-01-15 | 김영환 | 표면 실장형 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
US6000603A (en) * | 1997-05-23 | 1999-12-14 | 3M Innovative Properties Company | Patterned array of metal balls and methods of making |
JPH11145176A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Fujitsu Ltd | ハンダバンプの形成方法及び予備ハンダの形成方法 |
US6012231A (en) * | 1997-12-08 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Soldered integrated circuit connections |
KR19990051221A (ko) * | 1997-12-19 | 1999-07-05 | 김영환 | 볼 그리드 어레이 패키지의 솔더 볼 형성방법 |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25210099A patent/JP3403677B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-19 US US09/596,552 patent/US6264097B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-10 TW TW089113655A patent/TWI239799B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-11 EP EP00250275A patent/EP1081990A3/en not_active Withdrawn
- 2000-09-05 KR KR10-2000-0052262A patent/KR100440851B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100424168B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-03-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 레벨 패키지의 제조방법 |
JP2007036082A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Nippon Steel Materials Co Ltd | はんだボール及びはんだバンプの製造方法 |
JP4749791B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-08-17 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | はんだボールの製造方法 |
US9859110B2 (en) | 2014-09-12 | 2018-01-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100440851B1 (ko) | 2004-07-19 |
JP3403677B2 (ja) | 2003-05-06 |
EP1081990A3 (en) | 2002-03-20 |
EP1081990A2 (en) | 2001-03-07 |
KR20010030261A (ko) | 2001-04-16 |
US6264097B1 (en) | 2001-07-24 |
TWI239799B (en) | 2005-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001077144A (ja) | 半田ボール形成方法 | |
US8299368B2 (en) | Interconnection element for electric circuits | |
JP4962217B2 (ja) | プリント配線基板及び電子装置製造方法 | |
US20100319974A1 (en) | Printed wiring board, electronic device, and method for manufacturing electronic device | |
JP2002361832A (ja) | 印刷用マスクおよび印刷方法、実装構造体およびこの実装構造体の製造方法 | |
JPH0666358B2 (ja) | 高密度ソルダ・バンプの製造方法と高密度ソルダ・バンプ用基板ソケット | |
US6484927B1 (en) | Method and apparatus for balling and assembling ball grid array and chip scale array packages | |
JPH08195548A (ja) | 電子部品実装方法 | |
JP2014045190A (ja) | 印刷回路基板の製造方法 | |
JPH07131139A (ja) | 電子部品用配線基板 | |
JP6790504B2 (ja) | プリント配線板の製造方法、及びスクリーン印刷用マスク | |
JP2006066811A (ja) | はんだ印刷用マスク、部品実装方法 | |
JP2001230537A (ja) | ハンダバンプの形成方法 | |
KR100746365B1 (ko) | 플립칩 실장용 기판의 제조방법 | |
KR100221654B1 (ko) | 스크린 프린팅을 이용한 금속 범프의 제조 방법 | |
JP3341616B2 (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
JP2019062000A (ja) | スクリーン印刷用マスク、及びプリント配線基板 | |
JPH09326412A (ja) | ハンダボールの取り付け方法 | |
JP2010225851A (ja) | はんだ堆積制御用基板 | |
US20100230152A1 (en) | Method of soldering electronic component, and electronic component | |
JP4381657B2 (ja) | 回路基板および電子部品実装方法 | |
JP4544982B2 (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
TWI272046B (en) | An assembly process with passive component | |
JP2004014947A (ja) | 電子回路板の製造方法 | |
JP2001085832A (ja) | 電子部品実装構造とその実装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |