WO2010073626A1 - フィルムの表面処理方法及び装置並びに偏光板の製造方法 - Google Patents

Abstract

　易接着性樹脂フィルム１２と接着されるべき難接着性樹脂フィルム１１を大気圧近傍の処理空間２２に配置する。プロセスガス供給系３によってアクリル酸（重合性モノマー）の蒸気を含有するプロセスガスを処理空間２２に供給する。プラズマ処理部２においてプロセスガスをプラズマ化し難接着性樹脂フィルム１１に接触させる。プロセスガスプロセスガスの供給流量を、処理空間２２内の酸素濃度が３０００ｐｐｍ以下になるよう設定する。これにより、難接着性樹脂フィルムの接着性を向上させ、更には高速処理を可能にする。

Description

フィルムの表面処理方法及び装置並びに偏光板の製造方法

　この発明は、樹脂フィルムの表面を処理する方法及び装置、並びに偏光板の製造方法に関し、特に、難接着性の樹脂フィルムと易接着性の樹脂フィルムとを接着するに際して上記難接着性樹脂フィルムに対して行なう表面処理方法等に関する。

　液晶表示装置には、偏光板が組み込まれている。偏光板は、ポリビニルアルコール（以下、適宜「ＰＶＡ」と称す）を主成分として含む樹脂フィルム（以下、適宜「ＰＶＡフィルム」と称す）からなる偏光フィルムにトリアセテートセルロース（以下、適宜「ＴＡＣ」と称す）を主成分として含む樹脂フィルム（以下、適宜「ＴＡＣフィルム」と称す）からなる保護フィルムを接着剤を用いて接着したものである。接着剤としては、ポリビニルアルコール系やポリエーテル系等の水系接着剤が用いられている。ＰＶＡフィルムは、これら接着剤との接着性が良好であるが、ＴＡＣフィルムは、接着性が良好でない。そこで、一般に、ＴＡＣフィルムは、接着に先立って、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液に漬けられ、鹸化処理される。これにより、ＴＡＣフィルムの表面が加水分解により、親水性が高まり、接着剤がＴＡＣフィルムに付き易くなる。

　鹸化処理以外の表面処理方法として、例えば特許文献１では、ヘリウムとアルゴンの混合ガスで被処理物の表面を大気圧下でプラズマ処理した後、アクリル酸をスプレーガンによって吹き付け、アクリル酸をグラフト重合させ、被処理物の表面を改質させる方法が提案されている。

　特許文献２では、窒素、アルゴン等の不活性ガスと有機系の薄膜形成用ガスとを混合し、この混合ガスを大気圧下でプラズマ放電させて被処理物に供給し、被処理物の親水性を高める方法が提案されている。

特許第３２９２９２４号公報 特開２００６－２９９０００号公報

　発明者等は、プラズマ処理装置を用いて難接着性樹脂フィルムの接着性向上のための表面処理を行なう場合、プラズマ内の酸素の濃度によって接着性が変動するとの知見を得た。酸素濃度が一定量を越えていると十分な接着強度を得ることができない（後記実施例１参照）。

　本発明に係るフィルム処理方法は、上記知見に基づいてなされたものであり、易接着性樹脂フィルムと接着されるべき難接着性樹脂フィルムの表面を処理する方法であって、
　重合性モノマーを、プラズマにより活性化させて、大気圧近傍の処理空間に配置した前記難接着性樹脂フィルムと反応させ、
　前記処理空間内の酸素濃度（体積濃度）を０以上３０００ｐｐｍ以下になるよう設定することを特徴とする。
　また、本発明に係るプラズマ表面処理装置は、易接着性樹脂フィルムと接着されるべき難接着性樹脂フィルムの表面を処理する装置であって、
　重合性モノマーを、プラズマにより活性化させて大気圧近傍の処理空間に配置した難接着性樹脂フィルムに接触させるプラズマ処理部を備え、
　前記処理空間内の酸素濃度が０以上３０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
　重合性モノマーの活性化は、重合性モノマーの開裂、重合、分解を含む。活性化した重合性モノマーが難接着性樹脂フィルムと反応する。例えば、難接着性樹脂フィルムの表面のＣ－Ｃ、Ｃ－Ｏ、Ｃ－Ｈ等の結合がプラズマガスとの接触やプラズマ光の照射によって切断され、この結合切断部に重合性モノマーの重合物がグラフト重合すると考えられる。或いは、結合切断部に重合性モノマーから分解した官能基が結合すると考えられる。これにより、難接着性樹脂フィルムの表面に接着性促進層が形成されると考えられる。処理空間内の酸素濃度を３０００ｐｐｍ以下にすることによって、重合性モノマーの活性化や結合切断部との結合等の反応が阻害されるのを防止でき、難接着性樹脂フィルムの表面に接着性促進層を確実に形成できる。これによって、難接着性樹脂フィルムの接着性を確実に向上できる。

　上記フィルム処理方法において、前記処理空間内に放電を生成し、前記重合性モノマーの蒸気を含有するプロセスガスを前記処理空間に供給し、かつ前記プロセスガスの供給流量を、前記処理空間内の酸素濃度が０以上３０００ｐｐｍ以下になるよう設定することが好ましい。
　上記フィルム処理装置において、前記プラズマ処理部が、前記処理空間内に放電を生成する一対の電極を有し、前記重合性モノマーの蒸気を含有するプロセスガスを前記処理空間に供給するプロセスガス供給系を、更に備え、前記プロセスガス供給系のプロセスガスの供給流量が、前記処理空間内の酸素濃度が０以上３０００ｐｐｍ以下になるよう設定されていることが好ましい。
　処理空間にプロセスガスを供給することによって、処理空間内の空気等のガスを追い出してプロセスガスに置換できる。プロセスガスの供給流量を調節することによって、処理空間内の酸素量を調節できる。この態様では、処理空間が放電空間になる。処理対象の難接着性樹脂フィルムが放電空間内に配置され、放電空間内のプラズマと直接的に接触する。

　前記処理空間内の酸素濃度は、好ましくは２０００ｐｐｍ以下になるようにし、より好ましくは１０００ｐｐｍ以下になるようにする。
　前記プロセスガスの供給流量を、前記処理空間内の酸素濃度が好ましくは２０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０００ｐｐｍ以下になるよう設定することが望ましい。
　これによって、難接着性樹脂フィルムの接着性を一層確実に向上させることができる。

　上記フィルム処理方法において、前記難接着性樹脂フィルムを前記処理空間に対し相対移動させ、前記相対移動の速度を１０ｍ/ｍｉｎ以上とすることが好ましい。
　上記フィルム処理装置において、前記難接着性樹脂フィルムを前記処理空間に対し相対移動させる移動手段を更に備え、前記移動手段による前記相対移動の速度が１０ｍ/ｍｉｎ以上であることが好ましい。
　難接着性樹脂フィルムを相対移動させると、空気等の雰囲気ガスが難接着性樹脂フィルムと一緒に処理空間内に巻き込まれやすい。難接着性樹脂フィルムの相対移動速度が大きくすると、雰囲気ガスの巻き込み流量が増える。したがって、処理空間内の酸素濃度の上昇につながる。そこで、プロセスガスの供給流量を大きくする。これにより、巻き込んだ雰囲気ガスを処理空間から追い出すことができ、処理空間内の酸素濃度を所望の大きさにすることができる。これによって、難接着性樹脂フィルムの良好な接着性を確保しつつ、難接着性樹脂フィルムの相対移動速度を大きくすることができ、高速処理を行なうことができる。

　難接着性樹脂フィルムの相対移動速度は、２０ｍ／ｍｉｎ以上でもよく、３０ｍ／ｍｉｎ以上でもよい。相対移動速度の増大に応じて、プロセスガスの供給流量を大きくすることにより、放電空間内の酸素濃度を３０００ｐｐｍ以下、好ましくは２０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０００ｐｐｍ以下にすることができる。難接着性樹脂フィルムの相対移動速度の上限は、移動手段等の性能やプロセスガスの供給能力等に応じて適宜設定するとよい。例えば、難接着性樹脂フィルムの相対移動速度の上限は、６０ｍ／ｍｉｎ程度が好ましい。

　前記プロセスガスが、酸素ガスを実質的に含有しないことが好ましい。
　処理空間内の空気等のガスをプロセスガスに置換することにより、処理空間内の酸素濃度を確実に低下させることができる。酸素ガスを実質的に含有しないとは、プロセスガスの酸素含有量が０である場合の他、表面処理に影響しない程度に微量の酸素が含有されている場合を含む。具体的に酸素ガスを実質的に含有しないプロセスガスの酸素濃度（体積濃度）は、好ましくは０以上１ｐｐｍ以下であり、より好ましくは０以上０．１ｐｐｍ以下であり、一層好ましくは０以上０．０１ｐｐｍ以下である。

　大気圧近傍の前記処理空間は、大気に連通されていてもよく、大気に開放されていてもよい。
　ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０^４～５０．６６３×１０^４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０^４～１０．６６４×１０^４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０^４～１０．３９７×１０^４Ｐａがより好ましい。　

　本発明に係るプラズマ表面処理装置において、前記一対の電極がそれぞれ軸線を軸方向に向けた円筒状をなして前記軸方向と直交する並び方向に平行に並べられ、これら電極どうし間の最も狭くなった箇所及びその周辺が前記処理空間となり、更に、前記処理空間を挟んで前記軸方向及び前記並び方向と直交する直交方向の両側に設けられ、前記軸方向に延び、かつ前記各電極の周面との間に前記難接着性樹脂フィルムの前記各電極への巻き付けを許容する隙間を形成するようにして前記一対の電極の前記周面どうし間に跨る一対の側部閉塞部材を備え、前記一対の側部閉塞部材のうち少なくとも１つが、前記プロセスガス供給系の下流端のプロセスガスノズルを構成していることが好ましい。
　一対の側部閉塞部材によって、処理空間の前記直交方向の両側をほぼ塞ぐことができる。これによって、外部の酸素を含む雰囲気ガスが電極の周面どうし間から処理空間に侵入するのを防止又は抑制できる。したがって、処理空間内の酸素濃度を確実に所定（３０００ｐｐｍ）以下にすることができ、難接着性樹脂フィルムの接着性を確実に向上させることができる。
　前記隙間の厚さは、前記一対の電極どうし間の最も狭くなった箇所の間隔以下であることが好ましく、前記処理空間の厚さ以下であることがより好ましい。これによって、プロセスガスの供給流量を小さくしても、処理空間内の酸素濃度を確実に所定（３０００ｐｐｍ）以下にすることができる。ここで、前記処理空間の厚さは、前記一対の電極どうし間の最も狭くなった箇所の間隔から前記難接着性樹脂フィルムの厚さの２倍を差し引いた大きさに相当する。前記一対の電極どうし間の最も狭くなった箇所の間隔は、少なくとも前記難接着性樹脂フィルムの厚さの２倍より大きく、かつ３ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以下がより好ましい。
　難接着性樹脂フィルムを円筒状の電極の周面に巻き付け、円筒状の電極を回転させることによって、難接着性樹脂フィルムを搬送することができる。円筒状の電極は、上記移動手段を兼ねることができる。

　本発明に係るプラズマ表面処理装置において、前記一対の電極及び前記一対の側部閉塞部材の前記軸方向の互いに同じ側の端部どうし間に跨り、前記処理空間の前記軸方向の前記同じ側の端部に被さる軸端閉塞部材を、更に備えることが好ましい。
　軸端閉塞部材によって、外部の酸素を含む雰囲気ガスが処理空間の軸方向の端部から処理空間内に入り込むのを抑制又は防止できる。
したがって、プロセスガスの供給流量を更に小さくしても、処理空間内の酸素濃度を確実に所定（３０００ｐｐｍ）以下にすることができる。ひいては、難接着性樹脂フィルムの接着性を確実に向上させることができる。
　前記軸端閉塞部材と円筒状の電極の軸方向の端部との間にラビリンスシールが形成されていてもよい。例えば、前記軸端閉塞部材の前記電極を向く側面には部分環状の凸部が形成され、前記電極の軸方向の端面には環状の凹溝が形成され、これら凸部と凹溝が噛み合うことによって、上記ラビリンスシールが構成される。或いは、上記ラビリンスシールとして、前記軸端閉塞部材の前記電極を向く側面には部分環状の凹溝が形成され、前記電極の軸方向の端面には環状の凸部が形成されていてもよい。

