JP3341616B2 - 半田バンプの形成方法 - Google Patents
半田バンプの形成方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワークに半田バン
プを形成する半田バンプの形成方法に関するものであ
る。
プを形成する半田バンプの形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップやＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇ
ｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などのバンプ付き電子部品のバン
プを形成する方法として、チップや基板のワークの電極
上に半田バンプを形成することが知られている。また半
田バンプの形成方法として、ワークの電極上にスクリー
ン印刷によりクリーム半田を塗布した後、このクリーム
半田をリフロー処理して電極上に半田バンプを形成する
ことが知られている。
ｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などのバンプ付き電子部品のバン
プを形成する方法として、チップや基板のワークの電極
上に半田バンプを形成することが知られている。また半
田バンプの形成方法として、ワークの電極上にスクリー
ン印刷によりクリーム半田を塗布した後、このクリーム
半田をリフロー処理して電極上に半田バンプを形成する
ことが知られている。
【０００３】このようにして形成された半田バンプを基
板に半田付けする場合、半田バンプの高さはより高いこ
とが望まれる。これは、高い半田バンプの方がリフロー
時や半田付け後に基板とチップの熱膨張の差によって生
じる熱変形をより吸収しやすいこと、また基板のそりや
うねりなどによる基板表面の高低差をより吸収して、す
べての半田バンプを基板の電極にしっかりと半田付けで
きることによる。
板に半田付けする場合、半田バンプの高さはより高いこ
とが望まれる。これは、高い半田バンプの方がリフロー
時や半田付け後に基板とチップの熱膨張の差によって生
じる熱変形をより吸収しやすいこと、また基板のそりや
うねりなどによる基板表面の高低差をより吸収して、す
べての半田バンプを基板の電極にしっかりと半田付けで
きることによる。
【０００４】このため、ワークの電極上に塗布されるク
リーム半田の量をできるだけ多くして半田バンプの高さ
を高くすることが行われている。
リーム半田の量をできるだけ多くして半田バンプの高さ
を高くすることが行われている。
【０００５】以下、従来のバンプの形成方法を図面を参
照して説明する。図９、図１０、図１１、図１２、図１
３、図１４は、従来のバンプの形成方法の工程説明図、
図１５（ａ）、（ｂ）は同チップの部分平面図である。
図９において、１はチップであり、その表面には基板の
回路パターンの電極との接続用の電極２が形成されてい
る。この電極２上に以下に説明する工程により半田バン
プが形成される。
照して説明する。図９、図１０、図１１、図１２、図１
３、図１４は、従来のバンプの形成方法の工程説明図、
図１５（ａ）、（ｂ）は同チップの部分平面図である。
図９において、１はチップであり、その表面には基板の
回路パターンの電極との接続用の電極２が形成されてい
る。この電極２上に以下に説明する工程により半田バン
プが形成される。
【０００６】図１０において３はクリーム半田印刷用の
印刷マスクであり、チップ１の電極２に合わせてパター
ン孔４が設けられている。パターン孔４は長方形状で、
短辺は電極２の幅とほぼ同じであるが、長辺は電極２上
に塗布されるクリーム半田の量をできるだけ多くするた
め電極２の長さより長くなっている。
印刷マスクであり、チップ１の電極２に合わせてパター
ン孔４が設けられている。パターン孔４は長方形状で、
短辺は電極２の幅とほぼ同じであるが、長辺は電極２上
に塗布されるクリーム半田の量をできるだけ多くするた
め電極２の長さより長くなっている。
【０００７】次に、図１１に示すように、印刷マスク３
をチップ１に重ね、図１２に示すように、印刷マスク３
上をスキージ６を右方へ摺動させてパターン孔４の内部
にクリーム半田５を充填する。次いで、印刷マスク３を
チップ１から分離すれば、チップ１の電極上には図１３
に示すように、クリーム半田５が塗布される。
をチップ１に重ね、図１２に示すように、印刷マスク３
上をスキージ６を右方へ摺動させてパターン孔４の内部
にクリーム半田５を充填する。次いで、印刷マスク３を
チップ１から分離すれば、チップ１の電極上には図１３
に示すように、クリーム半田５が塗布される。
【０００８】この後、チップ１はリフロー装置に送ら
れ、そこで加熱されることにより、クリーム半田５は溶
融し、冷却固化すると図１４に示すように電極２上に半
田バンプ５ａが形成される。
れ、そこで加熱されることにより、クリーム半田５は溶
融し、冷却固化すると図１４に示すように電極２上に半
田バンプ５ａが形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１５（ａ）は、図１
３に示すクリーム半田５を塗布したチップ１の部分平面
図である。上述したように、印刷マスク３のパターン孔
４の長さを長くしたことにより、クリーム半田５はチッ
プ１の電極２からばりだして長く塗布されている。図１
５（ｂ）は、図１４に示すリフロー後のチップ１の部分
平面図である。リフローにより、クリーム半田５を加熱
して溶融させると、溶融したクリーム半田５は電極２上
へ吸い寄せられ、その表面張力により電極２上に略球状
のバンプ５ａが形成される。
３に示すクリーム半田５を塗布したチップ１の部分平面
図である。上述したように、印刷マスク３のパターン孔
４の長さを長くしたことにより、クリーム半田５はチッ
プ１の電極２からばりだして長く塗布されている。図１
５（ｂ）は、図１４に示すリフロー後のチップ１の部分
平面図である。リフローにより、クリーム半田５を加熱
して溶融させると、溶融したクリーム半田５は電極２上
へ吸い寄せられ、その表面張力により電極２上に略球状
のバンプ５ａが形成される。
【００１０】しかしながら流動状態のクリーム半田５は
その挙動が不安定であり、相隣る電極２上のクリーム半
田５は合流して図１５（ｂ）に示すように電極２間に半
田ブリッジ５ｂを生じやすいものであった。
その挙動が不安定であり、相隣る電極２上のクリーム半
田５は合流して図１５（ｂ）に示すように電極２間に半
田ブリッジ５ｂを生じやすいものであった。
【００１１】そこで本発明は、半田ブリッジの発生を解
消し、かつより高い半田バンプを形成することができる
半田バンプの形成方法を提供することを目的とする。
消し、かつより高い半田バンプを形成することができる
半田バンプの形成方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、ワークの上面
に印刷マスクを重ね、この印刷マスク上をスキージを摺
動させることにより、この印刷マスクに開孔されたパタ
ーン孔を通してワークの上面に並設された電極上にクリ
ーム半田をスクリーン印刷して塗布した後、このクリー
ム半田をリフロー処理により加熱溶融固化させて電極上
に半田バンプを形成するようにした半田バンプの形成方
法であって、前記パターン孔の短辺は前記電極の幅とほ
ぼ同じであり、また長辺は前記電極の長さよりも長くな
っており、前記スクリーン印刷において互いに相隣る電
極にクリーム半田を互いに逆方向にばり出して塗布する
ことにより、前記リフロー処理において半田ブリッジが
生じないようにした。
に印刷マスクを重ね、この印刷マスク上をスキージを摺
動させることにより、この印刷マスクに開孔されたパタ
ーン孔を通してワークの上面に並設された電極上にクリ
ーム半田をスクリーン印刷して塗布した後、このクリー
ム半田をリフロー処理により加熱溶融固化させて電極上
に半田バンプを形成するようにした半田バンプの形成方
法であって、前記パターン孔の短辺は前記電極の幅とほ
ぼ同じであり、また長辺は前記電極の長さよりも長くな
っており、前記スクリーン印刷において互いに相隣る電
極にクリーム半田を互いに逆方向にばり出して塗布する
ことにより、前記リフロー処理において半田ブリッジが
生じないようにした。
【００１３】
【発明の実施の形態】上記構成の本発明において、ワー
クの電極上に塗布されたクリーム半田をリフロー処理に
より加熱するとクリーム半田は溶融するが、相隣る電極
上に塗布されたクリーム半田は互いに逆方向へばり出し
ているので、相隣る電極上のクリーム半田が合流して半
田ブリッジを生じることはない。またクリーム半田を電
極上からばりだして多量に塗布し、これを溶融させて電
極上に吸い寄せることにより、高さの高い半田バンプを
形成することができる。
クの電極上に塗布されたクリーム半田をリフロー処理に
より加熱するとクリーム半田は溶融するが、相隣る電極
上に塗布されたクリーム半田は互いに逆方向へばり出し
ているので、相隣る電極上のクリーム半田が合流して半
田ブリッジを生じることはない。またクリーム半田を電
極上からばりだして多量に塗布し、これを溶融させて電
極上に吸い寄せることにより、高さの高い半田バンプを
形成することができる。
【００１４】次に、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。図１、図２、図３、図４、図５、図６は、
本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工程説明
図、図７は同バンプの形成方法の印刷マスクとチップの
部分拡大図、図８（ａ）、（ｂ）は同バンプの形成方法
のチップの部分断面図である。なお、上記従来の方法と
同一の要素には同一符号を付している。
て説明する。図１、図２、図３、図４、図５、図６は、
本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工程説明
図、図７は同バンプの形成方法の印刷マスクとチップの
部分拡大図、図８（ａ）、（ｂ）は同バンプの形成方法
のチップの部分断面図である。なお、上記従来の方法と
同一の要素には同一符号を付している。
【００１５】図１において、１はチップであり、その表
面には基板の回路パターンの電極との接続用の電極２が
多数形成されている。この電極２上に以下に説明する工
程により半田バンプが形成される。
面には基板の回路パターンの電極との接続用の電極２が
多数形成されている。この電極２上に以下に説明する工
程により半田バンプが形成される。
【００１６】図２において１３はクリーム半田印刷用の
印刷マスクであり、チップ１の電極２に合わせてパター
ン孔１４が設けられている。パターン孔１４は長方形状
で、短辺は電極２の幅とほぼ同じであるが、長辺は電極
２上に塗布されるクリーム半田の量をできるだけ多くす
るため電極２の長さより長くなっている。ここで、図２
および図７に示すように、パターン孔１４は、相隣る電
極２について電極２から交互に逆方向へばり出す方向に
長尺に形成されており、全体として千鳥状に配列されて
いる。
印刷マスクであり、チップ１の電極２に合わせてパター
