JP2003330033A - 画像表示装置 - Google Patents
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- G09G2320/00—Control of display operating conditions
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示の輝度むらのないものを得る。
【解決手段】 基板の画素形成側の面に並設された複数
のドレイン信号線が形成され、前記各ドレイン信号線
は、互いに隣接されたドレイン信号線どおしでグループ
化されているとともに、それぞれのグループ化された各
ドレイン信号線の一端は互いに収束されて延在されると
ともに映像信号駆動回路を構成する半導体集積回路の出
力端子に接続され、画素の集合体の少なくとも前記映像
信号駆動回路側の外輪郭側に形成され、各画素に基準信
号を供給するためのバスラインが形成され、前記半導体
集積回路の両脇から、グループ化されたドレイン信号線
の外側を走行し、前記バスラインに接続される第１の給
電線と、前記半導体集積回路の両脇から、該バスライン
のうちグループ化された該ドレイン信号線ＤＬのほぼ中
央部の個所に至って、該バスラインに接続される第２の
給電線とが形成されている。
のドレイン信号線が形成され、前記各ドレイン信号線
は、互いに隣接されたドレイン信号線どおしでグループ
化されているとともに、それぞれのグループ化された各
ドレイン信号線の一端は互いに収束されて延在されると
ともに映像信号駆動回路を構成する半導体集積回路の出
力端子に接続され、画素の集合体の少なくとも前記映像
信号駆動回路側の外輪郭側に形成され、各画素に基準信
号を供給するためのバスラインが形成され、前記半導体
集積回路の両脇から、グループ化されたドレイン信号線
の外側を走行し、前記バスラインに接続される第１の給
電線と、前記半導体集積回路の両脇から、該バスライン
のうちグループ化された該ドレイン信号線ＤＬのほぼ中
央部の個所に至って、該バスラインに接続される第２の
給電線とが形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は画像表示装置に係
り、たとえば液晶表示装置等の画像表示装置に関する。
り、たとえば液晶表示装置等の画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、たとえば図１６に示す
ように、基板ＳＵＢ１の画素形成側の面において、並設
された複数のゲート信号線ＧＬとこれら各ゲート信号線
ＧＬに交差して並設された複数のドレイン信号線ＤＬが
形成され、これら各信号線によって囲まれた各領域に画
素が形成されている。該画素は、図１６では図示してい
ないが、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によって動作
するスイッチング素子（たとえば薄膜トランジスタ）
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線ＤＬ
からの映像信号が供給される画素電極を備えている。
ように、基板ＳＵＢ１の画素形成側の面において、並設
された複数のゲート信号線ＧＬとこれら各ゲート信号線
ＧＬに交差して並設された複数のドレイン信号線ＤＬが
形成され、これら各信号線によって囲まれた各領域に画
素が形成されている。該画素は、図１６では図示してい
ないが、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によって動作
するスイッチング素子（たとえば薄膜トランジスタ）
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線ＤＬ
からの映像信号が供給される画素電極を備えている。
【０００３】また、各ゲート信号線ＧＬに供給する走査
信号は、画素の集合体である液晶表示部ＡＲの外側に形
成される走査信号駆動回路Ｖによって生成され、この走
査信号駆動回路Ｖは、互いに隣接する複数のゲート信号
線ＧＬを１グループとし、これら各グループにそれぞれ
担当される複数の半導体集積回路によって構成されてい
る。
信号は、画素の集合体である液晶表示部ＡＲの外側に形
成される走査信号駆動回路Ｖによって生成され、この走
査信号駆動回路Ｖは、互いに隣接する複数のゲート信号
線ＧＬを１グループとし、これら各グループにそれぞれ
担当される複数の半導体集積回路によって構成されてい
る。
【０００４】同様に、各ドレイン信号線ＤＬに供給する
映像信号は、やはり液晶表示部ＡＲの外側に形成される
映像信号駆動回路Ｈｅによって生成され、この映像信号
駆動回路Ｈｅは、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬを１グループとし、これら各グループにそれぞれ担
当される複数の半導体集積回路によって構成されてい
る。
映像信号は、やはり液晶表示部ＡＲの外側に形成される
映像信号駆動回路Ｈｅによって生成され、この映像信号
駆動回路Ｈｅは、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬを１グループとし、これら各グループにそれぞれ担
当される複数の半導体集積回路によって構成されてい
る。
【０００５】また、各画素には、前記走査信号、および
映像信号の他にこれら信号に対して基準となる信号（基
準信号）が供給される場合がある。たとえば、前記画素
電極との間に液晶を駆動させるための電界を発生させる
対向電極に供給させるための信号、あるいは前記画素電
極との間に容量を形成するための容量信号線に供給させ
るための信号等である。この場合、前記基準信号は、前
記各半導体装置の両側から、グループ化された信号線の
外側を走行し、液晶表示部ＡＲの外輪郭を描くようにし
て形成されたバスラインＢＬに接続される給電線ＳＬを
介して行なわれている。なお、前記バスラインＢＬは各
画素のそれぞれに至るようにして形成された基準電位線
ＳＶＬを介して前記対向電極あるいは容量信号線に接続
されている。
映像信号の他にこれら信号に対して基準となる信号（基
準信号）が供給される場合がある。たとえば、前記画素
電極との間に液晶を駆動させるための電界を発生させる
対向電極に供給させるための信号、あるいは前記画素電
極との間に容量を形成するための容量信号線に供給させ
るための信号等である。この場合、前記基準信号は、前
記各半導体装置の両側から、グループ化された信号線の
外側を走行し、液晶表示部ＡＲの外輪郭を描くようにし
て形成されたバスラインＢＬに接続される給電線ＳＬを
介して行なわれている。なお、前記バスラインＢＬは各
画素のそれぞれに至るようにして形成された基準電位線
ＳＶＬを介して前記対向電極あるいは容量信号線に接続
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように構
成された液晶表示装置は、上述の各グループ化された信
号線を単位とし、その中央部と両側部とで表示の輝度む
らが発生する場合があることを見出すに至った。これを
究明した結果、前記基準信号は、前記給電線ＳＬによっ
て前記各半導体装置の両側からグループ化された各信号
線の外側を走行してバスラインＢＬに給電していること
から、グループ化された各信号線において、その中央部
と両側部とで給電抵抗が異なってくるからであることを
判明した。本発明は、このような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、輝度むらのない画像表示装
置を提供することにある。
成された液晶表示装置は、上述の各グループ化された信
号線を単位とし、その中央部と両側部とで表示の輝度む
らが発生する場合があることを見出すに至った。これを
究明した結果、前記基準信号は、前記給電線ＳＬによっ
て前記各半導体装置の両側からグループ化された各信号
線の外側を走行してバスラインＢＬに給電していること
から、グループ化された各信号線において、その中央部
と両側部とで給電抵抗が異なってくるからであることを
判明した。本発明は、このような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、輝度むらのない画像表示装
置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による画像表示装置は、たとえば、基板
の画素形成側の面に並設された複数のドレイン信号線が
形成され、前記各ドレイン信号線は、互いに隣接された
複数のドレイン信号線毎にグループ化されているととも
に、それぞれのグループ化された各ドレイン信号線の一
端は互いに収束されて延在されるとともに映像信号駆動
回路を構成する半導体集積回路の出力端子に接続され、
画素の集合体の少なくとも前記映像信号駆動回路側の外
輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するための
バスラインが形成され、前記半導体集積回路の両脇か
ら、グループ化されたドレイン信号線の外側を走行し、
前記バスラインに接続される第１の給電線と、前記半導
体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグループ化
された該ドレイン信号線のほぼ中央部の個所に至って、
該バスラインに接続される第２の給電線とが形成されて
いることを特徴とするものである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による画像表示装置は、たとえば、基板
の画素形成側の面に並設された複数のドレイン信号線が
形成され、前記各ドレイン信号線は、互いに隣接された
複数のドレイン信号線毎にグループ化されているととも
に、それぞれのグループ化された各ドレイン信号線の一
端は互いに収束されて延在されるとともに映像信号駆動
回路を構成する半導体集積回路の出力端子に接続され、
画素の集合体の少なくとも前記映像信号駆動回路側の外
輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するための
バスラインが形成され、前記半導体集積回路の両脇か
ら、グループ化されたドレイン信号線の外側を走行し、
前記バスラインに接続される第１の給電線と、前記半導
体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグループ化
された該ドレイン信号線のほぼ中央部の個所に至って、
該バスラインに接続される第２の給電線とが形成されて
いることを特徴とするものである。
【０００８】手段２．本発明による画像表示装置は、た