　難接着性樹脂フィルムとは、該フィルムと接着される相手側のフィルムよりも接着剤に対する接着性が相対的に低いフィルムをいう。易接着性樹脂フィルムとは、該フィルムと接着される相手側のフィルムよりも接着剤に対する接着性が相対的に高いフィルムをいう。同一のフィルムが、接着される相手側のフィルムに応じて、難接着性樹脂フィルムになることもあり、易接着性樹脂フィルムになることもある。
　前記難接着性樹脂フィルムの主成分としては、例えばトリアセテートセルロース（ＴＡＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、シクロオレフィン重合体（ＣＯＰ）、シクロオレフィン共重合体（ＣＯＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）等が挙げられる。

　前記易接着性樹脂フィルムの主成分としては、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。

　重合性モノマーとしては、不飽和結合及び所定の官能基を有するモノマーが挙げられる。所定の官能基は、水酸基、カルボキシル基、アセチル基、グリシジル基、エポキシ基、炭素数１～１０のエステル基、スルホン基、アルデヒド基から選択されることが好ましく、特に、カルボキシル基や水酸基等の親水基が好ましい。

　不飽和結合及び水酸基を有するモノマーとしては、メタクリル酸エチレングリコール、アリルアルコール、メタクリル酸ヒドロキシエチル等が挙げられる。
　不飽和結合及びカルボキシル基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マイレン酸、２－メタクリロイルプロピオン酸等が挙げられる。
　不飽和結合及びアセチル基を有するモノマーとしては、酢酸ビニル等が挙げられる。
　不飽和結合及びグリシジル基を有するモノマーとしては、メタクリル酸グリシジル等が挙げられる。
　不飽和結合及びエステル基を有するモノマーとしては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ｔ－ブチル、アクリル酸２－エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ｔ－ブチル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸２－エチル等が挙げられる。
　不飽和結合及びアルデヒド基を有するモノマーとしては、アクリルアルデヒド、クロトンアルデヒド等が挙げられる。

　好ましくは、前記重合性モノマーは、エチレン性不飽和二重結合及びカルボキシル基を有するモノマーである。かかるモノマーとして、アクリル酸（ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＨ）、メタクリル酸（ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯＨ）が挙げられる。前記重合性モノマーは、アクリル酸又はメタクリル酸であることが好ましい。これによって、難接着性樹脂フィルムの接着性を確実に高めることができる。前記重合性モノマーは、アクリル酸であることがより好ましい。

　前記重合性モノマーは、キャリアガスによって搬送することにしてもよい。キャリアガスは、好ましくは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスから選択される。経済性の観点からは、キャリアガスとして窒素を用いるのが好ましい。
　アクリル酸やメタクリル酸等の重合性モノマーの多くは、常温常圧で液相である。そのような重合性モノマーは、不活性ガス等のキャリアガス中に気化させ、重合性モノマー蒸気とキャリアガスの混合ガスからなる重合性モノマー含有ガスを得るとよい。重合性モノマーをキャリアガス中に気化させる方法としては、重合性モノマー液の液面上の飽和蒸気をキャリアガスで押し出す方法、重合性モノマー液中にキャリアガスをバブリングする方法、重合性モノマー液を加熱して蒸発を促進させる方法等が挙げられる。押し出しと加熱、又はバブリングと加熱を併用してもよい。

　加熱して気化させる場合、加熱器の負担を考慮し、重合性モノマーは、沸点が３００℃以下のものを選択するのが好ましい。また、重合性モノマーは、加熱により分解（化学変化）しないものを選択するのが好ましい。

　また、本発明に係る偏光板の製造方法は、前記難接着性樹脂フィルムが透明な保護フィルムであり、前記易接着性樹脂フィルムが、偏光フィルムであり、上記のフィルム表面処理方法を実行した後、前記難接着性樹脂フィルムを易接着性樹脂フィルムに透明な接着剤を介して接着することを特徴とする。
　上記表面処理方法を採用することによって接着性を確保でき、ひいては偏光板の品質を向上させることができる。

　本発明によれば、難接着性樹脂フィルムの接着性を確実に向上させることができ、処理品質を向上させることができる。

本発明の第１実施形態に係る表面処理装置を概略的に示す正面図である。 （ａ）は、偏光板の断面図であり、（ｂ）は、ハードコード層付きの偏光板の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る表面処理装置を概略的に示す正面図である。 本発明の第３実施形態に係る表面処理装置のプラズマ処理部を概略的に示す正面図である。 第３実施形態のプラズマ処理部の斜視図である。 第３実施形態の変形例を示す正面図である。 本発明の第４実施形態の表面処理装置のプラズマ処理部を概略的に示す正面図である。 第４実施形態のプラズマ処理部を、電極を仮想線にして示す斜視図である。 図７のIX-IX線に沿う断面図である。 本発明の第５実施形態に係る表面処理装置のプラズマ処理部を概略的に示す正面図である。 図１０のXI-XI線に沿う断面図である。 第５実施形態の変形例を示す正面図である。 図１２のXIII-XIII線に沿う断面図である。 図１２において紙面奥側に配置された軸端閉塞部材の斜視図である。 実施例１に用いた表面処理装置の概略構成図である。 実施例３の結果を示すグラフである。 実施例５に用いた軸端閉塞部材の斜視図である。

　以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
　図２は、本発明の実施形態に係る表面処理方法を利用して作製された液晶ディスプレイ用の偏光板１０を示したものである。図２（ａ）に示すように、偏光板１０は、偏光フィルム１２と、この偏光フィルム１２の両面に積層された一対の保護フィルム１１とを有している。

　保護フィルム１１は、トリアセテートセルロース（ＴＡＣ）を主成分とするＴＡＣフィルムにて構成されている。ＴＡＣフィルム１１のトリアセテートセルロースの含有量は９０質量％以上である。ＴＡＣフィルム１１には、更にリン酸トリフェニル（ＴＰＰ）などの、リン酸エステル可塑剤を３～１０質量％程度含有していてもよく、紫外線吸収剤を含有していてもよい。ＴＡＣフィルム１１の厚さには、特に限定がなく、例えば数十μｍ～百数十μｍである。ＴＡＣフィルム１１の製造方法は特に限定がなく、例えばキャスト法で製造される。

　偏光フィルム１２は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を主成分とするＰＶＡフィルム１２にて構成されている。

　ＴＡＣフィルム１１とＰＶＡフィルム１２は、接着剤１３により接着されている。接着剤１３としては、特に限定はないが、光学フィルム１０に適用されることを考慮し、透明な水系接着剤を用いることが好ましい。水系接着剤として、ポリビニルアルコール水溶液、ポリビニルブチラール溶液等を主成分とするポリビニルアルコール系の接着剤液、ブチルアクリレートなどを主成分とするビニル系重合系ラテックス、ポリオレフィン系ポリオール等を主成分とするオレフィン水性接着剤、ポリエーテル系接着剤等が挙げられる。接着剤１３としては、ポリビニルアルコール水溶液を主成分とするポリビニルアルコール系接着剤を用いるのがより好ましい。

　図２（ｂ）に示す偏光板１０では、一方のＴＡＣフィルム１１の表側面（ＰＶＡフィルム１２との接着面とは反対側の面）に、機能層としてハードコート層１４が積層されている。ハードコート層１４に代えて、ＡＲ層、その他の機能層が積層されていてもよい。

　ＴＡＣフィルム１１は、接着剤１３との接着性が低く、難接着性樹脂フィルムを構成する。ＰＶＡフィルム１２は、接着剤１３との接着性が高く、易接着性樹脂フィルムを構成する。難接着性のＴＡＣフィルム１１は、易接着性のＰＶＡフィルム１２との接着に際し、接着性向上のための表面処理が施される。

　図１は、上記の表面処理に用いる表面処理装置１を示したものである。表面処理装置１は、プラズマ処理部２と、プロセスガス供給系３とを備えている。プラズマ処理部２は、一対の電極２１を備えている。これら電極２１は、互いに同一の大きさのロール状（円柱形ないしは円筒形）をなし、軸線を図１と直交する軸方向に向け、左右（並び方向）に並べられている。以下、２つの電極２１を互いに区別するときは、左側の電極２１の符号に「Ｌ」を付し、右側の電極２１の符号に「Ｒ」を付す。これら電極２１間の最も狭くなった部分の周辺の空間がほぼ大気圧の処理空間２２になっている。処理空間２２の上下両端は開放されて大気に連通されている。電極２１間の最も狭くなった部分の厚さは、０．５～数ｍｍ程度であり、処理空間２２は狭隘である。

　一対の電極２１のうち一方が電源２３の高圧端子に接続され、他方が電気的に接地されている。ここでは、左側の電極２１Ｌが電源２３に接続され、右側の電極２１Ｒが接地されているが、電極２１Ｒに電源２３が接続され、電極２１Ｌが電気的に接地されていてもよい。電源２３からの電圧供給により電極２１，２１間に電界が形成され、上記処理空間２２がほぼ大気圧の放電空間になる。電源２３からの供給電圧及び電極２１間の電界は例えばパルス状になっている。パルスの立ち上がり時間及び／又は立ち下がり時間は、１０μｓ以下であるのが好ましく、電界強度は、１０～１０００ｋＶ／ｃｍであるのが好ましく、周波数は、０．５～１００ｋＨｚであるのが好ましい。印加電圧及び電界は、パルス状の間欠波に限られず、正弦波等の連続波であってもよい。

　ロール電極２１は、被処理物であるＴＡＣフィルム１１の支持手段及び移動手段としての機能を兼ねている。連続シート状のＴＡＣフィルム１１が、２つのロール電極２１，２１に跨り、各ロール電極２１の上側の周面に例えば半周程度掛け回されている。ロール電極２１，２１どうしの間のＴＡＣフィルム１１は、処理空間２２に通されて下方へ延出され、一対の折り返しロール２７，２７に掛け回されて折り返されている。２つのロール電極２１の回転により、ＴＡＣフィルム１１が、一方向（右方向）に搬送される。ロール電極２１の回転速度を調節することによって、ＴＡＣフィルム１１の移動速度を調節できる。

　各ロール電極２１の内部にフィルム温度調節手段２８が組み込まれている。フィルム温度調節手段２８は、温調路により構成されている。所定温度の温調媒体が、ロール電極２１内の温調路を流通する。温調媒体として例えば水が用いられる。これによって、ロール電極２１の温度を調節でき、更にはＴＡＣフィルム１１のロール電極２１に接する部分の温度を調節することができる。ＴＡＣフィルム１１の温度は、室温以上であることが好ましい。ここで、室温とは、一般に２０～２５℃であり、より一般的には２５℃である。

　次に、プロセスガス供給系３について説明する。
　プロセスガス供給系３は、重合性モノマー供給源３０と、不活性ガス供給源３１を備えている。重合性モノマー供給源３０は、恒温容器（恒温槽）で構成されている。恒温容器３０内に、表面処理の反応成分として重合性モノマーが蓄えられている。重合性モノマーは、不飽和結合及び所定の官能基を有することが好ましく、親水性を有することがより好ましい。重合性モノマーとして、アクリル酸又はメタクリル酸を用いることが更に好ましい。ここでは、重合性モノマーとして、アクリル酸（ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＨ）が用いられている。アクリル酸は、エチレン性不飽和二重結合及びカルボキシル基を有する親水性の重合性モノマーである。アクリル酸ＡＡは液体の状態で恒温容器３０内に収容されている。恒温容器３０内の液体アクリル酸ＡＡの液面より上側の部分には、液体アクリル酸ＡＡから気化したアクリル酸の飽和蒸気が存在している。

