JP2003255131A - 光学フィルム、偏光板保護フィルム、偏光板及び基材表面の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリビニルアルコールシートとの接着性が優
れた、作業上安全で環境に悪影響を及ぼさない加工で生
産できる偏光板用保護フィルム等の光学フィルムおよび
これらを用いた偏光板、液晶ディスプレイ更に画像表示
材料を提供することにある。 【解決手段】 不飽和結合を有する有機化合物の存在下
でプラズマ放電処理により、表面エネルギーの極性項成
分が１０．０ｍＮ／ｍ以上である層を有することを特徴
とする光学フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学用フィルム、
特に液晶ディスプレイなどに用いられる偏光板用保護フ
ィルム、偏光板および基材表面の処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイやプラズマディスプレ
イ、有機ＥＬディスプレイ、無機ＥＬディスプレイなど
にはさまざまな光学用フィルムが用いられている。液晶
ディスプレイには偏光板（フィルム）、位相差フィル
ム、視野角拡大フィルムなどの機能性フィルムが用いら
れており、これらのフィルムは主に塗工や貼り合わせ等
により生産されている。なかでも偏光板はセルロースエ
ステル等からなる偏光板用保護フィルムをヨウ素や染料
を吸着配向させたポリビニルアルコールフィルムからな
る偏光子の両側に積層した構成をしている。しかし偏光
板を製造する工程でセルロースエステルフィルムを強ア
ルカリでケン化する工程が行われており、工程の保持、
工程の安全性、工程からでる廃液にかかわる環境の問題
等種々の問題を有している。特開平６−９４９１５号、
同６−１１８２５２号、同７−３３３４３６号、同８−
９６８０１号公報には基材フィルムに易接着層を塗布し
て上記問題を解決する方法が提案されている。しかし、
塗布で易接着層を形成する方法ではホコリ、異物等によ
る塗布欠陥による収率の問題や塗布ライン、乾燥ライン
等の設備が必要でありコストが高くなってしまうという
問題点を有していた。

【０００３】一方、プラズマ処理でフィルムの表面改質
やフィルムの表面に薄膜を形成する技術は、連続処理が
可能であり処理が簡便なため、近年注目されつつある技
術である。本発明者らは種々検討した結果、反応性ガス
の存在下でプラズマ放電処理を行うことで表面改質やフ
ィルムの表面に薄膜を形成する技術が偏光板用保護フィ
ルムおよび偏光板（フィルム）等の光学フィルムにおい
て特に有効であることを見出した。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、偏光子などに用いられるポリビニルアルコールフィ
ルム乃至ポリビニルアルコール含有層を有するシートと
の接着性が優れ、作業上安全で環境に悪影響を及ぼさな
い工程で生産できる偏光板用保護フィルムや帯電防止フ
ィルム等の光学フィルムおよびこれらを用いた偏光板、
液晶ディスプレイを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は以下
の手段により達成される。

【０００６】（１）不飽和結合を有する有機化合物を含
有する反応性ガス存在下でプラズマ放電処理されたこと
を特徴とする光学フィルム。

【０００７】（２）表面エネルギーの極性項成分が１０
ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする（１）記載の光学
フィルム。

【０００８】（３）不飽和結合を有する有機化合物が、
少なくとも水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、エ
ポキシ基から選ばれる置換基を有する化合物であること
を特徴とする（１）又は（２）記載の光学フィルム。

【０００９】（４）不飽和結合を有する有機化合物が、
少なくとも前記一般式Ｉ〜IVで表される化合物であるこ
とを特徴とする（３）記載の光学フィルム。

【００１０】（５）不飽和結合を有する有機化合物が窒
素原子を有する化合物であることを特徴とする（４）に
記載の光学フィルム。

【００１１】（６）窒素原子を有する化合物が少なくと
も前記一般式Ｖで表される化合物であることを特徴とす
る（５）記載の光学フィルム。

【００１２】（７）プラズマ放電処理において気圧を
０．００７〜２７ｈＰａとすることを特徴とする（１）
〜（６）のいずれか１項記載の光学フィルム。

【００１３】（８）プラズマ放電処理を大気圧近傍にて
行うことを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項記
載の光学フィルム。

【００１４】（９）前記（１）〜（８）の何れか１項記
載の光学フィルムを有することを特徴とする偏光板保護
フィルム。

【００１５】（１０）前記（９）記載の偏光板保護フィ
ルムを有することを特徴とする偏光板。

【００１６】（１１）大気圧近傍の圧力で、不飽和結合
を有する有機化合物を含む反応ガスが存在する雰囲気下
で、１ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚの高周波電圧を印加してプ
ラズマ放電処理することを特徴とする基材表面の処理方
法。

【００１７】（１２）表面エネルギーの極性項成分を１
０ｍＮ／ｍ以上とすることを特徴とする（１１）記載の
基材表面の処理方法。

【００１８】以下本発明を詳細に説明する。本発明に用
いられる透明基材フィルムとしては特に限定されない
が、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレン
フィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セル
ロースアセテートフィルム、セルロースアセテートブチ
レートフィルム、セルロースアセテートフタレートフィ
ルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム、
セルローストリアセテート、セルロースナイトレート等
のセルロースエステル類またはそれらの誘導体からなる
フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルア
ルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィル
ム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポ
リカーボネートフィルム、ノルボルネン系樹脂フィルム
（例えば、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ社製）、ゼオネックス、
ゼオノア（日本ゼオン社製））、ポリメチルペンテンフ
ィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルス
ルフォンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエー
テルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、アク
リルフィルムあるいはポリアクリレート系フィルムなど
を挙げることができる。本発明にはセルローストリアセ
テートフィルム（ＴＡＣフィルム）等のセルロースエス
テルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエステ
ルフィルム、ノルボルネン系樹脂フィルム又はポリアク
リルフィルムが透明性、機械的性質、光学的異方性がな
い点などで特に好ましい。またこれらの樹脂を積層した
フィルムであっても混合したフィルムであってもよく、
これらの基材に用途に応じて樹脂層や無機層が塗工され
ていてもよい。上記記載のフィルム中でも、特に好まし
く用いられるセルロースの低級脂肪酸エステルはセルロ
ーストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネ
ートである。更に、ベース強度の観点から、特に重合度
２５０〜４００、結合酢酸量５４．０〜６２．５％のセ
ルロースアセテートが好ましく用いられ、また重量平均
分子量は７０，０００〜１２０，０００が好ましく、８
０，０００〜１００，０００がより好ましい。更に好ま
しいのは、結合酢酸量が５８〜６２．５％のセルロース
トリアセテートである。このセルロースアセテートにセ
ルロースアセテートプロピオネートまたはセルロースジ
アセテートを１：９９から９９：１に混合したフィルム
も好ましく用いられる。

【００１９】また、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分
子量（Ｍｎ）との比Ｍｗ／Ｍｎは１．０〜５．０である
ことが好ましく、特に１．４〜３．０であることが好ま
しい。

【００２０】本発明に係るセルローストリアセテート
は、綿花リンターから合成されたセルローストリアセテ
ートと木材パルプから合成されたセルローストリアセテ
ートのどちらかを単独あるいは混合して用いることがで
きる。流延による製膜の際に、ベルトやドラムからの剥
離性がもし問題になれば、ベルトやドラムからの剥離性
が良い綿花リンターから合成されたセルローストリアセ
テートを多く使用すれば生産性が高く好ましい。木材パ
ルプから合成されたセルローストリアセテートを混合し
用いた場合、綿花リンターから合成されたセルロースト
リアセテートの比率が４０質量％以上で、剥離性の効果
が顕著になるため好ましく、６０質量％以上がさらに好
ましく、単独で使用することが最も好ましい。

【００２１】これらセルロースエステルについては、流
延によるセルロースエステルの製造方法及びセルロース
エステルの添加剤等について多くのものが公知であり、
マット剤、可塑剤、ＵＶ吸収剤等の添加剤や、流延によ
るフィルムの製造方法等、例えば特開平１０−２３７１
８６号、特願平１１−２３８２９０号、同１１−３５３
１６２号等に記載されており、これらの技術を用いるこ
とが出来る。

【００２２】本発明に用いられる偏光子とは、ポリビニ
ルアルコール系フィルムに沃素や２色性色素を吸着させ
配向させたフィルム、偏光板用保護フィルムとは、偏光
子を貼り合わせるフィルム、偏光板とは偏光子に、保護
フィルムとして、例えばトリアセチルセルロースフィル
ム等を貼り合わせた構造を有したフィルムのことをい
う。

【００２３】偏光板用保護フィルムにはハードコート
層、防眩層、反射防止層、防汚層、保護層、粘着層、配
向膜、液晶層等が設けられることが好ましく、これらの
層を設ける前又は後にプラズマ処理することが好まし
い。

【００２４】偏光板用保護フィルムとして用いられる本
発明の光学フィルムにおいては、その表面層の表面エネ
ルギーが偏光子との接着性に関わりがあることが判っ
た。即ち、本発明において、反応性ガスの存在下におい
てプラズマ放電処理を表面に行うことで基材フィルム表
面に形成された重合皮膜は層表面の表面エネルギーの極
性項成分を１０ｍＮ／ｍ以上とすることにより偏光子と
の接着性が良好であった。おそらく表面または表面近傍
の極性基と偏光子を構成するポリビニルアルコールとの
水素結合の寄与が大きいと推定できる。表面エネルギー
の極性項成分の値は１０ｍＮ／ｍ以上であり、１５ｍＮ
／ｍ以上が好ましく２０ｍＮ／ｍ以上がさらに好まし
い。表面エネルギーの極性項成分の値は４０ｍＮ／ｍ程
度が上限である。一般に、表面を作る物質の表面エネル
ギー（表面張力）γ^Tは、次式（１）で示すように、主
に分散力成分γ^dと極性項成分γ^pの和である。

【００２５】γ^T＝γ^d＋γ^p （１） さらに固体表面の表面エネルギーと溶媒の表面エネルギ
ーとの間には次の関係式があり、 （１＋ＣＯＳθ）γ_L ^T ＝２（γ_L ^d・γ_S ^d）^1/2＋２（γ_L ^p＋γ_S ^p）^1/2 （２） θは接触角（°）、γ_L ^Tは、溶媒の表面エネルギー、γ
_L ^dは、溶媒の表面エネルギーの分散力成分、γ_L ^pは、溶
媒の表面エネルギーの極性項成分、γ_S ^dは、固体表面の
表面エネルギーの分散力成分、γ_S ^pは、固体の表面エネ
ルギーの極性項成分を示す。エネルギーの単位はいずれ
もｍＮ／ｍである。

【００２６】（２）式から、分散力成分と極性項成分が
既知の２種類の溶媒を用いて接触角を測定して連立方程
式を解けば、固体表面のγ_S ^dとγ_S ^p成分が求められる。
例えば、後述する実施例で表面改質膜の分散力成分と極
性項成分を求めるのに用いた水とヨウ化メチレンのそれ
ぞれの分散力成分と極性項成分を次に示す（Ｊ．Ａｄｈ
ｅｓｉｏｎ，Ｖｏｌ．２，ｐ６６（１９７０））。

【００２７】 溶媒 γ_L ^d γ_L ^p γ_L ^T 水 ２１．５ ５１．０ ７２．５ ヨウ化メチレン ４８．５ ２．３ ５０．８ 本発明においては水およびヨウ化メチレンの接触角の測
定はエルマ工業（株）製ゴニオメーターＧ１を用い、基
材フィルムの表面に５μｌ垂らして５回測定し、その平
均を接触角とし表面エネルギーを算出する。

【００２８】本発明に係るプラズマ放電処理により形成
された層を有する光学フィルムの接着性は下記のポリビ
ニルアルコールをフィルム上に塗布してみることができ
る。ここで用いられるポリビニルアルコールは、一般に
市販されているものを用いることができ重合度１５００
以上、ケン化度９８〜９９ｍｏｌ％のものを使用する。
ポリビニルアルコール層は、ポリビニルアルコールを水
または温水に溶解後、偏光板用保護フィルムのテスト面
上にバーコーターなどで塗布し、８０℃で３０分乾燥す
る。形成されたポリビニルアルコール層の膜厚は０．５
μｍ±１０％に調整する。このポリビニルアルコール層
の密着性の評価は、ＪＩＳ Ｋ−５４００の碁盤目テー
プ法に準拠し、規定のカッターナイフ、カッターガイド
を用いて１ｍｍ間隔で１０×１０の１００個のます目を
作製し、規定のセロハン粘着テープをはりつけ消しゴム
でこすって塗膜に付着する。テープを付着後２分後に塗
面に直角方向に瞬間的に引き剥がす。残っている碁盤目
の数が９０個以上ならば、偏光板用保護フィルムは偏光
子との密着性がよく、耐久性も優れていることが判る。

