KR100506348B1 - 화상 표시장치 - Google Patents

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KR100506348B1
KR100506348B1 KR10-2003-0028556A KR20030028556A KR100506348B1 KR 100506348 B1 KR100506348 B1 KR 100506348B1 KR 20030028556 A KR20030028556 A KR 20030028556A KR 100506348 B1 KR100506348 B1 KR 100506348B1
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이시이마사히로
나카요시요시아키
마츠다마사아키
야나가와가즈히코
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가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈
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Abstract

본 발명은, 표시의 휘도 불균일이 없는 표시장치를 얻는 것이 목적이다.
기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 드레인 신호선이 형성되고, 상기 각 드레인 신호선은, 서로 인접된 드레인 신호선끼리 그룹화되어 있음과 동시에, 각각 그룹화된 각 드레인 신호선의 일단은 서로 수속(收束)되어 연장됨과 동시에 영상신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속하고, 화소 집합체의 적어도 상기 영상신호 구동회로측의 바깥 윤곽측에 형성되며, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되며, 상기 반도체 집적회로의 양옆에서 그룹화된 드레인 신호선의 외측을 주행하고, 상기 버스 라인에 접속되는 제1 급전선과, 상기 반도체 집적회로의 양옆에서 그 버스 라인중 그룹화된 그 드레인 신호선(DL)의 거의 중앙부의 개소(個所)에 도달하도록, 그 버스 라인에 접속되는 제2 급전선이 형성되어 있다.

Description

화상 표시장치{Image display apparatus}
본 발명은 화상 표시장치에 관한 것으로, 예를 들어 액정 표시장치 등의 화상 표시장치에 관한 것이다.
액정 표시장치는, 예를 들어 도 16에 나타내는 바와 같이, 기판(SUB1)의 화소형성측의 면(面)에 있어서, 병설된 복수의 게이트 신호선(GL)과 이들 각 게이트 신호선(GL)에 교차하여 병설된 복수의 드레인 신호선(DL)이 형성되고, 이들 각 신호선에 의해 둘러싸여진 각 영역에 화소가 형성되어 있다.
그 화소는, 도 16에서는 도시되어 있지 않지만, 게이트 신호선(GL)에서의 주사신호에 의해 동작하는 스위칭 소자(예를 들어 박막 트랜지스터)와, 이 스위칭 소자를 통해서 드레인 신호선(DL)에서의 영상신호가 공급되는 화소전극을 구비하고 있다.
또한, 각 게이트 신호선(GL)에 공급하는 주사신호는, 화소의 집합체인 액정표시부(AR)의 외측에 형성되는 주사신호 구동회로(V)에 의해 생성되고, 이 주사신호 구동회로(V)는, 서로 인접하는 복수의 게이트 신호선(GL)을 1 그룹으로 하고, 이들 각 그룹에 각각 담당되는 복수의 반도체 집적회로에 의해 구성되어 있다.
마찬가지로, 각 드레인 신호선(DL)에 공급하는 영상신호는, 역시 액정표시부(AR)의 외측에 형성되는 영상신호 구동회로(He)에 의해 생성되고, 이 영상신호 구동회로(He)는, 서로 인접하는 복수의 드레인 신호선(DL)을 1 그룹으로 하고, 이들 각 그룹에 각각 담당되는 복수의 반도체 집적회로에 의해 구성되어 있다.
또한, 각 화소에는, 상기 주사신호 및 영상신호 이외에 이들 신호에 대해서 기준이 되는 신호(기준신호)가 공급되는 경우가 있다. 예를 들어, 상기 화소전극과의 사이에 액정을 구동시키기 위해 전계를 발생시키는 대향전극으로 공급하기 위한 신호 혹은 상기 화소전극과의 사이에 용량을 형성하기 위해 용량신호선으로 공급하기 위한 신호 등이다.
이 경우, 상기 기준신호는, 상기 각 반도체장치의 양측에서, 그룹화된 신호선의 외측을 주행하고, 액정표시부(AR)의 바깥 윤곽부를 묘사하도록 하여 형성된 버스 라인(BL)에 접속되는 급전선(SL)을 통해서 행해지고 있다.
또, 상기 버스 라인(BL)은 각 화소의 각각에 도달하도록 하여 형성된 기준전위선(SVL)을 통해서 상기 대향전극 혹은 용량신호선에 접속되어 있다.
그러나, 이와 같이 구성된 액정 표시장치는, 상술의 각 그룹화된 신호선을 단위로 하여, 그 중앙부와 양측부에서 표시의 휘도 불균일이 발생하는 경우가 있는 것을 발견하기에 이르렀다.
이것을 규명한 결과, 상기 기준신호는, 상기 급전선(SL)에 의해 상기 각 반도체장치의 양측에서 그룹화된 각 신호선의 외측을 주행하여 버스 라인(BL)에 급전(給電)하고 있으므로, 그룹화된 각 신호선에 있어서, 그 중앙부와 양측부에서 급전 저항이 다르게 되기 때문인 것을 판명하였다.
본 발명은, 이와 같은 사정에 의거해서 이루어진 것으로서, 그 목적은 휘도 불균일이 없는 화상 표시장치를 제공하는데 있다.
본원에 있어서 개시되는 발명중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 이하와 같다.
