JP2003502896A - 寄生振動を低減したトランジスタ増幅器 - Google Patents
寄生振動を低減したトランジスタ増幅器Info
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Abstract
(57)【要約】
複数のトランジスタセル（１５”）を有するトランジスタデバイス（１２”）。セルのそれぞれ１つは、半導体を通るキャリアの流れを制御する制御電極（１７）を有する。デバイス（１２”）は、入力ノード（２０”）を有する。複数のフィルタ（１８”）が設けられる。フィルタ（１８”）のそれぞれ１つは、入力ノード（２０”）と、複数のトランジスタセル（１５”）の制御電極（１７）のうちの対応する１つとの間に結合されている。本発明の１実施形態において、対になった制御電極（１７）が共通領域に接続され、フィルタ（１８”）のそれぞれ１つは、入力ノード（２０”）と、共通領域のうちの対応する１つとの間に結合されている。半導体によって、複数のトランジスタセル（１５”）の共通活性領域が提供される。フィルタ（１８”）のそれぞれ１つは、導電層（４０）と、導電層（４０）上に配置された誘電層（４２）と、誘電層（４２）の上に配置された抵抗層（４４）と、抵抗層（４４）の第１の部分（５０）に電気的に接触するように配置され入力ノードを提供する導電電極（４６）と、抵抗層（４４）の第１の部分（５０）から離れた抵抗層（４４）の第２の部分（５４）と電気的に接触するコネクタ（５２）であって、誘電体を通り第１の導体（４０）と電気的に接触するコネクタとを含む。
Description
【０００１】発明の背景
本発明は、一般的にトランジスタ増幅器に関し、より詳細には、寄生振動（発
振）、すなわちパラメータ発振（振動）を低減したトランジスタ増幅器に関する
。
振）、すなわちパラメータ発振（振動）を低減したトランジスタ増幅器に関する
。
【０００２】
当業者には既知のように、トランジスタ増幅器、特に高出力ｐＨＥＭＴおよび
ＨＢＴ電力増幅器は、増幅器が大信号によって駆動されるときのみに生じる振動
を頻繁に有する。小信号の状況では、このような振動は通常存在しない。このよ
うな振動は、パラメータ発振と呼ばれることがある。特定の外部パラメータ（バ
イアス、周波数、入力駆動、および温度）の変化に依存するからである。小信号
の状況では増幅器が完全に安定しているように見えるかもしれないが、その増幅
器をよりハードに（激しく）駆動（ドライブ）すると、振動が現れる可能性があ
る。このような振動は、入力駆動、バイアス状況、および動作周波数に対して非
常に変動しやすい傾向がある。図１は、電力増幅器１０を示す。増幅器は、図示
のように配置された複数のトランジスタデバイス１２を含む。このようなタイプ
の増幅器１０において典型的に観察される振動のいくつかを、図４ないし図７に
示す。図４は、分数調波ｆ／２および３ｆ／２振動を示す。図５は、増幅器が約
０．５ｄＢで圧縮して駆動された時に現れた、２００ＭＨｚのスプリアス振動を
示す。図６および図７は、電力駆動下で困難な問題であるスプリアス振動のさら
なる例を示す。さらなる例は、”Power Amplifiers:From Milliwatts to Kilowa
tts・・・Cool Devices with Hot Performance,”Short Course Notes of Aryeh Pl
atzker’s section,1998 GaAs IC Symposiumにおいて見出すことができる。この
ような振動が存在していると、多くのワイドバンドレーダの用途では、振動のト
ーンが誤った信号と間違えられてしまう可能性があり、重大な問題になる可能性
がある。システムが適切に作動するには、このような振動の除去が不可欠である
。
ＨＢＴ電力増幅器は、増幅器が大信号によって駆動されるときのみに生じる振動
を頻繁に有する。小信号の状況では、このような振動は通常存在しない。このよ
うな振動は、パラメータ発振と呼ばれることがある。特定の外部パラメータ（バ
イアス、周波数、入力駆動、および温度）の変化に依存するからである。小信号
の状況では増幅器が完全に安定しているように見えるかもしれないが、その増幅
器をよりハードに（激しく）駆動（ドライブ）すると、振動が現れる可能性があ
る。このような振動は、入力駆動、バイアス状況、および動作周波数に対して非
常に変動しやすい傾向がある。図１は、電力増幅器１０を示す。増幅器は、図示
のように配置された複数のトランジスタデバイス１２を含む。このようなタイプ
の増幅器１０において典型的に観察される振動のいくつかを、図４ないし図７に
示す。図４は、分数調波ｆ／２および３ｆ／２振動を示す。図５は、増幅器が約
０．５ｄＢで圧縮して駆動された時に現れた、２００ＭＨｚのスプリアス振動を
示す。図６および図７は、電力駆動下で困難な問題であるスプリアス振動のさら
なる例を示す。さらなる例は、”Power Amplifiers:From Milliwatts to Kilowa
tts・・・Cool Devices with Hot Performance,”Short Course Notes of Aryeh Pl
atzker’s section,1998 GaAs IC Symposiumにおいて見出すことができる。この
ような振動が存在していると、多くのワイドバンドレーダの用途では、振動のト
ーンが誤った信号と間違えられてしまう可能性があり、重大な問題になる可能性
がある。システムが適切に作動するには、このような振動の除去が不可欠である
。
【０００３】
このような寄生振動を低減するのに一般的に用いる技術のひとつは、”Power
Amplifiers:From Milliwatts to Kilowatts・・・Cool Devices with Hot Performa
nce,”Short Course Notes of Steve Nelson and Aryeh Platzker’s section,1
998 GaAs IC Symposiumにおいて示されている、パラレルＲ−Ｃフィルタを用い
る、というものである。したがって、図１および図２を参照して、図１のトラン
ジスタデバイス１２を、図２に示すトランジスタデバイス１２’等のトランジス
タデバイス１２と置換する。したがって、このときそれぞれのデバイスは、共通
ノード１６に接続されたゲート電極Ｇを有する、ここではそれぞれＦＥＴである
複数のトランジスタセル１５を含む。入力ノード２０と共通ノード１６との間に
は、フィルタ１８、すなわちＲ−Ｃネットワーク、が接続されている。このよう
なＲ−Ｃフィルタ（すなわち、ネットワーク）１８は、図２に示すようにトラン
ジスタセル１５のゲートマニホルド（すなわち、共通ノード１６）上に一般的に
配置されており、本質的なトランジスタデバイスからいくらか取り去られている
。
Amplifiers:From Milliwatts to Kilowatts・・・Cool Devices with Hot Performa
nce,”Short Course Notes of Steve Nelson and Aryeh Platzker’s section,1
998 GaAs IC Symposiumにおいて示されている、パラレルＲ−Ｃフィルタを用い
る、というものである。したがって、図１および図２を参照して、図１のトラン
ジスタデバイス１２を、図２に示すトランジスタデバイス１２’等のトランジス
タデバイス１２と置換する。したがって、このときそれぞれのデバイスは、共通
ノード１６に接続されたゲート電極Ｇを有する、ここではそれぞれＦＥＴである
複数のトランジスタセル１５を含む。入力ノード２０と共通ノード１６との間に
は、フィルタ１８、すなわちＲ−Ｃネットワーク、が接続されている。このよう