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数のドレ
イン信号線が形成され、前記各ドレイン信号線は、互い
に隣接された複数のドレイン信号線毎にグループ化され
ているとともに、それぞれのグループ化された各ドレイ
ン信号線の一端は互いに収束されて延在されるとともに
映像信号駆動回路を構成する半導体集積回路の出力端子
に接続され、画素の集合体の少なくとも前記映像信号駆
動回路側の外輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供
給するためのバスラインが形成され、前記半導体集積回
路の両脇から、グループ化されたドレイン信号線の外側
を走行し、前記バスラインに接続される第１の給電線
と、前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのう
ちグループ化された該ドレイン信号線のほぼ中央部の個
所に至って、該バスラインに接続される第２の給電線
と、前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのう
ち前記第１の給電線の接続部と前記第２の給電線の接続
部の間のバスラインに接続される第３の給電線とが形成
されていることを特徴とするものである。
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数のドレ
イン信号線が形成され、前記各ドレイン信号線は、互い
に隣接された複数のドレイン信号線毎にグループ化され
ているとともに、それぞれのグループ化された各ドレイ
ン信号線の一端は互いに収束されて延在されるとともに
映像信号駆動回路を構成する半導体集積回路の出力端子
に接続され、画素の集合体の少なくとも前記映像信号駆
動回路側の外輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供
給するためのバスラインが形成され、前記半導体集積回
路の両脇から、グループ化されたドレイン信号線の外側
を走行し、前記バスラインに接続される第１の給電線
と、前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのう
ちグループ化された該ドレイン信号線のほぼ中央部の個
所に至って、該バスラインに接続される第２の給電線
と、前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのう
ち前記第１の給電線の接続部と前記第２の給電線の接続
部の間のバスラインに接続される第３の給電線とが形成
されていることを特徴とするものである。
【０００９】手段３．本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段１あるいは手段２の構成を前提として、前
記第２の給電線は絶縁膜を介して前記ドレイン信号線と
は異なる層で形成されていることを特徴とするものであ
る。
とえば、手段１あるいは手段２の構成を前提として、前
記第２の給電線は絶縁膜を介して前記ドレイン信号線と
は異なる層で形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１０】手段４．本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段１あるいは手段２の構成を前提として、グ
ループ化されたドレイン信号線の数は偶数個となってい
ることを特徴とするものである。
とえば、手段１あるいは手段２の構成を前提として、グ
ループ化されたドレイン信号線の数は偶数個となってい
ることを特徴とするものである。
【００１１】手段５．本発明による画像表示装置は、た
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数のゲー
ト信号線が形成され、前記各ゲート信号線は、互いに隣
接された複数のゲート信号線毎にグループ化されている
とともに、それぞれのグループ化された各ゲート信号線
の一端は互いに収束されて延在されるとともに走査信号
駆動回路を構成する半導体集積回路の出力端子に接続さ
れ、画素の集合体の少なくとも前記走査信号駆動回路側
の外輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するた
めのバスラインが形成され、前記半導体集積回路の両脇
から、グループ化されたゲート信号線の外側を走行し、
前記バスラインに接続される第１の給電線と、前記半導
体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグループ化
された該ゲート信号線のほぼ中央部の個所に至って、該
バスラインに接続される第２の給電線とが形成されてい
ることを特徴とするものである。
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数のゲー
ト信号線が形成され、前記各ゲート信号線は、互いに隣
接された複数のゲート信号線毎にグループ化されている
とともに、それぞれのグループ化された各ゲート信号線
の一端は互いに収束されて延在されるとともに走査信号
駆動回路を構成する半導体集積回路の出力端子に接続さ
れ、画素の集合体の少なくとも前記走査信号駆動回路側
の外輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するた
めのバスラインが形成され、前記半導体集積回路の両脇
から、グループ化されたゲート信号線の外側を走行し、
前記バスラインに接続される第１の給電線と、前記半導
体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグループ化
された該ゲート信号線のほぼ中央部の個所に至って、該
バスラインに接続される第２の給電線とが形成されてい
ることを特徴とするものである。
【００１２】手段６．本発明による画像表示装置は、た
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数のゲー
ト信号線が形成され、前記各ゲート信号線は、互いに隣
接された複数のゲート信号線毎にグループ化されている
とともに、それぞれのグループ化された各ゲート信号線
の一端は互いに収束されて延在されるとともに走査信号
駆動回路を構成する半導体集積回路の出力端子に接続さ
れ、画素の集合体の少なくとも前記走査信号駆動回路側
の外輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するた
めのバスラインが形成され、前記半導体集積回路の両脇
から、グループ化されたゲート信号線の外側を走行し、
前記バスラインに接続される第１の給電線と、前記半導
体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグループ化
された該ゲート信号線のほぼ中央部の個所に至って、該
バスラインに接続される第２の給電線と、前記半導体集
積回路の両脇から、該バスラインのうち前記第１の給電
線の接続部と前記第２の給電線の接続部の間のバスライ
ンに接続される第３の給電線とが形成されていることを
特徴とするものである。
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数のゲー
ト信号線が形成され、前記各ゲート信号線は、互いに隣
接された複数のゲート信号線毎にグループ化されている
とともに、それぞれのグループ化された各ゲート信号線
の一端は互いに収束されて延在されるとともに走査信号
駆動回路を構成する半導体集積回路の出力端子に接続さ
れ、画素の集合体の少なくとも前記走査信号駆動回路側
の外輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するた
めのバスラインが形成され、前記半導体集積回路の両脇
から、グループ化されたゲート信号線の外側を走行し、
前記バスラインに接続される第１の給電線と、前記半導
体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグループ化
された該ゲート信号線のほぼ中央部の個所に至って、該
バスラインに接続される第２の給電線と、前記半導体集
積回路の両脇から、該バスラインのうち前記第１の給電
線の接続部と前記第２の給電線の接続部の間のバスライ
ンに接続される第３の給電線とが形成されていることを
特徴とするものである。
【００１３】手段７．本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段５あるいは手段６の構成を前提として、前
記第２の給電線は絶縁膜を介して前記ゲート信号線とは
異なる層で形成されていることを特徴とするものであ
る。
とえば、手段５あるいは手段６の構成を前提として、前
記第２の給電線は絶縁膜を介して前記ゲート信号線とは
異なる層で形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１４】手段８．本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段５あるいは手段６の構成を前提として、グ
ループ化されたゲート信号線の数は偶数個となっている
ことを特徴とするものである。
とえば、手段５あるいは手段６の構成を前提として、グ
ループ化されたゲート信号線の数は偶数個となっている
ことを特徴とするものである。
【００１５】手段９．本発明による画像表示装置は、た
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数の信号
線が形成され、前記各信号線は、互いに隣接された複数
の信号線毎にグループ化されているとともに、それぞれ
のグループ化された各信号線の一端は互いに収束されて
延在されるとともに信号駆動回路を構成し前記基板に搭
載された半導体集積回路の出力端子に接続され、画素の
集合体の少なくとも前記信号駆動回路側の外輪郭側に形
成され、各画素に基準信号を供給するためのバスライン
が形成され、このバスラインには前記半導体集積回路の
搭載領域に形成された給電線を介して前記基準信号が供
給されることを特徴とするものである。
とえば、基板の画素形成側の面に並設された複数の信号
線が形成され、前記各信号線は、互いに隣接された複数
の信号線毎にグループ化されているとともに、それぞれ
のグループ化された各信号線の一端は互いに収束されて
延在されるとともに信号駆動回路を構成し前記基板に搭
載された半導体集積回路の出力端子に接続され、画素の
集合体の少なくとも前記信号駆動回路側の外輪郭側に形
成され、各画素に基準信号を供給するためのバスライン
