JP2003257854A - 結晶の製造方法 - Google Patents

結晶の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶の育成中に原料ガスと反応したり、また
は、熱によって劣化したりする基板を用いて結晶を製造
する方法において、基板と厚膜層との間に形成する薄膜
層の質を改良することにより、厚膜層の結晶品質を向上
できる技術を提供する。 【解決手段】 基板上に結晶（例えばＧａＮ系化合物半
導体結晶）を成長させる方法において、第１の結晶層
（ＧａＮ系バッファ層）を形成する工程と、第２の結晶
層（ＧａＮ系中間層）を形成する工程と、第３の結晶層
（ＧａＮ系厚膜層）を形成する工程を少なくとも含み、
前記３つの工程はそれぞれ異なる条件で結晶層を育成す
るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光デバイス、電
子デバイスなどの半導体デバイスの製造に用いられる結
晶、特にＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＡｌＮ等のＧａＮ系化合物半導体（ＩｎｘＧａｙＡ
ｌ１−ｘ−ｙＮ 但し０≦ｘ，ｙ；ｘ＋ｙ≦１）は、発
光デバイスやパワーデバイスなどの半導体電子デバイス
の材料として期待され、またその他種々の分野で応用可
能な材料として注目されている。従来、ＧａＮ系化合物
半導体のバルク結晶を成長させるのは困難であったた
め、上記電子デバイスには、例えばサファイア等の異種
結晶上へのヘテロエピタキシーによってＧａＮ等の薄膜
単結晶を形成した基板が用いられていた。
【０００３】ところが、サファイア結晶とＧａＮ系化合
物半導体結晶とは格子不整合性が大きいので、サファイ
ア結晶上に成長させたＧａＮ系化合物半導体結晶の転位
密度が大きくなり結晶欠陥が発生してしまうという問題
があった。さらに、サファイアは熱伝導率が小さく放熱
しにくいので、サファイア結晶上にＧａＮ系化合物半導
体結晶を成長させた基板を消費電力の大きい電子デバイ
ス等に用いると高温になりやすいという問題があった。
【０００４】また、ハイドライド気相成長法（以下、Ｈ
ＶＰＥと略する）を利用したＥＬＯ（Epitaxial latera
l overgrowth）法等によるＧａＮ系化合物半導体結晶の
成長が試みられてきた。ここでＥＬＯ法とは、例えばサ
ファイア基板上にマスクとなる絶縁膜を形成し、該絶縁
膜の一部に開口部を設けて絶縁膜をマスクとし、露出し
ているサファイア基板面をエピタキシャル成長の種とし
て結晶性の高いＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる
方法である。
【０００５】この方法によれば、マスクに設けられた開
口部内側のサファイア基板表面からＧａＮ系化合物半導
体結晶の成長が始まりマスク上に成長層が広がっていく
ので、結晶中の転位密度を小さく抑えることができ、結
晶欠陥の少ないＧａＮ系化合物半導体結晶を得ることが
できる。
【０００６】しかし、ＥＬＯ法により得られたＧａＮ系
化合物半導体結晶は熱歪みが大きいため、ＥＬＯ法によ
るＧａＮ結晶の成長後にポリッシングを行ってサファイ
ア基板を離間させてＧａＮ系化合物半導体結晶ウェハを
単体で得ようとすると残留歪みでウェハがたわんでしま
うという問題があった。
【０００７】そこで本発明者等は、異種結晶基板の材料
の一つとして希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶
を用い、且つその｛０１１｝面または｛１０１｝面を成
長面としてＧａＮ系化合物半導体をヘテロエピタキシー
によって成長させる方法を提案した（ＷＯ９５／２７８
１５号）。なお、ここでいう｛０１１｝面または｛１０
１｝面とは、それぞれ（０１１）面、（１０１）面と等
価な面の組を表す。
【０００８】前記先願の成長技術によれば、例えば希土
類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの一つであるＮｄＧａ
Ｏ３（以下、ＮＧＯと略記する）を基板として、その
｛０１１｝面または｛１０１｝面にＧａＮを成長させる
場合、格子不整合は１．２％程度であり格子不整合性を
サファイアやその代替品として用いられるＳｉＣを基板
とした場合よりも極めて小さくできる。よって、結晶中
の転位密度が低くなるので結晶欠陥の少ないＧａＮ系化
合物半導体結晶を成長させることができた。
【０００９】また、前記先願技術をさらに改良して、Ｎ
ＧＯ基板上に低温（４００〜７５０℃）でＧａＮ薄膜層
を形成し、その後不活性ガス（Ｎ２ガス）雰囲気中で所
定の温度まで昇温させて熱処理を施し、前記ＧａＮ薄膜
層上に高温（８００〜１２００℃）でＧａＮ厚膜層を成
長させるようにした発明が提案されている（特開２００
０−４０４５号公報）。この技術によれば、ＧａＮ厚膜
層の形成前にＧａＮ薄膜層を形成してバッファ層とした
ので、ＮＧＯ基板がＧａＮ系化合物半導体の成長温度
（８００〜１２００℃）でＮＨ３等と反応して還元する
のを防止できる。したがって、ＮＧＯ基板が還元するこ
