TW201035191A - Method and device for treating film surface and process for producing polarizer - Google Patents

Description

201035191 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種樹脂薄膜之表面處理方法及裝置以及 偏光板之製造方法，本發明特別係關於一種將難接著性之 樹脂薄膜與易接著性之樹脂薄膜加以接著時對上述難接著 性樹脂薄膜所進行之表面處理方法等。 【先前技術】 於液晶顯示裝置中組裝有偏光板。偏光板係於偏光膜上 使用接著劑接著保護膜而成者，其中上述偏光膜包括含有 聚乙稀醇（以下適當地稱作「PVA(p〇lyvinyi山〇㈣」）作

為主成分之樹脂薄膜（以下適當地稱作「PVA膜」卜上述 保護膜包括含有三乙酸I纖維素（以下適當地稱作 「TAC(Tdacetate cellul〇se)」）作為主成分之樹脂薄膜（以 下適當地稱作「TAC膜」）。作為接著劑，可使用聚乙婦醇 系或聚醚系等之水系接著劑。pvA膜與該等接著劑之接著 性良好’但TAC膜與該等接著劑之接著性不良。因此，通 系係於接著之則’將TAC膜浸潰於氫氧化㈣氫氧化卸等 之驗性水料中，實施皂化處理。藉此，TA«之表面水 解而使得親水性提高，接著劑將Μ附著至τΑ^。 作為專化處理以外之表面虚 衣面處理方法’例如於專利文獻 下方法：以氦氣與氬氣之混合氣體而於大氣屋7 對被處理物之表面進行電漿處理之後，藉由喷搶而喷附两 烯並使丙烯酸接枝聚合，從而使被處理物之表面改 質。 145372.doc •4- 201035191 於專利文獻2中提出如下方法：將氮氣、氬氣等惰性氣 體與有機系之薄膜形成用氣體混合，並於大氣壓下使該混 合氣體電漿放電後供給至被處理物，從而提高被處理物之 * 親水性。 . [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利第3292924號公報 [專利文獻2]曰本專利特開2006-299000號公報 【發明内容】 [本發明所欲解決之問題] 本發明者等人獲得如下知識見解：於使用電漿處理裝置 而進仃用以提高難接著性樹脂薄膜之接著性之表面處理之

If形時，接著性會根據電漿内之氧之濃度而變動❶若氧濃 度超過固定量則無法獲得充分之接著強度（參照下述實施 例1)。

[解決問題之技術手段] 本發明之薄膜處理方法係根據上述知識見解研製而成 者二其特徵在於：其_應與易接著性樹脂薄媒接著之難 接著性樹脂薄膜之表面進行處理者； ^ ”又來0丨王早體活化，並使其與配置於氣壓 近之處理空間内的上述難接著性樹脂薄膜反應 並且以使上述處理空間内之氧濃度（體積濃度）為0 上、3_ppm以下之方式而進行設定。 又’本發明之電漿表 面處理裝置之特徵在於：其係對」 I45372.doc 201035191 著性樹脂薄膜接著之難接著性樹脂薄膜之表面進行 其匕括電漿處理部，該電漿處理部係藉 性單體活化，並使其與配置於„與大氣壓接近之處= 間内之難接著性樹脂薄膜接觸， 並且上述處理空間内之氧濃度為。以上、3_ ppm以 下0

聚合性單體之活化包含聚合性單體之裂解、聚合、以及 分解。經活化之聚合性單體會與難接著性樹脂薄膜發生反 應。例如’藉由與電聚氣體之接觸或電漿光之照射，而切 斷難接著性樹脂薄膜之表面之^、c_〇、c_H等之鍵，並 將聚合性單體之聚合物接枝聚合於該鍵切斷部。或者，於 鍵切斷部鍵結自聚合性單體所分解之官能基。藉此，可於 難接著性樹脂薄膜之表面形成接著性促進層。藉由使處理 空間内之氧濃度為3000 ppm以下’可防止聚合性單體之活 化以及與鍵切斷部之鍵結等反應受到阻礙，從而可確實地 於難接著性樹脂薄膜之表面形成接著性促進層。藉此，可 確實地提高難接著性樹脂薄膜之接著性。 S 較好的是，於上述薄膜處理方法中，於上述處理空間内 產生放電，並將含有上述聚合性單體之蒸汽之製程氣體供 給至上述處理空間，且以使上述處理空間内之氧濃度為〇 =上、3_ ppmW下之方式來設^上述製程氣體的供又給流 量 0 較好的是’於上述薄膜處理裝置中’上述電漿處理部包 145372.doc •6- 201035191 含於上述處理空間内產生放電之一對電極，且進而包括製 程氣體供給系統，其係將含有上述聚合性單體之蒸汽之製 程氣體供給至上述處理空間，且以使上述處理空間内之氧 濃度為0以上、3000 ppm以下之方式，來設定上述製程氣 體供給系統之製程氣體的供給流量。 藉由向處理空間供給製程氣體，可排出處理空間内之空 ，等氣體並置換成製程氣體。藉由調節製程氣體之供給: 夏，可調節處理空間内之氧含量。於該態樣中，處理空間 將變成放電空間。將處理對象之難接著性樹脂薄膜配置於 放電空間内，並使其與放電空間内之電漿直接接觸。 上述處理空間内之氧濃度較好的是設為2〇〇〇 ppm以下， 更好的是設為1000 ppm以下。 較理想的是，以上述處理空間内之氧濃度較好的是2〇〇〇 ppmu下、更好的是1〇〇〇 ppm以下之方式來設定上述製 程氣體之供給流量。 〇 藉此，可進一步確實地提高難接著性樹脂薄膜之接著 性。 較好的是，於上述薄膜處理方法中，使上述難接著性樹 脂薄膜相對於上述處理空間而相對移動’且上述相對移動 之速度為l〇m/min以上。 較好的是，於上述薄膜處理裝置中，進而包括移動機 構其係使上述難接著性樹脂薄膜相對於上述處理空間而 相對移動，且藉由上述移動機構而進行之上述相對移動的 速度為10 m/min以上。 145372.doc 201035191 若使難接著性樹脂薄膜相對移動’則空氣等環境氣體容 易〃、難接著陡樹脂薄膜一起捲入至處理空間内。若難接著 性樹脂薄膜之相對移動速度變大，則環境氣體之捲入流量 會增加。因此’會引起處理空間内之氧濃度之上升。所 以*曰大製程氣體之供給流量。藉此，可自處理空間内排 出所捲入之環境氣體’從而可將處理空間内之氧濃度設為 所需之大小。藉此，可一面確保難接著性樹脂薄膜之良好 的接著性’-面增大難接著性樹脂薄膜之相對移動速度， 從而可進行高速處理。 難接著性樹脂薄膜之相對移動速度既可為2G m/minw 上’亦:為30 m/min以i。根據相對移動速度之提高而增 製浐氣體之供給流量，藉此放電空間内之氧濃度可設為 3000 ppm以下，較好的是可設為2〇〇〇 ppm以下更好的是 可設為刚0 ppm以下。難接著性樹脂薄膜之相對移動速度 ，上限可根據移動機構等之性能及製程氣體之供給能力 等而適田地s又义。例如，難接著性樹脂薄膜之相對移動速 度之上限較好的是60 m/min左右。 較好的是，上述製程氣體實質上不含有氧氣。 藉由將處理空間内之空氣等氣體置換成製程氣體，可確 實地降低處理空間内之氧濃度。所謂實質上不含有氧氣， 除了包含製程氣體之氧含量為〇之情形以外，《包含以不 嶋面處理之程度而含有微量之氧氣的情形。具體而 β實質上不含有氧乳之製程氣體之氧濃度（體積濃度）較 好的是〇以上、】ppm以下，更好的是〇以上、〇」啊以 145372.doc 201035191 下’進而好的是0以上、0.01 ppm以下。 氣壓與大氣壓接近之上述處理空間既可與大氣連通，亦 可向大氣開放。 此處，所謂氣壓與大氣壓接近，係指丨013x104〜50 663><1()4 Pa之範圍’若考錢力調整之容易化及裝置構成之簡化，較好 ^^ 1.333xl〇^10.664xi〇4 Pa, ^^^^9.331x1〇4~1〇.397x1〇4 Pa ° 〇 較好的是，於本發明之電襞纟面處理裝i中，上述—對 電極分別為軸線朝向轴方向之圓筒狀，且於與上述轴方向 正交之排列方向上平行地排列，該等電極彼此間之最狹窄 的部位及其周邊成為上述處理空間，進而包括一對側部閉 塞構件，該側部閉塞構件係夾持上述處理空間且設置於與 上述軸方向及上述排列方向正交之正交方向之兩側，其於 述軸方向上延伸，且與上述各電極之圓周面之間形成可 允許上述難接著性樹脂薄膜向上述各電極纏繞之間隙，並 ◎ 毛' 5於上it冑電極之上述圓周面彼此之間，且上述— 側部閉塞構件中之至少一者構成上述製程氣體供給系統之 下游端的製程氣體喷嘴。 . 藉由—對側部閉塞構件，可將處理空間之上述正交方向 .f大致堵塞。藉此，可防止或㈣外部之含有氧之環 =體自電極之圓周面彼此間滲入至處理空間。因此，可 確實地將處理空間内之氧濃度設為特定（3_ ppm)以下， 從而可確實地提高難接著性樹脂薄膜之接著性。 上述間隙之厚度較好岐上述—對電極彼此間之最狹窄 145372.doc 201035191 部位之間隔以下，更好的是上述處理空間之厚度以下。藉 此，即便減小製程氣體之供給流量，亦可確實地將處理空 間内之氧濃度設為特定（3〇〇〇 ppm)以下。此處，上述處理 空間之厚度係相當於自上述一對電極彼此間之最狹窄部位 之間隔減去上述難接著性樹脂薄膜的厚度之兩倍後的大 小。上述一對電極彼此間之最狹窄部位之間隔至少較上述 難接著性樹脂薄膜之厚度大㈣，且較好的是3mm以下， 更好的是1 mm以下。 將難接著性樹脂薄膜纏繞至圓筒狀之電極之圓周面，並 使圓筒狀之電極旋轉，藉此可搬送難接著性樹脂薄膜。圓 筒狀之電極可兼做上述移動機構。 較好的是’於本發明之電漿表面處理裝置中，進而句衽

亦可於上述轴端閉塞構件與圓筒狀之電極之軸 部之間形成迷宮式密射。你丨t . = u . W賞地提高難接著性_薄膜之接著性。

闾狀之電極之轴方向之端 可於上述軸端閉塞構件之 環狀之凸部，於上述電極 M5372.doc 201035191 之軸方向之端面形成環狀之凹 合，藉此構成上述迷宮式密封 封，亦可於上述軸端閉塞構件 成部分環狀之凹槽，並於上述 狀之凸部。 槽，並使該等凸部與凹槽嚙 。或者，作為上述迷宮式密 之朝向上述電極之側面上形 電極之軸方向之端面形成環

所謂難接著輯脂薄膜，係指㈣於接㈣之接著性相 對低於與該薄膜接著之對象側之㈣之者。所謂易接著性 樹脂薄膜’係指㈣於接著劑之接著性相對高於與該薄膜 接著之對象側之薄膜之者。同一薄膜根據所接著之對象側 之薄膜不同，有時會成為難接著性樹脂薄膜，有時會成為 易接著性樹脂薄膜。 作為上述難接著性樹脂薄膜之主成分，例如可列舉三乙 酸酯纖維素（TAC)、聚丙烯（pp，p〇iypropylene)、聚乙烯 (PE ’ p〇lyethylene)、環烯聚合物（c〇p，Cycloolefin p〇lymer)、 % 婦共聚物（COC ’ Cyclo-olefin copolymer)、聚對苯二甲 酸乙二酯（PET，polyethylene terephthalate)、聚甲基丙烯 酸甲醋（PMMA ’ polymethyl methacrylate)、以及聚酿亞胺 (PI ’ polyimide)等。 作為上述易接著性樹脂薄膜之主成分，例如可列舉聚乙 烯醇（PVA)、以及乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA，Vinyl Acetate-Ethylene)等。 作為聚合性單體，可列舉具有不飽和鍵及特定之官能基 之單體。特定之官能基較好的是自羥基、羧基、乙醯基、 縮水甘油基、環氧基、碳數為1〜10之酯基、颯基、醛基中 145372.doc -11- 201035191 加以選擇’特別好的是羧基或羥基等親水基。 作為具有不飽和鍵及羥基之單體，可列舉乙二醇甲基丙 烯酸酯、烯丙醇、以及曱基丙烯酸羥乙酯等。 作為具有不飽和鍵及叛基之單體，可列舉丙婦酸、甲基 丙烯酸、衣康酸、順丁烯二酸、以及2_甲基丙烯醯基丙酸 等。 作為具有不飽和鍵及乙酿基之單體，可列舉乙酸乙稀酯 等。 作為具有不飽和鍵及縮水甘油基之單體，可列舉甲基丙 烯酸縮水甘油酯等。 作為具有不飽和鍵及酯基之單體，可列舉曱基丙烯酸、 乙基丙烯酸、丁基丙烯酸、第三丁基丙烯酸、丙烯酸2_乙 基己酯、辛基丙烯酸、甲基丙烯酸曱酯、甲基丙稀酸乙 酯、曱基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、曱基丙烯酸 異丙酯、以及甲基丙烯酸2-乙酯等。 作為具有不飽和鍵及醛基之單體，可列舉丙烯酸醛、以 及巴豆醛等。 較好的是，上述聚合性單體為具有乙烯性不飽和雙鍵及 羧基之單體。作為該單體，可列舉丙烯酸（CH2=CHC00H)、 曱基丙稀酸（CH2=C(CH3)COOH)。上述聚合性單體較妤的 是丙烯酸或曱基丙烯酸。藉此’可確實地提高難接著性樹 脂薄膜之接著性。上述聚合性單體更好的是丙稀酸。 上述聚合性單體亦可藉由載體氣體而搬送，載體氣體較 好的是自氮氣、氬氣、以及氦氣等惰性氣體中加以選擇。 145372.doc •12- 201035191 就經濟性之觀點而言，軔妬沾θ ㈣的疋使用氮氣㈣為載體氣 體。 丙烯酸及甲基丙烯酸等聚合性單體大多數於常溫常壓下 為液相。此種聚合性單體可於惰性氣體等載體氣體中氣 化，而獲得包含聚合性單體蒸汽與載體氣體之混合氣體的 含聚合性早體之氣體。作為使聚合性單體於載體氣體中氣 化之方法，可列舉藉由載體氣體而擠出聚合性單體液之液 Ο ❹ 面上之飽和蒸汽之方法、使載體氣體於聚合性單體液中起 泡之方法、以及加就聚人柯S a* = ”、、本0性早體液而促進蒸發之方法等。 亦可將擠出與加熱、或起泡與加熱併用。 於加熱而氣化之情形時，考慮到加熱器之負#，聚合性 單體較好的是選擇沸點為30(rc以下者。又，聚合性單體 較好的是選擇不會因加熱而分解（化學變化）者。 又，本發明之偏光板之製造方法之特徵在於：上述難接 著性樹脂薄膜為透明之㈣膜，上述易接著性樹脂薄膜為 偏光膜，且於執行上述薄膜表面處理方法之後，經由透明 之接著劑而將上述難接著性樹脂薄膜接著至易接著性樹脂 薄膜上。 藉由採用上述表面處理方法可確保接著性，進而可提高 偏光板之品質。 [發明之效果] 根據本發明，可確實地提高難接著性樹脂薄膜之接著 性’從而可提高處理品質。 【實施方式】 145372.doc •13· 201035191 以下’參照圖式對本發明之實施形態進行說明。 圖2係表示利用本發明之實施形態之表面處理方法而製 作之液晶顯示器用的偏光板10。如圖2(a)所示，偏光板1〇 包括偏光膜12、以及積層於該偏光膜12之兩個表面上之一 對保護膜11 ^ 保濩膜11係藉由以三乙酸酯纖維素（TAC)為主成分之 膜而構成。TAC膜丨丨中之三乙酸醋纖維素之含量為9〇 貝1 /〇以上。於TAC膜11中可進而以3〜1〇質量％之程度含 有磷酸三苯酯（TPP，Triphenyl ph〇sphate)等磷酸酯塑化 =，亦可含有紫外線吸收劑。丁八〇膜11之厚度並無特別限 定’例如可為數十㈣〜一百數十_。TAC^U之製造方法 並無特別限定，例如可藉由鏵膜法而製造。 偏光膜12係藉由以聚乙烯醇（pVA)為主成分之1>乂八膜12 而構成。 TAC膜^PVAM12係藉由接著劑13而接著。作為接著 劑13，並無特別限定，考慮到要應用於光學膜1〇，較好的 是使用透明之水系接著劑。作為水系接著劑，可列舉以聚 ^稀醇水溶液、聚乙烯醇縮丁藤溶液等為主成分之聚乙稀 醇系之接著劑液；α丙烯酸丁醋等為主成分之乙烯系聚合 系乳膠；以聚稀煙系多元醇等為主成分之稀烴水性接著 :丨；及聚鍵系接著劑等。作為接著劑13，更好的是使用以 聚乙稀醇水溶液為主成分之聚。 於圖卿斤示之偏光板1〇中，於其中一者之TAC膜^ 表側面（與和pVAm 12之接著面為#反側之面）上積層有 145372.doc •14· 201035191 硬塗層14而作為功能層。亦可積層AR(anti_reflection，防 反射）層、其他功能層來代替硬塗層14。 TAC膜11與接著劑13之接著性較低，構成難接著性樹脂 . 膜。PVA膜12與接著劑13之接著性較高，構成易接著性樹 * 知膜難接著性之TAC膜11於與易接著性之PVA膜12接著 時’實施用以提高接著性之表面處理。 圖1係表示上述表面處理中所使用之表面處理裝置〗。表 0 Φ處理裝置1包括電漿處理部2、以及製程氣體供給系統 3。電漿處理部2包括一對電極21。該等電極21形成為彼此 大小相同之輥狀（圓柱形或圓筒形），且軸線朝向與圖1正交 之軸方向地排列於左右（排列方向卜以下，於彼此區別兩 個電極21時’於左側之電極21之符號上附上「l」，於右側 之電極21之符號上附上rR」。該等電極21間之最狹窄部分 之周邊之空間成為大致大氣壓的處理空間22。處理空間22 之上下兩端開放且與大氣連通。電極21間之最狹窄部分之 〇 厚度為0.5〜數mm左右，處理空間22較為狹窄。 一對電極21中之一者為連接於電源23之高壓端子，另一 者係電性地接地。此處，左側之電極21L係連接於電源 • 23，右側之電極21R係接地，但亦可為電極2ir上連接有 電源23,而電極21L係電性地接地。藉由來自電源^之電 壓供給而於電極21、21之間形成電場’且上述處理空間22 成為大致大氣壓之放電空間。來自電源23之供給電壓及電 極21間之電場例如成為脈衝狀。脈衝之上升時間及/或下 降時間較好的是Η) P以下，電場強度較好的是1〇〜讀 145372.doc -15- 201035191 kV/cm，頻率較好的是0.5〜100 kHz。施加電壓及電場並不 限定於脈衝狀之間歇波，亦可為正弦波等連續波。 輥電極21兼有作為被處理物之TAC膜11之支撐機構及移 動機構之功能。連續片狀之TAC膜11係橫跨於兩個輥電極 21、21，而於各輥電極21之上側之圓周面上懸繞例如半周 左右。輥電極21、21彼此之間之TAC膜11通過處理空間22 而向下方延伸出’於一對折返輥27、27處懸繞並折返。藉 由兩個輥電極21之旋轉，而將TAC膜11向一方向（右方向） 搬送。藉由調整輥電極21之旋轉速度，可調節丁八^膜^之 移動速度。 於各輥電極21之内部組裝有 付狀皿反碉即機構28。薄狀 溫度調節機構28係藉由調溫通路而構成。特定溫度之調溫 媒體係於輥電極内之調溫通路中流通。作為調溫媒體例 如可使用水。藉此，可調節輥電極21之溫度，進而可調節 TACmi之與輥電極21接觸之部分的溫度。取㈣之溫 度較好的是室溫以上。此處， 田…' 皿 處所°月至 >皿一般為20〜25°C， 更一般的是2 5 °C。 其次，對製程氣體供給系統3進行說明。 製=氣體供W包括聚合性單體供給㈣、以 性氣體供給源3卜聚合性單體供給源3〇係由 溫槽）而構成。於恆溫容 《(匣 為表面處理之反岸成八ΤΙ 有聚合性單體而作 鍵及特定之官該，°性早體較好的是具有不飽和 幵疋之吕此基，更好的是具有親水性 雜，更好的是使用丙稀酸或甲基丙婦 乍為：合性單 此處，作為聚合 145372.doc 201035191 性單體，使用丙烯酸（CHfCHCOOH)。丙烯酸係具有乙稀 性不飽和雙鍵及羧基之親水性之聚合性單體。丙稀酸AA 係以液體之狀態而收谷於恒溫容器3 〇内。於怪溫容哭3 0内 . 之較液體丙烯酸AA之液面更上側之部分，存在自液體丙 , 烯酸A A氣化而來之丙婦酸的飽和蒸汽。 於恆溫容器30中組裝有加熱器32來作為氣化機構。容器 20内之液體丙烯酸AA係藉由加熱器32而加熱並氣化。可 〇 藉由液體丙烯酸AA之加熱溫度來調節丙烯酸之氣化量。 考慮到丙烯酸蒸汽為爆炸性，丙烯酸AA之加熱溫度較好 的是設為1 50。(：以下，更好的是設為小於丙烯酸之閃點 (54°C)，進而好的是室溫（25^)〜8(rc左右，若考慮閃點則 進而更好的是室溫（25°C )〜50°C左右。於丙烯酸之氣化量 即便接近室溫亦滿足必要量時，亦可省略加熱器32。再 者，丙烯酸之發火點為36(rc。丙烯酸之閃點為54C>c。附 帶而言，曱基丙烯酸之發火點為36〇0C。曱基丙烯酸之閃 點為7 7 C。 於惰性氣體供給源3丨中填充有惰性氣體。惰性氣體承擔 如下作用：作為搬送聚合性單體蒸汽之載體氣體；以及作 • 為用以於處理空間22内生成電漿之電漿生成用氣體。此 處’作騎性氣體係使用氮氣，但除了使用氮氣以外亦 可使用氬氣、氦氣等其他㈣氣體。 載體氣體或電漿生成用氣體較好的是實質上不含有氧 氣。 自N性氣體供給源3 1延伸有惰性氣體供給通路33。惰性 145372.doc -17- 201035191 氣體供給通路33係分支為電聚生成用氣體通路34及載體通 路35於5亥等通路34、35中分別設置有流量調節機構 5V仙里調節機構34v、35v係由質量流量控制器或 抓1控制閥等而構成。藉由該等流量調節機構， 可調節.u性氣體之流向各通路34、35之分流比。 載體通路35係連接於怪溫容器3()。載體通路35之前端部 係插入至恆溫容器3〇之内部而開口，且位於較丙烯酸a 之液面更上側之部分。 亦可將載體通路35之前端部延伸纟丙稀酸AA之液之内 部為止，並使氮氣於丙烯酸AA内起泡。 聚口 I·生單體蒸汽通路36自怪溫容器3〇之上側部起延伸。 電毅生成用氣體通路34於聚合性單體蒸汽通路36處合流。 製程氣體通路37自該等通路34、36之合流部起而向電聚處 理部2延伸。於聚合性單體蒸汽通路36及製程氣體通路37 中設置有氣體調溫機構38。氣體調溫機構38係由例如電埶 帶而構成，且遍及全長而覆蓋構成聚合性單體蒸汽通路^ 及製程氣體通路37之管之外周。藉由氣體調溫機構38，可 調節通過聚合性單體蒸汽通路36及製程氣體通㈣之氣體 的溫度。 於製程氣體通路37之前端部設置有製程氣时嘴39。製 程氣體喷嘴39係配置於-對概電極21之間之上側部分。製 程氣體噴嘴39之前端之開口係朝向下方而臨向處理空間 U。製程氣體㈣39之前端部_下變得越細，且插入至 轉電極21之間之逐漸變狹的部分。 145372.doc -18- 201035191 雖賓略T 4 z 、 砰、，，田之圖示，製程氣體喷嘴39於與圖i之紙面 正交^方向上延伸得與TAC膜U之寬度大致相同或更 長。於製程氣體噴嘴39之内部形成有整流通路，該整流通 路使來自^程氣體供給通路37之氣體於上述轴方向（與圖i 交之方向）上均勻地分散。整流通路包含於上述 軸方：上延伸之腔室或狹縫、或者於上述軸方向上分散配 置，多個小孔等。亦可將包含上述整流通路之整流部自製

程氣體嘴嘴39分離’並使其插入至製程氣體通路37之前端 與製程氣體噴嘴39之間。於整流通路上連接有製程氣體喷 前端之喷出口。製程氣时们9之喷出口係於與圖 1之紙面正交之方向上延伸之狹縫狀。製程氣體喷嘴^之 喷亦可為於與圖1之紙面正交之方向上隔開間隔而配 置之多個小孔妝。 進而’於製程氣體喷嘴39之内部，形成有調溫通路（省 略圖不）。於調溫通路中通過特^溫度之調溫媒體。作為 調溫媒體例如可使用永益士 、 便用水精由調溫媒體可將製程氣體噴嘴 39之結構體維持在特定溫度，進㈣調㈣過製程氣體喷 嘴39内之鐘之溫度，且進而可則自製程氣財嘴 喷出之氣體的溫度。 對使用上述構成薄膜表面處理裝置i而對取則進行 表面處理’進而製造偏光板1G之方法加以說明。 [製程氣體供給步驟] 情性氣體供給通路33而將惰性氣體供給源^之氮氣分 配至電衆生成用氣體通路34及載體通路&由流量調節機 145372.doc •19· 201035191 構34v、35v而調節分配比。將分流至載體通路35之氮氣導 入至怪溫容器30内，並將恆溫容器30内之較液體丙烯酸之 液面更上側的丙烯酸蒸汽擠出至聚合性單體蒸汽通路36 中。於製程氣體通路37中’將來自聚合性單體蒸汽通路％ 之氣體（氣氣+丙稀酸蒸汽）與來自電漿生成用氣體通路34 之氮氣加以混合’而生成製程氣體。考慮到爆炸極限，製 程氣體（丙烯酸+氮氣）中之丙烯酸之濃度較好的是2%以 下，更好的是1%左右。製程氣體之濃度可藉由氮氣之向 兩個通路34、35中之分配比、以及加熱器32之丙烯酸之加 熱溫度而加以調節。經過製程氣體通路3 7而將該製程氣體 輸送至製程氣體喷嘴39。製程氣體係於製程氣體噴嘴39中 在TAC膜11之寬度方向（與圖1之紙面正交之方向）上均勻化 之後，噴向處理空間22。 [電漿處理步驟] 藉由來自電源23之電壓供給，而於電極21、21間形成大 氣壓放電，從而將電極間空間22設為放電空間。藉此，製 程氣體中之氮氣被電漿化，且丙烯酸蒸汽被活化，從而引 起雙鍵之裂解、聚合等。又，藉由對TAC膜11之氮氣電漿 之接觸、以及來自氮氣電漿之紫外線（337 nm)之照射， TAC膜11之表面分子之c-c、C-0、C-H等鍵被切斷。於該 鍵切斷部上會鍵結（接枝聚合）丙烯酸之聚合物，或者鍵結 自丙烯酸所分解出之COOH基等。藉此，可於TAC膜11之 表面形成接著性促進層。 [調溫步驟] 145372.doc -20- 201035191 *進而，藉由氣體調溫機構38’而將正通過聚合性單體蒸 ^通路36及製程氣體通路37之氣體之溫度調節成所需溫 度:且藉由製程氣體喷嘴39内之調溫通路，而將正通過製 程氣體噴嘴39之製程氣體之溫度調節成所需溫度。藉此， γ將衣耘軋體自製程氣體噴嘴39噴出時之溫度（以下稱作 Ο

嘴出溫度」）設為設定温度。冑出溫度之上限較好的是 設定成TAcmi不產生膨料㈣形之範圍。tac膜叫 產生膨潤等熱變形之極限溫度雖依據處理條件等，但例如 為8〇°c左右。就防止氣體通路36、37及噴嘴39内之結露之 觀點而言’噴出溫度之下限較好的是室溫以上。噴出溫度 較好的是35。〇〜8〇1左右，更好的是4〇。(：〜5〇。(：左右。又 另外，藉由薄膜溫度調節機構28，而將丁^^膜丨丨之與輥 電極21接觸之部分之溫度（以下稱作「薄膜溫度」）維持為 低於製釭氣體之喷出溫度的所需溫度。較好的是，薄膜溫 度比喷出溫度低5°C：以上。更好的是，薄膜溫度比噴出溫 度低lot以上。藉由該溫度調節，即便於例如1〇 m/s以上 之高速搬送下，亦可使丙晞酸於TAC膜丨丨之表面上確實地 冷凝（承載），進而可於丁入0膜11之表面上確實地形成含有 丙稀酸之接枝聚合物之接著性促進層。 [移動步驟] 與上述製程氣體供給步驟及電漿處理步驟平行地，使輥 電極21於圖1中順時針持續旋轉，而將TAC膜丨丨搬送至右 方向。於TAC膜11之各點（被處理部位）懸繞至左側之輥電 極21之後，在離開該左側之輥電極21之前通過處理空間 145372.doc •21 · 201035191 22，並藉由折返輥27、27而折返之後，一面懸掛至右側之 輥電極21上一面再次通過處理空間22。TAC膜11之各點（被 處理部位）每當通過處理空間22時會被實施電漿處理。因 此，以一個處理空間22可對TAC膜11實施兩次表面處理。 [製程氣體流量調節步驟] 此處，伴隨左側之輥電極21上之TAC膜11之移動，該 TAC膜11周邊之環境氣體（空氣）會與該TAC膜11 一起捲入 至處理空間22。TAC膜11之移動速度變得越大，則空氣之 捲入量有增大之傾向。對應於此，而增大製程氣體之供給 流量。較好的是，一面將載體通路3 5之流量保持固定一面 調節電漿生成用氣體通路34之流量，藉此來調節製程氣體 之供給流量。藉此，將處理空間22内之氣體置換成製程氣 體（幾乎為氮氣、殘留丙烯酸蒸汽），從而自處理空間22排 出空氣、進而排出氧氣。 總而言之，於上述製程氣體供給步驟中，係以處理空間 22内之氧濃度為特定以下之方式來設定製程氣體之供給流 量。具體而言，處理空間22内之氧濃度較好的設為3000 ppm以下，更好的是設為2000 ppm以下，進而好的是設為 1000 ppm以下。藉此，可防止電漿處理步驟中之丙烯酸之 裂解及聚合' TAC膜11之表面分子之C-C、C-0、C-H等之 鍵切斷、丙烯酸之聚合物或官能基與上述鍵切斷部之鍵結 等反應受到阻礙。由此，可於TAC膜11之表面確實地形成 接著性促進層，從而可使處理品質穩定。而且，可增大 TAC膜11之搬送速度而無需擔心空氣捲入處理空間22内。 145372.doc -22- 201035191 因此，可縮短處理時間。 [接著步驟] 藉由接著劑13而將以如上之方式進行表面處理之難接著 性樹月曰之TAC膜11與易接著性樹脂之？¥八膜12接著。由於 TAC膜11之表面確實地形成有接著性促進層，故可將 膜11牢固地接著於PVA臈12上。藉此，可獲得品質良好之 偏光板10。 其次，對本發明之其他實施形態之表面處理裝置進行說 明。以下之實施形態中關於與第丨實施形態重複之構成， 係於圖式上附上相同符號並省略其說明。 圖3係表示本發明之第2實施形態。於第2實施形態中， 電漿生成部2中設置有三個輥電極21。三個電極21為彼此 大小相同之輥狀（圓柱形），且軸線朝向與圖3正交之方向地 排列於左右。於彼此區別三個電極21時，係將左側之電極 21設為「電極21L」，將中央之電極21設為「電極21(：」，並 將右側之電極21設為「電極21R」。 中央之輥電極21C係連接於電源23。左右之輥電極 21L、21R係電性地接地。藉由來自電源23之電壓供給而於 相鄰之電極21L、21C間及電極21C、21R間形成電場，該 等電極間之最狹窄部分之周邊之空間成為大致大氣壓之處 理空間22。於彼此區別兩個處理空間22時，將左侧與中央 之電極21L、21C間之處理空間22設為「處理空間22A」， 將中央與右側之電極21C、21R間的處理空間22設為「處 理空間22B」。 145372.doc -23· 201035191 連續片狀之TAC膜11橫跨三個輥電極21，而於各輥電極 21之上側之圓周面上懸繞例如半周左右。鄰接之輕電極^ 彼此之間之TAC膜11自處理空間22起朝向下方延伸，並於 -對折返親27、27處懸繞並折返。藉由三個μ㈣α 轉’而將TAC膜11搬送至一方向（右方向 於第2實施形態中，作為氣體供給系統而設置有第丨製程 氣體供給系統3A、以及第2製程氣體供給系統4。第〖製程 氣體供給系統3A具有與第丨實施形態之製程氣體供給系統^ 相同之構成。製程氣體噴嘴39係.配置於左側與中央之輥電 極21L、210間，且臨向放電空間22A。第i製程氣體供給 系統3A將含有丙烯酸蒸汽之製程氣體供給至放電空間 22A。 I β 第2製程氣體供給系統4包括第2製程氣體供給源“、以 及第2製程氣體喷嘴43。第2製程氣體供給源^蓄積有氮氣 而作為第私氣體。作為第2製程氣體，亦可使用氬氣: 氦氣等其他惰性氣體。第2製程氣體供給通路42自第2製程 氣體供給源41起向電漿處理部2延伸。於供給通路42之前 端部連接有第2製程氣體噴嘴43。帛2製程氣體噴嘴43係配 置於中央與右側之輥電極21c、21R間，且臨向放電空間 22B。第2製程氣體供給源41之氮氣係經過供給通路“而自 噴嘴43噴出至處理空間22B。 於彼此區別供給至兩個處理空間22A、22B之氣體時， 將供給，處理空間22A之氣體（丙稀酸蒸汽+氮氣）記载為 第1製程氣體」，將供給至處理空間22B之氣體（氮氣）記 145372.doc •24· 201035191 載為「第2製程氣體」。 第1、第2製程氣體供給源3丨、41亦可由共用之惰性氣體 供給源而構成。 於第2實施形態中’向左側與中央之輥電極2丨[、21(：間 .《放電空間22A内供給第以程氣體（丙烯酸+氮氣）並將該 第1製程氣體電漿化，而於TAC^U之表面上形成含有丙 烯I之聚合物等的接著促進層。此時，以放電空間22A内 ❹ 之氧/辰度杈好的是1000 PPm以下、更好的是1000 ppm的方 式來設定第1製程氣體之流量。 繼而’於中央與右側之觀電極2 1C、21R間之放電空間 22B中，使第2製程氣體（僅氮氣）電漿化並使其與TAC膜i工 接觸。藉此，可使TAC膜11之表面之未反應之丙烯酸活 化，從而可更確實地形成接著促進層。因此，可確實地提 高TAC膜11之接著性。 圖4及圖5係表示本發明之第3實施形態。第3實施形態之 Q 電漿表面處理裝置1包括相對於處理空間22之閉塞機構7。 閉塞機構7包括一對側部閉塞構件71、72。側部閉塞構件 71、72係夾持處理空間22而配置於上下方向（與電極21之 軸方向及排列方向正交之正交方向）的兩側。該等閉塞構 件71、72係與電極21之軸方向平行地延伸的長條狀。 上側之侧部閉塞構件71配置為自輕電極21、21之處理空 間22起橫跨於上側之圓周面彼此之間。側部閉塞構件71之 與長度方向正交之剖面係越朝下前端越細。侧部閉塞構件 71之下端部插入至一對電極21、21彼此間之最狹窄部位之 145372.doc •25- 201035191 附近為止，換而言之插入至放電空間之附近為止。側部閉 塞構件71之下端面面向處理空間22，而形成處理空間η之 上端。藉由側部閉塞構件71，而處理空間22之上側部大致 被堵塞。 侧部閉塞構件71之朝向下方而前端變細之部分之左右兩 個側面，分別成為部分圓筒面形狀之凹曲面73。凹曲面乃 之曲率半徑稍微大於各電極21之半徑。左側之凹曲面乃之 曲率中心與左側之電極21L之軸線大體上一致。右側之凹 曲面73之曲率中心與右側之電極21R之軸線大體上一致。 左側之凹曲面73係沿著左側之電極21L之圓周面。於左 側之凹曲面73與電極21L之圓周面之間，形成有側部間隙 73e。藉由間隙73e，可允許被處理膜u向電極2〗乙之纏 繞。右側之凹曲面73係沿著右側之電極21R之圓周面。於 右侧之凹曲面73與電極21R之圓周面之間’形成有側部間 隙73f。藉由間隙73f ’可允許被處理薄膜u向電極21R之 纏繞。 下側之側部閉塞構件72大致係使上側之側部閉塞構件7 i 上下反轉後的形狀。詳細而言，下側之側部閉塞構件72配 置為自親電極21、21之處理空間22起橫跨於下側之圓周面 彼此之間。側部閉塞構件72之與長度方向正交之剖面係越 朝上則端越細。側部閉塞構件7 2之上端部插入至一對電極 21、21彼此間之最狹窄部位之附近為止，換而言之插入至 放電空間之附近為止。側部閉塞構件72之上端面面向處理 空間22 ’而形成處理空間22之下端面。藉由側部閉塞構件 145372.doc -26- 201035191 72，而處理空間22之下側部大致被堵塞。藉由側部閉塞構 件71、72而自上下兩側覆蓋處理空間22。 側部閉塞構件72之朝向上方前端變細之部分之左右兩個 • 側面，分別成為部分圓筒面形狀之凹曲面74。凹曲面74之 . 曲率半徑稍微大於各電極21之半徑。左側之凹曲面74之曲 率中心與左側之電極21L之軸線大體上一致。右側之凹曲 面74之曲率中心與右側之電極21R之軸線大體上一致。 左側之凹曲面74係沿著左側之電極2 1L之圓周面。於左 〇 ' 側之凹曲面7 4與電極21L之圓周面之間，形成有側部間隙 74e。藉由間隙74e，可允許被處理膜11向電極21 l之纏 繞。右側之凹曲面74係沿著右側之電極21R之圓周面。於 右側之凹曲面74與電極21R之圓周面之間，形成有側部間 隙74f。藉由間隙74f ’可允許被處理膜u向電極21R之纏 繞。 間隙73e、73f、74e、74f之厚度係設定為大於被處理膜 〇 11之厚度、且可充分地抑制周圍之環境氣體滲入至處理空 間22之程度的大小。間隙73e、73f、74e、74f之厚度t較好 的是至少為電極21、21間之最狹窄部位之間隔g以下 (g^t)，進而好的是為處理空間22之厚度以下。此處，處 理空間22之厚度係自上述間隔g中減去被處理膜丨丨之厚度 之兩倍後的大小。例如，間隙73e、73f、74e、74f之厚度t 較好的是t=0.05 mm〜0.5 mm左右，更好的是t=〇2〜〇3 mm 左右。間隙73e、73f之厚度與間隙74e、74f之厚度既可彼 此相同’亦可彼此不同。 145372.doc -27- 201035191 再者，電極21、2丨間之最狹窄部位之間隔§大於被處理 膜11之厚度之兩倍’且較好的是3 mm以下，更好的是1 mm以下。 再者，於圖4及圖5中，省略了電極21之内部之調溫通路 28、以及製程氣體供給系統3之氣體調溫機構38、電源23 等的圖示。以下之實施形態（圖6〜圖14)中同樣省略。 · 側部閉塞構件71、72中之至少-者構成製程氣體供給系 統3之下游端之製程氣體喷嘴。此處，係提供上側之閉塞 構件71來作為製程氣體喷嘴。閉塞構件71與第丨實施形態 〇 (圖1)之製程氣體喷嘴39相對應。 " 尸於兼做喷嘴之閉塞構件71之上側設置有整流部乃。製程 氣體通路37之前端連接於整流部75。整流部75係與閉塞構 件71平行地於與圖4之紙面正交之方向上延伸。雖省略詳 細之圖示’但於整流部75中設置有整流通路，該整流通路 使來自製程氣體通路3 7之氣體於軸方向（與圖4之紙面正交 之方向）上均勻化。整流通路包含於上述軸方向上延伸之 腔室或狹縫、或者於上述軸方向上分散配置之多個小孔 ◎ 等。 於兼做噴嘴之閉塞構件71之内部形成有喷出通路％。噴 出通路76係於轴方向(與圖4之紙面正交之方向)上延伸的狹 縫狀。噴出通路76之下游端到達閉塞構件71之下端面並開_ 口’而構成噴出口。 進而，於兼做噴嘴之閉塞構件71之内部形成有調溫通路 79。調溫通路79係於軸方向（與圖4之紙面正交之方向）上延 H5372.doc •28- 201035191 伸。藉由於調溫通路79中通過水等調溫媒體，可對兼做噴 嘴之閉塞構件71進行溫度調節。 下側之閉塞構件72係虛設噴嘴，其具有與上側之兼做噴 . 冑之閉塞構件71相同之外觀形狀，另-方面未於内部形成 噴出通路及調溫通路。閉塞構件72既可與兼做噴嘴之閉塞 構件71同樣地包含噴出通路及調溫通路，亦可藉由插塞二 而將該閉塞構件72之嘴出口堵塞。再者，側部閉塞構件 0 71、72不包括用以排出製程氣體之排氣口或抽吸口。 根據第3實施形態，可將含有聚合性單體之製程氣體自 製程氣體通路37導入至整流部75，並使其於整流部75之長 度方向上均勻化。自噴出通路76喷出均勻化後之製程氣 體，並將其導入至處理空間22。於處理空間22内將製程氣 體電漿化，並且使其與被處理膜丨丨接觸。藉此，可改善被 處理膜11之表面之接著性。其後，將製程氣體自處理空間 22之長度方向（與圖4之紙面正交之軸方向）之兩端之開口 o 22e向處理空間22之外部流出。又，一部分製程氣體係經 過上下之閉塞構件71、72與左右之電極21L、21R之圓周面 之間的間隙73e、73f、74e、74f而向外部流出。 • 藉由上侧之閉塞構件71，可大致堵塞處理空間22之上側 邰。藉由下側之閉塞構件72，可大致堵塞處理空間η之下 側4藉此，即便製程氣體之供給流量較小，亦可防止或 抑制外部之環境氣體自電極21、21之上側之圓周面彼此間 及下側之圓周面彼此間滲入至處理空間22。進而，藉由自 軸端開口 22e及間隙73e、73f、74e、74f流出上述製程氣 145372.doc •29- 201035191 體，可防止外部之環境氣體通過軸端開口 22e及間隙73e、 乃卜74e、74f而滲入至處理空間22。藉此可將處理空間 22内之氧濃度確實地設為特定之大小、即3〇〇〇 以下。 由此’可確實地提高被處理膜丨丨之接著性。 圖6係表示第3實施形態之變形例。於該變形例中，上下 之側部閉塞構件中不僅上側之閉塞構件71構成製程氣體喷 嘴而且下側之閉塞構件72 A亦構成製程氣體噴嘴。於兼 做喷嘴之閉塞構件72A之下部設置有整流部77。整流部77 係於軸方向(與圖6之紙面正交之方向)上延伸。於整流部77 上連接有製程氣體通路37。與整流部75同樣地，於整流部 77中认置有使製程氣體於軸方向上均勻化之整流通路。來 自共用之聚合性單體供給源3G(參照圖】）之製程氣體通路^ 亦可分支並分別經由整流部75、77而連接於兼做噴嘴之閉 塞構件71、72A。兼做喷嘴之閉塞構件71、72A亦可連接 於彼此不同之氣體供給源。較好的是，彼此不同之氣體供 、、、D源之者為聚合性單體供給源3 0，彼此不同之氣體供給 源的另者$ t氣或稀有氣體等惰性氣體供给源41 (參照 圖2)。 於兼做噴嘴之閉塞構件72A之内部，形成有喷出通路78 及調溫通路79。整流部77之上述整流通路連接於噴出通路 78。喷出通路78係於軸方向（與圖6之紙面正交之方向）上延 伸的狹縫狀。嘴出通路78到達兼做噴嘴之閉塞構件似之 上端面並開口，而構成嘴出口。兼做喷嘴之閉塞構件72a 之喷出口具有與上側之噴嘴閉塞構件71之喷出口相同的長 145372.doc -30· 201035191 度及寬度。 藉此，製程氣體不僅自上側之兼做喷嘴之閉塞構件71導 入至處理空間22，而且亦自下側之兼做喷嘴之閉塞構件 72 A導入至處理空間22。較好的是，來自上下之兼做噴嘴 之閉塞構件71、72A之噴出流量設為彼此相同之大小。藉 此’可對處理空間2 2内均勻地施加壓力。於處理空間2 2内 供被處理膜11之表面處理之製程氣體’其後會自處理空間 22之軸端開口 22e及間隙73e、73f、74e、74f流出。藉由該 製程氣體之流動’可防止外部之環境氣體自軸端開口 22e 及間隙73e、73f、7扑、7竹進入處理空間22内。藉由向處 理空間22内均勻地施加麗力，可防止外部之環境氣體自間 隙73e、73f、74e、74f之一部分集中地流入至處理空間 22。藉此，可將處理空間22内之氧濃度確實地設為特定 (3〇〇〇 ppm)以下。由此，可確實地提高被處理膜u之接著 性。再者，侧部閉塞構件71、72八不包括用以排出製程氣 體之排氣口或抽吸口。 圖7〜圖9係表示本發明之第4實施形態。 於本實施形態中，除了設置有第3實施形態（圖4及圖5) 之側部閉塞構件71、72以外，還設置有軸端閉塞構件8〇。 如圖8所不，軸端閉塞構件80分別配置於電極21、21之轴 方向之兩端部。如圖7所示’各轴端閉塞構件晴跨一對 電極21、21及一對側部閉塞構件71、72之軸方向之彼此相 同側之端部彼此間，且覆蓋至處理空間22之轴方向之上述 相同側之端部22e。 145372.doc -31· 201035191 如圖8及圖9所示，軸端閉塞構件8〇包括正面板81、以及 一對側板82，且俯視為3字狀（U字狀、门字狀）。正面板 81為上下延伸之平板狀。於正面板之左右之邊緣分別設 置有侧板82。各側板82與正面板81正交。 面板81自電極21之端面起向軸方向之外側隔開。如圖 7所示，自軸方向之外側觀察，正面板81具有橫跨左右之 電極21L、21R彼此間之寬度尺寸，且自軸方向之外側觀 察，其具有橫跨上下之側部閉塞構件71、72彼此間之上下 寸自軸方向之外側觀察，正面板8 1覆蓋至處理空間2 2 之端部22e。 如圖9所示，左側之側板82係自正面板8丨起朝向電極υ [ 之端面突出。右側之側板82係自正面板81起朝向電極2ir 之端面突出。 側部閉塞構件71、72自電極21起向軸方向突出，並插入 至軸端閉塞構件80之内部。側部閉塞構件71、72之軸方向 之端部碰觸於正面板81之内側面，並由螺釘89而加以固 定。藉此，軸端閉塞構件80由側部閉塞構件71、72支撐。 於正面板8 1之上側部與側部閉塞構件7丨之軸方向之端面之 間未形成間隙。於正面板81之下側部與側部閉塞構件72之 軸方向之端面之間未形成間隙。 左右之各側板82之上端緣碰觸在側部閉塞構件7 1之凹曲 面73之上側部。於各側板82之上端緣與側部閉塞構件71之 間未形成間隙。各側板82之下端緣碰觸在側部閉塞構件72 之凹曲面74之下側部。於各側板82之下端緣與側部閉塞構 145372.doc •32- 201035191 件72之間未形成間隙。 再者，亦可於側板82之上下之端緣與側部閉塞構件71、 72之間形成間隙。 ， 如圖9所示，左右之各側板82之於電極21之端面側之邊 . 緣係自電極21起隔開。於側板82與電極21之軸方向之端面 之間形成有軸端間隙82e。藉此，於電極2丨旋轉時可防止 側板82與電極21之摩擦。間隙82e之厚度t8較好的是 ❹ t8 = 0.05 mm〜0.5 mm左右，更好的是t8=〇j mm左右。 於本第4實施形態中，不僅可藉由側部閉塞構件7丨、π 而抑制或防止外部之環境氣體自處理空間2 2之上下兩側進 入處理空間22内，而且可藉由軸端閉塞構件8〇覆蓋至處理 空間22之轴方向之端部22e，而抑制或防止外部之環境氣 體自知部22e進入處理空間u内。因此，可進而減小製程 氣體之供給流量。進而，製程氣體自處理空間22内通過上 下側部之間隙73e、73f、74e、74f而流出，並且亦自轴方 Q 向之端部之間隙82e流出。藉由該製程氣體之流動，可防 止外部之環境氣體自側部間隙73e、73f、74e、74f及軸端 間隙82e進入處理空間22内。即便外部之環境氣體通過軸 端間隙82e而進入軸端閉塞構件8〇之内部，亦可使所進入 之環境氣體於軸端閉塞構件8〇之内部空間擴散，從而使該 %境氣體之濃度變薄。藉此，可確實地將處理空間22内之 氧/辰度5又為特定之大小以下即3〇〇〇 ppm以下。由此，可確 實地提高被處理膜11之接著性。 圖10及圖11係表示本發明之第5實施形態。於第5實施形 145372.doc -33- 201035191 態中，係設置平板狀之軸端閉塞構件90來代替π字狀⑴字 狀）之軸端閉塞構件8〇。軸端閉塞構件90分別設置於電極 21、21之軸方向之兩端部。各軸端閉塞構件90橫跨一對電 極21、21及一對側部閉塞構件71、72之轴方向之彼此相同 侧之端部彼此間’且覆蓋至處理空間22之軸方向之上述相 同側的端部22e。 側部閉塞構件71、72之轴方向之端面係較電極21而更向 軸方向稍微（例如0.1 mm左右）突出。軸端閉塞構件9〇之上 側部碰觸在側部閉塞構件7丨之軸方向之端面並由螺釘9 9而 加以連結。軸端閉塞構件90之下側部碰觸在側部閉塞構件 72之軸方向之端面並由螺釘99而加以連結。藉此，軸端閉 塞構件90係藉由上下之側部閉塞構件71、72而支撐。 軸端閉塞構件90自電極21、21之軸方向之端面稍微隔開 而配置。於軸端閉塞構件9〇與電極21、21之間形成有間隙 91。藉此，於電極21之旋轉時可防止軸端閉塞構件9〇與電 極21之摩擦。間隙91之厚度係與側部閉塞構件7丨、72之自 電極21之突出量相對應。間隙91之厚度”較好的是 mm〜0·5 mm左右，更好的是t9=01 mm左右。 於本第5實施形態中，可藉由軸端閉塞構件9〇覆蓋至處 理空間22之軸方向之端部22e，而抑制或防止外部之環境 氣體自端部22e進入處理空間22内。藉此，即便製程氣體 之供給流量較小，亦可確實地將處理空間22内之氧濃度設 為特定（3000 Ppm)以下。由此，可確實地提高被處理膜u 之接著性。 145372.doc -34- 201035191 圖12及圖13係表示第5實施形態之變形例。於該變形例 中’於板狀之軸端閉塞構件92與左侧之電極21L之間形成 有迷宮式密封93。於轴端閉塞構件92與右側之電極21R之 間形成有迷宮式密封94。