が形成され、このバスラインには前記半導体集積回路の
搭載領域に形成された給電線を介して前記基準信号が供
給されることを特徴とするものである。
【００１６】手段１０．本発明による画像表示装置は、
たとえば、前記給電線は複数からなることを特徴とする
ものである。
たとえば、前記給電線は複数からなることを特徴とする
ものである。
【００１７】手段１１．本発明による画像表示装置は、
たとえば、基板の画素形成側の面に並設された複数の信
号線が形成され、前記各信号線は、互いに隣接された複
数の信号線毎にグループ化されているとともに、それぞ
れのグループ化された各信号線の一端は互いに収束され
て延在されるとともに信号駆動回路を構成する半導体集
積回路の出力端子に接続され、前記半導体集積回路は樹
脂基板とこの樹脂基板に搭載される半導体チップと該樹
脂基板の面に該半導体チップの端子が引き出される配線
層とを備えるものからなるとともに、前記画素の集合体
の少なくとも前記信号駆動回路側の外輪郭側に形成さ
れ、各画素に基準信号を供給するためのバスラインが形
成され、このバスラインには前記半導体集積回路の樹脂
基板面に形成された給電線を介して前記基準信号が供給
されることを特徴とするものである。
たとえば、基板の画素形成側の面に並設された複数の信
号線が形成され、前記各信号線は、互いに隣接された複
数の信号線毎にグループ化されているとともに、それぞ
れのグループ化された各信号線の一端は互いに収束され
て延在されるとともに信号駆動回路を構成する半導体集
積回路の出力端子に接続され、前記半導体集積回路は樹
脂基板とこの樹脂基板に搭載される半導体チップと該樹
脂基板の面に該半導体チップの端子が引き出される配線
層とを備えるものからなるとともに、前記画素の集合体
の少なくとも前記信号駆動回路側の外輪郭側に形成さ
れ、各画素に基準信号を供給するためのバスラインが形
成され、このバスラインには前記半導体集積回路の樹脂
基板面に形成された給電線を介して前記基準信号が供給
されることを特徴とするものである。
【００１８】手段１２．本発明による画像表示装置は、
たとえば、手段１１の構成を前提として、前記給電線は
前記半導体集積回路の樹脂基板に形成された前記配線層
とは反対側の面に形成されていることを特徴とするもの
である。なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発
明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であ
る。
たとえば、手段１１の構成を前提として、前記給電線は
前記半導体集積回路の樹脂基板に形成された前記配線層
とは反対側の面に形成されていることを特徴とするもの
である。なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発
明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による画像表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１．図１（ａ）は、本発明による画像表示装置の
一実施例を示す概略構成図で、図１６と対応した図とな
っている。図１６の場合と比較して異なる構成は、映像
信号駆動回路Ｈｅを構成する各半導体集積回路の両側に
形成される各給電線ＳＬのそれぞれは、グループ化され
たドレイン信号線ＤＬの外側を走行し、バスラインＢＬ
に接続されるものとは別個に、該バスラインＢＬのうち
グループ化された該ドレイン信号線ＤＬのほぼ中央部の
個所にても接続される給電線ＳＬｓが新たに形成されて
いることにある。この給電線ＳＬｓは絶縁膜を介してド
レイン信号線ＤＬとは異なる層として形成され、これに
より該ドレイン信号線ＤＬとは絶縁されて形成されてい
る。図示のように、グループ化された各ドレイン信号線
ＤＬは、映像信号駆動回路Ｈｅの半導体集積回路と接続
される近傍において、互いに収束されるようにして延在
され、該半導体集積回路の出力端子に接続されるように
なっている。該半導体集積回路の出力端子のピッチがド
レイン信号線ＤＬのピッチよりも小さく形成されている
ことから、上述のような収束部を有した構成となってい
る。このため、グループ化されたドレイン信号線ＤＬの
外側を走行する給電線ＳＬは、該半導体集積回路側から
バスラインＢＬ側にかけて末広がり状に形成され、ま
た、この実施例で別個に形成された給電線ＳＬｓは、グ
ループ化されたドレイン信号線ＤＬのほぼ中央に指向さ
れて互いに収束するようにして形成されている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１．図１（ａ）は、本発明による画像表示装置の
一実施例を示す概略構成図で、図１６と対応した図とな
っている。図１６の場合と比較して異なる構成は、映像
信号駆動回路Ｈｅを構成する各半導体集積回路の両側に
形成される各給電線ＳＬのそれぞれは、グループ化され
たドレイン信号線ＤＬの外側を走行し、バスラインＢＬ
に接続されるものとは別個に、該バスラインＢＬのうち
グループ化された該ドレイン信号線ＤＬのほぼ中央部の
個所にても接続される給電線ＳＬｓが新たに形成されて
いることにある。この給電線ＳＬｓは絶縁膜を介してド
レイン信号線ＤＬとは異なる層として形成され、これに
より該ドレイン信号線ＤＬとは絶縁されて形成されてい
る。図示のように、グループ化された各ドレイン信号線
ＤＬは、映像信号駆動回路Ｈｅの半導体集積回路と接続
される近傍において、互いに収束されるようにして延在
され、該半導体集積回路の出力端子に接続されるように
なっている。該半導体集積回路の出力端子のピッチがド
レイン信号線ＤＬのピッチよりも小さく形成されている
ことから、上述のような収束部を有した構成となってい
る。このため、グループ化されたドレイン信号線ＤＬの
外側を走行する給電線ＳＬは、該半導体集積回路側から
バスラインＢＬ側にかけて末広がり状に形成され、ま
た、この実施例で別個に形成された給電線ＳＬｓは、グ
ループ化されたドレイン信号線ＤＬのほぼ中央に指向さ
れて互いに収束するようにして形成されている。
【００２０】図１（ｂ）のｃ−ｃ線における断面図に示
すように、前記ドレイン信号線ＤＬは絶縁膜ＧＩの上層
に形成されている。また、前記給電線ＳＬｓは前記絶縁
膜ＧＩの下層に形成され、は他の給電線ＳＬおよびバス
ラインＢＬと一体に形成されている。このように構成す
ることによって、前記バスラインＢＬはその長手方向に
沿って短い間隔で、しかも該間隔はほぼ等しくなってい
ることから、電位差のむらなく均等に基準電圧が供給さ
れることになる。このため、該バスラインＢＬから各画
素にむらのない均一な基準電圧が供給されるようにな
る。
すように、前記ドレイン信号線ＤＬは絶縁膜ＧＩの上層
に形成されている。また、前記給電線ＳＬｓは前記絶縁
膜ＧＩの下層に形成され、は他の給電線ＳＬおよびバス
ラインＢＬと一体に形成されている。このように構成す
ることによって、前記バスラインＢＬはその長手方向に
沿って短い間隔で、しかも該間隔はほぼ等しくなってい
ることから、電位差のむらなく均等に基準電圧が供給さ
れることになる。このため、該バスラインＢＬから各画
素にむらのない均一な基準電圧が供給されるようにな
る。
【００２１】図１７（ａ）は、互いに隣接するゲート信
号線ＧＬと互いに隣接するドレイン信号線ＤＬとで囲ま
れた画素領域の構成の一実施例を示す平面図である。ま
た、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のｂ−ｂ線における断
面を示す図である。同図において、透明基板ＳＵＢ１の
液晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設され
る一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲ
ート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとと
もに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を
画素領域として構成するようになっている。
号線ＧＬと互いに隣接するドレイン信号線ＤＬとで囲ま
れた画素領域の構成の一実施例を示す平面図である。ま
た、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のｂ−ｂ線における断
面を示す図である。同図において、透明基板ＳＵＢ１の
液晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設され
る一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲ
ート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとと
もに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を
画素領域として構成するようになっている。
【００２２】このようにゲート信号線ＧＬが形成された
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形
成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶
縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を有
するようになっている。
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形
成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶
縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を有
するようになっている。
【００２３】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴ
のそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１および
ソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線
の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トラ
ンジスタを構成することができる。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴ
のそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１および
ソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線
の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トラ
ンジスタを構成することができる。
【００２４】ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に延
在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され
てドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン
電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だ
け離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に延
在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され
てドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン
電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だ
け離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００２５】また、このソース電極ＳＤ２は画素領域内
に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。す
なわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在
しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から
構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方
の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、他方の端部では
他の画素電極ＰＸの対応する個所にて互いに電気的接続
が図れるようになっている。
に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。す
なわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在
しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から
構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方
の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、他方の端部では
他の画素電極ＰＸの対応する個所にて互いに電気的接続
が図れるようになっている。
【００２６】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面には保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜
ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性
劣化を防止せんとするようになっている。
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面には保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜
ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性
劣化を防止せんとするようになっている。
【００２７】なお、この保護膜ＰＡＳは樹脂等の有機材
料層、あるいはＳｉＮのような無機材料層と樹脂等の有
機材料層の順次積層体から構成されてもよい。図１７の
場合には、無機材料層からなる保護膜ＰＡＳ１と樹脂等
の有機材料層からなる保護膜ＰＡＳ２の順次積層体から
構成されている。このように保護膜ＰＡＳとして少なく
とも有機材料層を用いているのは保護膜自体の誘電率を
低減させることにある。
料層、あるいはＳｉＮのような無機材料層と樹脂等の有
機材料層の順次積層体から構成されてもよい。図１７の
場合には、無機材料層からなる保護膜ＰＡＳ１と樹脂等
の有機材料層からなる保護膜ＰＡＳ２の順次積層体から
構成されている。このように保護膜ＰＡＳとして少なく
とも有機材料層を用いているのは保護膜自体の誘電率を
低減させることにある。
【００２８】保護膜ＰＡＳの上面には対向電極ＣＴが形
成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極ＰＸ
と同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図
では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各電極
は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸの間に位置付
けられるようになっている。すなわち、対向電極ＣＴと
画素電極ＰＸは、一方の側のドレイン信号線から他方の
側のドレイン信号線にかけて、対向電極、画素電極、対
向電極、画素電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間
隔に配置されている。
成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極ＰＸ
と同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図
では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各電極
は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸの間に位置付
けられるようになっている。すなわち、対向電極ＣＴと
画素電極ＰＸは、一方の側のドレイン信号線から他方の
側のドレイン信号線にかけて、対向電極、画素電極、対
向電極、画素電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間
隔に配置されている。
【００２９】ここで、画素領域の両側に位置づけられる
対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳
されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対
応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。換言すれ
は、ドレイン信号線ＤＬ上には対向電極ＣＴがその中心
軸をほぼ一致づけて重畳され、該対向電極ＣＴの幅はド
レイン信号線ＤＬのそれよりも大きく形成されている。
ドレイン信号線ＤＬに対して左側の対向電極ＣＴは左側
の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成し、右側の対
向電極ＣＴは右側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを
構成するようになっている。
対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳
されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対
応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。換言すれ
は、ドレイン信号線ＤＬ上には対向電極ＣＴがその中心
軸をほぼ一致づけて重畳され、該対向電極ＣＴの幅はド
レイン信号線ＤＬのそれよりも大きく形成されている。
ドレイン信号線ＤＬに対して左側の対向電極ＣＴは左側
の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成し、右側の対
向電極ＣＴは右側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを
構成するようになっている。
【００３０】このようにドレイン信号線ＤＬの上方にて
該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形
成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力
線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線Ｄ
Ｌからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形
成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力
線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線Ｄ
Ｌからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
【００３１】電極群からなる各対向電極ＣＴは、ゲート
信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料からな
る対向電圧信号線ＣＬと一体的に形成され、この対向電
圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるようになっ
ている。なお、この対向電圧信号線ＣＬは前記基準電位
線ＳＶＬとして機能することになる。
信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料からな
る対向電圧信号線ＣＬと一体的に形成され、この対向電
圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるようになっ
ている。なお、この対向電圧信号線ＣＬは前記基準電位
線ＳＶＬとして機能することになる。
【００３２】なお、この対向電極ＣＴと対向電圧信号線
ＣＬは、たとえば画素の開口率を向上させるため、ITO
(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、I
ZO (Indium Zinc Oxide)、SnO2（酸化スズ）、In2O
3（酸化インジウム）等の透光性の導電材料によって形
成されている。
ＣＬは、たとえば画素の開口率を向上させるため、ITO
(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、I
ZO (Indium Zinc Oxide)、SnO2（酸化スズ）、In2O
3（酸化インジウム）等の透光性の導電材料によって形
成されている。
【００３３】ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成され
る対向電圧信号線ＣＬは、そのゲート信号線ＧＬからは
み出した部分において、その下層に前記各画素電極ＰＸ
の接続部が位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと
対向電圧信号線ＣＬとの間に保護膜ＰＡＳを誘電体膜と
する容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。この容量素子
Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信
号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようにな
っている。そして、このように対向電極ＣＴが形成され
た透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被っ
て配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は
液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビ
ングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づける
ようになっている。
る対向電圧信号線ＣＬは、そのゲート信号線ＧＬからは
み出した部分において、その下層に前記各画素電極ＰＸ
の接続部が位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと
対向電圧信号線ＣＬとの間に保護膜ＰＡＳを誘電体膜と
する容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。この容量素子
Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信
号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようにな
っている。そして、このように対向電極ＣＴが形成され
た透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被っ
て配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は
液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビ
ングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づける
ようになっている。
【００３４】実施例２．図２は本発明による画像表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図１（ｂ）に対応した
図となっている。図１（ｂ）の場合と異なる構成は、グ
ループ化されるドレイン信号線ＤＬの数を偶数個にして
いることにある。このようにすることにより、給電線Ｓ
ＬｓのバスラインＢＬとの接続部は，互いに隣接するド
レイン信号線ＤＬの間になり、一方の側（たとえば図中
右側）の給電線ＳＬｓに重畳されるドレイン信号線ＤＬ
の数と他方の側（たとえば図中左側）の給電線ＳＬｓに
重畳されるドレイン信号線ＤＬの数とを同じにすること
ができる。このことは、一方の側の給電線ＳＬｓとそれ
に重畳されるドレイン信号線ＤＬとの間の寄生容量と他
方の側の給電線ＳＬｓとそれに重畳されるドレイン信号
線ＤＬとの間の寄生容量とを等しくできることから、該
寄生容量による表示の輝度むらを低減できる効果を奏す
る。なお、グループ化されるドレイン信号線ＤＬの数と
して、たとえば１２８、２５８、３００、３８４、４８
０本等が選択される。
置の他の実施例を示す構成図で、図１（ｂ）に対応した
図となっている。図１（ｂ）の場合と異なる構成は、グ
ループ化されるドレイン信号線ＤＬの数を偶数個にして
いることにある。このようにすることにより、給電線Ｓ
ＬｓのバスラインＢＬとの接続部は，互いに隣接するド
レイン信号線ＤＬの間になり、一方の側（たとえば図中
右側）の給電線ＳＬｓに重畳されるドレイン信号線ＤＬ
の数と他方の側（たとえば図中左側）の給電線ＳＬｓに
重畳されるドレイン信号線ＤＬの数とを同じにすること
ができる。このことは、一方の側の給電線ＳＬｓとそれ
に重畳されるドレイン信号線ＤＬとの間の寄生容量と他
方の側の給電線ＳＬｓとそれに重畳されるドレイン信号
線ＤＬとの間の寄生容量とを等しくできることから、該
寄生容量による表示の輝度むらを低減できる効果を奏す
る。なお、グループ化されるドレイン信号線ＤＬの数と
して、たとえば１２８、２５８、３００、３８４、４８
０本等が選択される。
【００３５】実施例３．図３（ａ）は本発明による画像
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図２に対応した
図となっている。また、図３（ａ）のｂ−ｂ線における
断面図を図３（ｂ）に示している。図２の場合と比較し
て異なる構成は、給電線ＳＬｓをさらに増加させたもの
であり、半導体集積回路の両脇から前記バスラインＢＬ
であって、前記給電線ＳＬの接続部と図１に示した給電
線ＳＬｓの接続部の間のバスラインＢＬに至って接続さ
れる新たな給電線ＳＬｓが形成されていることにある。
このような構成は、グループ化されるドレイン信号線Ｄ
Ｌの数がたとえば２５８、３００、３８４、４８０本と
比較的多い場合において効果的となる。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図２に対応した
図となっている。また、図３（ａ）のｂ−ｂ線における
断面図を図３（ｂ）に示している。図２の場合と比較し
て異なる構成は、給電線ＳＬｓをさらに増加させたもの
であり、半導体集積回路の両脇から前記バスラインＢＬ
であって、前記給電線ＳＬの接続部と図１に示した給電
線ＳＬｓの接続部の間のバスラインＢＬに至って接続さ
れる新たな給電線ＳＬｓが形成されていることにある。
このような構成は、グループ化されるドレイン信号線Ｄ
Ｌの数がたとえば２５８、３００、３８４、４８０本と
比較的多い場合において効果的となる。
【００３６】実施例４．図４は本発明による画像表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図３（ｂ）に対応した
図となっている。図３（ｂ）の場合と比較して異なる構
成は、各給電線ＳＬ、ＳＬｓ、ＳＬｓ１において、それ
らの幅を長さに応じて幅広にしていることにある。すな
わち、平面図との対応で、幅W2に相当する給電線ＳＬｓ
１が最も短いことから、給電線ＳＬの幅W1,給電線ＳＬ
ｓの幅W3＞給電線ＳＬｓ１の幅W2の関係をもたせること
により、各給電線ＳＬ、ＳＬｓ、ＳＬｓ１のそれぞれの
給電抵抗をより均一にしている。また、これに限らず、
長さの順にしてもよい。すなわち、幅W1に相当する給電
線ＳＬが最も長い場合は、給電線ＳＬの幅W1＞給電線Ｓ
Ｌｓの幅W3＞給電線ＬＳ１の幅W2の関係をもたせるよう
にしてもよい。
置の他の実施例を示す構成図で、図３（ｂ）に対応した
図となっている。図３（ｂ）の場合と比較して異なる構
成は、各給電線ＳＬ、ＳＬｓ、ＳＬｓ１において、それ
らの幅を長さに応じて幅広にしていることにある。すな
わち、平面図との対応で、幅W2に相当する給電線ＳＬｓ
１が最も短いことから、給電線ＳＬの幅W1,給電線ＳＬ
ｓの幅W3＞給電線ＳＬｓ１の幅W2の関係をもたせること
により、各給電線ＳＬ、ＳＬｓ、ＳＬｓ１のそれぞれの
給電抵抗をより均一にしている。また、これに限らず、
長さの順にしてもよい。すなわち、幅W1に相当する給電
線ＳＬが最も長い場合は、給電線ＳＬの幅W1＞給電線Ｓ
Ｌｓの幅W3＞給電線ＬＳ１の幅W2の関係をもたせるよう
にしてもよい。
【００３７】実施例５．図５（ａ）は本発明による画像
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図３（ａ）に対
応した図となっている。また、図５（ｂ）は図５（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を示している。図３（ａ）の
場合と比較して異なる構成は、ドレイン信号線ＤＬの上
面には保護膜ＰＡＳが形成され、この保護膜ＰＡＳ上に
給電線ＳＬｓが形成されていることにある。また、バス
ラインＢＬ、給電線ＳＬ、および給電線ＳＬｓ１はそれ
ぞれ透明基板ＳＵＢ１と絶縁膜ＧＩとの間に形成されて
いる。
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図３（ａ）に対
応した図となっている。また、図５（ｂ）は図５（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を示している。図３（ａ）の
場合と比較して異なる構成は、ドレイン信号線ＤＬの上
面には保護膜ＰＡＳが形成され、この保護膜ＰＡＳ上に
給電線ＳＬｓが形成されていることにある。また、バス
ラインＢＬ、給電線ＳＬ、および給電線ＳＬｓ１はそれ
ぞれ透明基板ＳＵＢ１と絶縁膜ＧＩとの間に形成されて
いる。
【００３８】保護膜ＰＡＳ上に形成された給電線ＳＬｓ
は、その両端において、該保護膜ＰＡＳおよび前記絶縁
膜ＧＩを貫通して形成されるスルーホールを通して給電
線ＳＬおよびバスラインＢＬにそれぞれ接続されてい
る。この場合、前記保護膜ＰＡＳを有機材料層、あるい
は無機材料層および有機材料層の積層体とすることによ
り、ドレイン信号線ＤＬと給電線ＳＬｓとの交差容量を
低減させることができる。また、前記給電線ＳＬｓをた
とえば、ITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(IndiumTin Zin
c Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO2（酸化ス
ズ）、In2O3（酸化インジウム）等の透光性の導電材料
とすることにより、各ドレイン信号線ＤＬを目視できる
ようになり、それらの短絡が生じた際の修復を容易にで