수단 1.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 드레인 신호선이 형성되고,
상기 각 드레인 신호선은, 서로 인접된 복수의 드레인 신호선마다 그룹화되어 있음과 동시에, 각각의 그룹화된 각 드레인 신호선의 일단은 서로 수속(收束)되어 연장됨과 동시에 영상신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
화소 집합체의 적어도 상기 영상신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되고, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되며,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그룹화된 드레인 신호선의 외측을 주행하고, 상기 버스 라인에 접속되는 제1 급전선과,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그 버스 라인중 그룹화된 그 드레인 신호선의 거의 중앙부의 개소(個所)에 도달하도록, 그 버스 라인에 접속되는 제2 급전선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 2.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 드레인 신호선이 형성되고,
상기 각 드레인 신호선은, 서로 인접된 복수의 드레인 신호선마다 그룹화되어 있음과 동시에, 각각의 그룹화된 각 드레인 신호선의 일단은 서로 수속되어 연장됨과 동시에, 영상신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
화소 집합체의 적어도 상기 영상신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되고, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되며,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그룹화된 드레인 신호선의 외측을 주행하고, 상기 버스 라인에 접속되는 제1 급전선과,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그 버스 라인중 그룹화된 그 드레인 신호선의 거의 중앙부의 개소에 도달하도록, 그 버스 라인에 접속되는 제2 급전선과,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그 버스 라인중 상기 제1 급전선의 접속부와 상기 제2 급전선의 접속부의 사이의 버스 라인에 접속되는 제3 급전선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 3.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어, 수단 1 혹은 수단 2의 구성을 전제로 하고, 상기 제2 급전선은 절연막을 통해서 상기 드레인 신호선과는 다른 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 4.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어, 수단 1 혹은 수단 2의 구성을 전제로 하고, 그룹화된 드레인 신호선의 수는 우수(偶數)개로 되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 5.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 게이트 신호선이 형성되고,
상기 각 게이트 신호선은, 서로 인접된 복수의 게이트 신호선마다 그룹화되어 있음과 동시에, 각각의 그룹화된 각 게이트 신호선의 일단은 서로 수속되어 연장됨과 동시에 주사신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
화소 집합체의 적어도 상기 주사신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되며, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되고,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그룹화된 게이트 신호선의 외측을 주행하고, 상기 버스 라인에 접속되는 제1 급전선과,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그 버스 라인중 그룹화된 그 게이트 신호선의 거의 중앙부의 개소에 도달하도록, 그 버스 라인에 접속되는 제2 급전선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 6.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 게이트 신호선이 형성되고,
상기 각 게이트 신호선은, 서로 인접된 복수의 게이트 신호선마다 그룹화되어 있음과 동시에, 각각의 그룹화된 각 게이트 신호선의 일단은 서로 수속되어 연장됨과 동시에 주사신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
화소 집합체의 적어도 상기 주사신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되며, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되고,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그룹화된 게이트 신호선의 외측을 주행하고, 상기 버스 라인에 접속되는 제1 급전선과,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그 버스 라인중 그룹화된 그 게이트 신호선의 거의 중앙부의 개소에 도달하도록, 그 버스 라인에 접속되는 제2 급전선과,
상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그 버스 라인중 상기 제1 급전선의 접속부와 상기 제2 급전선의 접속부의 사이의 버스 라인에 접속되는 제3 급전선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 7.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어, 수단 5 혹은 수단 6의 구성을 전제로 하고, 상기 제2 급전선은 절연막을 통해서 상기 게이트 신호선과는 다른 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 8.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어, 수단 5 혹은 수단 6의 구성을 전제로 하고, 그룹화된 게이트 신호선의 수는 우수개로 되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 9.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 신호선이 형성되고,
상기 각 신호선은, 서로 인접된 복수의 신호선마다 그룹화되어 있음과 동시에, 각각의 그룹화된 각 신호선의 일단은 서로 수속되어 연장됨과 동시에 신호 구동회로를 구성하여 상기 기판에 탑재된 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
화소 집합체의 적어도 상기 신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되며, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되고,
이 버스 라인에는 상기 반도체 집적회로의 탑재영역에 형성된 급전선을 통해서 상기 기준신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 10.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어, 상기 급전선은 복수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 11.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 신호선이 형성되고,
상기 각 신호선은, 서로 인접된 복수의 신호선마다 그룹화되어 있음과 동시에, 각각의 그룹화된 각 신호선의 일단은 서로 수속되어 연장됨과 동시에 신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
상기 반도체 집적회로는 수지 기판과 이 수지 기판에 탑재되는 반도체 칩과 그 수지 기판의 면에 그 반도체 칩의 단자가 인출되는 배선층을 구비하는 것으로 이루어짐과 동시에,
상기 화소 집합체의 적어도 상기 신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되고, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되며,
이 버스 라인에는 상기 반도체 집적회로의 수지 기판 면에 형성된 급전선을 통해서 상기 기준신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 것이다.
수단 12.
본 발명에 의한 화상 표시장치는, 예를 들어, 수단 11의 구성을 전제로 하고, 상기 급전선은 상기 반도체 집적회로의 수지 기판에 형성된 상기 배선층과는 반대측의 면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명은 이상의 구성에 한정되지 않고, 본 발명의 기술사상을 이탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경 가능하다. 예를 들어, 상술한 수단에 있어서, 반도체 집적회로의 양옆에서, 버스 라인중 그룹화된 드레인 신호선의 거의 중앙부의 개소에 도달하도록, 버스 라인에 접속되는 제2 급전선이 형성되어 있는 것으로 하였지만, 제2 급전선을 반도체 집적회로에서 2개의 제1 급전선의 사이에 배치하여 버스 라인에 접속하는 구성이라도 된다. 이 경우, 제2 급전선은, 2개의 제1 급전선이 접속된 버스 라인의 중앙 부근에 접속하는 것이 그 중앙부와 양옆부에서의 표시 불균일의 발생을 억제하는 점에서 바람직하다.
이하, 본 발명에 의한 화상 표시장치의 실시예를 도면을 이용해서 설명을 한다.
실시예 1.
도 1의 (a)는, 본 발명에 의한 화상 표시장치의 일실시예를 나타내는 개략 구성도이고, 도 16과 대응한 도면으로 되어 있다.