なＲ−Ｃフィルタ（すなわち、ネットワーク）１８は、図２に示すようにトラン
ジスタセル１５のゲートマニホルド（すなわち、共通ノード１６）上に一般的に
配置されており、本質的なトランジスタデバイスからいくらか取り去られている
。
【０００４】
これもまた当業者には既知のように、駆動に依存する振動は、管増幅器につい
て１９２０年代および３０年代にまず研究された。まず、バンデルポール（Van
Der Pol）は、非線形抵抗がどのようにして強制振動を持ち込みうるのかを研究
した。”Forced Oscillations in a Circuit with Non-Linear Resistance(Rece
ption with reactive Triode)”,by Balth Van Der Pol,published by The Lond
on,Edinburgh,and Dublin Philosophical Magazine and Journal of Science,se
ries 7,vol.III,no.13,Jan 1927,pp.65-81、および、Nonlinear Oscillations,b
y Nicholas Minorsky,published by D.Van Nostrand Company,Princeton,NJ 196
2,page 241を参照のこと。Nonlinear Oscillations,by Nicholas Minorsky,publ
ished by D.Van Nostrand Company,Princeton,NJ 1962,page 469において報告さ
れているように、MandlestamおよびPapalexiはさらに、電子管における分数調波
振動を調べた。
て１９２０年代および３０年代にまず研究された。まず、バンデルポール（Van
Der Pol）は、非線形抵抗がどのようにして強制振動を持ち込みうるのかを研究
した。”Forced Oscillations in a Circuit with Non-Linear Resistance(Rece
ption with reactive Triode)”,by Balth Van Der Pol,published by The Lond
on,Edinburgh,and Dublin Philosophical Magazine and Journal of Science,se
ries 7,vol.III,no.13,Jan 1927,pp.65-81、および、Nonlinear Oscillations,b
y Nicholas Minorsky,published by D.Van Nostrand Company,Princeton,NJ 196
2,page 241を参照のこと。Nonlinear Oscillations,by Nicholas Minorsky,publ
ished by D.Van Nostrand Company,Princeton,NJ 1962,page 469において報告さ
れているように、MandlestamおよびPapalexiはさらに、電子管における分数調波
振動を調べた。
【０００５】
何年もにわたって、大信号振動について非常に多くの著者達が調べてきた。Ot
ward Muller and William Figel,”Stability Problems in Transistor Power A
mplifiers,”Proceedings of the IEEE,Aug.1967,pp.1458-1466、W.Mumford,”So
me Notes on the History of Parametric Oscillations,”Proceedings of the
IRE,May 1960,pp.848-850、R.Phillips,”Parametric Oscillation in a Damped
Resonant System,”IEEE Transactions on Circuit Theory,December 1963,pp.5
12-515、J.Manley and H.Rowe,”Some General Properties of Nonlinear Elemen
ts-Part 1.General Energy Relations,”Proceedings of the IEEE,July 1956,p
p.904-913を参照されたい。
ward Muller and William Figel,”Stability Problems in Transistor Power A
mplifiers,”Proceedings of the IEEE,Aug.1967,pp.1458-1466、W.Mumford,”So
me Notes on the History of Parametric Oscillations,”Proceedings of the
IRE,May 1960,pp.848-850、R.Phillips,”Parametric Oscillation in a Damped
Resonant System,”IEEE Transactions on Circuit Theory,December 1963,pp.5
12-515、J.Manley and H.Rowe,”Some General Properties of Nonlinear Elemen
ts-Part 1.General Energy Relations,”Proceedings of the IEEE,July 1956,p
p.904-913を参照されたい。
【０００６】
分数調波振動（ｆ／２、３ｆ／２、等）は、徹底的に調べられてきており、ポ
ンプ式（pumped）可変容量ダイオードに匹敵する多くのものを作って、ｐＨＥＭ
Ｔデバイスにおける現象を説明することができる。ポンプ式可変容量ダイオード
は、キャパシタンスが非線形であるために分数調波成分を生じる、ということは
周知である。P.Penfield,Jr.& R.Rafuse,Varactor Applications,The MIT Press
,Cambridge,MA,1962も参照されたい。まず、ＦＥＴのゲートは、ポンプ式可変容
量ダイオードとして分析することができる。分数調波振動の主な原因は、Ｃｇｓ
およびＣｇｄにおける非線形性である。ただしＣｇｓはゲート・ソース間キャパ
シタンス（the gate to source capacitance）であり、Ｃｇｄはゲート・ドレイ
ン間キャパシタンス(the gate to drain capacitance)である。J.Imbornone,M.M
urphey,R.Donahue,E.Heaney,”New Insignt into Subharmonic Oscillation Mod
e of GaAs Power Amplifiers Under Severe Output Mismatch Condition,”1996
GaAs IC Symposium,pp.307-310も参照されたい。簡略化したＦＥＴのモデルを
図８に示し、それと等価な入力インピーダンスを図９に示す。ただし、 Ｇはゲート、 Ｄはドレイン、 Ｓはソース、 ＩＤＳはドレイン・ソース間電流、 Ｒｇはゲート抵抗、 Ｃｇｓはゲート・ソース間キャパシタンス、 Ｃｄｇはドレイン・ゲート間キャパシタンス、および Ｃｄｓはドレイン・ソース間キャパシタンスである。 図３に示す非線形キャパシタンスＣ（ｔ）が、
ンプ式（pumped）可変容量ダイオードに匹敵する多くのものを作って、ｐＨＥＭ
Ｔデバイスにおける現象を説明することができる。ポンプ式可変容量ダイオード
は、キャパシタンスが非線形であるために分数調波成分を生じる、ということは