きる効果を奏する。
は、その両端において、該保護膜ＰＡＳおよび前記絶縁
膜ＧＩを貫通して形成されるスルーホールを通して給電
線ＳＬおよびバスラインＢＬにそれぞれ接続されてい
る。この場合、前記保護膜ＰＡＳを有機材料層、あるい
は無機材料層および有機材料層の積層体とすることによ
り、ドレイン信号線ＤＬと給電線ＳＬｓとの交差容量を
低減させることができる。また、前記給電線ＳＬｓをた
とえば、ITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(IndiumTin Zin
c Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO2（酸化ス
ズ）、In2O3（酸化インジウム）等の透光性の導電材料
とすることにより、各ドレイン信号線ＤＬを目視できる
ようになり、それらの短絡が生じた際の修復を容易にで
きる効果を奏する。
【００３９】実施例６．図６は本発明による画像表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図６（ａ）は平面図、
図６（ｂ）は走査信号駆動回路の半導体集積回路の周辺
における拡大図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のｃ−ｃ線に
おける断面図である。この実施例は、走査信号駆動回路
の半導体集積回路の周辺において上述した各実施例を適
用させたものである。すなわち、給電線ＳＬの他に給電
線ＳＬｓをも設けた構成となっている。この場合、ゲー
ト信号線ＧＬは透明基板ＳＵＢ１と絶縁膜ＧＩとの間に
形成されていることから、たとえば給電線ＳＬおよび基
準電位信号線ＳＶＬもそれと同層で形成し、給電線ＳＬ
ｓは絶縁膜ＧＩの上面に形成しているそして、給電線Ｓ
Ｌｓの給電線ＳＬとバスラインＢＬとの接続は、保護膜
ＰＡＳの表面から形成したスルーホール部に設けられる
接続電極ＴＨＣＴによって行なっている。
置の他の実施例を示す構成図で、図６（ａ）は平面図、
図６（ｂ）は走査信号駆動回路の半導体集積回路の周辺
における拡大図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のｃ−ｃ線に
おける断面図である。この実施例は、走査信号駆動回路
の半導体集積回路の周辺において上述した各実施例を適
用させたものである。すなわち、給電線ＳＬの他に給電
線ＳＬｓをも設けた構成となっている。この場合、ゲー
ト信号線ＧＬは透明基板ＳＵＢ１と絶縁膜ＧＩとの間に
形成されていることから、たとえば給電線ＳＬおよび基
準電位信号線ＳＶＬもそれと同層で形成し、給電線ＳＬ
ｓは絶縁膜ＧＩの上面に形成しているそして、給電線Ｓ
Ｌｓの給電線ＳＬとバスラインＢＬとの接続は、保護膜
ＰＡＳの表面から形成したスルーホール部に設けられる
接続電極ＴＨＣＴによって行なっている。
【００４０】実施例７．図７は本発明による画像表示装
置の他の実施例を示す平面図で、図６（ｂ）に対応した
図となっている。図６（ｂ）の場合と比較して異なる構
成は、グループ化されるゲート信号線ＧＬの本数を１２
８、２５８、３００、３８４、４８０本というように偶
数としていることにある。これにより、半導体集積回路
の両側から延在する各給電線ＳＬｓはゲート信号線ＧＬ
の間の領域に収束され、これにより、それぞれの給電線
ＳＬｓとこれに頂上される各ゲート信号線ＧＬとの寄生
容量のバランスがとれるようになり、表示における輝度
むらを防止することができる。
置の他の実施例を示す平面図で、図６（ｂ）に対応した
図となっている。図６（ｂ）の場合と比較して異なる構
成は、グループ化されるゲート信号線ＧＬの本数を１２
８、２５８、３００、３８４、４８０本というように偶
数としていることにある。これにより、半導体集積回路
の両側から延在する各給電線ＳＬｓはゲート信号線ＧＬ
の間の領域に収束され、これにより、それぞれの給電線
ＳＬｓとこれに頂上される各ゲート信号線ＧＬとの寄生
容量のバランスがとれるようになり、表示における輝度
むらを防止することができる。
【００４１】実施例８．図８は本発明による画像表示装
置の他の実施例を示す平面図で、図７に対応した図とな
っている。図７の場合と比較して異なる構成は、給電線
ＳＬｓの他に給電線ＳＬｓ１も設けていることにある。
置の他の実施例を示す平面図で、図７に対応した図とな
っている。図７の場合と比較して異なる構成は、給電線
ＳＬｓの他に給電線ＳＬｓ１も設けていることにある。
【００４２】実施例９．図９は本発明による画像表示装
置の他の実施例を示す平面図で、図６に対応した図とな
っている。図６の場合と比較して異なる構成は、映像信
号駆動回路の半導体集積回路の周辺、および走査信号駆
動回路の半導体集積回路の周辺のそれぞれにおいて、給
電線ＳＬｓを新たに設けていることにある。これによ
り、基準電位線ＳＶＬのそれぞれにおいて均一に基準信
号が供給できる効果を奏する。
置の他の実施例を示す平面図で、図６に対応した図とな
っている。図６の場合と比較して異なる構成は、映像信
号駆動回路の半導体集積回路の周辺、および走査信号駆
動回路の半導体集積回路の周辺のそれぞれにおいて、給
電線ＳＬｓを新たに設けていることにある。これによ
り、基準電位線ＳＶＬのそれぞれにおいて均一に基準信
号が供給できる効果を奏する。
【００４３】実施例１０．上述した各実施例では、いず
れも対向電極ＣＴが保護膜ＰＡＳの上層に形成されたい
わゆる横電界方式の液晶表示装置について説明したもの
であるが、これに限定されることはなく、たとえば図１
８に示すように、該対向電極ＣＴがたとえばゲート信号
線ＧＬと同層に形成された液晶表示装置についても適用
できることはいうまでもない。画素の構成が異なるだけ
で、映像信号駆動回路Ｈｅおよび走査信号駆動回路Ｖの
周辺における構成はほぼ同様であるからである。
れも対向電極ＣＴが保護膜ＰＡＳの上層に形成されたい
わゆる横電界方式の液晶表示装置について説明したもの
であるが、これに限定されることはなく、たとえば図１
８に示すように、該対向電極ＣＴがたとえばゲート信号
線ＧＬと同層に形成された液晶表示装置についても適用
できることはいうまでもない。画素の構成が異なるだけ
で、映像信号駆動回路Ｈｅおよび走査信号駆動回路Ｖの
周辺における構成はほぼ同様であるからである。
【００４４】ここで、図１８に示す液晶表示装置の画素
の構成は、上述のようにゲート信号線ＧＬと同層に形成
された対向電極ＣＴは図中左右に隣接する他の画素にま
で及んで形成される対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続
され、この対向電圧信号線ＣＬが上述した基準電位線Ｓ
ＶＬとして機能するようになる。なお、同図において、
対向電極ＣＴに対して画素電極ＰＸは絶縁膜を介して異
なる層で形成され、これら各電極は一方のドレイン信号
線ＤＬから他方のドレイン信号線ＤＬにかけて対向電極
ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対
向電極ＣＴというように配列されている。
の構成は、上述のようにゲート信号線ＧＬと同層に形成
された対向電極ＣＴは図中左右に隣接する他の画素にま
で及んで形成される対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続
され、この対向電圧信号線ＣＬが上述した基準電位線Ｓ
ＶＬとして機能するようになる。なお、同図において、
対向電極ＣＴに対して画素電極ＰＸは絶縁膜を介して異
なる層で形成され、これら各電極は一方のドレイン信号
線ＤＬから他方のドレイン信号線ＤＬにかけて対向電極
ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対
向電極ＣＴというように配列されている。
【００４５】また、画素内に前記対向電圧信号線ＣＬと
ほぼ同様の構成で形成される容量信号線が形成された液
晶表示装置において、この容量信号線を前記基準電位線
として適用させることもできる。この容量信号線は各画
素において、画素電極ＰＸとの間に容量素子を構成する
もので、該容量信号線に映像信号に対して基準となる電
圧信号を供給する必要があるからである。さらに、同様
の趣旨から、これら液晶表示装置に限定されることはな
く、たとえば有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子等の
他の画像表示装置にも適用できることはいうまでもな
い。
ほぼ同様の構成で形成される容量信号線が形成された液
晶表示装置において、この容量信号線を前記基準電位線
として適用させることもできる。この容量信号線は各画
素において、画素電極ＰＸとの間に容量素子を構成する
もので、該容量信号線に映像信号に対して基準となる電
圧信号を供給する必要があるからである。さらに、同様
の趣旨から、これら液晶表示装置に限定されることはな
く、たとえば有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子等の
他の画像表示装置にも適用できることはいうまでもな
い。
【００４６】実施例１１．図１０（ａ）は本発明による
画像表示装置の他の実施例を示す平面図である。また、
図１０（ｂ）は図１０（ａ）のｂ−ｂ線における断面図
を示している。上述した各実施例は、バスラインＢＬに
給電を行なう給電線ＳＬ、ＳＬｓ、はいずれも半導体集
積装置の両側から行なったものである。しかし、それら
は図１０に示すように、該半導体集積装置の下方を走行
するようにしてもよいことはいうまでもない。
画像表示装置の他の実施例を示す平面図である。また、
図１０（ｂ）は図１０（ａ）のｂ−ｂ線における断面図
を示している。上述した各実施例は、バスラインＢＬに
給電を行なう給電線ＳＬ、ＳＬｓ、はいずれも半導体集
積装置の両側から行なったものである。しかし、それら
は図１０に示すように、該半導体集積装置の下方を走行
するようにしてもよいことはいうまでもない。
【００４７】すなわち、透明基板ＳＵＢ１の周辺に配置
されその端子が該透明基板ＳＵＢ１の端子に接続される
たとえばフレキシブルなプリント基板ＦＰＣがあり、こ
のプリント基板ＦＰＣ側から給電される給電線ＳＬ、Ｓ
Ｌｓが該透明基板ＳＵＢ１の表面に形成されている。こ
れら給電線ＳＬ、ＳＬｓは、半導体集積回路ＩＣＣを交
差するように該半導体集積回路ＩＣＣの下方を走行する
ようにして形成されている。該半導体集積回路ＩＣＣは
透明基板ＳＵＢ１に対していわゆるフェースダウンボン
デングされて搭載されている。そして、給電線ＳＬ、Ｓ
Ｌｓはそれらと同層に形成されているバスラインＢＬと
一体に形成されている。また、給電線ＳＬ、ＳＬｓおよ
びバスラインＢＬは絶縁膜ＧＩの下層に形成され、該絶