도 16의 경우와 비교하여 다른 구성은, 영상신호 구동회로(He)를 구성하는 반도체 집적회로의 양측에 형성되는 각 급전선(SL)의 각각은, 그룹화된 드레인 신호선(DL)의 외측을 주행하고, 버스 라인(BL)에 접속되는 것과는 별개로 그 버스 라인(BL)중 그룹화된 그 드레인 신호선(DL)의 거의 중앙부의 개소에도 접속되는 급전선(SLs)이 새롭게 형성되어 있게 된다.
이 급전선(SLs)은 절연막을 통해서 드레인 신호선(DL)과는 다른 층으로서 형성되고, 이것에 의해 그 드레인 신호선(DL)과는 절연되어 형성되어 있다.
도시하는 바와 같이, 그룹화된 각 드레인 신호선(DL)은, 영상신호 구동회로(He)의 반도체 집적회로와 접속되는 근방에 있어서, 서로 수속(收束)되도록 하여 연장되고, 그 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되도록 되어 있다.
그 반도체 집적회로의 출력단자의 피치가 드레인 신호선(DL)의 피치보다도 작게 형성되어 있으므로, 상술한 바와 같은 수속부를 갖는 구성으로 되어 있다.
이 때문에, 그룹화된 드레인 신호선(DL)의 외측을 주행하는 급전선(SL)은, 그 반도체 집적회로측에서 버스 라인(BL)측에 걸쳐 아직 퍼져 있지 않은 형태로 형성되고, 또한 본 실시예에서 개별로 형성된 급전선(SLs)은, 그룹화된 드레인 신호선(DL)의 거의 중앙으로 지향(指向)되어 서로 수속하도록 해서 형성되어 있다.
도 1의 (b)의 c-c선에서의 단면도에 나타내는 바와 같이, 상기 드레인 신호선(DL)은 절연막(GI)의 상층에 형성되어 있다. 또한, 상기 급전선(SLs)은 상기 절연막(GI)의 하층에 형성되고, 다른 급전선(SL) 및 버스 라인(BL)과 일체로 형성되어 있다.
이와 같이 구성함으로써, 상기 버스 라인(BL)은 그 길이 방향에 따라 짧은 간격으로, 더구나 그 간격은 거의 동등하게 되어 있으므로, 전위차의 불균일 없이 균등하게 기준전압이 공급되게 된다. 이 때문에, 그 버스 라인(BL)에서 각 화소에 불균일하지 않게 균일한 기준전압이 공급되게 된다.
도 17의 (a)는 서로 인접하는 게이트 신호선(GL)과 서로 인접하는 드레인 신호선(DL)으로 둘러싸인 화소 영역의 구성의 일실시예를 나타내는 평면도이다. 또한, 도 17의 (b)는 도 17의 (a)의 b-b선에서의 단면을 나타내는 도면이다.
동 도면에 있어서, 투명 기판(SUB1)의 액정측의 면에, 우선, x방향으로 연장되고 y방향으로 병설되는 한쌍의 게이트 신호선(GL)이 형성되어 있다.
이들 게이트 신호선(GL)은 후술의 한쌍의 드레인 신호선(DL)과 함께 사각형 형상의 영역을 둘러싸도록 되어 있고, 이 영역을 화소 영역으로 하여 구성하도록 되어 있다.
이와 같이 게이트 신호선(GL)이 형성된 투명 기판(SUB1)의 표면에는 예를 들어 SiN으로 이루어지는 절연막(GI)이 그 게이트 신호선(GL)을 덮어 형성되어 있다.
이 절연막(GI)은, 후술의 드레인 신호선(DL)의 형성영역에 있어서 상기 게이트 신호선(GL)에 대한 층간절연막으로서의 기능을, 후술의 박막 트랜지스터(TFT)의 형성영역에서는 그 게이트 절연막으로서의 기능을 갖도록 되어 있다.
그리고, 이 절연막(GI)의 표면에서, 상기 게이트 신호선(GL)의 일부에 중첩하도록 하여 예를 들어 아모르퍼스 Si로 이루어지는 반도체층(As)이 형성되어 있다.
이 반도체층(As)은, 박막 트랜지스터(TFT) 그것에서, 그 상면에 드레인 전극(SD1) 및 소스 전극(SD2)을 형성함으로써, 게이트 신호선의 일부를 게이트 전극으로 하는 역(逆)스태커 구조의 MIS형 박막 트랜지스터를 구성할 수 있다.
여기서, 상기 드레인 전극(SD1) 및 소스 전극(SD2)은 드레인 신호선(DL)의 형성시와 동시에 형성되도록 되어 있다.
즉, y방향으로 연장되고 x방향으로 병설되는 드레인 신호선(DL)이 형성되고, 그 일부가 상기 반도체층(As)의 상면에까지 연장되어 드레인 전극(SD1)이 형성되며, 또한 이 드레인 전극(SD1)과 박막 트랜지스터(TFT)의 채널 길이분 만큼 이간되어 소스 전극(SD2)이 형성되어 있다.
또한, 이 소스 전극(SD2)은 화소 영역내에 형성되는 화소전극(PX)과 일체로 형성되어 있다.
즉, 화소전극(PX)은 화소영역내를 그 y방향으로 연장되고 x방향으로 병설된 복수(도면에서는 2개)의 전극군으로 구성되어 있다. 이중 하나의 화소전극(PX)의 한쪽의 단부는 상기 소즈 전극(SD2)을 겸하고, 다른쪽의 단부에서는 다른 화소전극(PX)의 대응하는 개소에서 서로 전기적 접속이 도모되도록 되어 있다.
이와 같이 박막 트랜지스터(TFT), 드레인 신호선(DL), 드레인 전극(SD1), 소스 전극(SD2) 및 화소전극(PX)이 형성된 투명 기판(SUB1)의 표면에는 보호막(PAS)이 형성되어 있다. 이 보호막(PAS)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 액정과 직접 접촉을 회피하는 막으로, 그 박막 트랜지스터(TFT)의 특성 열화를 방지수단으로 하도록 되어 있다.
또, 이 보호막(PAS)은 수지 등의 유기재료층, 혹은 SiN과 같은 무기재료층과 수지 등의 유기재료층의 순차 적층체로 구성되어도 된다. 도 17의 경우에는, 무기재료층으로 이루어지는 보호막(PAS1)과 수지 등의 유기재료층으로 이루어지는 보호막(PAS2)의 순차 적층체로 구성되어 있다. 이와 같이 보호막(PAS)으로서 적어도 유기재료층을 이용하는 것은 보호막 자체의 유전율을 저감시키는데 있다.
보호막(PAS)의 상면에는 대향전극(CT)이 형성되어 있다. 이 대향전극(CT)은 전술의 화소전극(PX)과 마찬가지로 y방향으로 연장되고 x방향으로 병설된 복수(도면에서는 3개)의 전극군으로 구성되며, 또 그들 각 전극은 평면적으로 본 경우, 상기 화소전극(PX)의 사이에 위치하게 되도록 되어 있다.
즉, 대향전극(CT)과 화소전극(PX)은, 한쪽 측의 드레인 신호선에서 다른쪽 측의 드레인 신호선에 걸쳐, 대향전극, 화소전극, 대향전극, 화소전극,…, 대향전극의 순서로 각각 등간격으로 배치되어 있다.
여기서, 화소 영역의 양측에 위치하게 되는 대향전극(CT)은, 그 일부가 드레인 신호선(DL)에 중첩되어 형성되어 있음과 동시에, 인접하는 화소 영역의 대응하는 대향전극(CT)과 공통으로 형성되어 있다.
환언하면, 드레인 신호선(DL) 위에는 대향전극(CT)이 그 중심축을 거의 일치시켜 중첩되고, 그 대향전극(CT)의 폭은 드레인 신호선(DL)의 그것보다도 크게 형성되어 있다. 드레인 신호선(DL)에 대해서 좌측의 대향전극(CT)은 좌측의 화소 영역의 각 대향전극(CT)의 하나를 구성하고, 우측의 대향전극(CT)은 우측의 화소 영역의 각 대향전극(CT)의 하나를 구성하도록 되어 있다.
이와 같이 드레인 신호선(DL)의 상방에서 그 드레인 신호선(DL)보다도 폭이 넓은 대향전극(CT)을 형성함으로써, 그 드레인 신호선(DL)에서의 전기력선이 그 대향전극(CT)에 종단하고 화소전극(PX)에 종단하는 것을 회피할 수 있다는 효과를 나타낸다. 드레인 신호선(DL)에서의 전기력선이 화소전극(PX)에 종단한 경우, 그것이 노이즈로 되어버리기 때문이다.
전극군으로 이루어지는 각 대향전극(CT)은, 게이트 신호선(GL)을 충분히 덮어 형성되는 동일한 재료로 이루어지는 대향전압 신호선(CL)과 일체로 형성되고, 이 대향전압 신호선(CL)을 통해서 기준전압이 공급되도록 되어 있다. 또, 이 대향전압 신호선(CL)은 상기 기준전위선(SVL)으로 기능하게 된다.
또, 이 대향전극(CT)과 대향전압 신호선(CL)은, 예를 들어 화소의 개구율을 향상시키기 위해, ITO(Indium Tin Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2(산화주석), In2O3(산화인듐) 등의 투광성의 도전재료로 형성되어 있다.
게이트 신호선(GL)을 충분히 덮어 형성되는 대향전압 신호선(CL)은, 그 게이트 신호선(GL)에서 돌출한 부분에 있어서, 그 하층에 상기 각 화소전극(PX)의 접속부가 위치하게 되고, 이것에 의해 화소전극(PX)과 대향전압 신호선(CL)과의 사이에 보호막(PAS)을 유전체막으로 하는 용량소자(Cstg)가 형성되어 있다.
이 용량소자(Cstg)는, 예를 들어 화소전극(PX)으로 공급된 영상신호를 비교적 길게 축적시키는 등의 기능을 갖도록 되어 있다.
그리고, 이와 같이 대향전극(CT)이 형성된 투명 기판(SUB1)의 상면에는 그 대향전극(CT)을 덮어 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 이 배향막은 액정과 직접 맞닿는 막이고, 그 표면에 형성된 러빙에 의해 그 액정 분자의 초기 배향방향을 결정하도록 되어 있다.
실시예 2.
도 2는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 구성도이고, 도 1의 (b)에 대응한 도면으로 되어 있다.
도 1의 (b)의 경우와 다른 구성은, 그룹화되는 드레인 신호선(DL)의 수를 우수개로 하고 있는 것에 있다.
이와 같이 하는 것에 의해, 급전선(SLs)의 버스 라인(BL)과의 접속부는, 서로 인접하는 드레인 신호선(DL)의 사이로 되어, 한쪽 측(예를 들어 도면중 우측)의 급전선(SLs)에 중첩되는 드레인 신호선(DL)의 수와 다른쪽 측(예를 들어 도면중 좌측)의 급전선(SLs)에 중첩되는 드레인 신호선(DL)의 수를 동일하게 할 수 있다.
이것은, 한쪽 측의 급전선(SLs)과 그것에 중첩되는 드레인 신호선(DL)과의 사이의 기생용량과 다른쪽 측의 급전선(SLs)과 그것에 중첩되는 드레인 신호선(DL)과의 사이의 기생용량을 동등하게 할 수 있으므로, 그 기생용량에 의한 표시의 휘도 불균일을 저감할 수 있는 효과를 나타낸다.
