JP2004059533A - ビススルホニルイミド基含有モノマーの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、バッテリー、燃料電池用の電解質膜、燃料電池用の触媒バインダー、電解セル、イオン交換膜、センサー、エレクトロミックウィンドウ、電気化学的キャパシタおよび修飾電極のような電気化学的用途や分離技術用途に有用なイオノマーの原料となるビススルホニルイミド基含有モノマーの合成法に関するものである。さらに、本発明は、前記ビススルホニルイミド基含有モノマーの合成中間体である新規ビススルホニルイミド化合物とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ビススルホニルイミド基を有するポリマー材料は、バッテリー、燃料電池、キャパシタ、スーパーキャパシタ、およびエレクトロミック装置など電気化学的装置および電気化学的装置中で電荷を伝導するための電解質として有用であり、特に、リチウムイオン電池への利用が期待されている。近年、エネルギー密度の向上、薄型・軽量化、安全性の向上、低コストの観点から、ビススルホニルイミド基を有するポリマーを電解質としたリチウムイオン電池の研究が盛んに行なわれている。
【0003】
ビススルホニルイミド基を有するポリマーとしては、米国特許5463005号公報にテトラフルオロエチレンとビススルホニルイミドモノマーの共重合体が例示されているが、このポリマーの原料となるビススルホニルイミドモノマーの製造は、下記に示すように、スルホニルフルオリドモノマー(11)のビニル基に一旦ハロゲン原子を付加させたスルホニルフルオリド(12)をCF3SO2N(Na)Si(CH3)3と反応させてビススルホニルイミド(13)に変換した後、脱ハロゲン反応によりビススルホニルイミドモノマー(14)を得ているが、ハロゲン原子によるビニル基への付加・脱離工程が必要であるため多段ステップとならざるを得なかった。
【0004】
【化6】
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解消するものであり、安全で簡単な操作でビススルホニルイミド基含有モノマーを効率良く製造する方法を提供するものである。さらに詳しくは、本発明は、新規なビススルホニルイミド化合物と、それを用いたビススルホニルイミド基含有モノマーの新規製造法に関するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記課題を解決するため、鋭意研究を重ねた結果、特定の構造の新規ビススルホニルイミド化合物を特定の構造の金属アミドと接触させると、安全な条件下、簡単な操作で、高収率でビススルホニルイミドモノマーが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
即ち、本発明は、
1.下記一般式(1);
【化7】
(式中、nは0〜3の整数、mは1〜5の整数である。R1はフッ素化炭化水素基あるいはその置換体である。M1は水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基、炭素原子数1から10のアルキル基、および有機アンモニウム基から選ばれる基である。)
で表されるビススルホニルイミド化合物である。
【0008】
2.1.記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物を、下記一般式(2);
M2NR2R3 (2)
(式中、M2はアルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子である。R2及びR3は、各々独立に炭素数1〜10個の炭化水素基および合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基から選ばれる基である。但し、R2及びR3のうち少なくとも1つは、炭素数3〜10の2級または3級のアルキル基または該置換シリル基である。また、R2とR3が結合して、R2、R3と結合している窒素原子とともに含窒素複素環を形成していても良い。)
で表される金属アミドと接触させて、次いで場合により酸処理をして、下記一般式(3);
【化8】
(式中、m、nは上記一般式(1)と同じである。R1aは、a)上記一般式(1)中のR1と同じ基、および、b)当該反応原料として使用した上記一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物中のR1に−CF2CHF−構造を含む場合には、R1基中の当該構造部が−CF=CF−構造に変換した基から選ばれる基である。M3は水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。)
で表されるビススルホニルイミド基含有モノマーを得ることを特徴とする、ビススルホニルイミド基含有モノマーの製造方法である。
【0009】
3.1.記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物の製造方法であって、下記一般式(4);
CF3CFH(OCF2CF(CF3))nO(CF2)mSO2F (4)
(式中、m、nは上記一般式(1)と同じである。)
で表されるスルホニルフルオリドを、下記一般式(5);
R1SO2NM4M5 (5)
(式中、R1は上記一般式(1)と同じである。M4は水素原子、合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基、炭素数1から10のアルキル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。M5は水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。)
で表されるスルホニルアミド化合物と接触させて、次いで場合により酸処理をして製造することを特徴とするビススルホニルイミド化合物の製造方法である。
【0010】
4.1.記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物の製造方法であって、下記一般式(6);
【化9】
(式中、m、nは上記一般式(1)と同じである。M6は水素原子、合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基、炭素数1から10のアルキル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。M7は水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。)
で表されるスルホニルアミドを、下記一般式(7);
R1SO2X (7)
(式中、Xはフッ素原子、塩素原子、あるいはOSO2R1である。X=OSO2R1である場合には、一般式(7)中の二つのR1は同じでも、異なっていても良い。R1は上記一般式(1)と同じである。)
で表されるスルホニル化合物と接触させて、次いで場合により酸処理をして製造することを特徴とするビススルホニルイミド化合物の製造方法である。
【0011】
5.1.記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物の製造方法であって、下記一般式(8);
【化10】
(式中、m’は2または3である。)
で表される環状パーフルオロスルホンを、下記一般式(9);
R1SO2NM8M9 (9)
(式中、R1は上記一般式(1)と同じである。M8は水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。M9は水素原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。)
で表されるスルホニルアミドと接触させて、次いで、場合により酸処理して、下記一般式(10);
【化11】
(式中、n=0、m=2または3である。R1、M1は一般式(1)と同じ。)
で表されるビススルホニルイミド化合物を製造することを特徴とする方法である。
【0012】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド(以下、化合物(1)と称する)のM1は、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基、炭素原子数1から10のアルキル基、および有機アンモニウム基である。
【0013】
当該M1において、アルカリ土類金属原子とは、2価のアルカリ土類金属原子のうちの1価の結合部を意味する。また、有機アンモニウム基とは、第4級アンモニウム基、あるいは各種の有機アミン化合物とプロトン(水素原子)から形成されるアンモニウム基を表し、その例としては、(CH3)4N+、(C2H5)4 +、(C4H9)4N+、(CH3)3NH+、(C2H5)3NH+、(C4H9)4NH+等が挙げられる。以後、本発明の説明において使用されるアルカリ土類金属原子、有機アンモニウム基とは、上記M1の説明で定義されたものである。
【0014】
M1が合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基である場合、当該置換シリル基は、置換基として2個以上の炭化水素基を含むことが好ましく、3個の炭化水素基を含むことが特に好ましい。置換シリル基の好ましい具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。M1が炭素数1から10のアルキル基である場合、好ましくは、炭素数3〜10個の2級または3級のアルキル基である。好ましいアルキル基の具体例としては、イソプロピル基、2−ブチル基、t−ブチル基、2,4,4−トリメチル−2−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素原子数3〜10個の分岐構造のアルキル基が挙げられるが、特に好ましくは、炭素原子数3〜6個の分岐構造のアルキル基である。
【0015】
化合物(1)のR1は、フッ素化炭化水素基あるいはその置換体であり、置換基としては、a)塩素原子、臭素原子等のハロゲン基、b)エーテル基、c)炭素―炭素二重結合、d)スルホニルフルオリド基、スルホン酸塩基、ビススルホニルイミド基、スルホン基等のスルホン基含有基、e)カルボン酸エステル基、カルボン酸塩基、ケトン基(−CO―)等のカルボニル基含有基を含んでいてもよい。
【0016】
R1を構成する炭素原子数としては特に制約はないが、1〜13個が好ましく、1〜9個がより好ましく、1〜7個がさらに好ましい。R1中の水素原子の数は0または1個である。
R1にエーテル結合を含む場合、[エーテル結合の数]/[炭素原子の数]の比は、好ましくは0.5以下であり、より好ましくは0.35以下であり、さらに好ましくは0.25以下である。[エーテル結合の数]/[炭素原子の数]の比が大きすぎると、R1の部分の安定性が低下するので好ましくない。
【0017】
R1の構造の具体例としては、
CF3−
CF3CF2−
CHF2CF2−
CF3CF2CF2CF2−
CHF2CF2CF2CF2−
CF3CHFOCF2CF2−
CF3CHFOCF2CF2CF2−
CF3CHFO(CF2CF(CF3))OCF2CF2−
CF3CHFO(CF2CF(CF3))OCF2CF2CF2−
CF3CHFO(CF2CF(CF3))2OCF2CF2−
CF3CHFO(CF2CF(CF3))2OCF2CF2CF2−
CF3CHFO(CF2CF(CF3))3OCF2CF2−
CF3CHFO(CF2CF(CF3))3OCF2CF2CF2−
C6F5−
CF3(CF2)5−
CF3(CF2)7−
などがあげられる。
【0018】
次に化合物(1)と上記一般式(2)で表される金属アミド(以下、化合物(2)と称する)との接触により、上記一般式(3)で表されるビススルホニルイミド基含有モノマー(以下、化合物(3)と称する)を製造する方法について説明をする。
化合物(1)を化合物(3)に変換するためにはまずそのプロトンを引き抜かなければならず、一般には強塩基が用いられる。ところが、強塩基を用いた場合、生成したトリフルオロビニル基と強塩基とがさらに反応してしまうため、通常、化合物(3)を得ることは困難である。しかしながら、本発明者等は鋭意検討した結果、化合物(1)を化合物(2)で規定される特定の構造の金属アミドと接触させると、安全な条件下、簡単な操作で高収率で化合物(3)が得られることを見出し、本発明を完成させた。
【0019】
化合物(2)においてR2、R3の少なくとも一方は嵩高い基である。嵩高さが十分でない金属アミドの場合には、生成した化合物(3)と金属アミドとがさらに反応してしまい、化合物(3)を収率良く得ることができない。したがって、化合物(2)におけるR2及びR3は、以下のように規定される。即ち、R2及びR3は、各々独立に、炭素数1〜10個の炭化水素基、および合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基から選ばれる基である。但し、R2及びR3のうち少なくとも1つは、炭素数3〜10個の2級または3級のアルキル基または該置換シリル基である。また、R2とR3が結合して、R2、R3と結合している窒素原子とともに含窒素複素環を形成していてもよい。
【0020】
炭素数3〜10個の2級または3級のアルキル基の例としては、イソプロピル基、2−ブチル基、t−ブチル基、2,4,4−トリメチル−2−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3〜10個、好ましくは3〜6個の分岐構造のアルキル基が挙げられ、R2とR3が結合して環を形成している例としては2,6−ジメチルー2,6−ペンチレン基等が挙げられる。
また、R2及びR3として、合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基とは、置換基として2個以上の炭化水素基を含むことが好ましく、3個の炭化水素基を含むことが特に好ましい。置換シリル基の好ましい例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
【0021】
化合物(2)のM2は、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子であり、好ましくはアルカリ金属原子が使用され、リチウム、ナトリウム、カリウムが使用される。化合物(2)の例としては、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド、リチウムイソプロピルシクロヘキシルアミド、2,2,6,6−テトラメチルピペリジンリチウムアミド、リチウム(t−ブチル)(2,4,4−トリメチル−2−ペンチル)アミド、リチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジド、リチウムベンジルトリメチルシリルアミド等の金属アミドが挙げられる。
【0022】
本発明では上記の化合物(1)と化合物(2)を接触させることで容易に化合物(3)を得ることができるが、通常、溶媒を用いるほうが好ましい。
本発明で使用できる溶媒としては、反応時に不活性であればよく、各種の非プロトン性極性溶媒が用いられる。例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等の各種のエーテル系溶媒が挙げられる。
【0023】
本発明では化合物(2)の使用量は、化合物(1)に対して当量用いれば良いが、化合物(1)の中に引き抜かれやすいプロトンが存在する場合等には過剰量用いることができる。例えば、化合物(1)のR1に−CF2CFH−構造を含む場合、化合物(2)を化合物(1)に対して2当量以上用いれば、R1基中の当該構造部も−CF=CF−構造に変換された化合物(3)を得ることができる。
【0024】
当該反応温度は通常−100〜150℃、好ましくは−80〜120℃、より好ましくは−60〜100℃であり、反応時間は、通常0.01〜48時間、好ましくは0.1〜24時間、より好ましくは0.2〜12時間である。
本発明の化合物(1)は、どのような方法で製造されたものでも良いが、その製造法の具体例としては、例えば、下記の3つの方法が挙げられる。
1)上記一般式(4)で表されるスルホニルフルオリド(以下、化合物(4)と称する)を上記一般式(5)で表されるスルホニルアミド(以下、化合物(5)と称する)と接触させて、化合物(1)を製造する方法。
2)上記一般式(6)で表されるスルホニルアミド(以下、化合物(6)と称する)を上記一般式(7)で表されるスルホニル化合物(以下、化合物(7)と称する)と接触させて、化合物(1)を製造する方法。
3)上記一般式(8)で表される環状パーフルオロスルホン(以下、化合物(8)と称する)を上記一般式(9)で表されるスルホニルアミド(以下、化合物(9)と接触させて、化合物(1)を製造する方法。
【0025】
以下に、1)から3)の方法について詳しく説明する。
1)化合物(4)を化合物(5)と接触させて、化合物(1)を製造する場合化合物(4)は、各種の方法で製造することが出来るが、例えば、下記一般式(15);
【化12】
(式中、nは0〜3の整数、mは1〜5の整数である。)
で表されるカルボニルフルオリドから、Acta Chimica Sinica 48巻 1120頁 (1990年)にしたがって容易に製造される。
【0026】
化合物(4)と化合物(5)との接触は通常、溶媒中で行われる。溶媒としては反応時に不活性であればよく、各種の非プロトン性極性溶媒が用いられる。本発明で使用される溶媒の例としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、マロノニトリル、アジポニトリル等のニトリル類、N,N―ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、スルホランがあげられる。
【0027】
化合物(5)のM4あるいはM5が水素原子である場合、必要に応じて塩基を使用する場合がある。塩基としては、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基や、トリエチルアミン、トリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン−5、1,4−ジアザビシクロ(2,2,0)オクタン、ジイソプロピルエチルアミンなどの有機塩基があげられる。
【0028】
塩基の使用量は、化合物(5)に対して当量用いれば良いが、必要により過剰量を用いてもよい。
塩基が液体の場合には、溶媒として用いても差し支えない。
当該反応温度は、通常−40〜220℃、好ましくは−20〜200℃、より好ましくは0〜180℃であり、反応時間は、通常、0.01〜96時間、好ましくは0.1〜72時間、さらにこの好ましくは0.2〜48時間である。
【0029】
2)化合物(6)を化合物(7)と接触させて、化合物(1)を製造する場合
本発明で使用される化合物(6)は、どのような方法で合成されてもかまわないが、例えば、化合物(6)のM6とM7が水素原子である場合、先記化合物(4)とアンモニアから公知技術により容易に得られる。また、各種構造の金属アミド化合物と化合物(4)の反応によっても製造することが出来る。
【0030】
化合物(6)と化合物(7)との反応は通常、溶媒中で行われる。溶媒を用いる場合、反応時に不活性であればよく、各種の非プロトン性極性溶媒が用いられる。本発明で使用される溶媒の例としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、マロノニトリル、アジポニトリル等のニトリル類、ジメチルスルホキシド、スルホランがあげられる。
【0031】
化合物(6)のM6あるいはM7が水素原子である場合、必要に応じて塩基を使用する場合がある。塩基としては、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基や、トリエチルアミン、トリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン−5、1,4−ジアザビシクロ(2,2,0)オクタン、ジイソプロピルエチルアミンなどの有機塩基があげられる。
【0032】
塩基の使用量は、化合物(6)に対して当量用いれば良いが、必要により過剰量を用いてもよい。
塩基が液体の場合には、溶媒として用いても差し支えない。
当該反応温度は、通常−40〜220℃、好ましくは−20〜200℃、より好ましくは0〜180℃であり、反応時間は、通常、0.01〜96時間、好ましくは0.1〜72時間、さらにこの好ましくは0.2〜48時間である。
【0033】
3)化合物(8)を化合物(9)と接触させて、化合物(1)を製造する場合
本発明で使用される化合物(8)は、公知の化合物であり、例えば、CF3CF(COF)O(CF2)m’SO2F(m’は2または3)から誘導されるアルカリ金属カルボン酸塩の熱分解(特公昭47−2083号公報等)により、容易に合成される。
化合物(8)のM8は、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基であり、好ましくは、アルカリ金属原子である。
【0034】
化合物(8)と化合物(5)との反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては反応時に不活性であればよく、各種の非プロトン性極性溶媒が用いられる。本発明で使用される溶媒の例としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、マロノニトリル、アジポニトリル等のニトリル類、ジメチルスルホキシド、スルホランがあげられる。
【0035】
当該反応温度は、通常、―40〜220℃、好ましくは−20〜200℃、より好ましくは0〜180℃であり、反応時間は、通常0.01〜48時間、好ましくは0.1〜24時間、さらにこの好ましくは0.2〜12時間である。
上記の方法で製造されたビススルホニルイミドモノマーは、テトラフルオロエチレン(米国特許5463005号公報)、フッ化ビニリデン(国際公開特許99/45048号公報)など他のラジカル重合性のモノマーとの共重合体の製造に用いることができる。そして、当該共重合体は、容易に各種形態のイオノマーに変換する事が出来る。
【0036】
以上のように、本発明は、バッテリー、燃料電池、電解セル、イオン交換膜、センサー、エレクトロミックウィンドウ、電気化学的キャパシタおよび修飾電極のような電気化学的用途に有用なイオノマーの原料となるビススルホニルイミドモノマーを効率よく製造する技術を提供するものであり、工業的に極めて有用である。
【0037】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【0038】
【実施例1】
CF3CFHOCF2CF2SO2N(Li)SO2CF3の合成
窒素気流下、14.9gのCF3SO2NH2を100mlのテトラヒドロフランに溶解させ、―78℃に冷却後、n−ブチルリチウムの1.6Mヘキサン溶液63mlを滴下した後、0℃で30分撹拌させ、CF3SO2NHLiを調製した。この溶液に0℃で環状パーフルオロスルホン;
【化13】
28gを加えた後、室温で2時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去すると、36.6gの残留物が得られた。この残留物は19F―NMRから、CF3CFHOCF2CF2SO2N(Li)SO2CF3であることが確認された。
19F−NMR:δ(ppm、CFCl3基準)−146.6(1F)、−116.7(2F)、−84.6(1F)、−84.2(3F)、−82.0(1F)―79.6(3F)
【0039】
【実施例2】
CF2=CFOCF2CF2SO2N(Li)SO2CF3の合成
窒素気流下、実施例1で合成したCF3CFHOCF2CF2SO2N(Li)SO2CF321.6gをテトラヒドロフラン100mlに溶解させた後、0℃でリチウムビストリメチルシリルアミドの1Mテトラヒドロフラン溶液50mlを加えた後、室温で2時間撹拌した。反応終了後、生成したLiFを濾過した後、濾液の溶媒を留去させると、18.0gの残留物が得られた。この残留物は19F―NMRから、CF2=CFOCF2CF2SO2N(Li)SO2CF3であることが確認された(収率86%)。
19F−NMR:δ(ppm、CFCl3基準)−135.6(1F)、−123.6(1F)、−117.5(2F)、−116.2(1F)、−84.0(2F)、―80.3(3F)
【0040】
【実施例3】
CF3CFHOCF2CF2SO2N(iPr2(Et)NH)SO2CF3の合成窒素気流下、CF3SO2NH21.5g、CF3CFHOCF2CF2SO2F3.0gにジイソプロピルエチルアミン5.2gを加え、4時間加熱還流した。この反応溶液は19F―NMRから、CF3CFHOCF2CF2SO2N(iPr2(Et)NH)SO2CF3が93%含まれていることが確認された。
19F−NMR:δ(ppm、CFCl3基準)−146.4(1F)、−116.5(2F)、−84.4(1F)、−84.0(3F)、−81.8(1F)―79.4(3F)
【0041】
【実施例4】
(CF3CFHOCF2CF2SO2)2N(Et3NH)の合成
窒素気流下、CF3CFHOCF2CF2SO2F5.0g、CF3CFHOCF2CF2SO2NH22.5gにトリエチルアミン20mlを加えて、9時間加熱還流を行なった。反応終了後、トリエチルアミンを留去すると6.7g粘性液体を得た。この液体は、19F―NMRから(CF3CFHOCF2CF2SO2)2N(Et3NH)とCF3CFHOCF2CF2SO3(Et3NH)の混合物(3:1(モル比))であることが確認された。
【0042】
【実施例5】
(I)(CF3CFHOCF2CF2SO2)2NHの合成
窒素気流下、CF3CFHOCF2CF2SO2F30.0g、CF3CFHOCF2CF2SO2NH229.7gにジイソプロピルエチルアミン51.6gを加えて、5時間加熱還流を行なった。反応終了後、下層を分離した後、硫酸で処理をして、蒸留操作により、51.9gを得た。得られた化合物は、19F―NMRから(CF3CFHOCF2CF2SO2)2NHであることが確認された(収率90%)。
19F−NMR:δ(ppm、CFCl3基準)−147.2(2F)、−116.4(4F)、−84.0(6F)、−83.2(2F)、−82.0(2F)
【0043】
(II)(CF2=CFOCF2CF2SO2)2NHの合成
窒素気流下、上記工程(I)で得られた(CF3CFHOCF2CF2SO2)2NH51.9gをTHF200mlに溶解させ、0℃でテトラヒドロフラン100mlに溶解させた後、0℃でリチウムビストリメチルシリルアミドの1Mテトラヒドロフラン溶液270mlを加えた後、室温で2時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去した後、硫酸で処理をして、蒸留操作により、43.5gを得た。得られた化合物は、19F―NMRから、(CF2=CFOCF2CF2SO2)2NHであることが確認された(収率90%)。
19F−NMR:δ(ppm、CFCl3基準)−137.6(2F)、−124.1(2F)、−116.4(4F)、−116.1(2F)、−85.0(4F)
【0044】
【発明の効果】
本発明は電気化学的用途に有用なイオノマーの原料となるビススルホニルイミド基含有モノマーを安全に効率よく製造することができ、工業的に有用である。
Claims (5)
- 請求項1記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物を、下記一般式(2);
M2NR2R3 (2)
(式中、M2はアルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子である。R2及びR3は、各々独立に炭素数1〜10個の炭化水素基および合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基から選ばれる基である。但し、R2及びR3のうち少なくとも1つは、炭素数3〜10の2級または3級のアルキル基または該置換シリル基である。また、R2とR3が結合して、R2、R3と結合している窒素原子とともに含窒素複素環を形成していても良い。)
で表される金属アミドと接触させて、次いで場合により酸処理をして、下記一般式(3);
で表されるビススルホニルイミド基含有モノマーを得ることを特徴とする、ビススルホニルイミド基含有モノマーの製造方法。 - 請求項1記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物の製造方法であって、下記一般式(4);
CF3CFH(OCF2CF(CF3))nO(CF2)mSO2F (4)
(式中、m、nは上記一般式(1)と同じである。)
で表されるスルホニルフルオリドを、下記一般式(5);
R1SO2NM4M5 (5)
(式中、R1は上記一般式(1)と同じである。M4は水素原子、合計10個以下の炭素原子を有する炭化水素基置換シリル基、炭素数1から10のアルキル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。M5は水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。)
で表されるスルホニルアミド化合物と接触させて、次いで場合により酸処理をして製造することを特徴とするビススルホニルイミド化合物の製造方法。 - 請求項1記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物の製造方法であって、下記一般式(6);
で表されるスルホニルアミドを、下記一般式(7);
R1SO2X (7)
(式中、Xはフッ素原子、塩素原子、あるいはOSO2R1である。X=OSO2R1である場合には、一般式(7)中の二つのR1は同じでも、異なっていても良い。R1は上記一般式(1)と同じである。)
で表されるスルホニル化合物と接触させて、次いで場合により酸処理をして製造することを特徴とするビススルホニルイミド化合物の製造方法。 - 請求項1記載の一般式(1)で表されるビススルホニルイミド化合物の製造方法であって、下記一般式(8);
で表される環状パーフルオロスルホンを、下記一般式(9);
R1SO2NM8M9 (9)
(式中、R1は上記一般式(1)と同じである。M8は水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。M9は水素原子および有機アンモニウム基から選ばれる基である。)
で表されるスルホニルアミドと接触させて、次いで、場合により酸処理して、下記一般式(10);
で表されるビススルホニルイミド化合物を製造することを特徴とする方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008222657A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Asahi Kasei Corp | スルホンイミドの製造方法 |
JP2008222658A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Asahi Kasei Corp | スルホンイミド化合物の製造方法 |
WO2011148971A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 含フッ素スルホニルイミド化合物の製造方法 |
JP2018043936A (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 東ソー・ファインケム株式会社 | ビス−(4−ハロエチルベンゼンスルホニル)イミド又はその塩、その製造方法、並びにビス−(4−ハロエチルベンゼンスルホニル)イミドを前駆体とするビス−(4−スチレンスルホニル)イミド又はその塩の製造方法 |
CN114069032A (zh) * | 2020-07-30 | 2022-02-18 | 广汽埃安新能源汽车有限公司 | 聚合物固态电解质、全固态锂电池电芯、全固态锂电池及其应用 |
CN114069033A (zh) * | 2020-07-30 | 2022-02-18 | 广汽埃安新能源汽车有限公司 | 复合固态电解质、全固态锂电池电芯、全固态锂电池及其应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001522376A (ja) * | 1998-01-30 | 2001-11-13 | ハイドロ−ケベック | 架橋可能なビスルホニル誘導体およびイオン交換膜の製造のためのその使用 |
JP2002505356A (ja) * | 1998-03-03 | 2002-02-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 相当にフッ素化されたイオノマー |
JP2003514891A (ja) * | 1999-11-23 | 2003-04-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 二金属スルホニルアミド塩の製造方法 |
JP2003515584A (ja) * | 1999-12-02 | 2003-05-07 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | スルホニルフルオリドからのイミドの製造方法 |
JP2003519117A (ja) * | 1999-12-23 | 2003-06-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フルオロスルホニルイミドモノマーの製造方法 |
-
2002
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001522376A (ja) * | 1998-01-30 | 2001-11-13 | ハイドロ−ケベック | 架橋可能なビスルホニル誘導体およびイオン交換膜の製造のためのその使用 |
JP2002505356A (ja) * | 1998-03-03 | 2002-02-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 相当にフッ素化されたイオノマー |
JP2003514891A (ja) * | 1999-11-23 | 2003-04-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 二金属スルホニルアミド塩の製造方法 |
JP2003515584A (ja) * | 1999-12-02 | 2003-05-07 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | スルホニルフルオリドからのイミドの製造方法 |
JP2003519117A (ja) * | 1999-12-23 | 2003-06-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フルオロスルホニルイミドモノマーの製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008222657A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Asahi Kasei Corp | スルホンイミドの製造方法 |
JP2008222658A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Asahi Kasei Corp | スルホンイミド化合物の製造方法 |
WO2011148971A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 含フッ素スルホニルイミド化合物の製造方法 |
JP2018043936A (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 東ソー・ファインケム株式会社 | ビス−(4−ハロエチルベンゼンスルホニル)イミド又はその塩、その製造方法、並びにビス−(4−ハロエチルベンゼンスルホニル)イミドを前駆体とするビス−(4−スチレンスルホニル)イミド又はその塩の製造方法 |
CN114069032A (zh) * | 2020-07-30 | 2022-02-18 | 广汽埃安新能源汽车有限公司 | 聚合物固态电解质、全固态锂电池电芯、全固态锂电池及其应用 |
CN114069033A (zh) * | 2020-07-30 | 2022-02-18 | 广汽埃安新能源汽车有限公司 | 复合固态电解质、全固态锂电池电芯、全固态锂电池及其应用 |
CN114069032B (zh) * | 2020-07-30 | 2023-06-30 | 广汽埃安新能源汽车有限公司 | 聚合物固态电解质、全固态锂电池电芯、全固态锂电池及其应用 |
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