ン孔１４が設けられている。パターン孔１４は長方形状
で、短辺は電極２の幅とほぼ同じであるが、長辺は電極
２上に塗布されるクリーム半田の量をできるだけ多くす
るため電極２の長さより長くなっている。ここで、図２
および図７に示すように、パターン孔１４は、相隣る電
極２について電極２から交互に逆方向へばり出す方向に
長尺に形成されており、全体として千鳥状に配列されて
いる。
【００１７】次に、図３に示すように、印刷マスク１３
をチップ１に重ね、図４に示すように、印刷マスク３上
をスキージ６を右方へ摺動させてパターン孔４の内部に
クリーム半田５を充填する。次いで、印刷マスク３をチ
ップ１から分離すれば、チップ１の電極２上には図５に
示すように、クリーム半田５が塗布される。このように
して塗布されたクリーム半田５は、交互に逆方向にばり
出している（図７も参照）。
をチップ１に重ね、図４に示すように、印刷マスク３上
をスキージ６を右方へ摺動させてパターン孔４の内部に
クリーム半田５を充填する。次いで、印刷マスク３をチ
ップ１から分離すれば、チップ１の電極２上には図５に
示すように、クリーム半田５が塗布される。このように
して塗布されたクリーム半田５は、交互に逆方向にばり
出している（図７も参照）。
【００１８】この後、チップ１はリフロー装置に送ら
れ、クリーム半田５を加熱して溶融させた後、冷却して
固化させることにより、半田バンプ５ａが形成される。
図６はこのようにして半田バンプ５ａが形成されたチッ
プを示している。
れ、クリーム半田５を加熱して溶融させた後、冷却して
固化させることにより、半田バンプ５ａが形成される。
図６はこのようにして半田バンプ５ａが形成されたチッ
プを示している。
【００１９】図８（ａ）、（ｂ）は、リフロー時の半田
バンプ５ａの生成過程を示している。図８（ａ）に示す
ように、電極２上に塗布されたクリーム半田５は加熱さ
れることにより溶融し、チップ１上で電極２側へ吸い寄
せられる（矢印ａ参照）。吸い寄せられたクリーム半田
５は、図８（ｂ）に示すように半田ぬれ性のよい電極２
上に凝集し、表面張力により略球状の半田バンプ５ａを
形成する。図８（ｂ）において、鎖線で示すクリーム半
田５は、凝集途中の状態を示している。このクリーム半
田５の溶融過程において、相隣る電極２上に塗布された
クリーム半田５は、そのばり出し方向が互いに逆方向と
なっており、相互に離れているためクリーム半田５が合
流することがなく、従って半田ブリッジを生じない。
バンプ５ａの生成過程を示している。図８（ａ）に示す
ように、電極２上に塗布されたクリーム半田５は加熱さ
れることにより溶融し、チップ１上で電極２側へ吸い寄
せられる（矢印ａ参照）。吸い寄せられたクリーム半田
５は、図８（ｂ）に示すように半田ぬれ性のよい電極２
上に凝集し、表面張力により略球状の半田バンプ５ａを
形成する。図８（ｂ）において、鎖線で示すクリーム半
田５は、凝集途中の状態を示している。このクリーム半
田５の溶融過程において、相隣る電極２上に塗布された
クリーム半田５は、そのばり出し方向が互いに逆方向と
なっており、相互に離れているためクリーム半田５が合
流することがなく、従って半田ブリッジを生じない。
【００２０】
【発明の効果】本発明において、ワークの電極上に塗布
されたクリーム半田をリフロー処理により加熱するとク
リーム半田は溶融するが、相隣る電極上に塗布されたク
リーム半田は互いに逆方向へばり出しているので、相隣
る電極上のクリーム半田が合流して半田ブリッジを生じ
ることはない。またクリーム半田を電極上からばりだし
て多量に塗布し、これを溶融させて電極上に吸い寄せる
ことにより、高さの高い半田バンプを形成することがで
きる。
されたクリーム半田をリフロー処理により加熱するとク
リーム半田は溶融するが、相隣る電極上に塗布されたク
リーム半田は互いに逆方向へばり出しているので、相隣
る電極上のクリーム半田が合流して半田ブリッジを生じ
ることはない。またクリーム半田を電極上からばりだし
て多量に塗布し、これを溶融させて電極上に吸い寄せる
ことにより、高さの高い半田バンプを形成することがで
きる。
【図１】本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工
程説明図
程説明図
【図２】本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工
程説明図
程説明図
【図３】本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工
程説明図
程説明図
【図４】本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工
程説明図
程説明図
【図５】本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工
程説明図
程説明図
【図６】本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の工
程説明図
程説明図
【図７】本発明の一実施の形態のバンプの形成方法の印
刷マスクとチップの部分拡大図
刷マスクとチップの部分拡大図
【図８】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプの形成方
法のチップの部分断面図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプの形成方法のチッ
プの部分断面図