또, 그룹화되는 드레인 신호선(DL)의 수로서, 예를 들어 128, 258, 300, 384, 480개 등이 선택된다.
실시예 3.
도 3의 (a)는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 구성도이고, 도 2에 대응한 도면으로 되어 있다. 또한, 도 3의 (a)의 b-b선에서의 단면도를 도 3의 (b)에 나타내고 있다.
도 2의 경우와 비교하여 다른 구성은, 급전선(SLs)을 더 증가시킨 것이고, 반도체 집적회로의 양옆으로부터 상기 버스 라인(BL)에서, 상기 급전선(SL)의 접속부와 도 1에 나타낸 급전선(SLs)의 접속부의 사이의 버스 라인(BL)에 도달하도록 접속되는 새로운 급전선(SLs)이 형성되어 있는 것에 있다.
이와 같은 구성은, 그룹화되는 드레인 신호선(DL)의 수가 예를 들어 258, 300, 384, 480개와 비교적 많은 경우에 있어서 효과적으로 된다.
실시예 4.
도 4는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 구성도이고, 도 3의 (b)에 대응한 도면으로 되어 있다.
도 3의 (b)의 경우와 비교하여 다른 구성은, 각 급전선(SL, SLs, SLs1)에 있어서, 그들의 폭을 길이에 따라서 광폭으로 하고 있는 것에 있다.
즉, 평면도와의 대응에서, 폭(W2)에 상당하는 급전선(SLs1)이 가장 짧으므로, 급전선(SL)의 폭(W1), 급전선(SLs)의 폭(W3)〉급전선(SLs1)의 폭(W2)의 관계를 갖는 것에 의해, 각 급전선(SL, SLs, SLs1)의 각각의 급전 저항에 의해 보다 균일하게 하고 있다.
또한, 이것에 한정되지 않고, 길이의 순서로 하여도 된다. 즉, 폭(W1)에 상당하는 급전선(SL)이 가장 긴 경우는, 급전선(SL)의 폭(W1)〉급전선(SLs)의 폭(W3)〉급전선(SLs1)의 폭(W2)의 관계를 갖도록 하여도 된다.
실시예 5.
도 5의 (a)는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 3의 (a)에 대응한 도면으로 되어 있다. 또한, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 b-b선에서의 단면도를 나타내고 있다.
도 3의 (a)의 경우와 비교하여 다른 구성은, 드레인 신호선(DL)의 상면에는 보호막(PAS)이 형성되고, 이 보호막(PAS) 위에 급전선(SLs)이 형성되어 있는 것에 있다. 또한, 버스 라인(BL), 급전선(SL) 및 급전선(SLs1)은 각각 투명 기판(SUB1)과 절연막(GI)과의 사이에 형성되어 있다.
보호막(PAS) 위에 형성된 급전선(SLs)은, 그 양단에 있어서, 그 보호막(PAS) 및 상기 절연막(GI)을 관통하여 형성되는 스루홀을 통해서 급전선(SL) 및 버스 라인(BL)에 각각 접속되어 있다.
이 경우, 상기 보호막(PAS)을 유기재료층 혹은 무기재료층 및 유기재료층의 적층체로 하는 것에 의해, 드레인 신호선(DL)과 급전선(SLs)과의 교차 용량을 저감시킬수 있다.
또한, 상기 급전선(SLs)을 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2(산화주석), In2O3(산화인듐) 등의 투광성의 도전재료로 하는 것에 의해, 각 드레인 신호선(DL)을 눈으로 볼 수 있게 되어, 그들의 단락이 발생한 때의 수복을 용이하게 할 수 있는 효과를 나타낸다.
실시예 6.
도 6은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 구성도이고, 도 6의 (a)는 평면도, 도 6의 (b)는 주사신호 구동회로의 반도체 집적회로의 주변에서의 확대도, 도 6의 (c)는 도 6의 (b)의 c-c선에서의 단면도이다.
본 실시예는, 주사신호 구동회로의 반도체 집적회로의 주변에 있어서 상술한 각 실시예를 적용시킨 것이다. 즉, 급전선(SL) 이외에 급전선(SLs)도 설치한 구성으로 되어 있다.
이 경우, 게이트 신호선(GL)은 투명 기판(SUB1)과 절연막(GI)과의 사이에 형성되어 있으므로, 예를 들어 급전선(SL) 및 기준전위 신호선(SVL)도 그것과 같은 층에서 형성하고, 급전선(SLs)은 절연막(GI)의 상면에 형성하고 있다.
그리고, 급전선(SLs)의 급전선(SL)과 버스 라인(BL)과의 접속은, 보호막(PAS)의 표면에서 형성한 스루홀부에 설치되는 접속전극(THCT)에 의해 행해지고 있다.
실시예 7.
도 7은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 6의 (b)에 대응한 도면으로 되어 있다.
도 6의 (b)의 경우와 비교하여 다른 구성은, 그룹화되는 게이트 신호선(GL)의 갯수를 128, 258, 300, 384, 480개와 같이 우수개로 하고 있는 것에 있다.
이것에 의해, 반도체 집적회로의 양측에서 연장되는 각 급전선(SLs)은 게이트 신호선(GL)의 사이의 영역에 수속되고, 이것에 의해, 각각의 급전선(SLs)과 이것에 정상되는 각 게이트 신호선(GL)과의 기생용량의 밸런스가 취해지게 되어, 표시에서의 휘도 불균일을 방지할 수 있다.
실시예 8.
도 8은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 7에 대응한 도면으로 되어 있다.
도 7의 경우와 비교하여 다른 구성은, 급전선(SLs) 이외에 급전선(SLs1)도 설치하고 있는 것에 있다.