　恒温容器３０には気化手段として加熱器３２が組み込まれている。容器２０内の液体アクリル酸ＡＡが加熱器３２によって加熱されて気化される。液体アクリル酸ＡＡの加熱温度によってアクリル酸の気化量を調節することができる。アクリル酸ＡＡの加熱温度は、アクリル酸蒸気が爆発性であることを考慮し、１５０℃以下にすることが好ましく、アクリル酸の引火点（５４℃）未満にすることがより好ましく、室温（２５℃）～８０℃程度が更に好ましく、引火点を考慮すると室温（２５℃）～５０℃程度が一層好ましい。室温近傍でもアクリル酸の気化量が必要量を満たす場合には、加熱器３２を省略してもよい。　なお、アクリル酸の発火点は、３６０℃である。アクリル酸の引火点は、５４℃である。ちなみに、メタクリル酸の発火点は、３６０℃である。メタクリル酸の引火点は、７７℃である。

　不活性ガス供給源３１には、不活性ガスが充填されている。不活性ガスは、重合性モノマー蒸気を搬送するキャリアガスとしての役割と、処理空間２２内にプラズマを生成するためのプラズマ生成用ガスとしての役割を担っている。ここでは、不活性ガスとして、窒素ガスが用いられているが、窒素ガス以外に、アルゴン、ヘリウム等の他の不活性ガスを用いてもよい。
　キャリアガスないしはプラズマ生成用ガスは、酸素を実質的に含有しないことが好ましい。

　不活性ガス供給源３１から不活性ガス供給路３３が延びている。不活性ガス供給路３３が、プラズマ生成用ガス路３４とキャリア路３５に分岐している。これら路３４，３５には、流量調節手段３４ｖ，３５ｖがそれぞれ設けられている。流量調節手段３４ｖ，３５ｖは、マスフローコントローラや流量制御弁等にて構成されている。これら流量調節手段３４ｖ，３５ｖによって、不活性ガスの各路３４，３５への分流比が調節される。

　キャリア路３５が、恒温容器３０に接続されている。キャリア路３５の先端部は、恒温容器３０の内部に差し入れられて開口され、かつアクリル酸ＡＡの液面より上側の部分に位置している。
　キャリア路３５の先端部をアクリル酸ＡＡの液の内部まで延ばし、アクリル酸ＡＡ内で窒素ガスをバブリングさせてもよい。

　恒温容器３０の上側部から重合性モノマー蒸気路３６が延びている。重合性モノマー蒸気路３６にプラズマ生成用ガス路３４が合流している。これら路３４，３６の合流部からプロセスガス路３７がプラズマ処理部２へ延びている。重合性モノマー蒸気路３６及びプロセスガス路３７にはガス温調手段３８が設けられている。ガス温調手段３８は、例えばリボンヒータにて構成され、重合性モノマー蒸気路３６及びプロセスガス路３７を構成する管の外周を全長にわたって覆っている。ガス温調手段３８によって、重合性モノマー蒸気路３６及びプロセスガス路３７を通過するガスの温度を調節できる。

　プロセスガス路３７の先端部にプロセスガスノズル３９が設けられている。プロセスガスノズル３９は、一対のロール電極２１の間の上側部分に配置されている。プロセスガスノズル３９の先端の開口は、下へ向けられ、処理空間２２に臨んでいる。プロセスガスノズル３９の先端部は、下に向かうにしたがって細くなり、ロール電極２１の間の次第に狭くなる部分に差し入れられている。

　詳細な図示は省略するが、プロセスガスノズル３９は、図１の紙面と直交する軸方向にＴＡＣフィルム１１の幅とほぼ同じかそれより長く延びている。プロセスガスノズル３９の内部には、プロセスガス供給路３７からのガスを上記軸方向（図１の紙面直交方向）に均一に分散させる整流路が形成されている。整流路は、上記軸方向に延びるチャンバーやスリット、又は上記軸方向に分散して配置された多数の小孔等を含む。上記整流路を有する整流部を、プロセスガスノズル３９から分離して、プロセスガス路３７の先端とプロセスガスノズル３９との間に介在させてもよい。整流路にプロセスガスノズル３９の先端の吹出し口が連なっている。プロセスガスノズル３９の吹出し口は、図１の紙面と直交する方向に延びるスリット状になっている。プロセスガスノズル３９の吹出し口が、図１の紙面と直交する方向に間隔を置いて配置された多数の小孔状になっていてもよい。

　さらに、プロセスガスノズル３９の内部には、温調路（図示省略）が形成されている。温調路に所定温度の温調媒体が通される。温調媒体として例えば水が用いられる。温調媒体によってプロセスガスノズル３９の構造体を所定温度に維持でき、ひいてはプロセスガスノズル３９内を通過するガスの温度を調節でき、ひいてはプロセスガスノズル３９から吹き出されるガスの温度を調節できる。

　上記構成フィルム表面処理装置１を用いて、ＴＡＣフィルム１１を表面処理し、更には偏光板１０を製造する方法を説明する。
［プロセスガス供給工程］
　不活性ガス供給源３１の窒素ガスを、不活性ガス供給路３３からプラズマ生成用ガス路３４とキャリア路３５に分配する。分配比を流量調節手段３４ｖ，３５ｖにて調節する。キャリア路３５に分流された窒素ガスが、恒温容器３０に導入され、恒温容器３０内の液体アクリル酸の液面より上側のアクリル酸蒸気を重合性モノマー蒸気路３６に押し出す。プロセスガス路３７において、重合性モノマー蒸気路３６からのガス（窒素＋アクリル酸蒸気）とプラズマ生成用ガス路３４からの窒素ガスとが混合され、プロセスガスが生成される。プロセスガス（アクリル酸＋窒素）中のアクリル酸の濃度は、爆発限界を考慮して２％以下であることが好ましく、１％程度がより好ましい。プロセスガスの濃度は、窒素ガスの２つの路３４，３５への分配比、加熱器３２によるアクリル酸の加熱温度によって調節できる。このプロセスガスが、プロセスガス路３７を経てプロセスガスノズル３９に送られる。プロセスガスが、プロセスガスノズル３９においてＴＡＣフィルム１１の幅方向（図１の紙面直交方向）に均一化されたうえで、処理空間２２へ吹き出される。

［プラズマ処理工程］
　電源２３からの電圧供給によって、電極２１，２１間に大気圧放電を形成し、電極間空間２２を放電空間にする。これにより、プロセスガス中の窒素がプラズマ化され、かつアクリル酸蒸気が活性化され、二重結合の開裂、重合等が起きる。また、ＴＡＣフィルム１１への窒素プラズマの接触や、窒素プラズマからの紫外線（３３７ｎｍ）の照射によって、ＴＡＣフィルム１１の表面分子のＣ－Ｃ、Ｃ－Ｏ、Ｃ－Ｈ等の結合が切断される。この結合切断部にアクリル酸の重合物が結合（グラフト重合）し、或いはアクリル酸から分解したＣＯＯＨ基等が結合すると考えられる。これにより、ＴＡＣフィルム１１の表面に接着性促進層が形成される。

［温調工程］
　さらに、ガス温調手段３８によって重合性モノマー蒸気路３６及びプロセスガス路３７を通過中のガスの温度を所望になるよう調節する。かつプロセスガスノズル３９内の温調路によってプロセスガスノズル３９を通過中のプロセスガスの温度を所望になるよう調節する。これにより、プロセスガスが、プロセスガスノズル３９から吹き出される時の温度（以下「吹出し温度」と称す）を設定温度にすることができる。吹出し温度の上限は、ＴＡＣフィルム１１が膨潤等の熱変形を来たさない範囲で設定するのが好ましい。ＴＡＣフィルム１１が膨潤等の熱変形を来たさない限界温度は、処理条件等にも依るが、例えば８０℃前後である。吹出し温度の下限は、ガス路３６，３７及びノズル３９内での結露を防止する観点から室温以上であることが好ましい。吹出し温度は、３５℃～８０℃程度であることが好ましく、４０℃～５０℃程度がより好ましい。

　併せて、フィルム温度調節手段２８によって、ＴＡＣフィルム１１のロール電極２１と接触する部分の温度（以下「フィルム温度」と称す）をプロセスガスの吹出し温度より低い所望の温度に維持する。好ましくは、フィルム温度が、吹出し温度より５℃以上低くなるようにする。より好ましくは、フィルム温度が、吹出し温度より１０℃以上低くなるようにする。この温度調節により、例えば１０ｍ／ｓ以上の高速搬送下においてもアクリル酸をＴＡＣフィルム１１の表面に確実に凝縮（担持）させることができ、ひいてはアクリル酸のグラフト重合物を含む接着性促進層をＴＡＣフィルム１１の表面に確実に形成することができる。

［移動工程］
　上記のプロセスガス供給工程及びプラズマ処理工程と併行して、ロール電極２１を図１において時計回りに継続的に回転させ、ＴＡＣフィルム１１を右方向に送る。ＴＡＣフィルム１１の各ポイント（被処理箇所）は、左側のロール電極２１に掛け回された後、該左側のロール電極２１から離れる直前に処理空間２２を通過し、折り返しロール２７，２７で折り返した後、右側のロール電極２１に掛けられつつ再び処理空間２２を通過する。ＴＡＣフィルム１１の各ポイント（被処理箇所）は、処理空間２２を通過する度にプラズマ処理される。したがって、１つの処理空間２２でＴＡＣフィルム１１を２回表面処理できる。

［プロセスガス流量調節工程］
　ここで、左側のロール電極２１上のＴＡＣフィルム１１の移動に伴なって、該ＴＡＣフィルム１１の周辺の雰囲気ガス（空気）が該ＴＡＣフィルム１１と一緒に処理空間２２に巻き込まれる。ＴＡＣフィルム１１の移動速度が大きくなればなるほど、空気の巻き込み量が増大する傾向がある。これに対応し、プロセスガスの供給流量を大きくする。キャリア路３５の流量を一定に保ちながらプラズマ生成用ガス路３４の流量を調節することで、プロセスガスの供給流量を調節するのが好ましい。これにより、処理空間２２内のガスをプロセスガス（ほとんど窒素、残部アクリル酸蒸気）に置換し、処理空間２２から空気ひいては酸素を追い出す。

　要するに、上記のプロセスガス供給工程において、プロセスガスの供給流量を、処理空間２２内の酸素濃度が所定以下になるよう設定する。具体的には、処理空間２２内の酸素濃度が、好ましくは３０００ｐｐｍ、より好ましくは２０００ｐｐｍ、一層好ましくは１０００ｐｐｍ以下になるようにする。これによって、プラズマ処理工程におけるアクリル酸の開裂や重合、ＴＡＣフィルム１１の表面分子のＣ－Ｃ、Ｃ－Ｏ、Ｃ－Ｈ等の結合切断、アクリル酸の重合物や官能基と上記結合切断部との結合等の反応が阻害されるのを防止できる。よって、ＴＡＣフィルム１１の表面に接着性促進層を確実に形成でき、処理品質を安定させることができる。しかも、処理空間２２内への空気巻き込みを懸念することなくＴＡＣフィルム１１の搬送速度を大きくできる。したがって、処理時間を短縮できる。

［接着工程］
　以上のようにして表面処理された難接着性樹脂のＴＡＣフィルム１１を接着剤１３によって易接着性樹脂のＰＶＡフィルム１２と接着する。ＴＡＣフィルム１１の表面に接着性促進層が確実に形成されているため、ＴＡＣフィルム１１をＰＶＡフィルム１２にしっかりと接着できる。これにより、良品質の偏光板１０を得ることができる。

　次に、本発明の他の実施形態に係る表面処理装置について説明する。以下の実施形態において第１の実施形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
　図３は、本発明の第２実施形態を示したものである。第２実施形態では、プラズマ生成部２に３つのロール電極２１が設けられている。３つの電極２１は、互いに同一の大きさのロール状（円柱形）をなし、軸線を図３と直交する方向に向け、左右に並べられている。３つの電極２１を互いに区別するときは、左側の電極２１を「電極２１Ｌ」とし、中央の電極２１を「電極２１Ｃ」とし、右側の電極２１を「電極２１Ｒ」とする。