とに起因して、成長したＧａＮ化合物半導体結晶が劣化
するのを回避できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記先
願技術（特開２０００−４０４５号公報）では、ＧａＮ
薄膜層は、ＮＧＯ基板が還元しないようにＧａＮ厚膜層
の成長温度（８００〜１２００℃）よりもかなり低温
（４００〜７５０℃）で形成されるために、結晶品質が
悪くなるという不具合があることが分かった。さらに、
ＧａＮ厚膜層の成長温度まで昇温するあいだにＮＧＯ基
板が還元しないように、結晶品質が悪いＧａＮ薄膜層
（低温バッファ層）を厚く形成する必要があるため、さ
らに結晶性が悪くなるという不具合もあることが分かっ
た。このため、前述した方法によればＮＧＯ基板がＧａ
Ｎ厚膜層の成長温度で還元してしまうのを防止すること
はできるが、ＧａＮ薄膜層がその上に成長させるＧａＮ
系化合物半導体結晶に悪影響を与え、その結晶品質を低
下させている可能性があると考えられる。
【００１１】本発明は、ＧａＮ系化合物半導体層の育成
中に原料ガスと反応したり、または、熱によって劣化し
たりする基板（例えば、ＮＧＯ等の希土類１３（３Ｂ）
族ペロブスカイト）を用いたＧａＮ系化合物半導体結晶
の製造方法において、基板とＧａＮ系厚膜層との間に形
成するＧａＮ薄膜層の質を改良することにより、ＧａＮ
系化合物半導体結晶の結晶品質を向上できる技術を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板上に結晶を成長させる方法におい
て、第１の結晶層を形成する工程と、第２の結晶層を形
成する工程と、第３の結晶層を形成する工程を少なくと
も含み、前記３つの工程はそれぞれ異なる条件で結晶層
を育成するようにしたものである。特に、前記結晶層が
ＧａＮ系化合物半導体層である場合に適用して有効であ
る。
【００１３】すなわち、基板上に第３の結晶層（ＧａＮ
系厚膜層）を形成する前に、薄膜層として第１の結晶層
（ＧａＮ系低温バッファ層）および第２の結晶層（Ｇａ
Ｎ系中間層）を形成することにより、薄膜層の品質を向
上できるので、その上に形成される厚膜層の品質に悪影
響を与えることは少なくなり結晶全体としての結晶品質
は向上する。また、第１の結晶層（ＧａＮ系バッファ
層）と第２の結晶層（ＧａＮ系中間層）とからなる薄膜
層の形成により、第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜層）の成
長温度で基板が原料と反応して還元してしまうのを防止
できる。
【００１４】また、前記第１、第２、第３の結晶層は、
単結晶層であることが望ましい。すなわち、ＧａＮ系化
合物半導体結晶を製造する場合、従来は薄膜層として多
結晶低温バッファ層を形成するようにしていたのでその
上に成長される厚膜層の結晶性が劣化する可能性があっ
たが、本発明では第１の結晶層（ＧａＮ系低温バッファ
層）および第２の結晶層（ＧａＮ系中間層）を単結晶と
したので第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜層）の結晶性が劣
化するのを防止できる。また、前記第１の結晶層（Ｇａ
Ｎ系低温バッファ層）は、５ｎｍから３００ｎｍの範囲
とするのが望ましい。さらに望ましくは、前記膜厚を１
０ｎｍから１００ｎｍの範囲とする。
【００１５】これにより、第２の結晶層（ＧａＮ系中間
層）を形成する前に基板が劣化するのを防止できる。な
お、この範囲以上の厚さでは第３の結晶層（ＧａＮ系厚
膜層）の結晶性に悪影響を及ぼしてしまうために、第１
の結晶層（ＧａＮ系低温バッファ層）の膜厚を上述した
範囲とした。さらに、前記第１の結晶層（ＧａＮ系低温
バッファ層）を５７０℃から６７０℃の成長温度で形成
することにより、その育成過程において基板が劣化する
のを防止できる。
【００１６】また、前記第２の結晶層（ＧａＮ系中間
層）の膜厚は、０．５μｍから５０μｍの範囲とするの
が望ましい。これにより、第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜
層）を形成する前に基板が劣化してしまうのを防止でき
る。なお、この範囲以上の厚さでは第３の結晶層（Ｇａ
Ｎ系厚膜層）の結晶性に悪影響を及ぼしてしまうため
に、第２の結晶層（ＧａＮ系中間層）の膜厚を上述した
範囲とした。さらに、前記第２の結晶（ＧａＮ系中間
層）を７５０℃から８５０℃の成長温度で形成すること
により、その育成過程において基板が劣化するのを防止
できる。
【００１７】また、前記第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜
層）の成長温度は、９５０℃から１０５０℃の範囲とす
るのが望ましい。また、前記第３の結晶層（ＧａＮ系厚
膜層）を形成する工程は、前記第２の結晶層（ＧａＮ系
中間層）の育成工程が終了した後に、前記第２の結晶層
（ＧａＮ系中間層）の成長温度以上（例えば、第３の結
晶層の成長温度）で２０分から４時間保持してから前記