法のチップの部分断面図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプの形成方法のチッ
プの部分断面図
【図９】従来のバンプの形成方法の工程説明図
【図１０】従来のバンプの形成方法の工程説明図
【図１１】従来のバンプの形成方法の工程説明図
【図１２】従来のバンプの形成方法の工程説明図
【図１３】従来のバンプの形成方法の工程説明図
【図１４】従来のバンプの形成方法の工程説明図
【図１５】（ａ）従来のバンプの形成方法のチップの部
分平面図 （ｂ）従来のバンプの形成方法のチップの部分平面図
分平面図 （ｂ）従来のバンプの形成方法のチップの部分平面図
１ チップ ２ 電極 ３ 印刷マスク ４ パターン孔 ５ クリーム半田 ５ａ 半田バンプ ６ スキージ １３ 印刷マスク １４ パターン孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−264932（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−136259（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−276290（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−36533（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263855（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−137873（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/34 B41F 15/08 H01L 21/60
Claims (2)
- 【請求項１】ワークの上面に印刷マスクを重ね、この印
刷マスク上をスキージを摺動させることにより、この印
刷マスクに開孔されたパターン孔を通してワークの上面
に並設された電極上にクリーム半田をスクリーン印刷し
て塗布した後、このクリーム半田をリフロー処理により
加熱溶融固化させて電極上に半田バンプを形成するよう
にした半田バンプの形成方法であって、前記パターン孔
の短辺は前記電極の幅とほぼ同じであり、また長辺は前
記電極の長さよりも長くなっており、前記スクリーン印
刷において互いに相隣る電極にクリーム半田を互いに逆
方向にばり出して塗布することにより、前記リフロー処
理において半田ブリッジが生じないようにしたことを特
徴とする半田バンプの形成方法。 - 【請求項２】前記パターン孔の形状が長方形状であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半田バンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04193797A JP3341616B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半田バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04193797A JP3341616B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半田バンプの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242632A JPH10242632A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3341616B2 true JP3341616B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=12622143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04193797A Ceased JP3341616B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半田バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341616B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI552824B (zh) * | 2011-10-18 | 2016-10-11 | 千住金屬工業股份有限公司 | 焊料凸塊形成方法及裝置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4210171B2 (ja) | 2003-02-25 | 2009-01-14 | 京セラ株式会社 | フリップチップ型ｉｃの製造方法 |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP04193797A patent/JP3341616B2/ja not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI552824B (zh) * | 2011-10-18 | 2016-10-11 | 千住金屬工業股份有限公司 | 焊料凸塊形成方法及裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10242632A (ja) | 1998-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |