JP3393425B2 - 窒化物系化合物半導体の熱処理方法 - Google Patents
窒化物系化合物半導体の熱処理方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、窒化物系化合物
半導体の熱処理方法に関し、特に、Ｍｇなどのアクセプ
タ不純物がドープされたＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させる
ための熱処理に適用して好適なものである。
半導体の熱処理方法に関し、特に、Ｍｇなどのアクセプ
タ不純物がドープされたＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させる
ための熱処理に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどの
窒化物（ナイトライド）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、その禁制帯幅が１．８ｅＶから６．２ｅＶに亘って
おり、赤色から紫外線の発光が可能な発光素子の実現が
理論上可能であるため、近年、注目を集めている。
窒化物（ナイトライド）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、その禁制帯幅が１．８ｅＶから６．２ｅＶに亘って
おり、赤色から紫外線の発光が可能な発光素子の実現が
理論上可能であるため、近年、注目を集めている。
【０００３】この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に
より発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどを製
造する場合には、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＮなど
を多層に積層し、発光層（活性層）をｎ型クラッド層お
よびｐ型クラッド層によりはさんだ構造を形成する必要
がある。
より発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどを製
造する場合には、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＮなど
を多層に積層し、発光層（活性層）をｎ型クラッド層お
よびｐ型クラッド層によりはさんだ構造を形成する必要
がある。
【０００４】さて、従来、有機金属化学気相成長（ＭＯ
ＣＶＤ）法などの気相成長法により例えばｐ型ＧａＮ層
を成長させるには、水素（Ｈ2 ）キャリアガスまたはＨ
2 と窒素（Ｎ2 ）との混合ガス中において、例えば、Ｇ
ａ原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ、Ｇａ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ）、Ｎ原料としてのアンモニア（ＮＨ3 ）およ
びｐ型ドーパントとしてのシクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を、加熱された基板、例えばサフ
ァイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板などの上に供給
し、熱分解反応によって、ＭｇドープＧａＮ層を成長さ
せる。この成長直後におけるＭｇドープＧａＮ層は高抵
抗層であるので、その後に真空中または不活性ガス中に
おいて熱処理を行うことによりｐ型化する。この場合、
この熱処理により、ＧａＮ結晶中に取り込まれたＨが脱
離することによりＧａＮ中のＭｇが活性化されてキャリ
アが発生し、ｐ型化するものとされている。
ＣＶＤ）法などの気相成長法により例えばｐ型ＧａＮ層
を成長させるには、水素（Ｈ2 ）キャリアガスまたはＨ
2 と窒素（Ｎ2 ）との混合ガス中において、例えば、Ｇ
ａ原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ、Ｇａ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ）、Ｎ原料としてのアンモニア（ＮＨ3 ）およ
びｐ型ドーパントとしてのシクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を、加熱された基板、例えばサフ
ァイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板などの上に供給
し、熱分解反応によって、ＭｇドープＧａＮ層を成長さ
せる。この成長直後におけるＭｇドープＧａＮ層は高抵
抗層であるので、その後に真空中または不活性ガス中に
おいて熱処理を行うことによりｐ型化する。この場合、
この熱処理により、ＧａＮ結晶中に取り込まれたＨが脱
離することによりＧａＮ中のＭｇが活性化されてキャリ
アが発生し、ｐ型化するものとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにして得られるｐ型ＧａＮ層のキャリア濃度は、現
状では高々３×１０17ｃｍ-3程度であり、その抵抗率は
２Ωｃｍ程度と高い。このため、例えば窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、
次のような問題があった。第１に、この半導体レーザに
おいては、ｐ側電極のコンタクト層としてｐ型ＧａＮ層
を用いるが、このｐ型ＧａＮ層の抵抗が高いので、高電
流動作時にこのｐ型ＧａＮ層において大きな電圧損失が
生じることである。第２に、ｐ型ＧａＮ層のキャリア濃
度が低いので、このｐ型ＧａＮ層とｐ側電極との間の接
触抵抗は１０-2Ωｃｍ2 程度と高く、このため半導体レ
ーザにおける典型的な注入電流密度である１ｋＡ／ｃｍ
2 での動作時にこのｐ型ＧａＮ層とｐ側電極との界面で
１０Ｖ程度の電圧損失が生じ、レーザ特性の劣化が生じ
ていた。
ようにして得られるｐ型ＧａＮ層のキャリア濃度は、現
状では高々３×１０17ｃｍ-3程度であり、その抵抗率は
２Ωｃｍ程度と高い。このため、例えば窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、
次のような問題があった。第１に、この半導体レーザに
おいては、ｐ側電極のコンタクト層としてｐ型ＧａＮ層
を用いるが、このｐ型ＧａＮ層の抵抗が高いので、高電
流動作時にこのｐ型ＧａＮ層において大きな電圧損失が
生じることである。第２に、ｐ型ＧａＮ層のキャリア濃
度が低いので、このｐ型ＧａＮ層とｐ側電極との間の接
触抵抗は１０-2Ωｃｍ2 程度と高く、このため半導体レ
ーザにおける典型的な注入電流密度である１ｋＡ／ｃｍ
2 での動作時にこのｐ型ＧａＮ層とｐ側電極との界面で
１０Ｖ程度の電圧損失が生じ、レーザ特性の劣化が生じ
ていた。
【０００６】以上はｐ型ＧａＮについてであるが、Ｇａ
Ｎ以外の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、より一般
的には窒化物系化合物半導体においてｐ型のものを得る
場合に、同様な問題が存在し得る。
Ｎ以外の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、より一般
的には窒化物系化合物半導体においてｐ型のものを得る
場合に、同様な問題が存在し得る。
【０００７】したがって、この発明の目的は、従来に比
べて高キャリア濃度のｐ型窒化物系化合物半導体を得る
ことができる窒化物系化合物半導体の熱処理方法を提供
することにある。
べて高キャリア濃度のｐ型窒化物系化合物半導体を得る
ことができる窒化物系化合物半導体の熱処理方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の従来
技術が有する問題を解決すべく、鋭意考察を行った。そ
の概要について説明すると、次の通りである。
技術が有する問題を解決すべく、鋭意考察を行った。そ
の概要について説明すると、次の通りである。
【０００９】上述のようにＭｇドープＧａＮ層を成長さ
せただけでは、低キャリア濃度で高抵抗率のｐ型ＧａＮ
層しか得られない理由は、成長時に結晶中に取り込まれ
た水素がＭｇの近傍に存在し、この水素との相互作用に
よりＭｇが不活性化されていることによる。そして、熱
処理により正孔が生成されるのは、この水素が脱離して
Ｍｇが活性化され、アクセプタ不純物として働くからで
ある。一方、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により成
長されたｐ型ＧａＮ層では、成長時に結晶中に水素が取
り込まれることがないため、アクセプタ不純物の活性化
のための熱処理を行わないでも、５×１０18ｃｍ-3以上
の正孔濃度が得られている。
せただけでは、低キャリア濃度で高抵抗率のｐ型ＧａＮ
層しか得られない理由は、成長時に結晶中に取り込まれ
た水素がＭｇの近傍に存在し、この水素との相互作用に
よりＭｇが不活性化されていることによる。そして、熱
処理により正孔が生成されるのは、この水素が脱離して
Ｍｇが活性化され、アクセプタ不純物として働くからで
ある。一方、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により成
長されたｐ型ＧａＮ層では、成長時に結晶中に水素が取
り込まれることがないため、アクセプタ不純物の活性化
のための熱処理を行わないでも、５×１０18ｃｍ-3以上
の正孔濃度が得られている。
【００１０】ところで、上述の従来の熱処理方法によっ
ても、熱処理時間を長くしたり、熱処理温度を高くした
りして結晶中に取り込まれた水素を脱離させることによ
り、ｐ型窒化物系化合物半導体の正孔濃度の増大および
抵抗率の低減を図ることが可能である。しかしながら、
結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させるために長
時間または高温の熱処理を行うと、主として窒素が脱離
することにより結晶自体が劣化してしまうという問題が
ある。
ても、熱処理時間を長くしたり、熱処理温度を高くした
りして結晶中に取り込まれた水素を脱離させることによ
り、ｐ型窒化物系化合物半導体の正孔濃度の増大および
抵抗率の低減を図ることが可能である。しかしながら、
結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させるために長
時間または高温の熱処理を行うと、主として窒素が脱離
することにより結晶自体が劣化してしまうという問題が
ある。
【００１１】したがって、もし、結晶の劣化を抑えつ
つ、長時間または高温の熱処理で結晶中の水素を１００
％脱離させることができれば、ＭＢＥ法により成長され
たｐ型ＧａＮ層並みの正孔濃度が得られると予想され
る。
つ、長時間または高温の熱処理で結晶中の水素を１００
％脱離させることができれば、ＭＢＥ法により成長され
たｐ型ＧａＮ層並みの正孔濃度が得られると予想され
る。
【００１２】そこで、本発明者は、種々検討を行った結
果、高キャリア濃度のｐ型窒化物系化合物半導体を得る
には、そのアクセプタ不純物を活性化させるための熱処
理中に活性水素が発生しないようにすることが有効であ
り、そのためには熱処理の雰囲気ガスの選定が極めて重
要であることを見出し、次のような結論に至った。
果、高キャリア濃度のｐ型窒化物系化合物半導体を得る
には、そのアクセプタ不純物を活性化させるための熱処
理中に活性水素が発生しないようにすることが有効であ
り、そのためには熱処理の雰囲気ガスの選定が極めて重
要であることを見出し、次のような結論に至った。
【００１３】１．キャリアガスとしてはＨ2 以外のもの
を用いるべきである。それは、成長結晶中にＨ2 が取り
込まれ、ｐ型不純物として用いられるＭｇなどを不活性
化させるからである。このようなキャリアガスとして
は、具体的には、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、Ｎ2 などがある。価格の点では、これらのうちＮ
2 が最も安価である。
を用いるべきである。それは、成長結晶中にＨ2 が取り
込まれ、ｐ型不純物として用いられるＭｇなどを不活性
化させるからである。このようなキャリアガスとして
は、具体的には、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、Ｎ2 などがある。価格の点では、これらのうちＮ
2 が最も安価である。
【００１４】２．熱処理の雰囲気ガスには、分解時の窒
素放出過程において水素を放出しない窒素含有炭化水素
を含ませる。これは、この窒素含有炭化水素がヒドロ基
（−Ｈ）を含まないという意味ではない。一つの分子内
にメチル基（−ＣＨ3 ）とヒドロ基（−Ｈ）とが存在す
る場合、それらは合体して安定なメタン（ＣＨ4 ）を形
成する確率が非常に高い。したがって、この窒素含有炭
化水素の分子に必要な条件は、ヒドロ基の数がメチル基
の数と等しいか、あるいは、メチル基の数より少ないこ
とである。例えば、トリメチルヒドラジン（（ＣＨ3 ）
2 Ｎ−ＮＨ（ＣＨ3 ））は （ＣＨ3 ）2 Ｎ−ＮＨ（ＣＨ3 ）→・Ｎ（ＣＨ3 ）2 ＋・ＮＨ（ＣＨ3 ） →２Ｎ＋Ｃ2 Ｈ6 ＋ＣＨ4 （１） のように分解し、水素を放出しない。
素放出過程において水素を放出しない窒素含有炭化水素
を含ませる。これは、この窒素含有炭化水素がヒドロ基
（−Ｈ）を含まないという意味ではない。一つの分子内
にメチル基（−ＣＨ3 ）とヒドロ基（−Ｈ）とが存在す
る場合、それらは合体して安定なメタン（ＣＨ4 ）を形
成する確率が非常に高い。したがって、この窒素含有炭
化水素の分子に必要な条件は、ヒドロ基の数がメチル基
の数と等しいか、あるいは、メチル基の数より少ないこ
とである。例えば、トリメチルヒドラジン（（ＣＨ3 ）
2 Ｎ−ＮＨ（ＣＨ3 ））は （ＣＨ3 ）2 Ｎ−ＮＨ（ＣＨ3 ）→・Ｎ（ＣＨ3 ）2 ＋・ＮＨ（ＣＨ3 ） →２Ｎ＋Ｃ2 Ｈ6 ＋ＣＨ4 （１） のように分解し、水素を放出しない。
【００１５】３．次に、窒素含有炭化水素がメチル基で
はなくエチル基（−Ｃ2 Ｈ5 ）を有する場合について考
察する。例えば、ジエチルアミン（ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）
2 ）では ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）2 →ＮＨ3 ＋２Ｃ2 Ｈ4 （２） なる分解反応が考えられる。また、 ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）2 →Ｎ−Ｃ2 Ｈ5 ＋Ｃ2 Ｈ6 →ＮＨ＋Ｃ2 Ｈ6 ＋Ｃ2 Ｈ4 （３） なる分解反応も考えられる。これらはいずれも、水素を
生成する反応である。ここで、（２）式および（３）式
においてはエチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）が生成されているが、
このようなエチル基のエチレン化脱離反応はβ−elimin
ation decomposition と呼ばれ、トリエチルガリウム
（ＴＥＧ、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）などの有機金属化合物
では非常に起こりやすいことが知られている。しかしな
がら、ＡｓやＮなどのＶ族元素とのエチル化合物では、
このβ−elimination decomposition脱離は起こりにく
いとされている（例えば、Appl. Organometal Chem. vo
l.5, 331(1991)) 。この場合の分解反応は ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）2 →Ｎ＋Ｃ2 Ｈ6 ＋・Ｃ2 Ｈ5 （４） となり、水素は生成されないので、エチル基はメチル基
と同じとみなしてよい。さらに、その他のアルキル基
も、同様な考察によりメチル基と同じとみなしてよい。
はなくエチル基（−Ｃ2 Ｈ5 ）を有する場合について考
察する。例えば、ジエチルアミン（ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）
2 ）では ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）2 →ＮＨ3 ＋２Ｃ2 Ｈ4 （２） なる分解反応が考えられる。また、 ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）2 →Ｎ−Ｃ2 Ｈ5 ＋Ｃ2 Ｈ6 →ＮＨ＋Ｃ2 Ｈ6 ＋Ｃ2 Ｈ4 （３） なる分解反応も考えられる。これらはいずれも、水素を
生成する反応である。ここで、（２）式および（３）式
においてはエチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）が生成されているが、
このようなエチル基のエチレン化脱離反応はβ−elimin
ation decomposition と呼ばれ、トリエチルガリウム
（ＴＥＧ、Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）などの有機金属化合物
では非常に起こりやすいことが知られている。しかしな
がら、ＡｓやＮなどのＶ族元素とのエチル化合物では、
このβ−elimination decomposition脱離は起こりにく
いとされている（例えば、Appl. Organometal Chem. vo
l.5, 331(1991)) 。この場合の分解反応は ＨＮ＜（Ｃ2 Ｈ5 ）2 →Ｎ＋Ｃ2 Ｈ6 ＋・Ｃ2 Ｈ5 （４） となり、水素は生成されないので、エチル基はメチル基
と同じとみなしてよい。さらに、その他のアルキル基
も、同様な考察によりメチル基と同じとみなしてよい。
【００１６】４．β−elimination を起こさない炭化水
素としてフェニル基（Ｃ6 Ｈ5 −）を有する芳香族環状
炭化水素がある。この芳香族環状炭化水素は非常に安定
であり、それ自身の分解エネルギは非常に大きい。この
芳香族環状炭化水素の一つである、フェニル基が窒素に
結合しているアミン、例えばフェニルメチルアミン（Ｃ
6 Ｈ5 −ＮＨ（ＣＨ3 ））の分解反応は Ｃ6 Ｈ5 −ＮＨ（ＣＨ3 ）→Ｃ6 Ｈ5 −Ｎ＋ＣＨ4 →Ｎ＋ＣＨ4 ＋・Ｃ6 Ｈ5 （５） となり、水素を放出しない。この意味では、フェニル基
はメチル基と同等とみなすことができる。ナフタレンの
ような高次の芳香族環状炭化水素についても同様である
が、これらは一般に蒸気圧が低い点で不利である。
素としてフェニル基（Ｃ6 Ｈ5 −）を有する芳香族環状
炭化水素がある。この芳香族環状炭化水素は非常に安定
であり、それ自身の分解エネルギは非常に大きい。この
芳香族環状炭化水素の一つである、フェニル基が窒素に
結合しているアミン、例えばフェニルメチルアミン（Ｃ
6 Ｈ5 −ＮＨ（ＣＨ3 ））の分解反応は Ｃ6 Ｈ5 −ＮＨ（ＣＨ3 ）→Ｃ6 Ｈ5 −Ｎ＋ＣＨ4 →Ｎ＋ＣＨ4 ＋・Ｃ6 Ｈ5 （５） となり、水素を放出しない。この意味では、フェニル基
はメチル基と同等とみなすことができる。ナフタレンの
ような高次の芳香族環状炭化水素についても同様である
が、これらは一般に蒸気圧が低い点で不利である。
【００１７】５．以上の考察から、高キャリア濃度のｐ
型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を得るための熱処理時の雰
囲気に用いる窒素含有炭化水素としては、例えば次のよ
うなものが挙げられる。すなわち、いま、Ｒをアルキル
基またはフェニル基（−Ｃ6Ｈ5 ）、Ｈをヒドロ基（−
Ｈ）とすると、アミン系化合物としてはＮＲ3 、ＮＨＲ
2 など、アゾ系化合物としてはＲＮ＝ＮＲ、ＨＮ＝ＮＲ
など、ヒドラジン系化合物としてはＲ2 Ｎ−ＮＨ2 、Ｒ
2 ´Ｎ−ＮＨＲ、Ｒ2 ´Ｎ−ＮＨ2 、ＲＨＮ−ＮＲＨな
ど、アジド系化合物としてはＲ−Ｎ3 などがある。
型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を得るための熱処理時の雰
囲気に用いる窒素含有炭化水素としては、例えば次のよ
うなものが挙げられる。すなわち、いま、Ｒをアルキル
基またはフェニル基（−Ｃ6Ｈ5 ）、Ｈをヒドロ基（−
Ｈ）とすると、アミン系化合物としてはＮＲ3 、ＮＨＲ
2 など、アゾ系化合物としてはＲＮ＝ＮＲ、ＨＮ＝ＮＲ
など、ヒドラジン系化合物としてはＲ2 Ｎ−ＮＨ2 、Ｒ
2 ´Ｎ−ＮＨＲ、Ｒ2 ´Ｎ−ＮＨ2 、ＲＨＮ−ＮＲＨな
ど、アジド系化合物としてはＲ−Ｎ3 などがある。
【００１８】６．次に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の成長を考え、そのときに用いるＩＩＩ族元素原料
の制限について考察する。まず、例えばトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ、Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）は分解時に水素を放
出しないので、使用することができる。
導体の成長を考え、そのときに用いるＩＩＩ族元素原料
の制限について考察する。まず、例えばトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ、Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）は分解時に水素を放
出しないので、使用することができる。
【００１９】次に、トリエチルガリウム（ＴＥＧ、Ｇａ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）はβ−elimination 反応によって Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 →ＧａＨ3 ＋３Ｃ2 Ｈ4 （６） のように分解してガラン（ＧａＨ3 ）を発生し、水素を
成長面に残す。この意味では、ＴＥＧは好ましくないと
いえる。しかしながら、一般にＶ族原料はＩＩＩ族原料
に対して数百倍過剰に供給されることから、例えば窒素
原料としてトリメチルアミンを用いる場合には、ＧａＨ
3 の数百倍のメチル基が理論上存在していることにな
り、ＧａＨ3 の水素を消費する。したがって、ＩＩＩ族
原料からの水素の生成は、このＩＩＩ族原料の供給量が
圧倒的に少ないので、無視することができる。
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）はβ−elimination 反応によって Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 →ＧａＨ3 ＋３Ｃ2 Ｈ4 （６） のように分解してガラン（ＧａＨ3 ）を発生し、水素を
成長面に残す。この意味では、ＴＥＧは好ましくないと
いえる。しかしながら、一般にＶ族原料はＩＩＩ族原料
に対して数百倍過剰に供給されることから、例えば窒素
原料としてトリメチルアミンを用いる場合には、ＧａＨ
3 の数百倍のメチル基が理論上存在していることにな
り、ＧａＨ3 の水素を消費する。したがって、ＩＩＩ族
原料からの水素の生成は、このＩＩＩ族原料の供給量が
圧倒的に少ないので、無視することができる。
【００２０】次に、クロライド法などで用いられる塩化
ガリウム（ＧａＣｌ）を用いることができることも明ら
かである。以上のことより、ＩＩＩ族原料の制限は実質
的にないといえる。
ガリウム（ＧａＣｌ）を用いることができることも明ら
かである。以上のことより、ＩＩＩ族原料の制限は実質
的にないといえる。
【００２１】この発明は、本発明者による以上の考察に
基づいて案出されたものである。すなわち、上記目的を
達成するために、この発明は、アクセプタ不純物がドー
プされた窒化物系化合物半導体を熱処理することにより
アクセプタ不純物を活性化させるようにした窒化物系化
合物半導体の熱処理方法において、窒素放出過程におい
て水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む雰囲気中に
おいて窒化物系化合物半導体を熱処理するようにしたこ
とを特徴とするものである。
基づいて案出されたものである。すなわち、上記目的を
達成するために、この発明は、アクセプタ不純物がドー
プされた窒化物系化合物半導体を熱処理することにより
アクセプタ不純物を活性化させるようにした窒化物系化
合物半導体の熱処理方法において、窒素放出過程におい
て水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む雰囲気中に
おいて窒化物系化合物半導体を熱処理するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【００２２】この発明においては、典型的には、不活性
ガスと窒素含有炭化水素とからなる雰囲気中において窒
化物系化合物半導体を熱処理する。不活性ガスとして
は、例えばＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2 などが用いられる。
ガスと窒素含有炭化水素とからなる雰囲気中において窒
化物系化合物半導体を熱処理する。不活性ガスとして
は、例えばＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2 などが用いられる。
【００２３】この発明において、窒素含有炭化水素は、
典型的には、窒素と結合しているヒドロ基とアルキル基
および／またはフェニル基とを含み、かつ、ヒドロ基の
数はアルキル基の数とフェニル基の数との和以下である
ものである。このような窒素含有炭化水素は、具体的に
は、上述のようなアミン系化合物、アゾ系化合物、ヒド
ラジン系化合物、アジド系化合物などであり、これらの
うちから熱処理すべき窒化物系化合物半導体の種類など
に応じて適切なものが選ばれる。特に、アミン系化合物
としては、トリメチルアミン、ジメチルアミン、トリエ
チルアミン、ジエチルアミンなどが好適に用いられる。
典型的には、窒素と結合しているヒドロ基とアルキル基
および／またはフェニル基とを含み、かつ、ヒドロ基の
数はアルキル基の数とフェニル基の数との和以下である
ものである。このような窒素含有炭化水素は、具体的に
は、上述のようなアミン系化合物、アゾ系化合物、ヒド
ラジン系化合物、アジド系化合物などであり、これらの
うちから熱処理すべき窒化物系化合物半導体の種類など
に応じて適切なものが選ばれる。特に、アミン系化合物
としては、トリメチルアミン、ジメチルアミン、トリエ
チルアミン、ジエチルアミンなどが好適に用いられる。
【００２４】この発明において、典型的には、窒化物系
化合物半導体はＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選
ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなる窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である。この窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の具体例をいくつか挙げる
と、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどである。
化合物半導体はＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選
ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなる窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である。この窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の具体例をいくつか挙げる
と、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどである。
【００２５】この発明において、窒化物系化合物半導体
にドープするアクセプタ不純物としては、ＩＩ族元素、
例えばＭｇ、Ｚｎ、Ｃｄなどが用いられる。
にドープするアクセプタ不純物としては、ＩＩ族元素、
例えばＭｇ、Ｚｎ、Ｃｄなどが用いられる。
【００２６】この発明においては、典型的には、熱処理
すべき窒化物系化合物半導体は、有機金属化学気相成長
法により気相成長されたものである。
すべき窒化物系化合物半導体は、有機金属化学気相成長
法により気相成長されたものである。
【００２７】上述のように構成されたこの発明による窒
化物系化合物半導体の熱処理方法においては、窒素放出
過程において水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む
雰囲気中において窒化物系化合物半導体を熱処理するよ
うにしていることにより、熱処理時に窒化物系化合物半
導体から窒素が脱離するのを防止することができ、この
窒素の脱離による窒化物系化合物半導体の結晶の劣化を
抑えることができる。このため、より長時間、より高温
の熱処理が可能となるので、成長時に窒化物系化合物半
導体の結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させるこ
とができ、これによって水素により不活性化されていた
アクセプタ不純物を十分に活性化させることができる。
化物系化合物半導体の熱処理方法においては、窒素放出
過程において水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む
雰囲気中において窒化物系化合物半導体を熱処理するよ
うにしていることにより、熱処理時に窒化物系化合物半
導体から窒素が脱離するのを防止することができ、この
窒素の脱離による窒化物系化合物半導体の結晶の劣化を
抑えることができる。このため、より長時間、より高温
の熱処理が可能となるので、成長時に窒化物系化合物半
導体の結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させるこ
とができ、これによって水素により不活性化されていた
アクセプタ不純物を十分に活性化させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。この一実施形態にお
いては、この発明をｐ型ＧａＮ層の作製に適用した場合
について説明する。
いて図面を参照しながら説明する。この一実施形態にお
いては、この発明をｐ型ＧａＮ層の作製に適用した場合
について説明する。
【００２９】すなわち、この一実施形態によるｐ型Ｇａ
Ｎ層の作製方法においては、まず、ＭＯＣＶＤ装置の反
応炉内にｃ面サファイア基板を入れ、例えば８ｌ／分の
流量のＨ2 ガスと例えば８ｌ／分の流量のＮ2 ガスとの
混合ガス中において、例えば１０５０℃、２０分間の条
件で熱処理を行うことにより、このｃ面サファイア基板
の表面をクリーニングする。
Ｎ層の作製方法においては、まず、ＭＯＣＶＤ装置の反
応炉内にｃ面サファイア基板を入れ、例えば８ｌ／分の
流量のＨ2 ガスと例えば８ｌ／分の流量のＮ2 ガスとの
混合ガス中において、例えば１０５０℃、２０分間の条
件で熱処理を行うことにより、このｃ面サファイア基板
の表面をクリーニングする。
【００３０】次に、基板温度を例えば５２０℃に下げた
後、図１Ａに示すように、上述のようにして表面がクリ
ーニングされたｃ面サファイア基板１上に例えば厚さ２
５ｎｍのアンドープのＧａＮバッファ層２をＭＯＣＶＤ
法により成長させる。
後、図１Ａに示すように、上述のようにして表面がクリ
ーニングされたｃ面サファイア基板１上に例えば厚さ２
５ｎｍのアンドープのＧａＮバッファ層２をＭＯＣＶＤ
法により成長させる。
【００３１】次に、基板温度を例えば１０００℃まで上
昇させた後、図１Ｂに示すように、ＧａＮバッファ層２
上に例えば厚さ２μｍのｐ型ＧａＮ層３をＭＯＣＶＤ法
により成長させる。
昇させた後、図１Ｂに示すように、ＧａＮバッファ層２
上に例えば厚さ２μｍのｐ型ＧａＮ層３をＭＯＣＶＤ法
により成長させる。
【００３２】これらのＧａＮバッファ層２およびｐ型Ｇ
ａＮ層３の成長においては、Ｇａ原料としてトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）、ｐ型ドーパントとしてシクロペンタジエニルマ
グネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を用いる。また、成長時のキ
ャリアガスとしては、８ｌ／分の流量のＨ2 ガスと８ｌ
／分の流量のＮ2 ガスとの混合ガスを用いる。また、原
料ガスおよびｐ型ドーパントガスの流量は、例えば、Ｔ
ＭＧは４０μ−ｍｏｌ／分、アンモニアは０．４ｍｏｌ
／分、Ｃｐ2 Ｍｇは約４０μ−ｍｏｌ／分である。さら
に、成長圧力は例えば２５０Ｔｏｒｒである。
ａＮ層３の成長においては、Ｇａ原料としてトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）、ｐ型ドーパントとしてシクロペンタジエニルマ
グネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を用いる。また、成長時のキ
ャリアガスとしては、８ｌ／分の流量のＨ2 ガスと８ｌ
／分の流量のＮ2 ガスとの混合ガスを用いる。また、原
料ガスおよびｐ型ドーパントガスの流量は、例えば、Ｔ
ＭＧは４０μ−ｍｏｌ／分、アンモニアは０．４ｍｏｌ
／分、Ｃｐ2 Ｍｇは約４０μ−ｍｏｌ／分である。さら
に、成長圧力は例えば２５０Ｔｏｒｒである。
【００３３】このようにして成長されたＭｇドープｐ型
ＧａＮ層３中のＭｇ濃度を二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）法により分析したところ、９×１０19ｃｍ-3であっ
た。また、この成長直後のｐ型ＧａＮ層３は、ホール
（Hall）測定によるキャリア濃度の測定をすることがで
きず、高抵抗であった。
ＧａＮ層３中のＭｇ濃度を二次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）法により分析したところ、９×１０19ｃｍ-3であっ
た。また、この成長直後のｐ型ＧａＮ層３は、ホール
（Hall）測定によるキャリア濃度の測定をすることがで
きず、高抵抗であった。
【００３４】次に、図１Ｃに示すように、上述のように
してｐ型ＧａＮ層３が成長されたｃ面サファイア基板１
を窒素（Ｎ2 ）ガスとトリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）
3 ）のガスとの混合ガス雰囲気中において熱処理するこ
とにより、ｐ型ＧａＮ層３中のＭｇを活性化させる。
してｐ型ＧａＮ層３が成長されたｃ面サファイア基板１
を窒素（Ｎ2 ）ガスとトリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）
3 ）のガスとの混合ガス雰囲気中において熱処理するこ
とにより、ｐ型ＧａＮ層３中のＭｇを活性化させる。
【００３５】図２はこの熱処理に用いる熱処理装置を示
す。図２に示すように、この熱処理装置においては、赤
外線ランプによる加熱炉１１内に石英管１２が設けられ
ている。この石英管１２内にはカーボンサセプタ１３が
置かれ、このカーボンサセプタ１３上に熱処理を行うべ
き基板１４が載せられるようになっている。この図２に
示す熱処理装置により熱処理を行うには、ｐ型ＧａＮ層
３が成長されたｃ面サファイア基板１をカーボンサセプ
タ１３上に載せ、このカーボンサセプタ１３を石英管１
２内に入れた後、この石英管１２内にＮ2 ガスを２ｌ／
分の流量、トリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）3 ）を２０
０ｍｌ／分の流量で流しながら、加熱炉１１内で赤外線
ランプによる赤外線照射によりｃ面サファイア基板１を
急速加熱する。ここで、トリメチルアミンは０℃で１気
圧程度の蒸気圧を有するが、ここでは、このトリメチル
アミンをボンベに充填し、このボンベの温度を４０℃に
温め、流量制御器を用いてその供給を制御した。
す。図２に示すように、この熱処理装置においては、赤
外線ランプによる加熱炉１１内に石英管１２が設けられ
ている。この石英管１２内にはカーボンサセプタ１３が
置かれ、このカーボンサセプタ１３上に熱処理を行うべ
き基板１４が載せられるようになっている。この図２に
示す熱処理装置により熱処理を行うには、ｐ型ＧａＮ層
３が成長されたｃ面サファイア基板１をカーボンサセプ
タ１３上に載せ、このカーボンサセプタ１３を石英管１
２内に入れた後、この石英管１２内にＮ2 ガスを２ｌ／
分の流量、トリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）3 ）を２０
０ｍｌ／分の流量で流しながら、加熱炉１１内で赤外線
ランプによる赤外線照射によりｃ面サファイア基板１を
急速加熱する。ここで、トリメチルアミンは０℃で１気
圧程度の蒸気圧を有するが、ここでは、このトリメチル
アミンをボンベに充填し、このボンベの温度を４０℃に
温め、流量制御器を用いてその供給を制御した。
【００３６】図３および図４は、それぞれ、熱処理温度
を１０００℃に固定し、熱処理時間を１分から１００分
まで変化させたときのｐ型ＧａＮ層３の抵抗率および正
孔濃度の変化を示す。図３および図４から明らかなよう
に、抵抗率および正孔濃度とも、熱処理時間の増加によ
って著しく改善され、熱処理時間が１００分間では正孔
濃度は約５×１０18ｃｍ-3、抵抗率は０．２〜０．３Ω
ｃｍとなっている。
を１０００℃に固定し、熱処理時間を１分から１００分
まで変化させたときのｐ型ＧａＮ層３の抵抗率および正
孔濃度の変化を示す。図３および図４から明らかなよう
に、抵抗率および正孔濃度とも、熱処理時間の増加によ
って著しく改善され、熱処理時間が１００分間では正孔
濃度は約５×１０18ｃｍ-3、抵抗率は０．２〜０．３Ω
ｃｍとなっている。
【００３７】このようにｐ型ＧａＮ層３の正孔濃度が増
加する理由は、熱処理時の雰囲気中にトリメチルアミン
が含まれていることによりＮの脱離によるｐ型ＧａＮ層
３の結晶の劣化が抑えられ、同時にこの結晶中に取り込
まれていた水素が十分に脱離したことによると考えられ
る。この場合、このトリメチルアミンは、ｐ型ＧａＮ層
３の表面で分解して活性窒素を生じ、それがｐ型ＧａＮ
層３の結晶表面のＮの蒸発を防いでいるものと考えられ
る。
加する理由は、熱処理時の雰囲気中にトリメチルアミン
が含まれていることによりＮの脱離によるｐ型ＧａＮ層
３の結晶の劣化が抑えられ、同時にこの結晶中に取り込
まれていた水素が十分に脱離したことによると考えられ
る。この場合、このトリメチルアミンは、ｐ型ＧａＮ層
３の表面で分解して活性窒素を生じ、それがｐ型ＧａＮ
層３の結晶表面のＮの蒸発を防いでいるものと考えられ
る。
【００３８】一方、比較のために、従来の方法により熱
処理を行ったｐ型ＧａＮ層３の熱処理温度による抵抗率
の変化、熱処理時間による抵抗率の変化および熱処理時
間による正孔濃度の変化をそれぞれ図５、図６および図
７に示す。
処理を行ったｐ型ＧａＮ層３の熱処理温度による抵抗率
の変化、熱処理時間による抵抗率の変化および熱処理時
間による正孔濃度の変化をそれぞれ図５、図６および図
７に示す。
【００３９】すなわち、図５は熱処理温度を８００〜１
１００℃の範囲で変えて熱処理を３分間および１０分間
行ったときの熱処理温度によるｐ型ＧａＮ層３の抵抗率
の変化を示す。図５から明らかなように、熱処理温度が
８００〜９００℃のときには抵抗率は約１０Ωｃｍに減
少するが、熱処理温度がより高くなると、抵抗率は逆に
上昇する。そして、熱処理温度が１０００℃以上になる
と、熱処理時間が３分間のものより、１０分間のものの
方が抵抗率の上昇は著しくなっている。
１００℃の範囲で変えて熱処理を３分間および１０分間
行ったときの熱処理温度によるｐ型ＧａＮ層３の抵抗率
の変化を示す。図５から明らかなように、熱処理温度が
８００〜９００℃のときには抵抗率は約１０Ωｃｍに減
少するが、熱処理温度がより高くなると、抵抗率は逆に
上昇する。そして、熱処理温度が１０００℃以上になる
と、熱処理時間が３分間のものより、１０分間のものの
方が抵抗率の上昇は著しくなっている。
【００４０】図６は、熱処理温度を１０００℃に固定し
て１分間、３分間および１０分間熱処理したときのｐ型
ＧａＮ層３の抵抗率の変化を示す。図６からわかるよう
に、熱処理温度が１０００℃では、熱処理時間が１分間
でも、抵抗率が９Ωｃｍと大きく、すでに劣化が始まっ
ていることがわかる。
て１分間、３分間および１０分間熱処理したときのｐ型
ＧａＮ層３の抵抗率の変化を示す。図６からわかるよう
に、熱処理温度が１０００℃では、熱処理時間が１分間
でも、抵抗率が９Ωｃｍと大きく、すでに劣化が始まっ
ていることがわかる。
【００４１】図７は、ｐ型ＧａＮ層３の正孔濃度の熱処
理時間による変化を示す。図７から明らかなように、熱
処理時間が長くなるにしたがって正孔濃度は減少し、熱
処理温度が１０００℃の場合の最適熱処理時間は１分以
下であることがわかる。
理時間による変化を示す。図７から明らかなように、熱
処理時間が長くなるにしたがって正孔濃度は減少し、熱
処理温度が１０００℃の場合の最適熱処理時間は１分以
下であることがわかる。
【００４２】以上のように、この一実施形態によれば、
Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層３中のＭｇを活性化させるため
の熱処理をＮ2 ガスとトリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）
3 ）との混合ガスからなる雰囲気中において行っている
ことにより、例えば正孔濃度が５×１０18ｃｍ-3程度、
抵抗率が０．２Ωｃｍ程度と従来に比べて極めて高キャ
リア濃度、低抵抗率のｐ型ＧａＮ層３を得ることができ
る。
Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層３中のＭｇを活性化させるため
の熱処理をＮ2 ガスとトリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）
3 ）との混合ガスからなる雰囲気中において行っている
ことにより、例えば正孔濃度が５×１０18ｃｍ-3程度、
抵抗率が０．２Ωｃｍ程度と従来に比べて極めて高キャ
リア濃度、低抵抗率のｐ型ＧａＮ層３を得ることができ
る。
【００４３】このｐ型ＧａＮ層３は、例えばＧａＮ系半
導体レーザにおけるｐ側電極のコンタクト層として用い
て好適なものであり、このｐ側電極の接触抵抗を１０-3
〜１０-4Ωｃｍ2 に低減することができる。これによっ
て、半導体レーザの低動作電圧化および長寿命化を図る
ことができる。
導体レーザにおけるｐ側電極のコンタクト層として用い
て好適なものであり、このｐ側電極の接触抵抗を１０-3
〜１０-4Ωｃｍ2 に低減することができる。これによっ
て、半導体レーザの低動作電圧化および長寿命化を図る
ことができる。
【００４４】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
【００４５】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値を用いてもよい。さらに、上述の一実施形態にお
いては、ｐ型ＧａＮ層３を成長させるためのＮ原料とし
てアンモニア（ＮＨ3 ）を用いているが、このＮ原料と
しては、先に挙げた各種の窒素含有炭化水素、例えばト
リメチルアミン（（ＣＨ3 ）3 Ｎ）を用いてもよい。
数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値を用いてもよい。さらに、上述の一実施形態にお
いては、ｐ型ＧａＮ層３を成長させるためのＮ原料とし
てアンモニア（ＮＨ3 ）を用いているが、このＮ原料と
しては、先に挙げた各種の窒素含有炭化水素、例えばト
リメチルアミン（（ＣＨ3 ）3 Ｎ）を用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による窒
化物系化合物半導体の熱処理方法によれば、窒素放出過
程において水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む雰
囲気中において窒化物系化合物半導体を熱処理するよう
にしていることにより、より長時間、より高温の熱処理
が可能となる。このため、成長時に窒化物系化合物半導
体の結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させること
ができ、水素により不活性化されていたアクセプタ不純
物を十分に活性化させることができる。これによって、
従来に比べて高キャリア濃度のｐ型窒化物系化合物半導
体を得ることができる。
化物系化合物半導体の熱処理方法によれば、窒素放出過
程において水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む雰
囲気中において窒化物系化合物半導体を熱処理するよう
にしていることにより、より長時間、より高温の熱処理
が可能となる。このため、成長時に窒化物系化合物半導
体の結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させること
ができ、水素により不活性化されていたアクセプタ不純
物を十分に活性化させることができる。これによって、
従来に比べて高キャリア濃度のｐ型窒化物系化合物半導
体を得ることができる。
【図１】この発明の一実施形態によるｐ型ＧａＮ層の作
製方法を説明するための断面図である。
製方法を説明するための断面図である。
【図２】この発明の一実施形態によるｐ型ＧａＮ層の作
製方法において不純物を活性化させるための熱処理に用
いられる熱処理装置を示す略線図である。
製方法において不純物を活性化させるための熱処理に用
いられる熱処理装置を示す略線図である。
【図３】この発明の一実施形態によるｐ型ＧａＮ層の作
製方法において不純物を活性化させるための熱処理を行
った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ層の抵抗率との関係
を示す略線図である。
製方法において不純物を活性化させるための熱処理を行
った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ層の抵抗率との関係
を示す略線図である。
【図４】この発明の一実施形態によるｐ型ＧａＮ層の作
製方法において不純物を活性化させるための熱処理を１
０００℃で行った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ層の正
孔濃度との関係を示す略線図である。
製方法において不純物を活性化させるための熱処理を１
０００℃で行った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ層の正
孔濃度との関係を示す略線図である。
【図５】従来の方法により不純物の活性化のための熱処
理を行った場合の熱処理温度とｐ型ＧａＮ層の抵抗率と
の関係を示す略線図である。
理を行った場合の熱処理温度とｐ型ＧａＮ層の抵抗率と
の関係を示す略線図である。
【図６】従来の方法により不純物の活性化のための熱処
理を１０００℃で行った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ
層の抵抗率との関係を示す略線図である。
理を１０００℃で行った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ
層の抵抗率との関係を示す略線図である。
【図７】従来の方法により不純物の活性化のための熱処
理を１０００℃で行った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ
層の正孔濃度との関係を示す略線図である。
理を１０００℃で行った場合の熱処理時間とｐ型ＧａＮ
層の正孔濃度との関係を示す略線図である。
１・・・ｃ面サファイア基板、２・・・ＧａＮバッファ
層、３・・・ｐ型ＧａＮ層
層、３・・・ｐ型ＧａＮ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−183189（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 21/324
H01L 21/203
Claims (8)
- 【請求項１】 アクセプタ不純物がドープされた窒化物
系化合物半導体を熱処理することにより上記アクセプタ
不純物を活性化させるようにした窒化物系化合物半導体
の熱処理方法において、 窒素放出過程において水素を放出しない窒素含有炭化水
素を含む雰囲気中において上記窒化物系化合物半導体を
熱処理するようにしたことを特徴とする窒化物系化合物
半導体の熱処理方法。 - 【請求項２】 不活性ガスと上記窒素含有炭化水素とか
らなる雰囲気中において上記窒化物系化合物半導体を熱
処理するようにしたことを特徴とする請求項１記載の窒
化物系化合物半導体の熱処理方法。 - 【請求項３】 上記窒素含有炭化水素は、窒素と結合し
ているヒドロ基とアルキル基および／またはフェニル基
とを含み、かつ、上記ヒドロ基の数は上記アルキル基の
数と上記フェニル基の数との和以下であることを特徴と
する請求項１記載の窒化物系化合物半導体の熱処理方
法。 - 【請求項４】 上記窒素含有炭化水素はアミン系化合
物、アゾ系化合物、ヒドラジン系化合物またはアジド系
化合物であることを特徴とする請求項３記載の窒化物系
化合物半導体の熱処理方法。 - 【請求項５】 上記窒素含有炭化水素はトリメチルアミ
ン、ジメチルアミン、トリエチルアミンまたはジエチル
アミンであることを特徴とする請求項３記載の窒化物系
化合物半導体の熱処理方法。 - 【請求項６】 上記窒化物系化合物半導体はＡｌ、Ｇａ
およびＩｎからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩ
ＩＩ族元素とＮとからなることを特徴とする請求項１記
載の窒化物系化合物半導体の熱処理方法。 - 【請求項７】 上記アクセプタ不純物としてＩＩ族元素
を用いることを特徴とする請求項１記載の窒化物系化合
物半導体の熱処理方法。 - 【請求項８】 上記窒化物系化合物半導体は有機金属化
学気相成長法により気相成長されたものであることを特
徴とする請求項１記載の窒化物系化合物半導体の熱処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18141796A JP3393425B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 窒化物系化合物半導体の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18141796A JP3393425B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 窒化物系化合物半導体の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012624A JPH1012624A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3393425B2 true JP3393425B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=16100411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18141796A Expired - Fee Related JP3393425B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 窒化物系化合物半導体の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393425B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1145224C (zh) * | 1998-05-08 | 2004-04-07 | 三星电子株式会社 | 使化合物半导体层激活成为p-型化合物半导体层的方法 |
| JP4581198B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP5037000B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2012-09-26 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体のアニール処理方法 |
| JP2007173854A (ja) * | 2007-01-29 | 2007-07-05 | Sony Corp | 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2540791B2 (ja) * | 1991-11-08 | 1996-10-09 | 日亜化学工業株式会社 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP18141796A patent/JP3393425B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH1012624A (ja) | 1998-01-16 |
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