周知である。P.Penfield,Jr.& R.Rafuse,Varactor Applications,The MIT Press
,Cambridge,MA,1962も参照されたい。まず、ＦＥＴのゲートは、ポンプ式可変容
量ダイオードとして分析することができる。分数調波振動の主な原因は、Ｃｇｓ
およびＣｇｄにおける非線形性である。ただしＣｇｓはゲート・ソース間キャパ
シタンス（the gate to source capacitance）であり、Ｃｇｄはゲート・ドレイ
ン間キャパシタンス(the gate to drain capacitance)である。J.Imbornone,M.M
urphey,R.Donahue,E.Heaney,”New Insignt into Subharmonic Oscillation Mod
e of GaAs Power Amplifiers Under Severe Output Mismatch Condition,”1996
GaAs IC Symposium,pp.307-310も参照されたい。簡略化したＦＥＴのモデルを
図８に示し、それと等価な入力インピーダンスを図９に示す。ただし、 Ｇはゲート、 Ｄはドレイン、 Ｓはソース、 ＩＤＳはドレイン・ソース間電流、 Ｒｇはゲート抵抗、 Ｃｇｓはゲート・ソース間キャパシタンス、 Ｃｄｇはドレイン・ゲート間キャパシタンス、および Ｃｄｓはドレイン・ソース間キャパシタンスである。 図３に示す非線形キャパシタンスＣ（ｔ）が、
【０００７】
【数１】
Ｃ（ｔ）＝Ｃ0＋Ｃ2ｓｉｎ（２ω0ｔ）
ただしｔは時間、ポンプ周波数（入力駆動周波数）は２ω0である、のように変
化すると仮定すると、
化すると仮定すると、
【０００８】
【数２】
【０００９】
であれば駆動周波数の半分で振動が生じる。ただし２ω0は入力信号周波数、ω0
はｆ／２寄生振動の周波数、Ｒｓはダイオードの直列抵抗（ゲート抵抗Ｒｇに似
ている）、Ｚｌはω0におけるダイオードが見た負荷インピーダンス（ＦＥＴの
ゲートから逆方向に見たインピーダンスに似ている）、Ｃ0は小信号キャパシタ
ンス、およびＣ２は可変容量ダイオードのキャパシタンスの非線形成分である。
この理論は、簡略化し過ぎてはいるが、ｐＨＥＭＴ電力増幅器の挙動を定性的に
記述している。低駆動（Ｃ２→０）の下では、またはＲｓが十分高い場合には、
分数調波振動は現れない。Ｒ−Ｃフィルタ１８（図２）を付け加えることによっ
て、低周波数において入力抵抗が十分増大して、駆動下の振動を除去する。
ている）、Ｚｌはω0におけるダイオードが見た負荷インピーダンス（ＦＥＴの
ゲートから逆方向に見たインピーダンスに似ている）、Ｃ0は小信号キャパシタ
ンス、およびＣ２は可変容量ダイオードのキャパシタンスの非線形成分である。
この理論は、簡略化し過ぎてはいるが、ｐＨＥＭＴ電力増幅器の挙動を定性的に
記述している。低駆動（Ｃ２→０）の下では、またはＲｓが十分高い場合には、
分数調波振動は現れない。Ｒ−Ｃフィルタ１８（図２）を付け加えることによっ
て、低周波数において入力抵抗が十分増大して、駆動下の振動を除去する。
【００１０】
スプリアス寄生振動についての研究は少ないが、これもまたトランジスタにお
ける非線形性のためである。スプリアス寄生振動に対するいくらかの洞察を、Otw
ard MullerおよびWilliam Figelによる上述の参照文献において見出すことがで
きる。この文献において、著者らは、増幅器を、バイアス点が入力駆動によって
決まる、非線形増幅器および線形増幅器の重なりと考えている。非線形増幅器に
よって分数調波振動が生じ、線形増幅器成分によってスプリアス振動が生じる。
デバイスを激しく駆動すると、その結果負の入力インピーダンスが生じ、それに
よって今度は振動が生じる可能性がある。Ｒ−Ｃフィルタ１８（図２）の抵抗に
よって、デバイス内の負の抵抗が相殺され、それによっていかなる振動も抑制さ
れる。
ける非線形性のためである。スプリアス寄生振動に対するいくらかの洞察を、Otw
ard MullerおよびWilliam Figelによる上述の参照文献において見出すことがで
きる。この文献において、著者らは、増幅器を、バイアス点が入力駆動によって
決まる、非線形増幅器および線形増幅器の重なりと考えている。非線形増幅器に
よって分数調波振動が生じ、線形増幅器成分によってスプリアス振動が生じる。
デバイスを激しく駆動すると、その結果負の入力インピーダンスが生じ、それに
よって今度は振動が生じる可能性がある。Ｒ−Ｃフィルタ１８（図２）の抵抗に
よって、デバイス内の負の抵抗が相殺され、それによっていかなる振動も抑制さ
れる。
【００１１】発明の概要
本発明の１つの特徴によれば、複数のトランジスタセルを有するトランジスタ
デバイスが提供される。セルのそれぞれ１つは、半導体を通るキャリアの流れを
制御する制御電極を有する。デバイスは、入力ノードを有する。複数のフィルタ
が設けられる。フィルタのそれぞれ１つは、入力ノードと、複数のトランジスタ
セルの制御電極のうちの対応する１つとの間に結合されている。
デバイスが提供される。セルのそれぞれ１つは、半導体を通るキャリアの流れを
制御する制御電極を有する。デバイスは、入力ノードを有する。複数のフィルタ
が設けられる。フィルタのそれぞれ１つは、入力ノードと、複数のトランジスタ
セルの制御電極のうちの対応する１つとの間に結合されている。
【００１２】
本発明の一実施形態において、対になった制御電極が共通領域に接続され、フ
ィルタのそれぞれ１つは、入力ノードと、共通領域のうちの対応する１つとの間
に結合されている。
ィルタのそれぞれ１つは、入力ノードと、共通領域のうちの対応する１つとの間
に結合されている。
【００１３】
本発明の他の特徴によれば、半導体によって、複数のトランジスタセルの共通
活性領域が提供される。 本発明の他の特徴によれば、フィルタのそれぞれ１つは、抵抗とコンデンサと
を含み、抵抗とコンデンサとは、入力ノードと、制御電極のうちの対応する１つ
との間に、並列接続されている。
活性領域が提供される。 本発明の他の特徴によれば、フィルタのそれぞれ１つは、抵抗とコンデンサと
を含み、抵抗とコンデンサとは、入力ノードと、制御電極のうちの対応する１つ
との間に、並列接続されている。
【００１４】
本発明のさらに他の特徴によれば、フィルタのそれぞれ１つは、導電層と、導
電層上に配置された絶縁体（誘電体）と、誘電体の上に配置された抵抗層と、抵
抗層の第１の部分に電気的に接触するように配置され入力ノードを提供する導電
電極と、抵抗層の第１の部分から転置（ずれて配置）された抵抗層の第２の部分
と電気的に接触するコネクタであって、誘電体を通り第１の導体と電気的に接触
するコネクタとを含む。
電層上に配置された絶縁体（誘電体）と、誘電体の上に配置された抵抗層と、抵
抗層の第１の部分に電気的に接触するように配置され入力ノードを提供する導電
電極と、抵抗層の第１の部分から転置（ずれて配置）された抵抗層の第２の部分
と電気的に接触するコネクタであって、誘電体を通り第１の導体と電気的に接触
するコネクタとを含む。
【００１５】
このような配置であれば、それぞれのデバイスにおける対になった制御電極、
例えばゲートフィンガーに接続する、コンパクトな抵抗−コンデンサ（Ｒ−Ｃ）
ネットワーク（すなわち、Ｒ−Ｃフィルタ）が提供される。このコンパクトなＲ
−Ｃフィルタは、いくつかのモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）電力
増幅器における寄生振動の除去に成功している。大きさがコンパクトなので、さ
らに設計を調整する必要がほとんど、または全くない状態で、現在のＭＭＩＣの
設計に容易に組み込むことができる。このコンパクトなＲ−Ｃフィルタは、ｐＨ
ＥＭＴ電力増幅器における駆動に依存する分数調波振動およびスプリアス振動を
効果的に除去する。
例えばゲートフィンガーに接続する、コンパクトな抵抗−コンデンサ（Ｒ−Ｃ）
ネットワーク（すなわち、Ｒ−Ｃフィルタ）が提供される。このコンパクトなＲ
−Ｃフィルタは、いくつかのモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）電力
増幅器における寄生振動の除去に成功している。大きさがコンパクトなので、さ
らに設計を調整する必要がほとんど、または全くない状態で、現在のＭＭＩＣの
設計に容易に組み込むことができる。このコンパクトなＲ−Ｃフィルタは、ｐＨ
ＥＭＴ電力増幅器における駆動に依存する分数調波振動およびスプリアス振動を
効果的に除去する。
【００１６】
本発明のこれらおよびその他の特徴、および本発明自体は、以下の詳細な説明
を図面とともに考慮すれば、より容易に明白となるであろう。
を図面とともに考慮すれば、より容易に明白となるであろう。
【００１７】好適な実施の形態の説明
次に図３を参照すると、図１の増幅器において用いるようになっている、その
ような増幅器において用いるトランジスタデバイス１２の代わりの、トランジス
タデバイス１２”を示す。トランジスタデバイス１２”は、複数のトランジスタ
セル、ここでは８個のセル１５”を含む。セル１５”は、ここでは例えばガリウ
ムヒ素半導体である半導体の活性領域において形成されている。セル１５”のそ
れぞれ１つは、例えばセルがＦＥＴの場合にはソース領域とドレイン領域との間
に配置されたゲート電極、または、セルがバイポーラトランジスタの場合にはエ
ミッタ領域とコレクタ領域との間に配置されたベース電極である、制御電極１７
を含む。したがって、ＦＥＴトランジスタであってもバイポーラトランジスタで
あっても、制御電極１７（ゲートまたはベース）が、活性領域における１対の領
域（ソース−ドレインまたはエミッタ−コレクタ）同士の間の活性領域において
キャリアの流れを制御する。
ような増幅器において用いるトランジスタデバイス１２の代わりの、トランジス
タデバイス１２”を示す。トランジスタデバイス１２”は、複数のトランジスタ
セル、ここでは８個のセル１５”を含む。セル１５”は、ここでは例えばガリウ
ムヒ素半導体である半導体の活性領域において形成されている。セル１５”のそ
れぞれ１つは、例えばセルがＦＥＴの場合にはソース領域とドレイン領域との間
に配置されたゲート電極、または、セルがバイポーラトランジスタの場合にはエ
ミッタ領域とコレクタ領域との間に配置されたベース電極である、制御電極１７
を含む。したがって、ＦＥＴトランジスタであってもバイポーラトランジスタで
あっても、制御電極１７（ゲートまたはベース）が、活性領域における１対の領
域（ソース−ドレインまたはエミッタ−コレクタ）同士の間の活性領域において
キャリアの流れを制御する。
【００１８】
トランジスタデバイス１２”は、入力ノード２０”を含む。制御電極１７のそ
れぞれ１つは、Ｒ−Ｃフィルタ１８"を通じて入力ノード２０”に結合されてい
る。ここで、制御電極１７のそれぞれの対は、Ｒ−Ｃフィルタ１８”のうちの１
つを共用する。したがって、この例においては、Ｒ−Ｃフィルタ１８”が４個あ
る。ここでは、トランジスタデバイス１５”はＦＥＴであり、ソース電極はアー
スに接続され、ドレイン電極は出力ノード３０に接続されている。
れぞれ１つは、Ｒ−Ｃフィルタ１８"を通じて入力ノード２０”に結合されてい
る。ここで、制御電極１７のそれぞれの対は、Ｒ−Ｃフィルタ１８”のうちの１
つを共用する。したがって、この例においては、Ｒ−Ｃフィルタ１８”が４個あ
る。ここでは、トランジスタデバイス１５”はＦＥＴであり、ソース電極はアー
スに接続され、ドレイン電極は出力ノード３０に接続されている。
【００１９】
次に図１０ないし図１４を参照すると、トランジスタデバイス１２”が示され
ている。デバイス１２”は、半絶縁性ＩＩＩ族−Ｖ族、ここではガリウムヒ素、
の基板３２（図１２、図１２Ｂ、および図１４）の上に形成される。デバイス１
２”は、入力ノード２０”、複数（ここでは８個）のトランジスタセル１５”、
および、複数（ここでは４個）のＲ−Ｃフィルタ１８”を含む。セル１５”のそ
れぞれ１つは、基板３２上の共通のメサ形状の活性領域３４（図１２、図１２Ｂ
、および図１４）内に形成される。トランジスタセル１５”のそれぞれ１つは、
ここでは、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの間に配置されたフィンガー状ゲー
ト電極１７（すなわち、制御電極）を有するＦＥＴである。したがって、ゲート
電極１７を用いて、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの間のキャリアの流れを制
御する。特に図１３および図１４を参照して、ソース領域Ｓはソース接点（コン
タクト）とオーム接触しており、これらは、図１２、図１２Ｂ、および図１４に
おいて最もはっきりと示されているように、エアブリッジ導体４０によって電気
的に相互接続されている、ということが注意される。図１２Ｂおよび図１４にお
いて最もはっきりと示されているように、ソース領域Ｓは、基板３２の反対側の
表面上に配置されたアース平面導体４３に接続されている。
ている。デバイス１２”は、半絶縁性ＩＩＩ族−Ｖ族、ここではガリウムヒ素、
の基板３２（図１２、図１２Ｂ、および図１４）の上に形成される。デバイス１
２”は、入力ノード２０”、複数（ここでは８個）のトランジスタセル１５”、
および、複数（ここでは４個）のＲ−Ｃフィルタ１８”を含む。セル１５”のそ
れぞれ１つは、基板３２上の共通のメサ形状の活性領域３４（図１２、図１２Ｂ
、および図１４）内に形成される。トランジスタセル１５”のそれぞれ１つは、
ここでは、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの間に配置されたフィンガー状ゲー
ト電極１７（すなわち、制御電極）を有するＦＥＴである。したがって、ゲート
電極１７を用いて、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの間のキャリアの流れを制
御する。特に図１３および図１４を参照して、ソース領域Ｓはソース接点（コン
タクト）とオーム接触しており、これらは、図１２、図１２Ｂ、および図１４に
おいて最もはっきりと示されているように、エアブリッジ導体４０によって電気
的に相互接続されている、ということが注意される。図１２Ｂおよび図１４にお
いて最もはっきりと示されているように、ソース領域Ｓは、基板３２の反対側の
表面上に配置されたアース平面導体４３に接続されている。
【００２０】
図１０、図１１、および図１２を参照すると、まず、Ｒ−Ｃフィルタ１８”は
それぞれ構造が同一である、ということが注目される。その典型的なものを図１
１、図１２、および図１２Ｂに詳細に示す。したがって、このようなフィルタ１
８”は、基板３２の表面上に配置された導電層４０を含む。導電層４０は、ここ
では金である。図示のように、導電層４０上に、ここでは窒化ケイ素である絶縁
（誘電）層４２が形成される。誘電層４２の上に、ここではタンタルである抵抗
層４４が配置される。抵抗層４４の第１の部分５０に電気接続するように、ここ
では金である導電プレートすなわち電極４６が配置される。抵抗層４４の第２の
部分５４には、ここでは金である電気コネクタ５２が電気接触しており、抵抗層
４４のこのような第２の部分５４は、抵抗層４４の第１の部分５０から離れてい
る。抵抗層４４の部分５０と部分５２との間の距離によって、Ｒ−Ｃフィルタ１
８”の抵抗Ｒが提供される。導体層４０は、Ｒ−Ｃフィルタ１８”のコンデンサ
Ｃの一方のプレートすなわち電極を提供し、コンデンサＣの他方のプレートは、
導電プレート４６および抵抗層４４によって提供される。コンデンサＣの誘電体
は、抵抗層４４とプレート４０との間に配置された誘電層４２によって提供され
る。抵抗層４４の部分５４は、説明するようにコネクタ５２に、抵抗層４４と誘
電層４２とを貫く導電バイア（via）６２（図１２）によって導電層４０に、そ
して、コネクタ５２を通じて制御電極１７（図１２Ｂ）の一端に、電気接続され
ている。したがって、導電バイア６２（図１２）は、抵抗層４４の部分５４を、
導電層４０が提供するコンデンサＣの下側プレートに電気接続する。結果として
生じるＲ−Ｃフィルタ１８”を、図１２Ａに示す。図１１、図１２、および図１
２Ａに示すように、コンデンサのプレート４６は、エアブリッジ導体４７によっ
て入力ノード２０”に接続されている。上述のように、Ｒ−Ｃフィルタ１８”の
それぞれ１つは、抵抗ＲとコンデンサＣとを含み、抵抗ＲとコンデンサＣとは、
入力ノード２０”と、制御電極１７（図１２および図１２Ｂ）のうちの対応する
１つとの間に、並列接続されている。抵抗層４４は、抵抗Ｒ（ここでは、例えば
６オーム／ｓｑ）の抵抗層の役目も、コンデンサＣの頂部プレートすなわち電極
の役目もする。Ｒ−Ｃフィルタ１８"の大きさを最小にするために、タンタルの
抵抗層４４は、抵抗Ｒを提供する抵抗層の役目も、コンデンサＣの上部プレート
すなわち電極の一部の役目もする。低周波数においては、フィルタ１８”は抵抗
Ｒのみしか判断しない。しかし動作周波数帯においては、コンデンサＣが抵抗Ｒ
を短絡させ始め、利得が減少し過ぎることがない。
それぞれ構造が同一である、ということが注目される。その典型的なものを図１
１、図１２、および図１２Ｂに詳細に示す。したがって、このようなフィルタ１
８”は、基板３２の表面上に配置された導電層４０を含む。導電層４０は、ここ
では金である。図示のように、導電層４０上に、ここでは窒化ケイ素である絶縁
（誘電）層４２が形成される。誘電層４２の上に、ここではタンタルである抵抗
層４４が配置される。抵抗層４４の第１の部分５０に電気接続するように、ここ
では金である導電プレートすなわち電極４６が配置される。抵抗層４４の第２の
部分５４には、ここでは金である電気コネクタ５２が電気接触しており、抵抗層
４４のこのような第２の部分５４は、抵抗層４４の第１の部分５０から離れてい
る。抵抗層４４の部分５０と部分５２との間の距離によって、Ｒ−Ｃフィルタ１
８”の抵抗Ｒが提供される。導体層４０は、Ｒ−Ｃフィルタ１８”のコンデンサ
Ｃの一方のプレートすなわち電極を提供し、コンデンサＣの他方のプレートは、
導電プレート４６および抵抗層４４によって提供される。コンデンサＣの誘電体
は、抵抗層４４とプレート４０との間に配置された誘電層４２によって提供され
る。抵抗層４４の部分５４は、説明するようにコネクタ５２に、抵抗層４４と誘
電層４２とを貫く導電バイア（via）６２（図１２）によって導電層４０に、そ
して、コネクタ５２を通じて制御電極１７（図１２Ｂ）の一端に、電気接続され
ている。したがって、導電バイア６２（図１２）は、抵抗層４４の部分５４を、
導電層４０が提供するコンデンサＣの下側プレートに電気接続する。結果として
生じるＲ−Ｃフィルタ１８”を、図１２Ａに示す。図１１、図１２、および図１
２Ａに示すように、コンデンサのプレート４６は、エアブリッジ導体４７によっ
て入力ノード２０”に接続されている。上述のように、Ｒ−Ｃフィルタ１８”の
それぞれ１つは、抵抗ＲとコンデンサＣとを含み、抵抗ＲとコンデンサＣとは、
入力ノード２０”と、制御電極１７（図１２および図１２Ｂ）のうちの対応する
１つとの間に、並列接続されている。抵抗層４４は、抵抗Ｒ（ここでは、例えば
６オーム／ｓｑ）の抵抗層の役目も、コンデンサＣの頂部プレートすなわち電極
の役目もする。Ｒ−Ｃフィルタ１８"の大きさを最小にするために、タンタルの
抵抗層４４は、抵抗Ｒを提供する抵抗層の役目も、コンデンサＣの上部プレート
すなわち電極の一部の役目もする。低周波数においては、フィルタ１８”は抵抗
Ｒのみしか判断しない。しかし動作周波数帯においては、コンデンサＣが抵抗Ｒ
を短絡させ始め、利得が減少し過ぎることがない。
【００２１】
本発明者らは、１対のゲートフィンガー１７当たり１０オームの抵抗が適当で
あることを発見した。キャパシタンスＣは、容量性リアクタンスがバンドの下端
における抵抗と等しくなるように選択した。本発明者らの場合であれば、１対の
ゲートフィンガー１７当たり１．６７ｐＦを用いて、Ｒ−Ｃの３ｄＢの周波数を
９．５ＧＨｚに配置した。
あることを発見した。キャパシタンスＣは、容量性リアクタンスがバンドの下端
における抵抗と等しくなるように選択した。本発明者らの場合であれば、１対の
ゲートフィンガー１７当たり１．６７ｐＦを用いて、Ｒ−Ｃの３ｄＢの周波数を
９．５ＧＨｚに配置した。
【００２２】
従来の方法を用いれば４個から８個のフィルタになるのに対し、典型的な電力
増幅器においては、３０個から５０個のコンパクトなＲ−Ｃフィルタが並列にな
る。本発明者らは、従来の方法は、本発明と比較して、セル１２の大きさが増大
するとスプリアス振動の除去効果が少ないと考える。安定性を保証するために、
従来の方法での性能は、本発明によるものよりもはるかに悪くなる。
増幅器においては、３０個から５０個のコンパクトなＲ−Ｃフィルタが並列にな
る。本発明者らは、従来の方法は、本発明と比較して、セル１２の大きさが増大
するとスプリアス振動の除去効果が少ないと考える。安定性を保証するために、
従来の方法での性能は、本発明によるものよりもはるかに悪くなる。
【００２３】
他の実施形態も、添付の特許請求の範囲の精神および範囲内にある。例えば、
それぞれのフィルタ１８”は１対の制御電極１７に接続されるが、フィルタ１８
”は１つの制御電極１７のみに接続されてもよく、その場合には、図３のデバイ
ス１２”は８個のフィルタ１８”を有する。
それぞれのフィルタ１８”は１対の制御電極１７に接続されるが、フィルタ１８
”は１つの制御電極１７のみに接続されてもよく、その場合には、図３のデバイ
ス１２”は８個のフィルタ１８”を有する。
【図１】
従来技術による増幅器の概略図である。
【図２】
従来技術による、図１の増幅器において使用するために適合されている、トラ
ンジスタデバイスの概略図である。
ンジスタデバイスの概略図である。
【図３】
本発明による、図１の増幅器において使用するために適合されている、トラン
ジスタデバイスの概略図である。
ジスタデバイスの概略図である。
【図４】
図１の増幅器において用いられるトランジスタデバイスにおける、そのような
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）−０．５６２ボルト、入力電力Ｐｉｎ１５．４ｄＢｍ、および入力周
波数ｆ0１２ＧＨｚで動作する場合の、分数調波寄生振動を示すグラフである。
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）−０．５６２ボルト、入力電力Ｐｉｎ１５．４ｄＢｍ、および入力周
波数ｆ0１２ＧＨｚで動作する場合の、分数調波寄生振動を示すグラフである。
【図５】
図１の増幅器において用いられるトランジスタデバイスにおける、そのような
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）−０．５０７ボルト、入力電力Ｐｉｎ１３．９ｄＢｍ、および入力周
波数ｆ0１２ＧＨｚで動作する場合の、スプリアス寄生振動を示すグラフである
。
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）−０．５０７ボルト、入力電力Ｐｉｎ１３．９ｄＢｍ、および入力周
波数ｆ0１２ＧＨｚで動作する場合の、スプリアス寄生振動を示すグラフである
。
【図６】
図１の増幅器において用いられるトランジスタデバイスにおける、そのような
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）０．５２５ボルト、入力電力Ｐｉｎ１３．９ｄＢｍ、および入力周波
数ｆ0９．５ＧＨｚで動作する場合の、スプリアス寄生振動を示すグラフである
。
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）０．５２５ボルト、入力電力Ｐｉｎ１３．９ｄＢｍ、および入力周波
数ｆ0９．５ＧＨｚで動作する場合の、スプリアス寄生振動を示すグラフである
。
【図７】
図１の増幅器において用いられるトランジスタデバイスにおける、そのような
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）−０．６２７ボルト、入力電力Ｐｉｎ１３．９ｄＢｍ、および入力周
波数ｆ0９．５ＧＨｚで動作する場合の、スプリアス寄生振動を示すグラフであ
る。
デバイスがドレイン・ゲート間電圧（Ｖｄｓ）２ボルト、ゲート・ソース間電圧
（Ｖｇｓ）−０．６２７ボルト、入力電力Ｐｉｎ１３．９ｄＢｍ、および入力周
波数ｆ0９．５ＧＨｚで動作する場合の、スプリアス寄生振動を示すグラフであ
る。
【図８】
従来技術による、簡略ＦＥＴモデル等価回路の概略図である。
【図９】
従来技術による図８のＦＥＴモデルの実効入力インピーダンスの概略図である
。
。
【図１０】
図３のトランジスタデバイスの概略平面図である。
【図１１】
図３のトランジスタデバイスの一部の組立分解図であり、そのような組立分解
部分は、図１０の９−９と名付けた矢印によって取り囲まれている。
部分は、図１０の９−９と名付けた矢印によって取り囲まれている。
【図１２】
図１１のトランジスタデバイスの一部の概略断面図であり、そのような断面は
、図１１の１０−１０線に沿っている。 図１２Ａは、図３のトランジスタデバイスが用いるＲ−Ｃフィルタの概略図で
ある。 図１２Ｂは、図１１のトランジスタデバイスの一部の概略断面図であり、その
ような断面は、図１１の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿っている。
、図１１の１０−１０線に沿っている。 図１２Ａは、図３のトランジスタデバイスが用いるＲ−Ｃフィルタの概略図で
ある。 図１２Ｂは、図１１のトランジスタデバイスの一部の概略断面図であり、その
ような断面は、図１１の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿っている。
【図１３】
図１０のトランジスタデバイスの一部の組立分解図であり、そのような組立分
解部分は、図１０の１１−１１と名付けた矢印によって取り囲まれている。
解部分は、図１０の１１−１１と名付けた矢印によって取り囲まれている。
【図１４】
図１３のトランジスタデバイスの一部の概略断面図であり、そのような断面は
、図１３の１２−１２線に沿っている。
、図１３の１２−１２線に沿っている。
１２” トランジスタデバイス
１５” トランジスタセル
１７ 制御電極
１８” フィルタ
２０” 入力ノード
４０ 導電層
４２ 誘電層
４４ 抵抗層
４６ 導電電極
５０ 第１の部分
５２ コネクタ
５４ 第２の部分
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 プラッツカー，アリエ
アメリカ合衆国マサチューセッツ州02478，
ベルモント，プロスペクト・ストリート
50
Ｆターム(参考） 5J091 AA01 AA41 CA54 FA20 HA06
HA12 HA19 HA24 HA25 HA29
KA41 KA61 TA03
【要約の続き】
（５０）から離れた抵抗層（４４）の第２の部分（５
４）と電気的に接触するコネクタ（５２）であって、誘
電体を通り第１の導体（４０）と電気的に接触するコネ
クタとを含む。
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体を通るキャリアの流れを制御する制御電極をそれぞれ
有する複数のトランジスタセルと、 入力ノードと、 前記入力ノードと、前記複数のトランジスタセルの前記制御電極のうちの対応
する１つとの間にそれぞれ結合されている複数のフィルタと、 を備えた、トランジスタデバイス。 - 【請求項２】 対になった前記制御電極は共通領域に接続され、前記フィル
タはそれぞれ、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する１つとの間に
結合されている、請求項１記載のトランジスタデバイス。 - 【請求項３】 前記半導体が、前記複数のトランジスタセルの共通活性領域
が提供する、請求項２記載のトランジスタデバイス。 - 【請求項４】 前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該抵
抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記制御電極のうちの対応する１つ
との間に並列接続されている、請求項１記載のトランジスタデバイス。 - 【請求項５】 前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該抵
抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する１つ
との間に並列接続されている、請求項３記載のトランジスタデバイス。 - 【請求項６】 半導体と、 該半導体の活性領域において形成される複数のトランジスタセルであって、そ
れぞれが、１対の領域の間に配置され前記活性領域を横切って延びて、前記１対
の領域の間で前記活性領域を通るキャリアの流れを制御する制御電極を含む、複
数のトランジスタセルと、 入力ノードと、 前記入力ノードと、前記複数のトランジスタセルの前記制御電極のうちの対応
する１つとの間にそれぞれ結合されている複数のフィルタであって、該フィルタ
のそれぞれは、 導電層と、 該導電層上に配置された絶縁体と、 該絶縁体の上に配置された抵抗層と、 前記抵抗層の第１の部分に電気的に接触するように配置され前記入力ノードを
提供する、導電電極と、 前記抵抗層の前記第１の部分から転置された前記抵抗層の第２の部分と電気的
に接触するコネクタであって、前記絶縁体を通り前記第１の導体と電気的に接触
するコネクタと を含む複数のフィルタと、 を備える、トランジスタデバイス。 - 【請求項７】 対になった前記制御電極は共通領域に接続され、前記フィル
タはそれぞれ、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する１つとの間に
結合されている、請求項６記載のトランジスタデバイス。 - 【請求項８】 前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該抵
抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記制御電極のうちの対応する１つ
との間に並列接続されている、請求項６記載のトランジスタデバイス。 - 【請求項９】 前記フィルタはそれぞれ、 前記抵抗層によって提供される抵抗と、 前記導電層および前記導電電極および前記絶縁層によって提供されるコンデン
サであって、前記抵抗と前記コンデンサとは、前記入力ノードと、前記制御電極
のうちの対応する１つとの間に並列接続されている、コンデンサと、 を備える、請求項６記載のトランジスタデバイス。 - 【請求項１０】 前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該
抵抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する１
つとの間に並列接続されている、請求項８記載のトランジスタデバイス。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/329,676 US6232840B1 (en) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations |
| US09/329,676 | 1999-06-10 | ||
| PCT/US2000/016208 WO2000077923A1 (en) | 1999-06-10 | 2000-06-09 | Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=23286515
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP2011266764A Expired - Lifetime JP5296181B2 (ja) | 1999-06-10 | 2011-12-06 | 寄生振動を低減したトランジスタ増幅器 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011266764A Expired - Lifetime JP5296181B2 (ja) | 1999-06-10 | 2011-12-06 | 寄生振動を低減したトランジスタ増幅器 |
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| WO (1) | WO2000077923A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006057104A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体装置および電力増幅器 |
| WO2006057077A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体装置および電力増幅器 |
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Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6775525B1 (en) * | 1999-10-29 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corporation | Radio communication apparatus and semiconductor device |
| JP2003174335A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 増幅器 |
| US7026876B1 (en) * | 2003-02-21 | 2006-04-11 | Dynalinear Technologies, Inc. | High linearity smart HBT power amplifiers for CDMA/WCDMA application |
| US6822522B1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and apparatus for an improved nonlinear oscillator |
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| US7477108B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-01-13 | Micro Mobio, Inc. | Thermally distributed integrated power amplifier module |
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| JP5238633B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP5633367B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-12-03 | 富士通株式会社 | 増幅装置及び増幅方法 |
| US20120313213A1 (en) | 2011-06-07 | 2012-12-13 | Raytheon Company | Polygon shaped power amplifier chips |
| EP2980990B1 (en) * | 2013-03-26 | 2019-01-02 | Nec Corporation | Power amplifier |
| JP6015615B2 (ja) * | 2013-10-01 | 2016-10-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9300246B2 (en) | 2014-02-25 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Resonator having distributed transconductance elements |
| EP3547535B1 (en) * | 2016-12-16 | 2022-08-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US10432200B1 (en) * | 2018-11-15 | 2019-10-01 | Win Semiconductors Corp. | Gallium arsenide cell and logic circuit |
| JP7438021B2 (ja) * | 2020-05-19 | 2024-02-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0327054A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-05 | Canon Inc | 電子写真用キャリアおよび二成分系現像剤 |
| JPH04171974A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 増幅回路 |
| US5477188A (en) * | 1994-07-14 | 1995-12-19 | Eni | Linear RF power amplifier |
| JPH09121127A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波増幅集積回路装置 |
| JPH1083998A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH1154699A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Toshiba Corp | 高周波集積回路装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3662274A (en) * | 1970-06-08 | 1972-05-09 | Ametek Inc | Dual-channel logarithmic amplifier |
| US4901032A (en) * | 1988-12-01 | 1990-02-13 | General Electric Company | Digitally controlled variable power amplifier |
| JPH07120906B2 (ja) * | 1989-10-05 | 1995-12-20 | 日本電気株式会社 | マイクロ波ミリ波高出力トランジスタ |
| US5126704A (en) * | 1991-04-11 | 1992-06-30 | Harris Corporation | Polyphase divider/combiner |
| US5111157A (en) * | 1991-05-01 | 1992-05-05 | General Electric Company | Power amplifier for broad band operation at frequencies above one ghz and at decade watt power levels |
| DE4213357C1 (en) * | 1992-04-23 | 1993-09-16 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 81671 Muenchen, De | Wideband power amplifier using parallel transistors - has input circuit between successive input line sections and respective transistors for distributing input load |
| JPH0774557A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Toshiba Corp | マイクロ波半導体装置 |
| JPH08130419A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Fujitsu Ltd | 増幅器並びにこれを有する受信機及び通信機 |
| US5694085A (en) * | 1996-02-14 | 1997-12-02 | Glenayre Electronics, Inc. | High-power amplifier using parallel transistors |
| US6046641A (en) * | 1998-07-22 | 2000-04-04 | Eni Technologies, Inc. | Parallel HV MOSFET high power stable amplifier |
| GB9901634D0 (en) * | 1999-01-27 | 1999-07-14 | Secr Defence | Microwave amplifiers |
-
1999
- 1999-06-10 US US09/329,676 patent/US6232840B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-09 EP EP00939833A patent/EP1201028B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-09 WO PCT/US2000/016208 patent/WO2000077923A1/en active IP Right Grant
- 2000-06-09 JP JP2001504069A patent/JP5198700B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-09 KR KR1020017015887A patent/KR100634645B1/ko active IP Right Grant
- 2000-06-09 CA CA2376767A patent/CA2376767C/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-09 DE DE60029227T patent/DE60029227T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-12-06 JP JP2011266764A patent/JP5296181B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0327054A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-05 | Canon Inc | 電子写真用キャリアおよび二成分系現像剤 |
| JPH04171974A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 増幅回路 |
| US5477188A (en) * | 1994-07-14 | 1995-12-19 | Eni | Linear RF power amplifier |
| JPH09121127A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波増幅集積回路装置 |
| JPH1083998A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH1154699A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Toshiba Corp | 高周波集積回路装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006057104A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体装置および電力増幅器 |
| WO2006057077A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体装置および電力増幅器 |
| JP2013106293A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | 高周波増幅器 |
| US8786369B2 (en) | 2011-11-16 | 2014-07-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2376767C (en) | 2011-08-02 |
| DE60029227T2 (de) | 2007-06-28 |
| US6232840B1 (en) | 2001-05-15 |
| JP5296181B2 (ja) | 2013-09-25 |
| EP1201028A1 (en) | 2002-05-02 |
| CA2376767A1 (en) | 2000-12-21 |
| EP1201028B1 (en) | 2006-07-05 |
| DE60029227D1 (de) | 2006-08-17 |
| WO2000077923A1 (en) | 2000-12-21 |
| KR20020064144A (ko) | 2002-08-07 |
| JP2012075178A (ja) | 2012-04-12 |
| KR100634645B1 (ko) | 2006-10-16 |
| JP5198700B2 (ja) | 2013-05-15 |
| EP1201028A4 (en) | 2004-03-10 |
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