【００２９】本発明の親水性層は前記透明基材フィルム
を反応性ガスのもとでプラズマ放電処理して作製するこ
とができる。

【００３０】プラズマ放電処理とは、反応性ガス中での
放電によりプラズマ状態を発生させ、このプラズマによ
りフィルム等の表面を処理することである。これらは特
開平６−１２３０６２号、特開平１１−２９３０１１
号、特開平１１−５８５７号公報に記載された方法を用
いることができ、少なくとも２つの対向する電極に電圧
を印加することによって行なうプラズマ放電処理が好ま
しい。

【００３１】本発明において反応性ガスとして用いられ
る有機化合物としてはプラズマ放電処理により基材上に
重合皮膜を形成する化合物が用いられる。プラズマ放電
処理で重合皮膜を形成する化合物としては、ラジカルを
経由するため気化が可能な有機化合物はすべて重合可能
なモノマーとなり得るが、化学構造や官能基によって重
合の度合いが異なり、またプラズマの処理条件によって
も差がみられるので色々な特性の皮膜を作製することが
できる。本発明では、不飽和結合を有する化合物は飽和
化合物よりも重合皮膜の形成速度が速く、しかも膜が強
い（傷がつきにくい）ので好ましく用いられる。

【００３２】本発明において反応性ガスとして用いられ
る有機化合物としては不飽和結合を有する化合物であれ
ば、プラズマ放電処理の条件を選択することで使用可能
であり、これらのうち特に好ましい化合物は、特に水酸
基、カルボニル基、カルボキシル基、エポキシ基から選
ばれる置換基を有する化合物である。

【００３３】本発明において反応性ガスとして好ましく
用いられる不飽和結合を有する有機化合物は、前記の一
般式Ｉ〜IVで表される化合物であり、本発明の目的にお
いては、これらのうちでも特に水酸基、カルボニル基、
カルボキシル基、エポキシ基から選ばれる置換基を有す
る化合物が好ましい。

【００３４】前記一般式Ｉにおいて、Ｒ₁、Ｒ₂は水素、
置換基を有していてもよいアルキル基を表す。具体的な
化合物の例としては、末端にアセチレン（エチニル）基
を持つ化合物としてはアセチレン、プロピン、ブチン−
１、ヘキシン−１、オクテン−１、分子内にエチニレン
基（−Ｃ≡Ｃ−）を有する化合物の例としては、ブチン
−２、ヘキシン−２、ヘキシン−３及びオクチン−４を
挙げることができる。

【００３５】アリール基を有する化合物の例としては、
フェニルアセチレン、３−フェニルプロピン−１及び４
−フェニルブチン−１を挙げることができる。

【００３６】一般式Ｉで表される化合物がＯ，Ｎ，Ｆ，
Ｃｌ，Ｂｒ，Ｓｉ，Ｓから選ばれる原子を含んでいる場
合の例としては、含酸素アセチレン系化合物、例えば３
−メチル−１−ブチン−３−オール及び３−フェニル−
１−ブチン−３−オール；含ケイ素アセチレン系化合
物、例えば１−ブチン−３−オールのＯ−トリメチルシ
リル化物（ＨＣ≡Ｃ−ＣＨ（ＣＨ₃）−Ｏ−Ｓｉ（Ｃ
Ｈ₃）₃）及び３−フェニル−１−プロピン−３−オール
のＯ−トリメチルシリル化物（ＨＣ≡Ｃ−ＣＨ（Ｃ
₆Ｈ₅）−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）などを挙げることができ
る。

【００３７】不飽和結合を有する化合物としてはエチレ
ン性不飽和化合物を含むが、例えば、エチレン、プロピ
レン、ブタジエン、イソプレン、１，４−ジオキセン、
１，４−ジオキシンが好ましく、特に前記一般式IIで表
される化合物が好ましい。

【００３８】前記一般式IIにおいて、Ｒ₁〜Ｒ₆は水素、
置換基を有していてもよいアルキル基を表し、ｎは０〜
４迄の整数を表す。

【００３９】又、置換基を有するエチレン性化合物とし
てはまた、前記一般式IIIで表される化合物が好まし
い。前記一般式IIIにおいて、Ｒ₁〜Ｒ₃は水素、置換基
を有していてもよいアルキル基を表す。Ｘは−ＣＨ₂−
または−ＣＨ（Ｙ）−を表す。Ｙはヒドロキシル基、エ
ポキシ基、複素環基、脂環式炭化水素基、アルキル基を
表し、エポキシ基、複素環基、脂環式炭化水素基及びア
ルキル基は置換基を有していてもよい。ｎは０〜４の整
数を表す。

【００４０】複素環式エチレン性不飽和化合物の例とし
てはモルホリン（メタ）アクリレート、テトラヒドロフ
ルフリル（メタ）アクリレートなどの複素環式（メタ）
アクリレートなど、アルコキシ（ポリ）アルキレングリ
コール（メタ）アクリレート［例えば、メトキシエチレ
ングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチ
レングリコール（メタ）アクリレート、ブトキシポリエ
チレングリコール（メタ）アクリレートなど］、アルキ
ルフェノキシエチル（メタ）アクリレート［例えば、ノ
ニルフェノキシエチル（メタ）アクリレートなど］、フ
ェノキシ（ポリ）アルキレングリコール（メタ）アクリ
レート［例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレー
ト、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリ
レートなど］、アルキル（メタ）アクリレート［例え
ば、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル
（メタ）アクリレートなど］、シクロアルキル（メタ）
アクリレート［例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリ
レートなど］、アラルキル（メタ）アクリレート［例え
ば、ベンジル（メタ）アクリレートなど］、脂環式炭化
水素基を有するジ（メタ）アクリレート［例えば、イソ
ボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエン
（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）ア
クリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレー
ト、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレ
ート、トリシクロデカニルオキシエチル（メタ）アクリ
レート、イソボルニルオキシエチル（メタ）アクリレー
トなど］、ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレート
［例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３
−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）
アクリレート、２−（メタ）アクリロキシエチル−２−
ヒドロキシエチルフタル酸、３−アクリロキシグリセリ
ン（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メ
タ）アクリレート、２−ヒドロキシ−１−（メタ）アク
リロキシ−３−（メタ）アクリロキシプロパン、ポリプ
ロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセ
ロールモノ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメ
チルＮ−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルオキシ
プロピル）アンモニウムクロライドなど］、エポキシ基
含有（メタ）アクリレート［例えば、グリシジル（メ
タ）アクリレート］、ハロゲン含有（メタ）アクリレー
ト［例えば、トリフルオロエチル（メタ）アクリレー
ト、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）
アクリレート、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオ
ロブチル（メタ）アクリレート、パーフルオロオクチル
エチル（メタ）アクリレートなど］などが含まれる。Ｙ
はヒドロキシル基、エポキシ基が特に接着性の面で特に
好ましい。

【００４１】前記一般式IVで表される２官能性以上の化
合物も好ましく用いることができる。

【００４２】一般式IVにおいて、Ｒ₁〜Ｒ₃は水素、置換
基を有してもよいアルキル基を表し、Ｒａは水素、ヒド
ロキシル基を表し、ｎは１から３の整数を表す。具体的
な化合物として２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピル−２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロピオネー
トのジ（メタ）アクリレート、（ポリオキシ）アルキレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート［例えば、エチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリ
コールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）
アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）ア
クリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリ
レート、ペンタンジオールジ（メタ）アクリレートな
ど］、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリメチロ
ールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリ
トールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのア
ルキレンオキサイド（エチレンオキシド、プロピレンオ
キシド、ブチレンオキシドなど）付加物のジ（メタ）ア
クリレート［例えば、２，２−ビス（２−ヒドロキシエ
トキシフェニル）プロパンのジ（メタ）アクリレートな
ど］、架橋脂環式炭化水素基を有するジ（メタ）アクリ
レート［例えば、トリシクロデカンジメタノールジ（メ
タ）アクリレート、ジシクロペンタジエンジ（メタ）ア
クリレートなど］、２官能エポキシ樹脂の（メタ）アク
リル酸付加物［例えば、２，２−ビス（グリシジルオキ
シフェニル）プロパンの（メタ）アクリル酸付加物な
ど］などが含まれる。ｎ＝３の化合物としては、例え
ば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリオキシエチル（メタ）
アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アク
リレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリ
レート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリ
レート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレ
ートのトリ（メタ）アクリレート、トリス（ヒドロキシ
プロピル）イソシアヌレートのトリ（メタ）アクリレー
ト、トリアリルトリメリット酸、トリアリルイソシアヌ
レートなど例示できる。これらエチレン性不飽和化合物
は、単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。

【００４３】これらエチレン性不飽和化合物のなかで
も、酸素原子を有する置換基、たとえば水酸基、カルボ
キシル基およびエポキシ基等を含む化合物雰囲気中でプ
ラズマ放電処理して形成した重合皮膜は偏光子との接着
性が良好であり、また放電処理のエネルギーが小さくて
も重合被膜が形成できる点で好ましく、そのため処理時
間を短くできるので生産性を上げることが可能となる。
また水酸基、カルボキシル基およびエポキシ基等の親水
性基を含む不飽和化合物で形成した重合被膜は偏光子と
接着した時に気泡が入り難く均一な接着面が得られたこ
とは予想外であった。推測であるが表面エネルギーと膜
の柔軟性によるものと考えている。これらの特に好まし
い化合物の例として、アクリル酸、メタクリル酸、グリ
シジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル
（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メ
タ）アクリレートが挙げられる。

【００４４】本発明で好ましく用いられるもう一つの化
合物例として窒素を含有する有機化合物が挙げられる。
窒素を含有する化合物としては、アミノ基、アミド基、
イミノ基、シアノ基などの置換基やピリジン環、ピリミ
ジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、ピラジン環、
トリアゾール環などの含窒素芳香環を含有する化合物が
好ましく、特に前記一般式Ｖで表される化合物が好まし
い。

【００４５】式中、ＲｂはＨまたは１価の種々の置換基
を表し、またＲｂは結合する窒素原子Ｎとそれに隣接す
る炭素原子Ｃと結合し、窒素原子Ｎと該炭素原子Ｃとが
２重結合を形成するための単なる結合手となってもよ
い。Ｚは複素環を完成するのに必要な原子群であり置換
基が結合していてもよく、Ｒｂ又はＺで完成する複素環
の何れかに不飽和結合を有する。

【００４６】窒素を含有する有機化合物の例としてはト
リシクロヘキシルアミン、トリベンジルアミン、オクタ
デシルベンジルアミン、ステアリルアミン、アリル尿
素、チオ尿素、メチルチオ尿素、アリルチオ尿素、エチ
レンチオ尿素、２−ベンジルイミダゾール、４−フェニ
ルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ル、２−ウンデシルイミダゾリン、２，４，５−トリフ
リル−２−イミダゾリン、１，２−ジフェニル−４，４
−ジメチル−２−イミダゾリン、２−フェニル−２−イ
ミダゾリン、１，２，３−トリフェニルグアニジン、
１，２−ジシクロヘキシルグアニジン、１，２，３−ト
リシクロヘキシルグアニジン、Ｎ，Ｎ’−ジベンジルピ
ペラジン、４，４’−ジチオモルホリン、２−アミノベ
ンゾチアゾール、２−ベンゾイルヒドラジノベンゾチア
ゾール、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、
Ｎ−ビニルカプロラクタムなどのＮ−ビニル複素環化合
物、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルフォルムアミ
ド、ジアルキルアミノエチル（メタ）アクリレートやジ
メチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルア
ミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
アクリルアミド、などがある。これらは、２種以上併用
することができる。これらのなかで不飽和結合を有する
含窒素化合物を用いた場合にプラズマ放電処理のエネル
ギーが少なくても重合皮膜の形成が可能であり、偏光子
との接着性、さらに偏光子との接着において気泡が入り
づらい点で特に好ましい。

【００４７】又、更に本発明においては、揮発性を有す
るリンを含有する化合物（例えばビニルホスホン酸等）
も好ましく用いられる。

【００４８】本発明においては反応性ガス中でのプラズ
マ放電処理により重合皮膜を透明基材フィルム上に形成
する時には反応性ガスが酸素原子を含むガスを含有する
ことが好ましい。酸素原子は、プラズマ放電処理中に形
成される重合皮膜に取り込まれ、水酸基、カルボニル基
として膜の内部および表面に取り込まれ、ポリビニルア
ルコール等の親水性樹脂との水素結合が増加し接着性お
よび接着耐久性が向上するので好ましい。酸素原子を含
むガスとは酸素、オゾン、一酸化炭素、二酸化炭素、過
酸化水素、水であり、酸素、オゾン、二酸化炭素が好ま
しい。また、酸素原子を含むガスと不飽和結合を有する
化合物を同時に含有する反応性ガスを用いプラズマ放電
処理すると不飽和結合を含有する化合物の重合皮膜を形
成後に酸素含有ガスでプラズマ放電処理するよりも多く
の重合皮膜上または内部に酸素原子を含有する置換基を
付与することができる。したがって同時に処理すること
で接着性の向上とプロセスの簡略化が可能となる。この
酸素原子を含むガスと同時に用いられる不飽和化合物の
好ましい例としては、ブタジエン、イソプレン等が特に
重合皮膜の生成速度の点で好ましい。

【００４９】本発明の不飽和化合物および含窒素化合物
のプラズマ放電処理雰囲気中へ反応性ガスとして供給す
る方法としては、加熱して気化させて導入する方法、溶
媒に溶解させたものを加熱または減圧等により気化させ
導入する方法が用いられる。

【００５０】本発明で形成される重合皮膜の膜厚は１μ
ｍ以下、特に０．１μｍ以下が生産性の面で好ましい。
膜厚が厚くなると処理する時間が長くなり生産性が劣っ
てしまう。さらに好ましくは０．０５μｍ以下である。
偏光子との接着性や接着耐久性については更に薄くても
性能に差はでず、むしろ薄いほうが接着の作業性や気泡
が入りにくく、折り曲げた時にクラックが入りづらいの
で好ましい。さらに好ましい膜厚は０．０１μｍ以下で
あり、膜が薄いほど透明性が高くなるので光学用フィル
ムとして好ましい。本発明では可視光における透過率は
９０％以上であることが好ましい。

【００５１】プラズマ放電とは、放電によりプラズマ状
態を発生させることである。少なくとも２つの対向する
電極に電圧を印加することによって行なうプラズマ放電
処理が好ましい。本発明に係るプラズマ放電処理系と
は、反応性ガス存在下プラズマ放電を行なう処理空間の
ことであり、具体的には壁等で仕切りを設けて隔離した
処理室のことである。前記処理室の気圧を真空に近い
０．００７ｈＰａ〜２７ｈＰａで行なう真空プラズマ放
電処理の場合には、反応性ガスの導入を調整する必要が
ある。処理速度を増加させるためには、電極に印加する
電圧を高くする必要があるが、電界強度を上げすぎると
被処理体（例えば、基材フィルム等）にダメージを与え
る場合があるので注意が必要である。

【００５２】また、好ましい態様として、前記処理室の
気圧を大気圧もしくは大気圧近傍で行なう大気圧プラズ
マ処理が生産性を上げる点で好ましい。処理室に導入す
る気体として、前記反応性ガス以外に不活性ガス又は窒
素を導入することが、安定な放電を発生させる上で好ま
しい。大気圧もしくは大気圧近傍とは、２０〜２００ｋ
Ｐａの圧力下のことであり、好ましくは９３〜１０７ｋ
Ｐａの範囲である。不活性ガスはプラズマ放電により自
身は反応しない気体のことであり、アルゴンガス、ヘリ
ウムガス、キセノンガス、クリプトンガスがある。この
中で好ましいガスはアルゴンガスとヘリウムガスであ
る。大気圧プラズマ処理時に処理室に導入する不活性ガ
スは６０％以上、特に好ましくは９０〜９９．９％とす
ることによって放電を安定に発生させることができて好
ましい。印加する電圧を高くすると処理速度を上げるこ
とができるが、電界強度を上げすぎると被処理体にダメ
ージを与えることになるので注意が必要である。

【００５３】また、プラズマ放電のために電界の周波数
は１ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚが好ましく、特に１００ｋＨ
ｚを超えて１５０ＭＨｚ以下であることが好ましい。

【００５４】この高周波電界はサイン波形であっても、
パルス化された電界であってもよく、ＯＮ／ＯＦＦのデ
ューティ比を変化させることでプラズマガス温度を調整
することもできる。

【００５５】反応ガスの温度は室温〜２００℃が好まし
く、更に室温〜１２０℃であることが好ましく、更に５
０〜１００℃であることが好ましい。

【００５６】また、大気圧プラズマ処理に用いる少なく
とも２つの対向する電極は、固体誘電体をその対向面側
に設けることが好ましい。固体誘電体としては、焼結セ
ラミックスを用いることが好ましく、その体積固有抵抗
値は１０⁸Ω・ｃｍ以上が好ましい。

【００５７】本発明において用いることのできる大気圧
プラズマ放電処理装置の一例としては、図１に示すよう
な装置を挙げることができる。図１において、Ｆは長尺
状の基材である。１２は大気圧もしくはその近傍の圧力
下、連続的にプラズマ処理する処理室であり、１３、１
４は一対の電極である。

【００５８】処理室１２は前記基材Ｆの入口１２Ａと出
口１２Ｂを有する間仕切りされた処理室によって構成さ
れている。以下処理部を処理室として説明する。

【００５９】図示の例では、処理室１２に隣接して基材
の入口側に予備室１０が設けられ、その予備室１０に隣
接して予備室１１が設けられている。出口側にも処理室
１２に隣接して予備室１７が設けられている。

【００６０】予備室を設ける場合、図１で示すように、
基材Ｆの入口側に二つ、出口側に一つを設ける態様であ
ってもよいが、これに限定されず、基材Ｆの出入口側に
一つづつ設ける態様、入口側に二つ設け、出口側に設け
ない態様、あるいは入口側に二つ以上、出口側に二つ以
上設ける態様でもよい。

【００６１】いずれの態様であっても、処理室１２内の
内圧が、処理室１２と隣接する予備室の内圧より高いこ
とが好ましく、より好ましくは０．３０Ｐａ以上高いこ
とである。このように処理室１２と予備室の間でも圧力
差を設けることにより、外部空気の混入を防止し、反応
ガスの有効使用が可能となり、処理効果も更に向上す
る。

【００６２】また、処理室１２に隣接して入口側に二つ
以上、出口側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備
室と隣り合う予備室の間の差圧は、処理室１２に近い側
の予備室の内圧が高く設定されることが好ましく、０．
３０Ｐａ以上高く設定されることが好ましい。このよう
に複数の予備室同士の間でも圧力差を設けることによっ
て、外部空気の混入をより効率的に防止し、反応ガスの
有効使用がより可能となり、処理効果も更に向上する。

【００６３】予備室には、処理ガスの少なくとも１成
分、好ましくは希ガスを有していることが反応ガスの効
率的な使用と処理効果の向上の観点から好ましい。

【００６４】前記処理室１２と予備室、予備室同士の部
屋には間仕切りされていることが必要であり、かかる間
仕切り手段としては、図示のように、入口側に一対のニ
ップローラ８、出口側に一対のニップローラ９を設ける
形態も好ましい。

【００６５】かかるニップローラは、基材Ｆに対して接
触しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部
屋同士を完全に間仕切りできないので、本実施の形態例
の様な圧力差を設ける手段が有効に機能するのである。

