JP2001308017A - ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 - Google Patents
ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法Info
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- JP2001308017A JP2001308017A JP2000123131A JP2000123131A JP2001308017A JP 2001308017 A JP2001308017 A JP 2001308017A JP 2000123131 A JP2000123131 A JP 2000123131A JP 2000123131 A JP2000123131 A JP 2000123131A JP 2001308017 A JP2001308017 A JP 2001308017A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｐ型不純物の活性化率を向上させ、素子特性
に優れた半導体素子を作製することを可能にするｐ型窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびそれ
を用いた半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 ｐ型ＧａＮよりなるｐ型ガイド層２７，
ｐ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型クラッド層２８および
ｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２９を形成する
際、ｐ型不純物を含むＧａＮあるいはＡｌＧａＮ混晶を
所定の成長温度で成長させたのち、成長温度よりも高い
温度で加熱する。また、加熱したのち、冷却手段を用い
て冷却する。これにより、ホール濃度および移動度が高
くなり、抵抗率が低くなる。よって、ｐ側コンタクト層
２９とｐ側電極３０との間で良好なオーミック接触を得
ることができる。また、隣接するｐ型半導体層同士の直
列抵抗を低減することができる。その結果、得られる半
導体レーザの動作電圧が低減する。
に優れた半導体素子を作製することを可能にするｐ型窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびそれ
を用いた半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 ｐ型ＧａＮよりなるｐ型ガイド層２７，
ｐ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型クラッド層２８および
ｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２９を形成する
際、ｐ型不純物を含むＧａＮあるいはＡｌＧａＮ混晶を
所定の成長温度で成長させたのち、成長温度よりも高い
温度で加熱する。また、加熱したのち、冷却手段を用い
て冷却する。これにより、ホール濃度および移動度が高
くなり、抵抗率が低くなる。よって、ｐ側コンタクト層
２９とｐ側電極３０との間で良好なオーミック接触を得
ることができる。また、隣接するｐ型半導体層同士の直
列抵抗を低減することができる。その結果、得られる半
導体レーザの動作電圧が低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加熱によりｐ型不
純物の活性化を行うｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方
法に関する。
純物の活性化を行うｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶あるいは
ＡｌＩｎＧａＮ混晶などの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体は、可視領域から紫外領域までの発光を得ること
ができる発光素子の構成材料または電子素子の構成材料
として有望視されている。特に、この窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ；Li
ght Emitting Diode）が実用化されて以来、大きな注目
を集めている。また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体を用いた半導体レーザ（ＬＤ；Laser Diode ）の実現
も報告されており、光ディスク装置の光源を初めとした
応用が期待されている。
ＡｌＩｎＧａＮ混晶などの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体は、可視領域から紫外領域までの発光を得ること
ができる発光素子の構成材料または電子素子の構成材料
として有望視されている。特に、この窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ；Li
ght Emitting Diode）が実用化されて以来、大きな注目
を集めている。また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体を用いた半導体レーザ（ＬＤ；Laser Diode ）の実現
も報告されており、光ディスク装置の光源を初めとした
応用が期待されている。
【０００３】このような素子の実用化を図る際には、デ
バイスとして使用し得る程度の高品質な窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を作製することが重要である。特
に、光デバイスにおいては、光や電子を正孔に閉じ込め
かつ効率よく電流を流すために、高品質のｐ型およびｎ
型の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を作製すること
が望まれる。
バイスとして使用し得る程度の高品質な窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を作製することが重要である。特
に、光デバイスにおいては、光や電子を正孔に閉じ込め
かつ効率よく電流を流すために、高品質のｐ型およびｎ
型の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を作製すること
が望まれる。
【０００４】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、一
般に、有機金属気相成長（Metal Organic Chemical Vap
or Deposition ；ＭＯＣＶＤ）法あるいは分子線エピタ
キシー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などを用
いて基板の上にエピタキシャル成長させることにより作
製される。その際、ｎ型の半導体を作製する場合には、
ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加して成長させ
る。一方、ｐ型の半導体を作製する場合には、マグネシ
ウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物を添加して成長させたの
ち、アニールなどを行って不純物を活性化させる。従
来、アニールによって不純物を活性化させる場合には、
成長温度よりも低い温度（例えば８００℃以下；Applie
d Physics Letters, vol.74, No2, p.275 参照）で行っ
ていた。ちなみに、ＧａＮおよびＡｌＧａＮ混晶の成長
温度は、９５０℃程度である。
般に、有機金属気相成長（Metal Organic Chemical Vap
or Deposition ；ＭＯＣＶＤ）法あるいは分子線エピタ
キシー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などを用
いて基板の上にエピタキシャル成長させることにより作
製される。その際、ｎ型の半導体を作製する場合には、
ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加して成長させ
る。一方、ｐ型の半導体を作製する場合には、マグネシ
ウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物を添加して成長させたの
ち、アニールなどを行って不純物を活性化させる。従
来、アニールによって不純物を活性化させる場合には、
成長温度よりも低い温度（例えば８００℃以下；Applie
d Physics Letters, vol.74, No2, p.275 参照）で行っ
ていた。ちなみに、ＧａＮおよびＡｌＧａＮ混晶の成長
温度は、９５０℃程度である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ｐ型の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を作製する場合にお
いては、所定量のｐ型不純物を添加して成長させても、
ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry ；二次イ
オン質量分析）などから求められるｐ型不純物の濃度と
ホール測定などから求められるキャリヤ濃度との比、す
なわち不純物の活性化率が低い（例えば数％）いう問題
があった。そのため、抵抗率が高く、素子の動作特性が
劣化してしまっていた。具体的には、例えば、隣接する
ｐ型半導体層中の直列抵抗が大きくなってしまうことに
より、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とｐ側電極と
の間で良好なオーミック接触を得ることができないとい
う不都合が生じていた。
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を作製する場合にお
いては、所定量のｐ型不純物を添加して成長させても、
ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry ；二次イ
オン質量分析）などから求められるｐ型不純物の濃度と
ホール測定などから求められるキャリヤ濃度との比、す
なわち不純物の活性化率が低い（例えば数％）いう問題
があった。そのため、抵抗率が高く、素子の動作特性が
劣化してしまっていた。具体的には、例えば、隣接する
ｐ型半導体層中の直列抵抗が大きくなってしまうことに
より、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とｐ側電極と
の間で良好なオーミック接触を得ることができないとい
う不都合が生じていた。
【０００６】なお、特許第２５４０７９１号公報におい
ては、実質的に水素を含まない雰囲気中において４００
℃以上の温度でアニールを行うことにより、低抵抗なｐ
型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が得られることが
開示されている。しかし、同公報に記載されているデー
タは、成長温度よりも低い温度でアニールした場合のも
のであり、成長温度とアニール温度との関係については
検討の余地がある。
ては、実質的に水素を含まない雰囲気中において４００
℃以上の温度でアニールを行うことにより、低抵抗なｐ
型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が得られることが
開示されている。しかし、同公報に記載されているデー
タは、成長温度よりも低い温度でアニールした場合のも
のであり、成長温度とアニール温度との関係については
検討の余地がある。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、ｐ型不純物の活性化率を向上させ、
素子特性に優れた半導体素子を作製することを可能にす
るｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法お
よびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること
にある。
ので、その目的は、ｐ型不純物の活性化率を向上させ、
素子特性に優れた半導体素子を作製することを可能にす
るｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法お
よびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるｐ型窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、３Ｂ族元素
のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なく
とも窒素と、ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を第１の温度で成長させる工程と、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、第１の温度よりも
高い第２の温度で加熱する工程とを含むものである。
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、３Ｂ族元素
のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なく
とも窒素と、ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を第１の温度で成長させる工程と、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、第１の温度よりも
高い第２の温度で加熱する工程とを含むものである。
【０００９】本発明による他のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体の製造方法は、３Ｂ族元素のうちの少な
くとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素と、
ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を成長させる工程と、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体を加熱する工程と、冷却手段を用いて窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体を冷却する工程とを含むもので
ある。
族化合物半導体の製造方法は、３Ｂ族元素のうちの少な
くとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素と、
ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を成長させる工程と、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体を加熱する工程と、冷却手段を用いて窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体を冷却する工程とを含むもので
ある。
【００１０】本発明による半導体素子の製造方法は、３
Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうち
の少なくとも窒素と、ｐ型不純物とを含有するｐ型窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する工程を含む半
導体素子の製造方法であって、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を形成する工程が、３Ｂ族元素のうちの
少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素
と、ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を、第１の温度で成長させる工程と、窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、第１の温度よりも高い第
２の温度で加熱する工程とを含むようにしたものであ
る。
Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうち
の少なくとも窒素と、ｐ型不純物とを含有するｐ型窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する工程を含む半
導体素子の製造方法であって、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を形成する工程が、３Ｂ族元素のうちの
少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素
と、ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を、第１の温度で成長させる工程と、窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、第１の温度よりも高い第
２の温度で加熱する工程とを含むようにしたものであ
る。
【００１１】本発明による他の半導体素子の製造方法
は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素
のうちの少なくとも窒素と、ｐ型不純物とを含有するｐ
型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する工程を
含む半導体素子の製造方法であって、ｐ型窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を形成する工程が、３Ｂ族元素群
のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なく
とも窒素と、ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させる工程と、窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を加熱する工程と、冷却手段を用い
て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を冷却する工程と
を含むようにしたものである。
は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素
のうちの少なくとも窒素と、ｐ型不純物とを含有するｐ
型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する工程を
含む半導体素子の製造方法であって、ｐ型窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を形成する工程が、３Ｂ族元素群
のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少なく
とも窒素と、ｐ型不純物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させる工程と、窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を加熱する工程と、冷却手段を用い
て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を冷却する工程と
を含むようにしたものである。
【００１２】本発明によるｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体の製造方法および本発明による半導体素子の
製造方法では、ｐ型不純物を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体が第１の温度で成長したのち、第１の温度
よりも高い第２の温度で加熱される。
合物半導体の製造方法および本発明による半導体素子の
製造方法では、ｐ型不純物を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体が第１の温度で成長したのち、第１の温度
よりも高い第２の温度で加熱される。
【００１３】本発明による他のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体の製造方法および本発明による他の半導
体素子の製造方法では、ｐ型不純物を含む窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体が成長し、加熱されたのち、冷却
手段により冷却される。
族化合物半導体の製造方法および本発明による他の半導
体素子の製造方法では、ｐ型不純物を含む窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体が成長し、加熱されたのち、冷却
手段により冷却される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】まず、本発明の一実施の形態に係るｐ型窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法について説
明する。
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法について説
明する。
【００１６】本実施の形態に係るｐ型窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体の製造方法は、短周期型周期率表にお
ける３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、短周期型周
期率表における５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素と、
ｐ型不純物とを含むｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を製造する方法である。ｐ型不純物としては、例え
ば、マグネシウム，亜鉛（Ｚｎ），炭素（Ｃ），ベリリ
ウム（Ｂｅ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂ
ａ），およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少
なくとも１種（例えば、マグネシウム）を用いることが
できる。このようなｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体には、例えばｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x- y Ｎ（但
し、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０，ｙ≧０、あるいはｘ＝０か
つｙ＝０）の一般式で表されるｐ型ＧａＮ，ｐ型Ｉｎ
Ｎ，ｐ型ＡｌＮ，ｐ型ＡｌＧａＮ混晶，ｐ型ＧａＩｎＮ
混晶あるいはｐ型ＡｌＩｎＧａＮ混晶などがある。
Ｖ族化合物半導体の製造方法は、短周期型周期率表にお
ける３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、短周期型周
期率表における５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素と、
ｐ型不純物とを含むｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体を製造する方法である。ｐ型不純物としては、例え
ば、マグネシウム，亜鉛（Ｚｎ），炭素（Ｃ），ベリリ
ウム（Ｂｅ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂ
ａ），およびカドミウム（Ｃｄ）からなる群のうちの少
なくとも１種（例えば、マグネシウム）を用いることが
できる。このようなｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体には、例えばｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x- y Ｎ（但
し、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０，ｙ≧０、あるいはｘ＝０か
つｙ＝０）の一般式で表されるｐ型ＧａＮ，ｐ型Ｉｎ
Ｎ，ｐ型ＡｌＮ，ｐ型ＡｌＧａＮ混晶，ｐ型ＧａＩｎＮ
混晶あるいはｐ型ＡｌＩｎＧａＮ混晶などがある。
【００１７】本実施の形態では、まず、例えばサファイ
ア（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる基板を用意し、この基板の例
えばｃ面に、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５
Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素と、ｐ型不純物として
の例えばマグネシウムとを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を成長させる。
ア（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる基板を用意し、この基板の例
えばｃ面に、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５
Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素と、ｐ型不純物として
の例えばマグネシウムとを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を成長させる。
【００１８】その際、例えばＭＯＣＶＤ法により成長さ
せる場合には、ＭＯＣＶＤ装置の反応管の内部に配置さ
れた基板を所定の温度（成長温度）に加熱し、その温度
を保持しつつ、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を構
成する各元素の原料ガスをＭＯＣＶＤ装置の反応管の内
部に供給して基板の上に成長させる。窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体としてＧａＮやＡｌＧａＮ混晶などの
インジウムを含まないものを成長させる場合には、基板
を例えば９００〜１１００℃程度に加熱する。また、Ｉ
ｎＮ，ＧａＩｎＮ混晶あるいはＡｌＩｎＧａＮ混晶など
のインジウムを含むものを成長させる場合には、Ｉｎの
取り込みを促進するために基板を例えば７００〜９００
℃程度に加熱する。なお、このとき、ｐ型不純物の活性
化率は、極めて低い値となっている。すなわち、キャリ
ヤ（ここでは、正孔（ホール））の濃度が極めて低くな
っている。
せる場合には、ＭＯＣＶＤ装置の反応管の内部に配置さ
れた基板を所定の温度（成長温度）に加熱し、その温度
を保持しつつ、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を構
成する各元素の原料ガスをＭＯＣＶＤ装置の反応管の内
部に供給して基板の上に成長させる。窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体としてＧａＮやＡｌＧａＮ混晶などの
インジウムを含まないものを成長させる場合には、基板
を例えば９００〜１１００℃程度に加熱する。また、Ｉ
ｎＮ，ＧａＩｎＮ混晶あるいはＡｌＩｎＧａＮ混晶など
のインジウムを含むものを成長させる場合には、Ｉｎの
取り込みを促進するために基板を例えば７００〜９００
℃程度に加熱する。なお、このとき、ｐ型不純物の活性
化率は、極めて低い値となっている。すなわち、キャリ
ヤ（ここでは、正孔（ホール））の濃度が極めて低くな
っている。
【００１９】ちなみに、ＭＯＣＶＤを行う際のガリウム
の原料ガスとしては例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ
3 ）3 Ｇａ）を用い、アルミニウムの原料ガスとしては
例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）を
用い、インジウムの原料ガスとしては例えばトリメチル
インジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ）を用い、窒素の原料ガ
スとしては例えばアンモニア（ＮＨ3 ）を用いる。ま
た、マグネシウムの原料ガスとしては例えばビス＝シク
ロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2Ｍｇ）
を用いる。
の原料ガスとしては例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ
3 ）3 Ｇａ）を用い、アルミニウムの原料ガスとしては
例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）を
用い、インジウムの原料ガスとしては例えばトリメチル
インジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ）を用い、窒素の原料ガ
スとしては例えばアンモニア（ＮＨ3 ）を用いる。ま
た、マグネシウムの原料ガスとしては例えばビス＝シク
ロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2Ｍｇ）
を用いる。
【００２０】次いで、得られた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を成長温度よりも高い温度で加熱（アニー
ル）する（加熱工程）。これにより、ｐ型不純物が活性
化する。このとき、加熱温度は成長温度よりも１５０℃
以下の範囲内で高いことが好ましい。この範囲内におい
てより効果的に活性化するからである。ここでは、成長
温度よりも高い温度で加熱するので、成長温度よりも低
い温度で加熱する場合に比べて、ホール濃度および移動
度が高くなる。また、抵抗率が低くなる。
合物半導体を成長温度よりも高い温度で加熱（アニー
ル）する（加熱工程）。これにより、ｐ型不純物が活性
化する。このとき、加熱温度は成長温度よりも１５０℃
以下の範囲内で高いことが好ましい。この範囲内におい
てより効果的に活性化するからである。ここでは、成長
温度よりも高い温度で加熱するので、成長温度よりも低
い温度で加熱する場合に比べて、ホール濃度および移動
度が高くなる。また、抵抗率が低くなる。
【００２１】この加熱工程では、加熱時間を必要以上に
長くすると、表面から窒素の脱離が起こって空孔が生
じ、この空孔がドナーとして作用してホールを補償する
ことによりホール濃度が低くなるおそれがある。よっ
て、加熱は適宜の時間だけ行うことが好ましい。そのた
め、昇温速度を、オーバーシュートを起こさない範囲で
出来るだけ大きくし、素早く所定の設定温度に到達させ
ることが好ましい。また、上述した窒素の脱離による窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中の窒素不足を補うた
めに、窒素ガス（Ｎ2 ）を含む雰囲気中において行うこ
とが好ましい。なお、この加熱工程では、例えばランプ
加熱を行えば、抵抗加熱などを行う場合に比べて非常に
短時間で１０００℃付近の高温まで昇温することができ
る。
長くすると、表面から窒素の脱離が起こって空孔が生
じ、この空孔がドナーとして作用してホールを補償する
ことによりホール濃度が低くなるおそれがある。よっ
て、加熱は適宜の時間だけ行うことが好ましい。そのた
め、昇温速度を、オーバーシュートを起こさない範囲で
出来るだけ大きくし、素早く所定の設定温度に到達させ
ることが好ましい。また、上述した窒素の脱離による窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中の窒素不足を補うた
めに、窒素ガス（Ｎ2 ）を含む雰囲気中において行うこ
とが好ましい。なお、この加熱工程では、例えばランプ
加熱を行えば、抵抗加熱などを行う場合に比べて非常に
短時間で１０００℃付近の高温まで昇温することができ
る。
【００２２】続いて、基板の上に成長した窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を冷却手段を用いて冷却する。こ
れにより、放冷（自然冷却）する場合よりもｐ型不純物
のキャリア濃度および移動度が高いｐ型窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体が得られる。また、放冷して得られ
るｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりも抵抗率
が低い半導体が得られる。冷却手段としては、例えば、
冷却用ガスを吹き付けて急冷する方法が挙げられる。ア
ニールをランプ加熱アニール炉を用いたランプ加熱によ
り行う場合には、例えば、図１に示したように、載置台
１１の上に基板２１が載置された状態で、図示しない配
管から供給される冷却用ガスＧを、載置台１１の例えば
上側および下側にそれぞれ設けられたノズル１２，１３
を介して載置台１１に向けて吹き付けるようにする。な
お、載置台１１の下側からも冷却用ガスＧを吹き付ける
のは、載置台１１は通常カーボン（Ｃ）あるいは炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）などの熱容量の大きい材料により構成さ
れているので、載置台１１についても冷却する必要があ
るからである。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を冷却手段を用いて冷却する。こ
れにより、放冷（自然冷却）する場合よりもｐ型不純物
のキャリア濃度および移動度が高いｐ型窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体が得られる。また、放冷して得られ
るｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりも抵抗率
が低い半導体が得られる。冷却手段としては、例えば、
冷却用ガスを吹き付けて急冷する方法が挙げられる。ア
ニールをランプ加熱アニール炉を用いたランプ加熱によ
り行う場合には、例えば、図１に示したように、載置台
１１の上に基板２１が載置された状態で、図示しない配
管から供給される冷却用ガスＧを、載置台１１の例えば
上側および下側にそれぞれ設けられたノズル１２，１３
を介して載置台１１に向けて吹き付けるようにする。な
お、載置台１１の下側からも冷却用ガスＧを吹き付ける
のは、載置台１１は通常カーボン（Ｃ）あるいは炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）などの熱容量の大きい材料により構成さ
れているので、載置台１１についても冷却する必要があ
るからである。
【００２３】冷却用ガスＧとしては、例えば窒素ガスを
用いることができる。冷却用ガスＧに窒素を用いれば、
窒素の脱離による窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中
の窒素不足を補うこともできる。なお、その場合には、
上述した加熱工程において使用する窒素ガスを供給する
ための配管とは別系統の配管からガスを供給するように
してもよいし、同一の配管から加熱工程時よりも大量の
ガスを供給するようにしてもよい。冷却用ガスＧとして
は、また、ヘリウムガス（Ｈｅ）やアルゴンガス（Ａ
ｒ）などの希ガスを用いることもできる。
用いることができる。冷却用ガスＧに窒素を用いれば、
窒素の脱離による窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中
の窒素不足を補うこともできる。なお、その場合には、
上述した加熱工程において使用する窒素ガスを供給する
ための配管とは別系統の配管からガスを供給するように
してもよいし、同一の配管から加熱工程時よりも大量の
ガスを供給するようにしてもよい。冷却用ガスＧとして
は、また、ヘリウムガス（Ｈｅ）やアルゴンガス（Ａ
ｒ）などの希ガスを用いることもできる。
【００２４】次に、上述したｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の製造方法を用いた半導体素子の製造方法
について説明する。なお、図２は、本実施の形態に係る
半導体素子の製造方法を用いて製造する半導体素子とし
ての半導体レーザの断面構成を表すものである。
化合物半導体の製造方法を用いた半導体素子の製造方法
について説明する。なお、図２は、本実施の形態に係る
半導体素子の製造方法を用いて製造する半導体素子とし
ての半導体レーザの断面構成を表すものである。
【００２５】図２に示したように、まず、例えば、３Ｂ
族元素のうちの所定の元素の原料である有機金属、窒素
の原料であるアンモニア、ｐ型不純物として添加するマ
グネシウムの原料である有機金属およびｎ型不純物とし
て添加するケイ素 （Ｓｉ）の原料であるモノシラン
（ＳｉＨ4 ）をそれぞれ用意する。次いで、例えば、サ
ファイアよりなる基板２１を図示しないＭＯＣＶＤ装置
内に配置し、ＭＯＣＶＤ法により基板２１のｃ面にＧａ
Ｎよりなるバッファ層２２を形成する。
族元素のうちの所定の元素の原料である有機金属、窒素
の原料であるアンモニア、ｐ型不純物として添加するマ
グネシウムの原料である有機金属およびｎ型不純物とし
て添加するケイ素 （Ｓｉ）の原料であるモノシラン
（ＳｉＨ4 ）をそれぞれ用意する。次いで、例えば、サ
ファイアよりなる基板２１を図示しないＭＯＣＶＤ装置
内に配置し、ＭＯＣＶＤ法により基板２１のｃ面にＧａ
Ｎよりなるバッファ層２２を形成する。
【００２６】続いて、バッファ層２２の上に、ｎ型窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層である各層をそれぞれ
成長させる。すなわち、例えば、ケイ素を添加したｎ型
ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層２３，ケイ素を添加し
たｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型クラッド層２４，ケ
イ素を添加したｎ型ＧａＮよりなるｎ型ガイド層２５を
順次成長させる。そののち、ｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に、例えば組成の異なるＧａx Ｉｎ
1-x Ｎ（但し、ｘ≧０）混晶層を積層した多重量子井戸
構造を有する活性層２６を成長させる。
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層である各層をそれぞれ
成長させる。すなわち、例えば、ケイ素を添加したｎ型
ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層２３，ケイ素を添加し
たｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型クラッド層２４，ケ
イ素を添加したｎ型ＧａＮよりなるｎ型ガイド層２５を
順次成長させる。そののち、ｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層の上に、例えば組成の異なるＧａx Ｉｎ
1-x Ｎ（但し、ｘ≧０）混晶層を積層した多重量子井戸
構造を有する活性層２６を成長させる。
【００２７】活性層２６を成長させたのち、活性層２６
の上に、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層であ
る各層をそれぞれ成長させる。すなわち、例えば、マグ
ネシウムを添加したＧａＮよりなるｐ型ガイド層２７，
マグネシウムを添加したＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型ク
ラッド層２８およびマグネシウムを添加したＧａＮより
なるｐ側コンタクト層２９を順次成長させる。各層を形
成する際、基板２１の温度を例えば１０００℃程度にそ
れぞれ調節する。なお、このとき、ｐ型ガイド層２７，
ｐ型クラッド層２８およびｐ側コンタクト層２９におい
ては、ｐ型不純物の活性化率が極めて低くなっている。
の上に、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層であ
る各層をそれぞれ成長させる。すなわち、例えば、マグ
ネシウムを添加したＧａＮよりなるｐ型ガイド層２７，
マグネシウムを添加したＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型ク
ラッド層２８およびマグネシウムを添加したＧａＮより
なるｐ側コンタクト層２９を順次成長させる。各層を形
成する際、基板２１の温度を例えば１０００℃程度にそ
れぞれ調節する。なお、このとき、ｐ型ガイド層２７，
ｐ型クラッド層２８およびｐ側コンタクト層２９におい
ては、ｐ型不純物の活性化率が極めて低くなっている。
【００２８】そののち、ｐ型ガイド層２７，ｐ型クラッ
ド層２８およびｐ側コンタクト層２９の各層を成長させ
た際のいずれの基板２１の温度よりも高い温度で加熱
し、これらの各層に含まれるｐ型不純物を活性化させ
る。続いて、例えば先のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の製造方法において説明した方法と同様の方法
によりｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を冷却
する。
ド層２８およびｐ側コンタクト層２９の各層を成長させ
た際のいずれの基板２１の温度よりも高い温度で加熱
し、これらの各層に含まれるｐ型不純物を活性化させ
る。続いて、例えば先のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の製造方法において説明した方法と同様の方法
によりｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を冷却
する。
【００２９】なお、上述した方法以外に、ｐ型ガイド層
２７を所定の成長温度で成長させた後にこの成長温度よ
りも高い温度でｐ型ガイド層２７を加熱し、ｐ型クラッ
ド層２８を所定の成長温度で成長させた後にこの成長温
度よりも高い温度でｐ型クラッド層２８を加熱し、更に
ｐ側コンタクト層２９を所定の成長温度で成長させた後
にこの成長温度よりも高い温度でｐ側コンタクト層２９
を加熱することにより、これらの各層に含まれるｐ型不
純物を活性化させることも可能である。
２７を所定の成長温度で成長させた後にこの成長温度よ
りも高い温度でｐ型ガイド層２７を加熱し、ｐ型クラッ
ド層２８を所定の成長温度で成長させた後にこの成長温
度よりも高い温度でｐ型クラッド層２８を加熱し、更に
ｐ側コンタクト層２９を所定の成長温度で成長させた後
にこの成長温度よりも高い温度でｐ側コンタクト層２９
を加熱することにより、これらの各層に含まれるｐ型不
純物を活性化させることも可能である。
【００３０】更に、ｐ型コンタクト層２９の上に、後述
するｎ側電極３１の形成位置に対応してストライプ形状
の図示しないレジストパターンを形成する。そののち、
このレジストパターンをマスクとして例えばＲＩＥ（Re
active Ion etching；反応性イオンエッチング）法によ
り、ｐ型コンタクト層２９，ｐ型クラッド層２８，ｐ型
ガイド層２７，活性層２６，ｎ型ガイド層２５およびｎ
型クラッド層２４を順次選択的に除去し、ｎ側コンタク
ト層２３を露出させる。次いで、図示しないレジストパ
ターンを除去し、ｐ側コンタクト層２９の上に、例え
ば、パラジウム（Ｐｄ）層，白金（Ｐｔ）層および金
（Ａｕ）層を順次蒸着し、ｐ側電極３０を形成する。ま
た、露出させたｎ側コンタクト層２３の上、例えば、チ
タン（Ｔｉ）層，アルミニウム層，白金層および金層を
順次蒸着してｎ側電極３１を形成する。そののち、加熱
処理を行いｎ側電極３１を合金化する。これにより、図
２に示した半導体レーザが完成する。
するｎ側電極３１の形成位置に対応してストライプ形状
の図示しないレジストパターンを形成する。そののち、
このレジストパターンをマスクとして例えばＲＩＥ（Re
active Ion etching；反応性イオンエッチング）法によ
り、ｐ型コンタクト層２９，ｐ型クラッド層２８，ｐ型
ガイド層２７，活性層２６，ｎ型ガイド層２５およびｎ
型クラッド層２４を順次選択的に除去し、ｎ側コンタク
ト層２３を露出させる。次いで、図示しないレジストパ
ターンを除去し、ｐ側コンタクト層２９の上に、例え
ば、パラジウム（Ｐｄ）層，白金（Ｐｔ）層および金
（Ａｕ）層を順次蒸着し、ｐ側電極３０を形成する。ま
た、露出させたｎ側コンタクト層２３の上、例えば、チ
タン（Ｔｉ）層，アルミニウム層，白金層および金層を
順次蒸着してｎ側電極３１を形成する。そののち、加熱
処理を行いｎ側電極３１を合金化する。これにより、図
２に示した半導体レーザが完成する。
【００３１】このように本実施の形態に係るｐ型窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法によれば、ｐ型
不純物を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を所定
の成長温度で成長させたのち、成長温度よりも高い温度
で加熱するようにしたので、成長温度よりも低い温度で
加熱する場合に比べてｐ型不純物の活性化率を向上させ
ることができる。すなわち、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体におけるホール濃度および移動度を高める
ことができる。また、抵抗率を低減することができる。
よって、このｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
製造方法を用いて半導体素子（ここでは、半導体レー
ザ）を作製すれば、ｐ側コンタクト層２９とｐ側電極３
０との間で良好なオーミック接触を得ることができる。
また、ｐ型クラッド層２８とｐ側コンタクト層２９との
間などの隣接するｐ型半導体層同士の直列抵抗を低減す
ることができる。その結果、得られる半導体レーザの動
作電圧の低減化を図ることができる。
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法によれば、ｐ型
不純物を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を所定
の成長温度で成長させたのち、成長温度よりも高い温度
で加熱するようにしたので、成長温度よりも低い温度で
加熱する場合に比べてｐ型不純物の活性化率を向上させ
ることができる。すなわち、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体におけるホール濃度および移動度を高める
ことができる。また、抵抗率を低減することができる。
よって、このｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
製造方法を用いて半導体素子（ここでは、半導体レー
ザ）を作製すれば、ｐ側コンタクト層２９とｐ側電極３
０との間で良好なオーミック接触を得ることができる。
また、ｐ型クラッド層２８とｐ側コンタクト層２９との
間などの隣接するｐ型半導体層同士の直列抵抗を低減す
ることができる。その結果、得られる半導体レーザの動
作電圧の低減化を図ることができる。
【００３２】更に、加熱工程において短時間の加熱する
だけであってもｐ型不純物の活性化率を向上させること
ができる。よって、製造コストの低減化を図ることがで
きる。
だけであってもｐ型不純物の活性化率を向上させること
ができる。よって、製造コストの低減化を図ることがで
きる。
【００３３】加えて、冷却手段を用いて冷却するように
したので、放冷する場合に比べてｐ型不純物の活性化率
を向上させることができる。従って、この点によっても
上述した理由と同様の理由により半導体レーザの動作電
圧の低減化を図ることができる。
したので、放冷する場合に比べてｐ型不純物の活性化率
を向上させることができる。従って、この点によっても
上述した理由と同様の理由により半導体レーザの動作電
圧の低減化を図ることができる。
【００３４】
【実施例】更に、本発明の具体的な実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
【００３５】（実施例１〜７）まず、サファイアよりな
る基板を用意し、この基板の上に、加圧型ＭＯＣＶＤ炉
を用いてｐ型不純物としてマグネシウムを添加したｐ型
ＧａＮを９９０度の成長温度で約１μｍ成長させたの
ち、ランプ加熱アニール炉を用いて窒素を含む雰囲気
（窒素ガスの流量；４ｍｌ／ｍｉｎ（４ｓｃｃｍ））中
で加熱した。その際、実施例１〜７でアニール温度（加
熱温度）およびアニール時間（加熱時間）を表１に示し
たようにそれぞれ変化させた。次いで、得られた実施例
１〜７の各ｐ型ＧａＮ層について、ホール測定を行い、
抵抗率，ホール濃度および移動度をそれぞれ求めた。
る基板を用意し、この基板の上に、加圧型ＭＯＣＶＤ炉
を用いてｐ型不純物としてマグネシウムを添加したｐ型
ＧａＮを９９０度の成長温度で約１μｍ成長させたの
ち、ランプ加熱アニール炉を用いて窒素を含む雰囲気
（窒素ガスの流量；４ｍｌ／ｍｉｎ（４ｓｃｃｍ））中
で加熱した。その際、実施例１〜７でアニール温度（加
熱温度）およびアニール時間（加熱時間）を表１に示し
たようにそれぞれ変化させた。次いで、得られた実施例
１〜７の各ｐ型ＧａＮ層について、ホール測定を行い、
抵抗率，ホール濃度および移動度をそれぞれ求めた。
【００３６】
【表１】
【００３７】図３は、実施例３においてマグネシウムを
含むＧａＮを成長させた後に加熱を行った際の、基板の
温度の経時変化を表すものである。なお、図３におい
て、縦軸は基板の温度（単位；℃）を示し、横軸は加熱
開始後の時間（単位；秒）を示している。図３から分か
るように、実施例３では、室温から３００℃まで一定の
速度で昇温させ、３００℃で一旦保持して脱水処理およ
び脱ガス処理を行ったのち、約１３℃／ｓｅｃの一定速
度で１０５０℃まで昇温させ、この温度で１０秒間保持
した。
含むＧａＮを成長させた後に加熱を行った際の、基板の
温度の経時変化を表すものである。なお、図３におい
て、縦軸は基板の温度（単位；℃）を示し、横軸は加熱
開始後の時間（単位；秒）を示している。図３から分か
るように、実施例３では、室温から３００℃まで一定の
速度で昇温させ、３００℃で一旦保持して脱水処理およ
び脱ガス処理を行ったのち、約１３℃／ｓｅｃの一定速
度で１０５０℃まで昇温させ、この温度で１０秒間保持
した。
【００３８】なお、実施例１〜７に対する比較例１とし
て、８００℃で１０分間ｐ型ＧａＮを加熱したことを除
き、他は実施例１〜７と同様にしてｐ型ＧａＮ層を作製
した。また、実施例１〜７に対する比較例２として、９
００℃で２分間ｐ型ＧａＮを加熱したことを除き、他は
実施例１〜７と同様にしてｐ型ＧａＮ層を作製した。比
較例１，２についても、実施例１〜７と同様にして、抵
抗率，ホール濃度および移動度をそれぞれ求めた。
て、８００℃で１０分間ｐ型ＧａＮを加熱したことを除
き、他は実施例１〜７と同様にしてｐ型ＧａＮ層を作製
した。また、実施例１〜７に対する比較例２として、９
００℃で２分間ｐ型ＧａＮを加熱したことを除き、他は
実施例１〜７と同様にしてｐ型ＧａＮ層を作製した。比
較例１，２についても、実施例１〜７と同様にして、抵
抗率，ホール濃度および移動度をそれぞれ求めた。
【００３９】図４は、比較例１においてマグネシウムを
含むＧａＮを成長させた後に加熱を行った際の、基板の
温度の経時変化を表すものである。このように、比較例
１では、室温から３００℃まで一定の速度で昇温したの
ち、設定温度（ここでは、８００℃）からのオーバーシ
ュートを避けるために、７５０℃まで昇温してこの温度
で一旦保持し、更に８００℃まで昇温した。
含むＧａＮを成長させた後に加熱を行った際の、基板の
温度の経時変化を表すものである。このように、比較例
１では、室温から３００℃まで一定の速度で昇温したの
ち、設定温度（ここでは、８００℃）からのオーバーシ
ュートを避けるために、７５０℃まで昇温してこの温度
で一旦保持し、更に８００℃まで昇温した。
【００４０】図５は、実施例１〜７および比較例１，２
における、ｐ型ＧａＮ層の抵抗率を表すものである。な
お、縦軸は抵抗値（単位；Ω・ｃｍ）を示し、横軸は加
熱温度（単位；℃）を示している。図５から分かるよう
に、実施例１〜７の各抵抗率は、比較例１，２の抵抗率
よりも低かった。すなわち、成長温度以上の温度で加熱
すれば、ｐ型ＧａＮの抵抗率が低くなることが分かっ
た。
における、ｐ型ＧａＮ層の抵抗率を表すものである。な
お、縦軸は抵抗値（単位；Ω・ｃｍ）を示し、横軸は加
熱温度（単位；℃）を示している。図５から分かるよう
に、実施例１〜７の各抵抗率は、比較例１，２の抵抗率
よりも低かった。すなわち、成長温度以上の温度で加熱
すれば、ｐ型ＧａＮの抵抗率が低くなることが分かっ
た。
【００４１】図６は、実施例１〜７および比較例１，２
における、ｐ型ＧａＮ層のホール濃度表すものである。
なお、縦軸はホール濃度（単位；ｃｍ-3）を示し、横軸
は加熱温度（単位；℃）を示している。図６から分かる
ように、実施例１〜７の各ホール濃度は、比較例１，２
のホール濃度よりも高かった。すなわち、成長温度以上
の温度で加熱すれば、ｐ型ＧａＮのホール濃度が高くな
ることが分かった。また、実施例５および比較例１の結
果より、同一時間加熱した場合、成長温度以上の温度で
加熱した方がホール濃度が高くなることが分かった。
における、ｐ型ＧａＮ層のホール濃度表すものである。
なお、縦軸はホール濃度（単位；ｃｍ-3）を示し、横軸
は加熱温度（単位；℃）を示している。図６から分かる
ように、実施例１〜７の各ホール濃度は、比較例１，２
のホール濃度よりも高かった。すなわち、成長温度以上
の温度で加熱すれば、ｐ型ＧａＮのホール濃度が高くな
ることが分かった。また、実施例５および比較例１の結
果より、同一時間加熱した場合、成長温度以上の温度で
加熱した方がホール濃度が高くなることが分かった。
【００４２】図７は、実施例１〜７および比較例１，２
における、ｐ型ＧａＮ層の移動度を表すものである。な
お、縦軸は移動度（単位；ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃ）を示
し、横軸は加熱温度（単位；℃）を示している。図７か
ら分かるように、実施例１〜７の各移動度は、比較例
１，２の移動度よりも高かった。すなわち、成長温度以
上の温度で加熱すれば、ｐ型ＧａＮの移動度が高くなる
ことが分かった。
における、ｐ型ＧａＮ層の移動度を表すものである。な
お、縦軸は移動度（単位；ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃ）を示
し、横軸は加熱温度（単位；℃）を示している。図７か
ら分かるように、実施例１〜７の各移動度は、比較例
１，２の移動度よりも高かった。すなわち、成長温度以
上の温度で加熱すれば、ｐ型ＧａＮの移動度が高くなる
ことが分かった。
【００４３】なお、図５〜図７には示していないが、加
熱時間を種々変化させて８００℃で加熱した場合につい
ても、各ｐ型ＧａＮ層について抵抗率，ホール濃度およ
び移動度をそれぞれ測定したところ、いずれの値につい
ても加熱時間による改善は見られなかった。
熱時間を種々変化させて８００℃で加熱した場合につい
ても、各ｐ型ＧａＮ層について抵抗率，ホール濃度およ
び移動度をそれぞれ測定したところ、いずれの値につい
ても加熱時間による改善は見られなかった。
【００４４】以上の結果から、マグネシウムを添加した
ＧａＮを成長させたのち、成長温度よりも高い温度で加
熱すれば、ｐ型ＧａＮのホール濃度および移動度が高く
なると共に、抵抗率が低くなり、ｐ型不純物の活性化率
が向上することが確認された。
ＧａＮを成長させたのち、成長温度よりも高い温度で加
熱すれば、ｐ型ＧａＮのホール濃度および移動度が高く
なると共に、抵抗率が低くなり、ｐ型不純物の活性化率
が向上することが確認された。
【００４５】（実施例８）基板の上に、ｐ型不純物とし
てマグネシウムを添加したｐ型Ａｌ0.06Ｇａ0.94Ｎ混晶
を成長させたのち、１０５０℃で加熱したことを除き、
他は実施例１〜７と同様にしてｐ型ＡｌＧａＮ混晶層を
作製した。なお、実施例８に対する比較例３として、８
００℃でｐ型Ａｌ0.06Ｇａ0.94Ｎ混晶を加熱したことを
除き、他は実施例８と同様にしてｐ型ＡｌＧａＮ混晶層
を作製した。実施例８および比較例３についても、実施
例１〜７と同様にして、抵抗率，ホール濃度および移動
度をそれぞれ求めた。得られた結果を表２に示す。
てマグネシウムを添加したｐ型Ａｌ0.06Ｇａ0.94Ｎ混晶
を成長させたのち、１０５０℃で加熱したことを除き、
他は実施例１〜７と同様にしてｐ型ＡｌＧａＮ混晶層を
作製した。なお、実施例８に対する比較例３として、８
００℃でｐ型Ａｌ0.06Ｇａ0.94Ｎ混晶を加熱したことを
除き、他は実施例８と同様にしてｐ型ＡｌＧａＮ混晶層
を作製した。実施例８および比較例３についても、実施
例１〜７と同様にして、抵抗率，ホール濃度および移動
度をそれぞれ求めた。得られた結果を表２に示す。
【００４６】
【表２】
【００４７】表２から分かるように、ｐ型ＡｌＧａＮ混
晶についても、ｐ型ＧａＮと同様に、マグネシウムを添
加したＡｌＧａＮ混晶を成長させたのち、成長温度より
も高い温度で加熱すれば、ｐ型ＡｌＧａＮ混晶のホール
濃度および移動度が高くなることが確認された。また、
抵抗率が２／３程度にまで低くなることが確認された。
なお、比較例３と同様の方法により得られる厚さ１μｍ
のｐ型Ａｌ0.06Ｇａ0. 94Ｎ混晶を上述した半導体レーザ
のｐ型クラッド層２８（図２）に用いる場合、ｐ側電極
３０の大きさ（いわゆるレーザストライプの大きさ）を
５μｍ×１ｍｍと仮定すると、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の直列抵抗は９Ωとなり、動作電流
０．２Ａでの電圧降下は１．８Ｖと大きくなってしま
う。
晶についても、ｐ型ＧａＮと同様に、マグネシウムを添
加したＡｌＧａＮ混晶を成長させたのち、成長温度より
も高い温度で加熱すれば、ｐ型ＡｌＧａＮ混晶のホール
濃度および移動度が高くなることが確認された。また、
抵抗率が２／３程度にまで低くなることが確認された。
なお、比較例３と同様の方法により得られる厚さ１μｍ
のｐ型Ａｌ0.06Ｇａ0. 94Ｎ混晶を上述した半導体レーザ
のｐ型クラッド層２８（図２）に用いる場合、ｐ側電極
３０の大きさ（いわゆるレーザストライプの大きさ）を
５μｍ×１ｍｍと仮定すると、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の直列抵抗は９Ωとなり、動作電流
０．２Ａでの電圧降下は１．８Ｖと大きくなってしま
う。
【００４８】（実施例９）実施例９として、ランプ加熱
アニール炉を用いて９５０℃で２分間加熱したのち、更
に６０ｍｌ／ｍｉｎ（６０ｓｃｃｍ）の流量で冷却用の
窒素ガスを吹き付けて冷却したことを除き、他は実施例
１〜７と同様にしてｐ型ＧａＮ層を作製した。また、実
施例９に対する比較例４として、冷却工程を行わず、自
然冷却したことを除き、他は実施例９と同様にしてｐ型
ＧａＮ層を作製した。なお、実施例９では、１０００℃
付近から８００℃付近にかけて、比較例４の約１．２倍
の速さで基板が冷却された。実施例９および比較例４に
ついても、実施例１〜７と同様にして、抵抗率，ホール
濃度および移動度をそれぞれ求めた。得られた結果を表
３に示す。
アニール炉を用いて９５０℃で２分間加熱したのち、更
に６０ｍｌ／ｍｉｎ（６０ｓｃｃｍ）の流量で冷却用の
窒素ガスを吹き付けて冷却したことを除き、他は実施例
１〜７と同様にしてｐ型ＧａＮ層を作製した。また、実
施例９に対する比較例４として、冷却工程を行わず、自
然冷却したことを除き、他は実施例９と同様にしてｐ型
ＧａＮ層を作製した。なお、実施例９では、１０００℃
付近から８００℃付近にかけて、比較例４の約１．２倍
の速さで基板が冷却された。実施例９および比較例４に
ついても、実施例１〜７と同様にして、抵抗率，ホール
濃度および移動度をそれぞれ求めた。得られた結果を表
３に示す。
【００４９】
【表３】
【００５０】表３から分かるように、実施例９では比較
例４よりも、抵抗率については４割程度にまで減少して
おり、ホール濃度については２割程度高かった。また、
移動度については２倍程度高かった。すなわち、アニー
ル後に冷却工程を経ることにより、ｐ型ＧａＮのホール
濃度および移動度が高くなると共に、抵抗率が低くな
り、ｐ型不純物の活性化率が向上することが確認され
た。
例４よりも、抵抗率については４割程度にまで減少して
おり、ホール濃度については２割程度高かった。また、
移動度については２倍程度高かった。すなわち、アニー
ル後に冷却工程を経ることにより、ｐ型ＧａＮのホール
濃度および移動度が高くなると共に、抵抗率が低くな
り、ｐ型不純物の活性化率が向上することが確認され
た。
【００５１】なお、ここでは具体的には説明しないが、
ｐ型不純物としてマグネシウム以外の不純物を用いた場
合についても、同様の結果が得られる。また、３Ｂ族元
素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少な
くとも窒素と、ｐ型不純物とを含有する他のｐ型窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する場合について
も、同様の結果が得られる。
ｐ型不純物としてマグネシウム以外の不純物を用いた場
合についても、同様の結果が得られる。また、３Ｂ族元
素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちの少な
くとも窒素と、ｐ型不純物とを含有する他のｐ型窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する場合について
も、同様の結果が得られる。
【００５２】以上、実施の形態よび実施例を挙げて本発
明を説明したが、本発明は上記実施の形態および各実施
例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例
えば、上記実施の形態では、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する場合につい
て説明したが、ＭＢＥ法やハイドライド気相成長法など
の他の方法により形成するようにしてもよい。なお、ハ
イドライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送または反応
に寄与する気相成長法のことをいう。
明を説明したが、本発明は上記実施の形態および各実施
例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例
えば、上記実施の形態では、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する場合につい
て説明したが、ＭＢＥ法やハイドライド気相成長法など
の他の方法により形成するようにしてもよい。なお、ハ
イドライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送または反応
に寄与する気相成長法のことをいう。
【００５３】また、上記実施の形態では、冷却手段とし
て、冷却用ガスを吹き付けて急冷する方法を具体例に挙
げて説明したが、他の冷却手段を適用することも可能で
ある。例えば、加熱工程ののち、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体が成長した基板を空冷または水冷され
た冷却部へ移送して強制的に冷却する方法などにより冷
却するようにしてもよい。
て、冷却用ガスを吹き付けて急冷する方法を具体例に挙
げて説明したが、他の冷却手段を適用することも可能で
ある。例えば、加熱工程ののち、ｐ型窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体が成長した基板を空冷または水冷され
た冷却部へ移送して強制的に冷却する方法などにより冷
却するようにしてもよい。
【００５４】更に、上記実施の形態では、ｐ型不純物を
含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長温度より
も高い温度で加熱した後に冷却する場合について説明し
たが、実施例９にも示したように、ｐ型不純物を含む窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長温度よりも低い
温度で加熱した後に冷却した場合においても本発明の効
果が得られる。
含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長温度より
も高い温度で加熱した後に冷却する場合について説明し
たが、実施例９にも示したように、ｐ型不純物を含む窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長温度よりも低い
温度で加熱した後に冷却した場合においても本発明の効
果が得られる。
【００５５】加えて、上記実施の形態では、半導体素子
の製造方法として半導体レーザの製造方法を具体例に挙
げて説明したが、本発明は、発光ダイオードあるいは電
界効果トランジスタなどの他の半導体素子を製造する場
合についても適用することができる。
の製造方法として半導体レーザの製造方法を具体例に挙
げて説明したが、本発明は、発光ダイオードあるいは電
界効果トランジスタなどの他の半導体素子を製造する場
合についても適用することができる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項５のいずれか１項に記載のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の製造方法によれば、ｐ型不純物を含有す
る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を第１の温度で成
長させたのち、第１の温度よりも高い第２の温度で加熱
するようにしたので、ｐ型不純物の活性化率を向上させ
ることができる。よって、得られるｐ型窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体のホール濃度および移動度を高くす
ることができ、抵抗率を低減することができる。
項５のいずれか１項に記載のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の製造方法によれば、ｐ型不純物を含有す
る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を第１の温度で成
長させたのち、第１の温度よりも高い第２の温度で加熱
するようにしたので、ｐ型不純物の活性化率を向上させ
ることができる。よって、得られるｐ型窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体のホール濃度および移動度を高くす
ることができ、抵抗率を低減することができる。
【００５７】また、請求項６記載のｐ型窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体の製造方法によれば、ｐ型不純物を
含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長さ
せ、加熱したのち、冷却手段を用いて冷却するようにし
たので、放冷により冷却する場合に比べてｐ型不純物の
活性化率を高くすることができる。
−Ｖ族化合物半導体の製造方法によれば、ｐ型不純物を
含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長さ
せ、加熱したのち、冷却手段を用いて冷却するようにし
たので、放冷により冷却する場合に比べてｐ型不純物の
活性化率を高くすることができる。
【００５８】加えて、請求項７または請求項８記載の半
導体素子の製造方法によれば、本発明の方法を用いてｐ
型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成するように
したので、素子特性を向上させることができる。
導体素子の製造方法によれば、本発明の方法を用いてｐ
型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成するように
したので、素子特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るｐ型窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体の製造方法に用いる冷却装置の概
略を表す構成図である。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体の製造方法に用いる冷却装置の概
略を表す構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るｐ型窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体の製造方法を用いて作製する半導
体レーザの構成を表す断面図である。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体の製造方法を用いて作製する半導
体レーザの構成を表す断面図である。
【図３】本発明の実施例３に係る加熱開始後の時間と基
板の温度との関係を表す特性図である。
板の温度との関係を表す特性図である。
【図４】本発明の比較例１に係る加熱開始後の時間と基
板の温度との関係を表す特性図である。
板の温度との関係を表す特性図である。
【図５】本発明の実施例１〜７および比較例１，２に係
るｐ型ＧａＮの抵抗率を表す特性図である。
るｐ型ＧａＮの抵抗率を表す特性図である。
【図６】本発明の実施例１〜７および比較例１，２に係
るｐ型ＧａＮのホール濃度を表す特性図である。
るｐ型ＧａＮのホール濃度を表す特性図である。
【図７】本発明の実施例１〜７および比較例１，２に係
るｐ型ＧａＮの移動度を表す特性図である。
るｐ型ＧａＮの移動度を表す特性図である。
１１…載置台、１２，１３…ノズル、２１…基板、２２
…バッファ層、２３…ｎ側コンタクト層、２４…ｎ型ク
ラッド層、２５…ｎ型ガイド層、２６…活性層、２７…
ｐ型ガイド層、２８…ｐ型クラッド層、２９…ｐ側コン
タクト層、３０…ｐ側電極、３１…ｎ側電極
…バッファ層、２３…ｎ側コンタクト層、２４…ｎ型ク
ラッド層、２５…ｎ型ガイド層、２６…活性層、２７…
ｐ型ガイド層、２８…ｐ型クラッド層、２９…ｐ側コン
タクト層、３０…ｐ側電極、３１…ｎ側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE11 BE15 DB08 EB01 FE11 HA06 5F041 AA24 CA34 CA40 CA46 CA53 CA57 CA65 CA66 CA73 CA82 CA84 CA92 5F045 AA04 AA05 AB09 AB14 AC07 AC08 AC12 AC19 AD13 AF04 BB16 CA05 CA11 CA12 DA53 DA55 HA16 HA18 5F073 AA45 AA74 CA07 CB05 CB07 CB10 DA05 EA29
Claims (8)
- 【請求項１】 ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、
５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）と、ｐ型不純
物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を第
１の温度で成長させる工程と、 前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、第１の温度
よりも高い第２の温度で加熱する工程とを含むことを特
徴とするｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造
方法。 - 【請求項２】 ｐ型不純物として、マグネシウム（Ｍ
ｇ）を用いることを特徴とする請求項１記載のｐ型窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 【請求項３】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、
有機金属気相成長法により成長させることを特徴とする
請求項１記載のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
の製造方法。 - 【請求項４】 前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を加熱する工程ののち、更に、 冷却手段を用いて、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を冷却する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の
ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 【請求項５】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に冷
却用ガスを吹き付けることにより冷却することを特徴と
する請求項４記載のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の製造方法。 - 【請求項６】 ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、
５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）と、ｐ型不純
物とを含有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成
長させる工程と、 前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加熱する工程
と、 冷却手段を用いて窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
冷却する工程とを含むことを特徴とするｐ型窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 【請求項７】 ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、
５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）と、ｐ型不純
物とを含有するｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を形成する工程を含む半導体素子の製造方法であって、 前記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する
工程が、 ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のう
ちの少なくとも窒素と、ｐ型不純物とを含有する窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、第１の温度で成長させ
る工程と、 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、第１の温度より
も高い第２の温度で加熱する工程とを含むようにしたこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項８】 ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、
５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）と、ｐ型不純
物とを含有するｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を形成する工程を含む半導体素子の製造方法であって、 前記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する
工程が、 ３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のう
ちの少なくとも窒素と、ｐ型不純物とを含有する窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる工程と、 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加熱する工程と、 冷却手段を用いて窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
冷却する工程とを含むようにしたことを特徴とする半導
体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000123131A JP2001308017A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000123131A JP2001308017A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308017A true JP2001308017A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18633494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000123131A Pending JP2001308017A (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308017A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1327483C (zh) * | 2002-02-27 | 2007-07-18 | 日矿金属株式会社 | 晶体的制造方法 |
| JP2008513327A (ja) * | 2004-09-16 | 2008-05-01 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック（セーエヌエールエス） | 窒化インジウム層の実現方法 |
| CN103215642A (zh) * | 2013-03-23 | 2013-07-24 | 北京工业大学 | 一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法 |
| JP2013191851A (ja) * | 2006-02-10 | 2013-09-26 | Regents Of The Univ Of California | （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎの伝導性制御方法 |
| JP2018125430A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| JP2021006496A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | 国立大学法人京都工芸繊維大学 | 薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-04-24 JP JP2000123131A patent/JP2001308017A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1327483C (zh) * | 2002-02-27 | 2007-07-18 | 日矿金属株式会社 | 晶体的制造方法 |
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| JP2018125430A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| JP2021006496A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | 国立大学法人京都工芸繊維大学 | 薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| JP7290218B2 (ja) | 2019-06-28 | 2023-06-13 | 国立大学法人京都工芸繊維大学 | 薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
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