　中央のロール電極２１Ｃが、電源２３に接続されている。左右のロール電極２１Ｌ，２１Ｒが、電気的に接地されている。電源２３からの電圧供給により隣り合う電極２１Ｌ，２１Ｃ間及び電極２１Ｃ，２１Ｒに電界が形成され、これら電極間の最も狭くなった部分の周辺の空間がほぼ・BR>蜍C圧の処理空間２２になる。２つの処理空間２２を互いに区別するときは、左側と中央の電極２１Ｌ，２１Ｃ間の処理空間２２を「処理空間２２Ａ」とし、中央と右側の電極２１Ｃ，２１Ｒ間の処理空間２２を「処理空間２２Ｂ」とする。

　連続シート状のＴＡＣフィルム１１が、３つのロール電極２１に跨り、各ロール電極２１の上側の周面に例えば半周程度掛け回されている。隣接するロール電極２１どうしの間のＴＡＣフィルム１１は、処理空間２２より下方へ延出され、一対の折り返しロール２７，２７に掛け回されて折り返されている。３つのロール電極２１の回転により、ＴＡＣフィルム１１が、一方向（右方向）に搬送される。

　第２実施形態では、ガス供給系として、第１プロセスガス供給系３Ａと、第２プロセスガス供給系４とが設けられている。第１プロセスガス供給系３Ａは、第１実施形態のプロセスガス供給系３と同様の構成になっている。プロセスガスノズル３９が、左側と中央のロール電極２１Ｌ，２１Ｃ間に配置され、放電空間２２Ａに臨んでいる。第１プロセスガス供給系３Ａは、アクリル酸蒸気を含有するプロセスガスを放電空間２２Ａに供給する。

　第２プロセスガス供給系４は、第２プロセスガス供給源４１と、第２プロセスガスノズル４３を備えている。第２プロセスガス供給源４１は、第２プロセスガスとして窒素を蓄えている。第２プロセスガスとして、アルゴン、ヘリウム等の他の不活性ガスを用いてもよい。第２プロセスガス供給源４１から第２プロセスガス供給路４２がプラズマ処理部２へ延びている。供給路４２の先端部に第２プロセスガスノズル４３が連なっている。第２プロセスガスノズル４３は、中央と右側のロール電極２１Ｃ，２１Ｒ間に配置され、放電空間２２Ｂに臨んでいる。第２プロセスガス供給源４１の窒素が、供給路４２を経てノズル４３から処理空間２２Ｂに吹き出される。
　２つの処理空間２２Ａ，２２Ｂに供給されるガスを互いに区別するときは、処理空間２２Ａに供給されるガス（アクリル酸蒸気＋窒素）を「第１プロセスガス」と表記し、処理空間２２Ｂに供給されるガス（窒素）を「第２プロセスガス」と表記する。
　第１、第２プロセスガス供給源３１，４１が、共通の不活性ガス供給源にて構成されていてもよい。

　第２実施形態においては、左側と中央のロール電極２１Ｌ，２１Ｃ間の放電空間２２Ａに第１プロセスガス（アクリル酸＋窒素）を供給してプラズマ化し、ＴＡＣフィルム１１の表面にアクリル酸の重合物等を含む接着促進層を形成する。このとき、第１プロセスガスの流量を、放電空間２２Ａ内の酸素濃度が好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０００ｐｐｍになるよう設定する。

　次いで、中央と右側のロール電極２１Ｃ，２１Ｒ間の放電空間２２Ｂにおいて、第２プロセスガス（窒素のみ）をプラズマ化してＴＡＣフィルム１１に接触させる。これにより、ＴＡＣフィルム１１の表面の未反応のアクリル酸を活性化でき、接着促進層をより確実に形成することができる。したがって、ＴＡＣフィルム１１の接着性を確実に向上させることができる。

　図４及び図５は、本発明の第３実施形態を示したものである。第３実施形態に係るプラズマ表面処理装置１は、処理空間２２に対する閉塞手段７を備えている。閉塞手段７は、一対の側部閉塞部材７１，７２を含む。側部閉塞部材７１，７２は、処理空間２２を挟んで上下方向（電極２１の軸方向及び並び方向と直交する直交方向）の両側に配置されている。これら閉塞部材７１，７２は、電極２１の軸方向と平行に延びる長尺状になっている。

　上側の側部閉塞部材７１は、ロール電極２１，２１における処理空間２２より上側の周面どうし間に跨るように配置されている。側部閉塞部材７１の長手方向と直交する断面は、下に向かうにしたがって先細になっている。側部閉塞部材７１の下端部が、一対の電極２１，２１どうし間の最も狭くなった箇所の近くまで、言い換えると放電空間の近くまで差し入れられている。側部閉塞部材７１の下端面が、処理空間２２に面して処理空間２２の上端を画成している。側部閉塞部材７１によって、処理空間２２の上側部がほぼ塞がれている。

　側部閉塞部材７１の下方へ先細になった部分の左右の両側面は、それぞれ部分円筒面形状の凹曲面７３になっている。凹曲面７３の曲率半径は、各電極２１の半径より僅かに大きい。左側の凹曲面７３の曲率中心は、左側の電極２１Ｌの軸線とほぼ一致している。右側の凹曲面７３の曲率中心は、右側の電極２１Ｒの軸線とほぼ一致している。

　左側の凹曲面７３は、左側の電極２１Ｌの周面に沿っている。左側の凹曲面７３と電極２１Ｌの周面との間には、側部隙間７３ｅが形成されている。隙間７３ｅによって、被処理フィルム１１の電極２１Ｌへの巻き付けが許容されている。右側の凹曲面７３は、右側の電極２１Ｒの周面に沿っている。右側の凹曲面７３と電極２１Ｒの周面との間には、側部隙間７３ｆが形成されている。隙間７３ｆによって、被処理フィルム１１の電極２１Ｒへの巻き付けが許容されている。

　下側の側部閉塞部材７２は、概略、上側の側部閉塞部材７１を上下に反転させた形状になっている。詳述すると、下側の側部閉塞部材７２は、ロール電極２１，２１における処理空間２２より下側の周面どうし間に跨るように配置されている。側部閉塞部材７２の長手方向と直交する断面は、上に向かうにしたがって先細になっている。側部閉塞部材７２の上端部が、一対の電極２１，２１どうし間の最も狭くなった箇所の近くまで、言い換えると放電空間の近くまで差し入れられている。側部閉塞部材７２の上端面が、処理空間２２に面して処理空間２２の下端面を画成している。側部閉塞部材７２によって、処理空間２２の下側部がほぼ塞がれている。側部閉塞部材７１，７２によって、処理空間２２が上下両側から覆われている。

　側部閉塞部材７２の上方へ先細になった部分の左右の両側面は、それぞれ部分円筒面形状の凹曲面７４になっている。凹曲面７４の曲率半径は、各電極２１の半径より僅かに大きい。左側の凹曲面７４の曲率中心は、左側の電極２１Ｌの軸線とほぼ一致している。右側の凹曲面７４の曲率中心は、右側の電極２１Ｒの軸線とほぼ一致している。

　左側の凹曲面７４は、左側の電極２１Ｌの周面に沿っている。左側の凹曲面７４と電極２１Ｌの周面との間には、側部隙間７４ｅが形成されている。隙間７４ｅによって、被処理フィルム１１の電極２１Ｌへの巻き付けが許容されている。右側の凹曲面７４は、右側の電極２１Ｒの周面に沿っている。右側の凹曲面７４と電極２１Ｒの周面との間には、側部隙間７４ｆが形成されている。隙間７４ｆによって、被処理フィルム１１の電極２１Ｒへの巻き付けが許容されている。

　隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆの厚さは、被処理フィルム１１の厚さより大きく、かつ周囲の雰囲気ガスが処理空間２２へ侵入するのを十分に抑制し得る程度の大きさに設定される。隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆの厚さｔは、少なくとも電極２１，２１間の最も狭くなった箇所の間隔ｇ以下であることが好ましく（ｔ≧ｇ）、更に処理空間２２の厚さ以下であることが好ましい。ここで、処理空間２２の厚さは、上記間隔ｇから被処理フィルム１１の厚さの２倍を差し引いた大きさである。例えば、隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆの厚さｔは、ｔ＝０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ程度が好ましく、ｔ＝０．２～０．３ｍｍ程度がより好ましい。隙間７３ｅ，７３ｆの厚さと隙間７４ｅ，７４ｆの厚さは、互いに同じでもよく、互いに異なっていてもよい。
　なお、電極２１，２１間の最も狭くなった箇所の間隔ｇは、被処理フィルム１１の厚さの２倍より大きく、かつ３ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以下がより好ましい。

　なお、図４及び図５において、電極２１の内部の温調路２８、及びプロセスガス供給系３のガス温調手段３８、電源２３等の図示は省略されている。以降の実施形態（図６～図１４）において同様である。

　側部閉塞部材７１，７２のうち少なくとも１つが、プロセスガス供給系３の下流端のプロセスガスノズルを構成している。ここでは、上側の閉塞部材７１がプロセスガスノズルとして提供されている。閉塞部材７１は、第１実施形態（図１）のプロセスガスノズル３９に対応する。

　ノズル兼閉塞部材７１の上側に整流部７５が設けられている。プロセスガス路３７の先端が整流部７５に接続されている。整流部７５は、閉塞部材７１と平行に図４の紙面と直交する方向に延びている。詳細な図示は省略するが、整流部７５には、プロセスガス路３７からのガスを軸方向（図４の紙面と直交する方向）に均一化させる整流路が設けられている。整流路は、上記軸方向に延びるチャンバーやスリット、又は上記軸方向に分散して配置された多数の小孔等を含む。

　ノズル兼閉塞部材７１の内部には、吹出し路７６が形成されている。吹出し路７６は、軸方向（図４の紙面と直交する方向）に延びるスリット状になっている。吹出し路７６の下流端が、閉塞部材７１の下端面に達して開口され、吹出し口を構成している。

　更に、ノズル兼閉塞部材７１の内部には、温調路７９が形成されている。温調路７９は軸方向（図４の紙面と直交する方向）に延びている。温調路７９に水等の温調媒体を通すことによってノズル兼閉塞部材７１を温度調節できる。

　下側の閉塞部材７２は、ダミーノズルであり、上側のノズル兼閉塞部材７１と同じ外観形状を有する一方、内部に吹出し路及び温調路が形成されていない。閉塞部材７２が、ノズル兼閉塞部材７１と同様に吹出し路及び温調路を有していてもよく、この閉塞部材７２の吹出し口をプラグ等で塞ぐことにしてもよい。なお、側部閉塞部材７１，７２は、プロセスガスを排気するための排気口又は吸引口を備えていない。

　第３実施形態によれば、重合性モノマーを含むプロセスガスが、プロセスガス路３７から整流部７５に導入されて整流部７５の長手方向に均一化される。均一化後のプロセスガスが、吹出し路７６から吹き出され、処理空間２２に導入される。処理空間２２内においてプロセスガスがプラズマ化されるとともに被処理フィルム１１に接触する。これにより、被処理フィルム１１の表面の接着性を改善できる。その後、プロセスガスは、処理空間２２の長手方向（図４の紙面と直交する軸方向）の両端の開口２２ｅから処理空間２２の外部へ流出する。また、一部のプロセスガスは、上下の閉塞部材７１，７２と左右の電極２１Ｌ，２１Ｒの周面との間の隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆを経て外部へ流出する。