第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜層）の成長を開始するのが
よい。
【００１８】すなわち、第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜
層）を成長させる前に、その成長温度若しくはそれに近
い温度でアニールすることにより、既に形成された第
１、第２の結晶層（ＧａＮ系薄膜層（低温バッファ層、
中間層））の結晶性が良くなるので、その上に形成され
る第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜層）の結晶性を向上する
ことができる。
【００１９】また、上述した方法は、基板が、前記第
１、第２、第３の結晶層の成長に用いられる原料と反応
しやすい場合や、または熱によって劣化しやすい場合に
特に有効である。例えば、前記基板としては、ＮＧＯに
代表される１または２種類以上の希土類元素を含む希土
類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶等がある。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施の形
態を、ＮＧＯ結晶を基板としてＧａＮ化合物半導体結晶
を成長させる場合について説明する。本実施形態では、
ＮＧＯのインゴットをスライスして結晶成長用の基板と
した。このとき、ＮＧＯ基板の大きさは５０ｍｍ径で、
厚さは０．５ｍｍとした。
【００２１】（実施例）本発明を適用してＮＧＯ基板上
にＧａＮ薄膜を形成して、その上にＧａＮ化合物半導体
結晶を成長させる方法について説明する。まず、鏡面研
磨したＮＧＯ基板をアセトン中で５分間超音波洗浄を行
い、続けてメタノールで５分間超音波洗浄を行った。そ
の後、Ｎ２ガスでブローして液滴を吹き飛ばしてから自
然乾燥させた。次に、洗浄したＮＧＯ基板を硫酸系エッ
チャント（燐酸：硫酸＝１：３、８０℃）で５分間エッ
チングした。
【００２２】次に、このＮＧＯ基板をハイドライドＶＰ
Ｅ装置内の所定の部位に配置した後、Ｎ２ガスを導入し
ながら基板温度を６２０℃まで昇温し、ＧａメタルとＨ
Ｃｌガスから生成されたＧａＣｌと、ＮＨ３とをＮ２キ
ャリアガスを用いてＮＧＯ基板上に供給し、第１の結晶
層として約４０ｎｍのＧａＮバッファ層を形成した。こ
のとき、ＧａＣｌ分圧が８×１０−３ａｔｍ、ＮＨ３分
圧が０．１５ａｔｍとなるようにそれぞれのガス導入量
を制御した。なお、以下の工程における原料ガスの導入
も同様に制御した。
【００２３】次に、原料ガスの供給を一旦停止して、Ｎ
２を導入しながら基板温度を８００℃まで昇温した後、
原料ガスとしてのＧａＣｌとＮＨ３とをＮ２キャリアガ
スを用いてＮＧＯ基板上に供給し、第２の結晶層として
約１０μｍのＧａＮ中間層を形成した。その後、原料ガ
スの供給を再度停止して、Ｎ２を導入しながら基板温度
を１０００℃に昇温した。そして、この状態で６０分間
保持して前記ＧａＮ中間層をアニールした。これによ
り、ＧａＮ中間層の結晶性を向上できるので、その上に
良質のＧａＮ厚膜層を形成することができる。
【００２４】次に、原料ガスとしてのＧａＣｌとＮＨ３
とをＮ２キャリアガスを用いてＮＧＯ基板上に供給して
第３の結晶層としてＧａＮ厚膜層を形成した。なお、こ
のときの結晶成長速度は約５０μｍ／ｈで、結晶成長速
度は４８０分間とした。その後、冷却速度５℃／ｍｉｎ
で冷却して膜厚が約４００μｍのＧａＮ化合物半導体結
晶を得た。
【００２５】この基板を用いてＧａＮ化合物半導体結晶
を成長させたところ、得られたＧａＮ化合物半導体結晶
は、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が１８
０〜３００秒であり、優れた結晶品質を有していること
が確認された。
【００２６】（比較例）次に、比較例として、ＮＧＯ基
板上に従来の方法でＧａＮ薄膜を形成して、その上にＧ
ａＮ化合物半導体結晶を成長させる方法について説明す
る。比較例は、上記実施例とＧａＮ中間層を形成しない
点が異なるだけで、ＮＧＯ基板の前処理およびＧａＮ化
合物半導体結晶の成長条件等は実施例と同様に行った。
【００２７】まず、鏡面研磨したＮＧＯ基板をアセトン
中で５分間超音波洗浄を行い、続けてメタノールで５分
間超音波洗浄を行った。その後、Ｎ２ガスでブローして
液滴を吹き飛ばしてから自然乾燥させた。次に、洗浄し
たＮＧＯ基板を硫酸系エッチャント（燐酸：硫酸＝１：
３、８０℃）で５分間エッチングした。
【００２８】次に、このＮＧＯ基板をハイドライドＶＰ
Ｅ装置内の所定の部位に配置した後、Ｎ２ガスを導入し
ながら基板温度を６２０℃まで昇温し、ＧａメタルとＨ
Ｃｌガスから生成されたＧａＣｌと、ＮＨ３とをＮ２キ
ャリアガスを用いてＮＧＯ基板上に供給し、約１００ｎ
ｍのＧａＮバッファ層を形成した。このとき、ＧａＣｌ
分圧が５．０×１０−３ａｔｍ、ＮＨ３分圧が３．０×
１０−１ａｔｍとなるようにそれぞれのガス導入量を制
御した。なお、以下の工程における原料ガスの導入も同
様に制御した。
【００２９】次に、原料ガスの供給を一旦停止して、Ｎ
２を導入しながら基板温度を１０００℃まで昇温した
後、原料ガスとしてのＧａＣｌとＮＨ３とをＮ２キャリ
アガスを用いてＮＧＯ基板上に供給してＧａＮ厚膜層を
形成した。なお、このときの結晶成長速度は約約４０μ
ｍ／ｈで、結晶成長速度は３００分間とした。その後、
冷却速度５．３℃／ｍｉｎで９０分間冷却して膜厚が約
２００μｍのＧａＮ化合物半導体結晶を得た。
【００３０】この基板を用いてＧａＮ化合物半導体結晶
を成長させたところ、得られたＧａＮ化合物半導体結晶
は、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が１０
００秒であり、上記実施例のＧａＮ化合物半導体結晶に
比較すると結晶品質が劣っていた。
【００３１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
の形態に限定されるものではない。例えば、ＧａＮ系化
合物半導体の成長温度は、ＧａＮ系バッファ層形成工程
では５７０℃〜６７０℃、ＧａＮ系中間層形成工程では
７５０℃〜８５０℃、ＧａＮ系厚膜層形成工程では９５
０℃〜１０５０℃の範囲で制御すればよい。
【００３２】また、ＧａＮ系バッファ層は５ｎｍ〜３０
０ｎｍの膜厚で形成するのが望ましく、ＧａＮ系中間層
は０．５μｍから５０μｍの膜厚で形成するのがよい。
ＧａＮ系薄膜層（バッファ層、中間層）の膜厚を上記し
た範囲とすることにより、薄すぎるためにＮＧＯ基板が
ＮＨ３等と反応して劣化するのを防止できるとともに、
厚すぎてＧａＮ系厚膜層の結晶性に悪影響を及ぼすのを
防止できる。また、ＧａＮ系中間層を形成した後のアニ
ール時間は、２０分〜４時間の範囲で調整すればよい。
【００３３】また、ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長条
件としては、ＧａＣｌ分圧が１．０×１０−３〜１．０
×１０−２ａｔｍ、ＮＨ３分圧が１．０×１０−１〜
４．０×１０−１ａｔｍ、成長速度が３０〜１００μｍ
／ｈ、成長温度が９３０〜１０５０℃、冷却速度が４〜
１０℃／ｍｉｎであることが望ましい。また、上記実施
例で説明した多段型成長は、ＧａＮ系化合物半導体結晶
に限らず、その他の結晶を成長させる場合に適用するこ
とができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、原料ガスと反応した
り、または、熱によって劣化してしまう基板を用いて、
その表面に結晶（例えばＧａＮ系化合物半導体結晶）を
成長させる方法において、第１の結晶層（ＧａＮ系バッ
ファ層）を形成する工程と、第２の結晶層（ＧａＮ系中
間層）を形成する工程と、第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜
層）を形成する工程を少なくとも含み、前記３つの工程
はそれぞれ異なる条件で結晶層を育成するようにしたの
で、第１の結晶層（ＧａＮ系バッファ層）と第２の結晶
層（ＧａＮ系中間層）とでなる薄膜層の品質が向上し、
その上に形成される第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜層）の
品質に悪影響を与えることはなくなり、結晶全体として
の結晶品質を向上できるという効果を奏する。また、第
１、第２の結晶層（ＧａＮ系薄膜層）を形成することに
より、第３の結晶層（ＧａＮ系厚膜層）の成長温度でＮ
ＧＯ基板が原料の一つであるＮＨ３と反応して還元して
しまうのを防止できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 賢次 埼玉県戸田市新曽南３−17−35 株式会社 日鉱マテリアルズ戸田工場内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE15 DB01 EA02 ED04 EF03 TB03 TC05 TC14 TJ02 TJ03 5F045 AA07 AB14 AD09 AD10 AD11 AD12 AD13 AD14 AF07 BB12 CB02 DA53 5F052 JA07 KA01

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に結晶を成長させる方法におい
    て、第１の結晶層を形成する工程と、第２の結晶層を形
    成する工程と、第３の結晶層を形成する工程を少なくと
    も含み、前記３つの工程はそれぞれ異なる条件で結晶層
    を育成することを特徴とする結晶の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記結晶層がＧａＮ系化合物半導体層で
    あることを特徴とする請求項１に記載の結晶の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 前記第１、第２、第３の結晶層は、単結
    晶層であることを特徴とする請求項１または請求項２に
    記載の結晶の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第１の結晶層を５ｎｍから３００ｎ
    ｍの膜厚で形成することを特徴とする請求項１から請求
    項３の何れかに記載の結晶の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記第１の結晶層を５７０℃から６７０
    ℃の成長温度で形成することを特徴とする請求項１から
    請求項４の何れかに記載の結晶の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第２の結晶層を０．５μｍから５０
    μｍの膜厚で形成することを特徴とする請求項１から請
    求項５の何れかに記載の結晶の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第２の結晶層を７５０℃から８５０
    ℃の成長温度で形成することを特徴とする請求項１から
    請求項６の何れかに記載の結晶の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第３の結晶層を９５０℃から１０５
    ０℃の成長温度で形成することを特徴とする請求項１か
    ら請求項７の何れかに記載の結晶の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第３の結晶層を形成する工程は、前
    記第２の結晶層の育成工程が終了した後に、第２の結晶
    層の成長温度以上で２０分から４時間保持してから前記
    第３の結晶層の成長を開始することを特徴とする請求項
    １から請求項８の何れかに記載の結晶の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記基板は、前記第１、第２、第３の
    結晶層の成長に用いられる原料、または、熱によって劣
    化することを特徴とする請求項１から請求項９の何れか
    に記載の結晶の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記基板は、１または２種類以上の希
    土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結
    晶を基板であることを特徴とする請求項１０に記載の結
    晶の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100665591B1 (ko) * 2004-05-07 2007-01-09 슈퍼노바 옵토일렉트로닉스 코포레이션 질화갈륨계 화합물 반도체의 결정 에피택시 구조 및 그제조 방법
WO2011111647A1 (ja) * 2010-03-08 2011-09-15 Jx日鉱日石金属株式会社 窒化物系化合物半導体基板の製造方法、窒化物系化合物半導体基板及び窒化物系化合物半導体自立基板
KR101270428B1 (ko) * 2011-06-20 2013-06-03 삼성코닝정밀소재 주식회사 질화갈륨 기판 및 그 제조방법
WO2018097102A1 (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 国立大学法人大阪大学 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100497890B1 (ko) 2002-08-19 2005-06-29 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100525545B1 (ko) 2003-06-25 2005-10-31 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN100336942C (zh) * 2004-06-02 2007-09-12 中国科学院半导体研究所 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
DE102004048453A1 (de) * 2004-10-05 2006-04-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung des Umsatzes von Gruppe-III-Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze
JP2006237556A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Kanagawa Acad Of Sci & Technol ＧａＮ膜生成方法及び半導体素子並びにＩＩＩ族窒化物の薄膜生成方法及びＩＩＩ族窒化物の薄膜を有する半導体素子
JPWO2008035632A1 (ja) * 2006-09-20 2010-01-28 日鉱金属株式会社 ＧａＮ薄膜テンプレート基板の製造方法、ＧａＮ薄膜テンプレート基板、及びＧａＮ厚膜単結晶
JPWO2008126532A1 (ja) * 2007-03-14 2010-07-22 日鉱金属株式会社 エピタキシャル成長用基板および窒化物系化合物半導体単結晶の製造方法