縁膜ＧＩの上層にはたとえばドレイン信号線ＤＬが形成
されている。このようにした場合も、該バスラインＢＬ
には比較的狭い間隔で基準信号の給電ができることか
ら、各基準電位線ＳＶＬにはむら無く給電できるように
なる。
されその端子が該透明基板ＳＵＢ１の端子に接続される
たとえばフレキシブルなプリント基板ＦＰＣがあり、こ
のプリント基板ＦＰＣ側から給電される給電線ＳＬ、Ｓ
Ｌｓが該透明基板ＳＵＢ１の表面に形成されている。こ
れら給電線ＳＬ、ＳＬｓは、半導体集積回路ＩＣＣを交
差するように該半導体集積回路ＩＣＣの下方を走行する
ようにして形成されている。該半導体集積回路ＩＣＣは
透明基板ＳＵＢ１に対していわゆるフェースダウンボン
デングされて搭載されている。そして、給電線ＳＬ、Ｓ
Ｌｓはそれらと同層に形成されているバスラインＢＬと
一体に形成されている。また、給電線ＳＬ、ＳＬｓおよ
びバスラインＢＬは絶縁膜ＧＩの下層に形成され、該絶
縁膜ＧＩの上層にはたとえばドレイン信号線ＤＬが形成
されている。このようにした場合も、該バスラインＢＬ
には比較的狭い間隔で基準信号の給電ができることか
ら、各基準電位線ＳＶＬにはむら無く給電できるように
なる。
【００４８】実施例１２．図１１は本発明による画像表
示装置の他の実施例を示す平面図で、図１０（ａ）と対
応した図となっている。図１０（ａ）の場合と比較して
異なる構成は、給電線ＳＬｓと給電線ＳＬとの間にさら
に給電線ＳＬｓ１を新たに設けていることにある。
示装置の他の実施例を示す平面図で、図１０（ａ）と対
応した図となっている。図１０（ａ）の場合と比較して
異なる構成は、給電線ＳＬｓと給電線ＳＬとの間にさら
に給電線ＳＬｓ１を新たに設けていることにある。
【００４９】実施例１３．図１２は本発明による画像表
示装置の他の実施例を示す平面図で、図１０と対応した
図となっている。図１０の場合と比較して異なる構成
は、バスラインＢＬに接続される給電線ＳＬｓの一端
が、半導体集積回路ＩＣＣの下方で、一対の給電線ＳＬ
を互いに接続させる比較的幅広の配線層ＳＬｇに接続さ
せていることにある。このようにした場合、プリント基
板ＦＰＣ側において給電線ＳＬｓに給電させるための配
線層を低減させることができるようになる。
示装置の他の実施例を示す平面図で、図１０と対応した
図となっている。図１０の場合と比較して異なる構成
は、バスラインＢＬに接続される給電線ＳＬｓの一端
が、半導体集積回路ＩＣＣの下方で、一対の給電線ＳＬ
を互いに接続させる比較的幅広の配線層ＳＬｇに接続さ
せていることにある。このようにした場合、プリント基
板ＦＰＣ側において給電線ＳＬｓに給電させるための配
線層を低減させることができるようになる。
【００５０】実施例１４．図１３（ａ）は本発明による
画像表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１２と対
応した図となっている。また、図１３（ｂ）は図１３
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。図１２
の場合と比較して異なる構成は、図１２に示す配線層Ｓ
Ｌｇを、半導体集積回路ＩＣＣの下方ではなく、プリン
ト基板ＦＰＣの下方に形成していることにある。このよ
うに構成した場合、プリント基板ＦＰＣの端子を増加さ
せなくて済むようになる。また、半導体集積回路ＩＣＣ
の入出力端子が環状の基準電位で囲まれるようになるた
め、静電気による該半導体集積回路ＩＣＣの破壊を回避
できるようになる。
画像表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１２と対
応した図となっている。また、図１３（ｂ）は図１３
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。図１２
の場合と比較して異なる構成は、図１２に示す配線層Ｓ
Ｌｇを、半導体集積回路ＩＣＣの下方ではなく、プリン
ト基板ＦＰＣの下方に形成していることにある。このよ
うに構成した場合、プリント基板ＦＰＣの端子を増加さ
せなくて済むようになる。また、半導体集積回路ＩＣＣ
の入出力端子が環状の基準電位で囲まれるようになるた
め、静電気による該半導体集積回路ＩＣＣの破壊を回避
できるようになる。
【００５１】なお、この実施例では、透明基板ＳＵＢ１
側に形成されたドレイン信号線ＤＬあるいはゲート信号
線ＧＬと給電線ＳＬとは層を異にして形成され、保護膜
ＰＡＳの表面に引き出された電極のそれぞれは、プリン
ト基板ＦＰＣとの間に介在された異方性導電膜ＡＣＦに
よって該、プリント基板ＦＰＣ面の端子と接続されてい
る。ここで、異方性導電膜ＡＣＦは多数の導電ビーズが
散在されて混入される樹脂膜から構成されている。
側に形成されたドレイン信号線ＤＬあるいはゲート信号
線ＧＬと給電線ＳＬとは層を異にして形成され、保護膜
ＰＡＳの表面に引き出された電極のそれぞれは、プリン
ト基板ＦＰＣとの間に介在された異方性導電膜ＡＣＦに
よって該、プリント基板ＦＰＣ面の端子と接続されてい
る。ここで、異方性導電膜ＡＣＦは多数の導電ビーズが
散在されて混入される樹脂膜から構成されている。
【００５２】実施例１５．図１４は、本発明による画像
表示装置の他の実施例を示す平面図である。この実施例
では、たとえば映像信号駆動回路の半導体集積回路ＩＣ
Ｃはいわゆるテープキャリア方式で構成されたものとな
っている。すなわち、半導体チップＳＣがボンデングさ
れて搭載されるフレキシブルな樹脂基板ＰＢの表面に、
該半導体チップＳＣのパンプを引き出す配線層ＷＬが形
成されており、該配線層ＷＬは前記樹脂基板ＰＢの一辺
部およびこの一辺部に対向する他の一辺部にそれぞれ端
子を有するように形成されている。
表示装置の他の実施例を示す平面図である。この実施例
では、たとえば映像信号駆動回路の半導体集積回路ＩＣ
Ｃはいわゆるテープキャリア方式で構成されたものとな
っている。すなわち、半導体チップＳＣがボンデングさ
れて搭載されるフレキシブルな樹脂基板ＰＢの表面に、
該半導体チップＳＣのパンプを引き出す配線層ＷＬが形
成されており、該配線層ＷＬは前記樹脂基板ＰＢの一辺
部およびこの一辺部に対向する他の一辺部にそれぞれ端
子を有するように形成されている。
【００５３】このような半導体集積回路ＩＣＣは、透明
基板ＳＵＢ１とこの透明基板ＳＵＢ１と若干離間されて
配置されるプリント基板ＰＣＢとの間に跨って配置さ
れ、前記一辺部の各端子は透明基板ＳＵＢ１側の各端子
に、また、前記他の一辺部の各端子はプリント基板ＰＣ
Ｂ側の各端子に接続されるようになっている。そして、
この半導体集積回路ＩＣＣは、その樹脂基板ＰＢの前記
配線層ＷＬが形成された面と反対側の面において、透明
基板ＳＵＢ１側に形成された給電線ＳＬ、ＳＬｓに接続
される他の配線層ＸＬが形成されている。
基板ＳＵＢ１とこの透明基板ＳＵＢ１と若干離間されて
配置されるプリント基板ＰＣＢとの間に跨って配置さ
れ、前記一辺部の各端子は透明基板ＳＵＢ１側の各端子
に、また、前記他の一辺部の各端子はプリント基板ＰＣ
Ｂ側の各端子に接続されるようになっている。そして、
この半導体集積回路ＩＣＣは、その樹脂基板ＰＢの前記
配線層ＷＬが形成された面と反対側の面において、透明
基板ＳＵＢ１側に形成された給電線ＳＬ、ＳＬｓに接続
される他の配線層ＸＬが形成されている。
【００５４】すなわち、給電線ＳＬ、ＳＬｓに接続され
る他の配線層ＸＬは、樹脂基板ＰＢに本来形成されるべ
く信号線ＷＬの配置に拘束されることなく自由なレイア
ウトで形成できることになる。この場合、各給電線ＳＬ
のそれぞれを接続させる配線層ＸＬは配線層ＳＬｇによ
って互いに接続されている。
る他の配線層ＸＬは、樹脂基板ＰＢに本来形成されるべ
く信号線ＷＬの配置に拘束されることなく自由なレイア
ウトで形成できることになる。この場合、各給電線ＳＬ
のそれぞれを接続させる配線層ＸＬは配線層ＳＬｇによ
って互いに接続されている。
【００５５】実施例１６．図１５（ａ）は、本発明によ
る画像表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１４に
対応した図となっている。また、図１５（ｂ）は図１５
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。図１４の場合
と比較して異なる構成は、各給電線ＳＬのそれぞれを接
続させる配線層ＸＬは透明基板ＳＵＢ１側に形成されて
いることにある。
る画像表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１４に
対応した図となっている。また、図１５（ｂ）は図１５
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。図１４の場合
と比較して異なる構成は、各給電線ＳＬのそれぞれを接
続させる配線層ＸＬは透明基板ＳＵＢ１側に形成されて
いることにある。
【００５６】実施例１７．上述した各実施例は、種々の
液晶表示装置、あるいはこれら液晶表示装置に限定され
ることはなく、他の画像表示装置に適用できることはい
うまでもない。
液晶表示装置、あるいはこれら液晶表示装置に限定され
ることはなく、他の画像表示装置に適用できることはい
うまでもない。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による画像表示装置によれば、表示の輝度むらの
ないものを得ることができる。
本発明による画像表示装置によれば、表示の輝度むらの
ないものを得ることができる。
【図１】 本発明による画像表示装置の一実施例を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す要部平面図である。
す要部平面図である。
【図３】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す要部構成図である。
す要部構成図である。
【図４】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図５】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図６】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図７】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す要部平面図である。
す要部平面図である。
【図８】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す要部平面図である。
す要部平面図である。
【図９】 本発明による画像表示装置の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１０】図１０ 本発明による画像表示装置の他の実
施例を示す要部構成図である。
施例を示す要部構成図である。
【図１１】 本発明による画像表示装置の他の実施例を
示す要部平面図である。
示す要部平面図である。
【図１２】 本発明による画像表示装置の他の実施例を
示す要部平面図である。
示す要部平面図である。
【図１３】 本発明による画像表示装置の他の実施例を
示す要部構成図である。
示す要部構成図である。
【図１４】 本発明による画像表示装置の他の実施例を
示す要部平面図である。
示す要部平面図である。
【図１５】 本発明による画像表示装置の他の実施例を
示す要部構成図である。
示す要部構成図である。
【図１６】 従来の画像表示装置の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１７】 本発明による画像表示装置の画素の一実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１８】 本発明による画像表示装置の画素の一実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
ＳＵＢ１…透明基板、ＤＬ…ドレイン信号線、ＧＬ…ゲ
ート信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＳＶＬ…基準電位
線、ＢＬ…バスライン、ＳＬ、ＳＬｓ、ＳＬｓ１…給電
線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ
…対向電極、ＩＣＣ…半導体集積回路、ＦＰＣ…プリン
ト基板。
ート信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＳＶＬ…基準電位
線、ＢＬ…バスライン、ＳＬ、ＳＬｓ、ＳＬｓ１…給電
線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ
…対向電極、ＩＣＣ…半導体集積回路、ＦＰＣ…プリン
ト基板。
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フロントページの続き
(72)発明者 松田 正昭
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
(72)発明者 柳川 和彦
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H092 GA25 GA26 GA28 JB22 JB31
NA28 PA06
Claims (12)
- 【請求項１】 基板の画素形成側の面に並設された複数
のドレイン信号線が形成され、 前記各ドレイン信号線は、互いに隣接された複数のドレ
イン信号線毎にグループ化されているとともに、それぞ
れのグループ化された各ドレイン信号線の一端は互いに
収束されて延在されるとともに映像信号駆動回路を構成
する半導体集積回路の出力端子に接続され、 画素の集合体の少なくとも前記映像信号駆動回路側の外
輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するための
バスラインが形成され、 前記半導体集積回路の両脇から、グループ化されたドレ
イン信号線の外側を走行し、前記バスラインに接続され
る第１の給電線と、 前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグ
ループ化された該ドレイン信号線のほぼ中央部の個所に
至って、該バスラインに接続される第２の給電線とが形
成されていることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】 基板の画素形成側の面に並設された複数
のドレイン信号線が形成され、 前記各ドレイン信号線は、互いに隣接された複数のドレ
イン信号線毎にグループ化されているとともに、それぞ
れのグループ化された各ドレイン信号線の一端は互いに
収束されて延在されるとともに映像信号駆動回路を構成
する半導体集積回路の出力端子に接続され、 画素の集合体の少なくとも前記映像信号駆動回路側の外
輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するための
バスラインが形成され、 前記半導体集積回路の両脇から、グループ化されたドレ
イン信号線の外側を走行し、前記バスラインに接続され
る第１の給電線と、 前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグ
ループ化された該ドレイン信号線のほぼ中央部の個所に
至って、該バスラインに接続される第２の給電線と、 前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのうち前
記第１の給電線の接続部と前記第２の給電線の接続部の
間のバスラインに接続される第３の給電線とが形成され
ていることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項３】 第２の給電線は絶縁膜を介して前記ドレ
イン信号線とは異なる層で形成されていることを特徴と
する請求項１、２のいずれかに記載の画像表示装置。 - 【請求項４】 グループ化されたドレイン信号線の数は
偶数個となっていることを特徴とする請求項１、２のい
ずれかに記載の画像表示装置。 - 【請求項５】 基板の画素形成側の面に並設された複数
のゲート信号線が形成され、 前記各ゲート信号線は、互いに隣接された複数のゲート
信号線毎にグループ化されているとともに、それぞれの
グループ化された各ゲート信号線の一端は互いに収束さ
れて延在されるとともに走査信号駆動回路を構成する半
導体集積回路の出力端子に接続され、 画素の集合体の少なくとも前記走査信号駆動回路側の外
輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するための
バスラインが形成され、 前記半導体集積回路の両脇から、グループ化されたゲー
ト信号線の外側を走行し、前記バスラインに接続される
第１の給電線と、 前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグ
ループ化された該ゲート信号線のほぼ中央部の個所に至
って、該バスラインに接続される第２の給電線とが形成
されていることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項６】 基板の画素形成側の面に並設された複数
のゲート信号線が形成され、 前記各ゲート信号線は、互いに隣接された複数のゲート
信号線毎にグループ化されているとともに、それぞれの
グループ化された各ゲート信号線の一端は互いに収束さ
れて延在されるとともに走査信号駆動回路を構成する半
導体集積回路の出力端子に接続され、 画素の集合体の少なくとも前記走査信号駆動回路側の外
輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するための
バスラインが形成され、 前記半導体集積回路の両脇から、グループ化されたゲー
ト信号線の外側を走行し、前記バスラインに接続される
第１の給電線と、 前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのうちグ
ループ化された該ゲート信号線のほぼ中央部の個所に至
って、該バスラインに接続される第２の給電線と、 前記半導体集積回路の両脇から、該バスラインのうち前
記第１の給電線の接続部と前記第２の給電線の接続部の
間のバスラインに接続される第３の給電線とが形成され
ていることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項７】 第２の給電線は絶縁膜を介して前記ゲー
ト信号線とは異なる層で形成されていることを特徴とす
る請求項５、６のいずれかに記載の画像表示装置。 - 【請求項８】 グループ化されたゲート信号線の数は偶
数個となっていることを特徴とする請求項５、６のいず
れかに記載の画像表示装置。 - 【請求項９】 基板の画素形成側の面に並設された複数
の信号線が形成され、 前記各信号線は、互いに隣接された複数の信号線毎にグ
ループ化されているとともに、それぞれのグループ化さ
れた各信号線の一端は互いに収束されて延在されるとと
もに信号駆動回路を構成し前記基板に搭載された半導体
集積回路の出力端子に接続され、 画素の集合体の少なくとも前記信号駆動回路側の外輪郭
側に形成され、各画素に基準信号を供給するためのバス
ラインが形成され、 このバスラインには前記半導体集積回路の搭載領域に形
成された給電線を介して前記基準信号が供給されること
を特徴とする画像表示装置。 - 【請求項１０】 前記給電線は複数からなることを特徴
とする請求項９に記載の画像表示装置。 - 【請求項１１】 基板の画素形成側の面に並設された複
数の信号線が形成され、 前記各信号線は、互いに隣接された複数の信号線毎にグ
ループ化されているとともに、それぞれのグループ化さ
れた各信号線の一端は互いに収束されて延在されるとと
もに信号駆動回路を構成する半導体集積回路の出力端子
に接続され、 前記半導体集積回路は樹脂基板とこの樹脂基板に搭載さ
れる半導体チップと該樹脂基板の面に該半導体チップの
端子が引き出される配線層とを備えるものからなるとと
もに、 前記画素の集合体の少なくとも前記信号駆動回路側の外
輪郭側に形成され、各画素に基準信号を供給するための
バスラインが形成され、 このバスラインには前記半導体集積回路の樹脂基板面に
形成された給電線を介して前記基準信号が供給されるこ
とを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項１２】 前記給電線は前記半導体集積回路の樹
脂基板に形成された前記配線層とは反対側の面に形成さ
れていることを特徴とする請求項１１に記載の画像表示
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002139730A JP4005410B2 (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 画像表示装置 |
| TW092112326A TWI245144B (en) | 2002-05-15 | 2003-05-06 | Image display apparatus |
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