　上側の閉塞部材７１によって、処理空間２２の上側部をほぼ塞ぐことができる。下側の閉塞部材７２によって、処理空間２２の下側部をほぼ塞ぐことができる。これによって、プロセスガスの供給流量が小さくても、外部の雰囲気ガスが電極２１，２１の上側の周面どうし間及び下側の周面どうし間から処理空間２２に侵入するのを防止又は抑制できる。更には、上記プロセスガスが軸端開口２２ｅ及び隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆから流出することによって、外部の雰囲気ガスが軸端開口２２ｅ及び隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆを通って処理空間２２に侵入するのを防止できる。これによって、処理空間２２内の酸素濃度を確実に所定の大きさ、すなわち３０００ｐｐｍ以下にすることができる。よって、被処理フィルム１１の接着性を確実に向上させることができる。

　図６は、第３実施形態の変形例を示したものである。この変形例では、上下の側部閉塞部材のうち上側の閉塞部材７１だけでなく下側の閉塞部材７２Ａについてもプロセスガスノズルを構成している。ノズル兼閉塞部材７２Ａの下部には整流部７７が設けられている。整流部７７は、軸方向（図６の紙面と直交する方向）に延びている。整流部７７にプロセスガス路３７が接続されている。整流部７７には、整流部７５と同様にプロセスガスを軸方向に均一化させる整流路が設けられている。共通の重合性モノマー供給源３０（図１参照）からのプロセスガス路３７が分岐し、それぞれ整流部７５，７７を介してノズル兼閉塞部材７１，７２Ａに接続されていてもよい。ノズル兼閉塞部材７１，７２Ａが、互いに異なるガス供給源に接続されていてもよい。互いに異なるガス供給源の一方は、重合性モノマー供給源３０であり、互いに異なるガス供給源の他方は、窒素ガスや希ガス等の不活性ガス供給源４１（図２参照）であることが好ましい。

　ノズル兼閉塞部材７２Ａの内部には、吹出し路７８及び温調路７９が形成されている。整流部７７の上記整流路が吹出し路７８に連なっている。吹出し路７８は、軸方向（図６の紙面と直交する方向）に延びるスリット状になっている。吹出し路７８が、ノズル兼閉塞部材７２Ａの上端面に達して開口し、吹出し口を構成している。ノズル兼閉塞部材７２Ａの吹出し口は、上側のノズル閉塞部材７１の吹出し口と同じ長さ及び幅を有している。

　これによって、プロセスガスが上側のノズル兼閉塞部材７１から処理空間２２に導入されるだけでなく下側のノズル兼閉塞部材７２Ａからも処理空間２２に導入される。上下のノズル兼閉塞部材７１，７２Ａからの吹出し流量は互いに同じ大きさにするのが好ましい。これによって、処理空間２２内に圧力を均一に加えることができる。処理空間２２内において被処理フィルム１１の表面処理に供されたプロセスガスは、その後、処理空間２２の軸端開口２２ｅ及び隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆから流出する。このプロセスガスの流れによって、外部の雰囲気ガスが軸端開口２２ｅ及び隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆから処理空間２２内に入り込むのを防止することができる。処理空間２２内に圧力を均一に加えることによって、外部の雰囲気ガスが隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆの一部分から処理空間２２に集中的に流入するのを防止できる。これによって、処理空間２２内の酸素濃度を確実に所定（３０００ｐｐｍ）以下にすることができる。よって、被処理フィルム１１の接着性を確実に向上させることができる。なお、側部閉塞部材７１，７２Ａは、プロセスガスを排気するための排気口又は吸引口を備えていない。

　図７～図９は、本発明の第４実施形態を示したものである。
　この実施形態では、第３実施形態（図４及び図５）の側部閉塞部材７１，７２に加えて、軸端閉塞部材８０が設けられている。図８に示すように、軸端閉塞部材８０は、電極２１，２１の軸方向の両端部にそれぞれ配置されている。図７に示すように、各軸端閉塞部材８０は、一対の電極２１，２１及び一対の側部閉塞部材７１，７２の軸方向の互いに同じ側の端部どうし間に跨り、処理空間２２の軸方向の上記同じ側の端部２２ｅに被さっている。

　図８及び図９に示すように、軸端閉塞部材８０は、正面板８１と、一対の側板８２を有し、平面視でコ字状（Ｕ字状、Π字状）になっている。正面板８１は、上下に延びる平板状になっている。正面板８１の左右の縁に側板８２がそれぞれ設けられている。各側板８２は、正面板８１と直交している。

　正面板８１は、電極２１の端面から軸方向の外側に離れている。図７に示すように、正面板８１は、軸方向の外側から見て左右の電極２１Ｌ，２１Ｒどうし間に跨る幅寸法を有し、かつ軸方向の外側から見て上下の側部閉塞部材７１，７２どうし間に跨る上下寸法を有している。軸方向の外側から見て、正面板８１が処理空間２２の端部２２ｅに被さっている。

　図９に示すように、左の側板８２は、正面板８１から電極２１Ｌの端面へ向けて突出している。右の側板８２は、正面板８１から電極２１Ｒの端面へ向けて突出している。

　側部閉塞部材７１，７２が、電極２１より軸方向に突出し、軸端閉塞部材８０の内部に差し入れられている。側部閉塞部材７１，７２の軸方向の端部が、正面板８１の内側面に突き当てられ、ボルト８９にて固定されている。これにより、軸端閉塞部材８０が側部閉塞部材７１，７２に支持されている。正面板８１の上側部と側部閉塞部材７１の軸方向の端面との間には隙間が形成されていない。正面板８１の下側部と側部閉塞部材７２の軸方向の端面との間には隙間が形成されていない。

　左右の各側板８２の上端縁は、側部閉塞部材７１の凹曲面７３の上側部に当たっている。各側板８２の上端縁と側部閉塞部材７１との間には隙間が形成されていない。各側板８２の下端縁は、側部閉塞部材７２の凹曲面７４の下側部に当たっている。各側板８２の下端縁と側部閉塞部材７２との間には隙間が形成されていない。
　なお、側板８２の上下の端縁と側部閉塞部材７１，７２との間に隙間が形成されていてもよい。

　図９に示すように、左右の各側板８２の電極２１の端面側の縁は電極２１から離れている。側板８２と電極２１の軸方向の端面との間には軸端隙間８２ｅが形成されている。これによって、電極２１の回転時に側板８２と電極２１との擦れを防止できる。隙間８２ｅの厚さｔ８は、ｔ８＝０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ程度が好ましく、ｔ８＝０．１ｍｍ程度がより好ましい。

　この第４実施形態では、側部閉塞部材７１，７２によって外部の雰囲気ガスが処理空間２２の上下両側から処理空間２２内に入り込むのを抑制又は防止できるだけでなく、軸端閉塞部材８０が処理空間２２の軸方向の端部２２ｅに被さることによって、外部の雰囲気ガスが端部２２ｅから処理空間２２内に入り込むのを抑制又は防止できる。したがって、プロセスガスの供給流量をより小さくできる。更に、プロセスガスが、処理空間２２内から上下側部の隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆを通って流出するとともに軸方向の端部の隙間８２ｅからも流出する。このプロセスガスの流れによって、外部の雰囲気ガスが側部隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆ及び軸端隙間８２ｅから処理空間２２内に入り込むのを防止することができる。たとえ、外部の雰囲気ガスが軸端隙間８２ｅを通って軸端閉塞部材８０の内部に入り込んだとしても、入り込んだ雰囲気ガスを軸端閉塞部材８０の内部空間に拡散させて該雰囲気ガスの濃度を薄めることができる。これによって、処理空間２２内の酸素濃度を確実に所定の大きさ以下すなわち３０００ｐｐｍ以下にすることができる。よって、被処理フィルム１１の接着性を確実に向上させることができる。

　図１０及び図１１は、本発明の第５実施形態を示したものである。第５実施形態では、コ字状（Ｕ字状）の軸端閉塞部材８０に代えて、平板状の軸端閉塞部材９０が設けられている。軸端閉塞部材９０は、電極２１，２１の軸方向の両端部にそれぞれ設けられている。各軸端閉塞部材９０は、一対の電極２１，２１及び一対の側部閉塞部材７１，７２の軸方向の互いに同じ側の端部どうし間に跨り、処理空間２２の軸方向の上記同じ側の端部２２ｅに被さっている。

　側部閉塞部材７１，７２の軸方向の端面は、電極２１よりも軸方向に僅かに（例えば０．１ｍｍ程度）突出している。軸端閉塞部材９０の上側部が、側部閉塞部材７１の軸方向の端面に当てられボルト９９にて連結されている。軸端閉塞部材９０の下側部が、側部閉塞部材７２の軸方向の端面に当てられボルト９９にて連結されている。これにより、軸端閉塞部材９０が、上下の側部閉塞部材７１，７２により支持されている。

　軸端閉塞部材９０は、電極２１，２１の軸方向の端面から僅かに離れて配置されている。軸端閉塞部材９０と電極２１，２１との間に隙間９１が形成されている。これによって、電極２１の回転時に軸端閉塞部材９０と電極２１との擦れを防止できる。隙間９１の厚さは、側部閉塞部材７１，７２の電極２１からの突出量に対応している。隙間９１の厚さｔ９は、ｔ９＝０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ程度が好ましく、ｔ９＝０．１ｍｍ程度がより好ましい。

　この第５実施形態では、軸端閉塞部材９０が処理空間２２の軸方向の端部２２ｅに被さることによって、外部の雰囲気ガスが端部２２ｅから処理空間２２内に入り込むのを抑制又は防止できる。これによって、プロセスガスの供給流量が小さくても、処理空間２２内の酸素濃度を確実に所定（３０００ｐｐｍ）以下にすることができる。よって、被処理フィルム１１の接着性を確実に向上させることができる。

　図１２及び図１３は、第５実施形態の変形例を示したものである。この変形例では、板状の軸端閉塞部材９２と左側の電極２１Ｌとの間にラビリンスシール９３が形成されている。軸端閉塞部材９２と右側の電極２１Ｒとの間にラビリンスシール９４が形成されている。
　詳述すると、図１４に示すように、軸端閉塞部材９０の内側（電極２１を向く側）の面の左側部分には、複数の円弧状ないしは部分環状の凸部９５が形成されている。これら部分環状凸部９５は、互いに左側の電極２１の軸線を中心とする同心円状になっている。軸端閉塞部材９０の内側（電極２１側）の面の右側部分には、複数の円弧状ないしは部分環状の凸部９６が形成されている。これら部分環状凸部９６は、互いに右側の電極２１の軸線を中心とする同心円状になっている。

　図１２及び図１３に示すように、左側の電極２１Ｌの軸方向の両端面には、それぞれ複数の環状の凹溝９７が形成されている。これら環状凹溝９７は、互いに電極２１Ｌの軸線を中心とする同心円状になっている。環状凹溝９７は、軸端閉塞部材９０の部分環状凸部９５と一対一に対応している。各部分環状凸部９５が、対応する環状凹溝９７に差し入れられている。部分環状凸部９５と環状凹溝９７とによって、ラビリンスシール９３が構成されている。

　右側の電極２１Ｒの軸方向の両端面には、それぞれ複数の環状の凹溝９８が形成されている。これら環状凹溝９８は、互いに電極２１Ｒの軸線を中心とする同心円状になっている。環状凹溝９８は、軸端閉塞部材９０の部分環状凸部９６と一対一に対応している。各部分環状凸部９６が、対応する環状凹溝９８に差し入れられている。部分環状凸部９６と環状凹溝９８とによって、ラビリンスシール９４が構成されている。

　部分環状凸部９５，９６及び環状凹溝９７，９８の数は、図ではそれぞれ２つであるが、これに限定されるものではなく、それぞれ３つ以上でもよく、１つずつでもよい。ラビリンスシール９３，９４のシール性向上の観点からは、部分環状凸部９５，９６及び環状凹溝９７，９８の数は多いほうがより好ましい。
　ラビリンスシールとして、軸端閉塞部材９０に部分環状の凹溝が形成され、電極２１の端面に上記凹溝と噛み合う環状の凸部が形成されていてもよい。

　ラビリンスシール９３，９４によって各電極２１と軸端閉塞部材９０との間をシールすることができ、外部の雰囲気ガスが各電極２１と軸端閉塞部材９０との間を経て処理空間２２内に入り込むのを一層確実に抑制又は防止できる。これによって、プロセスガスの供給流量が小さくても、処理空間２２内の酸素濃度を一層確実に所定（３００ｐｐｍ）以下にすることができる。よって、被処理フィルム１１の接着性を確実に向上させることができる。

　本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内において種々の改変をなすことができる。
　例えば、プロセスガス流量調節工程において、プラズマ生成用ガス路３４の流量調節に加え、キャリア路３５の流量をも調節することで、プロセスガスの供給流量を調節してもよい。プラズマ生成用ガス路３４の流量を一定に保ちながらキャリア路３５の流量を調節することで、プロセスガスの供給流量を調節してもよい。プラズマ生成用ガス路３４の流量をゼロにし、キャリア路３５の流量を調節することで、プロセスガスの供給流量を調節してもよい。
　処理空間２２及びその周辺の雰囲気ガスを不活性ガス（例えば窒素）に置換することにより、処理空間２２の酸素濃度が所定以下、すなわち好ましくは３０００ｐｐｍ以下、より好ましくは２０００ｐｐｍ以下、一層好ましくは１０００ｐｐｍ以下になるよう調節してもよい。処理空間２２及びその周辺をチャンバーで囲み、チャンバーの内部のガスを不活性ガス（例えば窒素）に置換することにより、処理空間２２の酸素濃度が所定以下になるよう調節してもよい。
　処理空間２２の周辺部分に不活性ガス（例えば窒素）のガスカーテンを形成し、このガスカーテンにて空気等の雰囲気ガスが処理空間２２に入り込むのを阻止又は抑制することにより、処理空間２２の酸素濃度が所定以下になるよう調節してもよい。

　プロセスガスには酸素が含有されていないことが好ましいが、好ましくは３０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０００ｐｐｍ以下であれば酸素が含有されていてもよい。

　プラズマ処理部２の電極構造は、ロール電極構造に限られず、一対の平板状電極を有する平行平板電極構造（図１５参照）であってもよく、平板電極とロール電極とを対向させた構造でもよく、凹曲面を有する電極とロール電極とを対向させた構造でもよい。

　プロセスガス中の重合性モノマーとして、アクリル酸に代えて、メタクリル酸を用いてもよく、その他の親水性の重合性モノマーを用いてもよい。

　難接着性樹脂フィルム１１は、ＴＡＣフィルムに限らず、ＣＯＰ、ＰＰ、ＰＥ、ＰＥＴ等の難接着性の樹脂フィルムを用いてもよい。
　難接着性樹脂フィルム１１が静止され、処理空間２２が移動されるようになっていてもよい。
　難接着性樹脂フィルム１１及び処理空間２２を相対移動させずにプラズマ処理を行なうことにしてもよい。

　実施形態のプラズマ処理部は、処理空間２２が放電空間であり、処理空間２２に配置された被処理フィルム１１にプラズマが直接的に照射される所謂ダイレクト式のプラズマ処理装置であったが、本発明は、処理空間と放電空間とが別々になり、放電空間に処理空間が連なり、プロセスガスを放電空間でプラズマ化して処理空間に吹出し、処理空間の被処理フィルム１１に接触させる所謂リモート式のプラズマ処理装置にも適用できる。所謂リモート式のプラズマ処理装置においても、処理空間の酸素濃度を好ましくは３０００ｐｐｍ、より好ましくは２０００ｐｐｍ、一層好ましくは１０００ｐｐｍになるよう設定するとよい。

　重合性モノマー蒸気を含むガスを難接着性樹脂フィルムに供給して難接着性樹脂フィルムの表面上に担持（凝縮等）させ、その後、上記重合性モノマー含有ガスとは別のプラズマ生成用ガスをプラズマ化し、難接着性樹脂フィルムの上記重合性モノマーが担持された部分に接触させてもよい。或いは、プラズマ生成用ガスをプラズマ化して難接着性樹脂フィルムに接触させ、その後、重合性モノマーを上記難接着性樹脂フィルムの上記プラズマ接触部分に接触させてもよい。プラズマ生成用ガスと、重合性モノマー蒸気のキャリアガスとが、同一成分（例えば窒素）で構成されてもよく、キャリアガスがプラズマ生成用ガスを兼ねていてもよい。
　プラズマ処理工程の後、接着工程前に、難接着性樹脂フィルムを水性洗浄液にて洗浄してもよい。
　難接着性樹脂フィルムの表面処理方法及び表面処理装置は、偏光板の製造以外の用途に適用してもよい。

　側部閉塞部材７２が、処理空間２２のガスを吸引する吸引ノズルにて構成されていてもよい。この場合、外部の雰囲気ガスが処理空間２２内へ吸い込まれたり、重合性モノマーの活性種が被処理フィルム１１に接触しないうちに吸引ノズルに吸引されたりしやすい点に注意する。
　複数の実施形態を要素を互いに組み合わせてもよい。例えば、第２実施形態（図３）にも第３～第５実施形態又はそれらの変形例の閉塞手段７を設けることにしてもよい。その場合、閉塞手段７は、処理空間２２Ａ，２２Ｂのうち少なくとも処理空間２２Ａに対応して設けられる。
　軸端閉塞部材８０，９０，９２が、軸方向の片側にだけ設けられていてもよい。

　以下に実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　実施例１では放電空間への酸素混入量と接着性との関係を調べた。用いた表面処理装置の概略構成を図１５に示す。

　不活性ガス供給源３１の純窒素ガスを、不活性ガス路３３を経て恒温容器３０に導入し、窒素とアクリル酸の混合ガスからなるプロセスガスを得た。窒素の流量ひいてはプロセスガスの流量は、１０Ｌ／ｍｉｎとした。恒温容器３０内の液体アクリル酸ＡＡの温度は４０℃とした。

　プロセスガス（アクリル酸＋窒素）を恒温容器３０からプロセスガス供給路３７に送出した。プロセスガス供給路３１に酸素混入路５１を合流させ、混入路５１からの酸素を供給路３７のプロセスガスに混入した。酸素の混入量は、混入後のプロセスガス中の酸素濃度が０～２体積％になる範囲で調節した。このプロセスガスをノズル３９から処理空間２２へ吹き出した。プロセスガスの吹出し温度は３２℃であった。プラズマ処理部２の電極構造は、上下に対向する一対の平板電極２４，２５からなる平行平板電極構造とした。上側の電極２４の一側部にプロセスガス供給ノズル３９を配置し、電極２４の他側部には吸引ノズル６２を設け、処理空間２２内の処理済みのガスを吸引ノズル６２で吸込み、排気手段６１から排出した。

　上側の電極２４に電源２３を接続し、下側の電極２５を接地した。電極２４への投入電力は１１０Ｖとした。
　下側の電極２５上にＴＡＣフィルム１１を置いた。電極２５の温度ひいてはフィルム温度を２５℃に調節した。したがって、プロセスガスとＴＡＣフィルムの温度差は７℃であった。

　電極２４，２５の一方を他方に対し相対的に往復移動（スキャン）させた。移動速度は、１０ｍ／ｍｉｎとし、往復回数は、１回（２スキャン）とした。

　表面処理後のＴＡＣフィルム１１をＰＶＡフィルム１２と接着した。接着剤としては、（Ａ）ポリビニルアルコール５ｗｔ％の水溶液と、（Ｂ）カルボキシメチルセルロースナトリウム２ｗｔ％の水溶液とを、（Ａ）：（Ｂ）＝２０：１の体積比で混合した液を用いた。（Ａ）のポリビニルアルコールの平均重合度は５００であった。

　そして、接着性の評価を行なった。接着性評価は、試験者が手でＴＡＣフィルムとＰＶＡフィルムを剥がす手評価とした。
　以上の操作を３回繰り返し、同一条件（酸素混入量）の試行データを３つずつ取得した。

　結果を表１に示す。同表１の「◎」は、接着性が極めて良好であることを示す。「○」は、接着性が良好であることを示す。「△」は、接着性がやや良であることを示す。「×」は、接着性が悪いことを示す。

　酸素混入後のプロセスガス中の酸素濃度が０．５ｖｏｌ％以上のときはすべて接着不良になった。酸素濃度が０．３ｖｏｌ％のときは、過半数が接着良好になった。酸素濃度が０．２ｖｏｌ％以下のときはすべて接着良好になった。酸素濃度が０．１ｖｏｌ％以下のときは接着性が極めて良好になった。これにより、良好な接着性を得るための、処理空間２２内の酸素濃度は、好ましくは３０００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは２０００ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは１０００ｐｐｍ以下であることが判明した。

　図３の装置を用いた。ＴＡＣフィルム１１の幅は、３３ｃｍであった。各処理空間２２Ａ，２２Ｂの厚さ（電極間の最も狭くなった箇所の厚さ）は、１ｍｍであった。各処理空間２２Ａ，２２Ｂの上下の長さは、約１０ｃｍであった。各処理空間２２Ａ，２２Ｂの容積は、約０．３Ｌであった。表２の条件（イ）～（ニ）に示す通り、ＴＡＣフィルム１１の搬送速度を１０ｍ／ｍｉｎ～３０ｍ／ｍｉｎの範囲で調節し、かつ第１プロセスガス（アクリル酸蒸気＋窒素）の処理空間２２Ａへの供給流量をＴＡＣフィルム１１の搬送速度に比例させた。なお、ガス路３４の流量は０とした。したがって、上記第１プロセスガスの供給流量はキャリア路３５の流量と等しい。第１プロセスガスの吹出し温度は４０℃とし、ＴＡＣフィルム１１の温度は２５℃とした。処理空間２２Ｂへの窒素ガスの供給流量は、４つの条件（イ）～（ニ）について共に１０Ｌ／ｍｉｎとした。電極２２Ｃへの供給電力及び電極間の印加電圧は、各条件（イ）～（ニ）について以下の通りであった。
（イ）供給電力：９１８Ｗ（２７０Ｖ、３．４Ａの直流を交流変換）
　　　印加電圧：Ｖｐｐ＝１５．３ｋＶ
（ロ）供給電力：８９１Ｗ（２７０Ｖ、３．３Ａの直流を交流変換）
　　　印加電圧：Ｖｐｐ＝１５．３ｋＶ
（ハ）供給電力：８６４Ｗ（２７０Ｖ、３．２Ａの直流を交流変換）
　　　印加電圧：Ｖｐｐ＝１５ｋＶ
（ニ）供給電力：８１０Ｗ（２７０Ｖ、３Ａの直流を交流変換）
　　　印加電圧：Ｖｐｐ＝１４．８ｋＶ

　プラズマ処理後のＴＡＣフィルムの幅方向の一端部と他端部と中央部からそれぞれ２枚ずつ試料片を切り取り、このＴＡＣフィルムの試料片をＰＶＡフィルムの試料片の両面に接着し、図２（ａ）と同じ断面構造の偏光板試料を作製した。重合度５００のＰＶＡが５％の水溶液を評価用接着剤として用いた。各条件（イ）～（ニ）について複数（２つ～３つ）の偏光板試料を作成した。接着剤の乾燥条件は８０℃５分間とした。接着剤が硬化した後、接着強度を浮動ローラー法（ＪＩＳ　Ｋ６８５４）で測定した。その結果、表２に示す通り、何れの条件（イ）～（ニ）の試料も材破し、充分な接着強度が得られた。
 

　条件（イ）～（ニ）ではＴＡＣフィルム１１の搬送速度と第１プロセスガス（アクリル酸蒸気＋窒素）の供給流量が比例しているから処理量は互いに同一と見做せるはずであるが、搬送速度及び供給流量が大きいほうが、接着強度が良好になる傾向が確認された。したがって、プロセスガスの供給流量をある程度の大きさ以上にすれば、搬送速度が大きくても空気の巻き込み量を抑えることができ、接着強度を確保できると考えられる。

［比較例１］
　比較例１として、図３においてキャリア路３５の流量を０とし、窒素ガス１０Ｌ／ｍｉｎをガス路３３，３４，３７，３９の順に流して処理空間２２Ａに供給しプラズマ化した。したがって、比較例１の第１プロセスガス中のアクリル酸含有量は０である。第１プロセスガスの吹出し温度は４０℃とし、ＴＡＣフィルム１１の温度は２５℃とした。また、第２プロセスガスとして窒素ガス１０Ｌ／ｍｉｎを処理空間２２Ｂに供給した。ＴＡＣフィルムの搬送速度は２ｍ／ｍｉｎとした。供給電力は１１０７Ｗ（２７０Ｖ、４．１Ａの直流を交流変換）であった。電極間の印加電圧はＶｐｐ＝１５．６ｋＶであった。プラズマ処理後のＴＡＣフィルムを実施例１と同様にしてＰＶＡフィルムとの接着を試みたが、ほとんど接着されなかった。

　実施例３では、図３の装置１を用いた。ＴＡＣフィルム１１の幅、各処理空間２２Ａ，２２Ｂの厚さ及び容積は実施例２と同じとした。ＴＡＣフィルム１１の搬送速度ＶをＶ＝５ｍ／ｍｉｎ～３０ｍ／ｍｉｎの範囲で調節し、かつ第１プロセスガス（アクリル酸蒸気＋窒素）の処理空間２２Ａへの供給流量ＱをＱ＝５Ｌ～３３Ｌの範囲で調節した。なお、ガス路３４の流量は０とした。したがって、上記第１プロセスガスの供給流量Ｑは、キャリア路３５の流量と等しい。第１プロセスガスの吹出し温度は４０℃とし、ＴＡＣフィルム１１の温度は２５℃とした。処理空間２２Ｂへの窒素ガスの供給流量は、１０Ｌ／ｍｉｎとした。

　処理空間２２Ａの下方に酸素濃度測定器のプローブを配置し、処理空間２２Ａの酸素濃度を測定した。酸素濃度測定器として、東レ社製の商品名OXYGEN　ANALYZER、型番LC-850KSを用いた。結果を図１６に示す。
　第１プロセスガスの供給流量（図１６のグラフの横軸）が一定かつ相対的に小さい値の場合、移動速度が大きくなるにしたがって、処理空間２２Ａの酸素濃度が増大した。これは、移動速度が大きくなればなるほど、空気の処理空間２２Ａ内への巻き込み量が増大することを示している。また、移動速度が一定の場合、第１プロセスガスの供給流量が大きくなるにしたがって、処理空間２２Ａの酸素濃度が減少した。これは、第１プロセスガスの供給流量を増やすことで、処理空間２２Ａ内のガスを第１プロセスガスに置換できることを示している。第１プロセスガスの供給流量が２０Ｌを越えると、移動速度に拘わらず、処理空間２２Ａの酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下になり、確実に３０００ｐｐｍ以下になった。さらに、第１プロセスガスの供給流量が３０Ｌを越えると、移動速度に拘わらず、処理空間２２Ａの酸素濃度がほぼ０ｐｐｍになった。これは、処理空間２２Ａ内のガスがほぼ完全に第１プロセスガスに置換されていることを示している。

　以上の実施例１～３より、処理空間２２Ａの酸素濃度が好ましくは３０００ｐｐｍ以下、より好ましくは２０００ｐｐｍ、更に好ましくは１０００ｐｐｍになるようにプロセスガスの供給流量を調節することによって、良好な接着強度を得ることができることが判明した。移動速度が大きい場合、酸素濃度が上記範囲内になるようプロセスガスの供給流量を大きくすればよく、これによって、高速処理が可能であることが確認された。

　実施例４では、第４実施形態（図７～図９）の装置と実質的に同様の装置を用いて、プロセスガスの流量及び被処理フィルム１１の移動速度と、処理空間２２の酸素濃度との関係を調べた。
　被処理フィルム１１の幅（電極２１の軸方向に沿う寸法）は３３０ｍｍであり、フィルム１１の厚さは、０．１ｍｍであった。
　閉塞部材７１，７２の軸方向の長さ及び電極２１，２１の軸方向の長さは３３０ｍｍであった。電極２１，２１の直径は３１０ｍｍであった。電極２１，２１の最も狭くなった箇所の間隔（処理空間２２の厚さ）は、０．７ｍｍであった。
　電極２１，２１の軸線が配置された水平面に対して上に２１．５ｍｍ離れた位置にノズル兼閉塞部材７１の下端面を位置させた。上記水平面に対して下に２１．５ｍｍ離れた位置に閉塞部材７２の上端面を位置させた。したがって、処理空間２２の上下方向の寸法は４３ｍｍであった。処理空間２２の軸線と直交する断面の断面積は、７２．９７ｍｍ^２であった。処理空間２２の体積は、０．０２４０８Ｌであった。
　側部隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆの厚さｔは、それぞれｔ＝０．５ｍｍ程度とした。
　側板８２と電極２１の端面との間の隙間８２ｅの厚さｔ８はｔ８＝０．１ｍｍとした。
　軸端閉塞部材８０の上下の長さは１３４ｍｍであり、軸端閉塞部材８０の幅（電極２１，２１の並び方向に沿う寸法）は４８ｍｍであった。軸端閉塞部材８０の軸方向の寸法は３５ｍｍであった。

　まず、処理部２の周辺の雰囲気ガスひいては処理空間２２内のガスを、窒素（Ｎ_２）８０ｖｏｌ％、酸素（Ｏ_２）２０ｖｏｌ％の混合ガスにて置換した。その後、疑似プロセスガスとして窒素１００％のガスを上側のノズル兼閉塞部材７１から処理空間２２へ供給した。疑似プロセスガス（Ｎ_２　１００％）の供給流量は、１０ｓｌｍ、２０ｓｌｍ、３０ｓｌｍ、４０ｓｌｍの４通りとした。軸方向の単位長さあたりの供給流量は、３０ｓｌｍ／ｍ、６１ｓｌｍ／ｍ、９１ｓｌｍ／ｍ、１２１ｓｌｍ／ｍの４通りであった。供給流量が１０ｓｌｍの場合、処理空間２２内のガスが１分間あたり４１５回入れ替わったことになる。供給流量が２０ｓｌｍの場合、処理空間２２内のガスが１分間あたり８３０回入れ替わったことになる。供給流量が３０ｓｌｍの場合、処理空間２２内のガスが１分間あたり１２４５回入れ替わったことになる。供給流量が４０ｓｌｍの場合、処理空間２２内のガスが１分間あたり１６６１回入れ替わったことになる。

　上記のガス供給と併行して、電極２１，２１を図７において時計周りに回転させ、フィルム１１を搬送した。又は電極２１，２１を回転させず、フィルム１１を静止させた。フィルム１１の搬送速度は、０ｍ／ｍｉｎ、１０ｍ／ｍｉｎ、２０ｍ／ｍｉｎ、３０ｍ／ｍｉｎの４通りとした。

　電極２１及びノズル兼閉塞部材７１の温度調節は行わなかった。

　疑似プロセスガス（Ｎ_２　１００％）の供給開始から１２０秒経過した時点の処理空間２２の酸素濃度を計測した。酸素濃度計として、東レエンジニアリング株式会社製LC-850KS（保証精度（繰り返し性）０．０５ｐｐｍ）を用いた。下側の閉塞部材７２の上端面の軸方向の中央部から該閉塞部材７２の底面へ貫通する計測穴を設け、この計測穴の上記底面への開口に上記酸素濃度計のプローブを接続した。上記酸素濃度計に内蔵の吸引ポンプにて、処理空間２２のガスを上記計測穴から吸い込んで上記酸素濃度計に導入し、酸素濃度を測定した。上記酸素濃度計の吸引流量は２００ｍｌ／ｍｉｎとした。

　測定結果を表３に示す。

 

　搬送速度が大きくなるにしたがって処理空間２２内の酸素濃度が増大した。フィルム１１の移動によって、周辺の酸素含有雰囲気ガスが処理空間２２内に巻き込まれたものと考えられる。
　供給ガス流量が１０ｓｌｍのときは、搬送速度が０～１０ｍ／ｍｉｎでは処理空間２２内の酸素濃度は２桁台のｐｐｍ濃度であったが、搬送速度を２０ｍ／ｍｉｎ～３０ｍ／ｍｉｎにすると酸素濃度が大きく増大して５桁台のｐｐｍ濃度になった。
　供給ガス流量が２０ｓｌｍのときは、搬送速度を２０ｍ／ｍｉｎ～３０ｍ／ｍｉｎにしても酸素濃度が２桁台のｐｐｍ濃度に維持された。
　供給ガス流量が３０ｓｌｍ～４０ｓｌｍのときは、搬送速度を増大させても酸素濃度はほとんど変化しなくなった、

　以上の結果から、供給ガス流量を２０ｓｌｍ以上（軸方向の単位長さあたり約６０ｓｌｍ／ｍ以上）にすれば、フィルム１１の搬送速度が３０ｍ／ｍｉｎ程度であっても、雰囲気ガスの巻き込みを防止でき、酸素濃度を十分に所定（３０００ｐｐｍ）以下に維持できることが確認された。よって、閉塞部材７１，７２，８０にて処理空間２２を囲むことにより、酸素濃度を所定以下に維持しながら、フィルム１１を高速で搬送することにより、処理時間を短縮できると言える。また、軸方向の単位長さあたりの供給ガス流量は、６０ｓｌｍ以上が好ましく、９０ｓｌｍ以上が好ましいことがわかった。搬送速度には限界がある点、及び大量にガスを供給すると無駄になる可能性がある点を考慮して、軸方向の単位長さあたりの供給ガス流量の上限は、１８０ｓｌｍが好ましい。

　軸端開口２２ｅから処理空間２２内に入り込む雰囲気ガスの流量は電極２１の軸方向の長さには依存しないと考えられるから、電極２１の軸方向の長さ及びフィルム１１の幅（上記軸方向の寸法）を３３０ｍｍより大きく例えば１５００ｍｍ程度である場合には、処理空間２２内の酸素濃度をより低くできると推察される。

　実施例５では、実施例４の装置において、閉塞部材７１又は７２の上下方向の位置を調節した。これにより、側部隙間７３ｅ，７３ｆ又は７４ｅ，７４ｆの厚さｔを調節した。具体的には、下側の閉塞部材７２を実施例４における高さに固定し、上側のノズル兼閉塞部材７１を実施例４における高さ以上に位置調節した。ノズル兼閉塞部材７１の高さは、実施例４における高さに対し、０ｍｍ、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．５ｍｍの４通りとした。閉塞部材７１の高さが０ｍｍのとき、側部隙間７３ｅ，７３ｆの厚さｔは、ｔ＝０．５ｍｍ程度である。閉塞部材７１の高さが０．１ｍｍのとき、側部隙間７３ｅ，７３ｆの厚さｔは、ｔ＝０．６ｍｍ程度である。閉塞部材７１の高さが０．２ｍｍのとき、側部隙間７３ｅ，７３ｆの厚さｔは、ｔ＝０．７ｍｍ程度である。閉塞部材７１の高さが０．５ｍｍのとき、側部隙間７３ｅ，７３ｆの厚さｔは、ｔ＝１．０ｍｍ程度である。

　軸端閉塞部材８０は、閉塞部材７１，７２の高さ調節に応じて上下に伸縮できる構造とした。すなわち、図１７に示すように、軸端閉塞部材８０は、上段部材８３と、中段部材８４と、下段部材８５の三段構成とした。これら部材８３，８４，８５は、それぞれ平面視でコ字状（Ｕ字状、Π字状）であり、上段部材８３と下段部材８５が互いに同じ大きさであり、中段部材８４が、上段部材８３及び下段部材８５より少し大きい。上段部材８３を中段部材８４の上側部に上下にスライド可能に嵌め込み、ボルト８６をねじ込むことによって上段部材８３の中段部材８４に対する上下方向の位置を固定できるようにした。下段部材８５を中段部材８４の下側部に上下にスライド可能に嵌め込み、ボルト８７をねじ込むことによって下段部材８５の中段部材８４に対する上下方向の位置を固定できるようにした。
　なお、上段部材８３の穴８３ｂは、ノズル兼閉塞部材７１の軸方向の端部との連結用のボルト穴である。下段部材８５の穴８５ｂは、下側の閉塞部材７２の軸方向の端部との連結用のボルト穴である。