실시예 9.
도 9는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 6에 대응한 도면으로 되어 있다.
도 6의 경우와 비교하여 다른 구성은, 영상신호 구동회로의 반도체 집적회로의 주변 및 주사신호 구동회로의 반도체 집적회로의 주변의 각각에 있어서, 급전선(SLs)을 새롭게 설치하고 있는 것에 있다.
이것에 의해, 기준전위선(SVL)의 각각에 있어서 균일하게 기준신호를 공급할 수 있는 효과를 나타낸다.
실시예 10.
상술한 각 실시예에서는, 모두 대향전극(CT)이 보호막(PAS)의 상층에 형성된 소위 횡전계방식의 액정 표시장치에 대해서 설명한 것이지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 도 18에 나타내는 바와 같이, 그 대향전극(CT)이 예를 들어 게이트 신호선(GL)과 같은 층에 형성된 액정 표시장치에 대해서도 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
화소의 구성이 다를 뿐이고, 영상신호 구동회로(He) 및 주사신호 구동회로(V)의 주변에서의 구성은 거의 같기 때문이다.
여기서, 도 18에 나타내는 액정 표시장치의 화소의 구성은, 상술한 바와 같이 게이트 신호선(GL)과 같은 층에 형성된 대향전극(CT)은 도면중 좌우에 인접하는 다른 화소에까지 이르러 형성되는 대향전압 신호선(CL)과 전기적으로 접속되고, 이 대향전압 신호선(CL)이 상술한 기준전위선(SVL)으로 기능하게 된다.
또, 동 도면에 있어서, 대향전극(CT)에 대해서 화소전극(PX)은 절연막을 통해서 다른 층에서 형성되고, 이들 각 전극은 한쪽의 드레인 신호선(DL)에서 다른쪽의 드레인 신호선(DL)에 걸쳐 대향전극(CT), 화소전극(PX), 대향전극(CT), 화소전극(PX), 대향전극(CT)과 같이 배열 되어 있다.
또한, 화소내에 상기 대향전압 신호선(CL)과 거의 같은 구성으로 형성되는 용량신호선이 형성된 액정 표시장치에 있어서, 이 용량신호선을 상기 기준전위선으로 적용시키는 것도 가능하다.
이 용량신호선은 각 화소에 있어서, 화소전극(PX)과의 사이에 용량소자를 구성하는 것이므로, 그 용량신호선에 영상신호에 대해서 기준이 되는 전압신호를 공급할 필요가 있기 때문이다.
게다가, 같은 취지로, 이들 액정 표시장치에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 유기 EL(Electro Luminescence) 소자 등의 다른 화상 표시장치에도 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
실시예 11.
도 10의 (a)는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이다. 도 10의 (b)는 도 10의 (a)의 b-b선에서의 단면도를 나타내고 있다. 상술한 각 실시예는, 버스 라인(BL)에 급전을 행하는 급전선(SL, SLs)은 모두 반도체 집적회로장치의 양측으로부터 행한 것이다. 그러나, 그들은 도 10에 나타내는 바와 같이, 그 반도체 집적회로장치의 하방을 주행하도록 하여도 좋은 것은 말할 필요도 없다.
즉, 투명 기판(SUB1)의 주변에 배치되고 그 단자가 그 투명 기판(SUB1)의 단자에 접속되는 예를 들어 플렉서블한 프린트 기판(FPC)이 있고, 이 프린트 기판(FPC)측에서 급전되는 급전선(SL, SLs)이 그 투명 기판(SUB1)의 표면에 형성되어 있다.
이들 급전선(SL, SLs)은, 반도체 집적회로(ICC)를 교차하도록 그 반도체 집적회로(ICC)의 하방을 주행하도록 하여 형성되어 있다. 그 반도체 집적회로(ICC)는 투명 기판(SUB1)에 대해서 소위 페이스 다운 본딩되어 탑재되어 있다.
그리고, 급전선(SL, SLs)은 그들과 같은 층에 형성되어 있는 버스 라인(BL)과 일체로 형성되어 있다.
또한, 급전선(SL, Sls) 및 버스 라인(BL)은 절연막(GI)의 하층에 형성되고, 그 절연막(GI)의 상층에는 예를 들어 드레인 신호선(DL)이 형성되어 있다.
이와 같이 한 경우도, 그 버스 라인(BL)에는 비교적 좁은 간격으로 기준신호의 급전이 가능하므로, 각 기준전위선(SVL)에는 불균일하지 않게 급전할 수 있게 된다.
실시예 12.
도 11은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 10의 (a)와 대응한 도면으로 되어 있다.
도 10의 (a)의 경우와 비교하여 다른 구성은, 급전선(SLs)과 급전선(SL)과의 사이에 또 급전선(SLs1)을 새롭게 설치하고 있는 것에 있다.
실시예 13.
도 12는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 10과 대응한 도면으로 되어 있다.
도 10의 경우와 비교하여 다른 구성은, 버스 라인(BL)에 접속되는 급전선(SLs)의 일단이, 반도체 집적회로(ICC)의 하방에서, 한쌍의 급전선(SL)을 서로 접속시키는 비교적 광폭의 배선층(SLg)에 접속시키는 것에 있다.
이와 같이 한 경우, 프린트 기판(FPC)측에 있어서 급전선(SLs)에 급전시키기 위한 배선층을 저감시킬수 있게 된다.
실시예 14.
도 13의 (a)는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 12와 대응한 도면으로 되어 있다. 또한, 도 13의 (b)는 도 13의 (a)의 b-b선에서의 단면도를 나타내고 있다.