【００６６】また間仕切り手段としては、基材Ｆに対し
て所定の間隙を保ち、且つ非接触である態様であっても
よい。かかる態様としては図示しないエアーカーテン方
式等を採用できる。

【００６７】なお、予備室を設けない場合には、処理室
と外部の間に間仕切りがされればよい。

【００６８】図示の例で、一対の電極１３、１４は、金
属母材と固体誘電体で構成され、該金属母材へライニン
グにより無機性物質の誘電体を被覆した組み合わせ、ま
たは同母材に対しセラミックス溶射後、無機性物質によ
り封孔処理した誘電体を被覆した組み合わせで構成され
ている。ここで金属母材は、銀、白金、ステンレス、ア
ルミニウム、鉄、チタン等の金属が使えるが、ステンレ
スが加工し易い。

【００６９】また、ライニング材としては、ケイ酸塩系
ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマ
ン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガ
ラス、バナジン酸塩ガラス等が用いることができるが、
この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。

【００７０】また溶射に用いるセラミックスとしては、
アルミナが良く、封孔材としては、アルコキシシラン等
をゾルゲル反応させて無機化させたものが用いられる。

【００７１】また、図１では一対の電極１３、１４のよ
うに平板電極を用いてあるが、一方もしくは双方の電極
を円筒状電極、角柱状電極、ロール状電極としてもよ
い。

【００７２】この一対の電極１３、１４のうち一方の電
極１３に高周波電源１５が接続され、他方の電極１４
は、アース１６により接地されており、一対の電極１
３、１４間に電界を印加できるように構成されている。

【００７３】また、本手段により、被処理基材が帯電す
ることやそれに伴うゴミ付着等を引き起こすこともある
が、以下の解決手段により、特に問題とはならない。例
えば、除電手段としては、特開平７−２６３１７３号に
記載されている、通常のブロアー式、接触式以外に、複
数の正負のイオン生成用除電電極と基材を挟むようにイ
オン吸引電極を対向させた除電装置と、その後正負の直
流式除電装置を設けた高密度除電システムを用いること
も好ましい。また、このときの基材の帯電量は±５００
Ｖ以下が好ましい。また、除電処理後のゴミ除去手段と
しては、特開平７−６０２１１号等に記載されている非
接触式のジェット風式減圧型ゴミ除去装置が好ましい
が、これに限定される訳ではない。

【００７４】図１に示す装置を用いて処理するには、先
ず搬送される基材Ｆが処理室１２内に入り、その処理室
１２内で、高周波電界により発生させられたプラズマに
より、その表面が連続処理される。更に処理前に、予め
基材表面の除電処理を行い、更にゴミ除去を行うことに
よって、表面処理の均一性が更に向上するので好まし
い。除電手段及び除電処理後のゴミ除去手段としては、
上記装置で記載したのと同様の手段を用いることができ
る。

【００７５】図２は、本発明で用いられるプラズマ放電
処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の一例を示
す概略図であり、基材Ｆを巻回して搬送回転するロール
型の電極２５に対して、複数の円筒で固定型の電極２６
を対向させた一例であり、ロール型の電極２５に巻回し
てニップローラ６５、６６で押圧され、基材Ｆはガイド
ローラ６４、６７を介して放電処理室３０内に搬送さ
れ、電極２５の回転に同期して、搬送及び処理される。

【００７６】図３は、本発明で用いられるプラズマ放電
処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の他の一例
を示す概略図であり、図２に対し固定型電極として角柱
型の電極３６に変更した装置の一例であり、円柱に比べ
放電範囲を広げる効果がある。

【００７７】更に、図４は、本発明に係るプラズマ放電
処理に用いられる円筒型のロール電極の一例を示す斜視
図であり、図５は、本発明に係るプラズマ放電処理に用
いられる固定型の円筒型電極の一例を示す斜視図であ
り、図６は、本発明に係るプラズマ放電処理に用いられ
る固定型の角柱型電極の一例を示す斜視図である。

【００７８】電極２５は、図４に示すように金属等の導
電性のある母材２５ａへライニングにより無機性物質の
誘電体２５ｂを被覆した組み合わせ、または同母材２５
Ａに対しセラミックス溶射後、無機性物質により封孔処
理した誘電体２５Ｂを被覆した組み合わせで構成されて
いる。電極２６及び３６も同様の組み合わせで構成され
る。

【００７９】ここでも金属等の導電性のある母材２５ａ
は、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄、チタン
等の金属が使えるが、ステンレスが加工し易い。

【００８０】図７は、本発明に係る放電プラズマによる
放電処理装置の一例を示す概略図である。図７におい
て、放電処理装置部は図４と同様で、それにガス充填手
段５０、電源４０、電極冷却ユニット６０、６１等で構
成されている。

【００８１】また電極２５、３６は、図３、４、５等に
示すもので、対向する電極２５、３６間のギャップは、
例えば０．５〜２０ｍｍ程度となっている。

【００８２】ガス充填手段５０は、希ガス及び反応ガス
の混合ガスを放電処理室３０に送気して充填する手段で
あり、混合ガスはヘリウム（Ｈｅ）またはアルゴン（Ａ
ｒ）の希ガスと酸素、水素、有機フッ素化合物のいずれ
かまたはその混合ガスとを用いることが好ましい。な
お、比較的安価なアルゴンガスでの放電が望ましい。

【００８３】なお、図示していないが、混合ガスは電極
３６の間隙より基材Ｆへと送気されることが好ましく、
又、別の間隙より放電処理後の排ガスを除去することが
好ましい。

【００８４】電源４０は、図３、４及び５に示した導電
性の電極部分２５ａ、２５Ａ、または２６ａ、２６Ａ、
または３６ａ、３６Ａに電圧を印加する。放電処理室３
０は、パイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器３１で構
成され、処理容器３１内に混合ガスが充填される。な
お、実施形態では、処理容器３１はパイレックス（Ｒ）
ガラス製であるが、電極と絶縁がとれていれば金属製で
あってもよく、例えば、アルミまたは、ステンレスのフ
レームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、
金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとって
も良い。

【００８５】処理容器３１内にロール状の電極２５、角
柱型の電極３６を所定位置に配置し、ガス発生装置５１
で発生させた混合ガスを流量制御して、給気口５２より
放電処理室３０の処理容器３１内に入れ、該処理容器３
１内を混合ガスで充填し排気口５３より排出するように
する。このとき、電源４０により電極３６に電圧を印加
し、電極２５はアースに接地し、放電プラズマを発生さ
せる。ここでロール状のフィルム６８より基材Ｆを供給
し、ガイドローラ６４、６７を介して、放電処理室３０
内の電極２５、３６間を片面が電極２５に接触する状態
で搬送される。基材Ｆは搬送中に放電プラズマにより表
面が放電処理されるようになっている。ここで基材Ｆ
は、電極２５に接触していない面に放電処理がなされ
る。

【００８６】図８は大気圧下でプラズマを含む励起活性
種を被処理体（フィルム基材）に吹き付けることにより
処理する表面処理装置の一例を示す概略図である。外側
に外部電極７２、内側に内部電極７３（電極は冷却用の
冷却水導入口７３ａおよび排出口７３ｂを有する）を備
えた筒状の反応管７１の電極間に電源７４により交流を
印加し、反応管７１の内部にグロー放電を発生させるこ
とで、導入口７６から導入された処理ガスをプラズマを
含む励起活性種とし下部の吹きつけ口７７から被処理物
に吹き付けるものである。このような放電処理方法によ
っても本発明の光学フィルムを得ることができる。

【００８７】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれらに限定されない。

【００８８】 実施例１ 〈樹脂フィルム１の作製〉 （ドープ組成物） セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度２．０、 プロピオニル基置換度０．８） １００ｋｇ トリフェニルフォスフェート ５ｋｇ エチルフタリルエチルグリコレート ２ｋｇ チヌビン１０９（チバスペシャルティケミカルズ（株）製） ０．５ｋｇ チヌビン１７１（チバスペシャルティケミカルズ（株）製） ０．５ｋｇ チヌビン３２６（チバスペシャルティケミカルズ（株）製） ０．３ｋｇ 超微粒子シリカ（アエロジルＲ９７２Ｖ：日本アエロジル（株）製） ０．１５ｋｇ メチレンクロライド ４３０ｋｇ メタノール ９０ｋｇ 上記組成物を密閉容器に投入し、加圧下で８０℃に保温
し撹伴しながら完全に溶解してドープ組成物を得た。次
にこのドープ組成物を濾過し、冷却して３５℃に保ちス
テンレスバンド上に均一に流延し、剥離が可能になるま
で溶媒を蒸発させたところで、ステンレスバンド上から
剥離した。剥離後の残留溶媒量５０質量％〜５質量％の
間の乾燥ゾーン内でテンターによって幅保持しながら乾
燥を進行させ、さらに、多数のロールで搬送させながら
残留溶媒量０．０１質量％以下となるまで乾燥させ、膜
厚８０μｍの樹脂フィルム１を得た。 〈樹脂フィルム２〉ノルボルネン系樹脂フィルム（ＡＲ
ＴＯＮ、ジェイエスアール（株）製） 〈樹脂フィルム３〉コニカタックＫＣ４ＵＸ２ＭＷ（コ
ニカ（株）製） 上記樹脂フィルム１〜３を用い以下表１に示す条件でプ
ラズマ放電処理（処理に用いた反応性ガスおよび不活性
ガスについては表１に記載）し、得られたフィルム試料
のプラズマ処理面のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）層
との接着性を以下に示す方法により評価した。

【００８９】〈ＰＶＡ接着性〉日本合成化学（株）社製
のポリビニルアルコールＮＨ−１７（重合度１５００以
上、ケン化度９８〜９９ｍｏｌ％）を温水に溶解後、透
明基材フィルム（樹脂フィルム１〜３）のプラズマ処理
面上にバーコーターで塗布し、８０℃で３０分乾燥す
る。形成されたポリビニルアルコール層の膜厚は０．５
μｍ±１０％に調整する。このポリビニルアルコール層
の密着性の評価は、ＪＩＳ Ｋ−５４００の碁盤目テー
プ法に準拠し、規定のカッターナイフ、カッターガイド
を用いて１ｍｍ間隔で縦横にきずを付け、１００個のま
す目を作製し、規定のセロハン粘着テープをはりつけ消
しゴムでこすって塗膜に付着する。テープを付着後２分
後に塗面に直角方向に瞬間的に引き剥がす。１００個の
ます目のうち剥がれずに残った碁盤目の数で表した。結
果を表１に示した。

【００９０】（プラズマ放電処理条件１） 電源出力：０．８Ｗ／ｍ² 処理ガス：不活性ガス（アルゴン又はヘリウム）９９．
４％、酸素０．３％、不飽和結合を有する化合物０．３
％の割合となるようにマスフローコントローラで流量を
制御し、ミキサーで混合したものを処理室へ導入した。
なお、酸素を添加しない場合は、不活性ガスを９９．７
％とした（詳細は表１参照）。

【００９１】処理時間：３５秒 装置１：連続大気圧プラズマ放電処理装置（図７に概略
図を示す） 電源：ハイデン研究所製インパルス電源ＰＨＦ−６Ｋ 電源周波数：１００ｋＨｚ （プラズマ放電処理条件２） 電源出力：１Ｗ／ｍ² 処理ガス：プラズマ放電処理条件１と同じ 処理時間：３０秒 装置２：連続大気圧プラズマ放電処理装置（図７に概略
図を示す） 電源：パール工業製高周波電源 電源周波数：８００ｋＨｚ （プラズマ放電処理条件３） 電源出力：１Ｗ／ｍ² 処理ガス：プラズマ放電処理条件１と同じ 処理時間：２０秒 装置３：連続大気圧プラズマ放電処理装置（図７に概略
図を示す） 電源：パール工業製高周波電源 電源周波数：８００ｋＨｚ

【００９２】

【表１】

【００９３】表面エネルギー極性項成分の値が１０ｍＮ
／ｍ以上であるとＰＶＡとの接着性が良好となることが
わかる。したがって偏光板保護フィルムとした場合に偏
光子との接着性が良好である。

【００９４】実施例２ 実施例１の試料Ｎｏ．１０１〜１１７をそれぞれ２枚使
用し、これら２枚のフィルムの、プラズマ処理面に３％
ポリビニルアルコール接着剤１μｍを塗布し、以下に示
す様に作製した偏光子を貼合して偏光板を作製した。Ｎ
ｏ．１０１〜１１４の試料から作製した偏光板の接着性
は良好であった。また８０℃、９０％で２週間、１００
℃ドライ条件で偏光板を保存しても偏光板の接着性に変
化は見られなかった。