　閉塞部材７１，７２の高さひいては隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆの厚さｔ以外の装置の寸法構成は実施例４と同じとした。

　そして、実施例４と同様に、処理部２の周辺の雰囲気ガスひいては処理空間２２内のガスを、窒素（Ｎ_２）８０ｖｏｌ％、酸素（Ｏ_２）２０ｖｏｌ％の混合ガスにて置換した。その後、疑似プロセスガスとして窒素１００％のガスを上側のノズル兼閉塞部材７１から処理空間２２へ供給した。疑似プロセスガス（Ｎ_２　１００％）の供給流量は、１０ｓｌｍ、２０ｓｌｍ、３０ｓｌｍの３通りとした。
　上記のガス供給と併行して、電極２１，２１を図７において時計周りに回転させ、フィルム１１を搬送した。フィルム１１の搬送速度は、１０ｍ／ｍｉｎ、２０ｍ／ｍｉｎ、３０ｍ／ｍｉｎの３通りとした。
　電極２１及びノズル兼閉塞部材７１の温度調節は行わなかった。

　疑似プロセスガス（Ｎ_２　１００％）の供給開始から１２０秒経過した時点の処理空間２２の酸素濃度を計測した。用いた酸素濃度計及び測定方法は実施例４と同じとした。

　また、上側のノズル閉塞部材７１を実施例４における高さに固定し、下側の閉塞部材７２を実施例４における高さ以下に位置調節した。閉塞部材７２の実施例４における高さに対する下降量は、０ｍｍ、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．５ｍｍの４通りとした。閉塞部材７２の下降量が０ｍｍのとき、側部隙間７４ｅ，７４ｆの厚さｔは、ｔ＝０．５ｍｍ程度である。閉塞部材７２の下降量が０．１ｍｍのとき、側部隙間７４ｅ，７４ｆの厚さｔは、ｔ＝０．６ｍｍ程度である。閉塞部材７２の下降量が０．２ｍｍのとき、側部隙間７４ｅ，７４ｆの厚さｔは、ｔ＝０．７ｍｍ程度である。閉塞部材７２の下降量が０．５ｍｍのとき、側部隙間７４ｅ，７４ｆの厚さｔは、ｔ＝１．０ｍｍ程度である。
　そして、上述のノズル兼閉塞部材７１を高さ調節したときと同様にして、処理空間２２の酸素濃度を計測した。

　実施例５の測定結果を表４に示す。

 
　表４において、最下欄以外の欄が、下側の閉塞部材７２の位置を固定し、上側の閉塞部材７１を上昇させたときのデータである。最下欄が、上側の閉塞部材７１の位置を固定し、下側の閉塞部材７２を下降させたときのデータである。

　搬送速度が１０ｍ／ｍｉｎかつ供給ガス流量が１０ｓｌｍのときは、閉塞部材７１の位置を高くするにしたがって、処理空間２２内の酸素濃度が大きく増大した。閉塞部材７１の高さを０ｍｍの位置から０．１ｍｍ上昇させただけで、酸素濃度が３０００ｐｐｍを上回った。
　これに対し、搬送速度を上記と同じ１０ｍ／ｍｉｎのまま、供給ガス流量を２０ｓｌｍにすると、閉塞部材７１の高さに拘わらず、処理空間２２内の酸素濃度があまり変化しなくなり、３０ｐｐｍ以下に維持できた。
　この傾向は、搬送速度を２０ｍ／ｍｉｎにしたときも同様であった。すなわち、搬送速度が２０ｍ／ｍｉｎかつ供給ガス流量が１０ｓｌｍのときは、処理空間２２内の酸素濃度が５桁台のｐｐｍ濃度になったが、搬送速度を２０ｍ／ｍｉｎのまま、供給ガス流量を２０ｓｌｍにすると、閉塞部材７１の高さに拘わらず、処理空間２２内の酸素濃度を３０ｐｐｍ以下のほぼ一定値に維持できた。
　搬送速度を３０ｍ／ｍｉｎ、供給ガス流量を３０ｓｌｍにして、閉塞部材７１の高さを調節したときも、閉塞部材７１の高さに拘わらず、処理空間２２内の酸素濃度を３０ｐｐｍ以下のほぼ一定値に維持できた。
　搬送速度を３０ｍ／ｍｉｎ、供給ガス流量を３０ｓｌｍにして、下側の閉塞部材７２の高さを調節したときも、閉塞部材７２の高さに拘わらず、処理空間２２内の酸素濃度を２桁のｐｐｍ濃度に維持できた。なお、この場合は、同じ搬送速度及び同じ供給ガス流量で上側の閉塞部材７１を高さ調節したときより酸素濃度は少し大きくなった。

　以上の結果から、供給ガス流量を２０ｓｌｍ以上（単位長さあたり約６０ｓｌｍ／ｍ以上）にすれば、側部隙間７３ｅ，７３ｆ，７４ｅ，７４ｆの厚さｔが多少大きくても、更にはフィルム１１の搬送速度を大きくしても、酸素濃度を十分に所定（３０００ｐｐｍ）以下に維持することができることが確認された。

１　　　プラズマ表面処理装置
１０　　偏光板
１１　　ＴＡＣフィルム（難接着性樹脂フィルム）
１２　　ＰＶＡフィルム（易接着性樹脂フィルム）
１３　　接着剤
１４　　ハードコート層
２　　　プラズマ処理部
２１　　電極兼移動手段
２１Ｌ　左側の電極
２１Ｃ　中央の電極
２１Ｒ　右側の電極
２２　　処理空間（放電空間）
２２Ａ　処理空間（放電空間）
２２Ｂ　処理空間（放電空間）
２２ｅ　軸端開口
２３　　電源
２４　　上側の平板電極
２５　　下側の平板電極
２７　　折り返しロール（難接着性フィルムの移動手段）
２８　　フィルム温度調節手段
３　　　プロセスガス供給系
０３Ａ　第１プロセスガス供給系
３０　　恒温容器（重合性モノマー供給源）
３１　　不活性ガス供給源
３２　　加熱器
３３　　不活性ガス供給路
３４　　プラズマ生成用ガス路
３４ｖ　流量調節手段
３５　　キャリア路
３５ｖ　流量調節手段
３６　　重合性モノマー蒸気路
３７　　プロセスガス路
３８　　ガス温調手段
３９，３９Ａ　　プロセスガスノズル
４　　第２プロセスガス供給系
４１　第２プロセスガス供給源
４３　第２プロセスガスノズル
４２　第２プロセスガス供給路
５１　　酸素混入路
６１　　排気手段
６２　　吸引ノズル
７　　　閉塞手段
７１　　プロセスガスノズル兼用の側部閉塞部材
７２　　側部閉塞部材
７２Ａ　プロセスガスノズル兼用の側部閉塞部材
７３　　凹曲面
７３ｅ，７３ｆ　側部隙間
７４　　凹曲面
７４ｅ，７４ｆ　側部隙間
７５　　整流部
７６　　吹出し路
７７　　下側の整流部
７８　　下側の吹出し路
７９　　温調路
８０　　軸端閉塞部材
８１　　正面板
８２　　側板
８２ｅ　軸端隙間
９０　　軸端閉塞部材
９１　　軸端隙間
９２　　軸端閉塞部材
９３　　ラビリンスシール
９４　　ラビリンスシール
９５　　部分環状の凸部
９６　　部分環状の凸部
９７　　環状凹溝
９８　　環状凹溝

Claims (14)

1. 　易接着性樹脂フィルムと接着されるべき難接着性樹脂フィルムの表面を処理する方法であって、
   　重合性モノマーを、プラズマにより活性化させて、大気圧近傍の処理空間に配置した前記難接着性樹脂フィルムと反応させ、
   　前記処理空間内の酸素濃度を３０００ｐｐｍ以下になるよう設定することを特徴とするフィルム表面処理方法。
2. 　前記処理空間内に放電を生成し、前記重合性モノマーの蒸気を含有するプロセスガスを前記処理空間に供給し、かつ前記プロセスガスの供給流量を、前記処理空間内の酸素濃度が３０００ｐｐｍ以下になるよう設定することを特徴とする請求項１に記載のフィルム表面処理方法。
3. 　前記プロセスガスが、酸素ガスを実質的に含有しないことを特徴とする請求項２に記載のフィルム表面処理方法。
4. 　前記処理空間内の酸素濃度が２０００ｐｐｍ以下になるよう設定することを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載のフィルム表面処理方法。
5. 　前記処理空間内の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下になるよう設定することを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載のフィルム表面処理方法。
6. 　前記難接着性樹脂フィルムを前記処理空間に対し相対移動させ、前記相対移動の速度を１０ｍ/ｍｉｎ以上とすることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載のフィルム表面処理方法。
7. 　前記重合性モノマーが、アクリル酸又はメタクリル酸であることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載のフィルム表面処理方法。
8. 　前記難接着性樹脂フィルムが透明な保護フィルムであり、前記易接着性樹脂フィルムが、偏光フィルムであり、請求項１～７の何れか１項に記載のフィルム表面処理方法を実行した後、前記難接着性樹脂フィルムを易接着性樹脂フィルムに透明な接着剤を介して接着することを特徴とする偏光板の製造方法。
9. 　易接着性樹脂フィルムと接着されるべき難接着性樹脂フィルムの表面を処理する装置であって、
   　重合性モノマーを、プラズマにより活性化させて大気圧近傍の処理空間に配置した難接着性樹脂フィルムに接触させるプラズマ処理部を備え、
   　前記処理空間内の酸素濃度が３０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするフィルム表面処理装置。
10. 　前記プラズマ処理部が、前記処理空間内に放電を生成する一対の電極を有し、
    　前記重合性モノマーの蒸気を含有するプロセスガスを前記処理空間に供給するプロセスガス供給系を、更に備え、前記プロセスガス供給系のプロセスガスの供給流量が、前記処理空間内の酸素濃度が３０００ｐｐｍ以下になるよう設定されていることを特徴とする請求項９に記載のフィルム表面処理装置。
11. 　前記一対の電極がそれぞれ軸線を軸方向に向けた円筒状をなして前記軸方向と直交する並び方向に平行に並べられ、これら電極どうし間の最も狭くなった箇所及びその周辺が前記処理空間となり、
    　更に、前記処理空間を挟んで前記軸方向及び前記並び方向と直交する直交方向の両側に設けられ、前記軸方向に延び、かつ前記各電極の周面との間に前記難接着性樹脂フィルムの前記各電極への巻き付けを許容する隙間を形成するようにして前記一対の電極の前記周面どうし間に跨る一対の側部閉塞部材を備え、前記一対の側部閉塞部材のうち少なくとも１つが、前記プロセスガス供給系の下流端のプロセスガスノズルを構成していることを特徴とする請求項１０に記載のフィルム表面処理装置。
12. 　前記一対の電極及び前記一対の側部閉塞部材の前記軸方向の互いに同じ側の端部どうし間に跨り、前記処理空間の前記軸方向の前記同じ側の端部に被さる軸端閉塞部材を、更に備えたことを特徴とする請求項１１に記載のフィルム表面処理装置。
13. 　前記難接着性樹脂フィルムを前記処理空間に対し相対移動させる移動手段を更に備え、前記移動手段による前記相対移動の速度が１０ｍ/ｍｉｎ以上であることを特徴とする請求項９～１２の何れか１項に記載のフィルム表面処理装置。
14. 　前記重合性モノマーが、アクリル酸又はメタクリル酸であることを特徴とする請求項９～１３の何れか１項に記載のフィルム表面処理装置。

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