US20110175126A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Hung-Chih Yang Light-emitting diode structure
WO2011093481A1 (ja) * 2010-02-01 2011-08-04 Jx日鉱日石金属株式会社 窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び窒化物系化合物半導体自立基板
JP2011184226A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Jx Nippon Mining & Metals Corp エピタキシャル成長用基板、窒化物系化合物半導体基板及び窒化物系化合物半導体自立基板
KR102341263B1 (ko) * 2013-06-04 2021-12-22 삼성전자주식회사 저결함 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN106435720A (zh) * 2016-09-22 2017-02-22 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 一种GaN薄膜材料的制备方法
KR102110409B1 (ko) * 2018-10-25 2020-05-13 한국세라믹기술원 HVPE 성장법을 이용하여 펄스 모드로 성장된 α-Ga2O3 박막의 제조 방법
KR102138334B1 (ko) * 2018-10-25 2020-07-27 한국세라믹기술원 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
KR102201924B1 (ko) 2020-08-13 2021-01-11 한국세라믹기술원 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69229265T2 (de) * 1991-03-18 1999-09-23 Univ Boston Verfahren zur herstellung und dotierung hochisolierender dünner schichten aus monokristallinem galliumnitrid
DE69511995T2 (de) 1994-04-08 2000-04-20 Japan Energy Corp Verfahren zum züchten von galliumnitridhalbleiterkristallen und vorrichtung
US5838029A (en) * 1994-08-22 1998-11-17 Rohm Co., Ltd. GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate
JP3771952B2 (ja) * 1995-06-28 2006-05-10 ソニー株式会社 単結晶ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法、発光素子の製造方法およびトランジスタの製造方法
JP3361285B2 (ja) * 1996-01-19 2003-01-07 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
US6320207B1 (en) * 1996-04-22 2001-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device having flat growth GaN layer
TW385493B (en) 1997-08-04 2000-03-21 Sumitomo Chemical Co Method for manufacturing group III-V compound semiconductor
US6599133B2 (en) * 1997-11-18 2003-07-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing III-V compound semiconductor structures with an integral non-continuous quantum dot layer utilizing HVPE techniques
KR100268426B1 (ko) * 1998-05-07 2000-11-01 윤종용 반도체 장치의 제조 방법
JP4065055B2 (ja) * 1998-06-15 2008-03-19 日鉱金属株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法
US6459100B1 (en) * 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