【００９５】〈偏光子の作製〉厚さ７５μｍのＰＶＡフ
ィルム（クラレビニロン＃７５００；クラレ株式会社
製）を縦一軸延伸（延伸倍率４倍）して偏光子基材とし
た。この基材をヨウ素０．２ｇ／ｌ、ヨウ化カリ３０ｇ
／ｌよりなる水溶液に３０℃にて４分間浸漬した。次い
でホウ酸７０ｇ／ｌ、ヨウ化カリ３０ｇ／ｌの組成の水
溶液に５５℃にて５分間浸漬し、さらに２０℃の水で３
０秒洗浄後、乾燥して偏光子を得た。

【００９６】

【発明の効果】作業上安全で環境に悪影響を及ぼさず、
基材フィルム上にポリビニルアルコール乃至ポリビニル
アルコール含有層等の親水性層との接着性に優れた層を
形成が可能な表面処理加工により、偏光板用保護フィル
ムや帯電防止フィルム等に適した光学フィルムを得るこ
とが出来、またこれらを用いた偏光板、液晶ディスプレ
イを提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で用いられる大気圧プラズマ放電処理装
置の一例を示す断面図。

【図２】本発明で用いられるプラズマ放電処理装置に設
置されるプラズマ放電処理容器の一例を示す概略図であ
る。

【図３】本発明で用いられるプラズマ放電処理装置に設
置されるプラズマ放電処理容器の他の一例を示す概略図
である。

【図４】本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる円
筒型のロール電極の一例を示す斜視図である。

【図５】本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固
定型の円筒型電極の一例を示す斜視図である。

【図６】本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固
定型の角柱型電極の一例を示す斜視図である。

【図７】本発明に係る放電プラズマによる放電処理装置
の一例を示す概略図である。

【図８】プラズマを含む励起活性種を被処理体に吹き付
けるための装置の一形態を示す概略構成図である。

【符号の説明】

Ｆ 基材 ８、９ ニップローラ １０、１１、１７ 予備室 １２ 処理室 １３、１４ 電極 １５ 高周波電源 ２５、２６、３６ 電極 ２５ａ、２５Ａ、２６ａ、２６Ａ、３６ａ、３６Ａ 金
属等の導電性母材 ２５ｂ、２６ｂ、３６ｂ ライニング処理誘電体 ２５Ｂ、２６Ｂ、３６Ｂ セラミック被覆処理誘電体 ３０ 放電処理室 ３１ 処理容器 ４０ 高周波電源 ５０ ガス充填手段 ５１ ガス発生装置 ５２ 給気口（反応ガス導入口） ５３ 排気口 ５４ 仕切板 ６０、６１ 電極冷却ユニット ６５、６６ ニップローラ ６４、６７ ガイドローラ ６８ フィルム ７１ 反応管 ７２ 外部電極 ７３ 内部電極 ７３ａ 冷却水導入口 ７３ｂ 冷却水排出口 ７４ 電源 ７５ アース ７６ 処理ガスの導入口 ７７ 励起活性種吹きつけ口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA06 BA27 BA42 BB18 BB22 BB33 BB43 BC01 BC22 2H091 FA08X FA08Z FB02 FC01 FC27 LA07 4F073 AA01 BA03 BA06 BA07 BA08 BA14 BA17 BA18 BA19 BA23 BA24 BA26 BA27 BA31 BA32 CA01 DA08 FA01 FA02 FA03 FA09 FA10

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 不飽和結合を有する有機化合物を含有す
   る反応性ガス存在下でプラズマ放電処理されたことを特
   徴とする光学フィルム。
2. 【請求項２】 表面エネルギーの極性項成分が１０ｍＮ
   ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の光学フ
   ィルム。
3. 【請求項３】 不飽和結合を有する有機化合物が、少な
   くとも水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、エポキ
   シ基から選ばれる置換基を有する化合物であることを特
   徴とする請求項１又は２記載の光学フィルム。
4. 【請求項４】 不飽和結合を有する有機化合物が、少な
   くとも下記一般式Ｉ〜IVで表される化合物であることを
   特徴とする請求項３記載の光学フィルム。 【化１】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂は各々水素、アルキル基又はアリール
   基を表し、アルキル基及びアリール基は置換基を有して
   いてもよい。） 【化２】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆は各々水素又はアルキル基を表し、ア
   ルキル基は置換基を有していてもよい。ｎは０〜４の整
   数を表す。） 【化３】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₃は各々水素又はアルキル基を表し、ア
   ルキル基は置換基を有していてもよい。ＸはＣＨ₂また
   はＣＨ−Ｙを表す。Ｙはヒドロキシル基、エポキシ基、
   複素環基、脂環式炭化水素基又はアルキル基を表し、エ
   ポキシ基、複素環基、脂環式炭化水素基及びアルキル基
   は置換基を有していてもよい。ｎは０〜４の整数を表
   す。） 【化４】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₃は各々水素又はアルキル基を表し、ア
   ルキル基は置換基を有してもよい。Ｒａは水素又はヒド
   ロキシル基を表し、ｎは１から３の整数を表す。）
5. 【請求項５】 不飽和結合を有する有機化合物が窒素原
   子を有する化合物であることを特徴とする請求項４に記
   載の光学フィルム。
6. 【請求項６】 窒素原子を有する化合物が少なくとも下
   記一般式Ｖで表される化合物であることを特徴とする請
   求項５記載の光学フィルム。 【化５】 （式中、Ｒｂは水素又は１価の置換基を表す。またＲｂ
   は結合する窒素原子Ｎとそれに隣接する炭素原子Ｃとを
   結合し、該窒素原子Ｎと該炭素原子Ｃが２重結合を形成
   するための単なる結合手となってもよい。Ｚは複素環を
   完成するのに必要な原子群であり置換基が結合していて
   もよく、Ｒｂ又はＺで完成する複素環の何れかに不飽和
   結合を有する。）
7. 【請求項７】 プラズマ放電処理において気圧を０．０
   ０７〜２７ｈＰａとすることを特徴とする請求項１〜６
   のいずれか１項記載の光学フィルム。
8. 【請求項８】 プラズマ放電処理を大気圧近傍にて行う
   ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の光
   学フィルム。
9. 【請求項９】 請求項１〜８の何れか１項記載の光学フ
   ィルムを有することを特徴とする偏光板保護フィルム。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の偏光板保護フィルムを
    有することを特徴とする偏光板。
11. 【請求項１１】 大気圧近傍の圧力で、不飽和結合を有
    する有機化合物を含む反応ガスが存在する雰囲気下で、
    １ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚの高周波電圧を印加してプラズ
    マ放電処理することを特徴とする基材表面の処理方法。
12. 【請求項１２】 表面エネルギーの極性項成分を１０ｍ
    Ｎ／ｍ以上とすることを特徴とする請求項１１記載の基
    材表面の処理方法。