若詳細敍述，如圖14所示，於轴端閉塞構件9〇之内側 (朝向電極21之侧）之面之左側部分，形成有複數個圓弧狀 或部分環狀之凸部95。該等部分環狀凸部95係相互以左側 之電極21之軸線為中心之同心圓狀。於軸端閉塞構件9〇之 内側（電極21側）之面之右側部分，形成有複數個圓弧狀或 部分環狀之凸部96。該等部分環狀凸部96係相互以右側之 電極21之轴線為中心之同心圓狀。 如圖12及圖13所示，於左側之電極21L之軸方向之兩個 端面分別形成有複數個環狀之凹槽97。該等環狀凹槽97係 相互以電極21L之轴線為中心之同心圓狀。環狀凹槽”係 與軸端閉塞構件90之部分環狀凸部95一 一對應。各部分環 狀凸部95係插入至所對應之環狀凹槽97。藉由部分環狀凸 部95及環狀凹槽97，而構成迷宮式密封93。 於右側之電極21R之軸方向之兩個端面分別形成有複數 個環狀之凹槽98。該等環狀凹槽98係相互以電極2ir之軸 線為中心之同，狀。環狀凹槽98係與軸端閉塞構件％之 部分環狀凸部96--對庫。久邱八α π ^ 7 m 合邵分缞狀凸部96係插入至所 對應之環狀凹槽9 8。藉由部合Λ , h 秸田丨刀％狀凸部96與環狀凹槽98， 而構成迷宮式密封94。 部分環狀凸部95 96及環狀凹槽97、98之數量，圖中雖 J45372.doc -35- 201035191 分別為兩個，但並不限定於此，既可分別為三個以上，亦 可為各-個。就提高迷宮式密封93、94之密封性之觀點而 言，部分環狀凸部95、96及環狀凹槽97、98之數 是較多者。 的 構件90形成部分環狀 凹槽相嚙合之環狀之 作為迷宮式密封，亦可於軸端閉塞 之凹槽，於電極21之端面形成與上述 凸部。 藉由迷宮式密封93、94可將各電極21與軸端閉塞構件9〇 ]毪封且可it步確實地抑制或防止外部之環境氣體 經過各電極21與軸端閉塞構件列之間而進人處理空間^ 内。藉此’即便製程氣體之供給流量較小，亦可進一步確 實地將處理空間22内之氧濃度設為特定（3_㈣以下。 由此，可確實地提高被處理膜u之接著性。 本發明並不限定於上述實施形態，可於其主旨之範圍内 實施各種變更。 例如，於製程氣體流量調節步驟中，亦可在進行電毁生 f用氣體通路34之流量調節以外，還調節載體通路Μ之流 量藉此來°周節製程氣體之供給流量。亦可一面將電衆生 成用氣體it路34之流1保持固定—面調節制通路^之流 >藉此來調蟥製程氣體之供給流量。亦可將電漿生成用 氣體L路34之仇量设為零’並調節載體通路^之流量，藉 此來調節製程氣體的供給流量。 曰 /亦可藉由將處理空間22及其周叙環境氣體置換成惰性 乳體（例如氮氣）而進行調節，以便使處理空間以氧濃度 I45372.doc -36- 201035191 成為特定以下，即，較好的是3〇〇〇 ppm以下，更好的是 2〇〇〇 ppm以下，進而好的是1〇〇〇 ppm以下。亦可藉由利用 腔至包圍處理空間22及其周邊，並將腔室之内部之氣體置 • 換成惰性氣體（例如氮氣）而進行調節，以便使處理空間22 . 的氧濃度成為特定以下。 亦可於處理空間22之周邊部分形成惰性氣體（例如氮氣） 之氣幕，並利用該氣幕而阻止或抑制空氣等環境氣體進入 0 處理空間22，藉此進行調節以便使處理空間22之氧濃度成 為特定以下。 製程氣體中較好的是不含有氧氣，但若濃度較好的是 00 ppm以下、更好的是1〇〇〇 以下則亦可含有氧 氣。 電漿處理部2之電極結構並不限定於輥電極結構，可為 ^ 3對平板狀電極之平行平板電極結構（參照圖15)，可 為使平板電極與輥電極相對向之結構，亦可為使具有凹曲 〇 面之電極與輥電極相對向之結構。 作為I程氣體中之聚合性單體，可使用甲基丙烯酸，亦 °使用八他親7jc性之聚合性單體，來代替丙婦酸。 難接著性樹脂薄膜11並不限定於TAC膜，亦可使用 PP PE、PET等難接著性之樹脂薄膜。 亦可為難接著性樹脂薄膜i】靜止而處理空間移動。 亦可不使難接著性樹脂薄膜11及處理 空間22相對移動而 進行電漿處理。 實&开v怨之電漿處理部係處理空間η為放電空㈤、並對 145372.doc -37- 201035191 配置於處理空間2 2中之被處理膜i i直接照射電漿的所謂直 接式之電漿處理裝置，但本發明亦可應用於所謂間接式之 電漿處理裝置，處理空間與放電空間分開’於放電空間上 連接處理空間，於放電空間内將製程氣體電漿化並將其噴 出至處理空間，並且使其與處理空間之被處理膜U接觸。 於所明間接式之電漿處理裝置中，亦宜以處理空間之氧濃 度較好的彖3000 ppm、更好的是2〇〇〇 ppm、進而好的是 1 〇〇〇 ppm之方式進行設定。 亦可將含有聚合性單體蒸汽之氣體供給至難接著性樹脂 薄膜並使其於難接著性樹脂薄膜之表面上承載（冷凝等）， 其後將與上述含有聚合性單體之氣體不同的電漿生成用氣 體電漿化，並使其與難接著性樹脂薄膜之承載有上述聚合 性單體的部分接觸。或者，亦可將電漿生成用氣體電漿化 並使其與難接著性樹脂薄膜接觸，其後使聚合性單體與上 述難接著性樹脂薄膜之上述電漿接觸部分接觸。電漿生成 用氣體、與聚合性單體蒸汽之載體氣體可由相同成分（例 如氮氣）而構成，且載體氣體亦可兼做電漿生成用氣體。 於電漿處理步驟之後、接著步驟之前，亦可由水性清洗 液而清洗難接著性樹脂薄膜。 難接著性樹脂薄膜之表面處理方法及表面處理裝置亦可 應用於偏光板之製造以外之用途。 側部閉塞構件72亦可由抽吸處理空間22之氣體之抽吸噴 嘴而構成。於該情形時，應注意容易引起如下狀況：外部 之環境氣體容易被吸入至處理空間22内；或者聚合性單體 145372.doc •38· 201035191 之活性物質未與被處理膜11接觸便被抽吸喷嘴抽吸。 亦可將複數個實施形態之要素相互組合。例如，亦可於 第2實施形態（圖3)中也設置第3〜第5實施形態或其等之變 形例之閉塞機構7。於該情形時，閉塞機構7係與處理空間 22A、MB中之至少處理空間22A相對應而設置。 軸端閉塞構件80、90、92亦可僅設置於軸方向之—側。 [實施例1]