도 12의 경우와 비교하여 다른 구성은, 도 12에 나타내는 배선층(SLg)을, 반도체 집적회로(ICC)의 하방뿐만 아니라, 프린트 기판(FPC)의 하방에 형성하고 있는 것에 있다.
이와 같이 구성한 경우, 프린트 기판(FPC)의 단자를 증가시키지 않아도 되게 된다. 또한, 반도체 집적회로(ICC)의 입출력단자가 환상(環狀)의 기준전위로 둘러싸여지게 되기 때문에, 정전기에 의한 그 반도체 집적회로(ICC)의 파괴를 회피할 수 있게 된다.
또, 본 실시예에서는, 투명 기판(SUB1)측에 형성된 드레인 신호선(DL) 혹은 게이트 신호선(GL)과 급전선(SL)과는 층을 다르게 하여 형성되고, 보호막(PAS)의 표면으로 인출된 전극의 각각은, 프린트 기판(FPC)과의 사이에 개재된 이방성 도전막(ACF)에 의해, 그 프린트 기판(FPC) 면의 단자와 접속되어 있다.
여기서, 이방성 도전막(ACF)은 다수의 도전 비즈가 산재되어 혼입되는 수지막으로 구성되어 있다.
실시예 15.
도 14는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이다. 본 실시예에서는, 예를 들어 영상신호 구동회로의 반도체 집적회로(ICC)는 소위 테이프 캐리어 방식으로 구성된 것으로 되어 있다.
즉, 반도체 칩(SC)이 본딩되어 탑재되는 플렉서블한 수지 기판(PB)의 표면에, 그 반도체 칩(SC)의 범프를 인출하는 배선층(WL)이 형성되어 있고, 그 배선층(WL)은 상기 수지 기판(PB)의 일변부 및 이 일변부에 대향하는 다른 일변부에 각각 단자를 갖도록 형성되어 있다.
이와 같은 반도체 집적회로(ICC)는, 투명 기판(SUB1)과 이 투명 기판(SUB1)과 약간 이간되어 배치되는 프린트 기판(PCB)와의 사이에 걸쳐 배치되고, 상기 일변부의 각 단자는 투명 기판(SUB1)측의 각 단자에, 또한 상기 다른 일변부의 각 단자는 프린트 기판(PCB)측의 각 단자에 접속되도록 되어 있다.
그리고, 이 반도체 집적회로(ICC)는, 그 수지 기판(PB)의 상기 배선층(WL)이 형성된 면과 반대측의 면에 있어서, 투명 기판(SUB1)측에 형성된 급전선(SL, SLs)에 접속되는 다른 배선층(XL)이 형성되어 있다.
즉, 급전선(SL, SLs)에 접속되는 다른 배선층(XL)은, 수지 기판(PB)에 본래 형성되어야 하는 신호선(WL)의 배치에 구속되지 않고 자유로운 레이아웃으로 형성할 수 있게 된다.
이 경우, 각 급전선(SL)의 각각을 접속시키는 배선층(XL)은 배선층(SLg)에 의해 서로 접속되어 있다.
실시예 16.
도 15의 (a)는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 평면도이고, 도 14에 대응한 도면으로 되어 있다. 또한, 도 15의 (b)는 도 15의 (a)의 b-b선에서의 단면도이다.
도 14의 경우와 비교하여 다른 구성은, 각 급전선(SL)의 각각을 접속시키는 배선층(XL)은 투명 기판(SUB1)측에 형성되어 있는 것에 있다.
실시예 17.
상술한 각 실시예는, 여러가지의 액정 표시장치 혹은 이들 액정 표시장치에 한정되는 것은 아니고, 다른 화상 표시장치에 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
이상 설명한 것으로부터 명백해진 바와 같이, 본 발명에 의한 화상 표시장치에 의하면, 표시의 휘도 불균일이 없는 것을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 일실시예를 나타내는 구성도,
도 2는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 평면도,
도 3은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 구성도,
도 4는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 단면도,
도 5는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 단면도,
도 6은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 단면도,
도 7은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 평면도,
도 8은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 평면도,
도 9는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 평면도,
도 10은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 구성도,
도 11은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 평면도,
도 12는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 평면도,
도 13은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 구성도,
도 14는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 평면도,
도 15는 본 발명에 의한 화상 표시장치의 다른 실시예를 나타내는 주요부 구성도,
도 16은 종래 화상 표시장치의 일예를 나타내는 평면도,
도 17은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 화소의 일실시예를 나타내는 구성도,
도 18은 본 발명에 의한 화상 표시장치의 화소의 일실시예를 나타내는 평면도이다.