DE60043122D1 (de) * 1999-03-17 2009-11-19 Mitsubishi Chem Corp Halbleiterbasis ihre Herstellung und Halbleiterkristallhersetllungsmethode
JP3402460B2 (ja) * 1999-07-16 2003-05-06 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法
JP3946427B2 (ja) * 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
JP2001308017A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Sony Corp ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法
US6673149B1 (en) * 2000-09-06 2004-01-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Production of low defect, crack-free epitaxial films on a thermally and/or lattice mismatched substrate
KR100632760B1 (ko) * 2001-03-21 2006-10-11 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자
CN101834245B (zh) * 2001-06-15 2013-05-22 克里公司 在SiC衬底上形成的GaN基LED
WO2003071607A1 (fr) * 2002-02-21 2003-08-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. Transistor a effet de champ gan
JP2003282447A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子
JP3679097B2 (ja) * 2002-05-31 2005-08-03 株式会社光波 発光素子
US7023024B2 (en) * 2003-03-31 2006-04-04 Inphot, Inc. Diamond based blue/UV emission source
US20050221515A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Katsunori Yanashima Method for producing semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, method for producing device, method for growing nitride type III-V group compound semiconductor layer, method for growing semiconductor layer, and method for growing layer

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100665591B1 (ko) * 2004-05-07 2007-01-09 슈퍼노바 옵토일렉트로닉스 코포레이션 질화갈륨계 화합물 반도체의 결정 에피택시 구조 및 그제조 방법
WO2011111647A1 (ja) * 2010-03-08 2011-09-15 Jx日鉱日石金属株式会社 窒化物系化合物半導体基板の製造方法、窒化物系化合物半導体基板及び窒化物系化合物半導体自立基板
KR101270428B1 (ko) * 2011-06-20 2013-06-03 삼성코닝정밀소재 주식회사 질화갈륨 기판 및 그 제조방법
WO2018097102A1 (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 国立大学法人大阪大学 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス
JPWO2018097102A1 (ja) * 2016-11-25 2019-10-17 国立大学法人大阪大学 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス
US11133435B2 (en) 2016-11-25 2021-09-28 Osaka University Nitride semiconductor substrate, manufacturing method therefor, and semiconductor device

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