以下對實施例進行說明，但本發明並不限定於該等實施 例0 於實施例1中調查放電空間内之氧混人量與接著性之關 係。圖15表示所使用之表面處理裝置之概略構成。 將惰性氣體供給源3丨之純氮氣經由惰性氣體通路3 3而導 入至〖亙,孤谷益30,獲得含有氮氣與丙烯酸之混合氣體之製 程轧體。冑氮氣之流量、進而製程氣體之流量設為1〇 :::n冑恆溫容器3〇内之液體丙烯酸AA之溫度設為 將製氣體（丙埽酸+氮氣）自怪溫容器⑼送出至製程氣 體t…通路37。使氧氣混人通路51與製程氣體供給通路η 而使來自混人通路51之氧氣混人至供給通㈣之製 ϊίο體：。藉氧。氣之混入量係以混入後之製程氣體中之氧濃 二中/〇之範圍而進行調節。自喷嘴39而向處理空 j噴出該製程氣體。製程氣體之 處理部2之電極結構係身人電漿 24 > 25^-^.- ^ ' 3上下相對向之一對平板電極 千仃平板f極結構。於上叙雜24之_側部配 145372.doc •39· 201035191 置製程氣體供給喷嘴3 9 ’於電極24之另一側部設置抽吸噴 嘴62，藉由抽吸喷嘴62而吸入處理空間22内之已處理之氣 體’並自排氣機構61排出。 於上側之電極24上連接電源23 ’並將下側之電極25設為 接地。將施加給電極24之接通電力設為丨1〇乂。 於下側之電極25上放置TAC膜11。將電極25之溫度、進 而薄膜溫度調節為25t。因此，製程氣體與TAC薄膜之溫 度差為7°C。 使電極24、25中之一者相對於另一者而相對地往復移動 (掃描）。將移動速度設為1〇 m/min，將往復次數設為一次 (兩次抑描）。 將表面處理後2TAC膜^與卩乂八膜^接著。作為接著 劑，使用將（A)聚乙烯醇為5 wt%之水溶液、與（b)綾甲基 纖維素鈉為2 wt%之水溶液以（A) : (B)=2〇 : !之體積比進 行混合而成的溶液。⑷之聚乙烯醇之平均聚合度為5〇〇。 然後’進行接著性之評估^接著性評估係由試驗者利用 手來剝離TAC膜與PVA膜之手動評估。 將以上之操作重複三次’分別獲得三份相同條件(氧混 入量）之試驗資料。 表1表示結果。上述表1之「 「〇」表示接著性良好。「△」 接著性較差。 ◎」表示接著性極其良好。 表示接著性略佳。「X」表示 145372.doc 201035191 [表1] 氧濃度(vol%) ----- 2 1 0.5 0.3 0.2 0.1 1 0.05 0 _試驗資料1 1 X X X 〇 〇 ◎ ◎ ◎ 試驗資料2 ----- X X X Δ 〇 ◎ ◎ ◎ 試驗資料3 ------- X X X 0 〇 ◎ ◎ — _ ◎

G

於氧氣混入後之製程氣體中之氧濃度為05 vol%以上時 均為接著不良。於氧濃度為0.3 vol%時，超過半數為接著 良好。於氧濃度為0.2 vol%以下時均為接著良好。於氧濃 度為0.1 vol。/。以下時接著性極其良好。藉此，判明用以獲 得良好接著性之處理空間22内之氧濃度，較好的是3〇〇〇 PPm以下，更好的是2000 ppm以下，進而好的是1〇〇〇卯瓜 以下。 [實施例2] 使用圖3之裝置^ TAC膜丨丨之寬度為33 cm。各處理空間 22A、22B之厚度（電極間之最狹窄部位之厚度）為1爪瓜。 各處理空間22A、22B之上下之長度約為1〇 cm。各處理空 間22A、22B之容積約為〇.3 L。如表2之條件（―）〜（四）所 示’ TAC膜11之搬送速度係於1〇 m/min〜3〇 m/min之範圍内 調節，且使第1製程氣體（丙烯酸蒸汽+氮氣）之向處理空間 22A之供給流量與TAC膜11之搬送速度成正比。再者，將 氣體通路34之流量設為〇。因此，上述第1製程氣體之供终 流量與載體通路35之流量相等。將第！製程氣體之噴出溫 度設為40°C，將TAC膜11之溫度設為2yc。向處理空間 I45372.doc •41- 201035191 22B之氮氣之供給流量於四個條件（一卜（四）下均設為ι〇 L/min。施加給電極22C之供給電力及電極間之施加電壓於 各條件（一）〜（四）中係如下所示。 (一） 供給電力：918 W(對270 v、34八之直流進行交产 轉換） ^

施加電壓：νρρ=15·3 kV (二） 供給電力：891 W(對27G V、3·3 A之直流進行交流 轉換）

施加電壓：Vpp= 1 5.3 kV (三） 供給電力：864 W(對270 V、3.2 A之直流進行交流 轉換）

施加電壓：Vpp=15 kV (四） 供給電力：810 W(對27〇 v、3 A之直流進行交流轉 換）

施加電壓：Vpp=14.8 kV 自電漿處理後之TAC膜之寬度方向之一端部及另一端部 以及中央部分別各切下兩片試料片，將該TAC膜之試料片 接著於PVA膜之试料片之兩個表面，從而製作剖面結構與 圖2(a)相同之偏光板試料。使用聚合度5〇〇之pVA為之 水溶液來作為評估用接著劑。於各條件（一）〜（四）下製作複 數個（2個〜3個）偏光板試料。接著劑之乾燥條件為8(rc、$ /刀鐘。於接著劑硬化之後，藉由跳躍滾筒法（JIS(Japanese Industrial Standards ’日本工業標準）K6854)而測定接著強 度。其結果為，如表2所示，所有條件（一）〜（四）下之試料 145372.doc -42· 201035191 均材料破損，獲得了充分的接著強度。 [表2] 條件 速度 (m/min) 流量 (L/min) 接著強度(材料破損強度)(N/inch) 一端部 中央部 另一端部 平均 (一） 10 8 12 16.5 15 14.5 (二） 15 12 11.7 16.5 17 15.1 ㈢ 20 16 17 / 15.6 16.3 ㈣ 30 24 15 16.8 16.4 16.1 於條件（一）〜（四）中，TAC膜11之搬送速度與第1製程氣 體（丙烯酸蒸汽+氮氣）之供給流量成正比，因此處理量應 看作彼此相同，但可確認搬送速度及供給流量較大，則有 接著強度變得良好之傾向。因此，本發明者認為若將製程 氣體之供給流量設為某種程度之大小以上，則即便搬送速 度較大亦可抑制空氣之捲入量，且可確保接著強度。 [比較例1 ] 作為比較例1，係於圖3中將載體通路35之流量設為0， 將10 L/min之氮氣依次流入氣體通路33、34、37、39而將 其供給至處理空間22A，並使其電漿化。因此，比較例1之 第1製程氣體中之丙烯酸含量為〇。將第1製程氣體之喷出 温度設為40°C，將TAC膜11之溫度設為25°C。又，將10 L/min之氮氣供給至處理空間22B而作為第2製程氣體。將 TAC膜之搬送速度設為2 m/min。供給電力為1107 W(對270 V、4.1 A之直流進行交流轉換）。電極間之施加電壓為 145372.doc -43 - 201035191

Vpp = 15.6 kV。與實施例1同樣地，嘗試將電漿處理後之 TAC膜與PVA膜接著，但幾乎無法接著。 [實施例3] 於實施例3中，使用圖3之裝置1。TAC膜11之寬度、各 處理空間22A、22B之厚度及容積與實施例2相同。TAC膜 11之搬送速度V係於V=5 m/min〜3 0 m/min之範圍内調節， 且第1製程氣體（丙烯酸蒸汽+氮氣）之向處理空間22A之供 給流量Q係於Q=5 L〜33 L之範圍内調節。再者，將氣體通 路34之流量設為0。因此，上述第1製程氣體之供給流量Q 與載體通路35之流量相等。將第1製程氣體之喷出溫度設 為40°C，將TAC膜11之溫度設為25°C。將向處理空間22B 之氮氣之供給流量設為1 〇 L/min。 於處理空間22A之下方配置氧濃度測定器之探針，而測 定處理空間22A之氧濃度。作為氧濃度測定器，係使用 Toray公司製造之商品名OXYGEN ANALYZER、型號為LC-850KS。圖16表示結果。 於第1製程氣體之供給流量（圖16之圖表之橫軸）固定且 為相對較小值時，隨著移動速度增大，處理空間22A之氧 濃度增大。其表示移動速度越大，則空氣向處理空間22A 内捲入之捲入量越增大。又，於移動速度固定時，隨著第 1製程氣體之供給流量增大，而處理空間22A之氧濃度減 小。其表示藉由增大第1製程氣體之供給流量，可將處理 空間22 A内之氣體置換成第1製程氣體。若第1製程氣體之 供給流量超過20 L，則無關於移動速度，處理空間22A之 145372.doc -44- 201035191 氧濃度為1000 ppm以下，其確實地成為3000 ppm以下。進 而’若第1製程氣體之供給流量超過30 L，則無關於移動 速度’處理空間22A之氧濃度大致為〇 ppm。其表示處理空 間22A内之氣體大致完全地被第1製程氣體置換。 根據以上之實施例1〜3 ’判明以處理空間22A之氧濃度較 好的是3000 ppm以下、更好的是2000 ρριη、進而好的是 1 000 ppm之方式來調節製程氣體之供給流量，藉此可獲得 良好的接者強度。確認到於移動速度較大時，增大製程氣 體之供給流量而使氧濃度處於上述範圍内便可，藉此可進 行高速處理。 [實施例4] 於實施例4中，使用與第4實施形態（圖7〜圖9)之裝置實 貝上相同之裝置’而調查製程氣體之流量及被處理膜丨丨之 移動速度、與處理空間22之氧濃度的關係。 被處理膜11之寬度（沿著電極21之軸方向之尺寸）為330 mm ’薄膜11之厚度為oj mm。 閉塞構件71、72之軸方向之長度及電極21、以之軸方向 之長度為330 mm。電極21、21之直徑為31〇 mm。電極 21、21之最狹窄部位之間隔（處理空間22之厚度）為ο.? mm ° 使兼做喷嘴之閉塞構件71之下端面位於相對於配置有電 極21、21之軸線之水平面而向上相隔215瓜爪之位置。使 閉塞構件72之上端面位於相對於上述水平面而向下相隔 21.5 mm之位置。因此，處理空間22之上下方向之尺寸為 145372.doc -45- 201035191 面積為 43 mm。處理空間22之與軸線正交之剖面之剖 72_97 mm2。處理空間22之體積為〇.〇24〇8 L。 74f之厚度t分別設為t=〇5 將側部間隙73e、73f、74e、 mm左右。 間隙82e之厚度t8設為 將側板82與電極21之端面之間的 t8=0.1 mni 〇 釉端閉塞構件80之 哪闲暴稱 件80之寬度（沿著電極21、21之排列方向之尺寸）為銘 mm。軸端閉塞構件80之軸方向之尺寸為35爪爪。 首先，利用氮氣（N2)80 V〇l%、氧氣（〇2)2〇 v〇1%之混合 氣體，而置換處理部2之周邊之環境氣體、進而置換處: 空間22内之氣體。其後，將氮氣⑽％之氣體作為偽製程 氣體而自上側之兼做喷嘴之閉塞構件71向處理空間”供 給。偽製程氣體（n2 loo%)之供給流量為1〇 slm、2〇 sim、 30 slm、40 slm此四種。軸方向之每單位長度之供給流量 為 30 slm/m、61 slm/m、91 slm/m、121 slm/m此四種。於 供給流量為10 slm時，處理空間22内之氣體每分鐘更換 415次。於供給流量為2〇 sim時，處理空間22内之氣體每 分鐘更換830次。於供給流量為3〇 sim時，處理空間22内 之氣體每分鐘更換1245次。於供給流量為4〇 slm時，處理 空間22内之氣體每分鐘更換丨66丨次。 與上述氣體供給平行地，使電極21、21於圖7中順時針 地旋轉’而搬送薄膜11。或者不使電極21、21旋轉，使薄 膜11靜止。將薄膜丨丨之搬送速度設為〇 m/min、1 〇 m/min、 145372.doc -46- 201035191 20 m/min、30 m/min此四種。 不進行電極21及兼做喷嘴之閉塞構件71之溫度調節。

測量自偽製程氣體（N2 100%)之供給開始起經過120秒之 時間點之處理空間22的氧濃度。作為氧濃度計，係使用 Toray engineering股份有限公司製LC-850KS(保證精度（重 複性）為0.05 ppm)。設置自下側之閉塞構件72之上端面之 軸方向之中央部起朝向該閉塞構件72的底面而貫穿之測量 孔，並於該測量孔之朝向上述底面之開口處連接上述氧濃 度計之探針。藉由内置於上述氧濃度計中之抽吸泵，而自 上述測量孔吸入處理空間22之氣體並將其導入至上述氧濃 度計，從而測定氧濃度。將上述氧濃度計之抽吸流量設為 200 ml/min。 表3表示測定結果。 [表3] 供給流量 0 10 20 30 10 20 43.7 44000 88600 20 18.5 24.1 26.6 44.5 30 19.6 23.3 24 25.5 40 20 23.4 24 24.7 處理空faE 内之氧鋒 1 度(ppm) 隨著搬送速度增大而處理空間22内之氧濃度增大。認為 係因薄膜11之移動而將周邊之含氧氣之環境氣體捲入處理 空間22内。 於供給氣體流量為10 slm時，搬送速度為0〜10 m/min時 145372.doc -47- 201035191 處理空間22内之氧濃度為係兩位數之ρρ^濃度，若使搬送 速度為20 m/min〜30 m/min，則氧濃度大幅增大而成為五 位數之ppm濃度。 於供給氣體流量為20 slm時，即便搬送速度為2〇 m/min〜30 m/min氧濃度亦維持在兩位數之ppm濃度。 於供給氣體流量為30 slm〜40 slm時，即便增大搬送速产 而氧濃度亦幾乎不變化。 根據以上之結果，確認到若使供給氣體流量為2〇 dm以 上（軸方向之每單位長度約為60 slm/m以上），則即便薄膜 11之搬送速度為30 m/min左右，亦可防止環境氣體之捲 入，且可將氧濃度充分地維持在特定（3〇〇〇 ppm)以下。由 此，可以認為係一面藉由利用閉塞構件71、72、8〇包圍處 理空間22而將氧濃度料在特定以下，—面以高速搬送薄 膜11，藉此可縮短處理時間。又，可知軸方向之每單位長 度之供給氣體流量較好的是60 slm以上，更好的是9〇 — 以上。考慮到搬送速度存在極限、以及若供給大量氣體則 有浪費之可能性’軸方向之每單位長度之供給氣體流量之 上限較好的是180 slm。 入處理空間22内之環境氣體 向之長度，因此推測於電極 一般認為自軸端開口 22e進 之流量不依賴於電極21之軸方 21之軸方向之長度及薄膜"之寬度（上述軸方向之尺寸）大 於330 例如為測_左右日夺，可進而降低處理空㈣ 内之氧濃度。 [實施例5] 145372.doc •48· 201035191 於Λ知例5中，係對實施例4之裝置中之閉塞構件71或72 上下方向之位置進行調節。藉此，對側部間隙73 e、73 f 或74e、74f之厚度t進行調節。具體而言，將下侧之閉塞構 件72固定為實施例4中之高度並將上側之兼做噴嘴之閉 塞構件71位置調節為實施例4中之高度以上。兼做嗔嘴之 ]土構件71之间度相對於實施例4中之高度而設為〇 mm、0.1

mm、〇·2 mm、〇·5 mm此四種。於閉塞構件71之 mm時，侧部間隙73e、73f之厚度以系1=〇 5瓜瓜左 右於閉塞構件71之而度為〇· i mm時，側部間隙73 e、73f 之厚度t係t=0.6 mm左右。於閉塞構件71之高度為〇2咖 時，側部間隙73e、73f之厚度t係t=0.7 mm左右。於閉塞構 件71之高度為〇·5 mm時，侧部間隙73e、73f之厚度^係 t=l .0 mm左右。 轴端閉塞構件80係可根據閉塞構件71、72之高度調節而 上下伸縮之結構。即，如圖丨7所示，軸端閉塞構件8〇係上 段構件83、中段構件84、以及下段構件85之三段構成。該 等構件83、84、85分別係俯視3字狀（u字狀、门字狀）’ 且上段構件83與下段構件85為彼此相同之大小，中段構件 84略大於上段構件83及下段構件85。上段構件以係上下可 滑動地敌入中段構件84之上側部，且可藉由旋入螺釘86而 固定上段構件83之相對於中段構件84之上下方向的位置。 下丰又構件8 5係上下可滑動地嵌入中段構件$ 4之下側部，且 可藉由旋入螺釘87而固定下段構件85之相對於中段構件84 之上下方向的位置。 145372.doc •49· 201035191 再者’上段構件83之孔83b係與兼做喷嘴之閉塞構件7ι 之軸方向㈣部之連結用之螺釘^下段構㈣之孔㈣ 係與下側之閉塞構件72之軸方向的端部之連結用的螺钉 除了閉塞構件71、72之高度以及間隙〜、73f、％、 74f之厚度⑽卜之裝置之尺寸構成與實施例4相同。 並且’與實施例4同樣地，利用氮氣（N2)8G v〇l%、氧氣 (〇2)2〇 v〇1%之混合氣體，來置換處理部化周邊之環境氣 體」進而置換處理空間22内之氣體。其後，將氮氣職 之乳體作為偽製程氣體而自上側之兼做喷嘴之閉塞構件^ :處理空間22供給。將偽製程氣體（N2魏）之供給流量 設為 10 slm、20 slm、30 slm此三種。 ^上述氣體供給平行地，使電㈣、2i於圖7中順時針 方疋轉’而搬送薄膜1 1。脾；睹，，> 导肤 將溥膜11之搬送速度設為10 m/min、20 m/min、30 m/min此三種。 不進行電極21及兼做噴嘴之閉塞構件71之溫度調節。 測！自偽製程氣體（n2 100%)之供給開始起經過12〇秒之 時間點之處理U22的氧濃度。所使用之氧濃度計及測定 方法與實施例4相同。 又 度， 以下 為0 ，將上側之噴嘴閉塞構件71固定為實施例4中之高 並將下側之閉塞構件72位置調節為實施例4中之高度 。閉塞構件72之相對於實施例4中之高度之下降量設 mm、0.1 mm、0_2 mm 0.5 mm此四種。於閉塞構件 72之下降量為〇 mm時，側部間隙74e、7竹之厚度丨係卜〇 5 145372.doc -50· 201035191 mm左右。於閉塞構件72之下降量為0.1 mm時，側部間隙 74e、74f之厚度t係t=0.6 mm左右。於閉塞構件72之下降量 為0.2 mm時，側部間隙74e、74f之厚度t係t=0.7 mm左右。 於閉塞構件72之下降量為0.5 mm時，側部間隙74e、74f之 厚度t係t= 1.0 mm左右。 並且，與對上述兼做喷嘴之閉塞構件71進行高度調節時 同樣地，測量處理空間22之氧濃度。 表4表示實施例5之測定結果。