Claims (14)

  1. 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 드레인 신호선을 가지고,
    상기 각 드레인 신호선은, 서로 인접된 복수의 드레인 신호선마다 그룹화되며, 각각의 그룹화된 각 드레인 신호선의 일단은 서로 수속(收束)되고 연장되어 영상신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
    화소 집합체의 적어도 상기 영상신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되고, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인을 가지고,
    상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그룹화된 드레인 신호선의 외측에 따라 배치하고, 상기 버스 라인에 접속한 제1 급전선(給電線)과,
    상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 상기 버스 라인중 그룹화된 상기 드레인 신호선의 거의 중앙부의 개소(個所)를 향해서, 상기 버스 라인에 접속한 제2 급전선을 가지는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 상기 버스 라인중 상기 제1 급전선의 접속부와 상기 제2 급전선의 접속부의 사이의 버스 라인에 접속한 제3 급전선을 더 가지는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    제2 급전선은 절연막을 통해서 상기 드레인 신호선과는 다른 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    그룹화된 드레인 신호선의 수는 우수(偶數)개로 되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  5. 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 게이트 신호선이 형성되고,
    상기 각 게이트 신호선은, 서로 인접된 복수의 게이트 신호선마다 그룹화되며, 각각의 그룹화된 각 게이트 신호선의 일단은 서로 수속(收束)되고 연장되어 주사신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
    화소 집합체의 적어도 상기 주사신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되고, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인을 가지고,
    상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그룹화된 게이트 신호선의 외측에 따라, 상기 버스 라인에 접속되는 제1 급전선과,
    상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 상기 버스 라인중 그룹화된 상기 게이트 신호선의 거의 중앙부의 개소를 향해서, 상기 버스 라인에 접속되는 제2 급전선을 가지는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 상기 버스 라인중 상기 제1 급전선의 접속부와 상기 제2 급전선의 접속부의 사이의 버스 라인에 접속되는 제3 급전선을 더 가지는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    제2 급전선은 절연막을 통해서 상기 게이트 신호선과는 다른 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    그룹화된 게이트 신호선의 수는 우수개로 되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  9. 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 신호선을 가지고,
    상기 각 신호선은, 서로 인접된 복수의 신호선마다 그룹화되며, 각각의 그룹화된 각 신호선의 일단은 서로 수속(收束)되고 연장되어 신호 구동회로를 구성하고 상기 기판에 탑재된 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
    화소 집합체의 적어도 상기 신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되고, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인을 가지고,
    상기 버스 라인에는 상기 반도체 집적회로의 탑재 영역에 형성된 급전선을 통해서 상기 기준신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 급전선은 복수개의 급전선으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  11. 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 신호선을 가지고,
    상기 각 신호선은, 서로 인접된 복수의 신호선마다 그룹화되며, 각각의 그룹화된 각 신호선의 일단은 서로 수속(收束)되고 연장되어 신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
    상기 반도체 집적회로는, 수지 기판과, 상기 수지 기판에 탑재되는 반도체 칩과, 상기 수지 기판의 면에 상기 반도체 칩의 단자가 인출되는 배선층을 가지고 구성되고,
    상기 화소 집합체의 적어도 상기 신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에는, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인이 형성되며,
    상기 버스 라인에는, 상기 반도체 집적회로의 수지 기판 면에 형성된 급전선을 통해서 상기 기준신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 급전선은 상기 반도체 집적회로의 수지 기판에 형성된 배선층과는 반대측의 면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  13. 기판의 화소형성측의 면에 병설된 복수의 드레인 신호선을 가지고,
    상기 각 드레인 신호선은, 서로 인접된 복수의 드레인 신호선마다 그룹화되며, 각각의 그룹화된 각 드레인 신호선의 일단은 서로 수속(收束)되고 연장되어 영상신호 구동회로를 구성하는 반도체 집적회로의 출력단자에 접속되며,
    화소 집합체의 적어도 상기 영상신호 구동회로측의 바깥 윤곽부측에 형성되고, 각 화소에 기준신호를 공급하기 위한 버스 라인을 가지고,
    상기 반도체 집적회로의 양옆에서, 그룹화된 게이트 신호선의 외측에 따라 배치하고, 상기 버스 라인에 접속한 2개의 제1 급전선과,
    상기 반도체 집적회로에서, 상기 2개의 제1 급전선의 사이에 배치하여, 상기 버스 라인에 접속한 제2 급전선을 가지는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 급전선은, 상기 2개의 제1 급전선이 접속된 버스 라인의 중앙 부근에 접속되어 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100435188C (zh) * 2004-03-30 2008-11-19 三洋电机株式会社 显示装置
JP4148182B2 (ja) * 2004-05-17 2008-09-10 ソニー株式会社 表示装置
JP4449953B2 (ja) 2006-07-27 2010-04-14 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
JP5260912B2 (ja) * 2007-07-31 2013-08-14 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置
JP5131092B2 (ja) * 2008-08-28 2013-01-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN102103428B (zh) * 2009-12-18 2013-01-02 群康科技(深圳)有限公司 触控显示装置的软性电路板结合方法及触控显示装置
KR102107383B1 (ko) * 2012-12-27 2020-05-07 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치용 어레이 기판
KR101434954B1 (ko) * 2013-02-15 2014-08-28 지스마트 주식회사 투명전광판을 구비한 무빙워크
KR102447435B1 (ko) * 2016-03-11 2022-09-23 삼성전자주식회사 Emi 감소를 위한 전력 전송 네트워크를 포함하는 기판과 이를 포함하는 장치들
KR102602221B1 (ko) 2016-06-08 2023-11-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106128400A (zh) * 2016-08-31 2016-11-16 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板的栅极驱动电路
CN106773387B (zh) * 2016-12-28 2019-07-02 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板的静电防护结构
WO2021072596A1 (zh) * 2019-10-14 2021-04-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板以及显示面板
DE102020214555A1 (de) 2020-11-18 2022-05-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verschlusseinrichtung für einen optischen Strahlengang

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11109380A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2000171822A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP2001154218A (ja) * 1999-09-08 2001-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2001177040A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Hitachi Ltd 半導体集積回路とこの半導体集積回路を実装したプリント回路基板、およびこのプリント回路基板を用いた液晶表示装置
JP2001215892A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Casio Comput Co Ltd 表示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07175084A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP3226815B2 (ja) * 1996-03-08 2001-11-05 日本電気株式会社 容量性負荷の駆動回路及び駆動方法
JP3654490B2 (ja) * 1998-12-25 2005-06-02 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法
US6794743B1 (en) * 1999-08-06 2004-09-21 Texas Instruments Incorporated Structure and method of high performance two layer ball grid array substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11109380A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2000171822A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP2001154218A (ja) * 1999-09-08 2001-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2001177040A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Hitachi Ltd 半導体集積回路とこの半導体集積回路を実装したプリント回路基板、およびこのプリント回路基板を用いた液晶表示装置
JP2001215892A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Casio Comput Co Ltd 表示装置

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