[表4] 冓件之升降量 0 0.1 0.2 0.5 搬送速度(m/min) 供給流量(slm) 10 10 437 4050 9800 143000 20 24.1 28.7 25.5 30 20 10 44000 48800 54200 60800 20 26.6 26 26 29 30 30 25.5 26 24 27 30 30 43.2 37 38 35.6 處理空間内之氧濃度(ppm) 於表4中，除了最下欄以外之攔係固定下側之閉塞構件 72之位置、並使上側之閉塞構件71上升時之資料。最下欄 係固定上側之閉塞構件71之位置、並使下側之閉塞構件72 下降時之資料。 於搬送速度為10 m/min且供給氣體流量為10 slm時，隨 著升高閉塞構件71之位置，而處理空間22内之氧濃度大幅 145372.doc •51 - 201035191 增大。於僅使閉塞構件71之高度自〇 mm之位置上升〇 i mm時，氧濃度便超過3000 ppm。 相對於此’若將搬送速度與上述相同而保持為ι 〇 m/min ’並將供給氣體流量設為20 slm，則無關於閉塞構 件71之高度’處理空間22内之氧濃度基本上不變化，可維 持在30 ppm以下。 於使搬送速度為20 m/min時，該傾向亦相同。即，於搬 送速度為2〇 m/rnin且供給氣體流量為10 “瓜時，處理空間 22内之氧濃度成為五位數之ppm濃度，但若將搬送速度保 持為20 m/min，且將供給氣體流量設為2〇 slm，則無關於 閉塞構件7丨之高度，可將處理空間22内之氧濃度維持在3〇 ppm以下之大致固定值。 將搬送速度設為3〇 m/min， ’將供給氣體流量設為3〇

之大致固定值。

祁比，軋濃度略微變大。

以上（母单位長度約為60 確認到若將供給氣體流量設為20 slrr 為60 s〗m/m以上），則即便側部間隙 145372.doc •52· 201035191 73e、73f、74e、74f之厚度t猶微大，進而即便提高薄膜u 送速度’亦可將氧濃度充分地維持在特定（3000 ppm) 以下。 【圖式簡單說明】 係概略地表示本發明之第1實施形態之表面處理裝置 之正視圖。 圖2(a)係偏光板之剖面圖，圖2(b)係附有硬塗層之偏光 板之剖面圖。 〇 圖3係概略地表示本發明之第2實施形態之表面處理裝置 之正視圖。 圖4係概略地表示本發明之第3實施形態之表面處理裝置 之電漿處理部的正視圖。 圖5係第3實施形態之電漿處理部之立體圖。 圖6係表示第3實施形態之變形例之正視圖。 圖7係概略地表示本發明之第4實施形態之表面處理裝置 Q 之電漿處理部的正視圖。 圖8係將電極作為假想線而表示第4實施形態之電漿處理 部之立體圖。 圖9係沿著圖7iIX_IX線之剖面圖。 圖10係概略地表示本發明之第5實施形態之表面處理裝 置之電漿處理部的正視圖。 圖11係沿著圖10之XI-XI線之剖面圖。 圖12係表示第5實施形態之變形例之正視圖。 圖13係沿著圖12之ΧΙΙΙ-ΧΠΙ線之剖面圖。 145372.doc -53- 201035191

14係圖12中配置於紙面内 側之軸端 圖15係實施例1中所使用 圖0 之表面處理 圖16係表示實施例3之結果之圖表。 圖17係表示實施例5中所使用之轴 閉塞構件之立體 裝置之概略構成 閉塞構件之立體 【主要元件符號說明】 1 電漿表面處理裝置 2 電漿處理部 3 製程氣體供給系統 3A 第1製程氣體供給系統 4 第2製程氣體供給系統 7 閉塞機構 10 偏光板 11 TAC臈（難接著性樹脂薄膜） 12 PVA膜（易接著性樹脂薄膜） 13 接著劑 14 硬塗層 21 兼做電極之移動機構 21L 左側之電極 21C 中央之電極 21R 右側之電極 22 處理空間（放電空間） 145372.doc •54· 201035191 22A 處理空間（放電空間） 22B 處理空間（放電空間） 22e 軸端開口 - 23 電源 . 24 上側之平板電極 25 下側之平板電極 27 折返輥（難接著性薄膜之移動機構） 28 薄膜溫度調節機構 Ο ^ 30 恆溫容器（聚合性單體供給源） 31 惰性氣體供給源 32 加熱器 33 惰性氣體供給通路 34 電漿生成用氣體通路 34v 流量調節機構 35 載體通路 〇 35v 流量調節機構 36 聚合性單體蒸汽通路 37 製程氣體通路 38 氣體調溫機構 39 ' 39A 製程氣體喷嘴 41 第2製程氣體供給源 42 第2製程氣體供給通路 43 第2製程氣體噴嘴 51 氧氣混入通路 145372.doc -55- 201035191 61 排氣機構 62 抽吸噴嘴 71 兼做製程氣體噴嘴之側部閉塞構件 72 側部閉塞構件 72A 兼做製程氣體噴嘴之側部閉塞構件 73 凹曲面 73e ' 73f 側部間隙 74 凹曲面 74e 、 74f 側部間隙 75 整流部 76 喷出通路 77 下側之整流部 78 下側之喷出通路 79 調溫通路 80 軸端閉塞構件 81 正面板 82 側板 82e 軸端間隙 90 軸端閉塞構件 91 軸端間隙 92 轴端閉塞構件 93 迷宮式密封 94 迷宮式密封 95 部分環狀之凸部 145372.doc -56- 201035191 96 97 98 部分環狀之凸部 環狀凹槽 環狀凹槽 Ο 〇 145372.doc -57-

Claims (1)

1. 201035191 七、申請專利範圍： l #種薄膜表面處理方法，其特徵在於：其係對應與易接 著1·生樹月日薄膜接著之難接著性樹月旨薄膜之表面進行處理 者； 藉由電漿而使聚合性單體活化，並使其與配置於氣壓 與大氣職近之處理空間内之上述難接著性樹脂薄膜反 應， Ο 〇 進行設定。 2. 如請求们之薄職面處理方法，纟中於上述處理空間 内產生放電，並將含有上述聚合性單體之蒸汽之製程氣 體供給至上述處理空間，且以上述處理空間内之氧濃产 ，3〇00 ppm以下之方式來設定上述製程氣體之供给^ ° 3. 如4求項2之薄膜纟面處理方法，纟中上述製程氣體 質上不含有氧氣。 4·如請求項1至3中任一項之薄膜表面處理方法，其中以 述處理空間内之氧濃度為2_ ppm以下之方式而進行設 定。 5.如清求項1至3中任一項之薄膜表面處理方法，其中' 述處理空間内之氣漢度為1 〇〇〇 ppm以下之方' 定。 J八而進行設 6·如請求項1至3中任一項之薄膜表面處理方法， 、、 兵中使上 述難接著性樹脂薄膜相對於上述處理空間而相對移動 145372.doc 201035191 且將上述相對移動之速度設為10 m/min以上。 7·如请求項1至3中任一項之薄膜表面處理方法，其中上述 聚合性單體為丙烯酸或甲基丙烯酸。 ^ & 一種偏光板之製造方法，其特徵在於：上述難接著性樹 月曰缚膜為透明之保護膜，上述易接著性樹脂薄膜為偏光 膜；於執行如請求項⑴中任一項之薄膜表面處理方法 2後’經由透明之接著劑而將上述難接著性樹脂薄膜接 著於易接著性樹脂薄膜上。 9.=種薄膜表面處理裝置’其特徵在於：其係對應與易接❹ 著性樹脂薄膜接著之難接著性樹脂薄膜之表面進行處理 者； 其包括電製處理部，該電漿處理部係藉由電漿而使聚 合性單體活化’並使其與配置於氣壓與大氣壓接近之處 理空間内之難接著性樹脂薄膜接觸， 且上述處理空間内之氧濃度為3000 ppm以下。 如》月长員9之薄膜表面處理裝置，其中上述電漿處理部 包括於上述處理空間内產生放電之一對電極， 〇 上述薄膜表面處理裝置進而包括製程氣體供給系統， 該製程氣體供給系統係將含有上述聚合性單體之蒸汽之 製程氣體供給至上述處理空間，且上述製程氣體供給系. 統之衣程氣體之供給流量係以上述處理空間内之氧濃度 為3000 Ppm以下之方式而進行設定。 1.如請求項U)之薄膜表面處理裝置，其中上述一對電極分 別為軸線朝向軸方向之圓筒狀，且於與上述軸方向正交 145372.doc -2- 201035191 之排列方向上平行排列，該等電極彼此間之最狹窄部位 及其周邊成為上述處理空間； 進而上述薄膜表面處理裝置包括一對側部閉塞構 件該側閉塞構件係夹持上述處理空間而設置於與上 述軸方向及上述排列方向正交之正交方向的兩側，於上 述軸方向上延伸’且於與上述各電極之圓周面之間形成 允許上述難接著性樹脂薄膜向上述各電極纏繞之間隙， ❹ 並橫跨於上述一Λ. L. Γβΐ m 對電極之上述圓周面彼此之間；上述一 對侧部閉塞構❹之至少—者構成上述製程氣體供給系 統之下游端的製程氣體喷嘴。 如請求項U之薄膜表面處理裝置，其進而包括軸端閉塞 構件，該軸端閉塞構件係橫跨於上述—對電極及上述一 對側部閉塞構件之上述軸方向之彼此相同側的端部彼此 之間’且覆蓋至上述處理空間之上述抽方向之上述相同 側的端部。 ❹13·如請求項9至12中任-項之薄膜表面處理裝置，其進而 包括移動機構，該移動機構係使上述難接著性樹脂薄膜 相對於上述處理空間而相對移動，且上述移動機構之上 述相對移動之速度為10 m/min以上。 14.如請求項9至12中任-項之薄膜表面處理裝置，其中上 述t合性單體為丙烯酸或甲基丙烯酸。 145372.doc